專利名稱：半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種設(shè)置了虛設(shè)金屬布線的半導(dǎo)體裝置及其設(shè)計(jì)方法。
背景技術(shù)：
伴隨著高集成化半導(dǎo)體裝置(LSI)的微細(xì)化和高集成化的發(fā)展，越 來越需要形成微細(xì)且復(fù)雜的圖案。在這一狀況下，為了形成與掩模設(shè)計(jì)完 全一樣的圖案，工藝條件受到的制約就越來越多。例如，在形成布線圖案 的時(shí)候，多晶硅膜、鋁膜、金屬硅化物層等導(dǎo)電性膜之后，再利用光刻法 形成所希望的掩模圖案、進(jìn)行蝕刻，以形成布線圖案。
在布線圖案的蝕刻工序中，導(dǎo)電性膜中不被掩模覆蓋露出的部分被選 擇性地除去。但即使將蝕刻工序的各個(gè)條件最佳化，蝕刻速度也會(huì)由于形 成掩模的區(qū)域相對(duì)整個(gè)襯底面的密度(面積率)的不同而出現(xiàn)偏差。因此 會(huì)出現(xiàn)無論掩模形成區(qū)域的密度過高還是過低，蝕刻精度都下降的不良現(xiàn) 象。
在形成擴(kuò)散層時(shí)也發(fā)生同樣的不良現(xiàn)象。若為形成擴(kuò)散層的離子注入 區(qū)域很小，離子就會(huì)集中，而得不到所希望的擴(kuò)散分布曲線。有時(shí)會(huì)這樣。
另一方面，為將S4l4面平坦化，有人提出了化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP: Chemical Mechanical Polishing)。在該方法下，在利用涂敷法或者CVD 法等在基板上面形成絕緣膜之后，邊機(jī)械地研磨邊化學(xué)地蝕刻而將表面平 坦化。但是，在是鋁布線的情況下，若下層的布線層的圖案密度很小，存 在圖案的布置面積未達(dá)到規(guī)定面積的區(qū)域，則即使形成很厚的絕緣膜，也 不能利用CMP平坦化，有時(shí)，沒有布線圖案的區(qū)域就一直處于凹陷狀態(tài)。
在此，為了滿足對(duì)每一個(gè)工藝所規(guī)定的布線圖案的密度，有人提出了 將虛設(shè)圖案設(shè)在LSI的空閑區(qū)域的方法。例如，在專利文獻(xiàn)l等中，提出 了以下方法。即讓虛設(shè)圖案形成在充分大的空地上，空地大到不會(huì)由于虛 設(shè)金屬布線的形成而受電容的影響，這是一種方法。還有一種方法就是為 減少布線間電容而布置虛設(shè)圖案。
《專利文獻(xiàn)1》特開平5 - 343546號(hào)公4艮
然而，現(xiàn)在的高集成化LSI中，基本上不存在電容不會(huì)對(duì)既存電路造 成影響的空閑區(qū)域，而且，l又在受電容影響的空閑區(qū)域形成虛設(shè)圖案，也 不可能達(dá)到對(duì)每一個(gè)工藝條件所規(guī)定的布線圖案的面積率。
如此，在產(chǎn)生虛設(shè)圖案之際，在既存電路中也是邊考慮電容，邊產(chǎn)生 虛設(shè)圖案。現(xiàn)狀是為了盡可能地減少布線間電容，很多情況下都要產(chǎn)生點(diǎn) 狀的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)圖案。除了用來達(dá)到對(duì)每一個(gè)工藝條件所規(guī)定的布線圖 案的面積率以外，尚未有其它用途。
在現(xiàn)在的微細(xì)工藝下的LSI設(shè)計(jì)中，會(huì)由于電源電壓的下降而產(chǎn)生微 小的壓降(IR-Drop),電路就不能按希望去工作。這是一個(gè)問題。為了 解決這一問題，有效的做法就是為確保動(dòng)作容限而在空閑區(qū)域增強(qiáng)電源。 而且，為吸收雜音而在電源布線間形成非耦合電容也是一有效的手段。
但是，在現(xiàn)有的面積率調(diào)整過程中，布置在空閑區(qū)域的虛設(shè)圖案是點(diǎn) 狀的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)圖案，是為達(dá)成面積率使用空閑區(qū)域，故布置虛設(shè)圖案 后再增強(qiáng)電源是極其困難的。而且， 一般情況下，電源增強(qiáng)用布線不是邊 考慮著圖案的面積率邊產(chǎn)生的，故即使過度地增強(qiáng)電源之后再去調(diào)節(jié)面積 率，要達(dá)成圖案的面積率也有很多困難，結(jié)果是不得不進(jìn)行大幅度地修改 設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提供一種邊確保圖案的面積率大于等于規(guī)定值， 邊實(shí)施壓降對(duì)策的半導(dǎo)體裝置、及半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法。
本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置，包括電源電壓提供部；多條電源線，與 所述電源電壓提供部連接或者接地，設(shè)在多個(gè)布線層內(nèi)且布置為方格狀； 第一虛設(shè)金屬布線，至少設(shè)在所述多個(gè)布線層的一個(gè)布線層中，在兩個(gè)以
上的地方與所述電源電壓提供部連接或者接地。
這樣一來，通過設(shè)置虛設(shè)金屬，就既能使圖案的面積率大于等于規(guī)定 值，又能增強(qiáng)方格狀電源。例如若將第一虛設(shè)金屬布線連接到電源電壓提
供部，在僅有連接到VDD上的電源線導(dǎo)致大幅度壓降的情況下等就纟N"效。
還包括還包括第二虛設(shè)金屬布線，該第二虛設(shè)金屬布線至少設(shè)在所述 多個(gè)布線層的一個(gè)布線層中，在兩個(gè)以上的地方連接在極性與所述第一虛 設(shè)金屬布線相反的電源上。這樣做，就能在設(shè)有第一虛設(shè)金屬布線的布線 層和設(shè)有第二虛設(shè)金屬布線的布線層之間形成布線間電容。
所述第一虛設(shè)金屬布線和所述第二虛設(shè)金屬布線設(shè)在不同的布線層 中。這樣做，就能防止由于布線短^各導(dǎo)致合格率下降。
還包括電氣《瓜立的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線，該浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線 被設(shè)在沒有形成所述第一虛設(shè)金屬布線和所述電源線的布線層內(nèi)。這樣 做，在信號(hào)布線等很擁擠的布線層就能設(shè)置浮置節(jié)點(diǎn)金屬布線，達(dá)到規(guī)定 的面積率，而且能夠增強(qiáng)方格狀電源。
