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      發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法

      文檔序號:6900002閱讀:241來源:國知局
      專利名稱:發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu);具體而言,本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu),用于提供較均勻的光線。
      背景技術(shù)
      發(fā)光二極管(Light Emitting Diodes, LED)由于體積小、耗能少,因此 成為包含液晶顯示器在內(nèi)多種電子產(chǎn)品使用的光源之一。
      如圖l所示的現(xiàn)有技術(shù),現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10包含現(xiàn)有基座30、現(xiàn)有 二極管芯片50以及現(xiàn)有封裝透鏡70。其中,現(xiàn)有二極管芯片50設(shè)置于現(xiàn)有 基座30上,現(xiàn)有封裝透鏡70則包覆于現(xiàn)有二極管芯片50上。
      如圖l所示,現(xiàn)有二極管芯片50發(fā)出的光線200在通過封裝透鏡70后, 出光的角度并無顯著變化。具體而言,由于封裝透鏡70的表面明顯大于二極 管芯片50,而二極管芯片50發(fā)出的光線200的出光角度有限,故二極管芯片 50發(fā)出的光線200在封裝透鏡70表面的分布較不均勻。以上現(xiàn)有發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)IO有改善的空間。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的主要目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),具有較大的出光角度。 本發(fā)明的另一主要目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),具有較均勻的出光 效果。
      本發(fā)明的另一主要目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,供增加發(fā) 光二極管的出光角度。
      本發(fā)明的另一主要目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,供提升發(fā) 光二極管的出光效果的均勻性。
      為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含基座、二極管芯片以及封 裝透鏡。二極管芯片設(shè)置于基座上。封裝透鏡包覆于二極管芯片上,其中,封 裝透鏡的表面具有多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)。
      封裝透鏡的表面為曲面或直平面。點狀結(jié)構(gòu)與封裝透鏡為一體成型或以外 部附加方式設(shè)置于封裝透鏡表面。點狀結(jié)構(gòu)選自圓形、矩形、正多角形或多邊 形。點狀結(jié)構(gòu)包含為突點結(jié)構(gòu)。突點結(jié)構(gòu)選自半球、圓錐、角錐、圓柱及角柱。 點狀結(jié)構(gòu)的分布密度為一單一密度或者朝向二極管芯片的中央位置以漸進方 式增加。
      而且,為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法包含安置二極 管芯片于基座上、組裝封裝透鏡于二極管芯片上以及形成多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)于封 裝透鏡的表面。
      點狀結(jié)構(gòu)外部附加步驟包含以涂布、噴灑或印刷方式設(shè)置于封裝透鏡表 面。點狀結(jié)構(gòu)外部附加歩驟包含均勻分布點狀結(jié)構(gòu)于封裝透鏡的表面。點狀結(jié) 構(gòu)外部附加步驟包含使點狀結(jié)構(gòu)于封裝透鏡表面正對二極管芯片的區(qū)域具有 較密的分布。
      本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有較大的出光角度,并具有較均勻的出光效果。


      圖l為現(xiàn)有技術(shù)示意圖2為本發(fā)明較佳實施例示意圖3為本發(fā)明具有曲面表面的封裝透鏡的不同實施例示意圖4為本發(fā)明點狀結(jié)構(gòu)外部附加于封裝透鏡表面的實施例示意圖5為本發(fā)明具有突點結(jié)構(gòu)的點狀結(jié)構(gòu)的實施例示意圖6a為本發(fā)明較佳實施例俯視示意圖6b為本發(fā)明不同實施例的俯視示意圖6c為本發(fā)明不同實施例的俯視示意圖7為本發(fā)明較佳實施例的出光示意圖8所示本發(fā)明的實施例流程其中,附圖標記
      10:現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 30:現(xiàn)有基座
      50:現(xiàn)有二極管芯片 70:現(xiàn)有封裝透鏡 100:發(fā)光—極管結(jié)構(gòu)
      300 :基座 700:封裝透鏡
      200:光線
      500:二極管芯片
      710:點狀結(jié)構(gòu)
      具體實施例方式
      本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),以及制造此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的方法。
