專利名稱：基材支撐單元以及使用它的基材處理設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基材支撐單元以及使用它的基材處理設(shè)備和方法， 更具體而言，涉及一種支撐半導(dǎo)體基材使得在該半導(dǎo)體基材的整個區(qū)域 上均勻地進(jìn)行處理的基材支撐單元，還涉及一種使用該基材支撐單元的 基材處理設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
諸如半導(dǎo)體存儲器或平板顯示器等電子器件包括基材?；目梢园?括硅晶片或玻璃基材。在基材上設(shè)有多個導(dǎo)電層圖案，在彼此不同的導(dǎo) 電層圖案之間設(shè)有絕緣層圖案。經(jīng)諸如曝光、顯影和蝕刻處理等一系列 處理形成導(dǎo)電層圖案或絕緣層圖案。
因?yàn)閷?dǎo)電層圖案和絕緣層圖案具有從幾微米到幾納米的尺寸范圍， 所以處理的精度很重要。也就是說，必須對所有基材均勻地進(jìn)行處理。 如果不均勻地進(jìn)行處理，那么會在圖案中出現(xiàn)誤差，導(dǎo)致電子器件出現(xiàn) 故障。
例如，在對基材的處理是清潔處理的情況下，將目標(biāo)基材浸在腔室 內(nèi)的處理液中。在目標(biāo)基材與處理液反應(yīng)的同時進(jìn)行清潔處理。在進(jìn)行 清潔處理之后，干燥基材。當(dāng)對基材不均勻地進(jìn)行清潔處理時，會在預(yù) 定區(qū)域出現(xiàn)水印，從而產(chǎn)生雜質(zhì)微粒。其結(jié)果是，雜質(zhì)微粒導(dǎo)致使用該基材的電子器件出現(xiàn)故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種支撐半導(dǎo)體基材使得在該半導(dǎo)體基材的整個區(qū)域上 均勻地進(jìn)行處理的基材支撐單元。
本發(fā)明還提供一種使用基材支撐單元的基材處理設(shè)備。
本發(fā)明還提供一種使用基材支撐單元的基材處理方法。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了包括第一支撐部和第二支撐部的基材支撐單 元。所述第一支撐部可沿第一方向移動并支撐基材的第一部分，其中， 沿著相應(yīng)于第一方向的方向供應(yīng)處理流體。所述第二支撐部可沿第二方 向移動并支撐所述基材的第二部分。在供應(yīng)所述處理流體時，所述第一 支撐部和所述第二支撐部中的至少一個支撐著所述基材。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，基材支撐單元包括第一支撐部和第二支 撐部。所述第一支撐部可沿豎直方向移動并支撐豎直設(shè)置的基材的下端。 所述第二支撐部可沿水平方向移動并支撐所述基材的兩側(cè)端。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，基材處理設(shè)備包括腔室、噴射器和基材 支撐單元。所述第一腔室容納基材并對所述基材進(jìn)行處理。所述噴射器 設(shè)在所述第一腔室內(nèi)并向所述基材供應(yīng)處理流體。所述基材支撐單元設(shè) 在所述第一腔室內(nèi)并在進(jìn)行處理時支撐著所述基材。
所述基材支撐單元包括第一支撐部和第二支撐部。所述第一支撐部 可沿著相應(yīng)于所述處理流體的供應(yīng)方向的第一方向移動。所述第一支撐 部支撐所述基材的第一部分。所述第二支撐部可沿第二方向移動并支撐 所述基材的第二部分。在供應(yīng)所述處理流體時，所述第一支撐部和所述 第二支撐部中的至少一個支撐著所述基材。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，基材處理設(shè)備包括第一腔室、第二腔室、 第一支撐件和第二支撐件。所述第一腔室容納基材并對所述基材進(jìn)行第 一處理。所述第二腔室與所述第一腔室連接并對所述基材進(jìn)行第二處理。 所述第一支撐件支撐所述基材并在所述第一腔室和所述第二腔室之間與 所述基材一起轉(zhuǎn)移。所述第二支撐件在所述第二腔室內(nèi)支撐所述基材并且可與其上支撐的所述基材一起旋轉(zhuǎn)。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，基材處理方法包括在第一腔室內(nèi)用第 一支撐件支撐基材并對所述基材進(jìn)行第一處理；將支撐所述基材的所述
