用于制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】提出一種用于制造多個(gè)半導(dǎo)體器件(1)的方法，所述方法具有如下步驟：a)提供半導(dǎo)體層序列(2)，所述半導(dǎo)體層序列具有第一半導(dǎo)體層(21)、第二半導(dǎo)體層(22)和設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的有源區(qū)域(25)，所述有源區(qū)域設(shè)置用于產(chǎn)生和/或接收輻射；b)在第二半導(dǎo)體層的背離第一半導(dǎo)體層的一側(cè)上構(gòu)成第一連接層(31)；c)構(gòu)成多個(gè)穿過(guò)半導(dǎo)體層序列的留空部(29)；d)在留空部中構(gòu)成傳導(dǎo)層(4)用于在第一半導(dǎo)體層和第一連接層之間建立導(dǎo)電連接；和e)分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件，其中從半導(dǎo)體層序列中為每個(gè)半導(dǎo)體器件產(chǎn)生半導(dǎo)體本體(20)，所述半導(dǎo)體本體具有多個(gè)留空部中的至少一個(gè)留空部，并且該至少一個(gè)留空部在半導(dǎo)體本體的俯視圖中完全地由半導(dǎo)體本體包圍。此外，提出一種半導(dǎo)體器件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
用于制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請(qǐng)涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法和一種半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]光電子半導(dǎo)體器件、例如基于砷化鎵或磷化銦的發(fā)光二極管，通常在輻射出射側(cè)上應(yīng)用金屬晶格，以進(jìn)行電流擴(kuò)展、電接觸和電流注入。然而，這引起局部的陰影以及電流注入和光發(fā)射中的不均勻性，由此效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]—個(gè)目的是:提出一種方法，借助所述方法能夠以簡(jiǎn)單且可靠的方式制造半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的特征在于提高的效率。此外，應(yīng)提出一種具有提高的效率的半導(dǎo)體器件。
[0004]該目的尤其通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的主題來(lái)實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)方案和改進(jìn)形式是從屬權(quán)利要求的主題。
[0005]提出一種用于制造多個(gè)半導(dǎo)體器件、尤其光電子半導(dǎo)體器件的方法。
[0006]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:提供半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列尤其具有設(shè)置用于產(chǎn)生和/或用于接收輻射的有源區(qū)域。在設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片中，有源區(qū)域優(yōu)選具有量子結(jié)構(gòu)。術(shù)語(yǔ)量子結(jié)構(gòu)在本申請(qǐng)的范圍中尤其包括如下結(jié)構(gòu)，其中載流子由于限域(“Confinement”)能夠經(jīng)受其能量狀態(tài)的量子化。特別地，術(shù)語(yǔ)量子結(jié)構(gòu)不包括關(guān)于量子化維度的說(shuō)明。因此，所述量子結(jié)構(gòu)尤其包括量子阱、量子線(xiàn)和量子點(diǎn)和這些結(jié)構(gòu)的每個(gè)組合。有源區(qū)域例如能夠具有多重量子結(jié)構(gòu)，所述多重量子結(jié)構(gòu)具有多個(gè)量子層，其中在相鄰的量子層之間分別設(shè)置有阻擋層。
[0007]此外，半導(dǎo)體層序列例如包括第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，其中有源區(qū)域設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間。適當(dāng)?shù)?，第一半?dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層關(guān)于傳導(dǎo)類(lèi)型至少局部地彼此不同。例如，第一半導(dǎo)體層是η型傳導(dǎo)的而第二半導(dǎo)體層是P型傳導(dǎo)的，或者相反。
[0008]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:在第二半導(dǎo)體層的背離第一半導(dǎo)體層的一側(cè)上構(gòu)成第一連接層。第一連接層尤其在所述半導(dǎo)體層序列的例如外延沉積結(jié)束之后構(gòu)成，例如借助于濺射或蒸鍍。也就是說(shuō)，第一連接層設(shè)置在半導(dǎo)體層序列之外。
[0009]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:構(gòu)成多個(gè)穿過(guò)半導(dǎo)體層序列的留空部。在垂直于半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的主延伸平面伸展的豎直方向上，留空部完全地延伸穿過(guò)半導(dǎo)體層序列。對(duì)半傳導(dǎo)層序列的材料的移除也能夠在單獨(dú)的制造步驟中從半導(dǎo)體層序列的兩個(gè)相對(duì)置的側(cè)起進(jìn)行。特別地，還在施加第一連接層之前，能夠移除留空部的隨后的區(qū)域中的半傳導(dǎo)層序列的材料。
[0010]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:在所述留空部中構(gòu)成傳導(dǎo)層。傳導(dǎo)層尤其設(shè)置用于建立第一連接層和第一半導(dǎo)體層之間的導(dǎo)電連接。例如，傳導(dǎo)層至少局部地直接鄰接于第一連接層，尤其是在留空部中。
