專利名稱：槽柵型源場板高電子遷移率器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體器件，特別是基于ni-v族化合物半導(dǎo)體材 料異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的槽柵型源場板高電子遷移率器件，可作為微波、毫米波通訊系統(tǒng)以及雷 達(dá)系統(tǒng)的基本器件。
背景技術(shù)：
業(yè)內(nèi)周知，由ni族元素和v族元素所組成的半導(dǎo)體材料，即in-v族化合物半導(dǎo)體材
料，如氮化鎵(GaN)基、砷化鎵(GaAs)基、磷化銦(InP)基等半導(dǎo)體材料，它們的禁帶寬度 往往差異較大，因此人們通常利用這些III-V族化合物半導(dǎo)體材料形成各種異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。 由于在異質(zhì)結(jié)中異質(zhì)結(jié)界面兩側(cè)的III-V族化合物半導(dǎo)體材料的禁帶寬度存在較大的差
異，使得這些異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)具有一個(gè)共同特點(diǎn)，即在異質(zhì)結(jié)界面附近產(chǎn)生一個(gè)量子勢井。
對于由III-V族化合物半導(dǎo)體材料所組成的異質(zhì)結(jié)，人們通過對材料進(jìn)行摻雜，或者利用
材料的極化效應(yīng)等特性，可以在量子勢井中產(chǎn)生高濃度的二維電子氣，這種二維電子氣 由大量的電荷載流子構(gòu)成。另外由于這種二維電子氣被束縛在量子勢井中，實(shí)現(xiàn)了載流 子與電離雜質(zhì)在空間上的分離，減少了電離雜質(zhì)對載流子的庫侖力作用，消除了電離散 射中心的影響，從而大大提高了載流子的遷移率。這種高濃度二維電子氣和高載流子遷
移率，使得III-V族化合物半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)具有良好的電特性。
基于m-v族化合物半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)制作而成的高電子遷移率器件，繼承了in-v族 化合物半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)的優(yōu)點(diǎn)，如高載流子濃度、高載流子遷移率、高工作頻率、大 功率及耐高溫等，可以廣泛應(yīng)用于微波、毫米波通訊系統(tǒng)和雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，因此高電
子遷移率器件自從誕生之日起便成為眾多研究者研究的熱點(diǎn)。1980年，Takashi Mimura 等人報(bào)道成功研制出了第一只AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，也是一種高電子遷移 率器件，參見A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlxGai—xAs heterostructures, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 19, No. 5, pp. L225-L227, May 1980。 1993年，Khan等人報(bào)道成功研制出了第一只AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶 體管，也是一種高電子遷移率器件，參見High electron mobility transistor based on a GaN-AlxGa!.xN heterojunction, Applied Physics Letters, Vol. 63, No. 9， pp. 1214-1215， August 1993。隨著對器件研究的深入，人們對基于III-V族化合物半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)的高 電子遷移率器件的研究不斷取得新的突破。然而，高電子遷移率器件工作時(shí)勢壘層耗盡 區(qū)中的電場線的分布并不均勻，靠近漏極一側(cè)的柵極邊緣往往收集大部分的電場線，因此該處的電場相當(dāng)高。此處的高電場會(huì)使得柵極泄漏電流增大，容易導(dǎo)致器件發(fā)生雪崩 擊穿，使其實(shí)際擊穿電壓偏小，從而導(dǎo)致該類器件的高擊穿電壓和大功率等優(yōu)勢不能充 分發(fā)揮。另外，器件的柵極泄露電流增大會(huì)導(dǎo)致其可靠性變差。
為了提高高電子遷移率器件的擊穿電壓，充分發(fā)揮其輸出功率高的優(yōu)勢，同時(shí)增強(qiáng) 器件的可靠性，有研究者采用場板結(jié)構(gòu)對其進(jìn)行了改進(jìn)，其結(jié)構(gòu)如圖l所示。該結(jié)構(gòu)的基 本原理是利用場板增加了耗盡區(qū)的面積，提高了耗盡區(qū)可以承擔(dān)的漏源電壓，從而增 大了器件的擊穿電壓；同時(shí)，利用場板對勢壘層耗盡區(qū)中電場線的分布進(jìn)行調(diào)制，減小 了柵極泄露電流。在高電子遷移率器件中采用場板結(jié)構(gòu)，會(huì)在場板下方形成新的耗盡區(qū)， 即高阻區(qū)，增加了柵極與漏極之間勢壘層中耗盡區(qū)的面積，使得耗盡區(qū)可以承擔(dān)更大的 漏源電壓，從而增大了器件的擊穿電壓。在高電子遷移率器件中采用場板結(jié)構(gòu)，可以將 部分原本收集在柵極靠近漏極一側(cè)的邊緣的電場線收集到場板上，尤其是場板靠近漏極
一側(cè)的邊緣，結(jié)果在柵極靠近漏極一側(cè)的邊緣和場板靠近漏極一側(cè)的邊緣分別出現(xiàn)一個(gè) 電場蜂值，從而減少了柵極靠近漏極一側(cè)的邊緣所收集的電場線，降低了該處的電場，
