專(zhuān)利名稱(chēng)：：移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及裝置、曝光方法及裝置、圖案形成方法及裝置、以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及裝置、曝光方法及裝置、圖案形成方法及裝置、以及器件制造方法，詳言之，涉及沿既定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置、利用前述移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法的曝光方法及具備前述移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置的曝光裝置、利用前述移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法的圖案形成方法及具備前述移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置的圖案形成裝置、以及利用前述圖案形成方法的器件制造方法。
背景技術(shù)：
：以往，在制造半導(dǎo)體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等的電子器件(微型器件)的光刻工序中，主要使用步進(jìn)重復(fù)方式的縮小投影曝光裝置(所謂步進(jìn)機(jī))、或步進(jìn)掃描方式的縮小投影曝光裝置(所謂掃描步進(jìn)機(jī)(也稱(chēng)掃描機(jī)))等。此種曝光裝置中，為了將標(biāo)線(xiàn)片(或掩模)的圖案轉(zhuǎn)印至晶片或玻璃板等基板(以下，統(tǒng)稱(chēng)為f晶片」)上的多個(gè)照射區(qū)域，保持晶片的晶片載臺(tái)利用例如線(xiàn)性馬達(dá)等加以驅(qū)動(dòng)于二維方向。晶片載臺(tái)的位置，一般而言，使用長(zhǎng)期具有高安定性的激光干涉儀加以測(cè)量。然而，近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體元件高集成化引起的圖案微細(xì)化，重疊精度的要求日趨嚴(yán)格，因激光干涉儀的光路上的環(huán)境氣氛的溫度變化及溫度梯度的影響所產(chǎn)生的空氣波動(dòng)所引起的測(cè)量值短期變動(dòng)在重疊(overlay)預(yù)算中占有相當(dāng)大的重要性。因此，發(fā)明人先前提出了一種啄光裝置，其采用具有與激光干涉儀相同程度以上的測(cè)量解析能力，一般而言，比干涉儀不易受空氣波動(dòng)影響的編碼器，來(lái)作為晶片載臺(tái)的位置測(cè)量裝置(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。發(fā)明人等在進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)等后的結(jié)果，最近發(fā)現(xiàn)了當(dāng)對(duì)形成有衍射光柵的標(biāo)尺持續(xù)照射一定時(shí)間以上的來(lái)自編碼器讀頭(encoderhead)的測(cè)量光束時(shí)，標(biāo)尺會(huì)因熱膨脹而微小變形，而此微小變形將成為無(wú)法忽視程度的測(cè)量誤差的主因。[專(zhuān)利文獻(xiàn)1國(guó)際公開(kāi)第2007/097379號(hào)小冊(cè)子
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明第l觀點(diǎn)的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，其包含使用位置測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量上述移動(dòng)體的位置并根據(jù)其測(cè)量結(jié)果驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體的步驟，該位置測(cè)量系統(tǒng)具備對(duì)設(shè)在上述移動(dòng)體與上述移動(dòng)體外部中的一方的測(cè)量面照射測(cè)量光束的設(shè)在上述移動(dòng)體與上述移動(dòng)體外部中的另一方的讀頭；以及調(diào)整上述測(cè)量光束照射于上述測(cè)量面上的照射量的步驟。根據(jù)此方法，通過(guò)調(diào)整測(cè)量光束對(duì)測(cè)量面上的照射量，能調(diào)整對(duì)測(cè)量面的照射熱，而能抑制因照射熱所引起的測(cè)量面的變形。因此，能恒維持高位置測(cè)量精度，保障移動(dòng)體的驅(qū)動(dòng)精度。本發(fā)明第2觀點(diǎn)的曝光方法，通過(guò)照射能量束而在物體上的劃分區(qū)域形成圖案，其包含為在上述劃分區(qū)域形成圖案，使用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)保持上述物體的移動(dòng)體的步驟。根據(jù)此方法，為在物體上的劃分區(qū)域形成圖案，使用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，來(lái)驅(qū)動(dòng)保持物體的移動(dòng)體。據(jù)此，即能以良好精度在物體上的劃分區(qū)域形成圖案。本發(fā)明第3觀點(diǎn)的圖案形成方法，在物體上形成圖案，其包含為在上述物體上形成圖案，使用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)保持上述物體的移動(dòng)體的步驟。根據(jù)此方法，為在物體上形成圖案，使用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)保持物體的移動(dòng)體。據(jù)此，即能以良好精度在物體上形成圖案。本發(fā)明第4觀點(diǎn)的器件制造方法，其包含使用本發(fā)明的圖案形成方法在物體上形成圖案的步驟；以及對(duì)形成上述圖案的上述物體進(jìn)行處理的步驟。本發(fā)明第5觀點(diǎn)的曝光方法，利用能量束使物體曝光，其包含使用在能保持上述物體在既定平面內(nèi)移動(dòng)的移動(dòng)體與其外部中的一方設(shè)有測(cè)量面、且另一方設(shè)有讀頭的位置測(cè)量系統(tǒng)，測(cè)量上述移動(dòng)體的位置信息，根據(jù)該位置信息驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體的動(dòng)作；以及阻止因上述測(cè)量光束而使上述測(cè)量面上的包含熱應(yīng)力、變形量中的至少l種的物理量超過(guò)容許值的動(dòng)作。此處，所謂物理量，指因測(cè)量光束的照射而在測(cè)量面產(chǎn)生的變形(含因熱應(yīng)力引起的變形)相關(guān)連的物理量。根據(jù)此方法，使用位置測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量移動(dòng)體的位置信息，根據(jù)該位置信息驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。此外，也阻止因測(cè)量光束的照射而使位置測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量面的包含熱應(yīng)力、變形量的至少l種的物理量超過(guò)容許值。因此，能抑制因照射熱而產(chǎn)生的測(cè)量面的變形，據(jù)此，能恒維持高位置測(cè)量精度，保障移動(dòng)體的驅(qū)動(dòng)精度。本發(fā)明第6觀點(diǎn)的器件制造方法，其包含使用本發(fā)明的曝光方法使物體啄光的動(dòng)作；以及使膝光后的前述物體顯影的動(dòng)作。本發(fā)明第7觀點(diǎn)的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，其具備位置測(cè)量系統(tǒng)，使用對(duì)設(shè)于上述移動(dòng)體上與上述移動(dòng)體外部中的一方的測(cè)量面，照射測(cè)量光束的設(shè)于上述移動(dòng)體上與上述移動(dòng)體外部中的另一方的讀頭，測(cè)量上述移動(dòng)體的位置；驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)上述位置測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量結(jié)果在上述既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體；以及調(diào)整裝置，使用上述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體，由此調(diào)整上述測(cè)量光束對(duì)上述測(cè)量面上的照射量。根據(jù)此裝置，利用調(diào)整裝置，使用驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，由此調(diào)整測(cè)量光束對(duì)測(cè)量面上的照射量。因此，能調(diào)整對(duì)測(cè)量面的照射熱，抑制因該熱所產(chǎn)生的測(cè)量面的變形。因此，能恒維持高位置測(cè)量精度，保障移動(dòng)體的驅(qū)動(dòng)精度。本發(fā)明第8觀點(diǎn)的曝光裝置，通過(guò)照射能量束而在物體上的劃分區(qū)域形成圖案，其具備為在上述劃分區(qū)域形成圖案，而在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)保持上述物體的移動(dòng)體的本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置。根據(jù)此裝置，為在物體上的劃分區(qū)域形成圖案，利用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)保持物體的移動(dòng)體。如此，即能以良好精度在物體上的劃分區(qū)域形成圖案。本發(fā)明第9觀點(diǎn)的圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備可保持上述物體而移動(dòng)的移動(dòng)體；在上述物體上形成圖案的圖案生成裝置；以及將上述移動(dòng)體在既定平面內(nèi)加以驅(qū)動(dòng)的本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置。根據(jù)此裝置，在利用圖案生成裝置在物體上形成圖案時(shí)，利用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)保持物體的移動(dòng)體。如此，即能以良好精度在物體上形成圖案。本發(fā)明第IO觀點(diǎn)的曝光裝置，利用能量束使物體曝光，其具備移動(dòng)體，可保持上述物體而在既定平面內(nèi)移動(dòng)；位置測(cè)量系統(tǒng)，具有設(shè)于上述移動(dòng)體與該移動(dòng)體外部中的一方的讀頭，從該讀頭對(duì)設(shè)于上述移動(dòng)體與該移動(dòng)體外部中的另一方的測(cè)量面照射測(cè)量光束，并接收其反射光來(lái)測(cè)量上述移動(dòng)體的位置信息；驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，根據(jù)上述位置信息驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體；以及控制裝置，用以阻止因上述測(cè)量光束而使上述測(cè)量面上的包含熱應(yīng)力、變形量中的至少1種的物理量超過(guò)容許值。