還包括第三虛設(shè)金屬布線，該第三虛設(shè)金屬布線至少設(shè)在所述多個(gè)布 線層的一個(gè)布線層中，在兩個(gè)以上的地方連接在極性與所述第一虛設(shè)金屬
布線相反的電源上；形成有所述第一虛設(shè)金屬布線的布線層和形成有所述 第三虛設(shè)金屬布線的布線層交替疊層。這樣做，就能對(duì)方格狀電源采取充 分的壓降對(duì)策，且在設(shè)在上下相鄰的布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬布線之間形成布 線間電容。
本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置，包括多個(gè)布線層；電源電壓提供部；以 及多條電源線，與所述電源電壓提供部連接或者接地。布置為方格狀；當(dāng) 設(shè)所述電源線中連接在所述電源電壓提供部的電源線為第 一 電源線，設(shè)接 地的電源線為第二電源線時(shí)，在一個(gè)布線層內(nèi)設(shè)置了多組由所述第一電源 線和所述第二電源線構(gòu)成的組，將兩條所述第一電源線和兩條所述第二電 源線相鄰配置；在相鄰的所述第 一 電源線之間設(shè)置了連接在所述電源電壓 提供部的第 一虛設(shè)金屬布線；在相鄰的所述第二電源線之間設(shè)置了接地的 第二虛設(shè)金屬布線
這樣一來，便能對(duì)方格狀電源采取壓降對(duì)策。而且，即使虛設(shè)金屬布
線和夾著該虛設(shè)金屬布線的電源線接觸，異電源間也不會(huì)發(fā)生短路。故能 夠防止合格率下降。
本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置，包括多個(gè)布線層；電源電壓提供部；
設(shè)在中央部的能動(dòng)元件；輸入/輸出單元，用以發(fā)送和接收來自外部 的信號(hào)及來自所述能動(dòng)元件的信號(hào)；多條電源線，與所述電源電壓提供部 連接或者接地。布置為方格狀。設(shè)置在布置在所述中央部周圍的外圍區(qū)域； 虛設(shè)金屬布線，設(shè)在所述外圍區(qū)域，在兩個(gè)以上的地方與所迷電源電壓提 供部連接或者接地；以及電氣《瓜立的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線，設(shè)置在所述 外圍區(qū)域以外的區(qū)域。
這樣做，便充分地增強(qiáng)了電源取出部分的方格狀電源，故能夠抑制在 中央部產(chǎn)生的壓降。而且，因?yàn)樵O(shè)置了設(shè)計(jì)自由度很高的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金 屬布線，故很容易實(shí)現(xiàn)規(guī)定的面積率。
所述第一虛i殳金屬布線還"i殳在沒有形成所述電源線的布線層內(nèi)。這才羊 做，在搭載有半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片的外周作為死空間殘留下來的情況 下，也能更有效地對(duì)中央部采取壓降對(duì)策。
本發(fā)明的第四半導(dǎo)體裝置，包括
多個(gè)布線層；
電源電壓提供部；
1個(gè)或者多個(gè)虛i殳金屬柱，穿過所述多個(gè)布線層。與所述電源電壓才是 供部連接或者接地；以及虛設(shè)金屬布線，與所述虛設(shè)金屬柱的一個(gè)連接， 形成在一個(gè)布線中，而不會(huì)越過另一布線層。
這樣一來，在加工布線層修正電路的情況下，將虛設(shè)金屬布線切斷， 就很容易修正。
所述虛設(shè)金屬柱，包括連接在所述電源電壓提供部的第 一虛設(shè)金屬柱 和接地的第二虛設(shè)金屬柱；設(shè)有連接在所述第一虛設(shè)金屬柱的所述虛設(shè)金 屬布線的布線層與設(shè)有連接在所述第二虛設(shè)金屬柱的所述虛設(shè)金屬布線 的布線層交替疊層。
這樣做，就能在連接在所述第一虛設(shè)金屬柱和第二虛設(shè)金屬柱的虛設(shè) 金屬布線之間形成布線間電容。
本發(fā)明的第五半導(dǎo)體裝置，包括多個(gè)布線層；信號(hào)布線；以及電氣 孤立的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線，設(shè)置在形成有所述信號(hào)布線的布線層的上
層或者下層；俯視時(shí)，所述浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線和所述信號(hào)布線不重疊。
這樣做，在裝置的微細(xì)化的進(jìn)一步發(fā)展，層間絕緣膜厚變薄的情況下， 也能防止在信號(hào)布線和浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線之間產(chǎn)生布線間電容。因 此，能夠抑制發(fā)生信號(hào)延遲。
所述浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線中與所述信號(hào)布線交差的交差部分被除 去。這樣做，就能除去信號(hào)布線和浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線之間的重復(fù)部分。
本發(fā)明的第六半導(dǎo)體裝置，包括信號(hào)布線和與所述信號(hào)布線形成在 同一層布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬布線。形成有口朝著所述信號(hào)布線開的3瓜立接 觸孔和與所述孤立接觸孔形成在同一層內(nèi)、口朝著所述虛設(shè)金屬布線開的 接觸孔。這樣做，能夠抑制發(fā)生接觸孔不良，防止合格率下降。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法，利用具有輸入部、壓降解析部、電 源路徑探索部、虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生部以及輸出部的電腦進(jìn)行。包括步驟 a,將所述半導(dǎo)體裝置的虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù)據(jù)輸入到所述輸 入部；步驟b,所述壓降解析部，對(duì)所述虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù) 據(jù)加以解析，確定出所述半導(dǎo)體裝置中電源供給不足的地方；步驟c，所
