專利名稱：具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的mems開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例一般涉及微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)。
背景技術(shù)：
微機電系統(tǒng)(MEMS) —般指的是微米尺度的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠通過微制造技術(shù)將諸如機械元件、機電元件、傳感器、執(zhí)行器和電子器件等多個功能不同的元件集成在公共的襯底上。在微型的密封封裝體中的MEMS的尺寸范圍一般在微米到毫米之間。MEMS開關(guān)具有可動執(zhí)行器，該執(zhí)行器受安置在襯底上的柵或電極的影響而被移向固定的電觸點。
開關(guān)。MEMS開關(guān)10包括襯底18、可動執(zhí)行器12、觸點16和機械地耦合到襯底18的控制電極14。在操作中，可動執(zhí)行器12受安置在可動執(zhí)行器12下方的襯底18上的控制電極14 (也被稱為柵或柵驅(qū)動器)影響而被移向觸點16?？蓜訄?zhí)行器12可以是撓性梁，其在諸如靜電吸引、》茲吸引和才非斥、或者熱至丈月長差(thermally induced differential expansion )等作用力之下彎曲，這封閉了梁的自由端與固定觸點16之間的間隙?？蓜訄?zhí)行器12通過可動電極的彈簧剛度，在斷電狀態(tài)下通常保持與固定觸點16分離開。然而，如果在固定觸點16與可動電極12之間提供足夠大的電壓，則由此引起的靜電力能夠?qū)е驴蓜与姌O12在控制電極14不提供任何選通信號的情況下自驅(qū)動。
MEMS開關(guān)的電力系統(tǒng)應(yīng)用正開始出現(xiàn)，例如取代保險絲、接觸器和斷路器。在構(gòu)造具有給定的總電壓和電流額定值的功率開關(guān)器件中的一個重要設(shè)計考慮是在包括該器件的開關(guān)陣列中使用的單個開關(guān)的基礎(chǔ)電壓(underlying voltage)和電流額定值。特別是，單個開關(guān)能夠在它們的功率觸點兩端經(jīng)受住的電壓是重要的參數(shù)。存在若干個確定單個MEMS開關(guān)的電壓額定值的因素和效應(yīng)。其中 一個這樣的因素是自驅(qū)動電壓。
在MEMS開關(guān)中，自驅(qū)動電壓是對開關(guān)的承受電壓能力設(shè)置上限的效應(yīng)。當(dāng)執(zhí)行器和觸點之間的電壓超過某一閾值時，線路和負載觸點 之間(例如，可動執(zhí)行器和固定觸點之間)的靜電力將導(dǎo)致可動執(zhí)行器 自驅(qū)動或者與固定觸點接觸。在某些當(dāng)前的開關(guān)應(yīng)用中，這種自驅(qū)動能 夠引起開關(guān)或下游系統(tǒng)的突變性失效。

發(fā)明內(nèi)容
在一個實施例中，提供一種MEMS開關(guān)，其包括襯底、耦合到該 襯底并且具有第一側(cè)部和第二側(cè)部的可動執(zhí)行器、第一固定電極和第二 固定電極，該第一固定電極耦合到該襯底并且定位在該可動執(zhí)行器的第 一側(cè)部上以產(chǎn)生第一驅(qū)動力來將該可動執(zhí)行器拉向?qū)щ姞顟B(tài)，該第二固 定電極耦合到該襯底并且定位在該可動執(zhí)行器的第二側(cè)部上以產(chǎn)生第 二驅(qū)動力來將該可動執(zhí)行器拉向非導(dǎo)電狀態(tài)。
在另一個實施例中，提供一種制造MEMS開關(guān)的方法。該方法包 括在襯底上的絕緣層上形成第一固定控制電極和固定觸點，在該絕緣 層上形成可動執(zhí)行器使得該可動執(zhí)行器懸于該第 一 固定控制電極和觸 點之上，以及形成在該絕緣層上且懸于該可動執(zhí)行器之上的第二固定控
一固定控制電極與該可動執(zhí)行器之間產(chǎn)生的第 一 驅(qū)動力被拉向與觸,泉 的第 一導(dǎo)電狀態(tài)，并且響應(yīng)于在該第二固定控制電極與該可動執(zhí)行器之 間產(chǎn)生的第二驅(qū)動力被拉向第二非導(dǎo)通狀態(tài)。
