專(zhuān)利名稱(chēng)：：基板載置臺(tái)、基板處理裝置以及溫度控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及載置半導(dǎo)體晶片等基板的基板載置臺(tái)、對(duì)載置在基板載置臺(tái)上的基板實(shí)施干蝕刻等處理的基板處理裝置、以及對(duì)載置在基板載置臺(tái)上的基板的溫度進(jìn)行控制的基板的溫度控制方法。
背景技術(shù)：
：在等離子體蝕刻處理中，在腔室內(nèi)設(shè)置用于載置作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱(chēng)晶片或者基板)的載置臺(tái)，利用構(gòu)成該載置臺(tái)上部的靜電卡盤(pán)靜電吸附并保持晶片。然后，形成處理氣體的等離子體，對(duì)晶片實(shí)施等離子體蝕刻處理。在這種等離子體處理裝置中，由于晶片從上方受熱，因此，在基板載置臺(tái)的內(nèi)部設(shè)置制冷劑流路并冷卻載置臺(tái)，同時(shí)，將氦氣等傳熱用氣體導(dǎo)入載置臺(tái)與晶片背面的間隙，用于促進(jìn)晶片的冷卻。己公開(kāi)的一種技術(shù)是，當(dāng)像這樣使用傳熱用氣體冷卻晶片時(shí)，在構(gòu)成載置臺(tái)上部的靜電卡盤(pán)的吸附面上設(shè)置多個(gè)凸?fàn)铧c(diǎn)，通過(guò)控制該凸?fàn)铧c(diǎn)的高度和傳熱用的氣體的壓力來(lái)改變來(lái)自晶片的拔熱量，控制晶片的溫度(專(zhuān)利文獻(xiàn)O。另外，提案有一種技術(shù)方案，設(shè)定該突起的高度為l(im至10pm，突起與晶片的接觸面積為1%，從而使晶片的高溫區(qū)的溫度控制性變得良好(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。但是，如果僅采用在上述載置面上設(shè)置突起的方法，則在突起的高度低的情況下，傳熱用的氣體難以擴(kuò)散至整個(gè)晶片表面。結(jié)果就會(huì)出現(xiàn)難以將晶片控制在均一溫度這樣的問(wèn)題。另一方面，如果增加突起的高度，則存在從晶片向載置臺(tái)的傳熱量降低，難以將晶片控制在所希望的溫度這樣的問(wèn)題。而且，如果晶片體積變大，則也存在在其周邊和中央，進(jìn)熱與出熱的平衡產(chǎn)生偏差，難以將整個(gè)晶片表面保持在均一的溫度這樣的問(wèn)20081題。一般情況下，基板的中央容易被冷卻，而基板周邊的冷卻變?nèi)?。因此，為了將整個(gè)晶片控制在均一的溫度，必須在基板的周邊與中央改變冷卻的程度。于是，作為根據(jù)基板的部位來(lái)改變冷卻的程度的一個(gè)方法，提案有將載置臺(tái)分區(qū)，向每個(gè)區(qū)域供給冷卻氣體的方法(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。艮P，它是在載置臺(tái)表面設(shè)置周邊環(huán)狀凸部，將基板與載置臺(tái)表面之間的密閉空間分離成內(nèi)側(cè)部分和外側(cè)部分，在兩個(gè)部分分別設(shè)置傳熱用氣體導(dǎo)入部的基板載置臺(tái)。如果采用這種結(jié)構(gòu)，則能夠使被周邊環(huán)狀凸部分割的各個(gè)區(qū)域的壓力不同。專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2000-317761號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2001-274228號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3日本特開(kāi)2006-156938號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容在上述那樣的在載置臺(tái)上設(shè)置周邊環(huán)狀凸部而將基板的冷卻范圍分區(qū)的方法中，在分區(qū)的內(nèi)側(cè)環(huán)狀凸部的部分，基板與載置臺(tái)接觸。因此，該接觸部分中的拔熱量與其它部分相比增大，結(jié)果就會(huì)出現(xiàn)接觸部分周邊的溫度與其它部分的溫度相比變低，基板的特性產(chǎn)生異常點(diǎn)這樣的問(wèn)題。'本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供一種被處理基板的溫度控制性良好，在整個(gè)基板上沒(méi)有拔熱量在局部發(fā)生突變這樣的異常點(diǎn)的基板載置臺(tái)、使用該基板載置臺(tái)的基板處理裝置以及基板的溫度控制方法。為了解決上述課題，本發(fā)明的基板載置臺(tái)是一種在基板處理裝置中載置基板的基板載置臺(tái)，其特征在于，包括載置臺(tái)本體；當(dāng)在上述載置臺(tái)本體的基板載置一側(cè)的表面載置基板時(shí)與基板的周邊部接觸、并且在基板的下側(cè)部分形成傳熱用氣體流通的密閉空間的周邊環(huán)狀凸部；在上述基板載置一側(cè)的表面的周邊部附近或者中央部附近的任一個(gè)上形成的上述傳熱用氣體的流入口；在另一個(gè)上形成的上述傳熱用氣體的流出口；以及在上述基板載置一側(cè)的表面形成的、在上述傳熱用氣體從上述傳熱用氣體的流入口向流出口流動(dòng)時(shí)形成流導(dǎo)(conductance)C的流路。該載置臺(tái)中的流導(dǎo)C按照下述公式定義，流導(dǎo)C的值優(yōu)選在規(guī)定的范圍內(nèi)。C(m3/sec)=Q/AP此處，Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(Pam3/sec)△P:傳熱用氣體的流入口與流出口間的差壓(Pa)此處，優(yōu)選上述流路利用連結(jié)件連結(jié)圓柱形狀的突起部，在基板載置一側(cè)的表面形成同心圓形狀(環(huán)狀)。另外，優(yōu)選按照矩形或者圓柱形狀的突起部的上端不與上述基板接觸，并且接近的方式設(shè)置。傳熱用氣體流經(jīng)上述上端與基板的間隙，流導(dǎo)值由該間隙決定。此外，優(yōu)選在形成上述流路的矩形或者圓柱形狀的突起部的上端設(shè)置與上述基板接觸的小突起，利用連結(jié)件連結(jié)矩形或者圓柱形狀的突起部，同樣環(huán)狀地形成有多列。