專利名稱：制造電子裝置的方法及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造電子裝置的方法及電子裝置，所述電子裝置例如是顯示 裝置，在所述電子裝置中，在設(shè)有薄膜晶體管的基板上設(shè)置抗蝕圖以作 為絕緣膜。
背景技術(shù)：
例如在諸如液晶顯示裝置等薄型電子裝置中，使用多個(gè)薄膜晶體管 的諸如像素電路及驅(qū)動(dòng)電路的電子電路設(shè)置于基板上。在這樣的電子裝 置中，抗蝕圖被用作覆蓋薄膜晶體管的層間絕緣膜。在液晶顯示裝置中 例如使用正型抗蝕材料，所述正型抗蝕材料含有作為基本樹脂的高度透 明的丙烯酸聚合物以及作為感光劑的重氮化合物。
抗蝕圖按如下步驟形成。首先，未硬化的抗蝕膜通過(guò)涂敷形成于基 板上，并對(duì)未硬化的抗蝕膜進(jìn)行曝光和顯影處理以形成抗蝕圖。然后， 進(jìn)一步對(duì)抗蝕圖進(jìn)行熱硬化。在所述熱硬化中，例如在上述正型抗蝕劑 含有作為感光劑的重氮化合物的情況下，以波長(zhǎng)達(dá)到320nm的紫外光進(jìn) 行照射導(dǎo)致處理時(shí)間的顯著縮短(參見(jiàn)日本專利公開公報(bào)No.平5-26189)。
另外，作為增強(qiáng)抗蝕膜在熱硬化后的耐熱性的手段，例如， 一種在 熱硬化時(shí)以含有紫外線的光實(shí)施照射的方法(參見(jiàn)日本專利公報(bào) No. 3356115)已被提出。而且，還提出了一種在降低的壓力下以高能量輻 射實(shí)施照射并接著實(shí)施熱硬化的方法。據(jù)稱，按照此步驟，避免了作為 感光劑的重氮化合物轉(zhuǎn)化為羧酸的同時(shí)進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)，從而獲得了致密且表現(xiàn)出耐熱性和耐化學(xué)性得到增強(qiáng)的抗蝕圖(參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開
公報(bào)No. 2004-309955)。
然而已發(fā)現(xiàn)，在上述制造方法中，如圖25所示，在抗蝕圖的硬化處 理期間用紫外光照射薄膜晶體管的溝道部會(huì)引起薄膜晶體管、尤其是P 溝道型薄膜晶體管的特性的惡化。而且，如圖26中所示，與不用紫外光 照射所得到的特性相比，薄膜晶體管的特性的惡化隨著照射能量變高而 變得嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，需要一種電子裝置的制造方法以及一種電子裝置， 其中對(duì)抗蝕圖加以硬化的同時(shí)可保持其剛光刻后的形狀，而不降低覆蓋 有抗蝕圖的薄膜晶體管的特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制造電子裝置的方法，該電
子裝置在設(shè)有薄膜晶體管的基板上設(shè)置有抗蝕圖，該方法實(shí)施如下首 先，通過(guò)涂敷在所述基板上形成抗蝕膜以處于覆蓋所述薄膜晶體管的狀 態(tài)。接下來(lái)，對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光和顯影處理，從而形成抗蝕圖。然后， 對(duì)設(shè)有抗蝕圖的基板進(jìn)行干燥處理。隨后，對(duì)己經(jīng)過(guò)干燥處理的抗蝕圖 在干燥氣氛中以至少紫外光和可見(jiàn)光之一進(jìn)行照射。在此實(shí)例中，實(shí)施
光照射的條件是薄膜晶體管的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照 射。然后，對(duì)抗蝕圖進(jìn)行熱硬化。
在如上所述的方法中，在熱硬化通過(guò)曝光和顯影所形成的抗蝕圖的 步驟之前，執(zhí)行在填充有干燥氣體的氣氛中以至少紫外光和可見(jiàn)光之一 進(jìn)行照射的步驟。這確?？梢员苊庠诤罄m(xù)的熱硬化期間抗蝕材料的回流， 且抗蝕圖的表面形狀保持在通過(guò)曝光和顯影被圖形化后的形狀。而且， 在以至少紫外光和可見(jiàn)光之一進(jìn)行照射的步驟中，薄膜晶體管的溝道部 可以免受波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。因此，由于以短波長(zhǎng)的光照射溝道 部而引起的薄膜晶體管的特性的惡化，尤其是P型薄膜晶體管P-Tr的特性 的惡化可免于發(fā)生。
而且，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種適用于根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施例的上述制造方法的電子裝置的配置。在該電子裝置中，薄膜
6晶體管屬于底柵型，且至少在P溝道型的薄膜晶體管的溝道部上設(shè)有用于
隔斷波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的遮光膜。
根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，可以獲得具有高耐熱性的抗蝕圖的液晶 顯示裝置，該抗蝕圖在被牢固地硬化的同時(shí)可以保持其剛光刻后的形狀， 而覆蓋有抗蝕圖的薄膜晶體管的特性并無(wú)惡化。


圖1A到1C是圖示根據(jù)第一至第四實(shí)施例的制造方法的截面步驟圖2是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的制造方法的主要部分的流程圖3是在第一至第四實(shí)施例中得到的液晶顯示裝置的關(guān)鍵部分的截 面圖4R、 4A及4B表示根據(jù)在第一實(shí)施例中的步驟及經(jīng)歷得到的抗蝕圖 的表面狀況；
圖5表示在第一實(shí)施例的范圍中的硬化處理中，通過(guò)改變照射抗蝕圖 的光的波長(zhǎng)范圍而得到的被硬化的抗蝕圖的形狀保持程度的測(cè)量結(jié)果；
圖6A和6B是表示在根據(jù)第一實(shí)施例的步驟對(duì)抗蝕圖進(jìn)行硬化處理 之后以及比較處理之后，抗蝕圖下面的薄膜晶體管的晶體管特性的曲線 圖7是表示根據(jù)第一實(shí)施例中的步驟和經(jīng)歷得到的抗蝕圖的吸收光 譜的曲線圖8是圖示根據(jù)第二實(shí)施例的制造方法的主要部分的流程圖9是表示在第二實(shí)施例中所用的抗蝕材料在曝光之前的吸收光譜 的曲線圖10是表示在膜厚不同的抗蝕圖之下的薄膜晶體管的晶體管特性的 曲線圖，所述抗蝕圖以具有圖9的吸收光譜的抗蝕材料制作；
圖ll是圖示根據(jù)第三實(shí)施例的制造方法的主要部分的流程圖12是圖示根據(jù)第三實(shí)施例的制造方法的主要部分的關(guān)鍵部分的截 面圖；圖13是圖示根據(jù)第四實(shí)施例的制造方法的主要部分的流程圖14是表示在應(yīng)用根據(jù)第四實(shí)施例的方法加以硬化的抗蝕圖之下的 薄膜晶體管的晶體管特性的曲線圖，還包括參考曲線；
圖15A至15C是圖示根據(jù)第五實(shí)施例的制造方法的截面步驟圖16是圖示根據(jù)第五實(shí)施例的制造方法的主要部分的流程圖17是在第五實(shí)施例中得到的液晶顯示裝置的關(guān)鍵部分的截面圖18是表示在應(yīng)用根據(jù)第五實(shí)施例的方法加以硬化的抗蝕圖之下的 薄膜晶體管的晶體管特性的曲線圖，還包括參考曲線；
圖19是表示根據(jù)實(shí)施例的液晶顯示裝置的電路配置的示例的圖20是應(yīng)用了本發(fā)明的電視機(jī)的立體圖21A和21B表示應(yīng)用了本發(fā)明的數(shù)碼相機(jī)，其中圖21A是從正面?zhèn)?看的立體圖，圖21B是從背側(cè)看的立體圖22是應(yīng)用了本發(fā)明的筆記本式個(gè)人電腦的立體圖23是應(yīng)用了本發(fā)明的攝像機(jī)的立體圖24A至24G表示應(yīng)用了本發(fā)明的PDA，例如為手機(jī)，其中圖24A和 圖24B分別是其展開狀態(tài)的前視圖和側(cè)視圖，圖24C — 24G分別是其閉合 狀態(tài)的前視圖、左側(cè)視圖、右側(cè)視圖、俯視圖和仰視圖25是表示經(jīng)紫外光照射的P溝道型薄膜晶體管的特性的惡化的曲 線圖；以及
圖26表示薄膜晶體管的特性基于紫外光的照射能量惡化的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將在下面描述應(yīng)用了本發(fā)明的制造有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的半透射 半反射液晶顯示裝置的方法的實(shí)施例，該液晶顯示裝置是一種設(shè)有薄膜 晶體管的電子裝置。
第一實(shí)施例圖1A至1C是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的制造方法的截面步驟圖，其中示
出了液晶顯示裝置的顯示區(qū)域la的單像素部，以及布置于顯示區(qū)域la的
周圍的周邊區(qū)域lb的關(guān)鍵部分。
