專(zhuān)利名稱(chēng)：化合物半導(dǎo)體層疊體及其制造方法以及半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體層疊體及其制造方法以及半導(dǎo)體
器件，更詳細(xì)地講，是涉及在Si基板上形成有化合物半導(dǎo)體活
性層的化合物半導(dǎo)體層疊體及其制造方法、采用化合物半導(dǎo)體 層疊體的電子器件、磁性傳感器、霍爾元件、光器件中的任一 個(gè)半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
化合物半導(dǎo)體層疊體大多用于工業(yè)，將InSb用作活性層的 霍爾元件、磁阻效應(yīng)元件等磁性傳感器已經(jīng)被實(shí)用化。并且， 近年來(lái)，除采用InSb的紅外傳感器之外，對(duì)應(yīng)用于晶體管進(jìn)行 了廣泛的研究。另外，以GaN等氮化物為活性層，光器件也被 實(shí)用化。
由于體的單晶難以生產(chǎn)，因此，這些InSb、 GaN等化合物 半導(dǎo)體通常采用在GaAs基板、Si、藍(lán)寶石基板上薄膜化而成的 材料。
Si基板的直徑大于GaAs基板、藍(lán)寶石基板的直徑，市場(chǎng)中 穩(wěn)定地供給有價(jià)格非常低的材料。另外，在考慮到晶體管應(yīng)用 的情況下，為了集成化，在Si基板上的生長(zhǎng)也很重要。
化合物半導(dǎo)體膜形成于Si基板在技術(shù)上較為困難。例如以 InSb為例，像專(zhuān)利文獻(xiàn)l中公開(kāi)的那樣，需要復(fù)雜的工序。即， 首先以Si為氫終端，在真空中且在低溫下形成In等基底層。接 著，在該基底層上形成由In、 Sb構(gòu)成的預(yù)備堆積層。并且，在 比形成這些層的溫度更高的溫度下，在預(yù)備堆積層上形成InSb 膜，是非常復(fù)雜的。并且，由這樣的方法獲得的InSb膜在特性上不充分，在 4pm的厚度條件下，電子遷移率(mobility)是高到50000cm2 / Vs的值，但霍爾系數(shù)為320cm3/ C ~ 480cm3/ C左右。
通常，半導(dǎo)體膜的性能以霍爾系數(shù)除以膜厚而得到的值來(lái) 評(píng)價(jià)。在除以膜厚時(shí)，其特性為800000cm2/C ~ 1200000cm2 /C。該數(shù)值表示含有很多導(dǎo)致缺陷的載流子。能夠應(yīng)用于利 用較高的電子遷移率的》茲阻效應(yīng)元件， <旦難以應(yīng)用于由于存在 缺陷而會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題的霍爾元件、晶體管等。另外，對(duì)于磁阻效 應(yīng)元件，也公知有在摻雜n型摻雜劑時(shí)能夠改善溫度特性的磁 阻效應(yīng)元件，但由于原來(lái)的載流子較多，因此，在摻雜時(shí)導(dǎo)致 磁阻過(guò)小，在上述InSb膜中，實(shí)質(zhì)上難以通過(guò)摻雜來(lái)改善溫度 特性。
作為上述情況的對(duì)策，例如像專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的那樣， 首先在Si基板上形成GaAs層，通過(guò)在該GaAs層上形成InSb 膜，在lpm的條件下霍爾系數(shù)約為370cm3/C,在除以膜厚時(shí)， 能夠?qū)nSb膜的特性大幅度地改善為3700000cm2/ C。但是， 為了在Si基板上形成GaAs層，需要比形成InSb膜的溫度更高 的溫度，為了應(yīng)用于晶體管等，優(yōu)選在Si基板上直接形成InSb 膜。另外，在考慮到GaN在Si基板上生長(zhǎng)的情況下，在二者之 間存在GaAs的情況下，GaN的生長(zhǎng)溫度高于GaAs的生長(zhǎng)溫度， 導(dǎo)致GaAs層熱劣化，因此，優(yōu)選在Si上直接形成GaN膜。如上 所述，需要在Si基板上直接形成作為優(yōu)質(zhì)的活性層的化合物半 導(dǎo)體，但在以往技術(shù)中較為困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是鑒于這樣的情況而做成的，其目的在于提供能 夠在Si基板上直接形成InSb、 GaN等化合物半導(dǎo)體膜的、在工
6業(yè)上謀求開(kāi)發(fā)應(yīng)用于霍爾元件、磁阻元件等磁性傳感器、紅外 傳感器等光器件、晶體管等電子器件的化合物半導(dǎo)體層疊體及 其制造方法以及半導(dǎo)體器件。
專(zhuān)利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)平7 - 249577號(hào)/>才艮
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:國(guó)際7^開(kāi)W02004/ 077585號(hào)小冊(cè)子
非專(zhuān)利文獻(xiàn)1 : 1996年的National Technical Report
Vol.42 No.4 P84 - P92的P86
非專(zhuān)利文獻(xiàn)2:表面科學(xué)Vo1.20、 No.l0pp680 — 684( 1999 ) 發(fā)明人基于進(jìn)行深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，首先在以氫為終端
的Si基板上先行照射As,接著向上述Si基板上照射化合物半導(dǎo)
體構(gòu)成物質(zhì)，從而能夠在Si基板上形成極為優(yōu)質(zhì)的化合物半導(dǎo) 體膜。
以InSb膜為例，通常在Si基板上形成InSb膜的情況下，例 如像非專(zhuān)利文獻(xiàn)l所公開(kāi)的那樣，在單純的1階段生長(zhǎng)中只形成
多晶膜，但能夠確認(rèn)，只要采用本發(fā)明的制造方法，不論是在 生長(zhǎng)過(guò)程中基板溫度恒定的1階段生長(zhǎng)，還是以低溫進(jìn)行初期 生長(zhǎng)的2階段生長(zhǎng)，都能獲得單晶化的優(yōu)質(zhì)的InSb膜，以實(shí)現(xiàn) 本發(fā)明。
本發(fā)明即是為了達(dá)到這樣的目的而做成的，本發(fā)明的化合 物半導(dǎo)體層疊體是在Si基板上直接形成不含有As的化合物半 導(dǎo)體而成，其特征在于，在上述化合物半導(dǎo)體層與上述Si基板 的界面存在As。
其特征還在于，上述化合物半導(dǎo)體層為活性層。