由此，與基板接觸的部分變成小突起，因此，基板溫度的異常點(diǎn)減少。另外，該小突起具有穩(wěn)定地保持突起部本體上端與基板的間隔的功能。而且，通過(guò)調(diào)整小突起的寬度以及高度，能夠容易地控制傳熱用氣體的流動(dòng)，因此，流導(dǎo)值的調(diào)整變得更加容易。本發(fā)明的載置臺(tái)是一種在基板處理裝置中載置基板的基板載置臺(tái)，其特征在于，包括載置臺(tái)本體；當(dāng)在上述載置臺(tái)本體的基板載置一側(cè)的表面載置基板時(shí)與基板的周邊部接觸、并且在基板的下側(cè)部分形成傳熱用氣體流通的密閉空間的周邊環(huán)狀凸部；在離上述基板載置一側(cè)的表面的中心點(diǎn)的距離為r的位置形成的上述傳熱用氣體的流入口或者流出口；在上述基板載置一側(cè)的表面的周邊部附近形成的，與上述傳熱用氣體的流入口或者流出口對(duì)應(yīng)的流出口或者流入口；在上述基板載置一側(cè)的表面形成的，在上述傳熱用氣體從上述傳熱用氣體流入口向流出口流動(dòng)時(shí)形成流導(dǎo)C的流路；以及在離上述中心點(diǎn)的上述距離為r的范圍形成的多個(gè)點(diǎn)狀突起。該載置臺(tái)中的流導(dǎo)C的值按照下述公式定義，它的值優(yōu)選在所希望的范圍內(nèi)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>此處，Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(PamVsec)△P:傳熱用氣體的流入口與流出口間的差壓(Pa)此外，上述流路呈環(huán)狀形成有多列流路形成部件，上述流路形成部件利用連結(jié)件連結(jié)上端不與上述基板接觸而接近設(shè)置的矩形或者圓柱形狀的突起部。此外，上述流路呈環(huán)狀形成有多列流路形成部件，上述流路形成部件利用連結(jié)件連結(jié)上端具備與上述基板接觸的小突起的矩形或者圓柱形狀的突起部的流路形成部件。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，例如，從設(shè)在周邊部附近的傳熱用氣體流入口至在離中心點(diǎn)的距離為r的位置所設(shè)置的傳熱用氣體流出口間的區(qū)域中的傳熱用氣體的壓力，從傳熱用氣體流入口朝向流出口，氣體的壓力降低。另一方面，在從傳熱用氣體流出口至中心點(diǎn)的區(qū)域中，除了填充氣體的初期狀態(tài)之外，傳熱用氣體并不流動(dòng)，因此，該區(qū)域中的氣體壓力為相同壓力。結(jié)果，以前如果不設(shè)置分割壁就無(wú)法設(shè)置(分區(qū))壓力不同的區(qū)域，但是，根據(jù)本發(fā)明，無(wú)需設(shè)置分割壁就能形成壓力差不同的區(qū)域。本發(fā)明是一種在基板處理裝置中載置基板的基板載置臺(tái)，其特征在于，包括載置臺(tái)本體；當(dāng)在上述載置臺(tái)本體的基板載置一側(cè)的表面載置基板時(shí)與基板的周邊部接觸、并且在上述基板的下側(cè)部分形成傳熱用氣體流通的密閉空間的周邊環(huán)狀凸部；在上述密閉空間中呈環(huán)狀設(shè)置的、形成上述傳熱用氣體的流路的多個(gè)大致圓形的分割壁；在上述基板載置一側(cè)的表面的中央部附近形成的上述傳熱用氣體的流入口或者流出口；和在上述基板載置一側(cè)的表面的周邊部附近設(shè)置的，與在上述中央部附近形成的流入口或者流出口對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)以上的流出口或者流入口，其中，在上述各大致圓形的分割壁上設(shè)置有用于上述傳熱用氣體流通的切口部。上述切口部?jī)?yōu)選設(shè)置在距離上述傳熱用氣體的流入口或者流出口最遠(yuǎn)的位置。另外，當(dāng)在大致圓形的分割壁上設(shè)置有多個(gè)切口部的情況下，優(yōu)選在該分割壁上設(shè)置與設(shè)在相鄰的大致圓形的分割壁上的切口部個(gè)數(shù)相同的切口部，并且，在距離設(shè)在相鄰分割壁上的任意一個(gè)切口部最遠(yuǎn)的位置設(shè)置切口部。由此，就能形成所希望流導(dǎo)C的傳熱用氣體流路。該載置臺(tái)中的流導(dǎo)c按照下述公式定義，流導(dǎo)c的值優(yōu)選在所希望的范圍內(nèi)。C(m3/sec)=Q/AP此處，Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(Pa*m3/Sec)傳熱用氣體的流入口與流出口間的差壓(Pa)此外，上述大致圓形的分割壁的上端優(yōu)選與上述基板不接觸而接近。此外，上述大致圓形的分割壁的上端也可以與上述基板接觸。這里，上述流導(dǎo)C的值優(yōu)選在3Xl(T8至3X10"mVsec的范圍內(nèi)，該值更優(yōu)選在3X10々至3Xl(TSmVsec的范圍內(nèi)。而且，上述傳熱用氣體的流入口與流出口中的傳熱用氣體的壓力差優(yōu)選從10Torr至40Torr。進(jìn)一步優(yōu)選形成上述流路，以在上述傳熱用氣體的流量為lsccm至100sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的cc/min)時(shí)，上述傳熱用氣體的流入口與流出口中的傳熱用氣體的壓力差變?yōu)?0Torr至40Torr。由此，能夠利用少量的傳熱用氣體，適當(dāng)設(shè)置傳熱用氣體的壓力差。本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其特征在于，包括收容基板并且內(nèi)部被保持減壓的處理室；設(shè)置在上述處理室內(nèi)的、具有載置上述基板的上述任一種的結(jié)構(gòu)的基板載置臺(tái)；在上述處理室內(nèi)對(duì)上述基板實(shí)施規(guī)定處理的處理機(jī)構(gòu)；和向在上述基板載置臺(tái)與上述基板之間形成的上述密閉空間供給傳熱用氣體的傳熱用氣體供給機(jī)構(gòu)。此處，上述基板處理裝置優(yōu)選具有對(duì)從上述傳熱用氣體供給機(jī)構(gòu)供給的傳熱用氣體的壓力進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)。