首先如圖1A中所示，每個(gè)具有依次層疊的柵極3、柵絕緣膜5和半導(dǎo) 體層7的底柵型薄膜晶體管Tr形成于由玻璃之類制成的透明的第一基板l 上。在此情況下，例如在顯示區(qū)域la中，對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素形成n溝道型薄 膜晶體管(n型薄膜晶體管)n-Tr。另一方面，在周邊區(qū)域lb中形成n型薄膜 晶體管n-Tr和p型薄膜晶體管P-Tr。順便提及，在圖中的周邊區(qū)域lb中僅 示出了p型薄膜晶體管P-Tr。
隨后，設(shè)有薄膜晶體管Tr的第一基板l在其上側(cè)被層間絕緣膜9覆蓋， 布線ll形成并通過(guò)形成于層間絕緣膜9中的接觸孔與薄膜晶體管Tr連接。 因此，顯示區(qū)域la中的每個(gè)像素設(shè)有使用了薄膜晶體管Tr的像素電路13。 另外，在周邊區(qū)域lb中形成使用n型薄膜晶體管n-Tr和P型薄膜晶體管P-Tr 的CMOS配置的驅(qū)動(dòng)電路15。下面將描述像素電路13和驅(qū)動(dòng)電路15的細(xì) 節(jié)。
按上述方式，形成所謂的TFT基板20。在TFT基板20的正面?zhèn)壬?，?薄膜晶體管Tr和布線ll而產(chǎn)生崎嶇不平的形狀(凹凸形)。
隨后，如圖1B中所示，在TFT基板20上通過(guò)涂敷(涂布)形成未硬化的 抗蝕膜22。這里，使用含有重氮化合物作為感光劑以及至少丙烯酸酯和 異丁烯酸酯之一作為基本樹脂的正型抗蝕材料。順便提及，例如可使用 以日本專利No.3642048為例的抗蝕材料作為該抗蝕材料。而且，希望抗 蝕材料包括具有環(huán)氧基團(tuán)的化合物，環(huán)氧基團(tuán)使抗蝕膜容易被硬化。
而且，這里使用此抗蝕材料所形成的抗蝕膜22的厚度約為3.5至 6.0pm。這確保了TFT基板20的正面?zhèn)壬系钠閸绮黄降男螤钭兊米銐蚱?整，且包括抗蝕膜22的結(jié)構(gòu)形成為足夠的高度。
接下來(lái)，以大厚度形成的抗蝕膜22進(jìn)行多步圖案曝光，在所述多步 圖案曝光中的曝光量是可控的。這里，由于正型抗蝕劑用于形成抗蝕膜 22，多步曝光可以如此實(shí)施，即在顯影處理后抗蝕膜22需要保留較大厚 度的區(qū)域中，曝光量可以被控制為較小。例如，對(duì)正好處于布線ll上方的接觸部22c以最大曝光量進(jìn)行曝光， 以通過(guò)全部除去該處的抗蝕膜22從而形成作為通孔的接觸孔。另一方面， 用于形成控制液晶顯示裝置中的單元間隙的柱狀隔離物的隔離部分22s 不會(huì)受到曝光光線的照射，從而抗蝕膜22在該處保留最大厚度。而且， 在顯示區(qū)域la中，由于透射顯示部lt被挖掘到低于反射顯示部lr的高度， 從而在透射顯示部lt和反射顯示部lr之間出現(xiàn)一個(gè)臺(tái)階，故對(duì)透射顯示部 lt進(jìn)行的曝光量大于對(duì)反射顯示部lr的曝光量。對(duì)反射顯示部lr進(jìn)行曝光 以提供具有崎嶇不平的表面形狀的光漫射表面。此外，若有必要，可對(duì)
透射顯示部lt和反射顯示部lr進(jìn)行曝光，以提供用于調(diào)整構(gòu)成液晶層的液 晶分子的定向的凹進(jìn)或者凸出的定向元件。
順便提及，在第一實(shí)施例中，對(duì)周邊區(qū)域lb進(jìn)行曝光足以使抗蝕膜 22保留必要的厚度。
在如上所述的曝光中，重要的是使薄膜晶體管Tr、尤其是P型薄膜晶 體管P-Tr中的溝道部ch免受波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。通常是使用以超 高壓汞燈作為光源的步進(jìn)機(jī)(stepper)實(shí)施此曝光。自超高壓汞燈發(fā)出 的曝光光線的亮線為365nm(g線)/405nm(h線)/436nm(i線)，而溝道部ch不 會(huì)被波長(zhǎng)短于260nm的光照射。因此，可通過(guò)應(yīng)用相關(guān)技術(shù)中的曝光技 術(shù)，使用具有超高壓汞燈的步進(jìn)機(jī)而實(shí)施曝光。
在如上所述的多步曝光之后，對(duì)抗蝕膜22進(jìn)行顯影處理以進(jìn)行圖形 化，已曝光部分由此溶解于顯影溶液中。
此步驟產(chǎn)生抗蝕圖24，其中如圖1C中所示，抗蝕膜22圖形化后的形 狀為設(shè)有一個(gè)預(yù)訂的臺(tái)階d，該臺(tái)階d使得透射顯示部lt處于底層而反射 顯示部lr處于上層，反射顯示部lr設(shè)有具有崎嶇不平形狀的光漫射表面 24b，且設(shè)有延伸至布線ll的接觸孔24c和柱狀隔離物24s。另外，若有必 要，以圖形化的方式形成凹凸定向元件。
隨后，進(jìn)行用于硬化抗蝕圖24的步驟，該步驟與后續(xù)的步驟共同構(gòu) 成第一實(shí)施例的主要部分?，F(xiàn)在，將在下面使用圖2所示的流程圖描述硬 化過(guò)程。
10首先，在步驟S1中，對(duì)設(shè)有如上所述的抗蝕圖的基板進(jìn)行干燥處理。 這可以使得從包圍抗蝕圖的氣氛中并從抗蝕膜中去除濕氣(水)。干燥處理 通過(guò)減壓干燥或通過(guò)將減壓干燥和加熱干燥結(jié)合進(jìn)行。順便提及，在結(jié) 合加熱干燥的情況下，重要的是要通過(guò)使加熱溫度保持在抗蝕材料的玻 璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)以下，以免發(fā)生抗蝕材料的回流。
這里，在干燥處理步驟中所用的處理?xiàng)l件成為控制抗蝕圖在熱硬化 后的表面形狀的粗糙度的參數(shù)。具體地，通過(guò)改變?cè)诟稍锾幚碇凶鳛樘?理?xiàng)l件的減壓值(真空度)和加熱溫度，抗蝕材料在熱硬化時(shí)的流動(dòng)性得到 控制。這確保了抗蝕圖在熱硬化后的表面形狀的粗糙度控制在小于剛經(jīng) 顯影處理后的范圍內(nèi)。鑒于這點(diǎn)，優(yōu)選地例如通過(guò)實(shí)施預(yù)先實(shí)驗(yàn)，預(yù)先 檢測(cè)促使抗蝕圖在熱硬化后的表面形狀的粗糙度達(dá)到預(yù)定狀態(tài)的處理?xiàng)l 件，并在由此檢測(cè)到的處理?xiàng)l件下執(zhí)行干燥處理。
接下來(lái)，在步驟S2-1，已經(jīng)過(guò)干燥處理的抗蝕圖在填充干燥氣體的 干燥氣氛中以含有紫外光的光進(jìn)行照射。這里，尤其重要的是要在薄膜
晶體管的溝道部免受波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的情況下實(shí)施照射。
這里，以諸如氮?dú)?N》、氦氣(He)、氬氣(Ar)等的惰性氣體用作干燥 氣體。因此，例如優(yōu)選地使用露點(diǎn)不高于-60。C的干燥氣體，例如使用露 點(diǎn)為-60。C的氮?dú)?N2)氣氛(濕氣濃度約llppm)。
另外，重要的是要避免低分子量化合物從抗蝕圖中揮發(fā)(去氣)，且優(yōu) 選地保持干燥氣體氣氛的壓強(qiáng)在大氣壓附近。這里需要注意的是，干燥 氣氛可為真空氣氛或減壓氣氛。
順便提及，處理氣氛中的濕氣濃度優(yōu)選地保持于或低于4000卯m， 但濕氣濃度可根據(jù)抗蝕圖所需的形狀精度進(jìn)行一定程度的調(diào)節(jié)。
另外，用于照射抗蝕圖的含有紫外光的光優(yōu)選地包含可見(jiàn)光以及紫 外光，紫外光用于以良好的形狀精度實(shí)現(xiàn)抗蝕圖的后續(xù)的熱硬化。作為 可見(jiàn)光，優(yōu)選地使用波長(zhǎng)為400至450nm的光。
鑒于上述，在所述第一實(shí)施例中，以亮線處于紫外和可見(jiàn)范圍內(nèi)且 適合于大面積的光照射的光源用作光照射的光源?？捎糜诖颂幍墓庠蠢绨ǜ邏汗療?亮線254nm /365nm /405nm /436nm /546nm /577nm /579nm)和低壓汞燈(亮線185nm /254nm /436nm /550nm)。
而且，尤其重要的是要在薄膜晶體管的溝道部免受波長(zhǎng)短于260nm 的光的照射的條件下實(shí)施光照射。因此，對(duì)光源配備有濾光器以用于屏 蔽波長(zhǎng)短于260nm的光，并以透過(guò)濾光器的光對(duì)抗蝕圖進(jìn)行照射。
這確保了抗蝕圖被含有可見(jiàn)光以及波長(zhǎng)不小于260nm的紫外光的光 照射，而且此情況下，薄膜晶體管的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的 光的照射。
而且，以含有紫外光的光照射的步驟可在加熱條件下執(zhí)行。在此情 況下，通過(guò)使加熱溫度保持在抗蝕材料的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)以下，例如在約為 80。C的加熱條件下進(jìn)行照射，可以避免發(fā)生抗蝕材料的回流。
這里，在以含有紫外光的光照射的步驟中的處理?xiàng)l件成為用于控制 抗蝕圖在熱硬化后的表面形狀的粗糙度的參數(shù)。具體地，在以含有紫外 光的光照射的步驟中通過(guò)改變?cè)诠庹丈鋾r(shí)作為處理?xiàng)l件的光照射能量和 加熱溫度，可控制抗蝕材料在熱硬化時(shí)的流動(dòng)性。這確保了抗蝕圖在熱 硬化后的表面形狀的粗糙度控制在小于剛經(jīng)顯影處理后的范圍內(nèi)。因此， 優(yōu)選地例如通過(guò)實(shí)施預(yù)先實(shí)驗(yàn)，預(yù)先檢測(cè)諸如促使抗蝕圖在熱硬化后的 表面形狀的粗糙度達(dá)到預(yù)定狀態(tài)的處理?xiàng)l件，并在由此檢測(cè)到的處理?xiàng)l 件下以含有紫外光的光進(jìn)行照射。