第一支撐件轉(zhuǎn)移到與所述第一腔室連接的第二腔室；將所述第一支撐件 與所述基材分開，并用第二支撐件支撐所述基材；以及在所述第二支撐 件旋轉(zhuǎn)時對所述基材進(jìn)行第二處理。


附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其并入本說明書中并構(gòu)成它的一部分。 附圖闡明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原 理。在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材支撐單元的剖視圖2是圖l所示的第一支撐件的立體圖3A和圖3B是解釋圖l所示的基材支撐單元實(shí)施的剖視圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備的立體圖5是圖4所示的子處理單元的剖視圖6是使用圖5所示的子處理單元的基材處理方法的流程圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的圖4所示的子處理單元的剖視圖； 圖8是使用圖7所示的子處理單元的基材處理方法的流程圖；以及
圖9A 圖9G是剖視圖，顯示相應(yīng)于圖8的流程圖所示各步驟的基 材處理設(shè)備的操作步驟。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可 以體現(xiàn)為不同形式，并且不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明受限于在此提出的實(shí)施例。 相反，提供這些實(shí)施例是為了使本發(fā)明的公開內(nèi)容清楚和完整，并向本 領(lǐng)域技術(shù)人員全面地表達(dá)本發(fā)明的范圍。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材支撐單元的剖視圖。
參照圖1，基材支撐單元包括支撐晶片W的第一支撐部1和第二支
撐部2。第一支撐部1沿第一方向Dl移動并支撐晶片W的下端。第二 支撐部2沿垂直于第一方向Dl的第二方向D2移動并支撐晶片W的兩 側(cè)端。彼此相對地設(shè)置一對第二支撐部2。
由于沿第一方向Dl來放置晶片W，因此即使僅沿第一方向Dl的一 個方向支撐晶片W，也可以穩(wěn)定地支撐著晶片W。另一方面，為了穩(wěn)定 地支撐晶片W，在第二方向D2上必須在兩側(cè)支撐晶片W。因此，優(yōu)選 的是，設(shè)置一個第一支撐部，并設(shè)置多個第二支撐部。為確保更穩(wěn)定的 支撐，可設(shè)置多個第一支撐部l。另外，如果能夠通過僅支撐其一側(cè)而穩(wěn) 定地支撐晶片W，那么也可以設(shè)置一個第二支撐部2。在本實(shí)施例中， 重要的是在不同的位置設(shè)置支撐晶片W的多個支撐件，而不管第一支撐 部1和第二支撐部2的數(shù)量如何。
第一支撐部1包括第一支撐件la和第一驅(qū)動器lb。第一支撐件la 與晶片W接觸以基本上支撐晶片W。第一驅(qū)動器lb產(chǎn)生并傳遞沿第一 方向Dl移動第一支撐件la所需的動力。第二支撐部2包括第二支撐件 2a和第二驅(qū)動器2b。第二支撐件2a支撐晶片W。第二驅(qū)動器2b產(chǎn)生并 傳遞沿第二方向D2移動第二支撐件2a所需的動力。
圖2是圖1所示的第一支撐件la的立體圖。
參照圖2，第一支撐件la包括基板5、第一支撐元件6、第二支撐 元件7、第三支撐元件8以及連接板9。第一支撐元件6、第二支撐元件 7和第三支撐元件8彼此分開并垂直于基板5。連接板9將彼此分開的第 一支撐元件6、第二支撐元件7和第三支撐元件8相互連接起來。 一對連 接板9設(shè)置在第一支撐件la的前側(cè)和后側(cè)。