[0011]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件。特別地，從半導(dǎo)體層序列中為每個(gè)半導(dǎo)體器件產(chǎn)生具有多個(gè)留空部中的至少一個(gè)留空部的半導(dǎo)體本體。至少一個(gè)留空部在半導(dǎo)體本體的俯視圖中完全地由半導(dǎo)體本體包圍。換而言之，半傳導(dǎo)層序列的材料沿著留空部的整個(gè)環(huán)周構(gòu)成。也就是說(shuō)，留空部不位于半導(dǎo)體本體的邊緣處。
[0012]在進(jìn)行分割之前，就已經(jīng)能夠?qū)雮鲗?dǎo)層序列切割成各個(gè)半導(dǎo)體本體，例如借助于在橫向方向上對(duì)各個(gè)半導(dǎo)體本體限界的分離溝槽來(lái)切割。分離溝槽能夠在共同的步驟中與留空部一起構(gòu)成。作為替選方案，可考慮的是:留空部和分離溝槽在依次緊隨的制造步驟中構(gòu)成。構(gòu)成留空部和/或分離溝槽例如借助于濕化學(xué)的或干化學(xué)的刻蝕進(jìn)行。此外，半傳導(dǎo)層序列也能夠僅在進(jìn)行分割之后才切割成各個(gè)半導(dǎo)體本體。
[0013]在所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式中，提供如下半導(dǎo)體層序列，所述半導(dǎo)體層序列具有第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的、設(shè)置用于產(chǎn)生和/或用于接收輻射的有源區(qū)域。在第二半導(dǎo)體層的背離第一半導(dǎo)體層的一側(cè)上構(gòu)成第一連接層。構(gòu)成多個(gè)穿過(guò)半導(dǎo)體層序列的留空部。在留空部中構(gòu)成傳導(dǎo)層，以在第一半導(dǎo)體層和第一連接層之間建立導(dǎo)電連接。分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件，其中從半導(dǎo)體層序列中為每個(gè)半導(dǎo)體器件產(chǎn)生具有多個(gè)留空部中的至少一個(gè)留空部的半導(dǎo)體本體，并且所述至少一個(gè)留空部在半導(dǎo)體本體的俯視圖中完整地由半導(dǎo)體本體包圍。
[0014]借助于留空部和設(shè)置在留空部中的傳導(dǎo)層能夠從半導(dǎo)體層序列的背離第一半導(dǎo)體層的一側(cè)起進(jìn)行對(duì)第一半導(dǎo)體層的電接觸。能夠棄用第一半導(dǎo)體層上的、用于進(jìn)行電流擴(kuò)展和電接觸第一半導(dǎo)體層的金屬晶格。
[0015]半導(dǎo)體本體能夠分別具有多于一個(gè)的留空部。因此，在發(fā)射輻射的器件的情況下，能夠簡(jiǎn)化在橫向方向上的均勻的載流子注入。在輻射接收器的情況下，在多個(gè)留空部中，對(duì)于因吸收輻射而在有源區(qū)域中產(chǎn)生的載流子而言，在這些載流子能夠到達(dá)第一連接層之前，減小在半導(dǎo)體本體中的路徑長(zhǎng)度。
[0016]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在構(gòu)成多個(gè)留空部之前，移除用于半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底。生長(zhǎng)襯底例如能夠借助于機(jī)械的和/或化學(xué)的方法實(shí)現(xiàn)。作為替選方案或除此之外，能夠進(jìn)行激光剝離法。例如，在構(gòu)成第一連接層和構(gòu)成多個(gè)留空部之間移除生長(zhǎng)襯底。已經(jīng)移除了生長(zhǎng)襯底的半導(dǎo)體器件也稱(chēng)作為薄膜半導(dǎo)體器件。
[0017]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:施加分離層用于有源區(qū)域和導(dǎo)電層之間的電絕緣，所述分離層至少在第二半導(dǎo)體層的和有源區(qū)域的高度上覆蓋留空部的側(cè)面。
[0018]然而，半導(dǎo)體層序列和導(dǎo)體層之間的電絕緣也能夠在沒(méi)有分離層的情況下進(jìn)行，例如通過(guò)氣隙、肖特基接觸、具有歐姆特性和高的接觸電阻的接觸部的設(shè)計(jì)方案進(jìn)行，或通過(guò)有針對(duì)性地局部改變半導(dǎo)體層序列的摻雜進(jìn)行、例如通過(guò)離子植入進(jìn)行。
[0019]特別地，為了構(gòu)成分離層，將用于分離層的材料整面地施加到具有留空部的半導(dǎo)體層序列上。與整面地沉積用于分離層的材料不同，也可以考慮的是:僅局部地、尤其在留空部的區(qū)域中施加所述材料。
[0020]隨后，借助于方向選擇性的刻蝕方法能夠移除尤其整面地施加的材料，使得僅傾斜于或垂直于半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的主延伸平面伸展的面由分離層保持覆蓋。
[0021]特別地，分離層的材料整面地經(jīng)受刻蝕方法。也就是說(shuō)，與常規(guī)的方法不同，不應(yīng)用掩模，借助所述掩模限定移除分離層的材料的區(qū)域并且限定分離層的材料殘留在半導(dǎo)體層序列上的區(qū)域。
[0022]方向選擇性的刻蝕方法與在橫向方向上相比尤其在豎直方向上具有更高的刻蝕速率。例如，干化學(xué)刻蝕方法、例如反應(yīng)性離子刻蝕，適合作為方向選擇性的刻蝕方法。
[0023]例如，豎直方向上的刻蝕速率是橫向方向上的刻蝕速率的至少兩倍，尤其至少五倍。
[0024]特別地，在執(zhí)行方向選擇性的刻蝕方法之后，留空部的底面和通過(guò)第一半導(dǎo)體層形成的輻射穿過(guò)面沒(méi)有分離層的材料，或者至少與留空部的側(cè)面相比具有強(qiáng)烈減小的厚度，例如為留空部的側(cè)面上的層的厚度的至多20%。
[0025]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在隨后的另一方向選擇性的刻蝕方法中，移除分離層的其它材料，并且使第一半導(dǎo)體層局部地在留空部中露出。特別地，半導(dǎo)體層能夠在留空部的側(cè)面的子區(qū)域中露出。例如，子區(qū)域鄰接于輻射穿過(guò)面。在輻射穿過(guò)面上能夠完全地或僅局部地移除分離層的材料。