本發(fā)明提供一種基板的溫度控制方法，其特征在于，它是一種使用具有上述任一種結(jié)構(gòu)的基板載置臺(tái)來(lái)控制基板溫度的基板溫度控制方法，在上述流導(dǎo)C在3X10-7m3/sec至3Xl(T5m3/sec的范圍內(nèi)的情況下，控制傳熱用氣體的供給流量，使得上述傳熱用氣體的流入口與流出口中的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。上述流導(dǎo)C優(yōu)選根據(jù)形成流路的突起部的上端與上述基板的間隙的高度、以及/或者呈環(huán)狀設(shè)置的流路的列數(shù)進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明提供一種能夠?qū)⒒宓闹苓叢颗c中央部的拔熱量的比控制在所希望值，沒(méi)有在整個(gè)基板上拔熱量局部發(fā)生突變的冷卻異常點(diǎn)的基板載置臺(tái)、使用它的基板處理裝置以及基板的溫度控制方法。此外，如果使用本發(fā)明的載置臺(tái)，則能夠根據(jù)所需最低的傳熱用氣體(He等)在載置臺(tái)上產(chǎn)生所希望的氣體壓力差，由此能夠?qū)⒄麄€(gè)基板控制在均一且所希望的溫度。圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的被處理基板的載置臺(tái)的圖。圖2是表示在第一實(shí)施方式中形成于載置臺(tái)表面的點(diǎn)狀突起的形狀的圖。圖3是第一實(shí)施方式中的壓力控制實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)方法的說(shuō)明圖。圖4是表示第一實(shí)施方式中的溫度測(cè)定實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的例子的圖。圖5是表示縫隙內(nèi)的He壓力與熱電阻的關(guān)系的圖。圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的被處理基板的載置臺(tái)的圖。圖7是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的被處理基板的載置臺(tái)的圖。圖8是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的被處理基板的載置臺(tái)的圖。圖9是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的變形例的被處理基板的載置臺(tái)的圖。符號(hào)說(shuō)明1載置臺(tái)2基板縫隙4周邊環(huán)狀凸部制冷劑流路6周邊部附近的開(kāi)口部(傳熱用氣體流入口)7中央部附近的開(kāi)口部(傳熱用氣體流出口)8傳熱用氣體供給源9流量控制裝置10a連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10c非連結(jié)型突起11突起本體12小突起13連結(jié)部件14同壓區(qū)域15傾斜壓區(qū)域16a中央出入孔16b周邊出入孔17a、17b流量計(jì)18a、18b壓力計(jì)19環(huán)狀凸部20間隙21a、21b、21c22a、22b、22c分割壁切口部具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的基板載置臺(tái)的圖，圖1(a)是平面圖，圖l(b)是圖l(a)的A-A線(xiàn)向視截面圖。作為被處理基板(晶片)的基板2被載置在載置臺(tái)1的上部。載置臺(tái)1的基板載置側(cè)的表面(載置面)為凹部，在它與基板2之間形成有縫隙3。在凹部的外周設(shè)置有周邊環(huán)狀凸部4。其用于支撐基板2的周邊，并且防止傳熱用氣體從縫隙3中漏出，將縫隙3形成密閉空間。另外，在凹部中按照規(guī)定的間隔設(shè)置多個(gè)突起部(本圖中并未表示)。該突起的作用在于支撐基板2，從而防止基板2因自重而彎曲，同時(shí)，形成傳熱用氣體的流路，在傳熱用氣體的氣流中產(chǎn)生抵抗。在載置臺(tái)1的內(nèi)部設(shè)置有制冷劑流路5，將載置臺(tái)1控制在所希望的溫度。在本發(fā)明的一實(shí)施方式的載置臺(tái)1中，在凹部的周邊部附近設(shè)置有傳熱用氣體流入口6，在中央部附近設(shè)置有傳熱用氣體流出口7。如圖1(a)所示，傳熱用氣體流入口6在同心圓上以軸對(duì)稱(chēng)的方式設(shè)置6個(gè)。傳熱用氣體流出口7被設(shè)置在略偏離中心的位置，是從傳熱用氣體流入口6流入的氣體的流出口。傳熱用氣體流出口7也在同心圓上以軸對(duì)稱(chēng)的方式設(shè)置6個(gè)。另外，傳熱用氣體流出口7、傳熱用氣體流入口6的數(shù)量及其位置并非局限于此，傳熱用氣體流出口7、傳熱用氣體流入口6的數(shù)量也未必相同。傳熱用氣體例如氦氣由供給源8供給，通過(guò)流量控制裝置9(具備氣體流量控制單元)，被分支管分配給6個(gè)傳熱用氣體流入口6。另一方面，從傳熱用氣體流出口7流出的傳熱用氣體被集中后排出。另外，并非局限于在周邊部附近設(shè)置氣體流入口，相反，可以在中央部附近設(shè)置氣體流入口，在周邊部分附近設(shè)置氣體流出口。在本實(shí)施方式的載置臺(tái)1上，作為被配置在縫隙3中的點(diǎn)狀突起而使用了圖2(a)、(b)所示的兩種突起部(以下稱(chēng)作"連結(jié)型"和"非連結(jié)型"以示區(qū)別)。另外，也可以使用圖2(c)所示的沒(méi)有小突起的突起部。圖2(a)表示連結(jié)型點(diǎn)狀突起部，圖2(b)表示非連結(jié)型點(diǎn)狀突起部。這些附圖的上段均為立體圖，下段均為截面圖。首先，連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a由圓筒狀的突起本體11和形成于其中央上部的圓筒狀的小突起12構(gòu)成。另外，在與鄰接的突起本體11之間用連結(jié)部件13連結(jié)。另一方面，非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b由圓筒狀的突起本體11和形成于其中央上部的圓筒狀的小突起12構(gòu)成。