專利名稱：：熒光體和其制造方法、以及使用該熒光體的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及以無機(jī)化合物為主成分的熒光體和其用途。更詳細(xì)地說，該用途涉及利用該熒光體具有的性質(zhì)、即發(fā)出400nm以上的長波長的熒光的特性而成的照明裝置、顯示裝置等的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：—般來說，在熒光顯示管(VFD)、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、等離子體平板顯示器(PDP)、陰極射線管(CRT)、發(fā)光二極管(LED元件)等顯示裝置等的發(fā)光裝置中使用了熒光體。在其中的任一發(fā)光裝置中，為了使熒光體發(fā)光，需要向熒光體供給用于激發(fā)熒光體的某種能量。例如，使用具有真空紫外線、紫外線、電子束、藍(lán)色光等的高能量的激發(fā)源來激發(fā)熒光體，會(huì)發(fā)出可見光線。但當(dāng)使用現(xiàn)有的硅酸鹽熒光體、磷酸鹽熒光體、鋁酸鹽熒光體、硫化物熒光體等熒光體時(shí)，暴露于上述激發(fā)源之下時(shí)會(huì)存在熒光體的亮度降低的問題。因此，尋求即使暴露于上述激發(fā)源之下亮度也不降低的熒光體。作為亮度不降低的熒光體，已提出了賽隆(sialon)熒光體等氧氮化物熒光體。專利文獻(xiàn)1公開了含有鈣的賽隆熒光體。其中該賽隆熒光體是按照下面所述的制造步驟制造的。首先，將氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、碳酸f丐(CaC03)、氧化銪(Eu203)以規(guī)定摩爾比混合在一起。接著，在1氣壓(0.lMPa)的氮?dú)庵小?70(TC的溫度下保持1小時(shí)，經(jīng)熱壓法進(jìn)行燒成，從而制造。上述步驟中得到的固溶有Eu離子的a型賽隆熒光體是受450500nm的藍(lán)色光激發(fā)會(huì)發(fā)出550600nm的黃色光的熒光體，認(rèn)為通過將藍(lán)色LED元件和該熒光體組合在一起，可以制作白色LED元件。此外，專利文獻(xiàn)2涉及另外的賽隆熒光體，公開了具有P-SiA結(jié)構(gòu)的13型賽隆熒光體。該P(yáng)型賽隆熒光體受近紫外藍(lán)色光激發(fā)會(huì)發(fā)出500600nm的綠色橙色的光，所以適合作為白色LED元件用的熒光體使用。進(jìn)而，專利文獻(xiàn)3公開了由JEM相形成的氧氮化物熒光體。該氧氮化物熒光體受近紫外藍(lán)色光激發(fā)，會(huì)發(fā)出在460510nm具有發(fā)光波長峰的光。上述熒光體的激發(fā)和發(fā)光波長區(qū)域適合于以近紫外LED作為激發(fā)源的白色LED用藍(lán)色熒光體。另一方面，在作為照明裝置使用的發(fā)光裝置的現(xiàn)有技術(shù)中，公知有由藍(lán)色發(fā)光二極管元件、和藍(lán)色吸收黃色發(fā)光熒光體組合而成的白色發(fā)光二極管，它在各種照明中實(shí)際應(yīng)用。例如，在專利文獻(xiàn)4公開了由藍(lán)色發(fā)光二極管元件和藍(lán)色吸收黃色發(fā)光熒光體組合而成的白色發(fā)光二極管。在專利文獻(xiàn)5中也公開了具有相同構(gòu)成的發(fā)光二極管。進(jìn)而在專利文獻(xiàn)6中將同樣構(gòu)成的發(fā)光二極管作為使用波長變化澆鑄材料而成的發(fā)光元件。6此夕卜，這些發(fā)光二極管中的特別經(jīng)常使用的熒光體是通式(Y，Gd)3(Al，Ga)A^C所示的、被鈰激活的釔鋁石榴子石(Garnet)系熒光體。此外，專利文獻(xiàn)7公開了具有發(fā)出紫外光或近紫外光的半導(dǎo)體發(fā)光元件和熒光體的、帶有熒光體的發(fā)光二極管。該帶有熒光體的發(fā)光二極管具有下述構(gòu)成使用脈沖狀的大電流使半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出紫外光或近紫外光，通過該半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光來激發(fā)在元件表面上成膜的熒光體。該構(gòu)成中，根據(jù)在元件的表面上成膜的熒光體的種類，可以使帶有熒光體的發(fā)光二極管的發(fā)光色為藍(lán)、綠或紅色。此外，專利文獻(xiàn)8公開了一種點(diǎn)矩陣式顯示裝置，其具有含有III族氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層；和接受該發(fā)光層發(fā)出的發(fā)光波長峰波長為380nm的紫外光而分別發(fā)出紅色、綠色和藍(lán)色的三原色光的3種熒光體層。進(jìn)而專利文獻(xiàn)9公開了通過使用發(fā)出390420nm的波長的光的半導(dǎo)體發(fā)光元件、和受該半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)的熒光體，從而發(fā)出白色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件。其中，由于半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出人的視見度低的光，所以即使使半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光波長變化，也會(huì)感到色調(diào)幾乎沒有變化。此外，波長390420nm的光不易破壞分散有熒光體的樹脂等的裝置構(gòu)成部品。此外，一般來說紫外光會(huì)給人體帶來各種有害的影響，由于使用波長390nm以上的光，所以人體不會(huì)受到泄露的激發(fā)光的有害影響。這種情況中已使用了各種氧化物、硫化物的熒光體作為受390420nm的波長的光激發(fā)而發(fā)光的熒光體。這種照明裝置可以通過例如，專利文獻(xiàn)10、專利文獻(xiàn)11等中記載的公知的方法制造。專利文獻(xiàn)1:特開2002-363554號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2005-255895號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開2006-232868號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:特許第2900928號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:特許第2927279號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:特許第3364229號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7:特開1998-12925號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8:特開1997-153664號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)9:特開2002-171000號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)10:特開平5-152609號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)11:特開平7-99345號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容雖然專利文獻(xiàn)111中記載的熒光體具有適合于以近紫外藍(lán)色發(fā)光元件為激發(fā)光源的白色LED用途的激發(fā)和發(fā)射光譜，但近年來對(duì)白色LED高亮度化要求愈來愈高，在此背景下期待具有更高亮度的熒光體出現(xiàn)。此外，即便對(duì)于照明等的發(fā)光裝置而言，由于藍(lán)色發(fā)光二極管元件和釔鋁石榴子石系熒光體、或由于白色發(fā)光二極管的紅色成分不充分，所以具有發(fā)藍(lán)白光的特征，存在顯色性不均勻的問題，此外，特別是由于氧化物熒光體的共價(jià)結(jié)合性低，所以存在隨著半導(dǎo)體發(fā)光元件的高亮度化而發(fā)熱量增大，發(fā)光亮度降低的問題。7此外，已知硫化物系熒光體可顯示高發(fā)光亮度，但在化學(xué)穩(wěn)定性方面存在問題，難以確保白色LED本來具有的壽命特性。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供比現(xiàn)有的熒光體顯示出更高亮度和優(yōu)異的穩(wěn)定性的熒光體和制造方法，以及使用該熒光體的發(fā)光裝置。本發(fā)明為了解決上述課題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了一種熒光體可進(jìn)行高亮度發(fā)光，所述熒光體具有通式M(0)aM(1)bM(2)x_(vm+n)M(3)(vm+n)_y0nNz—n所示組成的熒光材料，其特征在于，M(O)元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1種以上元素，M(l)元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1種以上的賦活劑，M(2)元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1種以上元素，M(3)元素是選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1種以上元素，0元素是氧，N元素是氮，并且M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、0、N的原子比被調(diào)整成滿足下面的所有條件x、y、z滿足33《x《51、8《y《12、36《z《56，a、b滿足3《a+b《7、0.001《b《1.2，當(dāng)設(shè)定me=a+b時(shí)，m、n滿足0.8*me《m《1.2'me、0《n《7，v滿足:v={av(0)+bv(1)}/(a+b)，其中，v(O)是M(O)離子的價(jià)數(shù)，v(l)是M(l)離子的價(jià)數(shù)。基于該認(rèn)識(shí)進(jìn)一步進(jìn)行了研究，結(jié)果完成了下面內(nèi)容所示的本發(fā)明。(1).—種熒光體，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—y0nNz—n所示組成的熒光材料，其特征在于，M(O)元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的l種以上元素，M(l)元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的l種以上的賦活劑，M(2)元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1種以上元素，M(3)元素是選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1種以上元素，0元素是氧，N元素是氮，并且M(O)、M(l)、M(2)、M(3)、0、N的原子比被調(diào)整成滿足下面的所有條件x、y、z滿足33《x《51、8《y《12、36《z《56，a、b滿足3《a+b《7、0.001《b《1.2，當(dāng)設(shè)定me=a+b時(shí)，m、n滿足0.8*me《m《1.2*me、0《n《7，v滿足:v={av(0)+bv(1)}/(a+b)，其中，v(0)是M(O)離子的價(jià)數(shù)，v(l)是M(l)離子的價(jià)數(shù)。(2).如(1)所述的熒光體，其特征在于，x=42，y=10，z=46。(3).如(1)或(2)所述的熒光體，其特征在于，M(O)是選自Ca、Sr、Ba中的1種以上元素。(3)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，M(l)是Eu。(4)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，M(2)是Si，M(3)是A1。(5)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，n《me。(6)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，所述熒光材料的含是選自e-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、,(n1)、SrSi6N8中的一種以上。項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，是平均粒徑為0.1(4),(5),(6),(7),如(1)如(1)如(1)如(1)量是80體積％以上，余SrSiAl2N203、Sr2Al2Si10N1404、SrSi(10—n)Al(18+n)0nN(8).如(1)-50iim的粉末。(9).如(1)-(10).如(1)(11).