根據(jù)此裝置，由位置測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量移動(dòng)體的位置信息，根據(jù)該位置信息由驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。又，利用控制裝置阻止因測(cè)量光束的照射使在位置測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量面的包含熱應(yīng)力、變形量的至少l者的物理量超過(guò)容許值。因此，能抑制因照射熱引起的測(cè)量面的變形，據(jù)此，能恒維持高位置測(cè)量精度，保障移動(dòng)體的驅(qū)動(dòng)精度。本發(fā)明第ll觀點(diǎn)的第三器件制造方法，包含使用本發(fā)明的曝光裝置使物體曝光的動(dòng)作；以及使曝光后的前述物體顯影的動(dòng)作。圖l是概略顯示一實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的構(gòu)成的圖。圖2是顯示晶片載臺(tái)的俯視圖。圖3是顯示圖1的曝光裝置所具備的載臺(tái)裝置及干涉儀的配置的俯視圖。圖4是顯示圖l的曝光裝置所具備的載臺(tái)裝置及傳感器單元的配置的俯^f見(jiàn)圖。圖5是顯示編碼器讀頭(X讀頭、Y讀頭)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的配置的俯視圖。圖6是顯示Z讀頭與多點(diǎn)AF系統(tǒng)的配置的俯視圖。圖7是顯示一實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。圖8是顯示晶片載臺(tái)的第l待機(jī)位置(卸載位置)的圖。圖9是顯示晶片載臺(tái)的第2待機(jī)位置(裝載位置)的圖。圖IO是用以說(shuō)明為避免對(duì)標(biāo)尺上的同一處連續(xù)照射來(lái)自編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法的一例的圖。圖11是用以說(shuō)明為避免對(duì)標(biāo)尺上的同一處連續(xù)照射來(lái)自編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法的另一例的圖。圖12是用以說(shuō)明為避免對(duì)標(biāo)尺上的同一處連續(xù)照射來(lái)自編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法的又一例的圖。圖13是用以說(shuō)明為避免對(duì)標(biāo)尺上的同一處連續(xù)照射來(lái)自編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法的再一例的圖。具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)圖1~圖13說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)。圖1中概略顯示了第1實(shí)施形態(tài)的爆光裝置100的構(gòu)成。啄光裝置100是步進(jìn)掃描方式的投影爆光裝置、所謂的掃描機(jī)。如后述般，本實(shí)施形態(tài)中設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng)PL，以下，將與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平4于的方向設(shè)為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交的面內(nèi)標(biāo)線(xiàn)片(reticle)與晶片相對(duì)掃描的方向設(shè)為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交的方向設(shè)為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為ex、ey及ez方向來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。膝光裝置100具備照明系統(tǒng)IO、標(biāo)線(xiàn)片載臺(tái)RST、投影單元PU、具有晶片載臺(tái)WST的載臺(tái)裝置50、及它們的控制系統(tǒng)等。圖l中，晶片載臺(tái)WST上裝載有晶片W。照明系統(tǒng)10，例如美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2003/0025890號(hào)說(shuō)明書(shū)等所揭示，其包含光源；具有包含光學(xué)積分器等的照度均一化光學(xué)系統(tǒng)、以及標(biāo)線(xiàn)片遮簾等(均未圖示)的照明光學(xué)系統(tǒng)。照明系統(tǒng)IO利用照明光(曝光用光)IL以大致均一的照度來(lái)照明被標(biāo)線(xiàn)片遮簾(屏蔽系統(tǒng))規(guī)定的標(biāo)線(xiàn)片R上的狹縫狀照明區(qū)域IAR。作為一例，使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)來(lái)作為照明光IL。在標(biāo)線(xiàn)片載臺(tái)RST上，例如利用真空吸附固定有標(biāo)線(xiàn)片R,該標(biāo)線(xiàn)片R在其圖案面(圖1的下表面)形成有電路圖案等。標(biāo)線(xiàn)片載臺(tái)RST能利用包含例如線(xiàn)性馬達(dá)等的標(biāo)線(xiàn)片栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)ll(圖1中未圖示、參照?qǐng)D7)而在XY平面內(nèi)微小驅(qū)動(dòng)，且能在掃描方向(圖1的紙面內(nèi)左右方向即Y軸方向)上以既定的掃描速度進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。標(biāo)線(xiàn)片載臺(tái)RST在XY平面(移動(dòng)面)內(nèi)的位置信息(包含ez方向的旋轉(zhuǎn)信息)，利用標(biāo)線(xiàn)片激光千涉儀(以下稱(chēng)為r標(biāo)線(xiàn)片千涉儀」)116，經(jīng)由移動(dòng)鏡15(實(shí)際上，設(shè)有具有與Y軸方向正交的反射面的Y移動(dòng)鏡(或復(fù)歸反射器(retroreflector))、以及具有與X軸方向正交的反射面的X移動(dòng)鏡)例如以0.25nm左右的解析能力隨時(shí)檢測(cè)。標(biāo)線(xiàn)片干涉儀116的測(cè)量值被傳送至主控制裝置20(圖1中未圖示，參照?qǐng)D7)。投影單元PU配置在標(biāo)線(xiàn)片載臺(tái)RST的圖1中的下方，被支承于未圖示的主機(jī)架。投影單元PU包含鏡筒40、與被保持在鏡筒40內(nèi)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如使用沿與Z軸方向平行的光軸AX排列的多個(gè)光學(xué)元件(透鏡元件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如兩側(cè)遠(yuǎn)心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或l/8倍等)。因此，當(dāng)以來(lái)自照明系統(tǒng)10的照明光IL對(duì)標(biāo)線(xiàn)片R上的照明區(qū)域IAR進(jìn)行照明時(shí)，利用通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第1面(物體面)與圖案面大致配置成一致的標(biāo)線(xiàn)片R的照明光IL，使該照明區(qū)域IAR內(nèi)的標(biāo)線(xiàn)片R的電路圖案縮小像(電路圖案的一部分縮小像)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL(投影單元PU)形成于區(qū)域(以下也稱(chēng)為曝光區(qū)域)IA;該區(qū)域IA是配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第2面(像面)側(cè)、且表面涂敷有光刻膠(感應(yīng)劑)的晶片W上的與前述照明區(qū)域IAR共輒的區(qū)域。接著，通過(guò)標(biāo)線(xiàn)片栽臺(tái)RST與晶片載臺(tái)WST的同步驅(qū)動(dòng)，使標(biāo)線(xiàn)片R相對(duì)照明區(qū)域IAR(照明光IL)相對(duì)移動(dòng)于掃描方向(Y軸方向)，且使晶片W相對(duì)膝光區(qū)域(照明光IL)相對(duì)移動(dòng)于掃描方向(Y軸方向)，由此對(duì)晶片W上的一個(gè)照射區(qū)域(劃分區(qū)域)進(jìn)行掃描曝光，以將標(biāo)線(xiàn)片R的圖案轉(zhuǎn)印于該照射區(qū)域。即，本實(shí)施形態(tài)中，利用照明系統(tǒng)IO、及投影光學(xué)系統(tǒng)PL將標(biāo)線(xiàn)片R的圖案生成于晶片W上，通過(guò)照明光IL對(duì)晶片W上的感應(yīng)層(光刻膠層)的曝光將該圖案形成于晶片W上。栽臺(tái)裝置50，如圖1所示，具備配置在底盤(pán)12上的晶片載臺(tái)WST、測(cè)量晶片載臺(tái)WST的位置信息的測(cè)量系統(tǒng)200(參照?qǐng)D7)、以及驅(qū)動(dòng)晶片栽臺(tái)WST的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參照?qǐng)D7)等。測(cè)量系統(tǒng)200,如圖7所示，包含干涉儀系統(tǒng)118、編碼器系統(tǒng)150及面位置測(cè)量系統(tǒng)180等。晶片載臺(tái)WST，利用未圖示的非接觸軸承、例如空氣軸承等，隔著數(shù)Hm程度的間隙被支承在底盤(pán)12上。晶片載臺(tái)WST,包含載臺(tái)本體91、與搭載于該載臺(tái)本體91的晶片臺(tái)WTB。晶片臺(tái)WTB及載臺(tái)本體91，例如由包含線(xiàn)性馬達(dá)等的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124加以驅(qū)動(dòng)。據(jù)此，晶片W能在底盤(pán)12上移動(dòng)于6自由度方向(X、Y、Z、9x、ey、ez)。在晶片臺(tái)WTB的上表面中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。在晶片臺(tái)WTB上表面的晶片保持具的+Y側(cè)配置有測(cè)量板片30。在測(cè)量板片30的中央配置有基準(zhǔn)標(biāo)記FM，在基準(zhǔn)標(biāo)記FM的X軸方向兩側(cè)配置有一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案(狹縫狀的測(cè)量用圖案)SL。此外，對(duì)應(yīng)各空間像測(cè)量狹縫圖案SL，在晶片載臺(tái)WST內(nèi)部配置有光學(xué)系統(tǒng)及受光元件等。即，在晶片臺(tái)WTB上，設(shè)有包含空間像測(cè)量狹縫圖案SL的一對(duì)空間像測(cè)量器45A、45B(參照?qǐng)D7)。又，也可在晶片載臺(tái)WST內(nèi)部?jī)H配置光學(xué)系統(tǒng)的一部分，而將成為熱源的受光元件等配置在晶片載臺(tái)WST的外部。又，在晶片臺(tái)WTB上表面上形成有后述編碼器系統(tǒng)所使用的標(biāo)尺。詳言之，在晶片臺(tái)WTB上表面的X軸方向(圖2中的紙面內(nèi)左右方向)的一側(cè)與另一側(cè)的區(qū)域，分別形成有Y標(biāo)尺39Y^39Y2。