連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a與非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b的不同之處在于，突起本體11被連結(jié)部件13相互連結(jié)，或者相互獨(dú)立。在連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a與非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b中，傳熱用氣體的流動(dòng)抵抗存在差異。在連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a中，由于在與連結(jié)方向平行的方向(圖中的Y方向)上氣體的流路開(kāi)放，所以流動(dòng)抵抗非常小。另一方面，在與連結(jié)方向垂直的方向(圖中的X方向)上，突起本體11與連結(jié)部件13、小突起12變成氣體流動(dòng)的抵抗，僅基板2與突起本體11或者與連結(jié)部件13之間的間隙變成氣體流路，所以X方向的流動(dòng)抵抗大。與此相對(duì)，在非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b中，在X方向、Y方向上流動(dòng)抵抗均小，傳熱用氣體可自由流動(dòng)。再者，在使用圖2(c)所示的非連結(jié)型的突起10c的情況下，與圖2(b)的非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b同樣，在X方向、Y方向上，傳熱用氣體均可自由流動(dòng)，但是，與圖2(b)所示的非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b相比，其不同之處在于，X方向的氣流僅被限制在鄰接的突起本體11的間隙中，以及基板2與突起本體11的接觸面積增大。在本實(shí)施方式的載置臺(tái)1中，分開(kāi)使用該連結(jié)型與非連結(jié)型的點(diǎn)狀突起10a、10b，作用在基板2的壓力被分區(qū)。首先，在圖1(a)中，被傳熱用氣體流出口7包圍的中央的白色部分是壓力基本一定的同壓區(qū)域14。在該同壓區(qū)域14中，非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b以同心圓狀配置。突起本體11的直徑是2mm左右，其間隔在圓周方向、半徑方向上均為l至2mm左右。在配置有非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10b的同壓區(qū)域14中，由于氣體在X方向及Y方向上均能自由流動(dòng)，所以該同壓區(qū)域14內(nèi)的傳熱用氣體的壓力大致一樣(同壓)。在傾斜壓區(qū)域15中，連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a被配置在同心圓上，并且在整個(gè)圓周上被一體連結(jié)。這種連結(jié)體在半徑方向上以lmm至2mm的間隔形成幾十層。連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a如圖2所示，在X方向(在載置臺(tái)上的半徑方向)上，傳熱用氣體難以流動(dòng)，在Y方向(在載置臺(tái)上的圓周方向)上，能夠自由流動(dòng)。因此，在傾斜壓區(qū)域15中，圓周方向的壓力很快變得一樣，但是，在半徑方向上，因從傳熱用氣體流入口6吹入的傳熱用氣體的流動(dòng)抵抗，在半徑方向上，在傳熱用氣體中產(chǎn)生差壓。艮口，在被周邊環(huán)狀凸部4與傳熱用氣體流出口7包圍的斜線(xiàn)部分中，離中央越近傳熱用氣體的壓力變得越低。因此，從傳熱用氣體流入口6至傳熱用氣體流出口7的部分(斜線(xiàn)部分)變成傳熱用氣體的壓力發(fā)生傾斜的傾斜壓區(qū)域15。即便在載置臺(tái)上面形成多個(gè)這種連結(jié)型或非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a、10b，縫隙3也能構(gòu)成在基板2的大致整個(gè)表面連續(xù)的空間。S卩，即便在縫隙3內(nèi)存在點(diǎn)狀突起或者后述的環(huán)狀凸部等障礙物，因傳熱用氣體流經(jīng)的流路被設(shè)置在基板2的大致整個(gè)表面(除了最外周)，故能夠構(gòu)成傳熱用氣體的流路。此處，本發(fā)明的特征在于，故意在位于周邊環(huán)狀凸部4附近的傳熱用氣體流入口6與中央部附近的傳熱用氣體流出口7之間產(chǎn)生壓力差。在傳熱用氣體流入口6與傳熱用氣體流出口7之間產(chǎn)生穩(wěn)定的氣體的流動(dòng)，但為了將產(chǎn)生的氣體的差壓控制在所希望的差壓值，優(yōu)選具備流量控制裝置9。像這樣產(chǎn)生所希望的差壓的目的在于，在基板的周邊部與中央部改變拔熱量。其原因在于，一般情況下，載置臺(tái)-基板間的氣體的流動(dòng)多變成分子流區(qū)域的情況較多，在該分子流區(qū)域中，氣體的傳熱率與壓力成正比。在本實(shí)施方式中，以縫隙3內(nèi)的壓力在基板2的周邊部與中央部產(chǎn)生差的方式，使傳熱用氣體流動(dòng)，并調(diào)査基板2的溫度如何變化(溫度測(cè)定實(shí)驗(yàn))。在溫度測(cè)定實(shí)驗(yàn)之前，測(cè)試了能否控制縫隙3內(nèi)的壓力(壓力控制實(shí)驗(yàn))。圖3是壓力控制實(shí)驗(yàn)中的實(shí)驗(yàn)方法的說(shuō)明圖。作為傳熱用氣體的流入口、流出口，在基板載置側(cè)的表面，在基板中央側(cè)和基板周邊側(cè)各設(shè)6個(gè)直徑為0.8mm的孔。此外，在腔室壓力約為50mTorr的條件下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。如圖3所示，基板中央(以下稱(chēng)作Center側(cè)，"C側(cè)")的出入孔16a設(shè)置在從基板2的中心C點(diǎn)起半徑約為40mm的位置，基板周邊(以下稱(chēng)作Edge側(cè)，"E側(cè)")的出入孔16b設(shè)置在從基板2的中心C起半徑約為100mm的位置。另外，基板2的半徑是150mm。C側(cè)的出入孔16a以及E側(cè)的出入孔16b均與氣體流量計(jì)17a以及17b連接。另外，在出入孔16a和16b的出口附近設(shè)置有分支管，它們分別與壓力計(jì)18a、18b連接。