其特征還在于，上述化合物半導(dǎo)體為InxGayAlzSb( x、 y、 z: 0以上且1以下)。
其特征還在于，上述化合物半導(dǎo)體為InxGayAlzN ( x、 y、 z: 0以上且1以下)。其特征還在于，上述化合物半導(dǎo)體至少含有氮。 其特征還在于，上述化合物半導(dǎo)體為單晶薄膜。
其特征還在于，上述Si基板為體(bulk)單晶基板或最上 層為Si的薄膜基板。
其特征還在于，上述活性層的膜厚為0.1nm以上且5pm以下。
其特征還在于，化合物半導(dǎo)體層疊體的表面積為15cm"V、上。
其特征還在于，所有位置上的化合物半導(dǎo)體層的晶體質(zhì)量 均勻。
另外，在本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法中，在 Si基板上形成化合物半導(dǎo)體，其特征在于，使上述Si基板以氫 為終端，接著向該Si基板上先行照射As,接著照射化合物半導(dǎo) 體的構(gòu)成物質(zhì)而形成化合物半導(dǎo)體。
另外，在化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法中，在Si基板上 形成化合物半導(dǎo)體，其特征在于，使上述Si基板以氫為終端， 接著不向該Si基板上直接照射As而使氣氛中存在As,接著照射 化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成物質(zhì)而形成化合物半導(dǎo)體。
其特征還在于，在向Si基板照射上述化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成 物質(zhì)而形成薄膜之后，使上述Si基板的溫度上升，接著照射上 述化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成物質(zhì)。
其特征還在于，上述Si基板為體單晶基板或最上層為Si的 薄膜基板。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的特征在于，在上述化合物半 導(dǎo)體層疊體上形成歐姆電極。
其特征還在于，上述半導(dǎo)體器件是電子器件、磁性傳感器、 霍爾元件、光器件中的任一個(gè)。在本發(fā)明中，即使在l階段生長(zhǎng)中也能獲得極為優(yōu)質(zhì)的化
合物半導(dǎo)體膜的理由， 一般認(rèn)為是由先行照射的As存在于化合物半導(dǎo)體膜與Si基板的界面引起的。As先行照射，無(wú)論是否在InSb成膜之前停止供給As,在對(duì)獲得的化合物半導(dǎo)體膜進(jìn)行深度方向上的元素解析時(shí)，都能夠確認(rèn)在化合物半導(dǎo)體與Si的界面含有As。還能夠確認(rèn)，即使不向該Si基板上直接照射As而僅使氣氛中存在As，也同樣在化合物半導(dǎo)體與Si的界面含有As。另外，在利用高分辨率透射電子束衍射法(HRTEM; High-resolution transmission electron microscopy )進(jìn)行截面評(píng)價(jià)時(shí)，通常的l階段生長(zhǎng)的物質(zhì)自Si基板與化合物半導(dǎo)體膜的界面起已經(jīng)是多晶，此外還發(fā)現(xiàn)了許多缺陷，但對(duì)于先行照射As而形成的化合物半導(dǎo)體膜，S i基板與化合物半導(dǎo)體膜的界面以原子等級(jí)順暢的結(jié)合，在界面未發(fā)現(xiàn)非晶質(zhì)、多晶。另外，與不先行照射As相比，顯示出缺陷也顯著減少的傾向。由此， 一般認(rèn)為As使化合物半導(dǎo)體膜與Si基板的界面良好。
對(duì)于本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體活性層，InSb、 GaSb、 AlSb、InxGayAlzSb ( x、 y、 z: 0以上且1以下)、GaN、 A1N、 InN、InxGayAlzN ( x、 y、 z: 0以上且1以下)、InxGal - xN ( O以上且0.3以下)、InP、 GaP、 A1P、 InN、 InxGayAlzP ( x、 y、z: 0以上且1以下)等是優(yōu)選的例子。
本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體膜的厚度并沒(méi)有特別的限定，通常為0.1^im以上且5pm以下，優(yōu)選為0.2(im以上且4(im以下，更優(yōu)選為0.3(im以上且3^im以下，最優(yōu)選為0.35pm ~ 1.5nm?；宀牧蠟镾i的體單晶基板或最上層為Si的薄膜基板，(111 )、(100)是優(yōu)選的晶面方向。
Si單晶層需要以氫為終端。對(duì)于以氫為終端的方法并沒(méi)有特別的限制，但如非專(zhuān)利文獻(xiàn)2等所示，通常，氫終端處理是一般通過(guò)將清洗后的Si基板浸漬于氟化銨水溶液、氟化氫水溶液來(lái)進(jìn)行的。
化合物半導(dǎo)體單晶膜是指，S i基板的晶面方向和化合物半導(dǎo)體膜的晶面方向在與基板平行、垂直的方向上均相同。通常，由高分辨率X射線衍射法、高分辨率透射電子束衍射法
(HRTEM ; High - resolution transmission electronmicroscopy)能夠確認(rèn)為單晶膜。
一般認(rèn)為，化合物半導(dǎo)體膜和Si基板的界面處的As,與Si或者化合物半導(dǎo)體的III族元素結(jié)合。在本發(fā)明中，表現(xiàn)為無(wú)論在界面是否存在As都在Si上直接形成，但其意思是指，并不是第3層的化合物半導(dǎo)體以恒定以上的厚度形成為層狀這樣的3層構(gòu)造。 一般認(rèn)為，在3層構(gòu)造的情況下，各層的最小厚度只有達(dá)到至少晶格常數(shù)的10倍程度以上，才能體現(xiàn)層的功能，大多將厚度為10nm以上的判斷為層，但存在于本發(fā)明的界面中的As不僅是層狀，有時(shí)也局部存在。通常，在由HRTEM觀察Si與化合物半導(dǎo)體基板的界面的情況下，也包括基板的臺(tái)階在內(nèi)存在幾個(gè)原子層，將厚度為2nm左右的區(qū)域認(rèn)為是界面，在該范圍內(nèi)局部存在As。