述電源路徑探索部，探索用虛設(shè)金屬布線對(duì)所述半導(dǎo)體裝置中電源供給不 足的地方增強(qiáng)電源的電源路徑和極性；以及步驟d，所述虛設(shè)單元產(chǎn)生部， 根據(jù)在所述步驟c中所決定的路徑和極性產(chǎn)生所述虛設(shè)金屬布線的平面布置。
根據(jù)該方法，就能夠在電源供給不充分的地方形成連接在電源電壓提 供部或者接地的虛設(shè)金屬布線，故能夠更有效地采取壓降對(duì)策。
本發(fā)明的第七半導(dǎo)體裝置，包括第一信號(hào)線，形成在第一布線層； 第二信號(hào)線，形成在第二布線層；第一接觸塊，形成在所述第一布線層和 所述第二布線層之間，將所述第一信號(hào)線與所述第二信號(hào)線連接；和第二 接觸塊，形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間；所述第二接觸塊 在電氣上與所述第 一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線孤立。
本發(fā)明的第八半導(dǎo)體裝置，包括第一信號(hào)線，形成在第一布線層； 第二信號(hào)線，形成在第二布線層；第一接觸塊，形成在所述第一布線層和 所述第二布線層之間，將所述第一信號(hào)線與所述第二信號(hào)線連接；和第二
接觸塊，形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間；所述第二接觸塊
在電氣上與所述第一信號(hào)線連接，而與所述第二信號(hào)線孤立。 -發(fā)明的效果-
如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括連接在電源電壓提供部或者 接地的虛設(shè)金屬布線。故既能增強(qiáng)電源線，又能使圖案的面積率大于等于 規(guī)定值。因此，能夠利用蝕刻、CMP進(jìn)行加工，不發(fā)生不良現(xiàn)象。


圖1是一顯示本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖2是一顯示本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖3是一顯示本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖4是一顯示本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法
的流程圖。
圖5是一顯示用以進(jìn)行第五個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法 的電腦的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖6是一顯示本發(fā)明的第六個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖7是一顯示本發(fā)明的第八個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖8是一顯示本發(fā)明的第九個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖9是一顯示本發(fā)明的第十個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖IO是顯示本發(fā)明的第十一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參考附圖，詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例。 (第一個(gè)實(shí)施例)
圖1是一顯示本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如該 圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置是LSI。該半導(dǎo)體裝置包括連接在電源 電壓提供部(VDD)、設(shè)在第一布線層內(nèi)的布線層上層虛設(shè)金屬布線101; 接地(VSS)、設(shè)在第二布線層內(nèi)的布線層下層虛設(shè)金屬布線102。在該 例中，在第二布線層上或者上方設(shè)置了第一布線層，在布線層上層虛設(shè)金 屬布線101和布線層下層虛設(shè)金屬布線102中俯視時(shí)相互重合的部分之間
形成布線間電容103。在第一布線層在第二布線層正上方的情況下，布線
間電容103最大。但也可在第一布線層和第二布線層之間設(shè)1到2層的布 線層，或者兩層以上的布線層。該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置具有在兩層或者兩 層以上的布線層內(nèi)布置為方格狀的電源線。
布錢層上層虛設(shè)金屬布線101有兩個(gè)或者兩個(gè)以上的地方連接在所述 電源電壓提供部；布線層下層虛設(shè)金屬布線102有兩個(gè)或者兩個(gè)以上的地 方接地。這里，若為了謀求電源供給的穩(wěn)定化僅在一個(gè)地方連接，則電源 路徑確立不起來，也就難以謀求穩(wěn)定化。因此，通過在兩個(gè)或者兩個(gè)以上 的地方連接在電源電壓供給部或者接地，靠一個(gè)地方的連接謀求不到穩(wěn)定 化的那一部分的電源路徑確立了起來，從而能夠謀求電源的穩(wěn)定化。
該虛設(shè)金屬布線由鋁、銅、多晶硅等導(dǎo)電體構(gòu)成。
在上述結(jié)構(gòu)下，能夠形成虛設(shè)金屬布線使圖案的面積率大于等于規(guī)定 值，且能夠增強(qiáng)LSI的方格狀電源線。而且，能夠在第一布線層和第二布 線層的臨界面形成布線間電容。這樣一來，無需將電容單元等插在電源電 壓布線和接地布線之間，即能讓電源穩(wěn)定化。而且，通過由布錢層來區(qū)分 虛設(shè)金屬布線的極性，就能防止在同一個(gè)布線層內(nèi)發(fā)生布線短路，從而能 夠防止合格率下降。
補(bǔ)充說明一下，在圖l所示的例子中，讓上層布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬布 線連接到電源電壓提供部，讓下層布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬布線接地。除此以 外，讓上層布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬布線接地，讓下層布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬布 線連接到電源電壓提供部，也能收到同樣的效果。