在第一支撐元件6、第二支撐元件7和第三支撐元件8中分別設(shè)有 呈凹槽狀的狹槽6h、 7h和8h。多個狹槽6h、 7h和8h沿第一支撐元件6、 第二支撐元件7和第三支撐元件8的縱向設(shè)置。第一支撐件la可同時支 撐相應(yīng)于狹槽6h、 7h和8h數(shù)量的多個晶片W。例如，第一支撐件la 可同時支撐50個晶片，每個晶片W在其三個位置上由第一支撐元件6、第二支撐元件7和第三支撐元件8支撐著。
第一支撐元件6和第二支撐元件7設(shè)在基板5的端部。第三支撐元 件8設(shè)在第一支撐元件6和第二支撐元件7之間。第一支撐元件6和第 二支撐元件7的高度高于第三支撐元件8的高度。其結(jié)果是，第三支撐 元件8支撐晶片W的下表面，第一支撐元件6和第二支撐元件7支撐從 下表面移向側(cè)表面的部分。
第一支撐件la的結(jié)構(gòu)是示例性的結(jié)構(gòu)。第一支撐件la可以具有支 撐晶片W的各種結(jié)構(gòu)。第二支撐件2a可以具有與第一支撐件la相同或 相似的結(jié)構(gòu)。
圖3A和圖3B是解釋圖1所示的基材支撐單元實(shí)施的剖視圖。
參照圖3A，在將晶片W裝載到第一支撐部1上時進(jìn)行處理。在處 理過程中，沿第一方向D1(箭頭所示)噴射處理流體，處理流體與晶片W 反應(yīng)。在這種處理中，為了在晶片W的整個區(qū)域上進(jìn)行處理，處理流體 首先必須到達(dá)晶片W的相應(yīng)區(qū)域。
在處理過程中，第二支撐部2與晶片W分開。處理流體到達(dá)除第一 支撐部l支撐晶片W的區(qū)域外的整個區(qū)域內(nèi)。因此，處理流體也到達(dá)了 由第二支撐部2支撐的區(qū)域A1。
參照圖3B，過段時間之后，第一支撐部1與晶片W分開，由第二 支撐部2支撐晶片W。在處理過程中，處理流體到達(dá)除第二支撐部2支 撐晶片W的區(qū)域外的整個區(qū)域內(nèi)。因此，處理流體也到達(dá)了晶片W上 由第一支撐部1支撐的區(qū)域A2。
由于設(shè)置支撐晶片W上不同區(qū)域的第一支撐部1和第二支撐部2， 而且第一支撐部1和第二支撐部2在不同的時間支撐晶片W，因此處理 流體能到達(dá)晶片W的整個區(qū)域。其結(jié)果是，可在晶片W的整個區(qū)域上 均勻地進(jìn)行處理，從而防止處理缺陷。
下面將說明使用該基材支撐單元的基材處理設(shè)備和基材處理方法。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備的立體圖。
參照圖4，基材處理設(shè)備包括裝載端10、轉(zhuǎn)移單元20和處理單元30。 從裝載端10裝載/卸載晶片。使用裝載端10內(nèi)的盒子11可同時處理 多個晶片。 一個盒子11最多能容納25個晶片。因此，使用兩個盒子11， 最多一次可處理50個晶片。
轉(zhuǎn)移單元20從裝載端10接收晶片并將晶片轉(zhuǎn)移到處理單元30。轉(zhuǎn) 移晶片的轉(zhuǎn)移自動裝置(圖未示)設(shè)在轉(zhuǎn)移單元20的下部。
處理單元30處理從轉(zhuǎn)移單元20轉(zhuǎn)移來的晶片。處理單元30包括多 個子處理單元。也就是說，處理單元30包括第一子處理單元31、第二子 處理單元32和第三子處理單元33。如有必要，處理單元30還可以包括 除第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33之外的 附加子處理單元。另一方面，如有必要，在處理單元30內(nèi)也可以省去一 部分的第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33。
第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33均包 括含有用于對晶片進(jìn)行各種處理的處理液的處理槽。例如，這些處理可 以包括蝕刻、清潔以及干燥處理。在蝕刻、清潔以及干燥處理的過程中， HF、 H2S04、去離子水、C3H80、 N2等等可以分別用作處理液或處理氣。
第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33的各 處理槽中所含的處理液可以是進(jìn)行相同處理的相同處理液。第一子處理 單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33的各處理槽中所含的 處理液可以是進(jìn)行相同處理的成分彼此不同的處理液。第一子處理單元
