專利名稱：白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。更詳細(xì)地，本發(fā)明涉 及制造在藍(lán)色發(fā)光二極管芯片內(nèi)部形成熒光體層而發(fā)出白色光的白色發(fā)光 二極管芯片的制造方法及由此制造的白色發(fā)光二極管芯片。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管元件是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)的器件，若施加電信號(hào)，則 發(fā)光二極管元件發(fā)出光。 一般，發(fā)光二極管元件是在包括電極引腳的引腳 框安裝發(fā)光二極管芯片形成。根據(jù)發(fā)光二極管芯片的種類，發(fā)光二極管元 件發(fā)出發(fā)光波長(zhǎng)相當(dāng)于藍(lán)色、紅色、綠色的光。
發(fā)光二極管元件具有優(yōu)良的單色峰值波長(zhǎng)，并具有光效率優(yōu)良且可小 型化的優(yōu)點(diǎn)，因此，發(fā)光二極管元件廣泛使用于多種顯示裝置及光源。特 別是，白色發(fā)光二極管元件作為可取代照明裝置或顯示裝置的背光源的高 功率及高效率的光源受注目。
作為實(shí)現(xiàn)這種白色發(fā)光二極管元件的方法，過(guò)去主要使用在藍(lán)色發(fā)光 二極管芯片的外部包敷熒光體而轉(zhuǎn)換為白色光的方法。
作為一例，有形成覆蓋藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的周圍及上部的熒光體樹(shù) 脂層而實(shí)現(xiàn)發(fā)出白色光的白色發(fā)光二極管元件的方法。這時(shí)，熒光體樹(shù)脂
層由混合YAG (Y-Al-Ga類)熒光體和環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂的熒光體形成。 在由包圍藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的注射反射板形成的空間中填充熒光體樹(shù)脂 層，從而可以形成覆蓋藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的周圍及上部的熒光體樹(shù)脂層。 由藍(lán)色發(fā)光二極管芯片發(fā)出的藍(lán)色光中的一部分通過(guò)包含在樹(shù)脂層中的 YAG熒光體被激勵(lì)為峰值波長(zhǎng)為555nm的黃綠色光，該黃綠色光和由藍(lán)色 發(fā)光二極管芯片直接發(fā)出的藍(lán)色光被合成而發(fā)出希望的白色光。
但是，通過(guò)這種方式制造的白色發(fā)光二極管元件存在具有低的量子效 率及低的顯色指數(shù)的問(wèn)題。并且，這種白色發(fā)光二極管元件具有顯色指數(shù) 隨著電流密度變化的缺點(diǎn)，而具有難以發(fā)出接近太陽(yáng)光的白色光的缺點(diǎn)。
此外，這種過(guò)去的制造方法需要在發(fā)光二極管芯片的上部包覆熒光體 的工序，所以有制造成本上升的問(wèn)題。此外，根據(jù)過(guò)去的白色發(fā)光二極管元件制造方法，對(duì)填充在注射反射 板內(nèi)部的樹(shù)脂的量、時(shí)間及粘度的變化敏感，可能做出根據(jù)工作時(shí)的條件 發(fā)出其它顏色的光的二極管元件，降低工序的合格率。
另外，在藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的上部形成熒光體層，從而具有白色發(fā) 光二極管芯片的整體厚度增大的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決如上述的問(wèn)題而做出的，本發(fā)明所要解決的課題是 最大限度地利用藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的效率的同時(shí)，以簡(jiǎn)單的工序提供一 種具有高顯色指數(shù)的高效率的白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
本發(fā)明要實(shí)現(xiàn)的另一課題是將藍(lán)色發(fā)光二極管芯片變換為發(fā)出白色 光的二極管芯片，可以大幅減小應(yīng)用該芯片的白色發(fā)光二極管元件的厚度 的白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
為實(shí)現(xiàn)上述課題的根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片制造 方法包括在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成 在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的 上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分 別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極的藍(lán)色發(fā)光 二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及在上述緩沖層下和上述 第2包層上中的一個(gè)以上形成熒光體層的步驟。
在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述緩沖層下和上述第2包層上 中的某一個(gè)形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，還可以包括形 成反射層的步驟。在上述緩沖層下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層可以 形成在上述熒光體層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時(shí)，上述反 射層可以形成在上述緩沖層下。
形成上述熒光體層的步驟可以包括在上述緩沖層下形成第1熒光體 層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分形成第2 熒光體層的步驟。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層， 剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，利用包括 絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分
露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2 包層和上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片制造白 色發(fā)光二極管芯片。白色發(fā)光二極管芯片制造方法包括在上述絕緣體基板 下和上述第2包層上中的一個(gè)以上形成熒光體層的步驟。