如(1)(7)的任-(8)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，平均縱橫比是20以下。-(9)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，含有5300卯m的氟。-(10)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，含有103000卯m的(12).如(1)(11)的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，在至少一部分表面上形成了透明膜，當(dāng)將所述透明膜的折射率記作n時(shí)，所述透明膜的厚度是(10180)/nk(單位納米)。(13).如(12)所述的熒光體，其特征在于，所述透明膜的折射率nk是1.22.5。(14).如(12)或(13)所述的熒光體，其特征在于，所述透明膜的折射率nk是1.52.0。(15).—種熒光體的制造方法，其特征在于，具有下述工序?qū)υ线M(jìn)行混煉來制作原料混合物的混煉工序；對(duì)所述原料混合物進(jìn)行燒成的燒成工序；以及，對(duì)所述燒成后的原料混合物進(jìn)行熱處理的熱處理工序。(16).如(15)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，在所述熱處理工序之前，具有對(duì)所述燒成后的原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎分級(jí)的工序；在所述熱處理工序中，具有對(duì)該粉碎分級(jí)后的原料混合物的塊體進(jìn)行熱處理，再對(duì)該熱處理物的塊體進(jìn)行粉碎分級(jí)的工序。(17).如(15)或(16)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，至少以選自含有M的化合物MSi2、MSiN2、M2Si5N8、M3A12N4、MSi6N8中的一種以上原料作為起始原料，其中，M是選自M(0)、M(1)元素組中的、價(jià)數(shù)為II價(jià)的元素中的一種以上。(18).如(15)(17)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，至少含有LiSi^3作為起始原料。(19).如(15)(18)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，預(yù)先合成含有具有目標(biāo)組成的熒光材料的熒光體粉末，將其作為種子添加到所述原料混合物中。(20).如(16)(19)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎裝置，對(duì)燒成后的所述原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎，直至平均粒徑為50ym以下。(21).如(16)(20)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎裝置，對(duì)燒成后的所述原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎，直至平均粒徑為20ym以下。(22).如(16)(21)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，對(duì)燒成后的所述原料混合物的塊體的粉碎物進(jìn)行水簸分級(jí)。(23).如(16)(22)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，對(duì)燒成后的所述熱處理物的塊體的粉碎物進(jìn)行水簸分級(jí)。(24).如(15)(23)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，還具有通過對(duì)所述原料混合物進(jìn)行噴霧干燥來調(diào)整所述原料粉末的凝聚體的粒徑的造粒工序。(25).如(15)(24)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述混煉工序是使用濕式磨機(jī)將所述原料粉末和溶劑一起混煉的工序。(26).如(15)(25)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在0.1lOOMPa的壓力的氮?dú)夥諊小?5002200°C的溫度范圍下進(jìn)行燒成的工序。(27).如(15)(26)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在碳或含碳化合物的共存下進(jìn)行燒成的工序。(28).如(15)(27)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是收納在燒成用容器中進(jìn)行燒成的工序。(29).如(15)(28)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在保持體積密度為40%以下的填充率的狀態(tài)下進(jìn)行燒成的工序。(30).如(15)(29)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在保持所述原料混合物的表觀體積占所述燒成用容器的20體積％以上的填充率的狀態(tài)下進(jìn)行燒成的工序。(31).如(15)(30)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成用容器的材質(zhì)是氧化鋁、氧化鈣、氧化鎂、石墨或氮化硼中的任一種。(32).如(15)(31)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述熱處理工序是在選自氮?dú)?、氨氣和氫氣中?種或2種以上的氣氛中、在6002200°C的溫度下進(jìn)行熱處理的工序。(33).如(15)(32)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，具有下述透明膜形成工序使熒光體的粉末懸浮在有機(jī)溶劑中，向其中滴加有機(jī)金屬配合物或金屬醇鹽，從而在所述熒光體的至少一部分表面上形成透明膜。(34).如(15)(32)的任一項(xiàng)所述的熒光體的制造方法，其特征在于，具有下述透明膜形成工序使熒光體的粉末懸浮在水中，一邊保持固定的pH值，一邊向其中滴加金屬鹽水溶液，從而在所述熒光體的至少一部分表面上形成透明膜。(35).—種發(fā)光裝置，是由發(fā)光光源和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述熒光體使用了權(quán)利要求(1)(14)的任一項(xiàng)所述的熒光體。(36).如(35)所述的發(fā)光裝置，是由發(fā)光光源和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述熒光體還使用了CaAlSiN3:Eu。(37).如(35)或(36)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光光源是發(fā)出330500nm的波長的光的LED芯片、無機(jī)EL芯片或有機(jī)EL芯片中的任一種。(38).如(37)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度最大的發(fā)光波長是330500nm。(39).如(37)或(38)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片發(fā)出的光是紫外光。(40).如(37)或(38)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度最大的發(fā)光波長是380410nm。(41).如(37)、(38)或(40)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片發(fā)出的光是藍(lán)色光。(42).如(37)(41)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助所述LED芯片來激發(fā)熒光體，由此制成白色的LED器件。(43).如(42)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED器件的白色的發(fā)光色的顯色性被設(shè)定成70以上。(44).如(42)或(43)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED器件的發(fā)射光譜的10半峰寬被設(shè)定成lOOnm以上。(45).如(38)或(39)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成有色的LED器件。(46).如(45)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成綠色的LED器件。(47).如(45)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成藍(lán)綠色的LED器件。(48).如(45)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成藍(lán)色的LED器件。(49).如(37)(48)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置是炮彈型LED器件或表面安裝型LED器件中的任一種。(50).如(49)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置是在已布線的基板直接安裝所述LED芯片而成的板上芯片。(51).如(37)(50)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置的基板和/或反射鏡部分含有樹脂。(52).如(51)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述樹脂是熱固化性樹脂。(53).如(37)(52)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述發(fā)光裝置的基板和/或反射鏡部分包含陶瓷制部件。(54).如(35)(53)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體分散在以包圍所述LED芯片的方式形成的封裝樹脂中。(55).如(54)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有有機(jī)硅樹脂。(56).如(54)或(55)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有甲基硅樹脂。(57).如(54)(56)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有苯基硅樹脂。(58).如(54)(57)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體以在所述LED芯片附近密度較高的方式分散在所述封裝樹脂中。(59).如(54)(58)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，以覆蓋所述封裝樹脂的方式形成有另外的封裝樹脂。(60).如(37)(59)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體直接附著在所述LED芯片上。(61).如(60)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體以覆蓋所述LED芯片的至少一面的方式直接附著在所述LED芯片上。(62).如(61)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體形成層狀。(63).如(62)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體的厚度是1100ym。(64).如(37)(63)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片的面積比邊長為350iim的正方形大。(65).如(37)(64)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置含有11多個(gè)LED芯片。(66).如(37)(65)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置是以對(duì)每個(gè)封裝體賦予0.2W以上的電力的方式使用的。(67).如(37)(66)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，以使每個(gè)封裝體的平面面積密度為1.5X104W/m2以上的方式、對(duì)所述LED芯片賦予電力進(jìn)行使用。(68).如(37)(66)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，以使每個(gè)封裝體的平面面積密度為5X104W/m2以上的方式、對(duì)所述LED芯片賦予電力進(jìn)行使用。