Y標(biāo)尺39Yp39Y2，由例如以X軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的光柵線(xiàn)38以既定間距排列于Y軸方向、以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫凸鈻?例如衍射光柵)所構(gòu)成。同樣，在晶片臺(tái)WTB上表面的Y軸方向(圖2中紙面內(nèi)上下方向)一側(cè)與另一側(cè)的區(qū)域，以被Y標(biāo)尺39Yi及39Y2夾著的狀態(tài)分別形成有X標(biāo)尺39Xp39X2。X標(biāo)尺39X^39X2，例如由以Y軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的光柵線(xiàn)37以既定間距排列于X軸方向、以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫凸鈻?例如衍射光柵)所構(gòu)成。又，光柵線(xiàn)37、38的間距被i殳定為例如lfim。圖2及其它圖中，為便于圖示，光柵的間距被顯示得比實(shí)際間距大。此外，為保護(hù)各衍射光柵，將各標(biāo)尺用低熱膨漲率的玻璃板加以覆蓋也是有效的。此處，作為玻璃板可使用厚度與晶片相同程度、例如厚度lmm的玻璃板，并將其設(shè)置于晶片臺(tái)WST(各標(biāo)尺)的上表面使該玻璃板表面與晶片面同高(同面高)。又，在晶片臺(tái)WTB的-Y端面、-X端面，如圖2所示，形成有用于后迷干涉儀系統(tǒng)的反射面17a、反射面17b。又，在晶片臺(tái)WTB的+Y端面，如圖2所示，在X軸方向延設(shè)有與國(guó)際公開(kāi)第2007/097379號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2008/0088843號(hào)說(shuō)明書(shū))所揭示的CD桿相同的基準(zhǔn)桿(fiducialbar,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為「FD桿」)46。在FD桿46的長(zhǎng)邊方向一側(cè)與另一側(cè)的端部附近，以就晶片臺(tái)WTB的中央線(xiàn)LL成對(duì)稱(chēng)的配置，分別形成有以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻幕鶞?zhǔn)光柵(例如衍射光柵)52。此外，在FD桿46上表面形成有多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記M。作為各基準(zhǔn)標(biāo)記M，使用可以由后述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)加以檢測(cè)的尺寸的2維標(biāo)記。本實(shí)施形態(tài)中，各標(biāo)尺的覆蓋玻璃板表面、晶片臺(tái)WTB的上表面、測(cè)量板片30的表面、后迷FD桿46表面、及晶片表面為同一面高。此外，這些面的至少一部分可具有疏液性。本實(shí)施形態(tài)的膝光裝置100中，如圖4及圖5所示，設(shè)有一次(primary)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，此一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1在與通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的Y軸平行的直線(xiàn)(基準(zhǔn)軸)LV上、在-Y側(cè)距光軸AX既定距離的位置具有檢測(cè)中心。一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1被固定在前述主^L架下表面。如圖5所示，隔著一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1在X軸方向的一側(cè)和另一側(cè)，分別設(shè)有其檢測(cè)中心就基準(zhǔn)軸LV呈大致對(duì)稱(chēng)配置的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2"AL22和AL23、AL24。二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2！~AL24經(jīng)由可動(dòng)式支承構(gòu)件固定在主機(jī)架(未圖示)下表面，可利用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6(h~604(參照?qǐng)D7)在X軸方向調(diào)整它們的檢測(cè)區(qū)域的相對(duì)位置。本實(shí)施形態(tài)中，作為各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2iAL24使用例如圖《象處理方式的FIA(FieldImageAlignment)系統(tǒng)。來(lái)自各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2i~AL24的攝影信號(hào)經(jīng)由未圖示的信號(hào)處理系統(tǒng)被供應(yīng)至主控制裝置20。本實(shí)施形態(tài)中，晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的XY平面內(nèi)的位置信息(含0z方向的旋轉(zhuǎn)信息)，主要使用后述編碼器系統(tǒng)150加以測(cè)量。干涉儀系統(tǒng)118，則在晶片載臺(tái)WST位于編碼器系統(tǒng)150的測(cè)量區(qū)域外(例如，卸載位置UP(參照?qǐng)D8)及裝載位置LP(參照?qǐng)D9)附近)時(shí)使用。此外，也在修正(校正)編碼器系統(tǒng)150的測(cè)量結(jié)果的長(zhǎng)期變動(dòng)(例如標(biāo)尺的經(jīng)時(shí)變形等造成)的場(chǎng)合等輔助性地加以使用。因此，為進(jìn)行晶片栽臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)在XY平面內(nèi)的位置信息的測(cè)量，不一定必須要設(shè)置干涉儀系統(tǒng)118。另一方面，也可并用干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150，來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的位置信每在本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100中，與干涉儀系統(tǒng)118獨(dú)立地，為測(cè)量晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置(X、Y、ez)而i殳有構(gòu)成編碼器系統(tǒng)150的多個(gè)讀頭單元。如圖4所示，在投影單元PU的十X側(cè)、十Y側(cè)、-X側(cè)及一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1的-Y側(cè)，分別配置有4個(gè)讀頭單元62A、62B、62C及62D。又，在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2iAL24的X軸方向兩外側(cè)分別配置有讀頭單元62E、62F。這些讀頭單元62A62F經(jīng)由支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)固定在前述主機(jī)架。讀頭單元62A及62C，如圖5所示，分別具備多個(gè)(此處為5個(gè))Y讀頭65t65s及Y讀頭64i64s。此處，Y讀頭652~655及Y讀頭~644在基準(zhǔn)軸LH上以間隔WD配置。Y讀頭65!及Y讀頭645，配置在從基準(zhǔn)軸LH在-Y方向相隔既定距離的投影單元PU的-Y側(cè)位置。Y讀頭65n652間、及Y讀頭64"64j司的X軸方向的間隔也設(shè)定為WD。又，Y讀頭65i65s與Y讀頭64s64p被就基準(zhǔn)軸LV配置成對(duì)稱(chēng)。以下，視需要，也將Y讀頭65i65s及Y讀頭6^64s分別記載為Y讀頭65及Y讀頭64。讀頭單元62A，使用Y標(biāo)尺39Yi構(gòu)成用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的Y軸方向位置(Y位置)的多目艮(此處為5眼)Y線(xiàn)性編碼器70A(參照?qǐng)D7)。同樣的，讀頭單元62C則使用Y標(biāo)尺39Y2構(gòu)成用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的Y位置的多眼(此處為5眼)Y線(xiàn)性編碼器70C(參照?qǐng)D7)。又，以下，也將Y線(xiàn)性編碼器適當(dāng)簡(jiǎn)稱(chēng)為rY編碼器」或「編碼器J。此處，讀頭單元62A、62C分別具備的5個(gè)Y讀頭65、64(正確而言，Y讀頭65、64發(fā)出的測(cè)量光束在標(biāo)尺上的照射點(diǎn))在X軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比Y標(biāo)尺39Yp39Y2的X軸方向?qū)挾?正確而言，光柵線(xiàn)38的長(zhǎng)度)略窄。因此，在例如曝光時(shí)等，各5個(gè)Y讀頭65、64中，至少1個(gè)讀頭總是會(huì)對(duì)置于對(duì)應(yīng)的Y標(biāo)尺39Yp39Yj(照射測(cè)量光束)。讀頭單元62B，如圖5所示，具備在基準(zhǔn)軸LV上以間隔WD配置的多個(gè)(此處為4個(gè))X讀頭66s~668。又，讀頭單元62D具備在基準(zhǔn)軸LV上以間隔WD配置的多個(gè)(此處為4個(gè))X讀頭66i664。以下，視需要，將X讀頭665~668及乂讀頭66i664也記載為X讀頭66。讀頭單元62B，使用X標(biāo)尺39Xi構(gòu)成用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的X軸方向位置(X位置)的多目艮(此處為4眼)X線(xiàn)性編碼器70B(參照?qǐng)D7)。又，讀頭單元62D，^使用X標(biāo)尺39X2構(gòu)成測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的X位置的多眼(此處為4眼)X線(xiàn)性編碼器70D(參照?qǐng)D7)。以下，適當(dāng)將X線(xiàn)性編碼器簡(jiǎn)稱(chēng)為「編碼器J。此處，讀頭單元62B、62D分別具備的相鄰X讀頭66(正確而言，X讀頭66所發(fā)出的測(cè)量光束在標(biāo)尺上的照射點(diǎn))的Y軸方向間隔WD，被設(shè)定為比X標(biāo)尺39Xp39X2的Y軸方向?qū)挾?正確而言，光柵線(xiàn)37的長(zhǎng)度)窄。因此，在例如曝光時(shí)或?qū)?zhǔn)時(shí)等，讀頭單元62B、62D所具備的合計(jì)8個(gè)X讀頭66中的至少l個(gè)讀頭，總是會(huì)對(duì)置于對(duì)應(yīng)的X標(biāo)尺39Xp39X2(照射測(cè)量光束)。又，讀頭單元62B的最靠近-Y側(cè)的X讀頭665與讀頭單元62D的最靠近+Y側(cè)的X讀頭664的間隔，凈皮i殳定為比晶片臺(tái)WTB的Y軸方向?qū)挾日阅芡ㄟ^(guò)晶片載臺(tái)WST的Y軸方向移動(dòng)而能在該2個(gè)X讀頭間進(jìn)行切換(接合)。讀頭單元62E,如圖5所示，具備多個(gè)(此處為4個(gè))Y讀頭67i674。此處，3個(gè)Y讀頭67!673在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AI^的-X側(cè)、在基準(zhǔn)軸LA上以和間隔WD大致相同的間隔配置。