      如圖2所示的較佳實施例,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100包含基座300、 二極管芯片500以及封裝透鏡700。 二極管芯片500設(shè)置于基座300上。封裝 透鏡700包覆于二極管芯片500上,其中,封裝透鏡700的表面形成有多數(shù)個 點狀結(jié)構(gòu)710。在此較佳實施例中,封裝透鏡700的表面為直平面。然而在不 同實施例中,封裝透鏡700的表面可以為如圖3所示的曲面。
      在如圖2所示的較佳實施例中,點狀結(jié)構(gòu)710與封裝透鏡700為一體成型。 然而在如圖4所示的不同實施例中,點狀結(jié)構(gòu)710可以包含涂布、噴灑或印刷 等外部附加方式設(shè)置于封裝透鏡700表面。點狀結(jié)構(gòu)710選自圓形、矩形、正 多角形或多邊形,且其頂面多為弧面。然而在不同實施例中,點狀結(jié)構(gòu)710 的頂面也可為平面、凹面或不平整面等。
      如圖5所示的不同實施例,點狀結(jié)構(gòu)710包含為突點結(jié)構(gòu)。與圖4所示實 施例的不同處在于,點狀結(jié)構(gòu)710可以為自封裝透鏡700表面突出為近似柱體 的結(jié)構(gòu),因此各點狀結(jié)構(gòu)710間的光反射及干涉狀況較為明顯。其中,作為點 狀結(jié)構(gòu)710的突點結(jié)構(gòu)選自半球、圓錐、角錐、圓柱及角柱。
      點狀結(jié)構(gòu)710于封裝透鏡700表面的面積大小可視需求而加以變化。如圖 2所示的較佳實施例,其俯示圖如圖6a所示,位于封裝透鏡700表面較接近 正對二極管芯片500中央位置的區(qū)域的點狀結(jié)構(gòu)710具有較大的面積。然而在 不同實施例中,點狀結(jié)構(gòu)710可如圖6b所示具有相同大小的面積;或于不同 位置形成不同面積的點狀結(jié)構(gòu)。例如點狀結(jié)構(gòu)710以漸進方式朝中央或四周增 加或減少面積,或以區(qū)塊分布方式將點狀結(jié)構(gòu)710分組,不同區(qū)塊內(nèi)的點狀結(jié) 構(gòu)710即具有不同的面積(圖未示)。通過調(diào)整不同位置上點狀結(jié)構(gòu)710的面積 大小,即可改變自二極管芯片500發(fā)出的光線的出光角度以及出光的均勻性。
      點狀結(jié)構(gòu)710于封裝透鏡700表面的分布密度可視需求而加以變化,換言 之,點狀結(jié)構(gòu)710于封裝透鏡700表面的排列方式可依其分布密度需求而加以
      變化。如圖6b所示的實施例,點狀結(jié)構(gòu)710的分布密度為單一密度,故點狀 結(jié)構(gòu)710的排列方式均勻分布于封裝透鏡700的表面。然而在如圖6c所示的 不同實施例中,點狀結(jié)構(gòu)710的分布密度以漸進方式朝向二極管芯片500的中 央位置增加,換言之,位于封裝透鏡700表面較接近正對二極管芯片500中央 位置的區(qū)域的點狀結(jié)構(gòu)710具有較密的分布?;蛘撸c狀結(jié)構(gòu)710的分布密度 以漸進方式朝二極管芯片500的中央位置減少,或以區(qū)塊分布方式將點狀結(jié)構(gòu) 710分組,不同區(qū)塊內(nèi)的點狀結(jié)構(gòu)710即具有不同的分布密度(圖未示)。通過 調(diào)整不同位置上點狀結(jié)構(gòu)710的分布密度,即可改變自二極管芯片500發(fā)出的 光線的出光角度以及出光的均勻性。
      本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的出光示意圖如圖7所示,通過封裝透鏡700 表面的點狀結(jié)構(gòu)710的設(shè)置,可增加發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的出光角度及調(diào)整光 線分布的均勻性。具體而言,自二極管芯片500發(fā)出的光線200在經(jīng)過封裝透 鏡700表面的點狀結(jié)構(gòu)710折射后可改變原有的出光角度。因此,本發(fā)明發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)100可具有較均勻的出光效果。另一方面,通過改變點狀結(jié)構(gòu)710 的突點立體構(gòu)型、面積大小或分布密度,可進一步改變自二極管芯片500發(fā)出 的光線200于離開封裝透鏡時的出光角度,以符合不同的設(shè)計需求。
      如圖8所示本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法實施例流程圖。步驟3001 包含安置二極管芯片于基座上。二極管芯片包含各色的二極管芯片,例如藍光 二極管、黃光二極管、紅光二極管等。
      步驟3003包含組裝一封裝透鏡于二極管芯片上。其中,封裝透鏡的表面 可以為直平面或曲面。封裝透鏡中可視需求包含有各式的熒光材料或其它改變 光線光學(xué)性質(zhì)的材質(zhì)。
      步驟3005包含形成多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)于封裝透鏡的表面。其中,形成點狀 結(jié)構(gòu)的方法包含涂布、噴灑或印刷等方式外部附加于封裝透鏡的表面。點狀結(jié) 構(gòu)選自圓形、矩形、正多角形或多邊形。另一方面,點狀結(jié)構(gòu)包含為突點結(jié)構(gòu), 突點結(jié)構(gòu)為半球、圓錐、角錐、圓柱或角柱。