補(bǔ)充說明一下，在該實(shí)施例中，以具有連接在電源電壓提供部的布線 層上層虛設(shè)金屬布線101和接地的布線層下層虛設(shè)金屬布線102的情況為 例進(jìn)行了說明。在僅有連接在電源電壓提供部的電源線大幅度地產(chǎn)生壓降 的情況等下，僅設(shè)置連接在電源電壓提供部的虛設(shè)金屬布線，對(duì)電源的穩(wěn) 定化也很有效。
另外，也可以將布線層上層虛設(shè)金屬布線101和布線層下層虛設(shè)金屬 布線102布置在同一個(gè)布線層內(nèi)。 (第二個(gè)實(shí)施例)
圖2是顯示本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如該圖
所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置是LSI。該半導(dǎo)體裝置包括有兩個(gè)或者兩 個(gè)以上的地方連接在電源電壓提供部(VDD)或者接地、設(shè)在第一布線層 內(nèi)的布線層上層虛設(shè)金屬布線201;和從電源電壓提供部或者接地孤立出 來、設(shè)在第二布線層內(nèi)的布線層下層浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線202。在形成 上述布線層上層虛設(shè)金屬布線201之際，將它連接在電源電壓提供部和接 地中任一個(gè)較容易連接的地方。而且，浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線設(shè)在未形成 方格狀電源線的布線層中。其它構(gòu)成和第一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置 一樣。
在該結(jié)構(gòu)下，通過設(shè)置布線層上層虛設(shè)金屬布線201，方格狀電源即 被增強(qiáng)。
另一方面，對(duì)布線層下層而言，有可能產(chǎn)生以下弊端。因?yàn)樾盘?hào)布線 很擁擠，即使為增強(qiáng)方格狀電源，要形成連接在電源電壓提供部或者接地 的虛設(shè)金屬布線，也確保不了充分的連接地方，從而達(dá)不到圖案的面積率。 相對(duì)于此，在該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，因?yàn)樾纬闪烁≈霉?jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布 線這樣的不屬于任何極性的虛設(shè)金屬布線，故能夠達(dá)到所希望的面積率。 因此，與第一個(gè)實(shí)施例相比，能夠更有效地施行壓降對(duì)策、達(dá)到面積率。 (第三個(gè)實(shí)施例)
圖3是一個(gè)顯示本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如 該圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置是LSI。該半導(dǎo)體裝置包括連接在電 源電壓提供部(VDD),設(shè)在第一布線層內(nèi)的第一布線層上層虛設(shè)金屬布 線301;接地(VSS)，設(shè)在與第一布線層上層虛設(shè)金屬布線301不同的 布線層內(nèi)(例如第二布線層)的第二布線層上層虛設(shè)金屬布線302;以及 從電源電壓提供部或者接地孤立出來、設(shè)在第二布線層內(nèi)的布線層下層浮 置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線303。在該例中，第一布線層設(shè)在第二布線層上。而 且，在第一布線層上層虛設(shè)金屬布線301和第二布線層下層虛設(shè)金屬布線 302中相互接近的部分之間產(chǎn)生布線間電容304。
在形成虛設(shè)金屬布線時(shí)，讓第一布線層上層虛設(shè)金屬布線301形成為
二布線層上層虛設(shè)金屬布線302形成為在兩個(gè)或者兩個(gè)以上的地方接地的 虛設(shè)金屬布線。這樣一來，在所述虛設(shè)金屬布線之間就產(chǎn)生布線間電容
304。
另一方面，在第一布線層的下層形成布線層下層浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布 線303。
在第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，采用的是讓上層即第一布線層的虛 設(shè)金屬布線連接到電源電壓提供部或者連接到接地二者中較容易連接的 那一方的方法。在該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，通過設(shè)置連接到極性互逆的 電源上的第一布線層上層虛設(shè)金屬布線301和第二布線層上層虛設(shè)金屬布 線302,就構(gòu)成了能夠?qū)Ψ礁駹铍娫词┬谐浞值膲航祵?duì)策、且在上層布線 層間形成很大的布線間電容這樣的結(jié)構(gòu)。
對(duì)于下層即第二布線層而言，通過和第二個(gè)實(shí)施例一樣形成電氣上浮 置的虛設(shè)金屬布線，即能充分地滿足面積率的條件。
在以上結(jié)構(gòu)下，所實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體裝置就是這樣的，與第二個(gè)實(shí)施例的
半導(dǎo)體裝置相比，能執(zhí)行更有效的壓降對(duì)策且更容易達(dá)成面積率。 (第四個(gè)實(shí)施例)
圖4是一顯示本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法 的流程圖；圖5是一顯示用以進(jìn)行該實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方 法的電腦的結(jié)構(gòu)的方框圖。
如圖4所示，在該實(shí)施例的設(shè)計(jì)方法中，依次進(jìn)行利用電腦404的壓 降解析步驟401 、電源路徑探索步驟402以及虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生步驟403。 而且，如圖5所示，電腦404包括輸入虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù) 據(jù)501的輸入部、壓降解析部502、電源路徑探索部503、虛設(shè)金屬布線 產(chǎn)生部504、以及用以輸出虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生后平面布置數(shù)據(jù)505的輸出 部。