在又一實施例中，提供一種MEMS開關(guān)陣列。該MEMS開關(guān)陣列 包括襯底、耦合到該襯底并具有頂側(cè)和底側(cè)的第一可動執(zhí)行器、以及耦 合到該襯底并具有頂側(cè)和底側(cè)的第二可動執(zhí)行器。該MEMS陣列還包 括第 一 固定控制電極和第二固定控制電極，該第 一 固定控制電極耦合到 該襯底并且定位在該第一和第二可動執(zhí)行器的底側(cè)上以產(chǎn)生第一驅(qū)動 力來將可動執(zhí)行器拉向?qū)щ姞顟B(tài)，該第二固定控制電極耦合到該襯底并 且定位在該第一和第二可動執(zhí)行器的頂側(cè)上以產(chǎn)生第二驅(qū)動力來將可 動執(zhí)行器拉向非導(dǎo)通狀態(tài)。


在參考附圖閱讀下面的詳細說明時本發(fā)明的這些及其它特征、方面 和優(yōu)點將變得更好理解，在全部附圖中類同的符號代表類同的部分，其中
開關(guān)；
圖2是示出具有改進的關(guān)態(tài)電壓(standoff voltage )控制的MEMS
開關(guān)的 一 個實施例的示意圖3是示出圖2的MEMS開關(guān)20的頂視圖的示意圖4和圖5是分別示出根據(jù)本發(fā)明的替代實施例的MEMS開關(guān)30
的側(cè)視圖和頂視圖的示意圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實施例的MEMS開關(guān)40的示意圖； 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明再一實施例的MEMS開關(guān)50的示意圖； 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的MEMS開關(guān)60的示意圖；以
制的MEMS開關(guān)70的示例性制造工藝。
具體實施例方式
在下面的詳細描述中，陳述了許多具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明的 各種實施例的透徹理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解可以在沒有這些 具體細節(jié)的情況下實踐本發(fā)明實施例，本發(fā)明不限于所描述的實施例， 并且可以以各種替代實施例來實踐本發(fā)明。在其它例子中，沒有詳細描 述眾所周知的方法、程序和組件。
此外，各種操作可以被描述為多個分立的步驟，其以有助于理解本 發(fā)明實施例的方式來實現(xiàn)。然而，說明的順序不應(yīng)該;波解釋為暗示這些 操作需要以它們被呈現(xiàn)的順序來執(zhí)行，它們甚至不是順序相關(guān)的。此外， 短語"在一個實施例中"的重復(fù)使用不一定指代相同的實施例，雖然它 可能是。最后，術(shù)語"包含，，、"包括，，、"具有，，等等以及如在本申 請中所使用的它們的屈折變化形式，意圖為同義的除非另外指出。
圖2是示出具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)的一個實施例 的示意圖。雖然術(shù)語"MEMS" —般指的是微米尺度的結(jié)構(gòu)，但是在本 文檔全文中所描述的本發(fā)明的實施例不應(yīng)該局限于亞微米尺度的器件 除非另外指出。在所示實施例中，MEMS開關(guān)20包括可動執(zhí)行器22，
其機械地耦合到襯底28。在一個實施例中，可動執(zhí)行器22是完全或者部分導(dǎo)電的。襯底28可以是導(dǎo)電的、半導(dǎo)電的或者絕緣的。在襯底28 導(dǎo)電的實施例中，襯底可以涂覆有絕緣或電隔離層(未示出)以避免開 關(guān)觸點/電極和可動執(zhí)行器之間和之中的不希望有的短路。導(dǎo)電襯底的非 限制性實例包括由硅和鍺形成的那些襯底，而電隔離層的非限制性實例 包括氮化硅、氧化^5圭和氧化鋁。
MEMS開關(guān)20還包括第一電極24 (也稱為柵或控制電極)和觸點 26。在一個實施例中， 一旦在第一電極24與可動執(zhí)行器22之間施加電 壓差，就可以在這兩個組件之間產(chǎn)生靜電力。因此， 一旦驅(qū)動，可動執(zhí) 行器22就被吸引向第一電極24并且最終與觸點26電接觸。然而，如 先前所述，在高電壓應(yīng)用中，常規(guī)MEMS開關(guān)傾向于甚至在沒有信號 施加到第一電極24時自驅(qū)動。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供第二電極 (也稱為反電極)27以產(chǎn)生與自驅(qū)動力相反的第二驅(qū)動力使得可動執(zhí)行 器被拉向遠離觸點26的非導(dǎo)通狀態(tài)。