通過具有上述構(gòu)成，可以提供比現(xiàn)有的熒光體顯示出更高亮度和優(yōu)異的穩(wěn)定性的熒光體和制造方法、以及使用該熒光體的發(fā)光裝置。本發(fā)明的熒光體，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—y0nNz—n所示組成，其特征在于，M(O)元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1種以上元素，M(l)元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1種以上的賦活劑，M(2)元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1種以上元素，M(3)元素是選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1種以上元素，O元素是氧，N元素是氮，并且M(O)、M(1)、M(2)、M(3)、0、N的原子比被調(diào)整成滿足下面的所有條件x、y、z滿足33《x《51、8《y《12、36《z《56，a、b滿足3《a+b《7、0.001《b《1.2，當(dāng)設(shè)定me=a+b時(shí)，m、n滿足0.8me《m《1.2me、0《n《7，v滿足v={av(0)+bv(1)}/(a+b)，其中，v(O)是M(O)離子的價(jià)數(shù)，v(l)是M(l)離子的價(jià)數(shù)。由此可以得到充分高亮度的發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明的熒光體是前面所述的熒光體和其它的材料組成的熒光體，前面所述的熒光體的含量是80體積％以上，余量是選自13_賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、Sr2Al2Si10N1404、SrSi(1?！猲)Al(18+n)0nN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上，所以可以得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明的熒光體是平均粒徑O.1i！m50i！m的粉末，所以可以不受表面缺陷的影響，激發(fā)光的吸收充分，得到高強(qiáng)度發(fā)光。本發(fā)明的熒光體，構(gòu)成熒光體的初級(jí)粒子的平均縱橫比是20以下，所以不僅可以提高熒光體在樹脂中的分散性，而且可以有效吸收激發(fā)光，得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明的熒光體含有微量的氟、硼作為雜質(zhì)，所以可以進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明的熒光體的制造方法，至少以含有M(M是選自M(0)、M(1)元素組中的、價(jià)數(shù)為II價(jià)的元素中的一種以上)的化合物的、選自MSi2、MSiN2、M2Si5N8、M3A12N4、MSi6N8中的一種以上的原料作為起始原料，所以可以提高在燒成工序中的反應(yīng)性，得到亮度更高的熒光體。此外，本發(fā)明的熒光體的制造方法，至少含有作為含Li化合物的、LiSi2N3作為起始原料，所以可以提高在燒成工序中的反應(yīng)性，得到亮度更高的熒光體。本發(fā)明的熒光體的制造方法，在原料混合物中添加作為種子的、預(yù)先合成的、具有目標(biāo)組成的熒光體粉末，所以可以促進(jìn)合成反應(yīng)，可在低溫下合成，得到結(jié)晶度更高的熒光體，提高熒光體的發(fā)光強(qiáng)度。這里，還可以根據(jù)需要向該原料化合物中加入熔劑并混合。作為熔劑可以使用堿金屬的鹵化物或堿土類金屬的鹵化物等，但例如，相對(duì)于熒光體原料100質(zhì)量份，以0.0120質(zhì)量份的范圍添加。上述原料粉末混合物的凝聚體可以通過混煉工序和造粒工序得到。在混煉工序使用濕式磨機(jī)將上述原料粉末和溶劑一起混煉；在造粒工序中使用噴霧干燥機(jī)對(duì)在上述混煉工序中得到的原料混合物進(jìn)行噴霧干燥，以調(diào)整原料粉末的凝聚體的粒徑。本發(fā)明的熒光體的制造方法，在O.1100MPa的壓力的氮?dú)夥諊小?50(TC220(TC的溫度范圍進(jìn)行燒成工序，所以不會(huì)由于充分的氣氛壓力而使原料化合物揮散或組成變化，通過充分的溫度而使得時(shí)間效率良好，另外在不使原料熔融的情況下得到高發(fā)光強(qiáng)度的熒光體。本發(fā)明的熒光體的制造方法，在碳或含碳化合物的共存下進(jìn)行燒成工序，由于原料混合物與還原性氣氛接觸，所以特別是在使用氧含量多的原料化合物的情況中，可以得到高亮度的熒光體。本發(fā)明的熒光體的制造方法，在保持填充率為體積密度40%以下的狀態(tài)下進(jìn)行燒成工序，所以可以滿足經(jīng)濟(jì)性和品質(zhì)方面的要求。此外，作為保持原料粉末混合物的凝聚體具有體積密度為40%以下的填充率的方法，可以采用在將在上述造粒工序造粒的凝聚體粉末收納在燒成用容器中進(jìn)行燒成的方法。本發(fā)明的熒光體的制造方法，在保持原料混合物的填充率為表觀體積和燒成用容器的體積的比率為20體積％以上的狀態(tài)下進(jìn)行燒成工序，所以可以得到高亮度的熒光體。本發(fā)明的熒光體的制造方法，使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎裝置，對(duì)燒成后的上述原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎，直至平均粒徑為20ym以下，所以可以抑制在粉碎工序中混入雜質(zhì)。此外，本發(fā)明的熒光體的制造方法，在選自氮?dú)?、氨氣、氫氣中的l種或2種以上的氣氛中、60(TC220(TC的溫度下進(jìn)行熱處理工序，從而可以降低在粉碎工序中導(dǎo)入的缺陷，恢復(fù)發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明的熒光體，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n所示組成，其特征在于，M(O)元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1種以上元素，M(l)元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1種以上的賦活劑，M(2)元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1種以上元素，M(3)元素是選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1種以上元素，O元素是氧，N元素是氮，并且M(O)、M(1)、M(2)、M(3)、0、N的原子比被調(diào)整成滿足下面的所有條件x、y、z滿足33《x《51、8《y《12、36《z《56，a、b滿足3《a+b《7、0.001《b《1.2，當(dāng)設(shè)定me=a+b時(shí)，m、n滿足0.8me《m《1.2me、0《n《7，v滿足v={av(0)+bv(1)}/(a+b)，其中，v(O)是M(O)離子的價(jià)數(shù)，v(l)是M(l)離子的價(jià)數(shù)。但本發(fā)明的熒光體的粉末中含有的氧量可以比按照上述通式計(jì)算出的氧量多。該差值的氧量為0.4質(zhì)量％以下。這里，上述差值的氧構(gòu)成了在本發(fā)明的熒光體的粉末粒子的在至少一部分表面上形成的透明膜。本發(fā)明的熒光體，在構(gòu)成前面所述的熒光體的粒子的至少一部分表面上形成了厚度(10180)/nk(單位納米)的透明膜，這里nk是透明膜的折射率，為1.22.5，所以可以提高上述粒子的耐氧化性，同時(shí)降低與封裝樹脂的折射率之差，減少在熒光體和封裝樹脂的界面上的光損耗。此外，上述透明膜的折射率nk優(yōu)選為1.52.0。作為在本發(fā)明的熒光體的粉末粒子的至少一部分表面上形成透明膜的方法，可以列舉出使本發(fā)明的熒光體懸浮在有機(jī)溶劑中并滴加有機(jī)金屬配合物或金屬醇鹽的方法，或使本發(fā)明的熒光體在水中懸浮、一邊保持固定的pH值一邊滴加金屬鹽水溶液的方法等。本發(fā)明的發(fā)光裝置由發(fā)光光源和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，作為上述熒光體使用了本發(fā)明的熒光體，所以可以制成具有充分高的亮度和顯色性的發(fā)光裝置。本發(fā)明的發(fā)光裝置的上述發(fā)光光源是發(fā)出330500nm的波長的光的LED芯片、無機(jī)EL芯片或有機(jī)EL芯片中的任一者，所以可以有效激發(fā)本發(fā)明的熒光體，制成具有更高亮度和顯色性的發(fā)光裝置。本發(fā)明的發(fā)光裝置是由發(fā)光光源和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，由于作為上述熒光體使用本發(fā)明的熒光體和CaAlSiN3:Eu，所以可以得到紅色成分強(qiáng)的、顯示從暖白色(warmwhite)到橙色的發(fā)光裝置。圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置(LED照明器具)的剖面圖。圖2是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置(LED照明器具)的剖面圖。圖3是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置(LED照明器具)的剖面圖。圖4是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置(LED照明器具)的剖面圖。圖5是本發(fā)明的第五實(shí)施方式的發(fā)光裝置(LED照明器具)的剖面圖。圖6是顯示本發(fā)明的實(shí)施例1的熒光體的發(fā)光和激發(fā)光譜的圖。圖7是顯示本發(fā)明的實(shí)施例7的熒光體的發(fā)光和激發(fā)光譜的圖。圖8是顯示本發(fā)明的實(shí)施例24的熒光體的發(fā)光和激發(fā)光譜的圖。圖9是顯示本發(fā)明的實(shí)施例27的熒光體的發(fā)光和激發(fā)光譜的圖。圖IO是本發(fā)明的實(shí)施例1的熒光體的粉末X射線衍射圖。圖11是本發(fā)明的實(shí)施例7的熒光體的粉末X射線衍射圖。圖12是本發(fā)明的實(shí)施例24的熒光體的粉末X射線衍射圖。圖13是本發(fā)明的實(shí)施例27的熒光體的粉末X射線衍射圖。附圖標(biāo)記說明1:炮彈型發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置LED器件)。2:第一引線(引線框)。3:第二引線(引線框)。4:發(fā)光二極管元件(LED芯片)。4a、4b:電極。5:接合線(金屬絲)。6:第一樹脂(封裝樹脂)。7:熒光體。8:第二樹脂(封裝樹脂)。11:基板安裝用芯片型發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置LED器件)。12:第一引線(引線框)。13:第二引線(引線框)。15:接合線(金屬絲)。1416:第一樹脂(封裝樹脂)。17:熒光體。18:第二樹脂(封裝樹脂)。19:基板(氧化鋁陶瓷制或樹脂成型)。20:側(cè)面部件(壁面部件)。20a:空穴。20b:斜面(反射面)。23:熒光體。24:發(fā)光二極管元件(LED芯片)。24a、24b:電極。111、112、113:基板安裝用芯片型發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置LED器件)。具體實(shí)施例方式下面對(duì)實(shí)施本發(fā)明的方式予以說明?！磳?shí)施方式1:熒光體〉本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—y0nNz—n所示組成的熒光材料。其特征在于，M(O)元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1種以上元素，M(l)元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1種以上的賦活劑，M(2)元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1種以上元素，M(3)元素是選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1種以上元素，0元素是氧，N元素是氮，并且M(O)、M(1)、M(2)、M(3)、0、N的原子比被調(diào)整成滿足下面的所有條件x、y、z滿足33《x《51、8《y《12、36《z《56，a、b滿足3《a+b《7、0.001《b《1.2，當(dāng)設(shè)定me=a+b時(shí)，m、n滿足0.8*me《m《1.2*me、0《n《7，v滿足:v={av(0)+bv(1)}/(a+b)，其中，v(0)是M(O)離子的價(jià)數(shù)，v(l)是M(l)離子的價(jià)數(shù)。由此，可以得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。