在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述絕緣體基板下和上述第2包 層上中的某一個(gè)形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光 體層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法還可以包括形成 反射層的步驟。在上述絕緣體基板下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形 成在上述熒光體層下；在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時(shí)，上述 反射層可以形成在上述絕緣體基板下。
形成上述熒光體層的步驟可以包括在上述絕緣體基板下形成第1熒 光體層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分形成 第2熒光體層的步驟。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層， 剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
上述紅色熒光體層由對(duì)CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵(lì)熒光體形 成，上述綠色熒光體層由對(duì)CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體或 對(duì)BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法還可以包括 在上述第1熒光體層下形成反射層的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片，可以通過(guò)上述的根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法中的任一種制造方法制造。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片包括藍(lán)色發(fā)光二極管芯 片和熒光體層。藍(lán)色發(fā)光二極管芯片包括緩沖層、形成在上述緩沖層上的 第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分 露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2 包層和上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極。熒光體層形成在上述緩沖層 下和上述第2包層上中的一個(gè)以上。
上述熒光體層可以僅形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的某一 個(gè)；上述熒光體層可以是紅色熒光體層或綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片還可以包括反射層。在上述緩沖層下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層可以形成在上述熒光體
層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層可以形成在上 述緩沖層下。
上述熒光體層可以包括第1熒光體層，形成在上述緩沖層下；及第2 熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層， 剩余的一個(gè)可以是綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片包括藍(lán)色發(fā)光二極管 芯片和熒光體層。藍(lán)色發(fā)光二極管芯片包括絕緣體基板、形成在上述絕緣 體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包 層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活 性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽(yáng)極電 極和陰極電極。
熒光體層形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的一個(gè)以上。 上述熒光體層可以僅形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的
某一個(gè)；上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片還可以包括反射層。在上
述絕緣體基板下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述熒光體層下；
在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述絕緣
體基板下。
上述熒光體層可以包括第1熒光體層，形成在上述絕緣體基板下； 及第2熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層， 剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
上述紅色熒光體層由對(duì)CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵(lì)熒光體形 成，上述綠色熒光體層由對(duì)CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體或 對(duì)BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體形成。
根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片還可以包括形成在上 述第1熒光體層下的反射層。
本發(fā)明的有益效果如下
根據(jù)本發(fā)明，白色發(fā)光二極管芯片本身可以發(fā)出藍(lán)色光子、紅色光子、 及綠色光子的全部的、具有高顯色指數(shù)的高亮度的白色光，并且可以具有 使用過(guò)去的YAG類熒光體做成的白色發(fā)光二極管元件不具備的卯以上的高顯色指數(shù)。
另外，在芯片本身形成熒光體層，從而可以省略過(guò)去在發(fā)光二極管芯 片上配設(shè)熒光環(huán)氧樹(shù)脂的工序，可以削減制造成本，并且可以減少工序投 資費(fèi)用。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。
圖中符號(hào)-
111:陽(yáng)極電極
112:陰極電極
115:緩沖層
116:絕緣體基板
114:第l包層
1134、 1135、 1136、 1137:活性層 1133、 113:第2包層
1171:紅色熒光體層 1131:綠色熒光體層 118:反射層
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