然后，在步驟S3中進(jìn)行抗蝕圖的熱硬化處理。這里，在根據(jù)構(gòu)成抗 蝕圖的抗蝕材料的加熱溫度下實(shí)施熱硬化處理、即實(shí)施產(chǎn)品燒成，從而 通過(guò)顯影處理被圖形化為預(yù)定形狀的抗蝕圖被牢固地硬化。在該熱硬化 中，通常在200到300。C的加熱溫度下實(shí)施產(chǎn)品燒成。
在上述處理之后，如圖3中所示，像素電極26、 28形成于被熱硬化的 抗蝕圖24'上。在這些像素電極26、 28中，在透射顯示部lt中的像素電極 26形成為由諸如ITO(氧化銦錫)的透明電極材料形成的透明電極26。另一 方面，在反射顯示部lr中的像素電極28形成為由諸如鋁的具有良好反射 特性的材料形成的反射電極28。這里，重要的是，反射電極28要形成為 與在抗蝕圖24處形成的具有凹凸不平形狀的光漫射表面24b保持一致。因此，形成有光漫射表面24b的抗蝕圖24'的部分和反射電極28構(gòu)成漫反射 板，且反射電極28的表面構(gòu)成光漫反射表面。
順便提及，由于透明電極26和反射電極28構(gòu)成單像素的像素電極， 這些電極26和28設(shè)置為互相連接的狀態(tài)。另外，為了避免具有薄膜晶體 管Tr的像素電路影響顯示器，反射電極28設(shè)置在與像素電路重疊的位置。 而且，透明電極26通過(guò)接觸孔24c連接于布線11，且該接觸部被反射電極 28所覆蓋。而且，在柱狀隔離物24s的位置處像素電極26、 28被去除。
每個(gè)包括透明電極26和反射電極28的像素電極形成之后，形成定向 膜(圖中省略)覆蓋這些電極。
另外，與第一基板l相面對(duì)且在其上側(cè)設(shè)有如上所述結(jié)構(gòu)的第二基板 30被制備。第二基板30包括由玻璃之類制成的透明基板，且設(shè)有由透明 導(dǎo)電材料形成為固體膜形狀的反電極32。而且，定向膜(圖中省略)設(shè)置為 覆蓋反電極32的狀態(tài)。順便提及，如果需要，第二基板30可設(shè)有以圖形 化方式形成的濾色器(圖中在此省略)。濾色器設(shè)置于反電極32下方。
接下來(lái)，形成于第一基板1側(cè)的像素電極26、 28與形成于第二基板30 側(cè)的反電極32互相面對(duì)布置，且柱狀隔離物24s夾于其間。在此情況下， 基板l和30之間的間隙填充有含有液晶分子m的液晶層LC,以密封基板l 和30之間的間隙。
按上述方式就可以獲得具有夾于兩個(gè)基板1和30之間的液晶層LC的 液晶顯示裝置36。在液晶顯示裝置36中，覆蓋第一基板l的上側(cè)的抗蝕圖 24'掩埋了第一基板1的上側(cè)上的粗糙部分，且形成為在其表面設(shè)有多個(gè) 凹凸形狀的整體結(jié)構(gòu)。
具體地，抗蝕圖24'被牢固地?zé)嵊不?，且用于部分地控制液晶層LC 的層厚(即單元間隙gl、 g2)的臺(tái)階(d)和柱狀隔離物24s以及具有凹凸不平 的表面形狀以用于漫射顯示光的光漫射表面24b形成為一體。
如參照?qǐng)D2所述，根據(jù)上述的第一實(shí)施例，在填充有干燥氣體的氣氛 中以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟S2-1)實(shí)施于對(duì)抗蝕圖進(jìn)行熱 硬化的步驟(步驟S3)之前，所述抗蝕圖是通過(guò)曝光和顯影的圖形化獲得的。這可以確保避免在步驟S3是熱硬化時(shí)抗蝕材料的回流，且抗蝕圖的 表面形狀保持在通過(guò)曝光和顯影進(jìn)行圖形化所得到的形狀。
因此，可在保持凹凸不平的表面形狀的情況下，對(duì)加大厚度的抗蝕 圖進(jìn)行熱硬化。
具體地，在以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟S2-1)中，光源裝
配有用于屏蔽波長(zhǎng)短于260nm的光的濾光器，且以透過(guò)所述濾光器的光 照射抗蝕圖。如圖1C中所示，這確保了在抗蝕圖24下面的底柵型薄膜晶 體管Tr的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射，并可避免發(fā)生因以 短波長(zhǎng)的光照射溝道部ch引起的薄膜晶體管Tr的特性的惡化、尤其是P型 薄膜晶體管P - Tr的特性的惡化。
因此，通過(guò)根據(jù)第一實(shí)施例的方法，可以獲得具有良好耐熱性的抗 蝕圖24'的液晶顯示裝置36，所述抗蝕圖24'在保持剛光刻后的形狀的狀態(tài) 中被牢固地硬化，而覆蓋有抗蝕圖24'的薄膜晶體管Tr沒(méi)有任何特性的惡 化。
圖4R、 4A及4B表示具有不同經(jīng)歷的抗蝕圖的表面狀態(tài)。每個(gè)抗蝕圖 通過(guò)這樣的方法形成，即通過(guò)涂敷(涂布)形成含有重氮化合物作為感光劑 的正型抗蝕劑的抗蝕膜，并進(jìn)行曝光和顯影以形成具有凹凸不平的形狀 的光漫射表面24b和接觸孔24c。
圖4R表示剛顯影后的抗蝕圖，其中光漫射表面24b和接觸孔24c的形
狀精度被保持。
圖4A表示順著第一實(shí)施例中的圖2的流程圖進(jìn)行硬化的抗蝕圖。這 里，首先，在步驟S1實(shí)施顯影后的抗蝕圖的減壓干燥。接著在步驟S2-1， 在填充有濕氣濃度不多于50ppm的氮?dú)?N2)氣氛(干燥氣體氣氛)的處理腔 中實(shí)施以含有紫外光的光照射。在此情況下，高壓汞燈用作光源，并通 過(guò)濾光器實(shí)施光照射，該濾光器能有效吸收波長(zhǎng)不大于300nm的不少于 99%的紫外光。另外，將基板加熱到80到100。C的溫度。然后，在步驟S3 實(shí)施處于220。C的熱硬化處理。
圖4B表示不采用第一實(shí)施例進(jìn)行硬化的抗蝕圖。這里，首先，使用 超高壓汞燈作為光源對(duì)顯影后的抗蝕圖進(jìn)行光照射，而不進(jìn)行任何干燥
14處理。由于來(lái)自超高壓滎燈的光不含有波長(zhǎng)短于260nm的光，所以與步 驟S2-1所用的相同的光照射實(shí)際上被實(shí)施為熱硬化處理的預(yù)處理。然后， 在220。C實(shí)施熱硬化處理。
通過(guò)比較這些抗蝕圖可以確定，根據(jù)第一實(shí)施例的步驟經(jīng)過(guò)熱硬化 的抗蝕圖[圖4A]保持了剛經(jīng)顯影處理后的抗蝕圖[圖4R]的凹凸不平的表 面形狀。另一方面，經(jīng)過(guò)光照射和熱硬化而未經(jīng)過(guò)第一實(shí)施例的步驟S1 的干燥處理且未進(jìn)行步驟S2的處理氣氛和溫度控制的抗蝕圖[圖4B]出現(xiàn) 了抗蝕材料在熱硬化時(shí)的回流，并在不能保持其顯影后的形狀。
另外，圖5表示在抗蝕圖硬化處理中在四個(gè)位置對(duì)剛顯影后的抗蝕圖 形狀的保持程度的測(cè)量結(jié)果，所述抗蝕圖是在第一實(shí)施例的范圍中的步 驟S2-1通過(guò)變化用于照射的光的波長(zhǎng)范圍而被硬化的。以高壓汞燈(亮線 254nm /365nm /405nm /436nm /546nm /577nm /579nm)作為光源，并且抗
蝕圖的照射的波長(zhǎng)范圍受濾光器的控制。
圖5(A)-l表示采用其波長(zhǎng)不大于300nm的光成分被濾光器隔斷并且 其主要波長(zhǎng)為365nm /405nm /436nm /546nm /577nm /579nm的光進(jìn)行照
射的情況。
圖5(A)-2表示以波長(zhǎng)為300到375nm的光成分透過(guò)濾光器且其主要波 長(zhǎng)為365nm的光進(jìn)行照射的情況。
從圖5的結(jié)果可以看到，和僅以主要波長(zhǎng)為365nm的紫外光進(jìn)行照射 的抗蝕圖[圖5(A)-2]相比，以波長(zhǎng)不小于400nm的可見(jiàn)光加上紫外光進(jìn)行 照射的抗蝕圖閨5(A)-1]更容易保持剛顯影后的形狀且耐熱性更高。通過(guò) 此結(jié)果，證實(shí)了在熱硬化處理之前的步驟S2-1中以可見(jiàn)光加上紫外光進(jìn) 行照射的效果。
這可以解釋如下在普通的紫外輻射硬化過(guò)程中，目的是通過(guò)斷開 所述的抗蝕劑中的鍵以增強(qiáng)耐熱性并接著實(shí)現(xiàn)重新鍵合。另一方面，在 波長(zhǎng)不小于400nm的可見(jiàn)區(qū)域的光只有約250到300kJ/mol的低能量，故無(wú) 法斷開這些鍵。然而，在上述第一實(shí)施例中所述的干燥氣氛中進(jìn)行光照 射(步驟S2-1)時(shí)，抗蝕圖被波長(zhǎng)處于不小于400nm的可見(jiàn)區(qū)域中的光照 射，從而在正型抗蝕劑的光敏處理(曝光)時(shí)產(chǎn)生的中間產(chǎn)物可引起交聯(lián)反應(yīng)。因此，在干燥氣氛中進(jìn)行光照射時(shí)(步驟S2-1)，抗蝕圖被處于可見(jiàn)區(qū) 域的光加上紫外光照射，從而可有效地增強(qiáng)抗蝕圖的耐熱性。