減小了柵極泄露電流。1998年，K.Asano等人報(bào)道了采用柵場板的異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管， 也是一種柵場板高電子遷移率器件，獲得了較高的器件擊穿電壓和較好的功率性能，參 見Novel high power AlGaAs-GaAs HFET with a field-modulating plate operated at 35V drain voltage, International Electron Devices Meeting Technical Digest, pp. 59-62, December 1998。 為了提高柵場板高電子遷移率器件的線性度，進(jìn)一步改善器件的大信號和小信號微波功 率性能， 一些研究者又采用了槽柵結(jié)構(gòu)。2004年，A.Chini等人報(bào)道了AlGaN-GaN槽柵型 柵場板高電子遷移率晶體管，也是一種槽柵型柵場板高電子遷移率器件，獲得了非常高 的功率密度和功率附加效率，同時(shí)也獲得了極好的線性度，參見Power and Linearity Characteristics of Field-Plated Recessed墨Gate AlGaN-GaN HEMTs， IEEE Electron Device Letters, Vol. 25, No. 5， pp. 229-231, May 2004。然而，在采用柵場板的高電子遷移率器件 中，柵場板與二維電子氣溝道之間會(huì)產(chǎn)生附加電容，該電容會(huì)疊加進(jìn)器件的柵漏反饋電 容中，使得器件的柵漏反饋電容增大，導(dǎo)致器件的功率特性和頻率特性衰減，同時(shí)造成 器件的不穩(wěn)定性大大增加，使得采用場板的優(yōu)勢不能充分體現(xiàn)，因此一些研究者提出采 用源場板結(jié)構(gòu)以改善器件的性能。2004年，Y. -F. Wu等人報(bào)道了采用源場板的高電子遷 移率晶體管，通過輸出調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)消除了場板所引入的附加電容，在較高的頻率下獲得了 很高的功率增益、輸出功率和功率附加效率，參見High-gain microwave GaN HEMTs w池 source-terminated field-plates, IEEE International Electron Devices Meeting Technical Digest, pp. 1078-1079, December 2004。由于單層場板結(jié)構(gòu)提高高電子遷移率器件的擊穿電壓的能力非常有限，所以為了進(jìn)一步提高器件的擊穿電壓和輸出功率，同時(shí)兼顧器件的頻率特 性， 一些研究者采用了各種復(fù)雜的場板結(jié)構(gòu)，而堆層場板結(jié)構(gòu)是目前最常用和最有效的 一種結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通過增加堆層場板的個(gè)數(shù)可以持續(xù)地增加器件的擊穿電壓。2005年， YujiAndo等人報(bào)道了采用柵場板和源場板的高電子遷移率晶體管，有效地減小了器件的 柵漏反饋電容，獲得了非常高的擊穿電壓、輸出功率和線性增益，參見NovdAlGaN/GaN dual-field-plate FET with high gain, increased linearity and stability, IEEE International Electron Devices Meeting Technical Digest, pp. 576-579, December 2005。但是堆層場板高電 子遷移率器件的制作工藝比較復(fù)雜，每增加一層場板都需要多加光刻、淀積金屬、淀積 絕緣介質(zhì)材料、剝離、清洗等工藝步驟，而且要使各層場板下面所淀積的絕緣介質(zhì)材料 具有合適的厚度，必須進(jìn)行繁瑣的工藝調(diào)試，因此大大增加了器件制造的難度，降低了 器件的成品率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述已有技術(shù)的不足，提供一種制造工藝簡單、擊穿電壓高 和可靠性好的槽柵型源場板高電子遷移率器件及其制作方法，以實(shí)現(xiàn)高輸出功率和高成 品率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的器件結(jié)構(gòu)采用任何III-V族化合物半導(dǎo)體材料構(gòu)成的
異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)自下而上包括襯底、過渡層、勢壘層、源極、漏極、槽柵、鈍化 層、源場板和保護(hù)層，該槽柵位于勢壘層的凹槽中，該源場板與源極電氣連接，其中，
鈍化層上淀積有n個(gè)浮空場板，r^l，這些浮空場板與源場板位于同一層面上。 所述的每個(gè)浮空場板大小相同，相互獨(dú)立，且與源場板的厚度相同。 所述的源場板與其最鄰近的浮空場板之間的距離為0.07~2.3pm，相鄰兩浮空場板之
間的間距按照浮空場板排列自源場板到漏極方向的個(gè)數(shù)依次遞增。
所述的凹槽的深度D小于勢壘層的厚度，槽柵與凹槽兩端的間距分別為Rl與R2，
Rl與R2的長度相等且均為0~3|_im。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的制作槽柵型源場板高電子遷移率器件的方法，包括
如下過程
選擇藍(lán)寶石或碳化硅或硅或其它外延襯底材料作為襯底，在襯底上外延III-V族化合 物半導(dǎo)體材料的過渡層作為器件的工作區(qū)；
在過渡層上淀積m-v族化合物半導(dǎo)體材料的勢壘層；
在勢壘層上第一次制作掩膜，并在勢壘層的兩端淀積金屬，再在N2氣氛中進(jìn)行快速熱退火，分別制作源極和漏極；
在勢壘層上第二次制作掩膜，并在源極和漏極之間的勢壘層刻蝕出凹槽；
在勢壘層上第三次制作掩膜，并在凹槽中淀積金屬，制作槽柵，該槽柵與凹槽兩端 的間距分別為Rl與R2， Rl與R2的長度相等且均為0 3pm;
在源極、漏極和槽柵的外圍區(qū)域淀積鈍化層；
在鈍化層上制作掩膜，利用該掩膜在源極與漏極之間的鈍化層上淀積金屬，以制作 厚度均為0.25 8pm的源場板及n個(gè)浮空場板，論l，并將源場板與源極電氣連接；