在 一個實施例中，第二電極27耦合到與可動執(zhí)行器22相同的襯底 28并且被定位(例如，在與襯底28平行和相對的側(cè)部上)在可動執(zhí)行 器22上方且至少部分在觸點26上方。通過將反電極27制造在與可動 執(zhí)行器22相同的襯底上，可動執(zhí)行器22與反電極27之間的電極間距 的變化可以經(jīng)過受到嚴(yán)密控制的光刻工藝而被消除。
可以將存在于襯底觸點26與可動執(zhí)行器22之間的靜電力近似計算 為如公式(1)所示出的在電容器極板之間的力，其中極板面積為兩個 電極的重疊的公共面積 一 "
F靜電=6"o .」.7
F靜電^靜電吸引力，牛頓
s。 =8.85.10-12法拉沐 公式(l) 爿=重疊面積，平方米 r二間隙兩端的電壓，伏 g二接觸間隙，米
因此，隨著觸點26與可動執(zhí)行器22之間的間隙兩端的電壓差增大， 或者隨著重疊面積(al )增大，或者隨著間隙(dl )減小，由此引起的 靜電力將變得更大。類似地，隨著電極27與可動執(zhí)行器22之間的間隙 兩端的電壓差增大，或者隨著重疊面積(a2)增大，或者隨著間隙(d2) 減小，由此引起的靜電力將變得更大。因此，可以基于所期望的關(guān)態(tài)電
7壓來設(shè)計反電極27。在一個實施例中，距離d2大于距離dl。在一個實 施例中，a2大于al。
在 一 個實施例中，第 一 電極2 4與可動執(zhí)行器2 2之間的電壓水平和 可動執(zhí)行器22與反電極27之間的電壓水平是分開控制的。在一個實施 例中，當(dāng)期望將開關(guān)維持在非導(dǎo)電(例如，打開)狀態(tài)時，可以將在第 一電極24與可動執(zhí)行器22之間施加的電壓設(shè)置為零或者另一個相對低 的值，而可以將在反電極27與可動執(zhí)行器22之間施加的電壓設(shè)置為相 對較高的值。當(dāng)期望將開關(guān)維持在導(dǎo)通(例如，閉合)狀態(tài)時，可以將 第 一 電極2 4與可動執(zhí)行器2 2之間施加的電壓設(shè)置為相對高的值，而可 以將反電極27與可動執(zhí)行器22之間施加的電壓設(shè)置為零或者相對較低 的值。
在另一個實施例中，反電極27可以電耦合到觸點26，使得在觸點
行器22與反電極27之間。通過適當(dāng)?shù)剡x擇反電極27的尺寸以及介于 反電極27與可動執(zhí)行器22之間的間距，能夠用可動執(zhí)行器22與反電 極27之間產(chǎn)生的相反的驅(qū)動力來平衡在觸點26與可動執(zhí)行器22之間 產(chǎn)生的自驅(qū)動力。
如在本文所使用的，術(shù)語"在……上方，，意圖指代比參考物體更加 遠離襯底28的位置，而術(shù)語"在……下方，，意圖指代比參考物體更加 接近襯底28的位置。例如，如果一個物體在可動執(zhí)行器22的"上方"， 那么該物體比參考的可動執(zhí)行器22更加遠離襯底28。在一個實施例中， MEMS開關(guān)20可以包括隔離物(未示出)，其定位在可動執(zhí)行器22的 上方以防止可動執(zhí)行器與反電極27相接觸。在一個實施例中，可以將 該隔離物制作為反電極27的一部分或者作為單獨的組件。隔離物可以 由具有絕緣、高阻抗或介電特性的材料形成。此外，隔離物可以表現(xiàn)為 剛性或半剛性立柱或支柱的形式，或者隔離物可以淀積在反電極上作為 涂層。而且，可以將隔離物制作在反電極27的下側(cè)上(例如，在與襯 底28相同側(cè)部上)或者在可動執(zhí)行器22的頂側(cè)上(例如，在更加遠離 襯底28的側(cè)部上)。在一個實施例中，當(dāng)處于非導(dǎo)通狀態(tài)時，可以將 可動執(zhí)行器22定位成與反電極27物理接觸而同時保持與反電極27電 隔離。在另一個實施例中，當(dāng)處于非導(dǎo)通狀態(tài)時，可動執(zhí)行器22可以 被吸引向反電極27,但是保持與反電極27機械隔離和電隔離。在這樣一種非導(dǎo)通狀態(tài)中，可動執(zhí)行器22可以保持在固定位置。