下面，對(duì)該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。
首先，將形成虛設(shè)金屬布線之前的半導(dǎo)體裝置的平面布置數(shù)據(jù)(虛設(shè) 金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù)據(jù)501)輸入到輸入部。
接著，壓降解析部502對(duì)虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù)據(jù)501加以 解析，確定出電源供給不夠的地方(壓P爭(zhēng)解析步驟401)。
接著，電源路徑探索部503,探索為了用虛設(shè)金屬布線對(duì)電源供給不 足的地方進(jìn)行最佳的電源增強(qiáng)的電源路徑和極性。最后，虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生部504，基于在電源路徑探索中所決定的徑
路和極性，在布線層上層(第一布線層)產(chǎn)生連接在電源電壓提供部或者 接地的虛設(shè)金屬布線的平面布置。從輸出部輸出這里所得到的虛設(shè)金屬布 線產(chǎn)生后平面布置數(shù)據(jù)。
對(duì)布線層下層(第二布線層)而言，在上述步驟結(jié)束后，適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生
浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線。
在第三個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，通過在布線層上層形成虛設(shè) 金屬布線而執(zhí)行了壓降對(duì)策，但是沒有考慮到方格狀電源的哪一個(gè)地方電 源供給不足，因此并不能說第三個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置執(zhí)行了最佳 的壓降對(duì)策。相較于此，在用該實(shí)施例的方法制造的半導(dǎo)體裝置中，通過 在形成虛設(shè)金屬布線之前進(jìn)行壓降解析、電源路徑探索，就能在確認(rèn)出施 加最佳的壓降對(duì)策的地方之后，形成虛i殳金屬布線。
如上所述，在該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，執(zhí)行了更有效的壓降對(duì)策， 且和第三個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置一樣，很容易確保圖案的面積率。 (第五個(gè)實(shí)施例)
在該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，使設(shè)在上下兩個(gè)布線層的方格狀電源的
電源構(gòu)成為VSS / VDD、 VSS / VDD或者VDD / VSS。交替著相鄰地敷 設(shè)各個(gè)電源布線組，使其在同一個(gè)布線層內(nèi)成為VSS/VDD、 VSS/VDD 或者VDD/VSS、 VSS/VDD。
該實(shí)施例的布線結(jié)構(gòu)，是優(yōu)先布線方向在上層、下層正交的結(jié)構(gòu)，成 為在上層和下層各個(gè)電源布線交差著的樣子。這里，在產(chǎn)生虛金屬布線之 際，在上層，在VDD和VDD之間形成連接到VDD的虛設(shè)金屬布線，在 VSS和VSS之間形成連接到VSS的虛設(shè)金屬布線。
這樣一來，通過例如在由方格狀電源夾起的地方產(chǎn)生極性和方格狀電 源一樣的虛設(shè)金屬布線布線，則即使出現(xiàn)了虛設(shè)金屬布線布線和方格狀電 源接觸的情況，異電源間也不會(huì)發(fā)生短路，從而能夠防止合格率下降。 (第六個(gè)實(shí)施例)
圖6是一顯示本發(fā)明的第六個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如該 圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置是形成在半導(dǎo)體芯片601上的LSI。形成 有形成了能動(dòng)元件等的中央部603和外圍區(qū)域602。該外圍區(qū)域602設(shè)置
在中央部603的周圍，相當(dāng)于將半導(dǎo)體芯片601的輸入/輸出單元的電源 取出部分。而且，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，具有在兩個(gè)或者兩個(gè)以上的布 線層內(nèi)方格狀地布置著的電源線。在第一布線層的外圍區(qū)域602設(shè)置了連 接到電源電壓提供部的虛設(shè)金屬布線布線；在第一布線層的下層即第二布 線層的外圍區(qū)域602設(shè)置了接地的虛設(shè)金屬布線布線。而且，中央部603 上形成有電氣上處于浮游狀態(tài)的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線。
根據(jù)該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，因?yàn)榻柚还┙o了電源電壓或者接地電 壓的虛設(shè)金屬布線布線充分地增強(qiáng)了電源取出部分的方格狀電源，故能夠 抑制在半導(dǎo)體芯片601的中央部603產(chǎn)生的壓降。而且，通過在半導(dǎo)體芯 片601的中央部603形成設(shè)計(jì)自由度很高的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線布線， 便很容易達(dá)成規(guī)定的面積率。補(bǔ)充說明一下，在上述例子中，在中央部603 僅形成浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線布線。不僅如此，可根椐需要，在中央部603 形成連接到電源電壓提供部或者接地的虛設(shè)金屬布線。
補(bǔ)充說明一下，以在一個(gè)布線層設(shè)置連接到電源電壓提供部或者接地 中之一的虛設(shè)金屬布線為例進(jìn)行了說明，不僅如此，還可將連接到電源電 壓提供部的虛設(shè)金屬布線和接地的虛設(shè)金屬布線設(shè)置在一個(gè)布線層的外 圍區(qū)域內(nèi)。
(第七個(gè)實(shí)施例)