圖6A和6B表示了形成于底柵型薄膜晶體管上的抗蝕圖的硬化處理
之后的p型薄膜晶體管的柵極電壓與漏極電流之間的關(guān)系，該關(guān)系是晶體 管的特性。
圖6A表示應(yīng)用第一實(shí)施例的方法[高壓汞燈(帶有濾光器)]經(jīng)過(guò)硬化 處理的抗蝕圖下方的薄膜晶體管的晶體管特性。在步驟S2-1中，抗蝕圖 被來(lái)自高壓汞燈且被濾光器屏蔽掉波長(zhǎng)短于260nm的光的照射，并隨后 實(shí)施步驟S3的熱硬化處理。而且， 一同表示出了在光照射之前[未被照射 (作為參考)]的晶體管特性。
圖6B表示在不應(yīng)用根據(jù)第一實(shí)施例[高壓汞燈(不帶濾光器)]的方法 進(jìn)行硬化的抗蝕圖下方的薄膜晶體管的晶體管特性。在步驟S2-1中，對(duì) 抗蝕圖以來(lái)自高壓汞燈且含有波長(zhǎng)短于260nm的光實(shí)施照射，且隨后在 步驟S3中實(shí)施熱硬化處理。而且， 一同示出了在光照射之前[未被照射(作 為參考)]的晶體管特性。
通過(guò)比較這些晶體管特性，可以證實(shí)，按照第一實(shí)施例的步驟經(jīng)過(guò) 熱硬化處理的抗蝕圖的下方的薄膜晶體管的特性[圖6A]保持了在光照射 之前[未被照射(作為參考)]的特性且沒(méi)有惡化。另一方面，在沒(méi)有采用第 一實(shí)施例形成的抗蝕圖、具體為在熱硬化處理之前以波長(zhǎng)短于260nm的 光照射過(guò)的抗蝕圖下方的薄膜晶體管的特性[圖6B]被證實(shí)為相比于在光 照射之前[未被照射(作為參考)]的特性出現(xiàn)了惡化，具體為出現(xiàn)了閾值電 壓的漂移。
另外，圖7表示具有不同經(jīng)歷的抗蝕圖的吸收光譜。在光譜圖中，(R) 是剛顯影時(shí)的抗蝕圖的吸收光譜；(A)是順著第一實(shí)施例中圖2的流程圖 硬化的抗蝕圖的吸收光譜；以及(B)是未應(yīng)用第一實(shí)施例形成的抗蝕圖的 吸收光譜，具體為通過(guò)波長(zhǎng)為250nm的紫外光照射后由熱硬化處理形成 的抗蝕圖的吸收光譜。
基于對(duì)這些吸收光譜的比較，在第一實(shí)施例中，在步驟S2-1中對(duì)抗 蝕圖以可見(jiàn)光加紫外光進(jìn)行照射。因此，對(duì)抗蝕圖以波長(zhǎng)在270到600nm的范圍內(nèi)的光進(jìn)行照射，所述波長(zhǎng)的光在正型抗蝕劑的脫色處理中使用， 因此還可得到脫色效果。因此，例如在圖3中所示的透射顯示部lt，可以 保證實(shí)現(xiàn)顯示光的輝度(亮度)的增強(qiáng)，而不用進(jìn)行任何特設(shè)的脫色步驟。
第二實(shí)施例
第二實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的地方在于，在對(duì)抗蝕圖進(jìn)行光照射 時(shí)，抗蝕圖本身被用作薄膜晶體管的溝道部的遮光膜，所述光照射用作 抗蝕圖的熱硬化處理的預(yù)先步驟。
在此情況下，在上述第一實(shí)施例中參照?qǐng)D1C所述的步驟按照與上面
所述相同的方式實(shí)施，以使用在第一基板l上的顯示區(qū)域la和周邊區(qū)域lb 中的薄膜晶體管形成電路，從而獲得TFT基板20。
接下來(lái)，如圖1B中所示，未硬化的抗蝕膜22通過(guò)涂敷(涂布)形成于 TFT基板20上。在此情況下，使用了在短波長(zhǎng)側(cè)表現(xiàn)出極好光吸收性的 丙烯酸正型光致抗蝕劑或甲酚基熱塑性酚醛樹脂光致抗蝕劑。另外，如 上述第一實(shí)施例所述，這里，實(shí)施多步曝光，從而在顯影處理后抗蝕膜 22保留較大厚度的區(qū)域，曝光量被控制為較小。因此，優(yōu)選地使用與在 第一實(shí)施例中的抗蝕劑相同或相似的丙烯酸正型光致抗蝕劑。
而且，在所述第二實(shí)施例中，重要的是要以足夠的厚度涂敷抗蝕膜 22，從而在顯影處理后，在設(shè)有P型薄膜晶體管P-Tr的區(qū)域、即在周邊區(qū) 域lb中將形成具有足夠膜厚的抗蝕圖。形成于周邊區(qū)域lb中的抗蝕圖的 必要的膜厚取決于抗蝕材料的組成，并假定其厚度可以通過(guò)吸收將波長(zhǎng) 短于260nm的光屏蔽。
然后，對(duì)以大厚度涂敷形成的抗蝕膜22進(jìn)行多步圖形化曝光，在該 多步曝光中曝光量被控制的方式與第一實(shí)施例相同。然而這里需要注意， 在第二實(shí)施例中，至少對(duì)于位于周邊區(qū)域lb中的P型薄膜晶體管P-Tr的上 側(cè)的那部分抗蝕膜22無(wú)須曝光。
類似于第一實(shí)施例，在如上所述的曝光中，重要的是薄膜晶體管Tr 尤其是P型薄膜晶體管P-Tr的溝道部ch不受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照 射。因此，類似于第一實(shí)施例，可通過(guò)應(yīng)用以超高壓汞燈作為光源的步 進(jìn)機(jī)的現(xiàn)有曝光技術(shù)進(jìn)行曝光。
17在如上所述的多步曝光后，對(duì)抗蝕膜22進(jìn)行顯影處理，以便將已曝 光部分溶入顯影溶液中，從而圖形化抗蝕膜22。
因此，如圖1C所示，抗蝕圖24是通過(guò)使抗蝕膜22圖形化為設(shè)有預(yù)定 的臺(tái)階d的形狀而獲得的，預(yù)定的臺(tái)階d使透射顯示部lt處于低層而使反 射顯示部分lr處于高層，反射顯示部lr設(shè)有具有凹凸不平的形狀的光漫射 表面24b，并且設(shè)有延伸到布線ll的接觸孔24c以及柱狀隔離物24s。另外， 如果需要，可以以圖形化方式形成凹凸定向元件。特別地，至少在周邊 區(qū)域lb中的P型薄膜晶體管P-Tr上，抗蝕圖24形成的厚度要能夠通過(guò)吸收 將波長(zhǎng)短于260nm的光屏蔽。
緊接的和后續(xù)的步驟構(gòu)成抗蝕圖24的硬化過(guò)程。現(xiàn)在，將在下面使 用圖8中所示的流程圖描述硬化過(guò)程。在所述第二實(shí)施例中，步驟S2-2是 主要部分，而步驟S1和S3可與第一實(shí)施例相同，故這里省略對(duì)其的描述。
首先，在步驟S1，對(duì)設(shè)有抗蝕圖的基板進(jìn)行干燥處理。然后，在步 驟S2-2，已經(jīng)過(guò)干燥處理的抗蝕圖在填充有干燥氣體的氣氛中以含有紫 外光的光進(jìn)行照射。在此情況下，類似于第一實(shí)施例，在薄膜晶體管的 溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的情況下實(shí)施光照射。在第 二實(shí)施例中，對(duì)波長(zhǎng)短于260nm的光的屏蔽由抗蝕圖完成，且其它配置 與第一實(shí)施例的步驟S2-1中的相同。
具體地，作為干燥氣體的惰性氣體的使用方式與第一實(shí)施例相同。
另外，作為用于照射抗蝕圖的含有紫外光的光，可見(jiàn)光與紫外光一 起使用，該紫外光用于以良好的形狀精度對(duì)抗蝕圖進(jìn)行后續(xù)的熱硬化， 這與第一實(shí)施例類似。因此，作為用于光照射的光源，使用亮線處于紫 外和可見(jiàn)范圍中且適合于大面積的光照射的光源。此處所用的光源的例 子包括高壓汞燈(亮線254nm /365nm /405nm /436nm /546nm /577nm /579nm)和低壓汞燈(亮線185nm /254nm /436nm /550nm)。
而且，對(duì)抗蝕圖以含有可見(jiàn)光與紫外光的光進(jìn)行照射，從而，具體 在周邊區(qū)域中形成為足夠膜厚的抗蝕圖用作遮光膜，從而P型薄膜晶體管 的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。順便提及，類似于第一實(shí)施例，可在加熱條件下實(shí)施以含有紫外光 的光進(jìn)行照射的步驟。另外，以如上述相同的方式，在以含有紫外光的 光進(jìn)行照射的步驟中的處理?xiàng)l件成為用于控制抗蝕圖在熱硬化后的表面 形狀的粗糙度的參數(shù)。因此，類似于第一實(shí)施例，優(yōu)選地例如通過(guò)實(shí)施 預(yù)先實(shí)驗(yàn)，預(yù)先地檢測(cè)諸如可使抗蝕圖的表面形狀的粗糙度在熱硬化后 成為預(yù)定狀態(tài)的處理?xiàng)l件，并在由此檢測(cè)到的處理?xiàng)l件下以含有紫外光 的光對(duì)抗蝕圖實(shí)施照射。
然后，在步驟S3中，以與第一實(shí)施例中相同的方式實(shí)施抗蝕圖的熱 硬化處理。
而且，在上述處理之后，以與上述第一實(shí)施例中參照?qǐng)D3所述的相同
方式，得到兩個(gè)基板1和30之間夾有液晶層LC的液晶顯示裝置36。
在液晶顯示裝置36中，覆蓋第一基板1的上側(cè)的抗蝕圖24，形成為整 體結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)掩埋第一基板l的上側(cè)上的粗糙表面且在其表面設(shè)有多個(gè) 凹凸形狀。
根據(jù)上述第二實(shí)施例，如參考圖8所述，在填充有干燥氣體的氣氛中 以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟S2-2)實(shí)施于對(duì)通過(guò)曝光和顯影 進(jìn)行圖形化得到的抗蝕圖進(jìn)行熱硬化的步驟之前。這確保了在步驟S3的 熱硬化時(shí)避免發(fā)生抗蝕材料的回流，且抗蝕圖的表面形狀保持在通過(guò)曝 光和顯影進(jìn)行圖形化得到的形狀。