淀積保護(hù)層，即用絕緣介質(zhì)材料分別覆蓋源場板和各浮空場板，以及鈍化層上的其 它區(qū)域。
本發(fā)明器件與采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率器件比較具有以下優(yōu)點(diǎn)
1. 進(jìn)一步提高了器件的擊穿電壓。
本發(fā)明由于采用浮空場板結(jié)構(gòu)，使器件在處于工作狀態(tài)尤其是處于關(guān)態(tài)的工作狀態(tài) 時(shí)，在源場板與其最鄰近的浮空場板之間，以及在各個(gè)浮空場板彼此之間都存在電容耦 合作用，于是電勢從源場板到最靠近漏極一側(cè)的浮空場板逐漸升高，從而大大增加了槽 柵與漏極之間勢壘層中的耗盡區(qū)，即高阻區(qū)的面積，使得此耗盡區(qū)能夠承擔(dān)更大的漏源 電壓，即大大提高了器件的擊穿電壓。
2. 進(jìn)一歩減小了柵極泄漏電流，增強(qiáng)了器件的可靠性。
本發(fā)明由于采用浮空場板結(jié)構(gòu)，使器件勢壘層耗盡區(qū)中電場線的分布得到了更強(qiáng)的 調(diào)制，器件中槽柵靠近漏極一側(cè)的邊緣、源場板與其最鄰近的浮空場板之間、各個(gè)浮空 場板彼此之間以及最靠近漏極的浮空場板的靠近漏極一側(cè)的邊緣都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電場峰 值，而且通過調(diào)整源場板與其最鄰近的浮空場板之間的距離以及各個(gè)浮空場板彼此之間 的距離，可以使得上述各個(gè)電場峰值相等且小于III-V族化合物半導(dǎo)體材料的擊穿電場， 從而最大限度地減少了槽柵靠近漏極一側(cè)的邊緣所收集的電場線，有效地降低了該處的 電場，大大減小了柵極泄露電流，顯著增強(qiáng)了器件的可靠性。
3. 進(jìn)一步提高了器件的線性度，改善了器件的微波功率性能。
本發(fā)明由于釆用槽柵結(jié)構(gòu)，使器件的跨導(dǎo)進(jìn)一步增加，從而提高了器件的線性度， 改善了器件的大信號和小信號微波功率性能。
4. 工藝簡單，易于實(shí)現(xiàn)，成品率高。
本發(fā)明器件結(jié)構(gòu)中由于源場板和各浮空場板位于同一層鈍化層上，且只有一層，因此只需要一步工藝便可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)源場板與各浮空場板的制作，避免了傳統(tǒng)的堆層場板 結(jié)構(gòu)所帶來的工藝復(fù)雜化問題，大大提高了器件的成品率。
仿真結(jié)果表明，本發(fā)明器件的擊穿電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率器 件的擊穿電壓。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和效果。
圖1是采用傳統(tǒng)柵場板的高電子遷移率器件的結(jié)構(gòu)圖； 圖2是本發(fā)明槽柵型源場板高電子遷移率器件的結(jié)構(gòu)圖； 圖3是本發(fā)明槽柵型源場板高電子遷移率器件的制作流程圖； 圖4是對傳統(tǒng)器件及本發(fā)明器件仿真所得的勢壘層中電場曲線圖； 圖5是對傳統(tǒng)器件及本發(fā)明器件仿真所得的擊穿曲線圖。
具體實(shí)施例方式
參照圖2，本發(fā)明槽柵型源場板高電子遷移率器件是基于ni-v族化合物半導(dǎo)體異質(zhì)
結(jié)結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)自下而上為襯底l、過渡層2、勢壘層3、鈍化層8與保護(hù)層11。其中， 勢壘層3上的兩端分別為源極4和漏極5，源極4和漏極5之間刻蝕有凹槽6，該凹槽的 深度D小于勢壘層的厚度。槽柵7位于凹槽6中，并與該凹槽兩端的間距分別為R1與 R2， Rl與R2的長度相等且均為0~3pm。鈍化層8位于源極4、漏極5和槽柵7的外圍 區(qū)域。在鈍化層8上制作有源場板9及n個(gè)浮空場板10， n^，這些浮空場板與源場板 位于同一層鈍化層上，第一個(gè)浮空場板與源場板之間的距離Sl為0.07 2Jpm，相鄰兩浮 空場板之間的間距不同，即按照浮空場板個(gè)數(shù)自源場板到漏極方向逐漸增大，且相鄰兩 浮空場板之間的間距均大于Sl。各浮空場板10的大小相同，沿著平行于源場板寬度的 方向放置，不與任何電極或者金屬接觸，處于相互獨(dú)立的浮空狀態(tài)。源場板的有效長度 LO為0.3~7nm，每個(gè)浮空場板的長度Ll均為0.3~7pm。保護(hù)層11位于源場板和各浮空 場板的上部，以及鈍化層上的其它區(qū)域。源場板9與源極4電氣連接。
上述器件的襯底1可以為藍(lán)寶石、碳化硅、硅或其它外延襯底材料；過渡層2由若 干層相同或不同的III-V族化合物半導(dǎo)體材料組成，其厚度為1 5pm;勢壘層3由若干層 相同或不同的m-V族化合物半導(dǎo)體材料組成，其厚度為10 50nm;鈍化層8可以為Si02、 SiN、 A1203、 Sc203、 Hf。2、 Ti02或其它絕緣介質(zhì)材料，其厚度為0.06 0.6阿;保護(hù)層 11可以是Si02、SiN、Al203、Sc203、Hf02、Ti02或其它絕緣介質(zhì)材料，其厚度為0.3 8.2jim;源場板9及n個(gè)浮空場板10采用兩層或三層金屬層的組合，i^l ，其厚度為0.25~8pm。 參照圖3，本發(fā)明制作槽柵型源場板高電子遷移率器件的過程如下 步驟l，在襯底1上外延過渡層2作為器件的工作區(qū)，如圖3a。 選擇藍(lán)寶石、碳化硅、硅或其它外延襯底材料作為襯底1，在其上外延厚度為l~5pm
的m-v族化合物半導(dǎo)體材料過渡層2作為器件的工作區(qū)，該過渡層材料由若干層相同或 不同的ni-V族化合物半導(dǎo)體材料組成，如僅由GaN材料組成，或自下而上由A1N和GaN 兩層材料組成，或僅由GaAs材料組成。外延過渡層的方法采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀 積技術(shù)或分子束外延技術(shù)或氫化物氣相外延技術(shù)或其它可以用于外延過渡層的技術(shù)。 步驟2，在過渡層2上淀積勢壘層3，如圖3b。