在本發(fā)明的第七個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，在產(chǎn)生虛設(shè)金屬布 線的時(shí)候，利用所有的布線層在相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片601的電源取出部分的 外圍區(qū)域602 (參考圖6)形成連接到電源電壓提供部或者接地的虛設(shè)金 屬布線。這里，"利用所有的布線層形成虛設(shè)金屬布線"，意味著有多個(gè) 布線層時(shí)在所有的布線層形成虛設(shè)金屬布線。 一般情況下，方格狀的電源 布線形成在上層的布線層中的時(shí)候很多。但在該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中， 虛設(shè)金屬布線也連接到用到標(biāo)準(zhǔn)單元等上的第一層的電源布線上。虛設(shè)金 屬布線也設(shè)在未形成電源線的布線層內(nèi)。另外，半導(dǎo)體芯片601的中央部 603形成有浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線。
在半導(dǎo)體芯片中的SRAM等硬宏塊(hardmacro)的布置方法下，有 時(shí)，半導(dǎo)體芯片的外圍部分作為死空間殘留下來而形成了無用的區(qū)域。利 用該實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體芯片的外圍區(qū)域作為死空間殘留下來的情況下，也能利用所有的布線層形成連接到電源電壓提供部或者接地的虛i殳金 屬布線。因此，執(zhí)行壓降對(duì)策的效果會(huì)比第六個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝
置還大。
(第八個(gè)實(shí)施例)
圖7是一顯示本發(fā)明的第八個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如該
圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括設(shè)在布線層內(nèi)的信號(hào)布線擁擠度很 低的地方、連接在電源電壓提供部(VDD)且穿過多個(gè)布線層的VDD虛 設(shè)金屬柱701; —次也沒有超過布線層、連接在VDD虛設(shè)金屬柱701上 的VDD虛設(shè)金屬布線703;設(shè)在布線層內(nèi)的信號(hào)布線混雜度很低的地方、 接地(VSS )且穿過多個(gè)布線層的VSS虛設(shè)金屬柱702;以及一次也沒有 超過布線層、連接在VSS虛i殳金屬柱702上的VSS虛設(shè)金屬布線704。
制造該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之際，形成VDD虛設(shè)金屬柱701及VSS 虛設(shè)金屬柱702之后，再形成VDD虛設(shè)金屬布線703和VSS虛設(shè)金屬布 線704。
在以上結(jié)構(gòu)下，在修正設(shè)在半導(dǎo)體芯片上的LSI電路之際，切斷虛設(shè) 金屬布線就很容易修正電路。而且，即使切斷虛設(shè)金屬布線，也沒有必要 修正布線層的虛設(shè)金屬布線。
通過事先在布線擁擠的地方形成不會(huì)干擾信號(hào)布線的盡可能多的虛 設(shè)金屬柱，則在從那之后的電路修正以后，有可能形成連接在虛設(shè)金屬柱 上的虛設(shè)金屬布線的情況下也能使用。即使萬一不可能形成虛設(shè)金屬布 線，也能靠虛設(shè)金屬柱自身達(dá)到所規(guī)定的面積率。而且，通過讓虛設(shè)金屬 柱形成在半導(dǎo)體芯片的外圍區(qū)域，即能用于減少LSI的雜音。 (第九個(gè)實(shí)施例)
圖8是一顯示本發(fā)明的第九個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如該 圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置具有多個(gè)布線層。包括連接在電源電壓 提供部(VDD)上、跨過多個(gè)布線層而設(shè)的VDD虛設(shè)金屬柱801; —次 也沒有超過布線層、連接在VDD虛設(shè)金屬柱801上的VDD虛設(shè)金屬布 線803;接地(VSS)、跨過多個(gè)布線層而設(shè)的VSS虛設(shè)金屬柱802; — 次也沒有超過布線層、連接在VSS虛設(shè)金屬柱802上的VSS虛設(shè)金屬布 線804。而且，交替疊層設(shè)有VDD虛設(shè)金屬布線803的布線層和設(shè)有VSS
虛設(shè)金屬布線804的布線層。例如，在第偶數(shù)層的布線層中設(shè)置VDD虛 設(shè)金屬布線803;在第奇數(shù)層的布線層中設(shè)置VSS虛設(shè)金屬布線804。在 上下相鄰的布線層內(nèi)的VDD虛設(shè)金屬布線803和VSS虛設(shè)金屬布線804 之間形成有布線間電容805。 VDD虛設(shè)金屬柱801和VSS虛設(shè)金屬柱802 都最好是設(shè)在信號(hào)布線擁擠度很低的地方。
在制造該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之際，在信號(hào)擁擠度很低的地方形成 VDD虛設(shè)金屬柱801和VSS虛設(shè)金屬柱802之后，再形成VDD虛設(shè)金 屬布線803和VSS虛設(shè)金屬布線804。例如在第偶數(shù)層的布線層中設(shè)虛設(shè) 金屬布線的連接地為VDD虛設(shè)金屬柱801;在第奇數(shù)層的布線層中設(shè)虛 設(shè)金屬布線的連接地為VSS虛設(shè)金屬柱802。
如上所述，在該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，不僅使虛設(shè)金屬布線形成為 不越過布線層的樣子，還改變了第偶數(shù)層的布線層和第奇數(shù)層的布線層中 虛設(shè)金屬布線的極性。這樣一來，就能和第八個(gè)實(shí)施例一樣，很容易修改 電路。而且，通過利用布線層來改變虛設(shè)金屬布線的極性，便能防止虛設(shè) 金屬布線的短路。另外，根據(jù)該實(shí)施例的構(gòu)成，能夠在虛設(shè)金屬布線之間
形成布線間電容。
(第十個(gè)實(shí)施例)