Y讀頭674，配置在從基準(zhǔn)軸LA在+Y方向相隔既定距離的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2i的+Y側(cè)。又，Y讀頭673、674間的X軸方向間隔也i殳定為WD。讀頭單元62F具備多個(gè)(此處為4個(gè))Y讀頭68t~684。這些Y讀頭68!~684，就基準(zhǔn)軸LV配置在與Y讀頭674~67i相對(duì)稱(chēng)的位置。即，3個(gè)Y讀頭682~684在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL24的屮X側(cè)、在基準(zhǔn)軸LA上以和間隔WD大致相同的間隔配置。Y讀頭68n配置在從基準(zhǔn)軸LA在十Y方向相隔既定距離的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL24的+Y側(cè)。又，Y讀頭68p682間的X軸方向間隔也i殳定為WD。以下，；f見(jiàn)需要，也將Y讀頭67467i及Y讀頭68i684分別記載為Y讀頭67及Y讀頭68。在對(duì)準(zhǔn)測(cè)量時(shí)，至少各1個(gè)Y讀頭67、68分別對(duì)置于Y標(biāo)尺39Y2、39Y1()由該Y讀頭67、68(即，由這些Y讀頭67、68構(gòu)成的Y線(xiàn)性編碼器70E、70F)測(cè)量晶片載臺(tái)WST的Y位置(及6z旋轉(zhuǎn))。又，本實(shí)施形態(tài)中，在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基準(zhǔn)線(xiàn)測(cè)量時(shí)等，與二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2pAL24在X軸方向相鄰的Y讀頭673、682,分別與FD桿46的一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)置，利用與該一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)置的Y讀頭673、682，利用各自的基準(zhǔn)光柵52的位置測(cè)量FD桿46的Y位置。以下，將分別對(duì)置于一對(duì)基準(zhǔn)光柵52的Y讀頭673、682所構(gòu)成的編碼器稱(chēng)為Y線(xiàn)性編碼器70E2、70F2(參照?qǐng)D7)。又，為便于識(shí)別，將由對(duì)置于Y標(biāo)尺39Y2、39Y!的Y讀頭67、68所構(gòu)成的Y編碼器稱(chēng)為Y編碼器70En70Fi。上述線(xiàn)性編碼器70A~70F的測(cè)量值被供應(yīng)至主控制裝置20，主控制裝置20根據(jù)線(xiàn)性編碼器70A~70D中的3個(gè)、或線(xiàn)性編碼器70E^70F,、70B及70D中的3個(gè)測(cè)量值，控制晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)的位置，并根據(jù)線(xiàn)性編碼器70E2、70F2的測(cè)量值，控制FD桿46(晶片載臺(tái)WST)的0z方向的旋轉(zhuǎn)。又，作為各編碼器讀頭(Y讀頭、X讀頭)，可使用例如國(guó)際公開(kāi)第2007/097379號(hào)小冊(cè)子所揭示的干涉型編碼器讀頭。此種編碼器讀頭中，將2個(gè)測(cè)量光照射于對(duì)應(yīng)的標(biāo)尺，將各自的返回光合成為l個(gè)干涉光并加以接收后，使用光檢測(cè)器測(cè)量該干涉光的強(qiáng)度。根據(jù)該干涉光的強(qiáng)度變化，測(cè)量標(biāo)尺在測(cè)量方向(衍射光柵的周期方向)的位移。又，作為各編碼器讀頭(Y讀頭、X讀頭)并不限于上述衍射干涉方式，也可使用例如所謂的拾取(pickup)方式等的各種方式。干涉儀系統(tǒng)118，如圖3所示，具備對(duì)反射面17a或17b分別照射干涉儀光束(測(cè)長(zhǎng)光束)、并接收其反射光以測(cè)量晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)的位置信息的Y干涉儀16及3個(gè)X干涉儀126、127、128。詳言之，Y干涉儀16，將包含對(duì)基準(zhǔn)軸LV成對(duì)稱(chēng)的一對(duì)測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)4p842的至少3個(gè)與Y軸平行的測(cè)長(zhǎng)光束，照射于反射面17a、及后述移動(dòng)鏡41。又，X干涉儀126，如圖3所示，將包含對(duì)與光軸AX以及基準(zhǔn)軸LV正交且與X軸平行的直線(xiàn)(基準(zhǔn)軸LH)成對(duì)稱(chēng)的一對(duì)測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)5pB52的至少3個(gè)與X軸平行的測(cè)長(zhǎng)光束，照射于反射面17b。又，X干涉儀127，將包含以在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1的檢測(cè)中心與基準(zhǔn)軸LV正交且與X軸平行的直線(xiàn)(基準(zhǔn)軸)LA為測(cè)長(zhǎng)軸的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)6的至少2個(gè)與Y軸平行的測(cè)長(zhǎng)光束，照射于反射面17b。又，X干涉儀128,則將與Y軸平行的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)7照射于反射面17b。來(lái)自干涉儀系統(tǒng)118的上述各干涉儀的位置信息被供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)例如Y干涉儀16及X干涉儀126或127的測(cè)量結(jié)果，除晶片臺(tái)WTB(晶片載臺(tái)WST)的X、Y位置外，也能算出ex方向的旋轉(zhuǎn)信息(即俯仰、pitching)、0y方向的旋轉(zhuǎn)信息(即橫搖、rolling)及0z方向的旋轉(zhuǎn)信息(即偏搖、yawing)。千涉儀系統(tǒng)118，如圖l及圖3所示，也具備一對(duì)Z干涉儀43A、43B。Z千涉儀43A、43B,被配置成與固定在載臺(tái)本體91的-Y側(cè)側(cè)面的具有凹狀反射面的移動(dòng)鏡41對(duì)置。此處，移動(dòng)鏡41，由圖2可知，,皮i殳計(jì)成X軸方向的長(zhǎng)度比晶片臺(tái)WTB的反射面17a長(zhǎng)。Z干涉4義43A、43B,經(jīng)由移動(dòng)鏡41對(duì)例如固定于前述主機(jī)架的固定鏡47A、47B分別照射2條與Y軸平行的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)1、B2，并接收各反射光以測(cè)量測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)1、B2的光路長(zhǎng)。根據(jù)其測(cè)量結(jié)果，主控制裝置20算出晶片載臺(tái)WST的4自由度(Y、Z、6y、0z)方向的位置。再者，本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，如圖4及圖6所示，設(shè)有由照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b組成的多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為r多點(diǎn)AF系統(tǒng)J)。作為多點(diǎn)AF系統(tǒng)，采用與例如美國(guó)專(zhuān)利第5,448,332號(hào)說(shuō)明書(shū)等的揭示相同構(gòu)成的斜入射方式。本實(shí)施形態(tài)中，作為一例，在前述讀頭單元62E的-X端部的+Y側(cè)配置照射系統(tǒng)90a，并以與此對(duì)峙的狀態(tài)，在前述讀頭單元62F的+X端部的+Y側(cè)配置受光系統(tǒng)90b。又，多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)固定在前述主機(jī)架下表面。多點(diǎn)AF系統(tǒng)(卯a(chǎn)、卯b)的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，在^皮檢測(cè)面上沿X軸方向以既定間隔配置。本實(shí)施形態(tài)中，例如配置成一行M列(M為檢測(cè)點(diǎn)的總數(shù))或兩行N列(N-M/2)的矩陣狀。圖4及圖6中，未分別單獨(dú)圖示檢測(cè)光束分別照射的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，而顯示在照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細(xì)長(zhǎng)檢測(cè)區(qū)域(光束區(qū)域)AF。此檢測(cè)區(qū)域AF，由于其X軸方向的長(zhǎng)度設(shè)定成與晶片W的直徑相同程度，因此僅通過(guò)沿Y軸方向掃描晶片W—次，即能測(cè)量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。如圖6所示，在多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測(cè)區(qū)域AF的兩端部附近，以對(duì)基準(zhǔn)軸LV呈對(duì)稱(chēng)的配置，"^殳有構(gòu)成面位置測(cè)量系統(tǒng)180的一部分的各一對(duì)Z位置測(cè)量用的讀頭(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為rZ讀頭」)72a、72b、及72c、72d。這些Z讀頭72a~72d#皮固定在前述主機(jī)架下表面。又，以下，也將Z讀頭72a72d統(tǒng)稱(chēng)為Z讀頭72。作為Z讀頭72a72d，例如，使用與CD驅(qū)動(dòng)裝置等所使用的光拾取器相同的光學(xué)式位移傳感器讀頭。Z讀頭72a72d從上方對(duì)晶片臺(tái)WTB照射測(cè)量光束，接收其反射光以測(cè)量在照射點(diǎn)的晶片臺(tái)WTB的面位置。又，本實(shí)施形態(tài)中，采用Z讀頭的測(cè)量光束由構(gòu)成前述Y標(biāo)尺39Yp39Y2的反射型衍射光柵加以反射的構(gòu)成。再者，前述讀頭單元62A、62C,如圖6所示，在與分別具備的5個(gè)Y讀頭65j、64"i、j-l5)相同的X位置、但錯(cuò)開(kāi)Y位置處，分別具備5個(gè)Z讀頭76j、74《i、j=l~5)。此處，分別屬于各讀頭單元62A、62C的外側(cè)的3個(gè)Z讀頭763~765、74廣743，從基準(zhǔn)軸LH在+丫方向相隔既定距離，配置成與基準(zhǔn)軸LH平行。又，分別屬于讀頭單元62A與62C的最內(nèi)側(cè)的Z讀頭76i與745配置在投影單元PU的+Y側(cè)、其余的Z讀頭762與744則分配置在Y讀頭652與644的-Y側(cè)。此外，分別屬于讀頭單元62A、62C的5個(gè)Z讀頭76、74則配置成彼此對(duì)基準(zhǔn)軸LV成對(duì)稱(chēng)。又，作為各Z讀頭76、74使用與前述Z讀頭72a~72d相同的光學(xué)式位移傳感器的讀頭。如前所述，由于讀頭單元62A、62C在與分別具備的5個(gè)Y讀頭65j、64j相同的X位置，分別具有5個(gè)Z讀頭76j、74,，因此在例如膝光時(shí)等，與Y讀頭65、64同樣，各5個(gè)Z讀頭76、74中、至少1個(gè)讀頭總是會(huì)對(duì)置于對(duì)應(yīng)的Y標(biāo)尺39Yp39Y2。