[0026]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，通過(guò)該另外的方向選擇性的刻蝕方法露出第一連接層。也就是說(shuō)，在所述另一方向選擇性的刻蝕方法之前，局部地完全移除沿豎直方向設(shè)置在半導(dǎo)體層序列和第一連接層之間的材料、尤其留空部的底面下方的材料，使得可以觸及第一連接層。例如，通過(guò)所述另一方向選擇性的刻蝕方法移除介電材料、尤其僅移除介電材料。
[0027]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在構(gòu)成留空部之前，在半導(dǎo)體層序列和第一連接層之間構(gòu)成具有開(kāi)口的第一絕緣層，其中所述留空部構(gòu)成為，使得所述留空部在半導(dǎo)體層序列的俯視圖中與開(kāi)口重合。特別地，留空部穿過(guò)半導(dǎo)體層序列完全地伸展到第一絕緣層中的開(kāi)口內(nèi)部。也就是說(shuō)，對(duì)于露出第一連接層而言，不需要在構(gòu)成穿過(guò)半導(dǎo)體層序列的留空部之后附加地移除絕緣層的材料。開(kāi)口尤其能夠與絕緣層的留空部在相同的制造步驟中構(gòu)成，通過(guò)所述留空部進(jìn)行第二半導(dǎo)體層的電接觸。
[0028]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:在施加傳導(dǎo)層之前，將具有多個(gè)開(kāi)口的掩模層施加到半導(dǎo)體層序列上，并且每個(gè)留空部在俯視圖中完全地設(shè)置在多個(gè)開(kāi)口中的一個(gè)開(kāi)口內(nèi)部。第一半導(dǎo)體層例如在留空部的側(cè)部局部地沒(méi)有掩模層。光刻膠例如適合用于掩模層。
[0029]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，開(kāi)口隨著距半導(dǎo)體層序列距離增加而漸縮。用于導(dǎo)體層的材料尤其通過(guò)傾斜于豎直方向伸展的主沉積方向沉積，使得在俯視圖中，傳導(dǎo)層的沉積在開(kāi)口中的材料與傳導(dǎo)層的沉積在掩模層上的材料重合。也就是說(shuō)，在開(kāi)口中，導(dǎo)體層的材料局部地覆蓋第一半導(dǎo)體層、尤其在留空部側(cè)部覆蓋第一半導(dǎo)體層。
[0030]也能夠在兩個(gè)或更多個(gè)子步驟中構(gòu)成傳導(dǎo)層。傳導(dǎo)層例如能夠構(gòu)成為，使得完全地填充留空部，例如借助于電鍍沉積并且必要時(shí)借助回磨電鍍沉積的材料的。
[0031]此外，傳導(dǎo)層也能夠整面地沉積并且隨后借助于掩模層在未被掩模層覆蓋的區(qū)域中局部地被移除。
[0032]此外，能夠?qū)CO(透明導(dǎo)電氧化物)材料應(yīng)用于傳導(dǎo)層。在這種情況下，傳導(dǎo)層也能夠大面積地保留在半導(dǎo)體層序列上。
[0033]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，將覆蓋層施加到傳導(dǎo)層上。覆蓋層尤其對(duì)于第一半導(dǎo)體層隨后的材料剝離而言用作為掩模。
[0034]但是，尤其當(dāng)傳導(dǎo)層相對(duì)于用于材料剝離的方法具有充分的抗性時(shí)，代替施加到傳導(dǎo)層上的覆蓋層，傳導(dǎo)層本身也能夠用作為掩模。在干化學(xué)刻蝕方法、例如例如借助含鹵素的等離子體的等離子體刻蝕方法中，包含鎳的傳導(dǎo)層例如適合作為硬質(zhì)掩模。作為替選方案，能夠應(yīng)用濕化學(xué)的方法，所述濕化學(xué)的方法不侵蝕或至少僅微不足道地侵蝕傳導(dǎo)層。
[0035]覆蓋層尤其在移除掩模層之前施加。也就是說(shuō)，覆蓋層不僅施加在掩模層的開(kāi)口中而且施加在掩模層本身上。在移除掩模層之后，覆蓋層僅保留在未被掩模層覆蓋的區(qū)域中。
[0036]借助于第一半導(dǎo)體材料的材料剝離例如能夠局部地移除吸收性的接觸層和/或構(gòu)成耦合輸出結(jié)構(gòu)化部，所述接觸層是第一半導(dǎo)體層的一部分。接觸層借助于傳導(dǎo)層設(shè)置，尤其用于第一半導(dǎo)體層的改進(jìn)的可接觸性。優(yōu)選地，接觸層與第一半導(dǎo)體層的鄰接于接觸層的材料相比，以至少兩倍進(jìn)行摻雜。
[0037]但是，這種耦合輸出結(jié)構(gòu)化部也能夠在較早階段中就已經(jīng)構(gòu)成，尤其還在施加傳導(dǎo)層之前構(gòu)成。在移除生長(zhǎng)襯底之后例如能夠立即構(gòu)成耦合輸出結(jié)構(gòu)化部。
[0038]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括如下步驟:將半導(dǎo)體層序列固定在載體上，尤其是在構(gòu)成第一連接層和構(gòu)成留空部之間固定。載體尤其用于半導(dǎo)體層序列的機(jī)械穩(wěn)定。所述固定例如能夠借助于連接層、例如焊料層或粘結(jié)層來(lái)進(jìn)行。
[0039]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體本體，所述半導(dǎo)體本體具有第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的、設(shè)置用于產(chǎn)生和/或用于接收輻射的有源區(qū)域。在第二半導(dǎo)體層的背離第一半導(dǎo)體層的一側(cè)上設(shè)置有第一連接層。半導(dǎo)體本體具有至少一個(gè)留空部，所述留空部延伸穿過(guò)半導(dǎo)體本體并且在半導(dǎo)體本體的俯視圖中完全地由半導(dǎo)體本體包圍。在至少一個(gè)留空部中設(shè)置有傳導(dǎo)層，所述傳導(dǎo)層形成第一半導(dǎo)體層和第一連接層之間的導(dǎo)電連接。
[0040]根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，傳導(dǎo)層在至少一個(gè)留空部中緊鄰第一半導(dǎo)體層。例如，至少一個(gè)留空部的側(cè)面具有子區(qū)域，在所述子區(qū)域中，傳導(dǎo)層鄰接于第一半導(dǎo)體層。也就是說(shuō)，第一半導(dǎo)體層和傳導(dǎo)層之間的導(dǎo)電接觸能夠經(jīng)由留空部的側(cè)面進(jìn)行。換而言之，至少局部地在傳導(dǎo)層和第一半導(dǎo)體層之間在留空部中不設(shè)有電絕緣材料，尤其不設(shè)有分尚層。
