專利名稱：利用燒結(jié)爐通過二次燒結(jié)規(guī)?；a(chǎn)的晶硅太陽電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
利用燒結(jié)爐通過二次燒結(jié)規(guī)模化生產(chǎn)的晶硅太陽電池 技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種晶硅太陽電池。
技術(shù)背景-
人類的發(fā)展將面臨著常規(guī)能源的短缺和溫室效應嚴重挑戰(zhàn)，二次能 源，太陽能發(fā)電將有可能成為重要的替代能源。目前晶硅太陽電池推廣 應用的主要障礙是效率偏低，成本高。提高效率降低成本，是廣大科技 工作者的神圣職責。
目前國內(nèi)外晶硅太陽電池在絲網(wǎng)印刷燒結(jié)工藝中都采用一次共燒 工藝，在一次燒結(jié)中要圓滿完成多種任務正面電極、背面電極形成良 好的歐姆接觸；氮化硅薄膜對晶體缺陷和襯底重金屬粒子形成良好的鈍 化；鋁背場在電池的背面形成P+層的最佳厚度，對襯底具有良好的吸雜 作用。(隨著硅片越來越薄，吸雜效果也越來越明顯，效率提高的幅度 也越大)為完成多種任務，選擇燒結(jié)工藝為最佳折衷方案。實踐中發(fā)現(xiàn)， 一次燒結(jié)產(chǎn)品還存在著一些不足。
發(fā)明內(nèi)容.-
本實用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)合理，工作效率高的利用燒結(jié) 爐通過二次燒結(jié)規(guī)?；a(chǎn)的晶硅太陽電池。 本實用新型的技術(shù)解決方案是
一種利用燒結(jié)爐通過二次燒結(jié)規(guī)?；a(chǎn)的才晶硅太陽電池，其特征是包括P型襯底層，P型襯底層一側(cè)設置絨面N型層，在絨面N型層與P型襯底層之間設置PN結(jié)，P型襯底層另一側(cè)設置P+層，在絨面N型層外側(cè)設置氮化硅薄膜層，在氮化硅薄膜表面設置伸入絨面N型層的正面柵線，在P+層外側(cè)設置鋁漿層，在鋁漿層表面設置背電極，
P+層的厚度為5 10um。
本實用新型結(jié)構(gòu)合理，電池效率比共燒工藝制造的提高0.25-0.6%，
本實用新型適合于規(guī)?；a(chǎn)。


以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。圖1是本實用新型一個實施例的結(jié)構(gòu)示圖。
具體實施方式
一種利用燒結(jié)爐通過二次燒結(jié)規(guī)?；a(chǎn)的才晶硅太陽電池，包括
P型襯底層5， P型襯底層5—側(cè)設置絨面N型層3，在絨面N型層與P型襯底層之間設置PN結(jié)4， P型襯底層另一側(cè)設置P+層6，在絨面N型層外側(cè)設置氮化硅薄膜層2，在氮化硅薄膜表面設置伸入絨面N型層的正面柵線l，在P+層外側(cè)設置鋁漿層7，在鋁漿層表面設置背電極8，P+層的厚度為5 10um。
權(quán)利要求1、一種利用燒結(jié)爐通過二次燒結(jié)規(guī)?；a(chǎn)的才晶硅太陽電池，其特征是包括P型襯底層，P型襯底層一側(cè)設置絨面N型層，在絨面N型層與P型襯底層之間設置PN結(jié)，P型襯底層另一側(cè)設置P+層，在絨面N型層外側(cè)設置氮化硅薄膜層，在氮化硅薄膜表面設置伸入絨面N型層的正面柵線，在P+層外側(cè)設置鋁漿層，在鋁漿層表面設置背電極，P+層的厚度為5～10μm。
專利摘要本實用新型公開了一種利用燒結(jié)爐通過二次燒結(jié)規(guī)?；a(chǎn)的晶硅太陽電池，包括P型襯底層，P型襯底層一側(cè)設置絨面N型層，在絨面N型層與P型襯底層之間設置PN結(jié)，P型襯底層另一側(cè)設置P⁺層，在絨面N型層外側(cè)設置氮化硅薄膜層，在氮化硅薄膜表面設置伸入絨面N型層的正面柵線，在P⁺層外側(cè)設置鋁漿層，在鋁漿層表面設置背電極，P⁺層的厚度為5～10μm。本實用新型結(jié)構(gòu)合理，電池效率比共燒工藝制造的提高0.25-0.6％，本實用新型適合于規(guī)模化生產(chǎn)。
文檔編號H01L31/06GK201270257SQ20082016004
公開日2009年7月8日 申請日期2008年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月25日
發(fā)明者傅建奇, 吳現(xiàn)實, 王栩生, 王玉亭, 高周妙 申請人:江蘇林洋新能源有限公司;江蘇林洋太陽能電池及應用工程技術(shù)研究中心有限公司