在過渡層2上淀積厚度為10~50nm的勢壘層3，該勢壘層的材料由若千層相同或不 同的m-V族化合物半導(dǎo)體材料組成，如僅由AlxGai_xN材料組成，或自下而上由 AlxGawN和GaN兩層材料組成，或僅由AlxGai.xAs材料組成，0<X<1， X表示Al組分 的含量。淀積勢壘層的方法采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)或分子束外延技術(shù)或氫化 物氣相外延技術(shù)或其它可以用于淀積勢壘層的技術(shù)。
步驟3，在勢壘層3上分別制作源極4和漏極5，如圖3c。
在勢壘層3上第一次制作掩膜，分別在其兩端淀積金屬，再在N2氣氛中進(jìn)行快速熱 退火，制作源極4和漏極5，其中所淀積的金屬采用Ti/Al/Ti/Au組合，或采用其它金屬 組合，金屬厚度為0.01~0.04pm/0.05~0.17^im/0.03~0.12nm/0.04~0.1pm。淀積金屬的方法 采用電子束蒸發(fā)技術(shù)或?yàn)R射技術(shù)或其它可以用于淀積金屬的技術(shù)。
步驟4，在勢壘層3上刻蝕出凹槽6，如圖3d。
在勢壘層3上第二次制作掩膜，并在源極4和漏極5之間的勢壘層上刻蝕出凹槽6， 該凹槽深度D小于勢壘層的厚度。刻蝕凹槽的方法采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)或感應(yīng)耦合等 離子體技術(shù)或反應(yīng)離子刻蝕-感應(yīng)耦合等離子體技術(shù)或其它可以用于刻蝕凹槽的技術(shù)。。
步驟5，在凹槽6中制作槽柵7，如圖3e。
在勢壘層3上第三次制作掩膜，并在凹槽6中淀積金屬，制作槽柵7，其中所淀積的 金屬采用Ni/Au金屬組合，或采用其它金屬組合，金屬厚度為0.01~0.04nm/0.08~0.4|am， 該槽柵7與凹槽6兩端的間距分別為Rl與R2， Rl與R2的長度相等且均為0~3nm。淀 積金屬的方法采用電子束蒸發(fā)技術(shù)或?yàn)R射技術(shù)或其它可以用于淀積金屬的技術(shù)。
步驟6，淀積鈍化層8，如圖3f。在源極、漏極和槽柵的外圍區(qū)域淀積鈍化層8，該鈍化層材料可以采用Si02、 SiN、 A1203、 Sc203、 Hf02、 Ti02或其它絕緣介質(zhì)材料，其厚度為0.06 0.6nm。淀積鈍化層的 方法采用化學(xué)氣相淀積技術(shù)或蒸發(fā)技術(shù)或原子層淀積技術(shù)或?yàn)R射技術(shù)或分子束外延技術(shù) 或其它可以用于淀積鈍化層的技術(shù)。
步驟7，制作源場板9及各浮空場板10，如圖3g。
在鈍化層8上制作掩膜，該掩膜是按照源場板9與其最鄰近的浮空場板之間的距離 為0.07 2.3pm，且相鄰兩浮空場板之間的間距按照浮空場板排列自源場板到漏極方向的 個(gè)數(shù)依次遞增的位置關(guān)系設(shè)置。利用該掩膜在鈍化層8上淀積金屬厚度均為0.25 8pm的 源場板9及n個(gè)浮空場板10, ri21。該源場板及各浮空場板的淀積均采用兩層或三層金 屬層的組合，且下層金屬厚度要小于上層金屬厚度。對于兩層金屬組合采用Ti/Aii或Ni/Au 或Pt/Au，厚度均為0.03~0.6pm/0.22~7.4nm;對于三層金屬組合采用Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au 或Ti/Pt/Au，厚度均為0.01~0.5(am/0.04~0.8nm/0.2~6.7(im。源場板的有效長度LO為 0.3 7pm，每個(gè)浮空場板的長度Ll均為0.3~7nm。淀積金屬的方法采用電子束蒸發(fā)技術(shù) 或?yàn)R射技術(shù)或其它可以用于淀積金屬的技術(shù)。
完成源場板9及n個(gè)浮空場板10的制作后，將源場板9與源極4電氣連接。
步驟8，淀積保護(hù)層ll，如圖3h。
淀積保護(hù)層11分別覆蓋源場板9和各浮空場板10，以及鈍化層8上的其它區(qū)域，其 中保護(hù)層材料可以采用Si02、 SiN、 A1203、 Sc203、 Hf02、 Ti02或其它絕緣介質(zhì)材料，其 厚度為0.3~8.2pm。淀積保護(hù)層的方法采用化學(xué)氣相淀積技術(shù)或蒸發(fā)技術(shù)或原子層淀積技 術(shù)或?yàn)R射技術(shù)或分子束外延技術(shù)或其它可以用于淀積保護(hù)層的技術(shù)。
根據(jù)以上所述的器件結(jié)構(gòu)和制作方法，本發(fā)明給出以下六種實(shí)施例，但并不限于這 些實(shí)施例。
實(shí)施例一
制作襯底為藍(lán)寶石，鈍化層為Si02，保護(hù)層為SiN，源場板和各浮空場板為Ti/Au 金屬組合的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其過程是
l.使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)在藍(lán)寶石襯底1上外延厚度為1pm的未摻雜過 渡層2，該過渡層自下而上由厚度為22nm的A1N材料和厚度為0.978nm的GaN材料構(gòu) ^^B^FJS^^N^N^^ffifE^f^i^^為565°C，壓力為40TWr^t^ra^ 4200sccm，氨氣流量為4200sccm，鋁源流量為20pmol/min;外延上層GaN材料采用的 工藝條件為溫度為950°C，壓力為40Torr,氫氣流量為4200sccm，氨氣流量為4200sccm，鎵源流量為100nmol/min。
2. 使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)在GaN過渡層2上淀積厚度為50nm的未摻雜 勢壘層3，該勢壘層自下而上由厚度為47nm、鋁組分為0.15的AlQ15Gaa85N材料和厚度 為3nm的GaN材料構(gòu)成。淀積下層Alai5Gao.85N材料采用的工藝條件為溫度為980°C， 壓力為40Torr，氫氣流量為4200sccm，氨氣流量為4200sccm，鎵源流量為15(imol/min， 鋁源流量為3pmol/min;淀積上層GaN材料采用的工藝條件為溫度為980°C，壓力為 40Torr，氫氣流量為4200sccm，氨氣流量為4200sccm，鎵源流量為10nmol/min。