上述Z讀頭72a72d、7^74s、76!76s，如圖7所示，經(jīng)由信號(hào)處理選擇裝置170連接于主控制裝置20，主控制裝置20經(jīng)由信號(hào)處理選擇裝置170從Z讀頭72a~72d、74t~745、76廣765中選擇任意的Z讀頭使其成為動(dòng)作狀態(tài)，經(jīng)由信號(hào)處理選擇裝置170接收由該動(dòng)作狀態(tài)中的Z讀頭檢測(cè)的面位置信息。本實(shí)施形態(tài)中，包含Z讀頭72a72d、~745、76!~765、與信號(hào)處理選擇裝置170來(lái)構(gòu)成用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST的Z軸方向及相對(duì)于XY平面的傾斜方向(主要是0y方向)的位置信息的面位置測(cè)量系統(tǒng)180。圖7中顯示了曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)，以統(tǒng)籌控制裝置全體的微計(jì)算機(jī)(或工作站)所組成的主控制裝置20為中心構(gòu)成。以上述方式構(gòu)成的本實(shí)施形態(tài)的膝光裝置中，依循例如國(guó)際公開(kāi)第2007/097379號(hào)小冊(cè)子的實(shí)施形態(tài)中所揭示的步驟相同的步驟，由主控制裝置20實(shí)施使用晶片載臺(tái)WST的處理。即，當(dāng)晶片載臺(tái)WST位于圖8所示的卸載位置UP時(shí)，卸下晶片W，移動(dòng)至圖9所示的裝載位置LP時(shí)，將新的晶片W裝載于晶片臺(tái)WTB上。在卸載位置IJP、裝載位置LP附近，晶片載臺(tái)WST的6自由度位置根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值加以控制。又，在卸載位置UP、裝載位置LP及兩者間的移動(dòng)路徑中，所有的編碼器讀頭及Z讀頭皆不會(huì)與標(biāo)尺39Yn39Y2、39Xp39X2的任一者對(duì)置。即，在卸載位置UP、裝載位置LP及兩者間的移動(dòng)路徑的區(qū)域，所有編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束的照射點(diǎn)皆位于標(biāo)尺外。又，本實(shí)施形態(tài)的爆光裝置100中，采用了編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束不會(huì)對(duì)標(biāo)尺的同一點(diǎn)照射既定時(shí)間以上的(即，熱應(yīng)力不超過(guò)容許值的)順序(sequence)，作為其一，采用使晶片載臺(tái)WST退至r待機(jī)位置」的方法。因此，若有需要使晶片載臺(tái)WST停止既定時(shí)間以上的情形時(shí)，卸載位置UP、裝載位置LP等是非常適合作為該待機(jī)位置的位置。又，例如在裝載位置LP，雖有X讀頭66i664的一部分會(huì)對(duì)置于啄光前的晶片W周邊的一部分的情形，但來(lái)自讀頭的測(cè)量光束并無(wú)使晶片W表面的光刻膠感光的虞，因此不致造成特別的妨礙。裝載結(jié)束后，移動(dòng)晶片栽臺(tái)WST，進(jìn)行一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1檢測(cè)測(cè)量板片30的基準(zhǔn)標(biāo)記FM的一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1的基準(zhǔn)線(xiàn)查驗(yàn)的前半處理。與此前后，進(jìn)行編碼器系統(tǒng)及干涉儀系統(tǒng)原點(diǎn)的再設(shè)定(reset)之后，一邊使用編碼器系統(tǒng)及Z讀頭測(cè)量晶片載臺(tái)WST的6自由度方向位置、一邊使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2i~AL24實(shí)施檢測(cè)晶片W上多個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量，且與此并行，使用多點(diǎn)AF系統(tǒng)(卯a(chǎn)、90b)進(jìn)行焦點(diǎn)映射(以Z讀頭72a~72d的測(cè)量值為基準(zhǔn)的晶片W的面位置(Z位置)信息的測(cè)量)。在為進(jìn)行這些對(duì)準(zhǔn)測(cè)量及焦點(diǎn)映射的晶片載臺(tái)WST^i+Y方向的移動(dòng)中，當(dāng)測(cè)量板片30到達(dá)投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方時(shí)，進(jìn)行使用空間像測(cè)量器45A、45B以狹縫掃描方式測(cè)量標(biāo)線(xiàn)片R上的一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的、一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1的基準(zhǔn)線(xiàn)查驗(yàn)的后半處理。之后，持續(xù)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量及焦點(diǎn)映射。當(dāng)對(duì)準(zhǔn)測(cè)量及焦點(diǎn)映射結(jié)束時(shí)，根據(jù)從對(duì)準(zhǔn)測(cè)量的結(jié)果所得的晶片上各照射區(qū)域的位置信息、與最新的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基準(zhǔn)線(xiàn)，以步進(jìn)掃描方式使晶片W上的多個(gè)照射區(qū)域曝光，以轉(zhuǎn)印標(biāo)線(xiàn)片的圖案。啄光動(dòng)作中，根據(jù)以焦點(diǎn)映射所得的信息，進(jìn)行晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制。又，膝光中的晶片的Z、0y根據(jù)Z讀頭74、76的測(cè)量值加以控制，但ex則根據(jù)Y干涉儀16的測(cè)量值加以控制。又，二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2iAL24的基準(zhǔn)線(xiàn)測(cè)量是，以適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)，和國(guó)際公開(kāi)第2007/097379號(hào)小冊(cè)子所揭示的方法同樣，根據(jù)前述編碼器70E2、70F2的測(cè)量值，在調(diào)整了FD桿46(晶片載臺(tái)WST)的0z旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使用4個(gè)二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2,~AL24，同時(shí)測(cè)量位于各二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)視野內(nèi)的FD桿46上的基準(zhǔn)標(biāo)記M，由此進(jìn)行的。以上述方式進(jìn)行使用晶片載臺(tái)WST的一連串的處理，但有可能因某種原因，而發(fā)生必須暫時(shí)停止使用晶片載臺(tái)WST的一連串處理，使晶片載臺(tái)WST處于待機(jī)狀態(tài)(閑置(idel)狀態(tài))的情形。例如，在晶片更換時(shí)，若存在新的晶片沒(méi)有從以例如聯(lián)機(jī)(inline)方式連接在膝光裝置100的涂敷/顯影系統(tǒng)送來(lái)的情形的話(huà)，主控制裝置20可使晶片載臺(tái)WST停止在前述待機(jī)位置之一的裝載位置LP使其待機(jī)。另一方面，在晶片載臺(tái)WST位于離開(kāi)卸載位置UP及裝栽位置LP等的位置時(shí)需要使晶片載臺(tái)WST短時(shí)間待機(jī)的情形等，主控制裝置20，通過(guò)在既定范圍內(nèi)持續(xù)移動(dòng)晶片載臺(tái)WST，來(lái)防止產(chǎn)生來(lái)自編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束持續(xù)照射于晶片栽臺(tái)WST上各標(biāo)尺的同一位置的不良情形。此場(chǎng)合，若附近有除了卸載位置UP及裝栽位置LP以外的待機(jī)位置的話(huà)，主控制裝置20也可使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至該待機(jī)位置，以取代持續(xù)移動(dòng)。此種情形下，雖也可考慮停止來(lái)自編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量光束的射出、即將這些讀頭予以O(shè)FF，但若使這些讀頭OFF的話(huà)，當(dāng)再度ON時(shí)測(cè)量光束的射出狀態(tài)達(dá)安定狀態(tài)為止需要長(zhǎng)時(shí)間，因此不佳。有鑒于上述情形，本實(shí)施形態(tài)中，主控制裝置20以上述方式，通過(guò)使晶片載臺(tái)WST持續(xù)移動(dòng)、或退至待機(jī)位置，來(lái)控制對(duì)各標(biāo)尺的測(cè)量光束的照射量，據(jù)此，來(lái)避免因測(cè)量光束的照射熱所導(dǎo)致的標(biāo)尺畸變(變形)及與此伴隨的編碼器讀頭及Z讀頭的測(cè)量誤差的產(chǎn)生。主控制裝置20在使晶片載臺(tái)WST持續(xù)移動(dòng)的情形時(shí)，除使晶片載臺(tái)WST連續(xù)移動(dòng)外，也可使其步進(jìn)移動(dòng)。本說(shuō)明書(shū)中，使用r持續(xù)移動(dòng)J的用語(yǔ)，還包含該步進(jìn)移動(dòng)的概念。例如，主控制裝置20，如圖10中以涂白的雙箭頭所示，對(duì)晶片載臺(tái)WST進(jìn)行在既定范圍內(nèi)的往復(fù)驅(qū)動(dòng)。此場(chǎng)合，主控制裝置20，視隨測(cè)量光束的照射所產(chǎn)生的熱的發(fā)生量與擴(kuò)散量，決定晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)范圍(往復(fù)移動(dòng)距離)與驅(qū)動(dòng)速度，以抑制測(cè)量光束的照射量至不致累積足以使標(biāo)尺變形的熱應(yīng)力的程度。又，圖10中，雖例示晶片載臺(tái)WST的往復(fù)驅(qū)動(dòng)方向?yàn)閄軸方向的情形，但晶片載臺(tái)WST的往復(fù)驅(qū)動(dòng)方向可^f壬意i殳定。或者，主控制裝置20，也可例如圖11中以涂白雙箭頭所示，驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST在既定范圍內(nèi)沿鋸齒形軌道來(lái)回移動(dòng)，或如圖12中以涂白箭頭所示，驅(qū)動(dòng)其在既定范圍內(nèi)以停止位置為中心繞圏，也或如圖13中以涂白箭頭所示，驅(qū)動(dòng)其在既定范圍內(nèi)繞行。此外，主控制裝置20也可組合這些驅(qū)動(dòng)方法。這些情形中，主控制裝置20,也視隨測(cè)量光束的照射所產(chǎn)生的熱的發(fā)生量與擴(kuò)散量，決定晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)范圍與驅(qū)動(dòng)速度，以抑制測(cè)量光束的照射量至不致累積足以使標(biāo)尺變形的熱應(yīng)力的程度。只要不致累積足以使標(biāo)尺變形至無(wú)法忽視程度的熱的話(huà)，則晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)范圍、驅(qū)動(dòng)路徑、驅(qū)動(dòng)速度皆可任意設(shè)定。