對(duì)于在化合物半導(dǎo)體與Si的界面存在As的確認(rèn)可以利用二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)來(lái)確認(rèn)。在SIMS中，界面的位置通常定義為化合物半導(dǎo)體膜的構(gòu)成元素的強(qiáng)度為l / 2的點(diǎn)、或者Si的強(qiáng)度為l/2的點(diǎn)、或者取這2點(diǎn)的中點(diǎn)的情況下、在界面中明顯存在許多的元素(通常，在由MBE、蒸鍍形成的化合物半導(dǎo)體與基板的界面含有許多C、 O)的強(qiáng)度最大的點(diǎn)。在解析本發(fā)明的構(gòu)造的情況下，通常在上述通常定義的界面中的任一界面附近觀察到As的極大值，但根據(jù)測(cè)定條件，也存在As的極大值偏離上述定義的界面地顯現(xiàn)的情況。在這種情況下，
10也能夠判斷為在活性層存在As。
界面中是否存在As的判定，在界面中的As的強(qiáng)度高于化合物半導(dǎo)體膜中的As強(qiáng)度的情況下，能夠判斷為在界面存在As。界面中的As強(qiáng)度高于化合物半導(dǎo)體膜中的As強(qiáng)度的判定，例如能夠通過(guò)在數(shù)值上界面的As強(qiáng)度高于對(duì)界面附近的化合物半導(dǎo)體膜中的As的平均強(qiáng)度加上由統(tǒng)計(jì)變動(dòng)產(chǎn)生的偏差的標(biāo)準(zhǔn)偏差o的2倍后的值來(lái)判定。但是，實(shí)際上，即使在其小于加上cj的2倍后的值的情況下，只要將SIMS數(shù)據(jù)圖表化而通過(guò)目測(cè)判斷，判斷為As高于活性層，就能夠判斷為在界面存在As。平均強(qiáng)度是在化合物半導(dǎo)體中的As分布變化不大而大致恒定的區(qū)域中求得。
另外，由于因噪音等而有時(shí)強(qiáng)度也較高，因此，需要排除這樣的噪音，在這樣的噪音的情況下，僅在l點(diǎn)變高的概率較高，因此，例如在僅在1點(diǎn)或2點(diǎn)強(qiáng)度變高的情況下，能夠判斷為噪音。
SIMS的裝置及測(cè)定條件例如為ATOMIKA公司制SIMS4100, l次離子種類(lèi)為Cs+,加速能量為2keV, l次離子電流為8nA， l次離子束入射角度為60deg (垂直為0)，掃描寬度為200)im,檢測(cè)離子種類(lèi)為As與構(gòu)成化合物半導(dǎo)體的元素的離子、構(gòu)成基板的元素的離子、或者它們的團(tuán)簇離子、l次離子團(tuán)簇而成的團(tuán)簇離子(cluster ion),例如在化合物半導(dǎo)體膜為InSb、基板為Si的情況下為75As-、 121Sb-、 "Si2—等，例如在化合物半導(dǎo)體膜為GaN、基板為Si的情況下為"CT 、 133Cs14N+ 、 133Csi60+、 133Cs28Si+、 133Cs69Ga+、 "3Cs 5As+等。例如為CAMECA公司制IMS - 6f型，l次離子種類(lèi)為Cs + ，射束電流約為30nA,加速電壓為3kV,掃描區(qū)域?yàn)?25 ( |am x )，檢測(cè)區(qū)域(J)30|im, 4全測(cè)離子為As與構(gòu)成化合物半導(dǎo)體的元素的離子、構(gòu)成基板的元素的離子、或者它們的團(tuán)簇離子、1
次離子團(tuán)簇而成的團(tuán)簇離子，例如在化合物半導(dǎo)體膜為InSb、基板為Si的情況下為133Cs75As+、 i33Cs160+、 133Cs113In+、i33Cs121Sb + 、 i33Cs3osi +等。例如為ULVAC PHI公司制ADEPT 1010, l次離子種類(lèi)為Cs+,加速能量為250eV, l次離子電流為25nA,入射角度為75deg (垂直為O),掃描寬度為500pm,檢測(cè)離子種類(lèi)為As與構(gòu)成化合物半導(dǎo)體的元素的離子、構(gòu)成基板的元素的離子、或者它們的團(tuán)簇離子、l次離子團(tuán)簇而成的團(tuán)簇離子，例如在化合物半導(dǎo)體膜為InSb、基板為Si的情況下為"As—、 12iSb_、 soSi^等是代表性的例子，但并不僅限定于上述內(nèi)容。
另外，根據(jù)元件的大小、構(gòu)造，存在無(wú)法采用上述條件作為SIMS的測(cè)定條件的情況。在這種情況下，只要是以盡量低的能量在界面的As分布未擴(kuò)散的條件下，能夠檢測(cè)可監(jiān)控In、Sb、 Si、 As的分布的離子的條件即可。
As的先行照射時(shí)間(僅照射As的時(shí)間)沒(méi)有上限，通常大多采用0.5秒以上且60秒以下。通常，在照射As之前，在高溫下處理以氫為終端的基板而去除氫，獲得清潔的Si再排列表面而在其上形成化合物半導(dǎo)體，但在本發(fā)明中要點(diǎn)在于，在被作為終端的氫脫離之前開(kāi)始As照射、及初期生長(zhǎng)或正式生長(zhǎng)。在先行照射As之后，通常在48小時(shí)以?xún)?nèi)形成InSb,但大多在l個(gè)小時(shí)以?xún)?nèi)進(jìn)^亍。在由電離壓力計(jì)( ion gauge )測(cè)定通量(flux )的情況下，照射量通常為10_4~ 10_9Toir。另外，先行照射As即使在不直接向Si基板照射的情況下也發(fā)揮效果。在這種情況下，存在于氣氛中的A s被捕獲到S i基板和不包括A s的化合物半導(dǎo)體基板的界面中。存在于氣氛中的As在由電離壓力計(jì)測(cè)定的情況下，通常高于l x 10_1°mbar、優(yōu)選高于1 x 10 — 9mbar、更優(yōu)選高于3 x 1(T9mbar的條件較佳。
由于As為氣體狀且存在于氣氛中，因此，能夠利用四極質(zhì)量分析器確認(rèn)其存在。另外，由于是氣體狀，因此，在結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)均勻性較佳，即使在面積較大的基板上，也能夠均勻地結(jié)晶生長(zhǎng)。即，即使面積為15cn^以上的面積，所有位置上的化合物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量也能夠均勻。這里所說(shuō)的所有位置是指，例如以直徑為4英寸的面積約為79cn^的化合物半導(dǎo)體層為例，將偏差設(shè)為o的情況下，自中心及基板的端部向內(nèi)側(cè)5mm的多處的電子遷移率的± 3cj在平均± 10%以?xún)?nèi)的狀況。
最適合完成本發(fā)明的成膜法為分子束外延法(MBE),也可以是通常的蒸鍍、原子層外延法等，并沒(méi)有特別的限制?；衔锇雽?dǎo)體膜的生長(zhǎng)可以是在上述As照射溫度下的1階段生長(zhǎng)，也可以是提升基板溫度進(jìn)行2階段生長(zhǎng)。另外，歐姆電極可以是Au/ Pt/ Ti等公知的多層電極，也可以是單層金屬。