[0041]根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，傳導(dǎo)層局部地設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的背離有源層的輻射穿過(guò)面上。作為經(jīng)由留空部的側(cè)面進(jìn)行接觸的替選方案或者除此之外，第一半導(dǎo)體層的電接觸在這種情況下從輻射穿過(guò)面起進(jìn)行。
[0042]根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，第一半導(dǎo)體層具有接觸層。接觸層與第一半導(dǎo)體層的鄰接于接觸層的材料尤其具有更高的摻雜。特別地，接觸層在背離有源區(qū)域的一側(cè)上對(duì)第一半導(dǎo)體層限界。
[0043]根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，接觸層在半導(dǎo)體器件的俯視圖中僅構(gòu)成在傳導(dǎo)層下方。也就是說(shuō)，在傳導(dǎo)層側(cè)部移除接觸層。因此，能夠盡可能避免因接觸層所引起的吸收輻射的危險(xiǎn)。
[0044]根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，在第一連接層和第二半導(dǎo)體層之間設(shè)置有用于電接觸第二半導(dǎo)體層的第二連接層。第二連接層或其子層對(duì)于在有源區(qū)域中待產(chǎn)生或待接收的輻射而言能夠構(gòu)成為鏡層。例如，鏡層對(duì)于待產(chǎn)生或待接收的輻射的峰值波長(zhǎng)而言具有至少60%的、優(yōu)選至少80%的反射率。
[0045]第二連接層適當(dāng)?shù)嘏c第一連接層電絕緣，例如借助于設(shè)置在第一連接層和第二連接層之間的絕緣層來(lái)電絕緣。
[0046]半導(dǎo)體本體在半導(dǎo)體元件的俯視圖中沒(méi)有用于外部電接觸的接觸部，例如用于引線(xiàn)鍵合連接的焊盤(pán)。接觸部的設(shè)置可在寬的界限中選擇。半導(dǎo)體器件例如能夠具有一個(gè)前側(cè)的接觸部和一個(gè)后側(cè)的接觸部、兩個(gè)前側(cè)的接觸部或兩個(gè)后側(cè)的接觸部。在此，將如下側(cè)理解為前側(cè)，在所述側(cè)上構(gòu)成有半導(dǎo)體本體的輻射穿過(guò)面。
[0047]上述制造方法尤其適合于制造所述半導(dǎo)體器件。結(jié)合所述方法詳述的特征因此也能夠用于半導(dǎo)體器件并且反之亦然。
【附圖說(shuō)明】
[0048]其他的特征、設(shè)計(jì)方案和適宜方案從下述結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中得出。
[0049]附圖示出:
[0050]圖1A至IN根據(jù)示意地在剖面圖中示出的中間步驟示出用于制造半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)施例；
[0051]圖2A和2B根據(jù)示意地在剖面圖中示出的中間步驟分別示出用于制造半導(dǎo)體器件的方法的另一實(shí)施例;和
[0052]圖3至5分別示出半導(dǎo)體器件的實(shí)施例。
[0053]相同的、同類(lèi)的或起相同作用的元件在附圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0054]附圖和附圖中示出的元件彼此間的大小比例不視為是合乎比例的。更確切地說(shuō)，為了更好的可視性和/或?yàn)榱烁玫睦斫?，各個(gè)元件并且尤其層厚度能夠夸大地示出。
【具體實(shí)施方式】
[0055]根據(jù)圖1A至IN，說(shuō)明用于制造半導(dǎo)體器件、尤其光電子半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)施例。為了簡(jiǎn)化視圖，僅示出如下部分，在分割步驟中剛好從所述部分中產(chǎn)生一個(gè)半導(dǎo)體器件。所制造的半導(dǎo)體器件例如能夠是輻射發(fā)射器或者輻射接收器，所述輻射發(fā)射器例如是發(fā)光二極管，所述輻射接收器例如是光電二極管或太陽(yáng)能電池。
[0056]提供如下半導(dǎo)體層序列2，所述半導(dǎo)體層序列具有設(shè)置用于產(chǎn)生和/或接收電磁輻射的有源區(qū)域25。在所示出的實(shí)施例中，有源區(qū)域25構(gòu)成用于產(chǎn)生輻射并且具有量子結(jié)構(gòu)。量子結(jié)構(gòu)包括多個(gè)量子層251，其中在相鄰的量子層之間設(shè)置有阻擋層252。為了簡(jiǎn)化視圖，在圖1A中僅示出兩個(gè)量子層，但是有源區(qū)域也能夠具有多于兩個(gè)的量子層。在隨后的附圖中，為了簡(jiǎn)化視圖未詳細(xì)地繪制有源區(qū)域25的結(jié)構(gòu)。有源區(qū)域25設(shè)置在第一半導(dǎo)體層21和第二半導(dǎo)體層22之間。在所示出的實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層21設(shè)在背離有源區(qū)域25的一側(cè)上具有接觸層210。接觸層210用于在隨后的方法步驟中簡(jiǎn)化地電接觸第一半導(dǎo)體層。適當(dāng)?shù)兀佑|層210與鄰接于接觸層的第一半導(dǎo)體層的材料相比，具有更高的摻雜，例如至少I(mǎi) X118Cnf3的摻雜。然而，這種接觸層不是強(qiáng)制必需的。
[0057]第一半導(dǎo)體層21和第二半導(dǎo)體層22關(guān)于傳導(dǎo)類(lèi)型彼此不同。例如，第一半導(dǎo)體層21是η型傳導(dǎo)的而第二半導(dǎo)體層是P型傳導(dǎo)的，或者相反。半導(dǎo)體層序列2例如借助于外延沉積、例如MOVPE沉積在生長(zhǎng)襯底200上。
[0058]半導(dǎo)體層序列、尤其有源區(qū)域25與優(yōu)選包含II1-V族化合物半導(dǎo)體材料。