作為目標(biāo)壓力設(shè)定下述4種模式，為了確保該壓力，調(diào)查需要向C側(cè)以及E側(cè)的出入孔16a、16b吹入多少流量的傳熱用氣體。(Al)C側(cè)低壓(5Torr)/E側(cè)低壓(5Torr)(A2)C側(cè)低壓(5Torr)/E側(cè)中壓(15Torr)(A3)C側(cè)中壓(15Torr)/E側(cè)低壓(5Torr)(A4)C側(cè)中壓(15Torr)/E側(cè)中壓(15Torr)表1表示測(cè)定確保上述壓力所需要的氣體流量的結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>由表1可知，通過(guò)改變傳熱用氣體的吹入量，能夠任意改變c側(cè)與E側(cè)的壓力平衡，另外，為了將壓力控制在5Torr左右，只要將氣體流量調(diào)整至2sccm至5sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的ce/min)左右即可，為了將壓力控制在15Torr左右，只要將氣體流量調(diào)整至30sccm至35sccm左右即可。由以上結(jié)果可知，由于確實(shí)能夠?qū)⒖p隙3內(nèi)的壓力分布控制在所希望值，所以在下述三種壓力模式的情況下，測(cè)定了基板的溫度分布。(Bl)C側(cè)低壓(10Torr)/E側(cè)高壓(40Torr)(B2)C側(cè)高壓(40Torr)/E側(cè)低壓(10Torr)(B3)C側(cè)中壓(25Torr)/E側(cè)中壓(25Torr)(溫度測(cè)定實(shí)驗(yàn))基板溫度的測(cè)定實(shí)際上是在實(shí)施等離子體處理的條件下，在相同的半徑上，在離中心的距離不同的7處測(cè)定了基板的表面溫度。溫度測(cè)定中使用了OnWafer公司的PlasmaTempSensorWafer。圖4表示測(cè)定結(jié)果。如圖4所示，在C側(cè)與E側(cè)的壓力相等的B3(圖中的A符號(hào))的條件下，半徑方向的基板溫度分布基本一定、為5(TC左右，但是，隨著接近Edge側(cè)而略有上升，在Center與Edge中，E側(cè)變高2。C左右。這是由于表現(xiàn)出了"Edge側(cè)的冷卻稍弱"這樣一般的傾向。與此相對(duì)，在C側(cè)為低壓，E側(cè)為高壓的B1(圖中的參符號(hào))的情況下，Center的溫度為54。C左右，而E側(cè)為49'C左右，E側(cè)的冷卻強(qiáng)。另外，在C側(cè)為高壓，E側(cè)為低壓的B2(圖中的O符號(hào))的情況下，Center的溫度為46'C左右，而隨著靠近E側(cè)溫度上升，C側(cè)的冷卻強(qiáng)。由該結(jié)果可以確認(rèn)，縫隙3內(nèi)的壓力越高的部位，傳熱用氣體的冷卻效果變得越高，基板溫度下降。對(duì)于半徑方向的基板溫度分布，在半徑r為0至40mm的范圍內(nèi)基本一定，在半徑為40mm至150mm的范圍內(nèi)則出現(xiàn)了溫度梯度。它被認(rèn)為反映壓力分布。艮卩，rK)至40mm的范圍是壓力大致一定的等壓區(qū)域，F(xiàn)40mm至150mm的范圍是壓力逐漸變化的傾斜壓區(qū)域。在本發(fā)明中，優(yōu)選將傳熱用氣體的流入口與流出口之間的差壓設(shè)定在10Torr至40Torr的范圍。將在下面說(shuō)明其理由。如果以通過(guò)氦氣層從整個(gè)基板表面被傳熱至載置臺(tái)作為前提，則傳熱量QG)按照如下公式計(jì)算。Q=A入(AT/d)t此處，A:傳熱面積(m2)入氦氣層的傳熱率(W/m*K)△T:基板與載置臺(tái)表面的溫度差(K)d:基板與載置臺(tái)的間隔(m)t:傳熱時(shí)間(S)現(xiàn)在，如果假設(shè)(A入/d)的倒數(shù)作為熱電阻PH(=d/A入)，則Q/t=AT/pH，如果知道Ph但，則就能容易地評(píng)估傳熱難易程度。在本實(shí)施方式中，假設(shè)A=0.0593m2、d=40Xl(T6m，通過(guò)計(jì)算求得He的入與壓力PHe兩者的關(guān)系然后算出PH。圖5表示熱電阻PHe與He壓力的關(guān)系。如圖5所示，如果He壓力在10Torr以下，則隨著He壓力的下降，熱電阻PHe急劇增大。但是，如果He壓力超過(guò)lOTorr，則熱電阻的下降變得緩慢，如果超過(guò)40Torr，則熱電阻PHe幾乎不會(huì)下降。因此，從盡量降低熱電阻PHe的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選將氣體的流入口與流出口之間的差壓設(shè)定為10Torr至40Torr。圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板載置臺(tái)的圖。圖6(a)是平面圖(僅表示左側(cè)一半)，圖6(b)是圖6(a)中B-B線(xiàn)的向視截面圖，圖6(c)是圖6(b)的C部放大圖。在本實(shí)施方式2中，基板2被載置在載置臺(tái)1的周邊環(huán)狀凸部4之上，在載置臺(tái)1的表面與基板2之間形成有傳熱用氣體流通的縫隙3。另外，在載置臺(tái)1的周邊部附近設(shè)置有傳熱用氣體流入口6，在中央部附近設(shè)置有傳熱用氣體流出口7，這一點(diǎn)與圖1所示的實(shí)施方式1相同。與實(shí)施方式1的不同點(diǎn)在于，取代圖2所示的連結(jié)型或者非連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a、10b，以載置臺(tái)1的中心作為其中心，以同心圓狀形成有多列環(huán)狀凸部19。環(huán)狀凸部19的上面是平坦表面，它與基板2之間形成高度為d的間隙20。多列環(huán)狀凸部19之間成為傳熱用氣體的流路，傳熱用氣體容易沿著圓周方向流動(dòng)。因此，從傳熱用氣體流入口6吹入的傳熱用氣體沿著整個(gè)圓周方向流動(dòng)后，穿過(guò)間隙20，然后流入下一個(gè)流路。重復(fù)該過(guò)程，傳熱用氣體從設(shè)在中央部附近的傳熱用氣體流出口7流出。如果使規(guī)定流量的傳熱用氣體在傳熱用氣體流入口6與傳熱用氣體流出口7之間穩(wěn)定地流動(dòng)，則在傳熱用氣體流入口6與傳熱用氣體流出口7之間就會(huì)產(chǎn)生差壓AP。傳熱用氣體的壓力高的部分被強(qiáng)化冷卻，壓力低的部分的冷卻減弱。