圖3是示出圖2的MEMS開關(guān)20的頂視圖的示意圖。從圖3能夠 看出，反電極27被布置為與可動執(zhí)行器22平行。如先前所提到的，反 電極27與可動執(zhí)行器22之間的重疊面積可以基于這兩個組件之間所期 望的靜電力來設(shè)計。例如，如圖3所示，反電極27的寬度(w2)可以 被設(shè)計為大于或者小于可動執(zhí)行器22的寬度(wl)。
圖4和圖5是分別示出根據(jù)本發(fā)明替代實施例的MEMS開關(guān)30的 側(cè)-現(xiàn)圖和頂^L圖的示意圖。MEMS開關(guān)30與圖2和圖3的MEMS開關(guān) 20基本類似。特別是，提供反電極37，其被耦合到與可動執(zhí)行器22相 同的襯底28。然而，在圖4和圖5所示實施例中，反電極37^f皮定位在 可動執(zhí)行器32的上方，基本上與觸點26相對，與可動執(zhí)行器32成正 交的關(guān)系。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實施例的MEMS開關(guān)40的示意圖。如 所示出的，MEMS開關(guān)40與MEMS開關(guān)30基本類似并且包括可動執(zhí) 行器32、電極24和觸點26,所有這些都耦合到襯底28。然而，在圖6 中，反電才及47在至少兩個位置41a、 41b處耦合到襯底28。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明再一實施例的MEMS開關(guān)50的示意圖。 MEMS開關(guān)50與MEMS開關(guān)30基本類似，然而MEMS開關(guān)50包括反 電極57，該反電極57與至少兩個可動執(zhí)行器32重疊?？蓜訄?zhí)行器32 可能是電隔離的或者是以串聯(lián)、或者并聯(lián)、或者串聯(lián)-并聯(lián)布置的方式 而耦合的。在所示實施例中，將可動執(zhí)行器32圖示為共用一個公共負 載觸點56和公共柵驅(qū)動器(例如，電極54)。然而，可動執(zhí)行器32可 以替代地被分開驅(qū)動并且可動執(zhí)行器32可以電耦合單獨的負載電路。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明還一實施例的MEMS開關(guān)60的示意圖。如 所示出的，MEMS開關(guān)60與MEMS開關(guān)40基本類似，因為反電極67 在至少兩個位置61a、 61b處耦合到襯底28。然而此外，圖8的反電極 67與至少兩個可動執(zhí)行器32重疊。如同圖7的MEMS開關(guān)50 —樣， 可動執(zhí)行器32可能是電隔離的或者以串聯(lián)、或者并聯(lián)、或者串聯(lián)-并 聯(lián)布置的方式而耦合的。在所示實施例中，將可動執(zhí)行器32圖示為共 用一個公共負載觸點56和公共柵驅(qū)動器(例如，電極54)。然而，可
的負載電路。
9制的MEMS開關(guān)70的示例制造工藝。雖然MEMS開關(guān)70看起來與圖 2和圖3的MEMS開關(guān)20在形式上類似，但是以下制造工藝可以適用 于制造任何先前所描述的具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)。此 外，雖然在這里描述了一種示例制造工藝，但是預(yù)期在不脫離本發(fā)明的 宗旨和范圍的情況下可以執(zhí)行該工藝的變體。
在圖9中，提供了襯底28。在一個實施例中，襯底包括硅。在圖 10中，可以使用化學(xué)氣相淀積或熱氧化方法將電隔離層101淀積在襯底 28上。在一個實施例中，電隔離層101包括Si3N4。在圖11中，在電隔 離層101上淀積導(dǎo)電電極并形成該導(dǎo)電電極的圖形。更具體地，形成觸 點26、控制電極24和錨定觸點122。在一個實施例中，觸點26、控制 電極24和錨定觸點122包括諸如金的導(dǎo)電材料并且可以由同一個掩模 形成。應(yīng)當(dāng)注意，可以將錨定觸點122形成為可動執(zhí)行器的一部分(將 要描述的)，然而通過添加錨定觸點122能夠簡化制造。在圖12中， 將絕緣層103淀積在控制電極24上以便避免可動執(zhí)行器與控制電極24 之間的短路。在一個實施例中，絕緣層103可以由SiN4形成，然而可以 使用其它絕緣或者高阻抗涂層。在另一個實施例中，絕緣層可以在可動 電極的下側(cè)上形成?？商娲兀梢栽诳刂齐姌O24與觸點26之間制造 機械立柱以防止可動執(zhí)行器與控制電極24相接觸。在這樣一種情況中， 可以不需要絕緣層103。