在圖中，為了清楚地表現(xiàn)各層及區(qū)域，放大厚度而表示。在整個(gè)說(shuō)明 書(shū)，對(duì)類似的部分附加相同的附圖符號(hào)。在說(shuō)層或膜等的部分位于其它部 分"上"或"下"時(shí)，這不僅包括就在其它部分"上"或"下"的情況， 還包括在其中間有其它部分的情況。相反，某個(gè)部分就在其它部分"上" 或"下"時(shí)，表示其中間沒(méi)有其它部分。
首先，參照?qǐng)D1詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片 及其制造方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片可以在過(guò)去的藍(lán)色發(fā)光二 極管芯片的上端和下端中的任一個(gè)以上形成熒光體層來(lái)實(shí)現(xiàn)。
圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片包括去除位于過(guò)去的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的最下端的絕緣體基板(圖1未示出)之后
分別形成在芯片的下端及上端的紅色熒光體層1171和綠色熒光體層1131。
首先，對(duì)用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片的制造的過(guò) 去的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片進(jìn)行說(shuō)明。
藍(lán)色發(fā)光二極管芯片在其最下端包括絕緣體基板。絕緣體基板可以用 如藍(lán)寶石(A1203)的絕緣體形成。
在絕緣體基板上依次形成緩沖層115、第1包層114、活性層1137、 1136、 1135 、 1134、以及第2包層1133 、 113 。利用如MOCVD(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition:金屬氧化物化學(xué)氣相沉積)依次生長(zhǎng)緩沖層115、第1 包層114、活性層1137、 1136、 1135、 1134、以及第2包層1133、 113之后， 利用如反應(yīng)離子蝕刻的方法蝕刻第2包層1133、 113和活性層1137、 1136、 1135、 1134的預(yù)定的部分，從而可以做出如圖1所示的形態(tài)的層狀結(jié)構(gòu)。 例如，緩沖層115可以生長(zhǎng)AlGaN類、GaN類、或AlInN類形成，在圖中 示出緩沖層115由三個(gè)層構(gòu)成的情況，但緩沖層115的數(shù)量不限于此。第1 包層114可以由摻雜硅(Si)的GaN類形成。活性層1137、 1136、 1135、 1134可以由GaN類或InGaN類的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成。第2包層1133、 113 可以由摻雜鎂(Mg)的AlGaN類和GaN類形成。
并且，陰極電極(N型電極)112和陽(yáng)極電極(P型電極)111分別形 成在第1包層114和第2包層1133、 113。陰極電極112形成在第1包層 114的上表面中的露出的部分，形成為與活性層1137、 1136、 1135、 1134 隔開(kāi)。
另一方面，在圖中雖未圖示，藍(lán)色發(fā)光二極管芯片還可以包括形成在 第2包層113上的、用于在靜電放電中保護(hù)芯片的ESD (electrostatic discharge靜電放龜)層。這時(shí)，形成于藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的上端的熒光 體層(在圖1中用1131指示的層)可以形成在ESD層上，這時(shí)當(dāng)然也屬 于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
首先，如上所述，去除位于藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的最下端的絕緣體基 板(在圖1中未圖示)。例如，絕緣體基板可以通過(guò)研磨去除。通過(guò)去除絕 緣體基板，露出位于其上的緩沖層115的下表面。絕緣體基板的材質(zhì)的特 性上降低光的亮度，但是，通過(guò)去除絕緣體基板，可以改善從白色發(fā)光二 極管芯片發(fā)出的光的亮度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在緩沖層115下或第2包層1133、 113上中的 一個(gè)以上形成熒光體層。紅色熒光體層1171形成在露出的緩沖層115的下表面。紅色熒光體層 1171可以蒸鍍或鍍敷紅色激勵(lì)熒光體(CaAlSiN3: Eu)而形成。
另外，綠色熒光體層1131形成在藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的上表面即第2 包層1133、 113的上表面。綠色熒光體層1131可以蒸鍍或鍍敷綠色激勵(lì)熒 光體(CaSc204:Ce)
由此，如圖1所示，實(shí)現(xiàn)在緩沖層115下形成紅色熒光體層1171并在 第2熒光體層1133、 113形成綠色熒光體層1131的白色發(fā)光二極管芯片。
另外，如圖1所示，反射層118還可以形成在紅色熒光體層1171下。 反射層118可以蒸鍍?nèi)玟X那樣的可反射光的任意的材料形成。通過(guò)設(shè)置反 射層118，向下方前進(jìn)的光向上方反射而可以改善發(fā)光二極管芯片的光效 率。
在圖1中，示出在緩沖層115下和第2包層1133、 113上均形成熒光 體層1171、 1131的情況，但是，可以省略這兩個(gè)熒光體層1171、 1131中 的任意一個(gè)。此外，在圖1中，示出在緩沖層115下形成紅色熒光體層1171， 在第2包層1133、 113上形成綠色熒光體層1131的情況，但是也可以在緩 沖層115下形成綠色熒光體層，在第2包層1133、 113上形成紅色熒光體 層。
未在緩沖層115下形成熒光體層時(shí)，反射層118可以就在緩沖層115 下形成。
下面，參照?qǐng)D2對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片及其制 造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。 根據(jù)本實(shí)施例的白色發(fā)光二極管芯片在未除去過(guò)去的藍(lán)色發(fā)光二極管 芯片的絕緣體基板的狀態(tài)下包括分別形成在芯片下端及上端的紅色熒光體 層1171和綠色熒光體層1131。