因此，類似于第一實(shí)施例，形成為加大厚度的抗蝕圖可在保持其凹 凸不平的表面形狀的狀態(tài)中被熱硬化。
具體地，在以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟S2-2)中，在設(shè)有 P型薄膜晶體管的周邊區(qū)域中形成有足夠膜厚的抗蝕圖被用作波長(zhǎng)短于 260nm的光的遮光膜。如圖1C中所示，這確保了設(shè)置于周邊區(qū)域lb中的 底柵型薄膜晶體管Tr的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射，并可 避免發(fā)生因短波長(zhǎng)的光照射溝道部ch引起的P型薄膜晶體管P-Tr的特性 的惡化。
因此，通過(guò)根據(jù)第二實(shí)施例所述的方法，可以獲得具有良好耐熱性 的抗蝕圖24'的液晶顯示裝置36，該抗蝕圖24'在保持其剛光刻后的形狀的狀態(tài)中被牢固地硬化，而覆蓋有抗蝕圖24'的薄膜晶體管Tr的特性無(wú)
任何惡化。
這里，圖9表示第二實(shí)施例中所用的抗蝕材料(丙烯酸正型光致抗蝕
劑)在曝光之前的吸收光譜。如在本曲線圖中所示，在第二實(shí)施例中重要
的是使用在短于260nm的波長(zhǎng)側(cè)表現(xiàn)出高吸收率的抗蝕材料。
圖10表示在使用具有圖9所示的吸收光譜的抗蝕材料的抗蝕圖在底 柵型P型薄膜晶體管上形成為不同膜厚且以2000mJ/cn^的波長(zhǎng)為250nm 的光進(jìn)行照射的情況下的晶體管特性(柵極電壓和漏極電流之間的關(guān)系)。 另外，抗蝕圖未被波長(zhǎng)為250nm的光照射的情況下的晶體管特性被表示 為參考。
從圖10中可以看到當(dāng)使用在波長(zhǎng)短于260nm的短波長(zhǎng)側(cè)上具有光吸 收性的抗蝕材料時(shí)，通過(guò)使抗蝕圖形成為加大的膜厚，可以抑制因在波 長(zhǎng)短于260nm的短波長(zhǎng)側(cè)的光(波長(zhǎng)為的光250nm)上進(jìn)行照射引起的P型 薄膜晶體管的閾值漂移。例如，可以證實(shí)在以2000mJ/cn^的波長(zhǎng)為250nm 的光照射的情況下，通過(guò)使抗蝕圖形成為約4.0Hm的大膜厚，可以理想地 避免P型薄膜晶體管的閾值漂移。
于是可以看到，通過(guò)設(shè)置形成于P型薄膜晶體管的溝道部上的抗蝕圖 的膜厚的值，足以避免步驟S2-2中用于照射的光的能量引起的P型薄膜晶 體管的閾值漂移。
而且，鑒于如上所述的以抗蝕圖作為對(duì)薄膜晶體管的溝道部的遮光 膜的事實(shí)，在對(duì)抗蝕膜實(shí)施光刻中，即使在圖案曝光時(shí)使用了含有波長(zhǎng) 短于260nm的曝光光線，仍可避免發(fā)生因曝光光線引起的薄膜晶體管的 特性的惡化。
第三實(shí)施例
第三實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的地方在于，對(duì)抗蝕圖實(shí)施光照射時(shí)， 柵極被用作薄膜晶體管的溝道部的遮光膜，所述光照射是抗蝕圖的熱硬 化處理的預(yù)先步驟。首先，在第三實(shí)施例中，以與上述第一實(shí)施例相同的方式實(shí)施如圖 1A到1C所示的步驟，以在第一基板l上形成底柵型薄膜晶體管Tr并形成 覆蓋它們的抗蝕圖24。
接下來(lái)，按圖11的流程圖所示執(zhí)行硬化抗蝕圖24的步驟。在所述的 第三實(shí)施例中，步驟S2-3是其特征，而步驟S1和S3可以與第一實(shí)施例相 同，故這里省略對(duì)其的描述。
首先，在步驟S1中，對(duì)設(shè)有抗蝕圖的基板進(jìn)行干燥處理。然后，在 步驟S2-3中，在填充有干燥氣體的氣氛中，以含有紫外光的光對(duì)已經(jīng)過(guò) 干燥處理的抗蝕圖進(jìn)行照射。在此情況下，類似于第一實(shí)施例，在薄膜 晶體管的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的情況下實(shí)施照 射。在所述的第三實(shí)施例中，對(duì)波長(zhǎng)短于260nm的光的屏蔽由柵極完成， 且其它配置與在第一實(shí)施例的步驟S2-1中的相同。
具體地，作為干燥氣體的惰性氣體的使用方式與第一實(shí)施例中的相同。
另外，類似于第一實(shí)施例，作為用于照射抗蝕圖的含有紫外光的光， 用于增強(qiáng)被熱硬化的抗蝕圖的透光率的可見(jiàn)光優(yōu)選地與紫外光一起使 用，該紫外光用于以良好的形狀精度實(shí)施后續(xù)的抗蝕圖的熱硬化。因此， 作為用于光照射的光源，使用亮線處于紫外和可見(jiàn)范圍中且適合于大面 積的光照射的光源。此處所用的光源的例子包括高壓汞燈(亮線254nm /365nm /405nm /436nm /546nm /577nm /579nm)禾卩低壓汞燈(亮線185nm /254nm /436nm /530nm)。
具體地，如圖12中所示，在所述的第三實(shí)施例中，從第一基板l的背 側(cè)實(shí)施上述的含有紫外光的光h的照射。這確保了在每個(gè)薄膜晶體管Tr 中，柵極3用作半導(dǎo)體層7的溝道部ch的遮光膜，從而避免了光h對(duì)溝道部 ch的照射。于是，形成于周邊區(qū)域lb中的P型薄膜晶體管P-Tr的溝道部ch 不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。
順便提及，類似于第一實(shí)施例，可在加熱條件下實(shí)施以含有紫外光 的光進(jìn)行照射的步驟。而且，以與上述相同的方式，以含有紫外光的光 進(jìn)行照射的步驟中的處理?xiàng)l件成為控制抗蝕圖在熱硬化后的表面形狀的粗糙度的參數(shù)。因此，類似于第一實(shí)施例，優(yōu)選地例如通過(guò)實(shí)施預(yù)先實(shí) 驗(yàn)，預(yù)先地檢測(cè)諸如使得抗蝕圖的表面形狀的粗糙度在熱硬化后達(dá)到預(yù) 定狀態(tài)的處理?xiàng)l件，并在由此檢測(cè)到的處理?xiàng)l件下以含有紫外光的光進(jìn) 行照射。
然后，在步驟S3，以與第一實(shí)施例中相同的方式實(shí)施抗蝕圖的熱硬 化處理。
而且，在上述處理之后，以與上述第一實(shí)施例中參照?qǐng)D3所述的相同
方式，得到具有夾于在兩個(gè)基板1和30之間的液晶層LC的液晶顯示裝置 36。
在液晶顯示裝置36中，覆蓋第一基板1的上側(cè)的抗蝕圖24'形成為一 體化結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以掩埋位于第一基板l的上側(cè)的粗糙部分且在其表面 設(shè)有多個(gè)凹凸形狀。
根據(jù)參照?qǐng)D11和12所述的上述第三實(shí)施例，在填充有干燥氣體的氣 氛中以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟S2-3)實(shí)施于通過(guò)曝光和顯 影進(jìn)行圖形化得到的抗蝕圖的熱硬化的步驟(步驟S3)之前。這確保了在步 驟S3的熱硬化時(shí)避免發(fā)生抗蝕材料的回流，且抗蝕圖的表面形狀保持在 通過(guò)曝光和顯影進(jìn)行圖形化得到的形狀。
因此，類似于第一實(shí)施例，形成為加大的膜厚的抗蝕圖可在保持凹 凸不平的表面形狀的狀態(tài)中被熱硬化。
具體地，如圖12中所示，在以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟 S2-3)中，從第一基板l的背側(cè)實(shí)施以含有紫外光的光h進(jìn)行的照射同時(shí)使 用柵極作為遮光膜，從而底柵型薄膜晶體管Tr的溝道部ch不會(huì)受到波長(zhǎng) 短于260nm的光的照射。因此，可以避免因以短波長(zhǎng)的光對(duì)溝道部ch照射 引起的P型薄膜晶體管P-Tr的特性的惡化。
因此，通過(guò)根據(jù)第三實(shí)施例的方法，可以獲得具有良好耐熱性的抗 蝕圖24'的液晶顯示裝置36，該抗蝕圖24'在保持其剛光刻后的形狀的 狀態(tài)中被牢固地硬化，而覆蓋有抗蝕圖24'的薄膜晶體管Tr的特性無(wú)任 何惡化。
第四實(shí)施例第四實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的地方在于，進(jìn)行抗蝕圖的光照射時(shí)
使用僅產(chǎn)生波長(zhǎng)不小于260nm的光的光源，所述抗蝕圖的光照射用作抗
蝕圖的熱硬化處理的預(yù)先步驟。
首先，在所述第四實(shí)施例中，以與第一實(shí)施例相同的方式執(zhí)行圖1A 到1C中所示的步驟，以在第一基板l上形成底柵型薄膜晶體管Tr，并形成 覆蓋所述底柵型薄膜晶體管Tr的抗蝕圖24。
接下來(lái)，實(shí)施如圖13中的流程圖中所示的硬化抗蝕圖24的步驟。在 所述第四實(shí)施例中，步驟S2-4是主要的，而步驟S1和S3可與第一實(shí)施例 相同，從而這里省略對(duì)其的描述。