31、 第二子處理單元32和第三子處理單元33的各處理槽中所含的處理 液可以是進(jìn)行不同處理的彼此不同的處理液。
圖5是圖4所示的子處理單元的剖視圖，圖6是使用圖5所示的子 處理單元的基材處理方法的流程圖。圖5顯示了第一子處理單元31、第 二子處理單元32和第三子處理單元33中的任一個子處理單元。圖5所 示的結(jié)構(gòu)可適用于所有的或一部分的第一子處理單元31、第二子處理單 元32和第三子處理單元33。
參照圖5，設(shè)置具有容納晶片W的空間的腔室100。在腔室100內(nèi) 設(shè)有支撐晶片W的第一支撐部110和第二支撐部120。在腔室100內(nèi)設(shè) 有噴射處理流體的噴射器130。第一支撐部110可沿第一方向Dl移動并支撐晶片W的下端。彼此相對地設(shè)置一對第二支撐部120。第二支撐部 120可沿第二方向D2移動并支撐晶片W的兩側(cè)端。噴射器130與晶片 W的上部分開。從噴射器130供應(yīng)的處理流體沿第一方向Dl噴射到晶 片W上。
參照圖6，在操作步驟S10中，第一支撐部110支撐設(shè)在作為半導(dǎo) 體基材的晶片W下端的第一部分。在操作步驟S10中，第二支撐部120 與晶片W分開。
在操作步驟S20中，經(jīng)由噴射器130噴射處理流體150。處理流體 150可以包括處理液或處理氣。處理流體150在晶片W除第一部分之外 的整個區(qū)域內(nèi)與晶片W反應(yīng)。
在操作步驟S30中，第二支撐部120支撐設(shè)在晶片W的兩側(cè)端的第 二部分。在操作步驟S30中，第一支撐部IIO與晶片W分開。
在操作步驟S40中，供應(yīng)處理流體150，使其在晶片W除第二部分 之外的整個區(qū)域內(nèi)與晶片W反應(yīng)。
其結(jié)果是，可以在晶片W的整個區(qū)域上均勻地進(jìn)行處理。在操作步 驟SIO、 S20、 S30和S40中，可以改變第一支撐部IIO和第二支撐部120 的支撐順序。另外，如有必要，除第一支撐部IIO和第二支撐部120之 外還可以包括附加支撐部，使得晶片W被穩(wěn)定地支撐著。
可以省去操作步驟S20。也就是說，即使省去了操作步驟S20，也可 以在通過操作步驟S40供應(yīng)處理流體時向晶片W的整個區(qū)域供應(yīng)一些處 理流體。這是因?yàn)榈诙尾?20沿著垂直于處理流體的供應(yīng)方向的方 向支撐晶片W，因此，在處理流體沿第一方向Dl移動的同時，處理流 體可以流過第二部分與第二支撐部120之間的空間。在使用氣體對晶片 進(jìn)行相應(yīng)的干燥處理的情況下，可以有效地使用省去操作步驟S20的方 法。后面對干燥處理進(jìn)行詳細(xì)說明。
如上所述，已說明了使用圖5所示的基材處理設(shè)備的基材處理方法。 然而，除圖5所示的基材處理設(shè)備之外，該實(shí)施例的基材處理方法可以 變化地應(yīng)用于具有多個支撐部的不同結(jié)構(gòu)的基材處理設(shè)備。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的圖4所示的子處理單元的剖視圖。參照圖7，設(shè)置彼此相通的兩個不同的腔室。為便于說明，設(shè)在圖7
中下部的腔室被稱為下腔室200，設(shè)在上部的腔室被稱為上腔室300。在 下腔室200和上腔室300內(nèi)分別進(jìn)行不同的處理。例如，在下腔室200 內(nèi)可以進(jìn)行晶片清潔處理，而在上腔室300內(nèi)可以進(jìn)行晶片干燥處理。
在這種情況下，在下腔室200內(nèi)設(shè)有噴射清潔液的第一噴射器213， 在上腔室300內(nèi)設(shè)有噴射干燥氣的第二噴射器313。另外，在下腔室200 內(nèi)設(shè)有支撐晶片W下端的第一支撐部310，在上腔室300內(nèi)設(shè)有支撐晶 片W兩側(cè)端的第二支撐部320。可以將前述實(shí)施例中所述的基材處理單 元用作第一支撐部310和第二支撐部320。