[0059]III族化合物半導(dǎo)體材料尤其適合于在紫外光譜范圍(AlxInyGaityN)中經(jīng)過(guò)可見(jiàn)光譜范圍(AlxInyGa1-x-yN，尤其針對(duì)藍(lán)色至綠色輻射，或者AlxInyGaityP，尤其針對(duì)黃色至紅色輻射)直至紅外光譜范圍(AlxInyGa1-X—yAs)中的輻射生成。在此，分別適用的是，OSx彡1，O彡y<l并且x+y<l，尤其其中x#l，y#l，x#0和/或y#0。此外，借助II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，尤其選自上述材料體系的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，能夠在產(chǎn)生輻射時(shí)實(shí)現(xiàn)高的內(nèi)部的量子效率。
[0060]在背離生長(zhǎng)襯底200的一側(cè)上構(gòu)成有具有多個(gè)凹部260的結(jié)構(gòu)化部26(圖1B)。在發(fā)射輻射的器件的情況下，結(jié)構(gòu)化部尤其設(shè)置用于減少波導(dǎo)效應(yīng)并且改進(jìn)耦合輸出效率。結(jié)構(gòu)化部26例如能夠以微棱鏡的形式構(gòu)成。然而也可以考慮其他的設(shè)計(jì)方案，例如不規(guī)則的結(jié)構(gòu)化部，如粗糙化部。
[0061 ]在半導(dǎo)體層序列2上構(gòu)成有第一絕緣層71。第一絕緣層71具有留空部711。第二半導(dǎo)體層的電接觸僅經(jīng)由第一絕緣層的留空部進(jìn)行。在絕緣層上構(gòu)成有第二連接層32。第二連接層32示例地具有第一子層321和鏡層322。第一子層在留空部711中構(gòu)成并且用于電接觸第二半導(dǎo)體層22。然而，第一絕緣層不是強(qiáng)制必需的。也可以考慮的是:第二連接層大面積地鄰接于第二半導(dǎo)體層。在其它中間步驟中，第一子層321為了簡(jiǎn)化視圖未詳細(xì)示出。
[0062]以如“第一絕緣層”和“第二絕緣層”的方式編號(hào)的各個(gè)層的名稱(chēng)在本申請(qǐng)的范圍中僅用于簡(jiǎn)化地對(duì)照各個(gè)層并且并不意味著層在制造時(shí)的順序。此外，術(shù)語(yǔ)“第二絕緣層”例如不一定需要存在第一絕緣層。
[0063]第二連接層32還具有留空部325。在這些留空部中，第二半導(dǎo)體層22沒(méi)有金屬材料。
[0064]下面，如在圖1C中所示出的那樣，在第二連接層32上施加第一連接層31。第二連接層32局部地在第一連接層31和第二半導(dǎo)體層22之間伸展。為了第一連接層和第二連接層之間的電絕緣，在這些層之間構(gòu)成第二絕緣層72。第二絕緣層整面地覆蓋半導(dǎo)體層序列。此夕卜，第二絕緣層在第二連接層的留空部325中鄰接于第一絕緣層71。
[0065]在第二連接層32的留空部325的區(qū)域中，在第一連接層31和第二半導(dǎo)體層22之間不存在金屬材料。
[0066]第一連接層31整面地覆蓋半導(dǎo)體層序列2。也就是說(shuō)，為了構(gòu)成第一連接層31，不需要光刻的結(jié)構(gòu)化方法。
[0067]隨后，借助于連接層55、例如焊料層或能導(dǎo)電的粘結(jié)層將半導(dǎo)體層序列固定在載體5上。第二半導(dǎo)體層22設(shè)置在半導(dǎo)體層序列的朝向載體5的一側(cè)上(圖1D)。
[0068]載體用于機(jī)械穩(wěn)定半導(dǎo)體層序列2，使得對(duì)此不需要生長(zhǎng)襯底200并且能夠?qū)⑵湟瞥?圖1E)。移除生長(zhǎng)襯底例如能夠機(jī)械地、例如借助于磨削、研磨或拋光進(jìn)行和/或化學(xué)地、例如借助于濕化學(xué)的或干化學(xué)的刻蝕進(jìn)行。
[0069]特別地，能夠在第一子步驟中機(jī)械地打薄生長(zhǎng)襯底。在第二子步驟中，能夠借助于化學(xué)的剝離方法移除留下的剩余部分。與此不同，也可以考慮的是:在在載體進(jìn)行固定上時(shí)已經(jīng)移除生長(zhǎng)襯底200。在這種情況下，半導(dǎo)體層序列能夠在載體上進(jìn)行固定時(shí)例如由臨時(shí)的輔助載體穩(wěn)定。
[0070]如在圖1F中所示出的那樣，從背離載體5的一側(cè)起構(gòu)成留空部29，所述留空部完全地延伸穿過(guò)半導(dǎo)體層序列2。同時(shí)，構(gòu)成用于將半導(dǎo)體層序列2劃分成在橫向上彼此間隔開(kāi)的半導(dǎo)體本體20的分離溝槽28。通過(guò)在一個(gè)制造步驟中構(gòu)成留空部29和分離溝槽28減少制造時(shí)的耗費(fèi)。但是，留空部和分離溝槽也能夠在彼此分開(kāi)的步驟中相繼構(gòu)成。留空部和分離溝槽在橫向方向上彼此間隔開(kāi)，使得各個(gè)半導(dǎo)體本體的留空部分別沿著整個(gè)環(huán)周由半導(dǎo)體本體的材料包圍。留空部29和/或分離溝槽28能夠具有垂直的側(cè)沿，即平行于豎直方向伸展的側(cè)沿。作為替選方案，側(cè)沿能夠傾斜于豎直方向構(gòu)成，其中留空部29和/或分離溝槽28的橫截面朝向載體5漸縮。
[0071 ]在俯視圖中，半導(dǎo)體層序列中的留空部29與第二連接層325中的留空部325重合。特別地，留空部29完全地在第二連接層325的留空部325內(nèi)部伸展。
[0072]下面，分離層73的材料借助于起保形作用的方法沉積，例如借助于CVD(化學(xué)氣相沉積)法或原子層精細(xì)沉積(原子層沉積，ALD)法。保形沉積的層在其伸展中跟隨位于其下的材料的形狀。分離層的材料整面地覆蓋半導(dǎo)體層序列，尤其也覆蓋留空部29和分離溝槽28的側(cè)面。
[0073]如在圖1G中所示出的那樣，分離層73整面地經(jīng)受方向選擇性的刻蝕方法，使得平行于半導(dǎo)體層序列2的半導(dǎo)體層的主延伸平面伸展的面沒(méi)有分離層的材料。由此，分離層73僅位于傾斜于或垂直于主延伸平面伸展的側(cè)面上，尤其位于留空部29的側(cè)面290上或分離溝槽28的側(cè)面上。
[0074]也就是說(shuō)，借助于方向選擇性的刻蝕方法能夠?qū)崿F(xiàn)分離層，所述分離層在留空部的區(qū)域中引起留空部29的側(cè)面的電絕緣，而對(duì)此不需要光刻方法。更確切地說(shuō)，自調(diào)整地進(jìn)行分離層73的構(gòu)成。通過(guò)棄用用于構(gòu)成覆層的留空部的兩個(gè)相互調(diào)整的光刻步驟，能夠減小留空部29的橫向擴(kuò)展。因此，有源區(qū)域25的因構(gòu)成留空部29所失去的份額減少。例如，干化學(xué)的刻蝕方法、例如反應(yīng)性的離子刻蝕適合作為方向選擇性的刻蝕方法。