3. 在勢壘層3上制作掩膜，并使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在其兩端淀積金屬，再在N2氣氛 中進(jìn)行快速熱退火，制作源極4和漏極5，其中所淀積的金屬為Ti/Al/Ti/Au金屬組合， 金屬層厚度為0.01|am/0.05^im/0.03nm/0.04nm。淀積金屬采用的工藝條件為真空度小于 1.8x10—3Pa，功率范圍為200 1000W，蒸發(fā)速率小于3A/s;快速熱退火采用的工藝條件為 溫度為865°C，時(shí)間為30s。
4. 在勢壘層3上制作掩膜，使用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在源極4和漏極5之間的勢壘層上 刻蝕出凹槽6，該凹槽深度D為40nm。刻蝕凹槽采用的工藝條件為反應(yīng)氣體Cl2的流 量為5sccm，壓力為10mT，功率為100 W。
5. 在勢壘層3上制作掩膜，并使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在凹槽6中淀積金屬，制作槽柵7， 其中所淀積的金屬采用Ni/Au金屬組合，金屬厚度為0.01nm/0.08|im，該槽柵7與凹槽6 兩端的間距分別為R1與R2， Rl與R2的長度均為O(im。淀積金屬采用的工藝條件為-真空度小于1.2xlO—3Pa，功率范圍為200~700W，蒸發(fā)速率小于2A/s。
6. 使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極、漏極和槽柵的外圍區(qū)域淀積厚度為0.06pm的Si02 鈍化層8。淀積鈍化層采用的工藝條件為真空度小于1.2x10—3Pa，功率小于50W，蒸發(fā) 速率小于2A/s。
7. 在Si02鈍化層8上制作掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極與漏極之間的鈍化層上 淀積厚度為0.03pm/0.22nm的Ti/Au金屬組合，以制作源場板9及一個(gè)浮空場板10，該 源場板的有效長度L0和浮空場板的長度Ll均為0.3pm，源場板與浮空場板之間的距離 Sl為0.07pm。淀積金屬釆用的工藝條件為真空度小于1.8xlO—3Pa，功率范圍為 20(K700W，蒸發(fā)速率小于3A/s。將源場板9與源極4電氣連接。
8. 使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積，i^U—a^Mili^JQS^I^lUJ^&l44t 層8上的其它區(qū)域，以制作厚度為0.3pm的SiN保護(hù)層11。淀積保護(hù)層采用的工藝條件 為氣體為NH3、 N2及SiH4，氣體流量分別為2.5sccm、 900sccm和200sccm，溫度、RF功率和壓力分別為300°C、 25W和900mT。' 實(shí)施例二
制作襯底為碳化硅，鈍化層為SiN，保護(hù)層為Si02，源場板和各浮空場板為Ni/Au 金屬組合的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其過程是
1. 使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)在碳化硅襯底1上外延厚度為2.5^m的未摻雜 過渡層2，該過渡層自下而上由厚度為50nm的A1N材料和厚度為2.45|_im的GaN材料構(gòu) 成。外延下層A1N材料采用的工藝條件為溫度為1020。C，壓力為45Torr，氫氣流量為 4800sccm，氨氣流量為4800sccm，鋁源流量為12pmol/min;外延上層GaN材料采用的 工藝條件為溫度為1020。C，壓力為45Torr，氫氣流量為4800sccm，氨氣流量為4800sccm， 鎵源流量為150(^mol/min。
2. 使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)在GaN過渡層2上淀積厚度為30nm，且鋁組 分為0.3的未摻雜Alo.3Gao.7N勢壘層3。采用的工藝條件為溫度為1000°C，壓力為45Torr， 氫氣流量為4800sccm，氨氣流量為4800sccm，鎵源流量為16pmol/min，鋁源流量為 7阿ol/min。
3. 在Ala3Gaa7N勢壘層3上制作掩膜，并使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在其兩端淀積金屬， 再在N2氣氛中進(jìn)行快速熱退火，制作源極4和漏極5，其中所淀積的金屬為Ti/Al/Ti/Au 金屬組合，金屬層厚度為0.03pm/0.1pm/0.06nm/0.05nm。淀積金屬采用的工藝條件為 真空度小于1.8xlO—3Pa，功率范圍為200~1000W，蒸發(fā)速率小于3A/s;快速熱退火采用 的工藝條件為溫度為865。C，時(shí)間為30s。
4. 在Ala3Gaa7N勢壘層3上制作掩膜，使用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在源極4和漏極5之 間的勢壘層上刻蝕出凹槽6，該凹槽深度D為、22nm。刻蝕凹槽采用的工藝條件為反應(yīng) 氣體Cl2的流量為5sccm，壓力為10mT，功率為100W。
5. 在AlG.3GaG.7N勢壘層3上制作掩膜，并使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在凹槽6中淀積金屬， 制作槽柵7，其中所淀積的金屬采用Ni/Au金屬組合，金屬厚度為0.02pm/0.3pm，該槽 柵7與凹槽6兩端的間距分別為Rl與R2， Rl與R2的長度均為0.8pm。淀積金屬采用 的工藝條件為真空度小于1.2xl(T3Pa，功率范圍為200~700W，蒸發(fā)速率小于2A/s。
6. 使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)在源極、漏極和槽柵的外圍區(qū)域淀積厚度為