本實(shí)施方式2的載置臺(tái)1有利于將傳熱用氣體的流量控制的更低，產(chǎn)生更大的差壓。即，該流路中的差壓主要發(fā)生在間隙20的部分。影響差壓AP的主要因素可列舉環(huán)狀凸部19的列數(shù)n、環(huán)狀凸部19的寬度W、間隙20的高度d等。特別是如果減少d，則能夠以低流量增大AP。對(duì)于分子流區(qū)域中的差壓AP與流量Q的關(guān)系，假設(shè)流導(dǎo)為C，通過(guò)下面的公式求出。△P=Q/C......(2)此處，AP:傳熱用氣體的流入口與排出口間的差壓(Pa)Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(PamVsec)C:流導(dǎo)(mVsec)由于作為傳熱用氣體使用的氦氣價(jià)格昂貴，因此，希望盡量減少流量Q。優(yōu)選的Q值是100sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的cc/min)以下。但是，如果Q變得極小，則流量控制的難度加大，因此，實(shí)際應(yīng)用中優(yōu)選的流量范圍是lsccm至100sccm。如上所述，優(yōu)選的AP的上限值是40Torr。于是，利用公式(2)的關(guān)系，嘗試計(jì)算最佳流導(dǎo)C的值。如果將lsccm的流量換算成Q的單位，貝UQ:lsccm=1.689Xl0-3Pam3/scc△P:40Torr=(40/760)X1.013X105=5333(Pa)于是，C=Q/AP=(1至10sccm)X(1.689X1(T3)/(5333)"(I至IOO)X0.317Xl(T6m3/sec。艮P，為了在氦氣流量lsccm下實(shí)現(xiàn)差壓40Torr，將C值設(shè)為大約3X1(T7m3/sec即可，為了在lOOsccm下實(shí)現(xiàn)40Torr,將C值設(shè)為大約3X10_5m3/sec即可。在本發(fā)明的第二實(shí)施方式的載置臺(tái)中，如果減少間隙20的高度d，則就能減少流導(dǎo)C的值。另外，通過(guò)改變上述的n、W、d，流導(dǎo)C大幅度變化，因此，適當(dāng)調(diào)節(jié)它們，能夠?qū)的值變成上述所希望的值。圖7是表示作為本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基板載置臺(tái)的圖。圖7(a)是平面圖(未載置基板的狀態(tài))，圖7(b)是圖7(a)的C-C線(xiàn)向視截面圖。在載置臺(tái)1的周邊部設(shè)置有載置基板的周邊環(huán)狀凸部4，并且設(shè)置有周邊部附近的傳熱用氣體流入口6和中央部附近的傳熱用氣體流出口7，這與其它的實(shí)施方式相同。在該實(shí)施方式中，在載置臺(tái)1的上面，大致圓形的分割壁21a至21c在同心圓上設(shè)置成3列。大致圓形的分割壁的上面與基板接觸，基板與大致圓形的分割壁21a至21c之間沒(méi)有間隙，傳熱用氣體不會(huì)流經(jīng)其中。傳熱用氣體通過(guò)各設(shè)在分割壁21a至21c上一處的切口部流動(dòng)。艮P，在外側(cè)的分割壁21a上，在傳熱用氣體流入口6的相反一側(cè)(以下稱(chēng)作右側(cè))設(shè)置有切口部22a，在從外側(cè)數(shù)第2個(gè)分割壁21b上，在與傳熱用氣體流入口6相同的一側(cè)(左側(cè))設(shè)置有切口部22b，在內(nèi)側(cè)的分割壁上，在傳熱用氣體流入口6的相反一側(cè)(右側(cè))設(shè)置有切口部22c。這樣氣體就在各個(gè)分割壁的外周旋轉(zhuǎn)180°然后進(jìn)入內(nèi)側(cè)，能夠變?yōu)闅怏w的流路最長(zhǎng)的狀態(tài)。圖8是表示作為本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基板載置臺(tái)的圖，是未載置基板時(shí)的平面圖。在載置臺(tái)1的周邊部設(shè)置有載置基板的周邊環(huán)狀凸部4，并且設(shè)置有周邊部附近的傳熱用氣體流入口6和中央部附近的傳熱用氣體流出口7，以及在載置臺(tái)l的上面，大致圓形的分割壁21a至21c在同心圓上設(shè)置成3列等，這些與圖7的例子相同。但是，在本例中，傳熱用氣體流入口6設(shè)有2個(gè)，與此對(duì)應(yīng)，切口部22a至22c的數(shù)量以及位置與圖7的例子不同。即，在外側(cè)的分割壁21a上，在與傳熱用氣體流入口6成90°的方向的一側(cè)(以下稱(chēng)作上下側(cè))的兩處設(shè)置有切口部22a，在從外側(cè)數(shù)第2個(gè)分割壁21b上，在與傳熱用氣體流入口6相同的一側(cè)(左右側(cè))的兩處設(shè)置有切口部22b，在內(nèi)側(cè)的分割壁21c上，在與傳熱用氣體流入口6成90。的方向的一側(cè)(上下側(cè))的兩處設(shè)置有切口部22c。從傳熱用氣體流入口6流入的氣體圍繞分割壁21a旋轉(zhuǎn)90。，然后從切口部22b進(jìn)入內(nèi)側(cè)，再?lài)@分割壁21b旋轉(zhuǎn)90。，然后從切口部22c進(jìn)入內(nèi)側(cè)，最后從中央部附近的傳熱用氣體流出口7排出。在這種情況下，氣體的流路也變?yōu)樽铋L(zhǎng)的狀態(tài)。圖9是圖8的實(shí)施方式的變形例。在圖8所示的第四實(shí)施方式中，在分割壁21a上的兩個(gè)地方、移動(dòng)18(T的位置上設(shè)置有切口部22a。與此相對(duì)，在圖9的實(shí)施方式中，在從第1切口部22a順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°的位置設(shè)置有第2切口部22a。另外，內(nèi)側(cè)的分割壁21b的切口部22b分別設(shè)在離切口部22a最遠(yuǎn)的位置。切口部22c也設(shè)在同樣的位置。本發(fā)明并非限定于這些實(shí)施例。也可以在分割壁上設(shè)置2處以上的切口部，或者按照從一個(gè)切口部順時(shí)針旋轉(zhuǎn)任意的角度設(shè)置其它的切口部。在圖7、圖8、圖9中均具有如下特征，即能夠延長(zhǎng)在載置臺(tái)l上從周邊部附近的傳熱用氣體流入口6到達(dá)中央部附近的傳熱用氣體流入口7的氣體流路。