[0075]如在圖1H中所示出的那樣，下面，在半導(dǎo)體層序列2上施加掩模層8、例如光刻膠層。掩模層構(gòu)成為，使得在掩模層中構(gòu)成開(kāi)口 81，其中留空部29在半導(dǎo)體層序列2的俯視圖中完全地設(shè)置在開(kāi)口81內(nèi)部。隨著距半導(dǎo)體層序列2的距離增加，開(kāi)口81的橫截面減小，使得形成底切的區(qū)域。
[0076]隨后，如在圖11中所示出的那樣，借助于另一方向選擇性的方法剝離分離層73的材料。所述另一方向選擇性的方法與在橫向方向上相比同樣在豎直方向上具有更高的刻蝕速率。由此，覆蓋側(cè)面29的材料沿豎直方向被剝離。因此，留空部29的側(cè)面290分別具有子區(qū)域291，在所述子區(qū)域中露出第一半導(dǎo)體層21。子區(qū)域尤其鄰接于接觸層210。
[0077]此外，借助于所述另一方向選擇性的刻蝕方法在留空部29的底部上移除位于留空部29和第一連接層31之間的材料，使得露出第一連接層31。特別地，在該步驟中，在留空部29的區(qū)域中移除第二絕緣層72的材料。使第一連接層31在第二連接層的留空部325中露出。也就是說(shuō)，在進(jìn)行露出時(shí)不必須移除金屬材料。
[0078]隨后，如在圖1J中所示出的那樣，傳導(dǎo)層4整面地施加到半導(dǎo)體層序列2上。傳導(dǎo)層4的材料覆蓋留空部29的側(cè)面290和掩模層8。優(yōu)選地，以主沉積方向(通過(guò)箭頭95示出)進(jìn)行傳導(dǎo)層的沉積，所述主沉積方向傾斜于豎直方向伸展，使得第一半導(dǎo)體層的子區(qū)域也借助傳導(dǎo)層覆蓋，所述子區(qū)域在半導(dǎo)體層序列的俯視圖中由掩模層8覆蓋。也就是說(shuō)，傳導(dǎo)層4的沉積在第一半導(dǎo)體層上的材料和沉積在掩模層上的材料在俯視圖中局部地重合。優(yōu)選地，在沉積傳導(dǎo)層期間，半導(dǎo)體層序列旋轉(zhuǎn)，使得傳導(dǎo)層4完全地環(huán)繞第一半導(dǎo)體層上的留空部29 ο
[0079]隨后，整面地沉積覆蓋層74(圖1Κ)，優(yōu)選同樣以?xún)A斜于豎直方向伸展的主沉積方向進(jìn)行沉積。
[0080]在移除掩模層8(圖1L)之后，半導(dǎo)體層序列的之前由掩模層覆蓋的區(qū)域沒(méi)有覆蓋層74 ο特別地，覆蓋層74完全地覆蓋傳導(dǎo)層4。
[0081]覆蓋層74現(xiàn)在能夠用作為用于半導(dǎo)體層序列2的材料剝離的掩模(圖1Μ)。在材料剝離時(shí)，能夠局部地移除接觸層210，使得該接觸層僅能夠存在于傳導(dǎo)層4和覆蓋層74下方。借助于接觸層210能夠?qū)崿F(xiàn)與傳導(dǎo)層4的良好的歐姆接觸。在傳導(dǎo)層4的側(cè)部，移除接觸層210的材料，使得避免因接觸層210引起的吸收輻射的危險(xiǎn)。由此，以簡(jiǎn)單且可靠的方式實(shí)現(xiàn)良好的可電接觸性并且同時(shí)實(shí)現(xiàn)降低的吸收損失。特別地，對(duì)此不需要附加的光刻步驟。
[0082]此外，在對(duì)半導(dǎo)體層序列的材料進(jìn)行材料剝離時(shí)，能夠構(gòu)成耦合輸出結(jié)構(gòu)化部27，例如呈粗糙化部形式的耦合輸出結(jié)構(gòu)化部。
[0083]隨后，如在圖1N中所示出的那樣，可選地將鈍化層75施加到半導(dǎo)體層序列上。也可以考慮的是:在鈍化層上附加地構(gòu)成輻射轉(zhuǎn)換層(未詳細(xì)示出)或者在鈍化層中設(shè)置輻射轉(zhuǎn)換材料。
[0084]載體5從背離半導(dǎo)體層序列2的一側(cè)起被打薄。由此能夠降低構(gòu)件高度。在打薄之前，載體由于較大的厚度能夠具有高的機(jī)械魯棒性。替選地，半導(dǎo)體層序列2能夠施加到如下載體上，所述載體已經(jīng)具有在在制成的半導(dǎo)體器件中所期望的最終厚度。
[0085]在載體5的背離半導(dǎo)體層序列2的一側(cè)上構(gòu)成第一接觸部61。第一接觸部61在該實(shí)施例中經(jīng)由載體5、第一連接層31和傳導(dǎo)層4與第一半導(dǎo)體層21連接。在半導(dǎo)體本體20的側(cè)部，在載體5的朝向半導(dǎo)體層序列2的一側(cè)上構(gòu)成第二接觸部62，以經(jīng)由第二連接層32電接觸第二半導(dǎo)體層22。
[0086]通過(guò)在第一接觸部61和第二接觸部62之間施加外部電壓，能夠?qū)⑤d流子從相反的側(cè)注入到有源區(qū)域25中，并且在那里重組以發(fā)射輻射。
[0087]為了構(gòu)成各個(gè)半導(dǎo)體器件，將如此制造的復(fù)合件沿著分割線(xiàn)9分割，使得所制造的半導(dǎo)體器件載體5的一部分和如下半導(dǎo)體本體20，所述半導(dǎo)體本體具有至少一個(gè)留空部29。
[0088]借助所描述的方法能夠以簡(jiǎn)單且可靠的方式制造半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體本體2、尤其輻射穿過(guò)面11沒(méi)有用于進(jìn)行電流分配和外部電接觸的結(jié)構(gòu)，例如用于引線(xiàn)鍵合連接的結(jié)構(gòu)。設(shè)置在有源區(qū)域25的背離載體5的一側(cè)上的第一半導(dǎo)體層21的電接觸能夠經(jīng)由留空部29進(jìn)行，其中留空部29在自調(diào)整的過(guò)程中能夠簡(jiǎn)單且可靠地制造為，使得傳導(dǎo)層4在留空部中與第二半導(dǎo)體層22和有源區(qū)域25電絕緣。
[0089]圖1N示出如此制造的半導(dǎo)體器件I的一個(gè)實(shí)施例。半導(dǎo)體器件I僅示例地具有后側(cè)的第一接觸部61和前側(cè)的、尤其設(shè)置在半導(dǎo)體本體2的側(cè)部的接觸部62。
[0090]第一絕緣層71、第二絕緣層72、分離層73、覆蓋層74和鈍化層75優(yōu)選分別包含電絕緣材料，例如氧化物、如氧化硅，或氮化物、例如氮化硅。
[0091]第一連接層31、第二連接層32、第一接觸部61和第二接觸部62優(yōu)選分別包含金屬或由金屬或金屬合金構(gòu)成。所述層能夠分別單層片地或多層片地構(gòu)成。