      點狀結(jié)構(gòu)的形成步驟可進一步包含依據(jù)點狀結(jié)構(gòu)710的分布密度設(shè)計排 列分布點狀結(jié)構(gòu)具有不同或相同的面積大小及分布的位置,以配合不同的散光 或光線均勻度需求。例如使點狀結(jié)構(gòu)的分布密度以漸進方式朝二極管芯片500 中央位置增加或減少面積,或以區(qū)塊分布方式將點狀結(jié)構(gòu)分組,不同區(qū)塊內(nèi)的 點狀結(jié)構(gòu)即具有不同的面積。此外,點狀結(jié)構(gòu)的形成步驟也可包含使點狀結(jié)構(gòu)
      均勻分布于封裝透鏡的表面,或于封裝透鏡表面正對二極管芯片500中央位置 的區(qū)域具有較密的分布以配合不同的散光或光線均勻度要求。例如使點狀結(jié)構(gòu) 以漸進方式朝二極管芯片500中央位置增加或減少分布密度,或以區(qū)塊分布方 式將點狀結(jié)構(gòu)分組,不同區(qū)塊內(nèi)的點狀結(jié)構(gòu)即具有不同的分布密度。
      當然,本發(fā)明還可有其它多種實施例,在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形,但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
      權(quán)利要求
      1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,包含一基座;一二極管芯片,設(shè)置于該基座上;以及一封裝透鏡,該封裝透鏡包覆于該二極管芯片上,其中該封裝透鏡的表面具有多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該封裝透鏡的表 面為曲面或直平面。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié)構(gòu)與 該封裝透鏡為一體成型。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié)構(gòu)以 外部附加方式設(shè)置于該封裝透鏡表面。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié)構(gòu)選 自圓形、矩形、正多角形或多邊形。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié)構(gòu)包 含為突點結(jié)構(gòu)。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些突點結(jié)構(gòu)選 自半球、圓錐、角錐、圓柱及角柱。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié)構(gòu)的 的分布密度為一單一密度。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié)構(gòu)的 的分布密度朝向該二極管芯片的中央位置以漸進方式增加。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該些點狀結(jié) 構(gòu)的的分布密度朝向該二極管芯片的中央位置以漸進方式減少。
      11. 一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,其特征在于,包含 安置一二極管芯片于一基座上; 組裝一封裝透鏡于該二極管芯片上;以及 形成多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)于該封裝透鏡的表面。
      12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,其特征在于,該 封裝透鏡的表面為曲面或直平面。
      13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,其特征在于,形 成該點狀結(jié)構(gòu)步驟包含以涂布、噴灑或印刷方式設(shè)置于該封裝透鏡表面。
      14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,其特征在于,該 些點狀結(jié)構(gòu)選自圓形、矩形、正多角形或多邊形。
      15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,其特征在于,該 些點狀結(jié)構(gòu)包含為突點結(jié)構(gòu)。
      16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法,其特征在于,該 些突點結(jié)構(gòu)為半球、圓錐、角錐、圓柱或角柱。
      全文摘要
      本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含基座、二極管芯片以及封裝透鏡。二極管芯片設(shè)置于基座上。封裝透鏡包覆于二極管芯片上,封裝透鏡的表面具有多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)制造方法包含安置二極管芯片于基座上、組裝封裝透鏡于二極管芯片上以及形成多數(shù)個點狀結(jié)構(gòu)于封裝透鏡的表面。
      文檔編號H01L33/00GK101350391SQ20081014669
      公開日2009年1月21日 申請日期2008年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月4日
      發(fā)明者徐柏棠, 李岳翰, 李弘慶, 林志維, 柯見銘 申請人:友達光電股份有限公司
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