如果增加分割壁的數(shù)量，則氣體流路將會(huì)變得更長(zhǎng)。如果配置多個(gè)在氣體流路中發(fā)生差壓的抵抗，例如圖2(a)所示的連結(jié)型點(diǎn)狀突起10a等，則有利于以較少的氣體流量產(chǎn)生差壓。權(quán)利要求1.一種基板載置臺(tái)，其在基板處理裝置中載置基板，其特征在于，包括載置臺(tái)本體；周邊環(huán)狀凸部，當(dāng)在所述載置臺(tái)本體的基板載置一側(cè)的表面載置有基板時(shí)與基板的周邊部接觸、并且在基板的下側(cè)部分形成傳熱用氣體流通的密閉空間；在所述基板載置一側(cè)的表面的周邊部附近或者中央部附近的任一個(gè)上形成的所述傳熱用氣體的流入口；在另一個(gè)上形成的所述傳熱用氣體的流出口；和在所述基板載置一側(cè)的表面形成的、在所述傳熱用氣體從所述傳熱用氣體的流入口向流出口流動(dòng)時(shí)形成流導(dǎo)C的流路。2.如權(quán)利要求l所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C按照下述公式(1)定義，所述流導(dǎo)C的值在所希望的范圍內(nèi)，C(m3/sec)=Q/AP......(1)此處，Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(Pa.mVsec)傳熱用氣體的流入口與流出口間的差壓(Pa)。3.如權(quán)利要求1或2所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流路呈環(huán)狀形成有多列流路形成部件，所述流路形成部件利用連結(jié)件連結(jié)上端不與所述基板接觸而接近設(shè)置的矩形或者圓柱形狀的突起部。4.如權(quán)利要求1或2所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流路呈環(huán)狀形成有多列流路形成部件，所述流路形成部件利用連結(jié)件連結(jié)上端具備與所述基板接觸的小突起的矩形或者圓柱形狀的突起部的流路形成部件。5.如權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C在3Xl(r8m3/sec至3Xl(T4m3/sec的范圍內(nèi)。6.如權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于-所述流導(dǎo)C在3X10'7m3/sec至3X10'5m3/sec的范圍內(nèi)。7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述傳熱用氣體的流入口與流出口的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。8.如權(quán)利要求7所述的基板載置臺(tái)，其特征在于-形成所述流路，使得當(dāng)所述傳熱用氣體的流量是lsccm至lOOsccm時(shí)，所述傳熱用氣體的流入口與流出口的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。9.一種基板載置臺(tái)，其在基板處理裝置中載置基板，其特征在于，包括載置臺(tái)本體；周邊環(huán)狀凸部，當(dāng)在所述載置臺(tái)本體的基板載置一側(cè)的表面載置有基板時(shí)與基板的周邊部接觸、并且在基板的下側(cè)部分形成有傳熱用氣體流通的密閉空間；在離所述基板載置一側(cè)的表面的中心點(diǎn)的距離為r的位置形成的所述傳熱用氣體的流入口或者流出口；在所述基板載置一側(cè)的表面的周邊部附近形成的、與所述傳熱用氣體的流入口或者流出口對(duì)應(yīng)的流出口或者流入口；在所述基板載置一側(cè)的表面形成的、在所述傳熱用氣體從所述傳熱用氣體的流入口向流出口流動(dòng)時(shí)形成流導(dǎo)C的流路；和在與所述中心點(diǎn)相距所述距離r的范圍形成的多個(gè)點(diǎn)狀突起。10.如權(quán)利要求9所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C按照下述公式(1)定義，所述流導(dǎo)C的值在所希望的范圍內(nèi)，C(mVsec)=Q/AP......(1)此處，Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(Pa'mVsec)△P:傳熱用氣體的流入口與流出口間的差壓(Pa)。11.如權(quán)利要求9或10所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流路呈環(huán)狀形成有多列流路形成部件，所述流路形成部件利用連結(jié)件連結(jié)上端不與所述基板接觸而接近設(shè)置的矩形或者圓柱形狀的突起部。12.如權(quán)利要求9或10的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流路呈環(huán)狀形成有多列流路形成部件，所述流路形成部件利用連結(jié)件連結(jié)上端具備與所述基板接觸的小突起的矩形或者圓柱形狀的突起部的流路形成部件。13.如權(quán)利要求912中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C在3Xl(T8m3/sec至3Xl(T4m3/sec的范圍內(nèi)。14.如權(quán)利要求912中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C在3Xl(T7m3/sec至3Xl(T5m3/sec的范圍內(nèi)。15.如權(quán)利要求914中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述傳熱用氣體的流入口與流出口中的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。16.如權(quán)利要求15所述的基板載置臺(tái)，其特征在于形成所述流路，使得當(dāng)所述傳熱用氣體的流量是lsccm至100sccm時(shí)，所述傳熱用氣體的流入口與流出口的傳熱用氣體的壓力差為lOTorr至40Torr。17.