下腔室200包括內(nèi)槽210和外槽220。已噴出的清潔液填充在內(nèi)槽 210中。在內(nèi)槽210的底面設(shè)有排出清潔液的排出口 214。外槽220包圍 著內(nèi)槽210并接收從內(nèi)槽210溢出的清潔液。下腔室200包括隔開上腔 室300和下腔室200的處理區(qū)域的隔板230。在下腔室2(J0的側(cè)部設(shè)有開 口 225。隔板230通過開口 225進(jìn)出。
第一支撐部310可以豎直地移動并在下腔室200和上腔室300之間 轉(zhuǎn)移晶片W。雖然在圖7中未示出，但是豎直地轉(zhuǎn)移第一支撐部310的 轉(zhuǎn)移單元可以包括與第一支撐部310的側(cè)部連接的馬達(dá)，用于向穿過上 腔室300上部的驅(qū)動軸傳遞動力。彼此相對地設(shè)置一對第二支撐部320。 各驅(qū)動軸401分別與第二支撐部320連接。動力從馬達(dá)400傳遞到驅(qū)動 軸401，從而使第二支撐部320直線運(yùn)動。
如上所述，在上腔室300和下腔室200豎直疊放并彼此相通的情況 下，在晶片W上進(jìn)行清潔處理，然后，可以直接進(jìn)行干燥處理，而不需 要長距離移動。
圖8是使用圖7所示的子處理單元的基材處理方法的流程圖，圖9A 圖9G是剖視圖，顯示相應(yīng)于圖8的流程圖所示各步驟的基材處理設(shè)備的 操作步驟。
參照圖8和圖9A，在操作步驟S100中，轉(zhuǎn)移晶片W并將其裝載在 下腔室200內(nèi)的第一支撐部310上。
參照圖8和圖9B，在操作步驟S200中，從第一噴射器213供應(yīng)諸如純水等清潔液F1。清潔液F1充滿內(nèi)槽210并溢出流入外槽220。在清 潔液F1中浸漬晶片W的同時，清洗晶片W。
參照圖8和圖9C，在操作步驟S300中，將清洗過的晶片W轉(zhuǎn)移到 上腔室300中。在第一支撐部310支撐晶片W的同時，將晶片W和第 一支撐部310—起轉(zhuǎn)移。
參照圖8和圖9D，在操作步驟S400中，將隔板230插入下腔室200 中，從而隔開上腔室300和下腔室200之間的工作空間。第二支撐部320 沿水平方向直線移動以支撐晶片W。雖然在圖9D中在上腔室300內(nèi)設(shè) 置第二支撐部320，但是本發(fā)明并不限于此。例如，第二支撐部320可以 設(shè)在上腔室300的外部。
也就是說，第二支撐部320可以設(shè)在上腔室300的外部，并且可以 在上腔室300的兩側(cè)設(shè)置第二支撐部320能從其進(jìn)出的開-關(guān)門。在這種 結(jié)構(gòu)中，晶片W從下腔室200轉(zhuǎn)移到上腔室300，接著，打開開-關(guān)門， 以便允許第二支撐部320支撐晶片W。在這種情況下，由于第二支撐部 320設(shè)在上腔室300的外部，因此可以減小上腔室300內(nèi)第二支撐部320 所占據(jù)的空間。
參照圖8和圖9E，在操作步驟S500中，向下移動第一支撐部310， 使其與晶片W分開。其結(jié)果是，僅由第二支撐部320支撐晶片W。
參照圖8和圖9F，在操作步驟S600中，從第二噴射器313噴出干 燥氣F2，噴出的干燥氣供應(yīng)到晶片W。 C3HsO和N2可用作干燥氣F2。 雖然在圖9F中未示出，但是在隔板230內(nèi)可設(shè)有多個排出孔。在這種情 況下，干燥氣F2經(jīng)排出孔轉(zhuǎn)移到下腔室200內(nèi)，再將轉(zhuǎn)移到下腔室200 內(nèi)的干燥氣F2排出到外部。
如圖9G所示，在操作步驟S600中，在從第二噴射器313供應(yīng)干燥 氣F2的同時可以旋轉(zhuǎn)第二支撐件250。
也就是說，在供應(yīng)干燥氣F2的同時，第二支撐件250有選擇地從驅(qū) 動軸400接收動力。因此，可以旋轉(zhuǎn)第二支撐部320。當(dāng)?shù)诙渭?50 旋轉(zhuǎn)時，由第二支撐部320支撐的晶片W與第二支撐部320 —起旋轉(zhuǎn)。 在晶片W旋轉(zhuǎn)期間，清潔液Fl在晶片W的整個區(qū)域上向下流動。另外，晶片W的旋轉(zhuǎn)使干燥氣F2均勻地被供應(yīng)在晶片W的整個區(qū)域上。