此外，當(dāng)a、b、x、y、z、m、n值偏離上述范圍時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度會(huì)降低，所以不優(yōu)選。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，上述熒光材料的含量是80體積％以上，余量是選自P-賽隆(sialon)、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、Sr2Al2Si1QN1404、SrSi(1。—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上。由此得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。此外，余量可以是晶相或無定形相中的任一種。此外，當(dāng)上述熒光材料的含量少于80體積％時(shí)，得不到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，n值滿足0《n《7，當(dāng)將M(O)元素的價(jià)數(shù)記作v(O)、將M(l)元素的價(jià)數(shù)記作v(l)時(shí)，優(yōu)選0《n《(a'v(0)+b'v(lM/2的范圍。當(dāng)n值小于{av(0)+bv(l)}/2時(shí)，不僅溫度特性提高，而且縱橫比變小，這是由于在樹脂中的分散性提高了的緣故。此外，當(dāng)n值小于(a，v(0)+b，v(lM/2時(shí)，發(fā)光波長向長波長側(cè)遷移。另一方面，當(dāng)n值大于{av(0)+bv(1)}/2時(shí)，往往發(fā)現(xiàn)選自P_賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、Si^AI^^NmCVSrSi(1?！猲)Al(18+n)0nN(32—n)(n1)、SrSieNs中的一種以上等物質(zhì)的其它晶相或無定形相的含量增多，發(fā)光強(qiáng)度降低。a+b的優(yōu)選范圍是3《a+b《7。當(dāng)a+b值小于3時(shí)，選自e-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl^O^Sr^l^^NwCVSrSido—n)Al(18+n)0nN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上等物質(zhì)的其它晶相或無定形相的含量增多，發(fā)光強(qiáng)度降低，所以不優(yōu)選。此外，當(dāng)a+b值大于7時(shí)，選自e-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、Sr2Al2Si10N1404、SrSi(1?！猲)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上等物質(zhì)的其它晶相或無定形相的含量增多、發(fā)光強(qiáng)度降低，通式溫度特性降低，所以不優(yōu)選。b值的優(yōu)選范圍是0.001《b《1.2。當(dāng)b值小于O.OOl時(shí)，由于進(jìn)行發(fā)光的原子數(shù)過少，所以得不到充分的發(fā)光強(qiáng)度，此外，當(dāng)大于1.2時(shí)，由于濃度淬滅，而使得發(fā)光強(qiáng)度降低，所以均不優(yōu)選。b值的更優(yōu)選范圍是0.01《b《0.9。當(dāng)在該范圍時(shí)，可以得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。此外，通過改變b值，可以使該熒光體的發(fā)射光譜在490530nm之間變化。M(O)元素可以使用選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1種以上元素。特別是，為了得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度，優(yōu)選構(gòu)成M(O)的元素是選自Ca、Sr、Ba中的一種以上。更優(yōu)選是Sr。此外，如果將Sr的一部分用Ca置換，則可以使發(fā)光色向長波長側(cè)遷移，如果用Ba置換，則可以向短波長側(cè)遷移。M(l)元素可以使用選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1種以上元素。它們是賦活劑。特別是，優(yōu)選M(l)元素是其中的選自Ce、Eu、Yb中的一種以上的元素。此外，當(dāng)本實(shí)施方式的熒光體中的M(l)是Ce時(shí)，顯示藍(lán)白色發(fā)光，當(dāng)M(l)是Eu時(shí)，顯示藍(lán)綠色發(fā)光，當(dāng)M(l)是Yb時(shí)，顯示綠色發(fā)光?！雌骄健当景l(fā)明實(shí)施方式的熒光體優(yōu)選是平均粒徑在0.1iim50iim的范圍的粉末。當(dāng)平均粒徑小于O.liim時(shí)，表面缺陷的影響明顯，發(fā)光強(qiáng)度降低，當(dāng)平均粒徑大于50iim時(shí)，激發(fā)光的吸收不充分，發(fā)光降低，所以均不優(yōu)選。另外，熒光體的粒度是使用激光衍射、散射法測(cè)定的?！雌骄v橫比〉本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，優(yōu)選構(gòu)成熒光體粉末的初級(jí)粒子的平均縱橫比是20以下。由此，不僅在樹脂中的分散性提高，而且會(huì)有效吸收激發(fā)光，得到充分高的發(fā)光強(qiáng)度。當(dāng)平均縱橫比大于20時(shí)，在樹脂中混煉困難，容易在樹脂和熒光體粒子的界面出現(xiàn)空隙。此外，當(dāng)平均縱橫比大于20時(shí)，粒子交纏在一起，與激發(fā)光平行排列的熒光體粒子對(duì)激發(fā)光的吸收不充分，得不到充分高的發(fā)光強(qiáng)度，所以不優(yōu)選。另外，當(dāng)構(gòu)成熒光體粉末的初級(jí)粒子的形狀是板狀時(shí)，根據(jù)其截面形狀求出縱橫比?！次⒘刻砑釉亍祵?duì)本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體中的、微量添加元素與發(fā)光特性的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)含有氟5300ppm或硼103000卯m時(shí)，可以得到更加良好的發(fā)光特性。當(dāng)氟為5ppm以上、硼為10ppm以上時(shí)，得到良好的發(fā)光特性的現(xiàn)象顯著，但當(dāng)前者大于300ppm、或后者大于3000卯m時(shí)，得不到更好的效果。〈氧量>當(dāng)本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體中含有的氧的量，比基于上述通式計(jì)算出的值多出160.4質(zhì)量％以下時(shí)，發(fā)光特性會(huì)進(jìn)一步提高。這里，多出的0.4質(zhì)量％以下的氧構(gòu)成了在上述熒光體的粉末粒子的至少一部分表面上形成的透明膜。通過該透明膜，提高了上述熒光體的粉末粒子的耐氧化性，同時(shí)降低了與封裝樹脂的折射率之差。由此降低上述熒光體和封裝樹脂的界面上的光的損失。進(jìn)而可以減少上述熒光體的粒子表面的不成對(duì)電子和缺陷，有效提高發(fā)光強(qiáng)度。〈透明膜>在本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的粉末粒子的至少一部分表面上可以形成透明膜。上述透明膜的厚度是(10180)/nk(單位納米)，其中，nk是透明膜的折射率，為1.22.5，優(yōu)選為1.52.0。當(dāng)上述透明膜的厚度比該范圍厚時(shí)，由于上述透明膜本身吸收光，而使發(fā)光強(qiáng)度降低，所以不優(yōu)選。此外，當(dāng)上述透明膜的厚度比該范圍薄時(shí)，難以形成均勻厚度的透明膜，熒光體和封裝樹脂的界面上光損失的降低效果不充分，所以不優(yōu)選。另外，一般來說，上述透明膜的適當(dāng)厚度是由上述透明膜的折射率nk決定的，當(dāng)是折射率高的透明膜時(shí)，即使厚度變薄，也可以實(shí)現(xiàn)降低光損失的目的，當(dāng)折射率低時(shí)，要實(shí)現(xiàn)上述目的，則需要增加厚度。作為適合上述透明膜的材質(zhì)，可以列舉出二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氟化鎂等的無機(jī)物質(zhì)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基苯乙烯等樹脂。〈分散性>可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的粉末粒子的表面進(jìn)行偶聯(lián)處理。由此，在將上述熒光體分散在樹脂中時(shí)，不僅可以提高上述熒光體的分散性，而且會(huì)提高樹脂和熒光體的附著性。作為偶聯(lián)劑，可以使用硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯系偶聯(lián)劑、鋁酸酯系偶聯(lián)劑等。根據(jù)需要可以在形成透明膜后進(jìn)行偶聯(lián)處理?！淳哂袑?dǎo)電性的無機(jī)物質(zhì)>當(dāng)將本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體用于使用電子束激發(fā)的用途中時(shí)，通過與具有導(dǎo)電性的無機(jī)物質(zhì)混合，可以賦予上述熒光體導(dǎo)電性。作為上述具有導(dǎo)電性的無機(jī)物質(zhì)，可以列舉出含有選自Zn、Al、Ga、In、Sn中的1種或2種以上的元素的氧化物、氧氮化物、或氮化物、或它們的混合物?！礋o機(jī)熒光體、熒光染料>根據(jù)需要，可以在本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體中混合其發(fā)色與本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體所使用的熒光材料的發(fā)光色不同的無機(jī)熒光體、和/或熒光染料。上面那樣得到的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體與通常的氧化物熒光體相比，其特特征在于，具有從電子束、X射線、和紫外線到可見光為止的范圍較寬的激發(fā)范圍，特別是，當(dāng)作為賦活劑使用Eu時(shí)，會(huì)呈480540nm的藍(lán)綠色綠色。通過具有以上的發(fā)光特性，本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體適合在照明器具、顯示器具、圖像顯示裝置、顏料、紫外光吸收劑等的發(fā)光器具等中使用。此外，由于置于高溫下也不會(huì)劣化，所以耐熱性優(yōu)異，在氧化氣氛和水分環(huán)境下具有優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的制造方法沒有限定，但可以使用下述方法得到亮度高的熒光體。〈熒光體的制造方法>本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的制造方法具有下述工序?qū)υ线M(jìn)行混煉來制作原料混合物的工序(混煉工序)；對(duì)該原料混合物進(jìn)行燒成的工序(燒成工序)；對(duì)該燒成后的原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎分級(jí)的工序(第l粉碎分級(jí)工序)；對(duì)該燒成后的原料混合物進(jìn)行熱處理的工序(熱處理工序)；以及，對(duì)該熱處理物的塊體進(jìn)行粉碎分級(jí)的工序(第2粉碎分級(jí)工序)。此外，也可以省略第1和第2粉碎分級(jí)工序?！椿鞜捁ば颉底鳛樵希梢允褂肕(l)金屬的、硅化物、氧化物、碳酸鹽、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氫氧化物、草酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、有機(jī)金屬化合物，或可通過加熱生成氧化物、氮化物、氧氮化物的化合物或復(fù)合物等。此外，可以使用M(O)金屬的、硅化物、氧化物、碳酸鹽、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氫氧化物、草酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、有機(jī)金屬化合物，或可通過加熱生成氧化物、氮化物、氧氮化物的化合物或復(fù)合物等。進(jìn)而，可以使用M(2)或M(3)金屬的、硅化物、氧化物、碳酸鹽、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氫氧化物、草酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、有機(jī)金屬化合物，或可通過加熱生成氧化物、氮化物、氧氮化物的化合物或復(fù)合物等。