采用本發(fā)明，在Si基板上直接形成作為不含有As的化合物半導(dǎo)體的活性層而成的化合物半導(dǎo)體層疊體中，在活性層與Si基板的單晶層的界面存在As,因此，能夠在Si基板上形成InSb膜，能夠在工業(yè)上開(kāi)發(fā)應(yīng)用于霍爾元件或磁阻元件等磁性傳感器、紅外傳感器等光器件、晶體管等電子器件。


圖l是本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的剖視構(gòu)造示意圖。
圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例1的制造方法的工序流程圖。
圖3是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例2的制造方法的工序流程圖。
圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例3
13的制造方法的工序流程圖。
圖5表示高分辨率SIMS的測(cè)定結(jié)果。
圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例4 的制造方法的工序流程圖。
圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例6 的制造方法的工序流程圖。
圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例7 的制造方法的工序流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的剖視構(gòu)造示意圖， 圖中附圖標(biāo)記l表示Si基板，附圖標(biāo)記2表示InSb膜(化合物半 導(dǎo)體層)。本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體在Si基板l上直接形成 有不含有As的化合物半導(dǎo)體2。在該化合物半導(dǎo)體2與Si基板l 的單晶層的界面上存在As。
化合物半導(dǎo)體優(yōu)選為InxGayAlzSb ( x、 y、 z: 0以上且1 以下)。化合物半導(dǎo)體還優(yōu)選為InxGayAlzN ( x、 y、 z: O以上 且l以下)。還優(yōu)選為InxGal - xN ( 0以上且0.3以下)。化合物 半導(dǎo)體還優(yōu)選為單晶薄膜。
Si基板l還優(yōu)選為體單晶基板或最上層為Si的薄膜基板。還 優(yōu)選為Si基板l的與(111 )或(100)等效的晶面與該Si基板l 的表面平行。還優(yōu)選為活性層的膜厚為0.1pm以上且5nm以下。
實(shí)施例1
圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例1 的制造方法的工序流程圖。首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板l之后，用lwt。/。的氫氟酸將其處理而以氫為終端。接著，將Si基板1導(dǎo)入到分子束外延(MBE : Molecular beam epitaxial )裝置中。首先，以390°C先行照射As3秒(步驟S21 )。 As的照射量為由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10 —sToir數(shù)量級(jí)。
接著，停止供給As而在一秒以?xún)?nèi)開(kāi)始供給In及Sb (步驟 S22)，供給In、 Sb以InSb膜厚換算約為50nm的厚度的量。并 且，在將基板溫度提升至420。C之后(步驟S23),以總膜厚為 0.8pm的方式形成了InSb膜2 (步驟S24)。
InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子(sheet carrier)濃度為1.66 x 1012/ cm2,電子遷移率 為41500cm2/Vs。在將電子電荷設(shè)為e,載流子濃度設(shè)為N時(shí)， 霍爾系數(shù)為1/ (en)。在計(jì)算這里獲得的InSb膜3的霍爾系數(shù) (Rh)時(shí)為303cm3/ C,在Rh除以膜厚時(shí)為3800000cm2 / C。 在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)l中/^開(kāi)的il為800000cm2/ C~ 1200000cm2 /C，能夠確認(rèn)與以往報(bào)告的值相比改善了 3倍以上。即，本發(fā) 明的化合物半導(dǎo)體層疊體顯示界面缺陷明顯較少，能夠確認(rèn)通 過(guò)使用該化合物半導(dǎo)體層疊體，能夠形成在界面缺陷較多時(shí)難 以形成的霍爾元件、光、電子器件。還可確認(rèn)，InSb膜2的外 觀為鏡面，在用光學(xué)顯微鏡評(píng)價(jià)時(shí)極為平坦。
由高分辨率透射電子束衍射(HRTEM)來(lái)評(píng)價(jià)該InSb膜2。 結(jié)果，能夠確認(rèn)在Si基板l與InSb膜2之間不存在多晶、非晶質(zhì)， InSb為單晶膜。另外，圖5表示高分辨率SIMS ( SIMS; Secondary ion - microprobe Mass Spectrometer; 二次離子 質(zhì)譜分析計(jì))的測(cè)定結(jié)果。測(cè)定條件如下。ATOMIKA公司制 SIMS4100, l次離子種類(lèi)為Cs+,加速能量為2keV, l次離子 電流為8nA， l次離子束入射角度為60deg (垂直為0),掃描寬 度為200pm,檢測(cè)離子種類(lèi)為75As—、 121Sb_、 30Si2—。在該圖5 中，Sb的強(qiáng)度為l/2、 Si的強(qiáng)度為l/2這一點(diǎn)大致一致，但能夠判斷這里是InSb膜2與Si基板l的界面。可知，在界面中As 極大，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于InSb膜中的As的強(qiáng)度的2倍，顯示出幾十倍的 強(qiáng)度。
比車(chē)交例1
在清洗直徑為4英寸的(111) Si基板之后，用lwt。/。的氫 氟酸將其處理而以氫為終端。接著，將Si基板導(dǎo)入到分子束外 延(MBE)裝置中。在基板溫度為420。C的條件下，不對(duì)As進(jìn) 行先行照射而供給In、 Sb，形成0.7pm的InSb膜。
InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子濃度為3.5x 1012/cm2,電子遷移率為8400cm2/Vs。 在計(jì)算獲得的InSb膜3的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為124cm3/C,在 Rh除以膜厚時(shí)為1770000cm2/ C,與實(shí)施例相比是遠(yuǎn)遠(yuǎn)差得多 的結(jié)果。由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率 SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該膜。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l 的界面與InSb膜2之間存在多晶，從而能夠確認(rèn)InSb未成為單 晶。另外，由SIMS的結(jié)果未在Si基板l與InSb膜2的界面檢測(cè) 出As。
實(shí)施例2
圖3是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例2 的制造方法的工序流程圖。首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后，用lwt。/。的氬氟酸將其處理而以氫為終端。接著， 將Si基板l導(dǎo)入到分子束外延(MBE)裝置中。首先，在基板 溫度為420。C的條件下先行照射As3秒(步驟S31)。 As的照射 量為由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10^Torr數(shù)量級(jí)。
接著，停止供給As而在一秒以?xún)?nèi)開(kāi)始供給In、 Sb (步驟 S32 ),形成0.7(im的InSb膜2(步驟S33 )。從照射As開(kāi)始到InSb 膜2生長(zhǎng)結(jié)束，在基板溫度為42(TC的狀態(tài)下進(jìn)行。InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子濃度為1.65 x 1012/ cm2,電子遷移率為33200cm2/ Vs。 在計(jì)算獲得的InSb膜2的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為265cm3/C。在 Rh除以膜厚時(shí)為3800000cm2/ C,能夠確認(rèn)與上述專(zhuān)利文獻(xiàn)l 所示的l直800000cm2/ C~ 1200000cm2/ C相比要好出2^咅以 上。另外，能夠確認(rèn)好于比較例。
由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該InSb膜2。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板1 的界面與InSb膜2之間不存在多晶、非晶質(zhì)，InSb為單晶膜。 另外，由SIMS的結(jié)果在Si基板l與InSb膜2的界面檢測(cè)出As。
實(shí)施例3
圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例3 的制造方法的工序流程圖。首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后，用lwt。/。的氬氟酸將其處理而以氫為終端。接著， 將Si基板l導(dǎo)入到分子束外延(MBE)裝置中。首先，在基板 溫度為300。C的條件下先行照射As3秒(步驟S41 )。此時(shí)，As 的照射量為由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10^Torr數(shù)量級(jí)。在先 行照射As結(jié)束后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間之后，接著同時(shí)照射In和Sb 為達(dá)到50mn的厚度的量(步驟S42),接著，在使基板溫度上 升至420。C之后(步驟S43)供給In、 Sb(步驟S44),總計(jì)形 成l阿的InSb膜2 (步驟S45)。
InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子濃度為2.1 x 1012/cm2,電子遷移率為49200cm2/Vs。 在計(jì)算獲得的InSb膜2的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為298cm3/C。在 Rh除以膜厚時(shí)為2980000cm2/ C,能夠確認(rèn)與上述專(zhuān)利文獻(xiàn)l 所示的值800000cm2 / C~ 1200000cm2/ C相比要好出2倍以 上。另外，能夠確認(rèn)好于比較例。由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該InSb膜2。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l 的界面與InSb膜2之間不存在多晶、非晶質(zhì)，InSb為單晶膜。 另外，由SIMS的結(jié)果在Si基板1與InSb膜2的界面檢測(cè)出As。
實(shí)施例4
圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例4 的制造方法的工序流程圖。首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后，用lwt。/。的氬氟酸將其處理而以氫為終端。接著， 將Si基板l導(dǎo)入到分子束外延(MBE)裝置中。在將Si基板導(dǎo) 入到生長(zhǎng)室之前，向生長(zhǎng)室中供給AslO秒(步驟S61 )。 As為 由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10—sTorr數(shù)量級(jí)。接著，將上述Si 基板導(dǎo)入到生長(zhǎng)室中(步驟S62)。接著，在使基板溫度上升至 200。C之后(步驟S63),照射In4秒、照射以InAs換算為達(dá)到 lnm的厚度的量(步驟S64)。即將照射In之前的As的壓力為 1x10 —8mbar。接著，使基板溫度上升至300°C (步驟S65),同 時(shí)照射In和Sb為達(dá)到50nm的厚度的量(步驟S66),接著，在 使基板溫度上升至420。C之后(步驟S67 )供給In、 Sb (步驟 S68),總計(jì)形成0.7拜的InSb月莫2 (步驟S69)。
InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子濃度為1.1 x 1012/ cm2,電子遷移率為47610cm2 / Vs。 在計(jì)算獲得的InSb膜2的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為398cm3/C。在 Rh除以膜厚時(shí)為5680000cm2/ C,能夠確認(rèn)與上述專(zhuān)利文獻(xiàn)l 所示的值800000cm2/ C~ 1200000cm2/ C相比要好出4倍以 上。另外，能夠確認(rèn)好于比較例。
由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該InSb膜2。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l 的界面與InSb膜2之間不存在多晶、非晶質(zhì)，InSb為單晶膜。另外，由SIMS的結(jié)果在Si基板l與InSb膜2的界面檢測(cè)出As。 另外，在測(cè)量電子遷移率的分布時(shí)，平均± 3cj為± 10%內(nèi)。 比較例2
利用圖6的工序流程，僅省去步驟61而進(jìn)行與實(shí)施例4相同 的實(shí)驗(yàn)。即，首先，在清洗直徑為4英寸的(111) Si基板之后， 用lwt。/。的氬氟酸將其處理而以氫為終端。接著，將Si基板l導(dǎo) 入到分子束外延(MBE)裝置中。接著，在使基板溫度上升至 200。C之后，照射In4秒以InAs換算為達(dá)到lnm的厚度的量。接 著，使基板溫度上升至300。C ,同時(shí)照射In和Sb為達(dá)到50nm的 厚度的量，接著，在使基板溫度上升至420。C之后供給In、 Sb, 總計(jì)形成0. 7pm的InSb月莫2 。
InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子濃度為2.81 x 1012/cm2,電子遷移率為8957cm2/Vs。 在計(jì)算獲得的InSb膜的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為156cm3/C。在 Rh除以膜厚時(shí)為2220000cm2/ C，與實(shí)施例4相比是遠(yuǎn)遠(yuǎn)差得 多的結(jié)果。電子遷移率與實(shí)施例4相比也是遠(yuǎn)遠(yuǎn)差得多的結(jié)果。 由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該膜。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l的界面 與lnSb膜2之間存在多晶，從而能夠確認(rèn)InSb未成為單晶。另 外，由SIMS的結(jié)果未在Si基板l與InSb膜2的界面檢測(cè)出As。
實(shí)施例5
利用與圖2相同的工流程圖，進(jìn)行采用(100)Si基板的實(shí) 施例。即，首先，在清洗直徑為4英寸的(100) Si基板l之后， 用lwt。/。的氬氟酸將其處理而以氫為終端。接著，將Si基板l導(dǎo) 入到分子束外延裝置中。首先，以390。C先行照射As3秒。As 的照射量為由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10^Torr數(shù)量級(jí)。接著， 停止供給As而在一秒以?xún)?nèi)開(kāi)始供給In及Sb,供給In、 Sb以InSb
19膜厚換算約為50nm的厚度的量。并且，在將基板溫度提升至 420。C之后，以總膜厚為0.7nm的方式形成InSb膜2。 InSb膜2 的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面載流子濃度為 1.2 x 1012/cm2,電子遷移率為33000cm2/Vs。在計(jì)算獲得的 InSb膜2的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為365cm3/ C。在Rh除以膜厚時(shí) 為5210000cm2 / C ,能夠確認(rèn)與上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中7>開(kāi)的值 800000cm2/C ~ 1200000cm2/C相比好出44咅以上。另夕卜，負(fù)& 夠確認(rèn)好于比較例。
由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該InSb膜2。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板1 的界面與InSb膜2之間不存在多晶、非晶質(zhì)，InSb為單晶膜。 另外，由SIMS的結(jié)果在Si基板l與InSb膜2的界面檢測(cè)出As。 另外，在測(cè)量電子遷移率的分布時(shí)，平均± 3o為± 10%內(nèi)。
比壽交例3
利用圖2的工序流程，僅省去步驟21而進(jìn)行與實(shí)施例5相同 的實(shí)驗(yàn)。即，首先，在清洗直徑為4英寸的(100) Si基板l之 后，用lwt。/。的氫氟酸將其處理而以氫為終端。接著，將Si基板 l導(dǎo)入到分子束外延裝置中。以390。C開(kāi)始供給In及Sb,供給In、 Sb以InSb膜厚換算約為50nm的厚度的量。并且，在將基板溫 度提升至42(TC之后，以總膜厚為0.7nm的方式形成InSb膜2。
InSb膜2的電特性用公知的范德波爾法測(cè)定。結(jié)果，表面 載流子濃度為3.6 x 1012 / cm2,電子遷移率為5450cm2 / Vs。 在計(jì)算獲得的InSb膜的霍爾系數(shù)(Rh)時(shí)為121cm3/。。在 Rh除以膜厚時(shí)為1740000cm2/ C，與實(shí)施例5相比是遠(yuǎn)遠(yuǎn)差得 多的結(jié)果。電子遷移率與實(shí)施例5相比也是遠(yuǎn)遠(yuǎn)差得多的結(jié)果。 由高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該膜。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l的界面與lnSb膜2之間存在多晶，從而能夠確認(rèn)InSb未成為單晶。另 外，由SIMS的結(jié)果未在Si基板l與InSb膜2的界面檢測(cè)出As含有層。