圖13和圖14示出了兩個處理步驟，該步驟可以完全^f皮省略，這取 決于對MEMS開關(guān)70期望哪些特征。更具體地，圖13示出了額外的導(dǎo) 電材料淀積在觸點26上以使該觸點更高。這可能有助于減少可動執(zhí)行 器需要行進的距離以及進一步防止可動執(zhí)行器與控制電極24相接觸。 然而，應(yīng)該注意，觸點26與可動電極越接近，由此在這兩個組件之間 引起的靜電力將越大，如公式1所示。在圖14中，額外的觸點材料105 淀積在觸點26上?？梢允褂糜|點材料來增強觸點26與可動執(zhí)行器之間 的導(dǎo)電而同時延長開關(guān)的壽命。
在圖15中，犧牲層107淀積在觸點26、控制電極24和錨定觸點 122之上。在一個實施例中，犧牲層107可以是Si02。圖16示出了可選 的拋光步驟，其中犧牲層由例如化學(xué)-機械拋光來拋光。在圖17中， 犧牲層107被刻蝕以暴露錨定觸點122。如果希望在可動執(zhí)行器上添加觸點材料層，可以形成額外的觸點109的圖形，如圖18所示。
圖19-23示出了可動執(zhí)行器132的形成。在一個實施例中，可動 執(zhí)行器132通過電鍍工藝而形成。在圖19中提供了用于電鍍工藝的種 子層1U。在圖20中形成模子113的圖形用于電鍍可動執(zhí)行器132,其 在圖21中示出。在圖22和圖23中，去除電鍍模子113和種子層111。 一旦已經(jīng)形成可動執(zhí)行器132，就可以形成如本文所述的反電極 137。作為反電極工藝的一部分，第二犧牲層115可以纟皮淀積并且被可 選地拋光，如圖24所示。在一個實施例中，第二犧牲層可以包括Si02。 在圖25中，在所示出的將要形成反電極137的位置處刻蝕犧牲層115 和犧牲層107兩者。如圖26和圖27所示，然后分別形成電鍍種子層117 和電鍍模子119。在圖28中，電鍍反電極137。在一個實施例中，反電 極137由諸如金的導(dǎo)電材料形成。在圖29和圖30中，去除電鍍模子119 和種子層117,并且在圖30中去除犧牲層115以釋放反電極。
雖然在本文僅示出和描述了本發(fā)明的某些特征，但是本領(lǐng)域技術(shù)人 員將想到許多修改和改變。因此，應(yīng)當(dāng)理解，所附的權(quán)利要求意在覆蓋 所有這樣的屬于本發(fā)明的真正主旨內(nèi)的修改和改變。附圖標(biāo)記
元件列表
10 現(xiàn)有技術(shù)MEMS開關(guān)
12 可動執(zhí)行器
14 控制電極
16 觸點
18 襯底
20 具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)
22 可動執(zhí)行器
24 控制電極
26 觸點
27 反電極
28 襯底
30 具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)
32 可動執(zhí)行器
37 反電極
40 具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān) 41a反電極耦合點 41b反電極耦合點
47 反電極
50 具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)
54 共用的電招^
56 共用的觸點
57 反電極
60 具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān) 61a反電極耦合點 61b反電極耦合點
67 反電極
70 具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)
101 電隔離層 103絕緣層 105觸點材料107犧牲層
109可動執(zhí)行器觸點
111種子層
113電鍍模子 115第二犧牲層 122錨定觸點。
權(quán)利要求