[0092]方法的另一實(shí)施例根據(jù)圖2A中示出的中間步驟示出。該實(shí)施例基本上對(duì)應(yīng)于結(jié)合圖1A至IN所描述的實(shí)施例。
[0093]在此，圖2A基本上對(duì)應(yīng)于圖1B。與其不同的是，第二連接層32的留空部325位于結(jié)構(gòu)化部26的凹部260a中的一個(gè)中。優(yōu)選地，凹部260a的橫向擴(kuò)展大至使得第二連接層32的留空部325完全位于凹部?jī)?nèi)部。其余的凹部260能夠具有較小的橫向擴(kuò)展。也就是說(shuō)，在隨后構(gòu)成穿過(guò)半導(dǎo)體層序列的留空部時(shí)，不必再剝離半導(dǎo)體層序列的總厚度(參見(jiàn)圖1F)。
[0094]另外的制造步驟能夠如結(jié)合第一實(shí)施例所描述的那樣執(zhí)行。
[0095]方法的另一實(shí)施例根據(jù)圖2B中示出的中間步驟示出。該實(shí)施例基本上對(duì)應(yīng)于在圖2A中示出的實(shí)施例。與其不同的是，在圖2B中示出的中間步驟中，第一絕緣層71構(gòu)成為，使得其在隨后的穿過(guò)半導(dǎo)體層序列的留空部29的區(qū)域中具有開(kāi)口 712。通過(guò)這些開(kāi)口能夠經(jīng)由傳導(dǎo)層4電接觸第一連接層31(參見(jiàn)圖1J)。也就是說(shuō)，與圖1I中所示出的中間步驟不同，在移除留空部29中的半導(dǎo)體層序列之后，絕緣層不必局部地被移除。因此簡(jiǎn)化了第一連接層31的露出。
[0096]在開(kāi)口712中以及在留空部711中，能夠施加第二連接層的設(shè)置用于電接觸第二半導(dǎo)體層22的第一子層321。隨后，能夠移除開(kāi)口中的該層，尤其如下步驟中進(jìn)行移除:結(jié)構(gòu)化第二連接層32。
[0097]因此，能夠以簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn):對(duì)于構(gòu)成開(kāi)口712而言不需要附加的光刻掩模。也就是說(shuō)，用于電接觸第一半導(dǎo)體層21的開(kāi)口 712和用于電接觸第二半導(dǎo)體層22的留空部711能夠在共同的方法中構(gòu)成。
[0098]其它制造步驟能夠如結(jié)合第一實(shí)施例所描述的那樣執(zhí)行。此外，在圖2B中示出的實(shí)施例也適用于第一實(shí)施例。
[0099]與在圖1N中所示出的實(shí)施例不同，半導(dǎo)體器件I的在圖3中示出的實(shí)施例具有兩個(gè)前側(cè)的接觸部。也就是說(shuō)，第一接觸部61不設(shè)置在載體5的后側(cè)上，而是同樣設(shè)置在半導(dǎo)體本體20的側(cè)部。在這種情況下，載體5也能夠構(gòu)成為是電絕緣的。
[0100]在圖4中示出的實(shí)施例如在圖1N中示出的實(shí)施例那樣具有前側(cè)的接觸部和后側(cè)的接觸部。與其不同的是，與第一半導(dǎo)體層21導(dǎo)電連接的第一接觸部61是前側(cè)的接觸部。與第二半導(dǎo)體層22連接的第二接觸部62形成后側(cè)的接觸部。也就是說(shuō)，在這種情況下，設(shè)置在有源區(qū)域25的朝向載體的一側(cè)上的半導(dǎo)體層、即第二半導(dǎo)體層22可穿過(guò)載體與后側(cè)接觸部外部電接觸。
[0101]在圖5中所示出的實(shí)施例中，與結(jié)合圖1N所描述的實(shí)施例不同的是，示出半導(dǎo)體器件I，其中第一接觸部61和第二接觸部62在載體5的后側(cè)上構(gòu)成。在這種情況下，載體5具有貫通部51。半導(dǎo)體器件I的這兩個(gè)接觸部可從后側(cè)起觸及。載體5包括具有留空部的載體本體50，貫通部沿豎直方向延伸穿過(guò)所述留空部。載體本體局部地、尤其在貫通部51的區(qū)域中在朝向半導(dǎo)體本體20的主面上并且在背離半導(dǎo)體本體的主面上由載體絕緣層57覆蓋。第一連接層31和第二連接層32經(jīng)由間隙56彼此電絕緣。間隙例如能夠借助氣體、如空氣或保護(hù)氣體填充或被抽真空。作為替選方案，間隙能夠通過(guò)電絕緣的固體材料填充。
[0102]本申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102014 102 029.4的優(yōu)先權(quán)，所述德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)參考并入本文。
[0103]本發(fā)明不受限于根據(jù)所述實(shí)施例進(jìn)行的描述。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括各個(gè)新的特征以及特征的各個(gè)組合，這尤其包含權(quán)利要求中的特征的各個(gè)組合，即使該特征或該組合本身沒(méi)有在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_地說(shuō)明時(shí)也是如此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造多個(gè)半導(dǎo)體器件(I)的方法，所述方法具有如下步驟: a)提供半導(dǎo)體層序列(2)，所述半導(dǎo)體層序列具有第一半導(dǎo)體層(21)、第二半導(dǎo)體層(22)和設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源區(qū)域(25)，所述有源區(qū)域設(shè)置用于產(chǎn)生和/或接收輻射； b)在所述第二半導(dǎo)體層的、背離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)上構(gòu)成第一連接層(31); c)構(gòu)成多個(gè)穿過(guò)所述半導(dǎo)體層序列的留空部(29); d)在所述留空部中構(gòu)成傳導(dǎo)層(4)，所述傳導(dǎo)層用于在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一連接層之間建立導(dǎo)電連接;和 e)分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件，其中從所述半導(dǎo)體層序列中為每個(gè)半導(dǎo)體器件產(chǎn)生半導(dǎo)體本體(20)，所述半導(dǎo)體本體具有多個(gè)所述留空部中的至少一個(gè)留空部，并且該至少一個(gè)留空部在所述半導(dǎo)體本體的俯視圖中完全地由所述半導(dǎo)體本體包圍。