首先，在步驟S1，對(duì)設(shè)有抗蝕圖的基板進(jìn)行干燥處理。然后，在步 驟S2-3中，在填充有干燥氣體的氣氛中以含有紫外光的光對(duì)已經(jīng)過(guò)干燥 處理的抗蝕圖進(jìn)行照射。在此情況下，類似于第一實(shí)施例，在薄膜晶體 管的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的情況下實(shí)施照射。在 第四實(shí)施例中，以僅產(chǎn)生波長(zhǎng)不小于260nm的光的光源作為用于提供含 有紫外光的光的光源，且其它配置與在第一實(shí)施例的步驟S2-1中的相同。
具體地，作為干燥氣體的惰性氣體的使用方式與第一實(shí)施例中的相同。
另外，類似于第一實(shí)施例，作為用于照射抗蝕圖的含有紫外光的光， 用于增強(qiáng)被熱硬化的抗蝕圖的透光率的可見(jiàn)光優(yōu)選地與紫外光一起使 用，該紫外光用于以良好形狀精度進(jìn)行后續(xù)的抗蝕圖的熱硬化。因此這 里，以僅產(chǎn)生波長(zhǎng)不小于260nm的光且亮線處于紫外和可見(jiàn)范圍內(nèi)的光 源作為光照射的光源。例如，使用超高壓汞燈(亮線365nm /405nm /436nm)。
這里應(yīng)當(dāng)注意，超高壓汞燈是點(diǎn)狀光源。因此，為了以含有波長(zhǎng)不 小于260nm紫外光的光有效地照射第一基板l的大面積，光源設(shè)有反光鏡 和/或透鏡，以使照射光擴(kuò)大為線狀或面狀。
順便提及，類似于第一實(shí)施例，可在加熱條件下實(shí)施以含有紫外光 的光進(jìn)行照射的步驟。而且，以如上所述相同的方式，在以含有紫外光 的光進(jìn)行照射的步驟中的處理?xiàng)l件成為控制抗蝕圖在熱硬化后的表面形狀的粗糙度的參數(shù)。因此，類似于第一實(shí)施例，優(yōu)選地預(yù)先檢測(cè)諸如使 抗蝕圖的表面形狀的粗糙度在熱硬化后達(dá)到預(yù)定狀態(tài)的處理?xiàng)l件，并在 由此檢測(cè)到的處理?xiàng)l件下以含有紫外光的光進(jìn)行照射。
然后，在步驟S3中，類似于第一實(shí)施例實(shí)施抗蝕圖的熱硬化處理。
而且，在上述處理之后，以與上述第一實(shí)施例中參照?qǐng)D3所述的相同
方式，得到具有夾于在兩個(gè)基板1和30之間的液晶層LC的液晶顯示裝置 36。
在液晶顯示裝置36中，覆蓋第一基板1的抗蝕圖24'形成為一體化結(jié) 構(gòu)，該結(jié)構(gòu)掩埋在第一基板l的上側(cè)上的粗糙部分且在其表面設(shè)有多個(gè)凹 凸形狀。
根據(jù)上述參照?qǐng)D13所述的第四實(shí)施例，在填充有干燥氣體的氣氛中 以含有紫外光的光進(jìn)行照射的步驟(步驟S2-4)實(shí)施于對(duì)通過(guò)曝光和顯影 進(jìn)行圖形化得到的抗蝕圖進(jìn)行熱硬化的步驟(步驟S3)之前。這確保了在步 驟S3中熱硬化時(shí)避免發(fā)生抗蝕材料的回流，且抗蝕圖的表面形狀保持在 通過(guò)曝光和顯影進(jìn)行圖形化得到的形狀。
因此，類似于第一實(shí)施例，形成為加大膜厚的抗蝕圖可在保持凹凸 不平的表面形狀的狀態(tài)中被熱硬化。
具體地，在以含有紫外光的光照射的步驟(步驟S2-4)中，通過(guò)使用僅 產(chǎn)生波長(zhǎng)范圍不小于260nm中的光且亮線處于紫外和可見(jiàn)范圍內(nèi)的光源 對(duì)抗蝕圖進(jìn)行光照射，所述光源例如是超高壓汞燈(亮線365nm/405nm /436nm)。如圖1C中所示，這確保了在抗蝕圖24下方的底柵型薄膜晶體管 Tr的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射，且可避免發(fā)生因以短波 長(zhǎng)的光對(duì)溝道部ch照射引起的薄膜晶體管Tr的特性的惡化，尤其是引起P 型薄膜晶體管P-Tr的特性的惡化。
因此，通過(guò)根據(jù)第四實(shí)施例的方法，可以獲得具有良好耐熱性的抗 蝕圖24'的液晶顯示裝置36，所述抗蝕圖24'在保持其剛光刻后的形狀 的狀態(tài)中被牢固地硬化，而覆蓋有抗蝕圖24'的薄膜晶體管Tr的特性無(wú) 任何惡化。
24這里，圖14表示在通過(guò)采用實(shí)施第四實(shí)施例的方法[以來(lái)自超高壓汞 燈的光照射]硬化的抗蝕圖下方的薄膜晶體管的晶體管特性。在此情況 下，在步驟S2-4以來(lái)自超高壓汞燈的光照射抗蝕圖，且隨后在步驟S3中 執(zhí)行熱硬化處理。而且一同示出在光照射之前[未被照射(作為參考)]的晶 體管特性。
如圖14所示，在抗蝕圖下方的薄膜晶體管的特性被證實(shí)為保持光照
射之前[未被照射(參考)]的特性并免于惡化，所述抗蝕圖應(yīng)用第四實(shí)施例
通過(guò)使用不產(chǎn)生波長(zhǎng)短于260nm的光的光源(超高壓汞燈)加以硬化。 第五實(shí)施例
第五實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的地方在于，遮光膜設(shè)置于溝道部的 上側(cè)，從而在對(duì)抗蝕圖進(jìn)行光照射時(shí)，遮光膜可以防止以波長(zhǎng)短于260nm 的光對(duì)溝道部的照射，所述光照射用作熱硬化處理的預(yù)先步驟?，F(xiàn)在， 以下將描述根據(jù)第五實(shí)施例的制造方法。
首先，如圖15A所示，底柵型薄膜晶體管Tr形成于由諸如玻璃的透明 材料制成的第一基板l上。在此情況下，類似于第一實(shí)施例，例如，n型 薄膜晶體管n-Tr形成于顯示區(qū)域la中，每個(gè)n型薄膜晶體管n-Tr對(duì)應(yīng)于每 個(gè)像素，而n型薄膜晶體管n-Tr和p型薄膜晶體管P-Tr形成于周邊區(qū)域lb 中。順便提及，在圖中的周邊區(qū)域lb中僅示出了p型薄膜晶體管P-Tr。
接下來(lái)，設(shè)有薄膜晶體管Tr的第一基板l的上側(cè)覆蓋有層間絕緣膜9， 且形成有通過(guò)形成于層間絕緣膜9中的接觸孔與薄膜晶體管Tr連接的布 線ll。因此，在顯示區(qū)域la中對(duì)每個(gè)像素形成有一個(gè)使用薄膜晶體管Tr 的像素電路13。而且，在周邊區(qū)域lb中，形成有使用n型薄膜晶體管n-Tr 和P型薄膜晶體管P-Tr的CM0S配置的驅(qū)動(dòng)電路15。
在此情況下，尤其在第五實(shí)施例中，遮光膜11形成于層間絕緣膜9上， 其狀態(tài)為至少覆蓋P型薄膜晶體管P-Tr的溝道部ch。遮光膜ll由例如鋁 (Al)、鈦(Ti)、鎢(W)、銀(Ag)或其合金形成。而且，遮光膜ll可包括與布 線ll的層相同的層，且可從如圖所示的布線ll延伸。而且，遮光膜ll可 形成為不依賴于布線ll的形狀。
按上述方式形成所謂的TFT基板20。然后，類似于第一實(shí)施例，如圖15B中所示，未硬化的抗蝕膜22通過(guò)
涂敷(涂布)形成于TFT基板20上，并對(duì)抗蝕膜22進(jìn)行多步曝光。在此情況 下，類似于第一實(shí)施例，可通過(guò)使用以超高壓汞燈作為光源的步進(jìn)機(jī)實(shí) 施曝光，且在曝光光線中可包括波長(zhǎng)短于260nm的光。
然后，對(duì)抗蝕膜22進(jìn)行顯影處理，從而，通過(guò)使其已曝光部分溶入 顯影溶液實(shí)現(xiàn)圖形化。因此，類似于第一實(shí)施例，得到如圖15C所示的被 圖形化為所需形狀的抗蝕圖24。
緊接的和后續(xù)的步驟構(gòu)成抗蝕圖24的硬化過(guò)程。現(xiàn)在，下面將參照 圖16中的流程圖描述硬化過(guò)程。在所述第五實(shí)施例中，步驟S2-5是主要 的，而步驟S1和S3可與第一實(shí)施例相同，從而這里省略對(duì)其的描述。
首先，在步驟S1，對(duì)設(shè)有抗蝕圖的基板進(jìn)行干燥處理。然后，在步 驟S2-5，在填充有干燥氣體的氣氛中以含有紫外光的光對(duì)已經(jīng)過(guò)干燥處 理的抗蝕圖進(jìn)行照射。在此情況下，類似于第一實(shí)施例，在薄膜晶體管 的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的情況下實(shí)施照射。在第 五實(shí)施例中，通過(guò)使用遮光膜實(shí)現(xiàn)對(duì)波長(zhǎng)短于260nm的光的屏蔽，而其 它配置與在第一實(shí)施例的步驟S2-1中的相同。
具體地，作為干燥氣體的惰性氣體的使用方式與第一實(shí)施例中的相同。
而且，類似于第一實(shí)施例，作為用于照射抗蝕圖的含有紫外光的光， 用于增強(qiáng)被熱硬化的抗蝕圖的透光率的可見(jiàn)光優(yōu)選地與紫外光一起使 用，該紫外光用于以良好的形狀精度進(jìn)行后續(xù)的抗蝕圖的熱硬化。因此， 作為用于光照射的光源，使用亮線處于紫外和可見(jiàn)范圍內(nèi)的且適合于大 面積的光照射的光源。此處所用的光源的例子包括高壓汞燈(亮線254nm /365nm /405nm /436nm /546nm /577nm /579nm)和低壓隸燈(亮線185nm /254nm /436nm /550nm)。