如果沒有安裝第二支撐部，而且在第一支撐部310支撐晶片W的同 時供應(yīng)干燥氣F2，那么積聚并殘留在第一支撐部310上的清潔液Fl會 被干燥氣F2突然干燥，從而在晶片W被第一支撐部310支撐的那部分 上產(chǎn)生水印，因而產(chǎn)生雜質(zhì)微粒。
然而，如本實(shí)施例中所述，如果由第二支撐部320支撐晶片W，那 么積聚在晶片W被第一支撐部310支撐的那部分上的清潔液Fl會向下 流動。在這種情況下，如果供應(yīng)干燥氣F2，那么可以均勻地干燥晶片W 的整個區(qū)域，從而防止水印產(chǎn)生。
如上所述，根據(jù)實(shí)施例，在晶片W的整個區(qū)域上均勻地進(jìn)行處理， 從而提高了處理效率。上述公開的主題應(yīng)被認(rèn)為是說明性而不是限制性 的，所附權(quán)利要求用于覆蓋落入本發(fā)明的真正精神和范圍內(nèi)的所有修改、 增加和其它實(shí)施方案。因此，在法律所允許的最大程度上，本發(fā)明的范 圍由所附權(quán)利要求和其等同物的最寬可允許解釋限定，并且不受上述詳 細(xì)說明的約束或限制。
權(quán)利要求
1.一種基材支撐單元，其包括沿第一方向可移動的第一支撐部，所述第一支撐部支撐基材的第一部分，其中，沿著相應(yīng)于第一方向的方向供應(yīng)處理流體；以及沿第二方向可移動的第二支撐部，所述第二支撐部支撐所述基材的第二部分，其中，在供應(yīng)所述處理流體時，所述第一支撐部和所述第二支撐部中的至少一個支撐著所述基材。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基材支撐單元，其中，在對所述基材進(jìn)行 處理時，所述第一支撐部和所述第二支撐部在不同的時間支撐著所述基 材。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基材支撐單元，其中，至少在供應(yīng)所述處 理流體時，所述第二支撐部支撐著所述基材。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基材支撐單元，其中，所述第 一支撐部和所述第二支撐部均包括基板；以及在所述基板上的支撐元件，所述支撐元件包括于其中插入所述基材 的狹槽。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基材支撐單元，其中，在所述 基材兩面彼此相對地設(shè)置一對第二支撐部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基材支撐單元，其中，第一方向垂直于第 二方向。
7. —種基材支撐單元，其包括沿豎直方向可移動的第一支撐部，所述第一支撐部支撐豎直設(shè)置的基材的下端；以及沿水平方向可移動的第二支撐部，所述第二支撐部支撐所述基材的 兩側(cè)端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基材支撐單元，其中，在對所述基材進(jìn)行 處理時，所述第一支撐部和所述第二支撐部在不同的時間支撐著所述基 材。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的基材支撐單元，其中，所述第一支撐 部和所述第二支撐部均包括基板；以及在所述基板上的支撐元件，所述支撐元件包括于其中插入所述基材 的狹槽。
10. —種基材處理設(shè)備，其包括容納基材的第一腔室，所述第一腔室對所述基材進(jìn)行處理； 在所述第一腔室內(nèi)的噴射器，所述噴射器向所述基材供應(yīng)處理流體；以及在所述第一腔室內(nèi)的基材支撐單元，所述基材支撐單元在進(jìn)行處理 時支撐著所述基材，其中，所述基材支撐單元包括沿著相應(yīng)于所述處理流體的供應(yīng)方向的第一方向可移動的第一支撐 部，所述第一支撐部支撐所述基材的第一部分；以及沿第二方向可移動的第二支撐部，所述第二支撐部支撐所述基材的第二部分，其中，在供應(yīng)所述處理流體時，所述第一支撐部和所述第二支撐部 中的至少一個支撐著所述基材。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的基材處理設(shè)備，其中，在對所述基材進(jìn) 行處理時，所述第一支撐部和所述第二支撐部在不同的時間支撐著所述 基材。