圖9是顯示本發(fā)明的第十個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖。如 該圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括設(shè)在第一布線層內(nèi)的浮置節(jié)點(diǎn)虛 設(shè)金屬布線901、以及設(shè)在第一布線層的上層即第二布線層內(nèi)的信號(hào)布線 902。形成為俯視時(shí)浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線901和信號(hào)布線902.不重合的 樣子。
在制作該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置之際，首先在第一布線層形成浮置節(jié)點(diǎn) 虛設(shè)金屬布線901。接著，切掉浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線901中俯視時(shí)與信 號(hào)布線902交差(預(yù)定)的部分。當(dāng)剩下的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線卯l不 滿足在每一個(gè)工藝中所決定的設(shè)計(jì)規(guī)則的最小布線寬度、最小面積時(shí)，就 將浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線901全部切掉。接著，在第二布線層中形成信號(hào) 布線902之后，再在第二布線層的上層即第三布線層內(nèi)形成浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè) 金屬布線。最后，切掉該浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線中俯視時(shí)與信號(hào)布線902 交差的部分。 有時(shí)候，切掉與信號(hào)布線902重合的那一部分浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線
901后，就達(dá)不到面積率了。但能通過以滿足工藝的設(shè)計(jì)規(guī)格的形式增加
要形成的虛設(shè)圖案的個(gè)數(shù)，或者是加寬被切斷的虛設(shè)金屬布線的寬度來補(bǔ) 償面積率的不足。
在以上結(jié)構(gòu)下，因?yàn)樘撛O(shè)圖案在信號(hào)布線的上下不再交差了，故在微 細(xì)化工藝中，層間膜厚變薄的情況下，也能使布線間電容減少，使信號(hào)布 線的信號(hào)傳達(dá)延遲減少。而且還能夠調(diào)節(jié)虛設(shè)金屬布線的面積率。
(第十一個(gè)實(shí)施例)
圖10是顯示本發(fā)明的第十一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。如 該圖所示，該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括:形成有孤立接觸孔1002的信號(hào) 布線1003、以及與孤立接觸孔1002形成在同一個(gè)布線層內(nèi)的帶接觸孔的 虛設(shè)金屬布線1001。帶接觸孔的虛設(shè)金屬布線1001被設(shè)在布線層內(nèi)的可 產(chǎn)生虛金屬布線區(qū)域1004內(nèi)。
信號(hào)布線1003中有被布置在可產(chǎn)生虛設(shè)金屬布線區(qū)域1004足夠空閑 的地方的，也有形成連接在信號(hào)布線1003的孤立接觸孔1002的時(shí)候。當(dāng) 形成孤立接觸孔1002的時(shí)候，在和孤立接觸孔1002 —樣的布線層中孤立 接觸孔1002周圍的可產(chǎn)生虛設(shè)金屬布線區(qū)域1004就成為空閑地方。對(duì)該 可產(chǎn)生虛設(shè)金屬布線區(qū)域1004形成與孤立接觸孔1002在同一層的帶接觸 孔的虛設(shè)金屬布線1001。補(bǔ)充說明一下，帶接觸孔的虛設(shè)金屬布線1001 可以接在電源電壓提供部上或者接地，也可以不這樣連接。
在以上的結(jié)構(gòu)下，能夠防止在形成有孤立接觸孔的情況下所可能發(fā)生 的接觸孔不良。其理由如下。
一般認(rèn)為蝕刻速度隨著存在于工藝中所決定的區(qū)域內(nèi)的接觸和氧化 膜的比率的不同而出現(xiàn)偏差。因?yàn)橐话闱闆r是用存在一定的接觸時(shí)的蝕刻 速度最佳化來開發(fā)工藝，故容易出現(xiàn)在形成有孤立接觸的區(qū)域中上述比率 遠(yuǎn)離最佳化值等不良現(xiàn)象。因此，通itt孤立接觸孔的周圍形成帶接觸孔 的虛設(shè)金屬布線，便能增加接觸孔的數(shù)量，從而能夠抑制接觸不良。
也就是說，有了該實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中的帶接觸孔的虛設(shè)金屬布線 以后，能夠防止由于缺信號(hào)布線的接觸孔而引起的合格率下降，且對(duì)實(shí)現(xiàn) 虛設(shè)金屬布線的面積率很有效。 -工業(yè)實(shí)用性-
本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置，對(duì)于增強(qiáng)LSI的電源、提高合格率等都 很有用。更一步地說，對(duì)使用了 LSI的各種機(jī)器都很有用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括多個(gè)布線層；電源電壓提供部；以及多條電源線，與所述電源電壓提供部連接或者接地。布置為方格狀；當(dāng)設(shè)所述電源線中連接在所述電源電壓提供部的電源線為第一電源線，設(shè)接地的電源線為第二電源線時(shí)，在一個(gè)布線層內(nèi)設(shè)置了多組由所述第一電源線和所述第二電源線構(gòu)成的組，將兩條所述第一電源線和兩條所述第二電源線相鄰配置；在相鄰的所述第一電源線之間設(shè)置了連接在所述電源電壓提供部的第一虛設(shè)金屬布線；在相鄰的所述第二電源線之間設(shè)置了接地的第二虛設(shè)金屬布線。
2. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括 多個(gè)布線層；電源電壓提供部； 設(shè)在中央部的能動(dòng)元件；輸入/輸出單元，用以發(fā)送和接收來自外部的信號(hào)及來自所述能動(dòng)元 件的信號(hào)；多條電源線，與所述電源電壓提供部連接或者接地。布置為方格狀。 設(shè)置在布置在所述中央部周圍的外圍區(qū)域；虛設(shè)金屬布線，設(shè)在所述外圍區(qū)域，在兩個(gè)以上的地方與所述電源電 壓提供部連接或者接地；以及電氣孤立的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線，設(shè)置在所述外圍區(qū)域以外的區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一虛設(shè)金屬布線還設(shè)在沒有形成所述電源線的布線層內(nèi)。
4. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括 多個(gè)布線層；電源電壓提供部；l個(gè)或者多個(gè)虛設(shè)金屬柱，穿過所述多個(gè)布線層。與所述電源電壓才是供部連接或者接地；以及虛設(shè)金屬布線，與所述虛設(shè)金屬柱的一個(gè)連接，形成在一個(gè)布線中， 而不會(huì)越過另一布線層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述虛設(shè)金屬柱，包括連接在所述電源電壓提供部的第 一虛設(shè)金屬柱和接地的第二虛設(shè)金屬柱；設(shè)有連接在所述第一虛設(shè)金屬柱的所述虛設(shè)金屬布線的布線層與設(shè) 有連接在所述第二虛設(shè)金屬柱的所述虛設(shè)金屬布線的布線層交替疊層。
6. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括 多個(gè)布線層；信號(hào)布線；以及電氣孤立的浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線，設(shè)置在形成有所述信號(hào)布線的布 線層的上層或者下層；俯視時(shí)，所述浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線和所述信號(hào)布線不重疊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述浮置節(jié)點(diǎn)虛設(shè)金屬布線中與所述信號(hào)布線交差的交差部分被除去。
8. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括信號(hào)布線和與所述信號(hào)布線形成在同一層布線層內(nèi)的虛設(shè)金屬 布線；形成有口朝著所述信號(hào)布線開的孤立接觸孔和與所述孤立接觸孔形 成在同一層內(nèi)、口朝著所述虛設(shè)金屬布線開的接觸孔。
9. 一種半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法，利用具有輸入部、壓降解析部、電源 路徑探索部、虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生部以及輸出部的電腦進(jìn)行，其特征在于包括步驟a，將所述半導(dǎo)體裝置的虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù)據(jù)輸入 到所述輸入部；步驟b，所述壓降解析部，對(duì)所述虛設(shè)金屬布線產(chǎn)生前平面布置數(shù)據(jù) 加以解析，確定出所述半導(dǎo)體裝置中電源供給不足的地方；3 步驟C，所述電源路徑探索部，探索用虛設(shè)金屬布線對(duì)所述半導(dǎo)體裝置中電源供給不足的地方增強(qiáng)電源的電源路徑和極性；以及步驟d,所述虛設(shè)單元產(chǎn)生部，根據(jù)在所述步驟c中所決定的路徑和極性產(chǎn)生所述虛設(shè)金屬布線的平面布置。
10. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括 第一信號(hào)線，形成在第一布線層； 第二信號(hào)線，形成在第二布線層；第一接觸塊，形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間，將所述 第一信號(hào)線與所述第二信號(hào)線連接；和第二接觸塊，形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間； 所述第二接觸塊在電氣上與所述第 一信號(hào)線和所述'第二信號(hào)線:i瓜立。
11. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括 第一信號(hào)線，形成在第一布線層； 第二信號(hào)線，形成在第二布線層；第一接觸塊，形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間，將所述第一信號(hào)線與所述第二信號(hào)線連接；和第二接觸塊，形成在所述第 一布線層和所述第二布線層之間； 所述第二接觸塊在電氣上與所述第一信號(hào)線連接，而與所述第二信號(hào)線孤立。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還包括第一金屬圖案，形成在所述第一布線層，在電氣上與所述第一信號(hào)線連接；所述第二接觸塊在電氣上與所述第 一金屬圖案連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還包括第二金屬圖案，形成在所述第二布線層，在電氣上與所述第二信號(hào)線連接；所述第二接觸塊在電氣上與所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案 兩者連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及該半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法。通過讓為了達(dá)到面積率而插到布線層的空閑區(qū)域的虛設(shè)金屬布線有兩個(gè)或者兩個(gè)以上的地方連接在VDD或者VSS的電源布線上，便既能謀求電源布線的增強(qiáng)，又能達(dá)到所規(guī)定的面積率。因此，本發(fā)明提供了一種確保圖案的面積率大于等于規(guī)定值、執(zhí)行壓降對(duì)策的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)方法。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101355077SQ200810213099
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2005年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月15日
發(fā)明者嶋田純一, 木村文浩, 荒木章之, 藤田和久 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社