實(shí)施例6
圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例6 的制造方法的工序流程圖。首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后，用lwt。/。的氫氟酸將其處理而以氫為終端。接著， 將Si基板l導(dǎo)入到分子束外延(MBE)裝置中。在將Si基板導(dǎo) 入到生長(zhǎng)室之前，向生長(zhǎng)室中供給AslO秒(步驟S71 )。 As為 由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10飛Torr數(shù)量級(jí)。接著，將上述Si 基板導(dǎo)入到生長(zhǎng)室中(步驟S72)。接著，在使基板溫度上升至 200。C之后(步驟S73),照射Ga4秒以GaAs換算為lnm的厚度 的量(步驟S74)。即將照射Ga之前的As的壓力在測(cè)定為8.5X10 ，mbar。接著，使基板溫度上升至420。C (步驟S75)，同時(shí)照 射Ga和N為50nm的厚度的量(步驟S76),接著，在使基板溫 度上升至720。C之后(步驟S77)供給Ga、 N(步驟S78),總 計(jì)形成0.35pm的GaN膜2 (步驟S79)。由高分辨率的X射線衍 射(HRXRD)、高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分 辨率SIMS(SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該GaN膜2。由HRXRD能夠確認(rèn) GaN(OOl)面與基板平行，能夠形成結(jié)晶性良好的可用于工 業(yè)的GaN膜。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板1的界面與GaN膜2 之間不存在多晶、非晶質(zhì)，GaN為單晶膜。另外，由SIMS的 結(jié)果在Si基板l與GaN膜2的界面檢測(cè)出As。
比舉交例4
利用圖7的工序流程，僅省去步驟71而進(jìn)行與實(shí)施例6相同 的實(shí)驗(yàn)。即，首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后， 用lwto/。的氫氟酸將其處理而以氫為終端。接著，將Si基板l導(dǎo)入到分子束外延(MBE)裝置中。接著，在使基板溫度上升至 200。C之后，照射Ga4秒以GaAs換算為lnm的厚度的量。接著， 使基板溫度上升至42(TC ，同時(shí)照射Ga和N為50nm的厚度的 量，接著，在使基板溫度上升至72(TC之后供給Ga、 N，總計(jì) 形成0.35nm的GaN膜2。由高分辨率的X射線衍射(HRXRD )、 高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM )、高分辨率SIMS (SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該GaN膜2。由HRXRD未檢測(cè)出GaN的峰值。 由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板1的界面與GaN膜2之間存在非晶 質(zhì)。另外，由SIMS的結(jié)果未在Si基板l與GaN膜2的界面^r測(cè) 出As。
實(shí)施例7
圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體層疊體的實(shí)施例7 的制造方法的工序流程圖。首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后，用lwt。/。的氫氟酸將其處理而以氬為終端。接著， 將Si基板l導(dǎo)入到分子束外延(MBE)裝置中。在將Si基板導(dǎo) 入到生長(zhǎng)室之前，向生長(zhǎng)室中供給AslO秒(步驟S81 )。 As為 由電離壓力計(jì)測(cè)定的通量為10飛Torr數(shù)量級(jí)。接著，將上述Si 基板導(dǎo)入到生長(zhǎng)室中(步驟S82)。接著，在使基板溫度上升至 20(TC之后(步驟S83),照射Ga4秒以GaAs換算為lnm的厚度 的量(步驟S84 )。即將照射Ga之前的As的壓力在測(cè)定為1.7X10 —8mbar。接著，使基板溫度上升至420。C (步驟S85),同時(shí)照 射Ga、 In和N為50nm的厚度的量(步驟S86),接著，在使基 板溫度上升至585。C之后(步驟S87)供給Ga、 In、 N (步驟 S88),總計(jì)形成0.35pm的InGaN膜2 (步驟S89 )。由高分辨率 的X射線衍射(HRXRD )、高分辨率的透射電子束衍射 (HRTEM)、高分辨率SIMS ( SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該InGaN膜2。 由HRXRD能夠確認(rèn)InGaN ( 001 )面與基板平行，能夠形成結(jié)
22晶性良好的可用于工業(yè)的InGaN膜。在遵照維加德定律而尋求 In組成時(shí)，In的組成為0.3。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l的 界面與InGaN膜2之間不存在多晶、非晶質(zhì)，InGaN為單晶膜。 另外，由SIMS的結(jié)果在Si基板l與GaN膜2的界面檢測(cè)出As。 比較例5
利用圖8的工序流程，僅省去步驟81而進(jìn)行與實(shí)施例7相同 的實(shí)驗(yàn)。即，首先，在清洗直徑為4英寸的(111 ) Si基板之后， 用lwt。/。的氬氟酸將其處理而以氬為終端。接著，將Si基板l導(dǎo) 入到分子束外延(MBE)裝置中。接著，在使基板溫度上升至 200。C之后，照射Ga4秒以GaAs換算為lnm的厚度的量。接著， 使基板溫度上升至420。C ,同時(shí)照射Ga、 In和N為50nm的厚度 的量，接著，在使基板溫度上升至585。C之后供給Ga、 In、 N， 總計(jì)形成0.35jxm的InGaN膜2 。由高分辨率的X射線衍射 (HRXRD)、高分辨率的透射電子束衍射(HRTEM)、高分辨 率SIMS(SIMS)來(lái)評(píng)價(jià)該InGaN膜2。由HRXRD未檢測(cè)出 InGaN的峰值。由HRTEM能夠確認(rèn)在Si基板l的界面與GaN膜 2之間存在非晶質(zhì)。另外，由SIMS的結(jié)果未在Si基板l與GaN 膜2的界面檢測(cè)出As。