流量分別為2.5sccm、卯Osccm和200sccm，溫度、RF功率和壓力分別為300°C、 25W和 900mT。7. 在SiN鈍化層8上制作掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極與漏極之間的鈍化層上 淀積厚度為0.1pm/1.9pm的Ni/Au金屬組合，以制作源場板9及兩個(gè)浮空場板10，該源 場板的有效長度LO為1.8nm兩個(gè)浮空場板的長度Ll均為2.5pm，源場板與第一個(gè)浮 空場板之間的距離Sl為0.57nm,源場板與第二個(gè)浮空場板之間的距離S2為4.2pm。淀 積金屬采用的工藝條件為真空度小于1.8x10—3Pa，功率范圍為200 700W,蒸發(fā)速率小 于3A/s。將源場板9與源極4電氣連接。
8. 使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)分別覆蓋源場板9和各浮空場板10，以及鈍 化層8上的其它區(qū)域，以制作厚度為2.3pm的Si02保護(hù)層11。淀積保護(hù)層采用的工藝條 件為氣體為N20及SiH4，氣體流量分別為800sccm和150sccm，溫度、RF功率和壓力 分別為250'C、 25W和1000mT。
實(shí)施例三
制作襯底為硅，鈍化層為八1203，保護(hù)層為SiN，源場板和各浮空場板為Pt/Au金屬
組合的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其過程是
1. 使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)在硅襯底1上外延厚度為5pm的未摻雜過渡層 2，該過渡層自下而上由厚度為125nm的A1.N材料和厚度為4.875nm的GaN材料構(gòu)成。 外延下層A1N材料采用的工藝條件為溫度為860°C，壓力為50Torr，氫氣流量為 4900sccm，氨氣流量為4900sccm，鋁源流量為35pmol/min;外延上層GaN材料采用的 工藝條件為溫度為1050。C，壓力為50Torr，氫氣流量為4900sccm，氨氣流量為4900sccm, 鎵源流量為160|amol/min。
2. 使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技術(shù)在GaN過渡層2上淀積厚度為10nm，且鋁組 分為0.5的未摻雜Alo.5Gao.5N勢壘層3。采用的工藝條件為溫度為97(fC，壓力為50Torr， 氫氣流量為4卯0sccm，氨氣流量為4900sccm，鎵源流量為10nmol/min，鋁源流量為 10,ol/min。
3. 在AlQ.5Gao.5N勢壘層3上制作掩膜，并使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在其兩端淀積金屬， 再在N2氣氛中進(jìn)行快速熱退火，制作源極4和漏極5，其中所淀積的金屬為Ti/Al/Ti/Au 金屬組合，金屬層厚度為0.04pm/0.17pm/0.12iam/0.1pm。淀積金屬采用的工藝條件為 真空度小于1.8xlO—3Pa，功率范圍為200~1000W，蒸發(fā)速率小于3A/s;快速熱退火采用 的工藝條件為溫度為865。C，時(shí)間為30s。
4. 在Ala5Gaa5N勢壘層3上制作掩膜，使用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在源極4和漏極5之 間的勢壘層上刻蝕出凹槽6，該凹槽深度D為2nm。刻蝕凹槽采用的工藝條件為反應(yīng)氣體Cl2的流量為5sccm，壓力為10mT,功率為100 W。
5. 在Alo.sGao.sN勢壘層3上制作掩膜，并使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在凹槽6中淀積金屬， 制作槽柵7，其中所淀積的金屬采用Ni/Au金屬組合，金屬厚度為0.04|am/0.4|am，該槽 柵7與凹槽6兩端的間距分別為Rl與R2， Rl與R2的長度均為3.0pm。淀積金屬采用 的工藝條件為真空度小于1.2xlO—3Pa，功率范圍為200 700W，蒸發(fā)速率小于2A/s。
6. 使用原子層淀積技術(shù)在源極、漏極和槽柵的外圍區(qū)域淀積厚度為0.6pm的A1203 鈍化層8。淀積鈍化層釆用的工藝條件為'以TMA和H20為反應(yīng)源，載氣為N2，載氣 流量為200sccm，襯底溫度為300'C，氣壓為700Pa。
7. 在八1203鈍化層8上制作掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極與漏極之間的鈍化層上 淀積厚度為0.6pm/7.4nm的Pt/Au金屬組合，以制作源場板9及三個(gè)浮空場板10，該源 場板的有效長度LO為7pm，三個(gè)浮空場板的長度Ll均為7pm，源場板與第一個(gè)浮空場 板之間的距離Sl為2.3pm，源場板與第二個(gè)浮空場板之間的距離S2為14pm，源場板與 第三個(gè)浮空場板之間的距離S3為30pm。淀積金屬采用的工藝條件為真空度小于 1.8x10—3Pa，功率范圍為20(K1000W,蒸發(fā)速率小于3A7s。將源場板9與源極4電氣連接。
8. 使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)分別覆蓋源場板9和各浮空場板10，以及鈍 化層8上的其它區(qū)域，以制作厚度為8.2(^i的SiN保護(hù)層11。淀積保護(hù)層采用的工藝條 件為氣體為NHs、 N2&SiH4，氣體流量分別為2.5sccm、 900sccm和200sccm，溫度、 RF功率和壓力分別為300°C、 25W和900mT。
實(shí)施例四
制作襯底為藍(lán)寶石，鈍化層為Si02，保護(hù)層為A1203，源場板和各浮空場板為Ti/Mo/Au 金屬組合的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其過程是
1. 與實(shí)施例一的過程l相同；
2. 與實(shí)施例一的過程2相同；
3. 與實(shí)施例一的過程3相同；
4. 與實(shí)施例一的過程4相同；
5. 與實(shí)施例一的過程5相同；
6. 與實(shí)施例一的過程6相同；