不同于參照?qǐng)D1說(shuō)明的實(shí)施例，藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的絕緣體基板116 未被去除的狀態(tài)下紅色熒光體層1171形成在絕緣體基板116的下表面。 另外，如圖2所示，反射層118還可以形成在紅色熒光體層1171下。 在圖2中，示出在絕緣體基板116下和第2包層1133、 113上均形成 熒光體層1171、 1131的情況，但是可以省略這兩個(gè)熒光體層1171、 1131 中的任意一個(gè)。此外，在圖2中，示出在絕緣體基板116下形成紅色熒光 體層1171，在第2包層1133、 113上形成綠色熒光體層1131的情況，但是， 在本發(fā)明的再一實(shí)施例中，可以在絕緣體基板116下形成綠色熒光體層，在第2包層1133、 113上形成紅色熒光體層。
在絕緣體基板116下未形成熒光體層時(shí)，反射層118可以就在絕緣體 基板116下形成。
在上述的實(shí)施例中，紅色熒光體層1171可以由對(duì)CaAlSiN3將銪用作 活性劑的紅色激勵(lì)熒光體(CaAlSiN3: Eu)形成，綠色熒光體層1131可以 由對(duì)CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體(CaSc204: Ce)或?qū)?BaSr) Si04將銪用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體((BaSr) Si04: Eu)形成。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，活性層1137、1136、1135、1134發(fā)出430至465nm 波帶的藍(lán)色光子，該藍(lán)色光子通過(guò)紅色熒光體層1171的同時(shí)，由紅色激勵(lì) 熒光體激勵(lì)為620至650nm波帶的光譜峰值波長(zhǎng)，該藍(lán)色光子通過(guò)綠色熒 光體層1131的同時(shí)，由綠色激勵(lì)熒光體激勵(lì)為500至580nm波帶的波長(zhǎng)。 由此，同時(shí)發(fā)出紫色光(430至650nm波帶的光)和藍(lán)綠色(cyan)光(430 至580nm波帶的波長(zhǎng)的光)，發(fā)出整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)域(400至800nm波長(zhǎng))。 由此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)出高顯色指數(shù)的高亮度的光的白 色發(fā)光二極管芯片。
此外，僅形成紅色熒光體層和綠色熒光體層中的任意一個(gè)時(shí)，可以實(shí) 現(xiàn)發(fā)出紫色光(430至650nm波帶的波長(zhǎng)的光)和藍(lán)綠色光(430至580nm 波帶的波長(zhǎng)的光)中的任意一個(gè)區(qū)域的可見(jiàn)光區(qū)域的白色發(fā)光二極管芯片。
以上，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明的權(quán)利要求范圍不限于此， 包括本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員容易根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例變更而 被認(rèn)為等同的范圍的所有變更及修改。
權(quán)利要求
1. 一種白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于，包括在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個(gè)以上形成熒光體層的步驟。
2. 如權(quán)利要求l所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述緩沖層下和上述第2包層上中的某一個(gè)形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于，還包括形成反射層的步驟，在上述緩沖層下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述熒光體 層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述緩 沖層下。
4. 如權(quán)利要求l所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 形成上述熒光體層的步驟包括-在上述緩沖層下形成第1熒光體層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分形成第2熒光體層 的步驟。
5. 如權(quán)利要求4所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層，剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
6. —種白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于，利用包括絕緣體 基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包 層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的 活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和 上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片制造白色發(fā)光 二極管芯片；該白色發(fā)光二極管芯片制造方法包括在上述絕緣體基板下和上述第2 包層上中的一個(gè)以上形成熒光體層的步驟。
7. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的某一個(gè)形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
8. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 還包括形成反射層的步驟，在上述絕緣體基板下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述熒 光體層下；在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時(shí)，在上述絕緣體基 板下形成反射層。
9. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 形成上述熒光體層的步驟包括 在上述絕緣體基板下形成第1熒光體層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分形成第2熒光體層 的步驟。
10. 如權(quán)利要求9所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層，剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