—種基板載置臺(tái)，其在基板處理裝置中載置基板，其特征在于，包括-載置臺(tái)本體；周邊環(huán)狀凸部，當(dāng)在所述載置臺(tái)本體的基板載置一側(cè)的表面載置有基板時(shí)與基板的周邊部接觸、并且在所述基板的下側(cè)部分形成有傳熱用氣體流通的密閉空間；在所述密閉空間中呈環(huán)狀設(shè)置的、形成所述傳熱用氣體的流路的多個(gè)大致圓形的分割壁；在所述基板載置一側(cè)的表面的中央部附近形成的所述傳熱用氣體的流入口或者流出口；和在所述基板載置一側(cè)的表面的周邊部附近設(shè)置的、與在所述中央部附近形成的流入口或者流出口對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)以上的流出口或者流入口，在所述各個(gè)大致圓形的分割壁上設(shè)置有用于所述傳熱用氣體流通的切口部。18.如權(quán)利要求17的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C按照下述公式(1)定義，所述流導(dǎo)C的值在所希望的范圍內(nèi)，C(mVsec)=Q/AP......(1)此處，Q:傳熱用氣體的質(zhì)量流量(Pa'mVsec)傳熱用氣體的流入口與流出口間的差壓(Pa)。19.如權(quán)利要求17或18所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述大致圓形的分割壁的上端不與所述基板接觸而接近。20.如權(quán)利要求17或18所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述大致圓形的分割壁的上端與所述基板接觸。21.如權(quán)利要求1720中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C在3Xl(r8m3/sec至3Xl(T4m3/sec的范圍內(nèi)。22.如權(quán)利要求1720中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述流導(dǎo)C在3X10—7m3/sec至3X10—5m3/sec的范圍內(nèi)。23.如權(quán)利要求1722中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)，其特征在于所述傳熱用氣體的流入口與流出口的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。24.如權(quán)利要求23的基板載置臺(tái)，其特征在于形成所述流路，使得當(dāng)所述傳熱用氣體的流量是lsccm至100sccm時(shí)，所述傳熱用氣體的流入口與流出口的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。25.—種基板處理裝置，其特征在于，包括收容基板并且內(nèi)部被保持減壓的處理室；設(shè)置在所述處理室內(nèi)的，載置有所述基板的，具有如權(quán)利要求124中任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)的基板載置臺(tái)；在所述處理室內(nèi)對(duì)所述基板實(shí)施規(guī)定處理的處理機(jī)構(gòu)；和供給在形成于所述基板載置臺(tái)與所述基板之間的所述密閉空間內(nèi)流通的傳熱用氣體的傳熱用氣體供給機(jī)構(gòu)。26.如權(quán)利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于具有對(duì)從所述傳熱用氣體供給機(jī)構(gòu)供給的傳熱用氣體的壓力進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)。27.—種基板的溫度控制方法，其使用如權(quán)利要求124中任一項(xiàng)所述的基板載置臺(tái)來(lái)控制基板的溫度，其特征在于在所述流導(dǎo)C在3X10—7m3/sec至3X10—5m3/sec的范圍內(nèi)的情況下，對(duì)傳熱用氣體的供給流量進(jìn)行控制，使得所述傳熱用氣體的流入口與流出口的傳熱用氣體的壓力差為10Torr至40Torr。28.—種基板的溫度控制方法，其使用如權(quán)利要求3或11所述的基板載置臺(tái)來(lái)控制基板的溫度，其特征在于根據(jù)所述流路形成部件的上端與所述基板的間隙的高度、以及/或者呈環(huán)狀設(shè)置的列數(shù)，調(diào)整所述流導(dǎo)C。29.—種基板的溫度控制方法，其使用如權(quán)利要求4或12所述的基板載置臺(tái)來(lái)控制基板的溫度，其特征在于根據(jù)所述小突起的高度、寬度、以及/或者將具有所述小突起的流路形成部件呈環(huán)狀設(shè)置的列數(shù)，調(diào)整所述流導(dǎo)C。30.—種基板的溫度控制方法，其使用如權(quán)利要求18所述的基板載置臺(tái)來(lái)控制基板的溫度，其特征在于根據(jù)所述呈環(huán)狀設(shè)置的大致圓形的分割壁的列數(shù)，調(diào)整所述流導(dǎo)C。31.—種基板的溫度控制方法，其使用如權(quán)利要求18所述的基板載置臺(tái)來(lái)控制基板的溫度，其特征在于-根據(jù)所述呈環(huán)狀設(shè)置的大致圓形的分割壁的上端與所述基板的間隙的高度，調(diào)整所述流導(dǎo)C。全文摘要本發(fā)明提供一種被處理基板的溫度控制性良好，沒(méi)有在整個(gè)基板上拔熱量在局部發(fā)生突變這樣的異常點(diǎn)的基板載置臺(tái)。在基板載置臺(tái)的表面設(shè)置傳熱用氣體的流入口和流出口，形成將基板載置臺(tái)表面與基板之間的密閉空間作為流路的穩(wěn)定的氣流，在該流路中設(shè)置各種障礙物以調(diào)整氣體的易流動(dòng)性(流導(dǎo))，在氣體的流入口與流出口之間產(chǎn)生10Torr至40Torr的差壓。由于氣體的傳熱率與壓力成正比，所以可利用該差壓來(lái)調(diào)整被處理基板的溫度分布。文檔編號(hào)H01L21/3065GK101383314SQ20081014670公開(kāi)日2009年3月11日申請(qǐng)日期2008年8月26日優(yōu)先權(quán)日2007年9月3日發(fā)明者佐佐木康晴申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社