7. 在Si02鈍化層8上制作掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極與漏極之間的鈍化層上 淀積厚度為0.01|im/0.04nm/0.2pm的Ti/Mo/Au金屬組合，以制作源場板9及五個(gè)浮空場板10，該源場板的有效長度L0和五個(gè)浮空場板的長度Ll均為0.3Mm，源場板與第一個(gè) 浮空場板之間的距離Sl為0.07(_im，源場板與第二個(gè)浮空場板之間的距離S2為0.5pm， 源場板與第三個(gè)浮空場板之間的距離S3為1.07pm,源場板與第四個(gè)浮空場板之間的距 離S4為1.93nm，源場板與第五個(gè)浮空場板之間的距離S5為3.36^m。淀積金屬采用的 工藝條件為真空度小于1.8xlO—3Pa，功率范圍為200~1800W，蒸發(fā)速率小于3A/s。將 源場板9與源極4電氣連接。
8.使用原子層淀積技術(shù)分別覆蓋源場板9和各浮空場板10，以及鈍化層8上的其它 區(qū)域，以制作厚度為0.3nm的Al2O3保護(hù)層11。淀積保護(hù)層采用的工藝條件為以TMA 和H20為反應(yīng)源，載氣為N2，載氣流量為200sccm,襯底溫度為30(TC，氣壓為700Pa。
實(shí)施例五
制作襯底為碳化硅，鈍化層為SiN，保護(hù)層為SiN，源場板和各浮空場板為Ti/Ni/Au 金屬組合的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其過程是
l.與實(shí)施例二的過程1相同;
2.與實(shí)施例二的過程2相同;
3.與實(shí)施例二的過程3相同;4.與實(shí)施例二的過程4相同;
5.與實(shí)施例二的過程5相同;
6.與實(shí)施例二的過程6相同;
7. 在SiN鈍化層8上制作掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極與漏極之間的鈍化層上 淀積厚度為0.25|am/0.35|am/3.4nm的Ti/Ni/Au金屬組合，以制作源場板9及兩個(gè)浮空場 板10，該源場板的有效長度LO為1.5pm，兩個(gè)浮空場板的長度L1均為l)am，源場板與 第一浮空場板之間的距離Sl為l.lpm，源場板與第二浮空場板之間的距離S2為4.3pm。 淀積金屬采用的工藝條件為真空度小于1.8xl(^Pa，功率范圍為200 700W，蒸發(fā)速率 小于3A/s。將源場板9與源極4電氣連接。
8. 使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)分別覆蓋源場板9和各浮空場板10，以及鈍 化層8上的其它區(qū)域，以制作厚度為4.2pm的SiN保護(hù)層11。淀積保護(hù)層采用的工藝條 件為氣體為NH3、 N2及SiH4，氣體流量分別為2.5sccm、 900sccm和200sccm，溫度、 RF功率和壓力分別為300°C、 25W和900mT。
實(shí)施例六制作襯底為硅，鈍化層為A1203，保護(hù)層為Si02，源場板和各浮空場板為Ti/Pt/Au 金屬組合的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其過程是
1. 與實(shí)施例三的過程l相同；
2. 與實(shí)施例三的過程2相同；
3. 與實(shí)施例三的過程3相同；
4. 與實(shí)施例三的過程4相同；
5. 與實(shí)施例三的過程5相同；
6. 與實(shí)施例三的過程6相同；
7. 在Al203鈍化層8上制作掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)在源極與漏極之間的鈍化層上 淀積厚度為0.5^m/0.8pm/6.7iam的Ti/Pt/Au金屬組合，以制作源場板9及三個(gè)浮空場板 10，該源場板的有效長度LO為7pm,三個(gè)浮空場板的長度Ll均為7pm，源場板與第一 個(gè)浮空場板之間的距離Sl為2.3Mm，源場板與第二個(gè)浮空場板之間的距離S2為14pm， 源場板與第三個(gè)浮空場板之間的距離S3為30pm。淀積金屬采用的工藝條件為真空度 小于1.8xlO-3Pa，功率范圍為200 畫W，蒸發(fā)速率小于3A/s。將源場板9與源極4電 氣連接。
8. 使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)分別覆蓋源場板9和各浮空場板10，以及鈍 化層8上的其它區(qū)域，以制作厚度為8.2)nm的Si02保護(hù)層11。淀積保護(hù)層采用的工藝條 件為氣體為N20及SiH4，氣體流量分別為800sccm和150sccm，溫度、RF功率和壓力 分別為250。C、 25W和1000mT。
本發(fā)明的效果可通過圖4和圖5進(jìn)一步說明。
圖4給出了采用Ala26Gaa74N/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)時(shí)，采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率 器件與本發(fā)明采用兩個(gè)浮空場板的器件在Alo.26Gao.74N勢壘層中的電場仿真圖，由該圖可 以看出，采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率器件在勢壘層中的電場曲線只形成了 2個(gè)近似 相等的電場峰值，其在勢壘層中的電場曲線所覆蓋的面積很小，而本發(fā)明器件在勢壘層 中的電場曲線形成了 4個(gè)近似相等的電場峰值，使得本發(fā)明器件在勢壘層中的電場曲線 所覆蓋的面積大大增加，由于在勢壘層中的電場曲線所覆蓋的面積近似等于器件的擊穿 電壓，說明本發(fā)明器件的擊穿電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率器件的擊穿
圖5給出了采用Ala26Ga().74N/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)時(shí)，采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率器件與本發(fā)明采用兩個(gè)浮空場板的器件的擊穿仿真圖，由該圖可以看出，采用傳統(tǒng)源場 板的高電子遷移率器件的擊穿曲線中發(fā)生擊穿，即漏極電流迅速增加時(shí)的漏源電壓大約 在610V，而本發(fā)明器件的擊穿曲線中發(fā)生擊穿時(shí)的漏源電壓大約在1430V，證明本發(fā)明 器件的擊穿電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于采用傳統(tǒng)源場板的高電子遷移率器件的擊穿電壓，該圖5的結(jié) 論與圖4的結(jié)論相一致。