11. 如權(quán)利要求2、 5、 7及10中的任一項(xiàng)所述的白色發(fā)光二極管芯片 制造方法，其特征在于，上述紅色熒光體層由對(duì)CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵(lì)熒光體形成，上述綠色熒光體層由對(duì)CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體或 對(duì)BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體形成。
12. 如權(quán)利要求4、 5、 9及10中的任一項(xiàng)所述的白色發(fā)光二極管芯片 制造方法，其特征在于，還包括在上述第1熒光體層下形成反射層的步驟。
13. —種白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該白色發(fā)光二極管芯片通 過(guò)權(quán)利要求1、 2、 4、 5、及6至10中的任一項(xiàng)所述的白色發(fā)光二極管芯片 制造方法制造。
14. 一種白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括 藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，其包括緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和 上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極；以及熒光體層，形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個(gè)以上。
15. 如權(quán)利要求14所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，上述熒 光體層僅形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的某一個(gè)；上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
16. 如權(quán)利要求14或15所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 還包括反射層，在上述緩沖層下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述熒光體 層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述緩 沖層下。
17. 如權(quán)利要求14所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述熒光體層包括第1熒光體層，形成在上述緩沖層下；及第2熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分。
18. 如權(quán)利要求17所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層，剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
19. 一種白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括 藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，其包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使 上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的 第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極 電極，，以及熒光體層，形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的一個(gè)以上。
20. 如權(quán)利要求19所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，上述熒 光體層僅形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的某一個(gè)；上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
21. 如權(quán)利要求19所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 還包括反射層，在上述絕緣體基板下形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成在上述熒光體層下；在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時(shí)，上述反射層形成 在上述絕緣體基板下。
22. 如權(quán)利要求19所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述熒光體層包括第l熒光體層，形成在上述絕緣體基板下；及第2熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽(yáng)極電極以外的部分。
23. 如權(quán)利要求22所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個(gè)是紅色熒光體層，剩余的一個(gè)是綠色熒光體層。
24. 如權(quán)利要求15、 18及20中的任一項(xiàng)所述的白色發(fā)光二極管芯片， 其特征在于，上述紅色熒光體層由對(duì)CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵(lì)熒光體形成，上述綠色熒光體層由對(duì)CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體或 對(duì)BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵(lì)熒光體形成。
25. 如權(quán)利要求17、 18、 22及23中的任一項(xiàng)所述的白色發(fā)光二極管芯 片，其特征在于，還包括形成在上述第1熒光體層下的反射層。
全文摘要
本發(fā)明涉及白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。白色發(fā)光二極管芯片制造方法包括在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽(yáng)極電極和陰極電極的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個(gè)以上形成熒光體層的步驟。
文檔編號(hào)H01L33/20GK101442095SQ20081018134
公開(kāi)日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月19日
發(fā)明者金河哲 申請(qǐng)人:日進(jìn)半導(dǎo)體株式會(huì)社