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的基材處理設(shè)備，其中，所述第一 支撐部和所述第二支撐部均包括基板；以及在所述基板上的支撐元件，所述支撐元件包括于其中插入所述基材 的狹槽。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的基材處理設(shè)備，其中，在所述基 材兩面彼此相對地設(shè)置一對第二支撐部。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基材處理設(shè)備，其中，第一方向垂直于 第二方向。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的基材處理設(shè)備，還包括在所述 第一腔室下面的第二腔室。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的基材處理設(shè)備，還包括 在所述第一腔室內(nèi)的第一噴射器，所述第一噴射器供應(yīng)清潔流體；以及在所述第二腔室內(nèi)的第二噴射器，所述第二噴射器供應(yīng)干燥氣。
17. —種基材處理設(shè)備，其包括容納基材的第一腔室，所述第一腔室對所述基材進(jìn)行第一處理； 與所述第一腔室連接的第二腔室，所述第二腔室對所述基材進(jìn)行第 二處理；支撐所述基材的第一支撐件，所述第一支撐件在所述第一腔室和所 述第二腔室之間與所述基材一起轉(zhuǎn)移；以及在所述第二腔室內(nèi)支撐所述基材的第二支撐件，所述第二支撐件可 與其上支撐的所述基材一起旋轉(zhuǎn)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的基材處理設(shè)備，其中，在所述第一處理過程中所述第一支撐件支撐著所述基材，在所述第二處理過程中所述第 二支撐件支撐著所述基材。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的基材處理設(shè)備，還包括 在所述第一腔室內(nèi)的第一噴射器，所述第一噴射器供應(yīng)清潔流體；以及在所述第二腔室內(nèi)的第二噴射器，所述第二噴射器供應(yīng)干燥氣。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的基材處理設(shè)備，其中，所述第一支撐部 和所述第二支撐部均包括基板；以及在所述基板上的支撐元件，所述支撐元件包括于其中插入所述基材 的狹槽。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的基材處理設(shè)備，其中，在所述基材兩面 彼此相對地設(shè)置一對第二支撐部。
22. —種基材處理方法，其包括在第一腔室內(nèi)用第一支撐件支撐基材并對所述基材進(jìn)行第一處理；將支撐所述基材的所述第一支撐件轉(zhuǎn)移到與所述第一腔室連接的第二腔室；將所述第一支撐件與所述基材分開，并用第二支撐件支撐所述基材;以及在所述第二支撐件旋轉(zhuǎn)時對所述基材進(jìn)行第二處理。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的基材處理方法，其中，所述第一處理是 清潔處理，所述第二處理是干燥處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基材支撐單元以及使用它的基材處理設(shè)備和方法。該基材支撐單元包括第一支撐部和第二支撐部。該第一支撐部可沿第一方向移動。該第一支撐部支撐基材的第一部分，其中，沿著相應(yīng)于該第一方向的方向供應(yīng)處理流體。該第二支撐部可沿第二方向移動。該第二支撐部支撐該基材的第二部分。在供應(yīng)該處理流體時，該第一支撐部和該第二支撐部中的至少一個支撐著該基材。
文檔編號H01L21/67GK101409219SQ20081016756
公開日2009年4月15日 申請日期2008年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月10日
發(fā)明者洪性真, 金兌寅, 黃東淳 申請人:細(xì)美事有限公司