其中，作為M1的原料優(yōu)選是氧化物、氮化物，作為M(0)的原料優(yōu)選是氧化物、碳酸鹽、氮化物、硅化物，作為M(2)或M(3)的原料優(yōu)選是氮化物、氧化物、硅化物。此外，在使用三價(jià)銪原料作為起始原料來合成含有Eu作為賦活劑的熒光體時(shí)，作為上述三價(jià)銪原料，可以使用氮化銪或氧化銪作為原料混合物的起始原料。氧化銪在燒成過程中會(huì)被還原成2價(jià)。此外，一般來說，在氮化物原料中通常含有雜質(zhì)氧，該氧或氧化銪所含有的氧成為熒光體的雜質(zhì)或其它晶相的構(gòu)成元素。進(jìn)而，當(dāng)在碳或含碳化合物的共存下對(duì)原料混合物進(jìn)行燒成時(shí)，氧化銪被強(qiáng)烈還原，使氧量降低。當(dāng)銪為正二價(jià)時(shí)會(huì)顯示良好的發(fā)光。因此，在作為原料使用含有三價(jià)銪的化合物時(shí)，需要在燒成過程中進(jìn)行還原。在本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體含有的所有銪中二價(jià)和三價(jià)占有的比例，二價(jià)越多越好，優(yōu)選二價(jià)占所有銪中的比例是50%以上。更優(yōu)選是80%以上。當(dāng)殘留有三價(jià)銪時(shí)，會(huì)顯示出與二價(jià)銪不同波長的發(fā)光，導(dǎo)致發(fā)光色的變化，所以不優(yōu)選。另外，可以使用X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(XAFS:X-rayabsorptionfinestructure)解析法來分析銪的二價(jià)和三價(jià)的比例。此外，根據(jù)需要，可以預(yù)先合成本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體粉末，將其作為種子添加到原料混合物中，混合在一起。由于添加上述種子會(huì)促進(jìn)合成反應(yīng)，所以可以在低溫下合成，或者有時(shí)會(huì)得到結(jié)晶度更高的熒光體，提高發(fā)光強(qiáng)度。相對(duì)于熒光體原料100質(zhì)量份，上述種子的添加量優(yōu)選在150質(zhì)量份的范圍。進(jìn)而，至少使用選自含有M(M是選自M(0)、M(1)元素組中的、價(jià)數(shù)為II價(jià)的元素中的一種以上)的化合物MSiN2、M2Si5N8、M3Al2N4、MSi6N8中的一種以上的原料作為起始原料。此外，作為上述起始原料中含有Li的化合物，可以含有LiSi2N3。當(dāng)合成含有M或Li、并且具有n值小于{a*v(0)+bv(1)}/2的組成的熒光體時(shí)，需要使用M或Li的氮化物等作為原料，但由于這些氮化物容易在空氣中氧化，所以稱量、混合等的工序需要在阻隔空氣的手套箱中操作。進(jìn)而，一般來說，由于在將原料混合物填入到燒成爐中、除去爐內(nèi)的空氣之前，原料混合物被置于空氣中，所以即使在手套箱中進(jìn)行稱量、混合等的工序，也不能避免原料混合物的一定程度的氧化。另一方面，由于MSiN2、M2Si5N8、M3A12N4、MSi6N8、LiSi2N3等的化合物在空氣中穩(wěn)定，所以不用擔(dān)心在稱量、混合等的工序、以及在將原料混合物添入到燒成爐中、除去爐內(nèi)的空氣之前的期間被氧化。上述原料的粉末可以通過不使用溶劑的干式磨機(jī)進(jìn)行混合，但一般通過濕式磨機(jī)與溶劑一起混合。使用溶劑通過濕式磨機(jī)，可以在較短的時(shí)間內(nèi)得到微觀上均勻的混合粉末。作為磨機(jī)的種類，可以使用球磨機(jī)、振動(dòng)磨機(jī)、研磨機(jī)(attritionmill)等，但從設(shè)備費(fèi)用方面考慮，適合使用球磨機(jī)?；旌现惺褂玫娜軇┛梢允褂靡掖?、甲醇、異丙醇、己烷、丙酮、水等，但考慮到安全性等方面和防止原料粉末氧化的方面，優(yōu)選乙醇、己烷中的任一者。原料粉末和混合溶劑的比例決定了混合漿液的粘度。優(yōu)選混合漿液的粘度是50500cps。當(dāng)混合漿液的粘度小于50cps時(shí)，用于干燥混合漿液的能量增加，所以不優(yōu)選。另一方面，當(dāng)混合漿液的粘度大于500cps時(shí)，要得到均勻的混合粉末就得需要較長時(shí)間，所以不優(yōu)選?！丛炝９ば?gt;還可以具有對(duì)原料混合物進(jìn)行噴霧干燥、以整理原料粉末的凝聚體的粒徑的造粒工序。由此可以得到流動(dòng)性優(yōu)異、操作容易的原料粉末的凝聚體。在使用濕式磨機(jī)將原料的粉末與溶劑混合在一起，制作混合漿液之后，對(duì)其進(jìn)行干燥，從而得到混合粉末?？梢詫⑺玫幕旌蠞{液靜置在干燥機(jī)等中使溶劑蒸發(fā)，但使用噴霧干燥機(jī)時(shí)，可以在不用擔(dān)心原料粉末的再次分離的情況下在較短的時(shí)間內(nèi)除去溶劑，得到混合粉末。此外，由于使用噴霧干燥機(jī)所得的混合粉末呈幾十幾百微米的顆粒狀，所以流動(dòng)性優(yōu)異，容易操作。將混合粉末根據(jù)需要進(jìn)行加壓成型，制成具有40%以下的體積密度的成型體。通過使原料粉末變成成型體，可以防止在燒成工序等中真空脫氣造成飛散?！礋晒ば?gt;將原料混合物裝入到燒成用容器中，在O.1100MPa的壓力的氮?dú)夥諊羞M(jìn)行燒成。當(dāng)?shù)獨(dú)夥諊鷫毫π∮?.lMPa時(shí)，原料混合物的揮散明顯，出現(xiàn)組成的變化，發(fā)光強(qiáng)度降低。另一方面，當(dāng)?shù)獨(dú)夥諊鷫毫Υ笥?00MPa時(shí)，并不能改變抑制原料混合物揮散的效果，不經(jīng)濟(jì)，所以均不優(yōu)選。燒成溫度在150(TC220(TC的范圍。當(dāng)燒成溫度低于1500°C時(shí)，要得到本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體就需要長時(shí)間，當(dāng)高于220(TC時(shí)，原料開始溶融，所以均不優(yōu)選。上述燒成中使用的爐，由于燒成溫度是高溫，燒成氣氛是含有氮?dú)獾亩栊詺夥眨越饘匐娮杓訜岱绞交蚴娮杓訜岱绞降臓t是合適的，基于后述的理由，特別優(yōu)選使用碳作為爐的高溫部分材料的電爐。燒成的方法優(yōu)選常壓燒結(jié)法、氣壓燒結(jié)法等的不從外部機(jī)械加壓的燒結(jié)方法，這是由于可以在保持體積密度較低的情況下進(jìn)行燒成的緣故。當(dāng)在碳或含碳化合物的共存下進(jìn)行燒成時(shí)，由于原料混合物與還原性氣氛接觸，所以特別是在使用氧含量高的原料化合物時(shí)可以得到高亮度的熒光體，因而優(yōu)選在碳或含碳化合物的共存下燒成。這里使用的碳或含碳化合物是無定形碳、石墨、碳化硅等，沒有特殊限定，但優(yōu)選為無定形碳、石墨等?？梢粤信e出炭黑、石墨粉末、活性碳、碳化硅粉末等和它們的成型加工品、燒結(jié)體等，均可以得到同樣效果。作為共存的方式，有下述等情況在原料混合物中中含有粉末狀的碳的方式的情況；使用由碳或含碳化合物形成的燒成用容器的情況；在由除碳和含碳化合物以外的其它材質(zhì)形成的燒成用容器的內(nèi)部或外部配置碳或含碳化合物的情況；使用由碳或含碳化合物形成的發(fā)熱體、絕熱體的情況。采用任一配置方法均可以得到同樣的效果?？梢栽诒３稚鲜鲈匣旌衔锏幕旌戏勰┑捏w積密度為40%以下的填充率的狀態(tài)下進(jìn)行燒成。在保持體積密度為40%以下的填充率的情況下進(jìn)行燒成，是由于當(dāng)在原料粉末周圍具有自由空間的狀態(tài)下燒成時(shí)，反應(yīng)生成物自由向空間生長晶體，使晶體彼此接觸變少，因而可以合成表面缺陷少的晶體的緣故。此外，體積密度是指粉末的體積填充率，是將填充到燒成用容器中的質(zhì)量和體積的比值除以金屬化合物的理論密度，所得的值。此外，作為上述燒成用容器的材質(zhì)可以使用氧化鋁、氧化鈣、氧化鎂、石墨或氮化硼，由于與金屬化合物的反應(yīng)性低，所以適合使用氮化硼燒結(jié)體。原料混合物的填充量，在保持體積密度為40%以下的填充率的狀態(tài)下，作為原料混合物的表觀體積占燒成用容器的體積的比率優(yōu)選為20體積％以上。通過在原料混合物的填充量為燒成用容器的20體積％以上的情況下進(jìn)行燒成，可以抑制原料混合物中含有的揮發(fā)性成分的揮散，抑制燒成過程中組成的變化。此外，原料混合物在燒成用容器中的填充量增多，經(jīng)濟(jì)方面有利?！吹?粉碎分級(jí)工序>使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的球磨機(jī)、氣流磨等工場(chǎng)中通常使用的粉碎機(jī)(粉碎裝置)對(duì)燒成后所得的原料混合物的塊體、即含有本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的燒成塊體進(jìn)行粉碎。粉碎到直至上述塊體的平均粒徑為50iim以下。當(dāng)平均粒徑大于50ym時(shí)，粉末的流動(dòng)性和在樹脂中的分散性不好，在與發(fā)光元件組合形成發(fā)光裝置時(shí)，會(huì)因部位不同而發(fā)光強(qiáng)度不均勻。更優(yōu)選進(jìn)行粉碎直至平均粒徑為20iim以下。對(duì)平均粒徑的下限沒有特殊限定，但一般要粉碎到0.5ym以下的粒度需要較長時(shí)間，并且熒光體粉末表面的缺陷變多，所以有時(shí)會(huì)導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度降低。由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制成上述粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料，是為了抑制在粉碎過程中混入雜質(zhì)，此外，不會(huì)使混入的雜質(zhì)大大降低發(fā)光強(qiáng)度的緣故。20此外，當(dāng)使用具有含有鐵、鐵族元素的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎時(shí)，會(huì)使熒光體帶黑色，進(jìn)而在后述的熱處理工序中鐵、鐵族元素會(huì)進(jìn)入到熒光體中，使發(fā)光強(qiáng)度顯著降低，所以不優(yōu)選。根據(jù)需要對(duì)上述粉碎后所得的熒光體的粉末進(jìn)行分級(jí)處理，以得到所希望的粒度分布。作為分級(jí)的方法，可以使用篩分、風(fēng)力分級(jí)、液體中沈降法、淘汰管分級(jí)等的方法。優(yōu)選對(duì)原料混合物的塊體的粉碎物進(jìn)行水簸分級(jí)。此外，也可以在表面處理工序之后進(jìn)行該分級(jí)工序。〈熱處理工序>根據(jù)需要在選自氮?dú)?、氨氣、氫氣中?種或2種以上的氣氛中、60(TC220(TC的溫度下，對(duì)燒成后的熒光體粉末、或粉碎處理后的熒光體粉末、或經(jīng)分級(jí)調(diào)整粒度后的熒光體粉末進(jìn)行熱處理的工序。由此，可以例如減少在粉碎工序中產(chǎn)生的缺陷等，恢復(fù)發(fā)光強(qiáng)度。當(dāng)上述熱處理溫度低于60(TC時(shí)，熒光體的缺陷除去效果變小，要恢復(fù)發(fā)光強(qiáng)度需要較長時(shí)間，所以不優(yōu)選。另一方面，當(dāng)熱處理溫度高于220(TC時(shí)，熒光體粉末會(huì)部分熔解，使粒子彼此再次接合，所以不優(yōu)選?？梢栽谶x自氮?dú)?、氨氣、氫氣中?種或2種以上的氣氛中進(jìn)行上述熱處理。當(dāng)在這些氣氛中進(jìn)行熱處理時(shí)，可以在不使熒光體粉末氧化的條件下除去缺陷。此外，與燒成時(shí)同樣，氣氛壓力優(yōu)選為O.1100MPa的壓力。當(dāng)氣氛壓力小于0.lMPa時(shí)，有時(shí)會(huì)因熱處理溫度而使熒光體構(gòu)成元素的一部分揮散，發(fā)光強(qiáng)度降低。另一方面，當(dāng)?shù)獨(dú)夥諊鷫毫Υ笥?00MPa時(shí)，原料混合物的揮散抑制效果并不改變，所以經(jīng)濟(jì)方面不利，均不優(yōu)選。進(jìn)而，如果在燒成后用由水或酸水溶液形成的溶劑對(duì)生成物進(jìn)行洗凈，則可以降低生成物中含有的玻璃相、第二相、或雜質(zhì)相的含量，提高亮度。此時(shí)，酸可以選自單獨(dú)的硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸、有機(jī)酸，或它們的混合物，其中使用氫氟酸和硫酸的混合物時(shí)，雜質(zhì)的除去效果好?！吹?粉碎分級(jí)工序>進(jìn)而，根據(jù)需要，與第l粉碎分級(jí)工序同樣，使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎裝置，對(duì)燒成后的上述熱處理物的塊體進(jìn)行粉碎，直至平均粒徑是20iim以下。〈透明膜形成工序〉根據(jù)需要進(jìn)行透明膜形成工序，以在上述熒光體的至少一部分表面上形成透明膜。作為在本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的表面上形成透明膜的方法，有例如下述方法使用攪拌機(jī)、超聲波分散裝置，將上述熒光體的粉末分散在醇等的有機(jī)溶劑中，向該懸濁液中滴加有機(jī)金屬配合物或金屬醇鹽和氨水溶液等的堿性水溶液，以在上述熒光體的粒子表面上形成金屬氧化物或金屬氫氧化物的皮膜，然后根據(jù)需要在空氣中或氮?dú)獾鹊姆茄趸詺夥罩羞M(jìn)行燒成。