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中施加用于在所述有源區(qū)域和所述傳導(dǎo)層之間電絕緣的分離層(73)，所述分離層至少在所述第二半導(dǎo)體層的和所述有源區(qū)域的高度上覆蓋所述留空部的側(cè)面(290)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法， 其中將用于所述分離層的材料整面地施加到具有所述留空部的所述半導(dǎo)體層序列上以構(gòu)成所述分離層，并且借助于方向選擇性的刻蝕方法移除所述材料，使得由所述分離層覆蓋僅傾斜于或垂直于所述半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的主延伸平面伸展的面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法， 其中在隨后的另一方向選擇性的刻蝕方法中，移除所述分離層的其它材料，并且使所述第一半導(dǎo)體層局部地在所述留空部中露出。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法， 其中通過(guò)所述另一方向選擇性的刻蝕方法使所述第一連接層露出。6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法， 其中在構(gòu)成所述留空部之前，在所述半導(dǎo)體層序列和所述第一連接層之間構(gòu)成具有開(kāi)口(712)的第一絕緣層(71)，其中所述留空部構(gòu)成為，使得所述留空部在所述半導(dǎo)體層序列的俯視圖中與所述開(kāi)口重合。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中在步驟c)之前移除用于所述半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底(200)。8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中在施加所述傳導(dǎo)層之前，將具有多個(gè)開(kāi)口(81)的掩模層(8)施加到所述半導(dǎo)體層序列上，并且每個(gè)留空部在俯視圖中完全地設(shè)置在多個(gè)所述開(kāi)口中的一個(gè)開(kāi)口內(nèi)部，并且所述第一半導(dǎo)體層在所述留空部的側(cè)部局部地沒(méi)有所述掩模層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法， 其中所述開(kāi)口隨著距所述半導(dǎo)體層序列的距離增加而漸縮，并且以主沉積方向沉積用于所述傳導(dǎo)層的材料，使得在俯視圖中，所述傳導(dǎo)層的已沉積在所述開(kāi)口中的材料與所述傳導(dǎo)層的沉積在所述掩模層上的材料重合，其中所述主沉積方向傾斜于豎直方向伸展，所述豎直方向垂直于所述半導(dǎo)體層序列的主延伸平面伸展。10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中將覆蓋層(74)施加到所述傳導(dǎo)層上，并且所述覆蓋層用作為掩模以進(jìn)行所述第一傳導(dǎo)層的材料剝離。11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中在步驟b)和步驟c)之間將所述半導(dǎo)體材料固定在載體上。12.—種具有半導(dǎo)體本體(20)的半導(dǎo)體器件(I)，所述半導(dǎo)體本體具有第一半導(dǎo)體層(21)、第二半導(dǎo)體層(22)和設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源區(qū)域(25)，所述有源區(qū)域設(shè)置用于產(chǎn)生和/或接收輻射，其中 -在所述第二半導(dǎo)體層的、背離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)上設(shè)置有第一連接層(31); -所述半導(dǎo)體本體具有至少一個(gè)留空部(29)，所述留空部延伸穿過(guò)所述半導(dǎo)體本體，并且在所述半導(dǎo)體本體的俯視圖中完全地由所述半導(dǎo)體本體包圍；和 -在至少一個(gè)所述留空部中設(shè)置有傳導(dǎo)層(4)，并且在所述第一導(dǎo)體層和所述第一連接層之間形成導(dǎo)電連接。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述傳導(dǎo)層在至少一個(gè)所述留空部中緊鄰所述第一半導(dǎo)體層。14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述傳導(dǎo)層局部地設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的與所述有源區(qū)域相對(duì)置的輻射穿過(guò)面(11)上。15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一半導(dǎo)體層具有接觸層(210)，所述接觸層在所述半導(dǎo)體器件的俯視圖中僅構(gòu)成在所述傳導(dǎo)層下方。16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述第一連接層和所述第二半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第二連接層(32)以進(jìn)行所述第二半導(dǎo)體層的電接觸。17.根據(jù)權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的方法制造。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK106062976SQ201580009283
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2015年2月17日
【發(fā)明人】諾溫·文馬爾姆, 亞歷山大·F·普福伊費(fèi)爾, 坦森·瓦爾蓋斯, 菲利普·克羅伊特爾
【申請(qǐng)人】歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司