1. 一種MEMS開關(guān)(20，30，40)，包括襯底(28)；可動執(zhí)行器(22，32，132)，其耦合到所述襯底(28)并且具有第一側(cè)部和第二側(cè)部；第一固定電極(24，54)，其耦合到所述襯底(28)并且定位在所述可動執(zhí)行器(22，32，132)的第一側(cè)部上以產(chǎn)生第一驅(qū)動力來將所述可動執(zhí)行器(22，32，132)拉向?qū)щ姞顟B(tài)；以及第二固定電極(27，37，47)，其耦合到所述襯底(28)并且定位在所述可動執(zhí)行器(22，32，132)的第二側(cè)部上以產(chǎn)生第二驅(qū)動力來將所述可動執(zhí)行器(22，32，132)拉向非導(dǎo)通狀態(tài)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，其中所述第二固定電極(27, 37， 47)定位在所述第一固定電極(24, 54)的上方。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS開關(guān)，其中所述第二固定電極(47 ) 在至少兩個位置(41a, 41b)處耦合到所述襯底。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，其中在非導(dǎo)電狀態(tài)下所述 可動執(zhí)行器(22, 32, 132 )是固定的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，還包括隔離物，其定位在 所述可動執(zhí)行器(22, 32, 132 )的上方以防止所述可動執(zhí)行器與所迷 第二固定控制電極(27, 37, 47)相接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，還包括固定觸點(26), 其機械地耦合到所述襯底(28)并且電耦合到負載電路。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS開關(guān)，其中所述固定觸點(26) 和所述第二固定電極(27， 37, 47, 57, 67)是電耦合的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS開關(guān)，還包括隔離物，其定位在 所述可動執(zhí)行器(22, 32， 132)的上方以防止所述可動執(zhí)行器(22, 32， 132)與所述第二固定電極(27, 37， 47)相接觸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS開關(guān)，其中所述可動執(zhí)行器(22, 32， 132)是導(dǎo)電的。
10. —種MEMS開關(guān)陣列(50, 60 )，包括 襯底(28 );第一可動執(zhí)行器(32a),其耦合到所述襯底(28)并且具有頂側(cè)和底側(cè)；第二可動執(zhí)行器(32b),其耦合到所述襯底(28)并且具有頂側(cè) 和底側(cè)；第一固定控制電極(56)，其耦合到所述襯底(28)并且定位在所 述第一和第二可動執(zhí)行器(32a, 32b)的底側(cè)上以產(chǎn)生第一驅(qū)動力來將 所述可動執(zhí)行器(32a, 32b)拉向?qū)щ姞顟B(tài)；以及第二固定控制電極(57， 67),其耦合到所述襯底(28)并且定位 在所述第一和第二可動執(zhí)行器(32a， 32b)的頂側(cè)上以產(chǎn)生第二驅(qū)動力 來將所述可動執(zhí)行器(32a， 32b)拉向非導(dǎo)通狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有改進的關(guān)態(tài)電壓控制的MEMS開關(guān)。提供了一種MEMS開關(guān)(20，30，40)，其包括襯底(28)、耦合到該襯底(28)并且具有第一側(cè)部和第二側(cè)部的可動執(zhí)行器(22，32，132)、第一固定電極(24)和第二固定電極(27，37，47)，該第一固定電極(24)耦合到該襯底(28)并且定位在該可動執(zhí)行器(22，32，132)的第一側(cè)部上以產(chǎn)生第一驅(qū)動力來將該可動執(zhí)行器(22，32，132)拉向?qū)щ姞顟B(tài)，該第二固定電極(27，37，47)耦合到該襯底(28)并且定位在該可動執(zhí)行器(22，32，132)的第二側(cè)部上以產(chǎn)生第二驅(qū)動力來將該可動執(zhí)行器(22，32，132)拉向非導(dǎo)通狀態(tài)。
文檔編號H01H59/00GK101465242SQ200810185380
公開日2009年6月24日 申請日期2008年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者C·F·凱梅爾, K·蘇布拉馬尼安, M·F·艾米, W·J·普雷默拉尼, 王雪峰 申請人:通用電氣公司