上述透明膜的厚度可以通過改變滴加條件、攪拌、懸濁條件來控制。21此外，還可以使用攪拌機(jī)、超聲波分散裝置使上述熒光體的粉末懸浮在水(調(diào)制了PH值的酸、堿或緩沖液)中，一邊保持固定的pH值一邊滴加金屬鹽水溶液，從而在上述熒光體的粒子表面上形成該金屬的氧化物或氫氧化物的皮膜，然后進(jìn)行過濾、洗凈、干燥，并根據(jù)需要在空氣中或氮?dú)獾鹊姆茄趸詺夥罩羞M(jìn)行燒成。此外，該方法中可以通過改變金屬鹽水溶液的滴加條件、攪拌、懸浮條件，來控制上述透明膜的厚度。〈雜質(zhì)>為了得到發(fā)光亮度高的熒光體，優(yōu)選使雜質(zhì)的含量盡量少。特別是，當(dāng)含有大量的Fe、Co、Ni雜質(zhì)元素時(shí)會(huì)妨礙發(fā)光，所以優(yōu)選以這些元素的總量為500卯m以下的方式來進(jìn)行原料粉末的選擇和合成工序的控制。本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的制造方法是在0.1lOOMPa的壓力的氮?dú)夥諊小?50(TC220(TC的溫度范圍對(duì)可構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的原料混合物進(jìn)行燒成，所以可以得到發(fā)光強(qiáng)度高的熒光體?！窗l(fā)光裝置>本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置至少使用發(fā)光光源和本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體來構(gòu)成。作為使用上述發(fā)光裝置的照明裝置，有LED照明裝置、EL照明裝置、熒光燈等。例如，LED照明裝置可以通過使用本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，按照特開平5-152609號(hào)公報(bào)、特開平7-99345號(hào)公報(bào)等中記載的公知方法來制造。(第一實(shí)施方式)對(duì)作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的第一實(shí)施方式的、炮彈型白色發(fā)光二極管燈(LED照明裝置LED器件)予以說明。圖1是本發(fā)明的發(fā)光裝置的第一實(shí)施方式的炮彈型白色發(fā)光二極管燈1的剖面圖。如圖1所示，炮彈型白色發(fā)光二極管燈1具有第一引線2、和第二引線3，第一引線2具有凹部2a，在該凹部2a中藏置了發(fā)光二極管元件(LED芯片)4。在發(fā)光二極管元件4中，下部電極4a介由導(dǎo)電性糊與凹部2a的底面電連接，上部電極4b介由接合線(金屬絲)5與第二引線3電連接。第一樹脂(封裝樹脂)6是分散有熒光體7的透明樹脂，覆蓋了發(fā)光二極管元件4的整體。包含分散了熒光體7的凹部2a的第一引線2的端部2b、發(fā)光二極管元件4、和分散有熒光體7的第一樹脂6被透明的第二樹脂(另外的封裝樹脂)8封裝。第二樹脂8整體基本呈圓柱狀，其端頭部呈透鏡形狀的曲面，所以被通稱為"炮彈型"。作為第一樹脂6和第二樹脂8的材質(zhì)，優(yōu)選有機(jī)硅樹脂，也可以是聚碳酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂等的其它樹脂或玻璃等的透明材料。優(yōu)選選擇紫外線光造成的劣化盡量少的材料。第一樹脂6和第二樹脂8可以使用相同樹脂，也可以使用不同樹脂，但從制造的難易度和接合性的好壞等方面考慮，優(yōu)選使用相同的樹脂。當(dāng)在熒光體7的一部分表面上形成透明膜時(shí)，優(yōu)選使熒光體7分散在其中的第一樹脂6的折射率接近上述透明膜的折射率。由此可以抑制在上述透明膜和第一樹脂6的界面上的反射。此外，此時(shí)通過在分散有熒光體7的第一樹脂6的外側(cè)配置折射率比第一樹脂6低的樹脂(第2樹脂)，可以制成亮度更高的發(fā)光裝置。因借助發(fā)光二極管元件(LED芯片)4的發(fā)光來激發(fā)分散在第1樹脂6中的熒光體7，所以可以提高發(fā)光強(qiáng)度。此外，可以呈現(xiàn)各種發(fā)光色。進(jìn)而，在白色發(fā)光時(shí)可以提高顯色性。(第二實(shí)施方式)對(duì)作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的第二實(shí)施方式的、基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(LED照明裝置LED器件)予以說明。圖2是本發(fā)明的發(fā)光裝置的第二實(shí)施方式的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈11的剖面圖。如圖2所示，在基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈11中，在使用可見光反射率高的白色的氧化鋁陶瓷而成的陶瓷基板19上固定了第一引線12、和第二引線13，它們的端頭12a、端頭13a基本位于基板19的中央部，另一側(cè)的端頭12b、端頭13b分別伸到外部，在安裝到電路基板上時(shí)，成為帶有焊錫的電極。以第一引線12的端頭12a位于基板中央部的方式藏置固定發(fā)光二極管元件(LED芯片)4。發(fā)光二極管元件4的下部電極4a介由導(dǎo)電性糊和第一引線12電連接，上部電極4b介由接合線(金屬絲)15和第二引線13電連接。第一樹脂(封裝樹脂)16是分散有熒光體17的透明樹脂，覆蓋了整個(gè)發(fā)光二極管元件4。此外，在陶瓷基板19上固定了壁面部件20，在壁面部件20的中央部形成了碗狀的空穴20a?？昭?0a是用于收納發(fā)光二極管元件4和分散有熒光體17的第一樹脂16的，面向中央的部分形成斜面20b。該斜面20b是用于向前方出光的反射面，該斜面20b的曲面形狀應(yīng)考慮光的反射方向來決定。此外，使至少構(gòu)成反射面的斜面20b是具有白色或金屬光澤的、可見光線反射率高的面。壁面部件20可以由例如白色的有機(jī)硅樹脂等形成，中央部的空穴20a作為芯片型發(fā)光二極管燈的最終形狀形成了凹部，在凹部中以使發(fā)光二極管元件4和分散有熒光體17的第一樹脂16全部被封裝的方式填充了透明的第二樹脂(另外的封裝樹脂)18。第一樹脂16和第二樹脂18的材質(zhì)優(yōu)選是有機(jī)硅樹脂，但也可以是聚碳酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂等其它樹脂或玻璃等的透明材料。優(yōu)選選擇紫外線光造成的劣化盡量少的材料。第一樹脂16和第二樹脂18可以使用相同樹脂，也可以使用不同樹脂，但從制造的難易度和接合性的好壞等方面考慮，優(yōu)選使用相同的樹脂。由于借助發(fā)光二極管元件(LED芯片)4的發(fā)光來激發(fā)分散在第1樹脂16中的熒光體17，所以可以提高發(fā)光強(qiáng)度。此外，可以呈現(xiàn)各種發(fā)光色。進(jìn)而，在白色發(fā)光時(shí)可以提高顯色性。(第三實(shí)施方式)作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的第二實(shí)施方式，對(duì)基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(LED照明裝置LED器件)予以說明。圖3是本發(fā)明的發(fā)光裝置的第三實(shí)施方式的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈lll的剖面圖。如圖3所示，在基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈111中，在使用可見光反射率高的白色的氧化鋁陶瓷而成的陶瓷基板19上固定了第一引線12、和第二引線13，它們的端頭12a、端頭13a基本位于基板19的中央部，另一側(cè)的端頭12b、端頭13b分別伸到外部，在23安裝到電路基板時(shí)，成為帶有焊錫的電極。以第一引線12的端頭12a位于基板中央部的方式藏置固定發(fā)光二極管元件(LED芯片)24。此外，作為發(fā)光二極管元件24使用邊長為350ym的正方形藍(lán)色LED芯片，其介由樹脂糊接合在第一引線(引線)12上。此外，使用鍍銀的銅制的引線框作為引線(引線)12、13，使用由尼龍樹脂成型的陶瓷基板作為基板19。發(fā)光二極管元件24使用在一面上形成了2個(gè)電極24c、24d的發(fā)光元件，一電極24a介由接合線(金屬絲)15與第一引線(引線)12電連接，另一電極24b介由接合線(金屬絲)15與第二引線(引線)13電連接。與第二實(shí)施方式同樣，具有壁面部件20。適量滴加含有熒光體的第一樹脂16，使其覆蓋發(fā)光二極管元件24，并且填埋了壁面部件20的空穴20a，使其固化，從而制成基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(LED照明裝置)(發(fā)光裝置)。此外，還可以制作安裝多個(gè)邊長350iim的正方形藍(lán)色LED芯片作為發(fā)光二極管元件24的發(fā)光裝置封裝體，對(duì)其進(jìn)行修剪(trim)，根據(jù)作為單個(gè)的發(fā)光裝置封裝體發(fā)出的色調(diào)、發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行挑選，作為制品。由于借助發(fā)光二極管元件(LED芯片)24的發(fā)光來激發(fā)分散在第1樹脂16中的熒光體17，所以可以提高發(fā)光強(qiáng)度。此外，可以呈現(xiàn)各種發(fā)光色。進(jìn)而，在白色發(fā)光時(shí)可以提高顯色性。(第四實(shí)施方式)對(duì)作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的第四實(shí)施方式的、基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(LED照明裝置LED器件)予以說明。圖4是本發(fā)明的發(fā)光裝置的第四實(shí)施方式的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈112的剖面圖。如圖4所示，除了在基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈112中設(shè)置了未分散熒光體的第二樹脂18以外，其它與第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置111構(gòu)成相同。在基板中央部藏置固定有發(fā)光二極管元件(LED芯片)24。此外，對(duì)相同的部件使用相同的標(biāo)記來表示。由于借助發(fā)光二極管元件(LED芯片)24的發(fā)光來激發(fā)分散在第1樹脂(封裝樹脂)16中的熒光體17，所以可以提高發(fā)光強(qiáng)度。此外，可以呈現(xiàn)各種發(fā)光色。進(jìn)而，在白色發(fā)光時(shí)可以提高顯色性。(第五實(shí)施方式)對(duì)作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的第五實(shí)施方式的、基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(LED照明裝置LED器件)予以說明。圖5是本發(fā)明的發(fā)光裝置的第五實(shí)施方式的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈113的剖面圖。如圖5所示，在基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈113中，熒光體23以覆蓋發(fā)光二極管元件(LED芯片)24的一面的方式直接附著在發(fā)光二極管元件(LED芯片)24上，以覆蓋發(fā)光二極管元件24并且填埋壁面部件20的空穴20a的方式形成未分散熒光體的第二樹脂(另外的封裝樹脂)18，除此以外，與第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置lll具有相同構(gòu)成。發(fā)光二極管元件(LED芯片)24藏置固定在基板中央部。此外，對(duì)相同的部件使用相同的標(biāo)記來表示。由于借助發(fā)光二極管元件(LED芯片)24的發(fā)光來激發(fā)在發(fā)光二極管24的一面上形成的熒光體23，所以可以提高發(fā)光強(qiáng)度。此外，可以呈現(xiàn)各種發(fā)光色。進(jìn)而，在白色發(fā)光時(shí)可以提高顯色性。下面對(duì)第一實(shí)施方式第五實(shí)施方式的發(fā)光裝置共同的構(gòu)成和效果予以說明。〈發(fā)光光源〉發(fā)光光源(發(fā)光二極管元件4、24)發(fā)出330470nm的波長的光較好，其中優(yōu)選330420nm的紫外(或紫色)發(fā)光元件或420470nm的藍(lán)色發(fā)光元件?！