又，也可作成可由操作員進(jìn)行上述晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)范圍、驅(qū)動(dòng)路徑、驅(qū)動(dòng)速度的設(shè)定。又，使晶片栽臺(tái)WST持續(xù)移動(dòng)的方法由于是抑制對(duì)標(biāo)尺上相同位置的測(cè)量光束的照射量的手段，因此最好是僅適用于短時(shí)間的曝光裝置100的閑置中，而長(zhǎng)時(shí)間的閑置中，則仍以使晶片載臺(tái)WST退避至前述待機(jī)位置的方式較佳。又，圖10圖13的例中，除上述與對(duì)應(yīng)標(biāo)尺對(duì)置的編碼器讀頭及Z讀頭之外，也有幾個(gè)與晶片臺(tái)WTB上表面(晶片W或其周?chē)糠?對(duì)置的讀頭。因此，主控制裝置20，也可并用控制測(cè)量光束的照射的方法，停止未與對(duì)應(yīng)標(biāo)尺對(duì)置的讀頭的測(cè)量光束的照射，或進(jìn)行間歇照射?；蛘?，也可降低來(lái)自該讀頭的測(cè)量光束的照射強(qiáng)度而照射測(cè)量光束。依上述方法避免標(biāo)尺的熱變形，從而能保障編碼器系統(tǒng)150(及面位置傳感器系統(tǒng)180)的測(cè)量精度。如以上的詳細(xì)說(shuō)明，本實(shí)施形態(tài)的膝光裝置100，為測(cè)量晶片載臺(tái)WST的位置，設(shè)有編碼器讀頭6468及Z讀頭72、74、76。從這些讀頭射出的測(cè)量光束，照射于設(shè)在晶片載臺(tái)WST上表面的標(biāo)尺39Xp39X2、39Yp39Y2。因此，主控制裝置20，通過(guò)4吏用載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，調(diào)整從編碼器讀頭64~68及Z讀頭72、74、76射出的測(cè)量光束對(duì)標(biāo)尺39X^39X2、39Y^39Y2上的照射量。例如，在膝光裝置100的閑置中，主控制裝置20，如前所述，使晶片載臺(tái)WST持續(xù)移動(dòng)、或使晶片載臺(tái)WST退避至測(cè)量光束不致照射到標(biāo)尺39Xp39X2、39Yp39丫2上的區(qū)域，來(lái)避免測(cè)量光束對(duì)標(biāo)尺39X^39X2、39Yp39Y2上的連續(xù)照射。如此，即能調(diào)整對(duì)標(biāo)尺的照射熱，抑制因該熱所產(chǎn)生的應(yīng)力(熱應(yīng)力)和/或熱膨漲等造成的標(biāo)尺變形。因此，恒能維持編碼器讀頭6468(及Z讀頭72、74、76)的高位置測(cè)量精度，保障晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)精度。又，本實(shí)施形態(tài)中，為調(diào)整編碼器讀頭(及Z讀頭)對(duì)標(biāo)尺照射的測(cè)量光束的照射量，也可采用下述a、b的手法。a.主控制裝置20,可根據(jù)編碼器讀頭的測(cè)量光束強(qiáng)度，決定晶片載臺(tái)WST在連續(xù)移動(dòng)下的最低速度等、或步進(jìn)移動(dòng)下的最長(zhǎng)滯留時(shí)間和/或步進(jìn)距離，以避免上述熱應(yīng)力、標(biāo)尺的變形量(及變形)等超過(guò)容許值。當(dāng)然，主控制裝置20，也可在不考慮強(qiáng)度情形下，僅單純移動(dòng)晶片載臺(tái)WST。b.又，主控制裝置20，也可以通過(guò)使用定時(shí)器的時(shí)間管理來(lái)開(kāi)始上述順序(載臺(tái)移動(dòng)、至待機(jī)位置的退避等)。或者，主控制裝置20，也可不進(jìn)行時(shí)間管理，而在預(yù)先知道曝光順序的情形時(shí)自動(dòng)開(kāi)始上述順序、或僅在發(fā)生錯(cuò)誤的情形時(shí)開(kāi)始上述順序。c.又，本實(shí)施形態(tài)中，為調(diào)整編碼器讀頭(及Z讀頭)對(duì)標(biāo)尺照射的測(cè)量光束的照射量，可利用以下cl、c2般的手法，降低測(cè)量光束的強(qiáng)度、或遮蔽測(cè)量光束、或?qū)⑦@些手法和上述a及b的至少一方組合實(shí)施。cl，為降低測(cè)量光束的強(qiáng)度，例如，可控制編碼器的光源、或在送光系統(tǒng)中插入減光濾光器。c2.又，為遮蔽測(cè)量光束，可在送光系統(tǒng)或讀頭射出部附近配置光閘、或可將晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至設(shè)有覆蓋標(biāo)尺的護(hù)蓋(檐部)的既定位置。若為后者時(shí)，該既定位置可以是至少1個(gè)測(cè)量光束照射于標(biāo)尺的位置。此外，上述護(hù)蓋可以是不覆蓋標(biāo)尺全面，而僅針對(duì)與標(biāo)尺對(duì)置的讀頭遮蔽其測(cè)量光束。又，上述實(shí)施形態(tài)中，作為可使標(biāo)尺變形的測(cè)量光束，主要是舉從編碼器讀頭與Z讀頭射出的測(cè)量光束。然而，同樣地，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2廣AL24與多點(diǎn)AF系統(tǒng)(卯a(chǎn)、90b)的測(cè)量光束也有可能使標(biāo)尺變形。因此，上述實(shí)施形態(tài)中，最好是能由主控制裝置20也進(jìn)行這些測(cè)量光束對(duì)標(biāo)尺的照射量的調(diào)整，以抑制因其熱所產(chǎn)生的應(yīng)力造成標(biāo)尺的變形。此場(chǎng)合，也可適用上述a、b或c(cl及c2)的照射調(diào)整手法。又，上述實(shí)施形態(tài)中，主控制裝置20，作為一例，在發(fā)生新的晶片不被送來(lái)等的錯(cuò)誤時(shí)(異常時(shí))，使晶片載臺(tái)WST退避至待機(jī)位置。然而，不僅是錯(cuò)誤等的異常時(shí)，在一般曝光順序中(例如，在進(jìn)行不使用晶片載臺(tái)WST的動(dòng)作時(shí)、或該期間中等)也可進(jìn)行晶片載臺(tái)WST的退避或移動(dòng)。又，上述實(shí)施形態(tài)所說(shuō)明的編碼器系統(tǒng)等的各測(cè)量裝置的構(gòu)成僅為一例，本發(fā)明當(dāng)然不限定于此。例如，上述實(shí)施形態(tài)中，利用編碼器系統(tǒng)的各讀頭來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST的X軸及Y軸方向的一方的位置，但不限于此，也可使編碼器讀頭作為可測(cè)量X軸及Y軸方向的一方位置與Z軸方向位置的讀頭。又，上述實(shí)施形態(tài)所說(shuō)明的編碼器讀頭、Z讀頭的配置僅為一例，讀頭的配置并不限定于此。此外，上述實(shí)施形態(tài)中，載臺(tái)裝置50雖具備編碼器系統(tǒng)150(編碼器讀頭)與面位置測(cè)量系統(tǒng)180(Z讀頭)，但也可僅具備其中一方。又，例如上述實(shí)施形態(tài)，雖針對(duì)采用在晶片臺(tái)(晶片載臺(tái))上設(shè)置光柵部(Y標(biāo)尺、X標(biāo)尺)、并與此對(duì)置將X讀頭、Y讀頭配置于晶片載臺(tái)外部的構(gòu)成的編碼器系統(tǒng)的情形作了例示，但不限于此，也可采用例如美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2006/0227309號(hào)說(shuō)明書(shū)等所揭示的在晶片載臺(tái)設(shè)置編碼器讀頭，并與此對(duì)置在晶片載臺(tái)外部配置光柵部(例如2維光柵或配置成2維的1維光柵部)的構(gòu)成(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為臺(tái)(table)讀頭方式)的編碼器系統(tǒng)。此場(chǎng)合，可將Z讀頭也設(shè)于晶片載臺(tái)，將該光柵部的面作為Z讀頭的測(cè)量光束照射的反射面。又，在采用臺(tái)讀頭方式的編碼器系統(tǒng)的情形時(shí)，可令編碼器讀頭作為可測(cè)量X軸及Y軸方向的一方位置與Z軸方向位置的讀頭。又，在采用臺(tái)讀頭方式的編碼器系統(tǒng)的情形時(shí)，也可包含上述a、b或c(cl及c2)的照射調(diào)整手法，而適用上述實(shí)施形態(tài)及其變形例。此外，在采用臺(tái)讀頭方式的編碼器系統(tǒng)的情形時(shí)，可使晶片載臺(tái)停止在至少1個(gè)讀頭與晶片載臺(tái)外部的光柵部(頂部標(biāo)尺)對(duì)置的位置，此場(chǎng)合，該位置被決定成例如來(lái)自待機(jī)狀態(tài)的晶片載臺(tái)上讀頭的測(cè)量光束，會(huì)照射到即使晶片載臺(tái)在曝光順序的移動(dòng)范圍內(nèi)移動(dòng)，來(lái)自讀頭的測(cè)量光束也不會(huì)照射的頂部標(biāo)尺的一部分。此外，該頂部標(biāo)尺的一部分，是在曝光順序中使用的區(qū)域，優(yōu)選是以使熱應(yīng)力、變形不致影響到頂部標(biāo)尺的使用區(qū)域的程度，離開(kāi)其使用區(qū)域。又，上述實(shí)施形態(tài)中，雖針對(duì)本發(fā)明適用于不經(jīng)由液體(水)而進(jìn)行晶片W的膝光的干式曝光裝置的情形做了說(shuō)明，但不限于此，本發(fā)明也能適用于例如國(guó)際7>開(kāi)第99/49504號(hào)小冊(cè)子、歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第1，420，298號(hào)說(shuō)明書(shū)、國(guó)際公開(kāi)第2004/055803號(hào)小冊(cè)子、特開(kāi)2004-289126號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利第6,952,253號(hào)說(shuō)明書(shū))等所揭示的在投影光學(xué)系統(tǒng)與板片之間形成包含照明光光路的液浸空間，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)及液浸空間的液體利用照明光使板片曝光的曝光裝置。例如，上述實(shí)施形態(tài)的曝光裝置為液浸型的膝光裝置的場(chǎng)合，也可在例如嘴部洗凈等時(shí)，使晶片載臺(tái)退避至前述待機(jī)位置。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，雖針對(duì)本發(fā)明適用于步進(jìn)掃描方式等的掃描型啄光裝置的情形作了說(shuō)明，但不限于此，也能將本發(fā)明適用于步進(jìn)機(jī)等的靜止型膝光裝置。即使是步進(jìn)機(jī)等，由于能與上述實(shí)施形態(tài)同樣地使用編碼器測(cè)量搭載曝光對(duì)象物體的載臺(tái)的位置，因此能獲得同樣的效果。又，本發(fā)明也能適用于將照射區(qū)域與照射區(qū)域加以合成的步進(jìn)接合(step&stitch)方式的縮小投影曝光裝置、近接方式的曝光裝置、或反射鏡投影對(duì)準(zhǔn)機(jī)等。再者，本發(fā)明也能適用于例如美國(guó)專(zhuān)利第6,590,634號(hào)、美國(guó)專(zhuān)利第5，969，441號(hào)、美國(guó)專(zhuān)利第6，208，407號(hào)說(shuō)明書(shū)等所揭示的具備多個(gè)晶片載臺(tái)的多載臺(tái)型曝光裝置。例如，具備2個(gè)晶片載臺(tái)的雙載臺(tái)型的曝光裝置中，具有進(jìn)行晶片曝光的膝光站與進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)等的測(cè)量站，在曝光站可適用上述實(shí)施形態(tài)及其變形例，且在測(cè)量站也能同樣適用。