于是，對(duì)抗蝕圖以含有可見(jiàn)光和紫外光的光照射，特別是借助于設(shè) 置在周邊區(qū)域中的遮光膜，P型薄膜晶體管的溝道部P-Tr不會(huì)受到波長(zhǎng)短 于260nm的光的照射。順便提及，類似于第一實(shí)施例，可在加熱條件下執(zhí)行以含有紫外光 的光照射的步驟。而且，以如上所述相同的方式，在以含有紫外光的光 照射的步驟中的處理?xiàng)l件成為用于控制抗蝕圖在熱硬化后的表面形狀的 粗糙度的參數(shù)。因此，類似于第一實(shí)施例，優(yōu)選地例如通過(guò)實(shí)施預(yù)先實(shí) 驗(yàn)，預(yù)先地檢測(cè)諸如使得被熱硬化的抗蝕圖的表面形狀的粗糙度成為預(yù) 定狀態(tài)的處理?xiàng)l件，并在由此檢測(cè)到的處理?xiàng)l件下以含有紫外光的光進(jìn) 行照射。
然后，在步驟S3中，以與第一實(shí)施例相同的方式實(shí)施抗蝕圖的熱硬 化處理。
而且，在上述處理之后，以與上述第一實(shí)施例中參照?qǐng)D3所述的相同
方式，液晶層LC夾于在兩個(gè)基板1和30之間。因此，得到圖17中所示的 液晶顯示裝置36'。液晶顯示裝置36'不同于圖3的液晶顯示裝置的地方在 于，設(shè)置于周邊區(qū)域lb中的P型薄膜晶體管P-Tr的溝道部ch的上側(cè)覆蓋有 遮光膜ll，其它配置與圖3中的相同。
在所述液晶顯示裝置36，中，覆蓋第一基板1的上側(cè)的抗蝕圖24，形成 為一體化結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)掩埋在第一基板l的上側(cè)的粗糙部分且在其表面設(shè) 有多個(gè)凹凸形狀。
根據(jù)如上所述的第五實(shí)施例，如參考圖15A到15C以及16所述，在填 充有干燥氣體的氣氛中以含有紫外光的光照射的步驟(步驟S2-5)實(shí)施于 對(duì)通過(guò)曝光和顯影進(jìn)行圖形化得到的抗蝕圖實(shí)施熱硬化的步驟(步驟S3) 之前。這確保了在步驟S3中熱硬化時(shí)避免發(fā)生抗蝕材料的回流，且抗蝕 圖的表面形狀保持在通過(guò)曝光和顯影進(jìn)行圖形化得到的形狀。
因此，類似于第一實(shí)施例，形成有加大的膜厚的抗蝕圖可在保持凹 凸不平的表面形狀的狀態(tài)中被熱硬化。
而且，如圖15C中所示，具體地在以含有紫外光的光照射的步驟(步 驟S2-5)中，以含有紫外光的光h進(jìn)行的照射從設(shè)置于底柵型P型薄膜晶體 管P-Tr的溝道部ch上的遮光膜ll的上側(cè)實(shí)施，從而P型薄膜晶體管P-Tr的 溝道部ch不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。這確保了可以避免發(fā)生因 以短波長(zhǎng)的光對(duì)溝道部ch照射引起的P型薄膜晶體管P-Tr的特性的惡化。因此，通過(guò)根據(jù)第五實(shí)施例所述的方法，可以獲得具有良好耐熱性
的抗蝕圖24'的液晶顯示裝置36'，所述抗蝕圖24'在保持其剛光刻后的形 狀的狀態(tài)中被牢固地硬化，而覆蓋有抗蝕圖24'的薄膜晶體管Tr的特性 無(wú)任何惡化。
這里，圖18表示在通過(guò)使用根據(jù)第五實(shí)施例的方法[以來(lái)自高壓汞燈 (帶有遮光器)的光照射]硬化的抗蝕圖下方的薄膜晶體管的晶體管特性。 在此情況下，在步驟S2-5中，對(duì)抗蝕圖以來(lái)自高壓汞燈的含有波長(zhǎng)短于 260nm的能量為200mJ的光進(jìn)行照射，且之后在步驟S3中實(shí)施熱硬化處 理。而且， 一同示出光照射之前[未被照射(作為參考)]的晶體管特性。
如圖18中所示，在抗蝕圖下方的薄膜晶體管的特性被證實(shí)為保持光 照射之前[未被照射(作為參考)]的特性且沒(méi)有惡化，所述抗蝕圖已經(jīng)過(guò)硬 化處理，并且還在溝道部上設(shè)有遮光膜的條件下經(jīng)過(guò)采用第五實(shí)施例的 方法進(jìn)行的光照射。
顯示器的電路配置
圖19是表示上述實(shí)施例中所示的有源矩陣型液晶顯示裝置36、 36，的 電路配置的示例的圖。如圖中所示，顯示區(qū)域la和周邊區(qū)域lb設(shè)置于液 晶顯示裝置36、 36'中的第一基板1上。顯示區(qū)域la被配置為像素陣列部 分，在所述像素陣列部分中多個(gè)掃描線41和多個(gè)信號(hào)線43被縱向和橫向 地布置，且在對(duì)應(yīng)于所述掃描線41和信號(hào)線43的每個(gè)交叉點(diǎn)處設(shè)置一個(gè) 像素。另外，在周邊區(qū)域lb中，布置有用于以掃描方式驅(qū)動(dòng)掃描線41的 掃描線驅(qū)動(dòng)電路15(15-1)以及用于根據(jù)亮度信息(即輸入信號(hào))提供視頻信 號(hào)給信號(hào)線43的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15(15-2)。
設(shè)置用于對(duì)應(yīng)于掃描線41和多個(gè)信號(hào)線43的每個(gè)像素的像素電路13 包括上述的像素電極、薄膜晶體管Tr以及保持電容器Cs，所述像素電極 包括透明電極26和反射電極28。通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路15-l的驅(qū)動(dòng)，由信 號(hào)線47寫出的視頻信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管Tr保持在保持電容器Cs中，根據(jù) 所保持的信號(hào)的大小的電壓加于像素電極26、 28上，且構(gòu)成液晶層的液 晶分子根據(jù)電壓發(fā)生傾斜，由此控制顯示光的通過(guò)。順便提及，如剛才所述的像素電路13的配置僅為示例，因而，如果 需要，可在像素電路13中設(shè)置電容元件，或者還可設(shè)有多個(gè)晶體管以構(gòu) 成像素電路13。而且，對(duì)周邊區(qū)域lb，根據(jù)像素電路13中的改變?cè)鲈O(shè)了
必要的驅(qū)動(dòng)電路15。
應(yīng)用示例
根據(jù)上述的本發(fā)明的實(shí)施例所述的顯示器應(yīng)用于所有領(lǐng)域中的電子 裝置的顯示器，通過(guò)它，視頻信號(hào)輸入給電子裝置或由電子裝置產(chǎn)生的
視頻信號(hào)顯示為圖像或圖片，所述電子裝置例如是如圖20到24G中所示的 數(shù)碼相機(jī)、筆記本式個(gè)人電腦、諸如手機(jī)的PDA、攝像機(jī)等電子裝置。 現(xiàn)在，下面將描述應(yīng)用了本發(fā)明的電子裝置的示例。
圖20是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電視機(jī)的立體圖。屬于所述應(yīng)用示例的 電視機(jī)包括由前面板102、濾光鏡103等構(gòu)成的視頻顯示單元101，且通過(guò) 使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示器而制成視頻顯示單元IOI。
圖21A和21B是表示應(yīng)用了本發(fā)明的數(shù)碼相機(jī)的立體圖，其中圖21A 是從正面?zhèn)瓤吹牧Ⅲw圖，而圖21B是從背側(cè)看的立體圖。屬于所述應(yīng)用示 例的數(shù)碼相機(jī)包括閃光發(fā)射部件lll、顯示部件112、菜單開關(guān)113、快門 按鈕114等，且通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示器制成顯示部112。
圖22是表示應(yīng)用了本發(fā)明的筆記本式個(gè)人電腦的立體圖。屬于所述 應(yīng)用示例的筆記本式個(gè)人電腦包括主體121、在輸入字符等時(shí)操作的鍵盤 122、用于顯示圖像的顯示部件123等，且通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 的顯示器制成顯示部123。
圖23是應(yīng)用了本發(fā)明的表示攝像機(jī)的立體圖。屬于所述應(yīng)用示例的 攝像機(jī)包括主體部件131、設(shè)置于朝前的側(cè)表面處的目標(biāo)拍攝鏡頭132、 在拍攝時(shí)操作的開始/停止開關(guān)133、顯示部件134等，且通過(guò)使用根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例的顯示器制成顯示部134。
圖24A到24G表示應(yīng)用了本發(fā)明的PDA，例如是手機(jī)，其中圖24A和 圖24B分別是其展開狀態(tài)的前視圖和側(cè)視圖，圖24C — 24G分別是其閉合 狀態(tài)的前視圖、左側(cè)視圖、右側(cè)視圖、俯視圖和仰視圖。屬于所述應(yīng)用 示例的手機(jī)包括上殼體141、下殼體142、結(jié)合部(這里為鉸接部)143、顯