碙ED芯片>本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113中使用LED芯片作為發(fā)光光源，所以可以減小裝置尺寸，抑制電力消耗，可以廉價(jià)大量制取。此外，由于含有本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，所以可以以LED發(fā)出的藍(lán)色的光作為激發(fā)光源，提高在一般發(fā)光強(qiáng)度低的波長區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度，提高白色發(fā)光的顯色性。特別是，可以制成顯色性70以上的LED發(fā)光裝置。當(dāng)使用LED芯片作為上述發(fā)光光源時(shí)，從發(fā)光效率方面考慮，優(yōu)選使用氮化鎵系化合物半導(dǎo)體。LED芯片是使用MOCVD法、HVPE法等在基板上形成氮化物系化合物半導(dǎo)體而得到的，優(yōu)選形成InaAleGai—a—eN(其中，a>0，P>0、a+P《1)作為發(fā)光層。作為半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，可以列舉出具有MIS結(jié)、PIN結(jié)、pn結(jié)等的同質(zhì)結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)或雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。可以根據(jù)半導(dǎo)體層的材料、其混晶度來選擇各種發(fā)光波長。此外，可以在單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)中形成半導(dǎo)體活化層，即能夠產(chǎn)生量子效應(yīng)的薄膜。作為LED芯片使用的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體具有2.42.5左右的非常高的折射率。因此，當(dāng)使用氮化鎵系化合物半導(dǎo)體作為上述發(fā)光光源時(shí)，要求具有高折射率的樹脂。從這一點(diǎn)考慮，熒光體所含的第l樹脂優(yōu)選為具有高折射率的樹脂。另一方面，為了提高從發(fā)光元件發(fā)出的光的出光效率，優(yōu)選配置在第1樹脂的外側(cè)的第2樹脂的折射率比第l樹脂折射率低。〈EL元件>當(dāng)使用EL元件作為上述發(fā)光光源時(shí)，只要可發(fā)出發(fā)射光譜在330nm470nm的光，即可使用，因此，可以使用無機(jī)、有機(jī)中的任一種EL元件。當(dāng)上述EL元件是無機(jī)EL時(shí)，可以是薄膜型、分散型、以及直流驅(qū)動(dòng)型、交流驅(qū)動(dòng)型中的任一種形式。此外，對(duì)參與EL發(fā)光的熒光體沒有特殊限定，但優(yōu)選使用硫化物類。當(dāng)上述EL元件是有機(jī)EL時(shí)，可以是疊層型、摻雜型、以及低分子系、高分子系中的任一種形式。在本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113中，除了單獨(dú)使用本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的方法以外，還可以與具有其它發(fā)光特性的熒光體一起使用，構(gòu)成發(fā)出所希望的顏色的發(fā)光裝置。作為其一例，有330420nm的紫外LED發(fā)光元件、和在該波長下被激發(fā)、具有波長420480nm的發(fā)光峰的藍(lán)色熒光體、和發(fā)光色被調(diào)節(jié)成綠色的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體、以及紅色熒光體的組合。作為上述藍(lán)色熒光體，可以列舉出BaMgA^。O^Eu等，作為上述25紅色熒光體，可以列舉出CaAlSiN3:Eu等。在該構(gòu)成中，當(dāng)LED發(fā)出的紫外線照射到各熒光體上時(shí)，會(huì)同時(shí)發(fā)出藍(lán)、綠、紅3色的光，這些光混合在一起，形成白色的發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，通過將330420nm的紫外LED發(fā)光元件、和BaMgA1^0^Eu等的藍(lán)色熒光體、發(fā)光色被調(diào)節(jié)成藍(lán)綠色的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體、發(fā)光色被調(diào)節(jié)成綠色的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體或P_賽隆熒光體等的綠色熒光體、和a-賽隆等的黃色熒光體、以及CaAlSiN3:Eu等的紅色熒光體組合在一起，可以制成顯色性極高的發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1U1、111、112、113，是由420470nm的藍(lán)色LED發(fā)光元件和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，通過將發(fā)光色被調(diào)節(jié)成綠色的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體、和CaAlSiN^Eu等的紅色熒光體組合在一起，可以制成白色的發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，通過將420470nm的藍(lán)色LED發(fā)光元件、與發(fā)光色被調(diào)節(jié)成藍(lán)綠色的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體、發(fā)光色被調(diào)節(jié)成綠色的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體或e-賽隆熒光體或Ca3Sc^Si30^Ce等的綠色熒光體、a-賽隆、YAG:Ce等的黃色熒光體、CaAlSiN3:Eu等的紅色熒光體組合在一起，可以制成顯色性極高的發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，具有可被紫外光激發(fā)的熒光體、和作為其激發(fā)光源的、發(fā)光強(qiáng)度最大的發(fā)光波長位于380410nm的LED作為構(gòu)成要素，所以可以制成作為顏色僅感覺是熒光體發(fā)出的光的有色LED器件。例如，可以制作藍(lán)色、藍(lán)綠色、綠色的LED。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體的發(fā)光特性不易受溫度影響，使用由這樣的熒光體發(fā)出的光的有色LED，特別是不會(huì)因電流值的變化而使波長變化，這正是綠色LED的課題，所以是優(yōu)異的。〈發(fā)光裝置的形式>本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，當(dāng)使用LED芯片作為光源時(shí)，一般發(fā)光裝置的形式是炮彈型LED器件或表面安裝型LED器件中的任一種。這些形式的器件已確定了標(biāo)準(zhǔn)，容易在產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用。進(jìn)而發(fā)光裝置的形式還可以是在已布線的基板上直接安裝LED芯片的板上芯片。此時(shí)可以采取適合用途的常規(guī)形式，可以在發(fā)揮溫度特性優(yōu)異的本熒光體的特性的用途中使用。〈樹脂部件〉本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，優(yōu)選構(gòu)成LED器件的樹脂部件中的至少基板和/或反射鏡部分含有樹脂制或陶瓷制的部件。樹脂制的部件可以廉價(jià)大量制造，所以優(yōu)選。作為樹脂的種類，優(yōu)選耐熱性高、反射率也高的樹脂，尼龍樹脂等較好。熱固化性樹脂耐熱性高，并且可以廉價(jià)大量制造，所以優(yōu)選。此外，陶瓷制的部件耐熱性非常優(yōu)異，所以優(yōu)選?！捶庋b樹脂>本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，可以在以包圍LED芯片的方式形成的封裝樹脂中分散熒光體。通過具有這樣的構(gòu)成，可以便宜且容易地制造發(fā)光裝置。此外，優(yōu)選在該LED芯片的封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有有機(jī)硅樹脂。有機(jī)硅樹脂對(duì)短波長的光具有耐性，所以適合封裝短波長的LED芯片。進(jìn)而通過使樹脂為具有柔軟性的甲基硅樹脂，可以避免接合線的斷裂。另一方面，也可以是具有剛性的苯基硅樹脂。此時(shí)可以防止?jié)駳獾蓉灤┬酒?，適合在高濕等嚴(yán)酷的環(huán)境中使用?！礋晒怏w分散方法>本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，優(yōu)選以在LED芯片的附近是高密度的方式分散熒光體。通過在LED芯片的附近配置熒光體，可以有效向熒光體導(dǎo)入激發(fā)光。此外，本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體與其它熒光體相比，溫度變化造成的特性變化小，所以即使將熒光體配置在LED芯片的附近，熒光體受到來自LED芯片發(fā)出的熱而溫度升高，特性變化也小。作為在LED芯片的附近配置熒光體的方法，可以采用由含有熒光體的第一樹脂(封裝樹脂)封裝LED芯片的附近，由第二樹脂(另外的封裝樹脂)封裝外周的方法。該方法可以廉價(jià)實(shí)施，所以優(yōu)選。優(yōu)選第一樹脂含有耐熱性高的有機(jī)硅樹脂。同樣作為在LED芯片的附近配置熒光體的方法，可以采用在LED芯片上直接附著熒光體的方法。例如，可以以覆蓋LED芯片的至少一面的方法直接附著熒光體。可以使用旋涂、蒸鍍、濺射法等，從晶片階段開始在LED芯片的至少一面上層狀堆積熒光體。使用這些方法，可以控制熒光體層使其均勻形成，所以優(yōu)選。此時(shí)，通過使熒光體層的厚度為llOOym，可以使LED芯片發(fā)出的光透過熒光體層而輸出，所以適合用于混色輸出白色光。本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，使用的熒光體的溫度特性良好，所以適合在發(fā)出大量熱的使用方法中使用。例如，適合于對(duì)每個(gè)封裝體賦予了0.2W以上的電力而使用LED器件的情況。進(jìn)而，適合于以每個(gè)封裝體的平面面積密度為1.5X104W/m2以上的方式對(duì)含有LED芯片賦予電力而使用的情況。進(jìn)而，更適合于賦予5X10、/m2以上的電力而使用的情況。此外，一般來說，賦予大電力使用的情況是設(shè)想LED器件中含有的LED芯片的面積比邊長為350i！m的正方形大的情況、含有多個(gè)LED芯片的情況、LED芯片是倒裝片(FlipChip)的情況，等等。本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光裝置1、11、111、112、113，可被紫外光激發(fā)，通過將從多種熒光體發(fā)出的光進(jìn)行混合，可以制成白色LED。此時(shí)，利用本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體可發(fā)出藍(lán)、綠中的任一者或兩者的顏色，但除此之外，需要含有呈紅色的熒光體，通過將這3色混合，可以使形成的白色顯色性良好。此外，也可以使本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體僅發(fā)綠色的光，由LED發(fā)出激發(fā)光和藍(lán)色的光。進(jìn)而由于可以含有組成不同的2種以上的本發(fā)明實(shí)施方式的熒光體，所以可以使發(fā)射光譜的顯色性優(yōu)異且連續(xù)。進(jìn)而，通過含有組成階段性變化的熒光體組，可以形成希望的連續(xù)光譜。進(jìn)而通過使合成的發(fā)射光譜的半峰寬是100nm以上，可以得到良好的顯色性。下面基于實(shí)施例來具體說明本發(fā)明。但本發(fā)明不僅限于這些實(shí)施例。實(shí)施例〈實(shí)施例110>首先，對(duì)實(shí)施例110的熒光體的制造方法予以說明。27原料粉末使用了平均粒徑為0.5iim、氧含量為0.93質(zhì)量X、a型含量為92%的氮化硅粉末(Si3N4)、氮化鋁粉末(A1N)、氮化鍶粉末(Sr3N2)、氧化鍶粉末(SrO)、氧化銪粉末(Eu203)。通式M(0)aM(1)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n具有表1所示的a、b、m、x、y、z、n值，以表2所示的配合(質(zhì)量比，下文中其它實(shí)施例中也同樣)稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。另外，M(l)為Eu。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>[O365][表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中制作體積密度約為25%的成型體，再填充到氮化硼(hBN)制的坩堝中。