此場(chǎng)合，無(wú)論是在測(cè)量站進(jìn)行利用編碼器系統(tǒng)(上述實(shí)施形態(tài)的形式、或臺(tái)讀頭方式的任一個(gè)皆可)進(jìn)行的位置測(cè)量的構(gòu)成、或以編碼器系統(tǒng)以外進(jìn)行位置測(cè)量的構(gòu)成，皆能適用上述實(shí)施形態(tài)及其變形例。后者可適用的原因在于，因配置有對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、AF系統(tǒng)，如上所述，作為其對(duì)策也非常有效的故。又，本發(fā)明也能適用于例如國(guó)際公開(kāi)第2005/074014號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2007/0127006號(hào)說(shuō)明書(shū))等所揭示的具備不同于晶片載臺(tái)、包含測(cè)量構(gòu)件(例如基準(zhǔn)標(biāo)記和/或傳感器等)的測(cè)量載臺(tái)的曝光裝置。在測(cè)量栽臺(tái)設(shè)有編碼器系統(tǒng)的標(biāo)尺、或讀頭的情形時(shí)，也最好是能進(jìn)行包含與上述實(shí)施形態(tài)及其變形例相同的照射調(diào)整的各種控制。又，上述實(shí)施形態(tài)的曝光裝置中的投影光學(xué)系統(tǒng)并不僅可為縮小系統(tǒng)，也可為等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一者，投影光學(xué)系統(tǒng)PL不僅可為折射系統(tǒng)，也可為反射系統(tǒng)及反射折射系統(tǒng)的任一者，其投影像也可為倒立像與正立像的任一者。又，前述照明區(qū)域及曝光區(qū)域的形狀雖為矩形，但并不限于此，也可為例如圓孤、梯形、或平行四邊形等。又，上述實(shí)施形態(tài)的啄光裝置的光源，不限于ArF準(zhǔn)分子激光器，也能使用KrF準(zhǔn)分子激光器(輸出波長(zhǎng)248nm)、Fr激光器(輸出波長(zhǎng)157nm)、Ar2激光器(輸出波長(zhǎng)126nm)、Kr2激光器(輸出波長(zhǎng)W6nm)等脈沖激光光源，或發(fā)出g線(xiàn)(波長(zhǎng)"6nm)、i線(xiàn)(波長(zhǎng)365nm)等亮線(xiàn)的超高壓汞燈等。又，也可使用YAG激光器的高次諧波產(chǎn)生裝置等。另外，例如美國(guó)專(zhuān)利第7,023,610號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示，作為真空紫外光，可使用將從DFB半導(dǎo)體激光器或纖維激光器振蕩出的紅外線(xiàn)區(qū)或可見(jiàn)光區(qū)的單一波長(zhǎng)激光，用摻雜有例如鉺(或鉺及鐿兩者)的光纖放大器加以放大，并使用非線(xiàn)性光學(xué)結(jié)晶予以波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成紫外光的高次諧波。又，上述實(shí)施形態(tài)中，作為膝光裝置的照明光IL并不限于波長(zhǎng)100nm以上的光，當(dāng)然也可^f吏用波長(zhǎng)未滿(mǎn)100nm的光。例如，近年來(lái)，為了膝光70nm以下的圖案，正進(jìn)行一種EUV曝光裝置的開(kāi)發(fā)，其以SOR或等離子體激光器為光源來(lái)產(chǎn)生軟X線(xiàn)區(qū)域(例如5~15nm的波長(zhǎng)帶)的EUV(ExtremeUltraViolet)光，且使用根據(jù)該曝光波長(zhǎng)(例如13.5nm)所設(shè)計(jì)的全反射縮小光學(xué)系統(tǒng)及反射型掩模。由于考慮到此裝置采用使用圓弧照明同步掃描掩模與晶片來(lái)進(jìn)行掃瞄曝光的構(gòu)成，因此能將本發(fā)明非常合適地適用于上述裝置。此外，本發(fā)明也適用于使用電子射線(xiàn)或離子束等的帶電粒子射線(xiàn)的曝光裝置。又，上述實(shí)施形態(tài)中，雖使用在具有光透射性的基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射型掩模(標(biāo)線(xiàn)片)，但也可使用例如美國(guó)專(zhuān)利第6,778,257號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示的電子掩模來(lái)代替此標(biāo)線(xiàn)片，該電子掩模(也稱(chēng)為可變成形掩模、主動(dòng)掩模、或影像產(chǎn)生器，例如包含非發(fā)光型圖像顯示元件(空間光調(diào)制器)的一種的DMD(DigitalMicro-mirrorDevice)等)才艮據(jù)欲爆光圖案的電子數(shù)據(jù)來(lái)形成透射圖案、反射圖案、或發(fā)光圖案。又，本發(fā)明也能適用于，例如通過(guò)將干涉紋形成于晶片上、而在晶片上形成線(xiàn)與空間圖案的膝光裝置(光刻系統(tǒng))。進(jìn)一步，也能將本發(fā)明適用于例如美國(guó)專(zhuān)利第6，611，316號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示的將兩個(gè)標(biāo)線(xiàn)片圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成，利用一次的掃描膝光來(lái)對(duì)晶片上的一個(gè)照射區(qū)域大致同時(shí)進(jìn)行雙重曝光的曝光裝置。又，在物體上形成圖案的裝置并不限于前述曝光裝置(光刻系統(tǒng))，例如也能將本發(fā)明適用于以噴墨方式將圖案形成于物體上的裝此外，上述各實(shí)施形態(tài)中待形成圖案的物體(能量束所照射的曝光對(duì)象的物體)并不限于晶片，也可為玻璃板、陶瓷基板、薄膜構(gòu)件或者掩才莫基板(maskblanks)等其它物體。曝光裝置的用途并不限定于半導(dǎo)體制造用的曝光裝置，也可廣泛適用于例如將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印于方型玻璃板的液晶用曝光裝置，或用于制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機(jī)器及DNA芯片等的曝光裝置。又，除了制造半導(dǎo)體元件等微型器件以外，也能將本發(fā)明適用于為制造用于光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線(xiàn)爆光裝置及電子射線(xiàn)爆光裝置等的標(biāo)線(xiàn)片或掩模，用以將電路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃基板或硅晶片等的曝光裝置。此外，援用與以上說(shuō)明所引用的曝光裝置等相關(guān)的所有公報(bào)、國(guó)際公開(kāi)小冊(cè)子、美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)及美國(guó)專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)的揭示，來(lái)作為本說(shuō)明書(shū)的記載的一部分。半導(dǎo)體元件等的電子器件，經(jīng)由進(jìn)行器件的功能、性能設(shè)計(jì)的步驟，根據(jù)此設(shè)計(jì)步驟制作標(biāo)線(xiàn)片的步驟，從硅材料制作晶片的步驟，使用前述實(shí)施形態(tài)的膝光裝置(圖案形成裝置)將形成于標(biāo)線(xiàn)片的圖案轉(zhuǎn)印至晶片的光刻步驟，使曝光后晶片顯影的顯影步驟，將殘存光刻膠的部分以外部分的露出構(gòu)件通過(guò)蝕刻加以去除的蝕刻步驟，去除經(jīng)蝕刻后不要的光刻膠的光刻膠除去步驟，器件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等加以制造。此場(chǎng)合，在光刻步驟中使用上述實(shí)施形態(tài)的瀑光裝置實(shí)施前述膝光方法，在晶片上形成器件圖案，因此能以良好生產(chǎn)性制造高集成度的器件。本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置適于驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。又，本發(fā)明的曝光方法及曝光裝置非常適合照射能量束于物體上形成圖案。此外，本發(fā)明的圖案形成方法及圖案形成裝置適合于物體上形成圖案。再者，本發(fā)明的器件制造方法非常適合制造半導(dǎo)體元件或液晶顯示元件等的電子器件。權(quán)利要求1、一種移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，其包含使用位置測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量上述移動(dòng)體的位置并根據(jù)其測(cè)量結(jié)果驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體的步驟，該位置測(cè)量系統(tǒng)具備對(duì)設(shè)在上述移動(dòng)體與上述移動(dòng)體外部中的一方的測(cè)量面照射測(cè)量光束的設(shè)在上述移動(dòng)體與上述移動(dòng)體外部中的另一方的讀頭；以及調(diào)整上述測(cè)量光束照射于上述測(cè)量面上的照射量的步驟。2、如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，在上述進(jìn)行調(diào)整的步驟中，驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體來(lái)調(diào)整上述測(cè)量光束照射于上述測(cè)量面上的照射量。3、如權(quán)利要求2所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，在上述進(jìn)行調(diào)整的步驟中，將上述移動(dòng)體在既定范圍內(nèi)持續(xù)移動(dòng)。4、如權(quán)利要求2或3所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，在上述進(jìn)行調(diào)整的步驟中，以上述測(cè)量面所吸收的上述測(cè)量光束的量不超過(guò)一定量的速度驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。5、如權(quán)利要求4所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，上述一定量由通過(guò)吸收上述測(cè)量光束所產(chǎn)生的在上述測(cè)量面的熱應(yīng)力及變形量的至少一方所決定。6、如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，在上述進(jìn)行調(diào)整的步驟中，使上述移動(dòng)體退避至上述測(cè)量光束的照射點(diǎn)位于上述測(cè)量面外的區(qū)域。7、如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，在上述進(jìn)行調(diào)整的步璩中，從對(duì)置于上述測(cè)量面的讀頭間歇性地照射上述測(cè)量光束。8、如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其中，在上述進(jìn)行調(diào)整的步驟中，從對(duì)置于上述測(cè)量面的讀頭照射降低強(qiáng)度的上述測(cè)量光束。9、一種爆光方法，通過(guò)照射能量束而在物體上的劃分區(qū)域形成圖案，其包含為在上述劃分區(qū)域形成圖案，使用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)保持上述物體的移動(dòng)體的步驟。