工業(yè)實(shí)用性
本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體層疊體及其制造方法以及半導(dǎo)體 器件，該化合物半導(dǎo)體層疊體是在Si基板上直接形成作為不含 有As的化合物半導(dǎo)體的活性層而成，其中，由于在活性層與Si 基板的單晶層的界面存在As,因此，能夠在Si基板上形成InSb 膜，能夠在工業(yè)上開(kāi)發(fā)應(yīng)用于霍爾元件、磁阻元件等磁性傳感 器、紅外傳感器等光器件、晶體管等電子器件。
權(quán)利要求
1.一種化合物半導(dǎo)體層疊體，該化合物半導(dǎo)體層疊體是在Si基板上直接形成不含有As的化合物半導(dǎo)體而成，其特征在于，在上述化合物半導(dǎo)體層與上述Si基板的界面存在As。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述化合物半導(dǎo)體層為活性層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述化合物半導(dǎo)體為InxGayAlzSb, x、 y、 z: 0~1。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述化合物半導(dǎo)體為InxGayAlzN, x、 y、 z: 0~1。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述化合物半導(dǎo)體至少含有氮。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l ~ 5中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述化合物半導(dǎo)體為單晶薄膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l ~ 6中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述Si基板為體單晶基板或最上層為Si的薄膜基板。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l ~ 7中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，上述活性層的膜厚為0.1pm 5iim。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l ~ 8中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，面積為15cn^以上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的化合物半導(dǎo)體層疊體，其特征在于，所有位置上的化合物半導(dǎo)體層的晶體質(zhì)量均勻。
11. 一種化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法，是在Si基板上形成化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法，其特征在于，使上述Si基板以氫為終端，接著向該Si基板上先行照射As，接著照射化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成物質(zhì)而形成化合物半導(dǎo)體。
12. —種化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法，是的在Si基板上形成化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法，其特征在于，
13 使上述S i基板以氬為終端，接著不向該S i基板上直接照射As而使氣氛中存在As,接著照射化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成物質(zhì)而形成化合物半導(dǎo)體。制造方法，其特征在于，在向上述Si基板照射上述化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成物質(zhì)而形成薄膜之后，使上述Si基板的溫度上升，接著照射上述化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成物質(zhì)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求ll、 12或13所述的化合物半導(dǎo)體層疊體的制造方法，其特征在于，上述Si基板為體單晶基板或最上層為Si的薄膜基板。
15. —種半導(dǎo)體器件，其特征在于，該半導(dǎo)體器件是在權(quán)利要求l ~ IO中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體層疊體上形成歐姆電極而成的。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述半導(dǎo)體器件是電子器件、磁性傳感器、霍爾元件、光器件中的任一個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明提供化合物半導(dǎo)體層疊體及其制造方法以及半導(dǎo)體器件。該化合物半導(dǎo)體層疊體能夠在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工業(yè)上開(kāi)發(fā)應(yīng)用于霍爾元件、磁阻元件等磁性傳感器、紅外傳感器等光器件、晶體管等電子器件。在Si基板(1)上直接形成作為不含有As的化合物半導(dǎo)體的活性層(2)。在該活性層(2)與Si基板(1)的單晶層的界面存在As?；衔锇雽?dǎo)體至少含有氮。化合物半導(dǎo)體為單晶薄膜。Si基板(1)為體單晶基板或最上層為Si的薄膜基板。
文檔編號(hào)H01L29/26GK101641790SQ200880009299
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2008年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月23日
發(fā)明者宮原真敏, 柴田佳彥 申請(qǐng)人:旭化成微電子株式會(huì)社