對于本領(lǐng)域的專業(yè)人員來說，在了解了本發(fā)明內(nèi)容和原理后，能夠在不背離本發(fā)明 的原理和范圍的情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修正和改變，但是 這些基于本發(fā)明的修正和改變?nèi)栽诒景l(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種槽柵型源場板高電子遷移率器件，包括襯底(1)、過渡層(2)、勢壘層(3)、源極(4)、漏極(5)、槽柵(7)、鈍化層(8)、源場板(9)和保護(hù)層(11)，該槽柵(7)位于勢壘層的凹槽(6)中，該源場板(9)與源極(4)電氣連接，其特征在于，鈍化層(8)上淀積有n個(gè)浮空場板(10)，n≥1，這些浮空場板與源場板位于同一層面上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其特征在于每個(gè)浮空場板 大小相同，相互獨(dú)立，且與源場板(9)的厚度相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其特征在于源場板與 其最鄰近的浮空場板之間的距離為0.07 2.3pm，相鄰兩浮空場板之間的間距按照浮空場 板排列自源場板到漏極方向的個(gè)數(shù)依次遞增。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其特征在于每個(gè)浮空 場板(IO)的厚度均為0.25~8pm，長度均為0.3~7pm，源場板(9)的有效長度為0.3~7pm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的槽柵型源場板高電子遷移率器件，其特征在于凹槽(6)的 深度D小于勢壘層的厚度，槽柵(7)與凹槽(6)兩端的間距分別為Rl與R2， Rl與 R2的長度相等且均為0~3|_mi。
6. —種制作槽柵型源場板高電子遷移率器件的方法，包括如下步驟步驟l，選擇藍(lán)寶石或碳化硅或硅或其它外延襯底材料作為襯底(1)，在襯底(1) 上外延III-V族化合物半導(dǎo)體材料的過渡層(2)作為器件的工作區(qū)；步驟2，在過渡層(2)上淀積III-V族^h合物半導(dǎo)體材料的勢壘層(3);步驟3，在勢壘層(3)上第一次制作掩膜，并在勢壘層(3)的兩端淀積金屬，再在 N2氣氛中進(jìn)行快速熱退火，分別制作源極(4)和漏極(5);步驟4，在勢壘層(3)上第二次制作掩膜，并在源極(4)和漏極(5)之間的勢壘 層(3)刻蝕出凹槽(6);步驟5，在勢壘層(3)上第三次制作掩膜，并在凹槽(6)中淀積金屬，制作槽柵(7)， 該槽柵與凹槽(6)兩端的間距分別為R1與R2， Rl與R2的長度相等且均為0~3pm;步驟6，在源極、漏極和槽柵的外圍區(qū)域淀積鈍化層(8);步驟7，在鈍化層(8)上制作掩膜，利用該掩膜在源極與漏極之間的鈍化層上淀積 金屬，以制作厚度均為0.25~8^im的源場板(9)及n個(gè)浮空場板(10)，論l，并將源場 板(9)與源極(4)電氣連接；步驟8，淀積保護(hù)層(11)，即用絕緣介質(zhì)材料分別覆蓋源場板(9)和各浮空場板 (10)，以及鈍化層(8)上的其它區(qū)域。.
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于在鈍化層(8)上制作掩膜，是按照源場 板(9)與其最鄰近的浮空場板之間的距離為0.07lam 2.3pm，且相鄰兩浮空場板之間的 間距按照浮空場板排列自源場板到漏極方向的個(gè)數(shù)依次遞增的位置關(guān)系設(shè)置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于在源極與漏極之間的鈍化層上淀積金屬制 作厚度均為0.25 8pm的源場板及各浮空場板，采用兩層或三層金屬層的組合，且下層金 屬厚度要小于上層金屬厚度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于三層金屬組合采用Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au 或Ti/Pt/Au，其厚度為0.01 0.5pm/0.04~0.8nm/0.2~6.7pm。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于兩層金屬組合采用Ti/Au或Ni/Au或 Pt/Au，其厚度為0.03~0,6}im/0.22~7.4nm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種槽柵型源場板高電子遷移率器件及其制作方法，該器件自下而上包括襯底(1)、過渡層(2)、勢壘層(3)、源極(4)、漏極(5)、槽柵(7)、鈍化層(8)、源場板(9)和保護(hù)層(11)，該槽柵(7)位于勢壘層的凹槽(6)中，該源場板(9)與源極(4)電氣連接，其中，鈍化層(8)上淀積有n個(gè)浮空場板(10)，這些浮空場板與源場板位于同一層面上。每個(gè)浮空場板大小相同，相互獨(dú)立，相鄰兩浮空場板之間的間距按照浮空場板排列自源場板到漏極方向的個(gè)數(shù)依次遞增。n個(gè)浮空場板與源場板在鈍化層上一次工藝完成。本發(fā)明具有工藝簡單、輸出功率高和可靠性好的優(yōu)點(diǎn)，可制作基于化合物半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)的微波功率器件。
文檔編號H01L21/02GK101419982SQ20081023251
公開日2009年4月29日 申請日期2008年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月1日
發(fā)明者翠 楊, 維 毛, 過潤秋, 躍 郝 申請人:西安電子科技大學(xué)