29示器144、副顯示器145、圖片燈146、相機(jī)147等，且通過(guò)使用根據(jù)本發(fā) 明的實(shí)施例的顯示器制成顯示器144和/或子顯示器145。
順便提及，雖然在以上實(shí)施例中描述了本發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示裝置 的配置，然而本發(fā)明還可應(yīng)用于通過(guò)布置有機(jī)電致發(fā)光元件而配置的顯 示器(所謂的有機(jī)電致發(fā)光顯示器)。在此情況下，在上述實(shí)施例中所述的 抗蝕膜被用作覆蓋設(shè)有有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示區(qū)域的絕緣膜。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在處于所附的權(quán)利要求書及其等同物 的范圍之內(nèi)，可根據(jù)設(shè)計(jì)需要及其它因素而作出各種修改、組合、子組 合和改變。
權(quán)利要求
1. 一種制造電子裝置的方法，所述電子裝置在設(shè)有薄膜晶體管的基板上設(shè)置有抗蝕圖，所述方法包括以下步驟在所述基板上通過(guò)涂敷形成處于覆蓋所述薄膜晶體管的狀態(tài)的抗蝕膜；通過(guò)對(duì)所述抗蝕膜進(jìn)行曝光和顯影處理以形成抗蝕圖；以及在所述薄膜晶體管的溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的條件下，在干燥氣氛中以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖，其中，在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一進(jìn)行照射之后實(shí)施熱硬化所述抗蝕圖的步驟。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造電子裝置的方法，其中， 在所述的形成所述抗蝕圖的步驟以及所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一進(jìn)行照射的步驟之間，實(shí)施對(duì)設(shè)有所述抗蝕圖的所述基板進(jìn)行干燥 處理的步驟。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 在加熱條件下實(shí)施所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一進(jìn)行照射的步驟。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 使用填充有干燥氣體的氣氛作為所述干燥氣氛以實(shí)施所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射的步驟。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖的步驟中，通過(guò)適合于屏蔽波長(zhǎng)短于260nm的光的濾光器對(duì)所述抗蝕圖實(shí)施光照射， 從而所述溝道部不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 所述薄膜晶體管是底柵型的；且在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖的步驟中，波長(zhǎng)短于260nm的光被吸收入所述抗蝕圖中，從而所述溝道部不會(huì)受到波 長(zhǎng)短于260nm的光的照射。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 所述薄膜晶體管是底柵型的；且在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖的步驟中，以 來(lái)自基板側(cè)的光實(shí)施照射，從而所述薄膜晶體管的柵極被用作所述溝道 部的遮光膜。
8. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法， 其中在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖的步驟中，適合于僅產(chǎn)生波長(zhǎng)不小于260nm的光的光源被用作光源。
9. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 所述薄膜晶體管是底柵型的；在所述的通過(guò)涂敷形成所述抗蝕膜的步驟之前，在所述薄膜晶體管 的所述溝道部上形成對(duì)波長(zhǎng)短于260nm的光的遮光膜；且在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖的步驟中，所 述遮光膜使所述溝道部免受波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。
10. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 使用正型抗蝕材料構(gòu)成所述抗蝕圖。
11. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 在所述的以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射所述抗蝕圖的步驟中，以可見(jiàn)光與紫外光一起照射所述抗蝕圖。
12. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， 在所述的熱硬化所述抗蝕圖的步驟之后，將像素電極形成于所述抗蝕圖上，以將所述電子裝置制造為顯示裝置。
13. 如權(quán)利要求1或2所述的制造電子裝置的方法，其中， P溝道型薄膜晶體管形成為所述薄膜晶體管。
14. 一種電子裝置，其在設(shè)有薄膜晶體管的基板上設(shè)置有抗蝕圖，其中，所述薄膜晶體管是底柵型的，且至少在所述P溝道型的薄膜晶體管的溝道部上設(shè)有適合于隔斷波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的遮光膜。
15. 如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中，所述抗蝕圖含有能吸收波長(zhǎng)短于260nm的光的材料，且被設(shè)置為所 述的遮光膜，該遮光膜至少在所述P溝道型薄膜晶體管的所述溝道部上 的厚度設(shè)為可以隔斷波長(zhǎng)短于260nm的光的照射。
16. 如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中，至少在所述抗蝕圖下的所述P溝道型薄膜晶體管的溝道部上設(shè)有所 述的適合于隔斷波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的遮光膜。
17. 如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中， 所述抗蝕圖設(shè)有多個(gè)接觸孔；在所述基板上設(shè)有顯示區(qū)域以及在所述顯示區(qū)域的外圍布置的周邊 區(qū)域，在所述顯示區(qū)域中，通過(guò)所述接觸孔連接到所述薄膜晶體管的多 個(gè)像素電極在所述抗蝕圖上以陣列形成；且所述P溝道型薄膜晶體管設(shè)置于所述周邊區(qū)域中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造電子裝置的方法以及電子裝置，該電子裝置在設(shè)有薄膜晶體管的基板上設(shè)有抗蝕圖。所述方法包括以下步驟在基板上通過(guò)涂敷形成處于覆蓋薄膜晶體管的狀態(tài)的抗蝕膜，通過(guò)對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光和顯影處理以形成抗蝕圖，并在薄膜晶體管的溝道部分不會(huì)受到波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的情況下，在干燥氣氛中以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射抗蝕圖，其中，在以至少紫外光和可見(jiàn)光之一照射之后實(shí)施熱硬化抗蝕圖的步驟。使用所述方法可以避免在熱硬化期間抗蝕材料回流，且抗蝕圖的表面形狀保持為通過(guò)曝光和顯影被圖形化后的形狀。所述電子裝置用所述方法形成，至少在P溝道型的薄膜晶體管的溝道部分上設(shè)有適合于隔斷波長(zhǎng)短于260nm的光的照射的遮光膜。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101447460SQ20081017842
公開日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月26日
發(fā)明者三上康男, 尾崎靖尚, 山口貴司, 武田浩久, 武藤佳史, 永澤耕一, 金谷康弘 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社