10、一種圖案形成方法，在物體上形成圖案，其包含為在上述物體上形成圖案，使用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)保持上述物體的移動(dòng)體的步驟。11、如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其中，上述物體具有感應(yīng)層；通過(guò)對(duì)上述感應(yīng)層照射能量束，形成上述圖案。12、一種器件制造方法，其包含使用權(quán)利要求10或11所述的圖案形成方法，在物體上形成圖案的步驟；以及對(duì)形成了上述圖案的上述物體進(jìn)行處理的步驟。13、一種曝光方法，利用能量束使物體曝光，其包含使用在能保持上述物體在既定平面內(nèi)移動(dòng)的移動(dòng)體與其外部中的一方設(shè)有測(cè)量面、且另一方設(shè)有讀頭的位置測(cè)量系統(tǒng)，測(cè)量上述移動(dòng)體的位置信息，根據(jù)該位置信息驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體的動(dòng)作；以及阻止因上述測(cè)量光束而使上述測(cè)量面上的包含熱應(yīng)力、變形量中的至少l種的物理量超過(guò)容許值的動(dòng)作。14、如權(quán)利要求13所述的膝光方法，其中，上述測(cè)量面與上述既定平面實(shí)質(zhì)上平行且具有衍射光柵。15、如權(quán)利要求13或14所述的膝光方法，其中，為進(jìn)行上述阻止而在上述既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。16、如權(quán)利要求13至15中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，為進(jìn)行上述阻止而使上述測(cè)量面脫離上述測(cè)量光束的照射位置。17、如權(quán)利要求13至16中任一項(xiàng)所述的啄光方法，其中，為進(jìn)行上述阻止而在上述測(cè)量光束的光路配置遮光構(gòu)件、或降低上述測(cè)量光束的強(qiáng)度。18、如權(quán)利要求13至17中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，上述阻止是在上述物體的爆光順序異常時(shí)、和/或不使用上述移動(dòng)體的期間中進(jìn)行。19、如權(quán)利要求13至18中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其包含使用與上述位置測(cè)量系統(tǒng)不同的另一測(cè)量裝置測(cè)量上述物體的位置信息的動(dòng)作；以及阻止因上述測(cè)量裝置的光束使上述物理量超過(guò)容許值的動(dòng)作。20、一種器件制造方法，其包含使用權(quán)利要求13至19中任一項(xiàng)所述的曝光方法使物體曝光的動(dòng)作；以及使曝光后的上述物體顯影的動(dòng)作。21、一種移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，其具備位置測(cè)量系統(tǒng)，使用對(duì)設(shè)于上述移動(dòng)體上與上述移動(dòng)體外部中的一方的測(cè)量面，照射測(cè)量光束的設(shè)于上述移動(dòng)體上與上述移動(dòng)體外部中的另一方的讀頭，測(cè)量上述移動(dòng)體的位置；驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)上述位置測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量結(jié)果在上述既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體；以及調(diào)整裝置，使用上述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體，由此調(diào)整上述測(cè)量光束對(duì)上述測(cè)量面上的照射量。22、如權(quán)利要求21所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述調(diào)整裝置在既定范圍內(nèi)持續(xù)移動(dòng)上述移動(dòng)體。23、如權(quán)利要求21或22所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述調(diào)整裝置以上述測(cè)量面所吸收的上述測(cè)量光束的量不超過(guò)一定量的速度驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。24、如權(quán)利要求23所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述一定量由吸收上述測(cè)量光束而產(chǎn)生的在上述測(cè)量面上的熱應(yīng)力及變形量中的至少一方所決定。25、如權(quán)利要求21至24中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述調(diào)整裝置使上述移動(dòng)體退避至上述測(cè)量光束的照射點(diǎn)位于上述測(cè)量面外的位置的區(qū)域。26、如權(quán)利要求21至25中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，在上述測(cè)量面形成有以與上述既定平面內(nèi)的第l軸平行的方向?yàn)橹芷诜较虻难苌涔鈻?；上述位置測(cè)量系統(tǒng)包含編碼器系統(tǒng)，該編碼器系統(tǒng)測(cè)量上述測(cè)量面、與對(duì)上述測(cè)量面照射測(cè)量光束的上述讀頭在與上述第l軸平行的方向上的相對(duì)位置。27、如權(quán)利要求26所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，在上述測(cè)量面上進(jìn)一步形成有以和在上述既定平面內(nèi)與上述第l軸正交的第2軸平行的方向?yàn)橹芷诜较虻牧硪谎苌涔鈻牛簧鲜鼍幋a器系統(tǒng)進(jìn)一步測(cè)量上述測(cè)量面與上述讀頭在與上述第2軸平行的方向上的相對(duì)位置。28、如權(quán)利要求21至27中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述位置測(cè)量系統(tǒng)包含面位置測(cè)量系統(tǒng)，該面位置測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量上述測(cè)量面在上述測(cè)量光束的照射點(diǎn)的與上述既定平面正交的方向上的位置。29、如權(quán)利要求21至28中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述位置測(cè)量系統(tǒng)包含使用上述讀頭檢測(cè)上述測(cè)量面上的標(biāo)記的標(biāo)i己檢測(cè)系統(tǒng)。30、一種膝光裝置，通過(guò)照射能量束而在物體上的劃分區(qū)域形成圖案，其具備為在上述劃分區(qū)域形成圖案，而在既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)保持上述物體的移動(dòng)體的權(quán)利要求21至29中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置。31、一種圖案形成裝置，在物體上形成圖案，其具備可保持上述物體而移動(dòng)的移動(dòng)體；在上述物體上形成圖案的圖案生成裝置；以及將上述移動(dòng)體在既定平面內(nèi)加以驅(qū)動(dòng)的權(quán)利要求21至29中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)裝置。32、如權(quán)利要求31所述的圖案形成裝置，其中，上述物體具有感應(yīng)層；上述圖案生成裝置通過(guò)將能量束照射于上述感應(yīng)層，形成上述圖案。33、一種膝光裝置，利用能量束使物體曝光，其具備移動(dòng)體，可保持上述物體而在既定平面內(nèi)移動(dòng)；位置測(cè)量系統(tǒng)，具有設(shè)于上述移動(dòng)體與該移動(dòng)體外部中的一方的讀頭，從該讀頭對(duì)設(shè)于上述移動(dòng)體與該移動(dòng)體外部中的另一方的測(cè)量面照射測(cè)量光束，并接收其反射光來(lái)測(cè)量上述移動(dòng)體的位置信息；驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，根據(jù)上述位置信息驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體；以及控制裝置，用以阻止因上述測(cè)量光束而使上述測(cè)量面上的包含熱應(yīng)力、變形量中的至少l種的物理量超過(guò)容許值。34、如權(quán)利要求33所述的曝光裝置，其中，上述測(cè)量面與上述既定平面實(shí)質(zhì)上平行、且具有衍射光柵。35、如權(quán)利要求33或34所述的曝光裝置，其中，上述控制裝置為進(jìn)行上述阻止，經(jīng)由上述驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在上述既定平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。36、如權(quán)利要求33至35中任一項(xiàng)的曝光裝置，其中，上述控制裝置為進(jìn)行上述阻止而使上述測(cè)量面脫離上述測(cè)量光束的照射位置。37、如權(quán)利要求33至36項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，上述控制裝置為進(jìn)行上述阻止而在上述測(cè)量光束的光路配置遮光構(gòu)件、或降低上述測(cè)量光束的強(qiáng)度。38、如權(quán)利要求33至37中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，上述控制裝置在上述物體的曝光順序異常時(shí)、和/或不使用上述移動(dòng)體的期間中進(jìn)行上述阻止。39、如權(quán)利要求33至38中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其進(jìn)一步具備與測(cè)量上述物體的位置信息的上述位置測(cè)量系統(tǒng)不同的另一測(cè)量裝置；上述控制裝置阻止因上述測(cè)量裝置的光束使上述物理量超過(guò)容許值。40、一種器件制造方法，其包含使用權(quán)利要求33至39中任一項(xiàng)所述的曝光裝置使物體曝光的動(dòng)作；以及^使曝光后的上述物體顯影的動(dòng)作。全文摘要為測(cè)量在既定平面內(nèi)移動(dòng)的載臺(tái)(WST)的位置，設(shè)有編碼器讀頭(64、65、66等)及Z讀頭(74、76等)。從這些讀頭發(fā)出的測(cè)量光束，照射到設(shè)在載臺(tái)(WST)上表面的標(biāo)尺(39X₁、39X₂、39Y₁、39Y₂)。在閑置中，將載臺(tái)(WST)驅(qū)動(dòng)于以例如停止位置為中心旋轉(zhuǎn)、持續(xù)移動(dòng)、或退避至測(cè)量光束不致照到的區(qū)域。文檔編號(hào)H01L21/68GK101681810SQ20088001963公開(kāi)日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年12月25日優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日發(fā)明者柴崎祐一申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康