使上述成型體的體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是在可以保持水分為lppm以下、氧氣為lppm以下的氮?dú)夥諊氖痔紫渲胁僮鞯?。將填充有混合粉末的上述氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體(燒成塊體)進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑11ym的熒光體粉末(實(shí)施例110)。接著，使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例110)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。圖6是實(shí)施例1的熒光體的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜的測(cè)定結(jié)果。如圖6所示，實(shí)施例1的熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，被450nm的藍(lán)色光激發(fā)而得的發(fā)射光譜的峰波長為504nm。此外，峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為100count。圖7是實(shí)施例7的熒光體的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜的測(cè)定結(jié)果。如圖7所示，實(shí)施例7的熒光體的激發(fā)光譜的峰波長是370nm，被450nm的藍(lán)色光激發(fā)而得的發(fā)射光譜的峰波長為504nm。此外，峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為103count。這些熒光體粉末(實(shí)施例110)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表2所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位，因測(cè)定裝置、條件而變(以下也相同)。圖IO是實(shí)施例1的熒光體的粉末X射線衍射圖的測(cè)定結(jié)果。得到了圖IO所示的、含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。圖11是實(shí)施例7的熒光體的粉末X射線衍射圖的測(cè)定結(jié)果。得到了圖ll所示的、含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。實(shí)施例26、實(shí)施例810的熒光體也與實(shí)施例1、7同樣，得到了含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。在濕度80%、溫度80°C的條件下將這些熒光體粉末(實(shí)施例110)暴露100小時(shí)，發(fā)現(xiàn)亮度幾乎沒有降低。接著，對(duì)這些熒光體粉末(實(shí)施例110)—邊根據(jù)需要照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確認(rèn)由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)0nN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下。此外，對(duì)實(shí)施例1的熒光體培育單晶，解析晶體結(jié)構(gòu)，結(jié)果明白了具有表3和表4所示的晶體結(jié)構(gòu)。另夕卜，表4中的M(0、1)是M(O)元素和M(l)元素?zé)o規(guī)律進(jìn)入的位點(diǎn)，M(2、3)是M(2)元素和M(3)元素?zé)o規(guī)律進(jìn)入的位點(diǎn)，M(0、N)是0元素和N元素?zé)o規(guī)律進(jìn)入的位點(diǎn)。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>〈實(shí)施例1128>對(duì)本發(fā)明的熒光體的實(shí)施例1128予以說明。原料粉末使用了平均粒徑O.5iim、氧含量0.93重量X、a型含量92%的氮化硅粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、氧化銪粉末。通式M(0、M(l)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n具有表5所示的a、b、m、x、y、z、n值，以表6所示的配合稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為26%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是在可以保持水分為lppm以下、氧氣為lppm以下的氮?dú)夥諊氖痔紫渲胁僮鞯?。將該填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑12iim的熒光體粉末(實(shí)施例1128)。先使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例1128)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。圖8是實(shí)施例24的熒光體的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜的測(cè)定結(jié)果。如圖8所示，實(shí)施例24的熒光體的激發(fā)光譜的峰波長是370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為505nm。此外，峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為99count。圖9是實(shí)施例27的熒光體的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜的測(cè)定結(jié)果。如圖9所示，實(shí)施例27的熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm。此外，峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為101count。各熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生出藍(lán)綠色的發(fā)光。熒光體粉末(實(shí)施例1128)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表6所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位。圖11是實(shí)施例24的熒光體的粉末X射線衍射圖的測(cè)定結(jié)果。如圖11所示，得到了含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。圖12是實(shí)施例27的熒光體的粉末X射線衍射圖的測(cè)定結(jié)果。如圖12所示，得到了含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。此外，熒光體粉末(實(shí)施例1123、2326、28)也與實(shí)施例1同樣，得到了含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。在濕度80%、溫度8(TC的條件下將這些熒光體粉末(實(shí)施例1128)暴露100小時(shí)，發(fā)現(xiàn)亮度基本未降低。接著，一邊根據(jù)需要向這些熒光體粉末(實(shí)施例1128)照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確認(rèn)由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下?！磳?shí)施例2944>對(duì)本發(fā)明的熒光體的實(shí)施例2944予以說明。原料粉末使用平均粒徑為0.5iim、氧含量為0.93質(zhì)量％、a型含量為92%的氮化硅粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、氧化銪粉末。通式M(0)aM(l)bM(2)x—(v一)M(3)(vm+n)—y0nNz—n中的a、b、m、x、y、z、n值如表7所示。按照表8所示的配合稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。另外，M(l)是Eu。[表7]<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為24%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是在可以保持水分為lppm以下、氧氣為lppm以下的氮?dú)夥諊氖痔紫渲胁僮鞯摹⒃撎畛溆谢旌戏勰┑牡鹬频嫩釄宸胖迷谝蕴祭w維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到100(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑12iim的熒光體粉末(實(shí)施例2944)。先使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例2944)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。各熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生出藍(lán)綠色至綠色的發(fā)光。熒光體粉末(實(shí)施例2944)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表8所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位。此外，熒光體粉末(實(shí)施例2944)也與實(shí)施例1同樣，得到了含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。將這些熒光體粉末(實(shí)施例2944)在濕度80%、溫度8(TC的條件下暴露100小時(shí)，基本未發(fā)現(xiàn)亮度降低。接著，一邊根據(jù)需要向這些熒光體粉末(實(shí)施例2944)照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確定由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下?！磳?shí)施例4556>對(duì)本發(fā)明的熒光體的實(shí)施例4556予以說明。原料粉末使用平均粒徑為0.5iim、氧含量為0.93質(zhì)量％、a型含量為92%的氮化硅粉末、氮化鋁粉末、氮化鋁粉末、氧化鍶粉末、氧化鈣粉末、氧化銪粉末。通式M(0)aM(l)bM(2)r(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n中的a、b、m、x、y、z、n值如表9所示，按照表10所示的配合稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。另外，M(l)是Eu。[表9]<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為25%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是大氣中操作的。將該填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑12iim的熒光體粉末(實(shí)施例4556)。首先，使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例4556)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。各熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生藍(lán)綠色至黃色的發(fā)光。熒光體粉末(實(shí)施例4556)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表10所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位。此外，熒光體粉末(實(shí)施例4556)，與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。將該熒光體粉末(實(shí)施例4556)在濕度80%、溫度8(TC的條件下暴露100小時(shí)，基本未發(fā)現(xiàn)亮度降低。接著，一邊根據(jù)需要向這些熒光體粉末(實(shí)施例4556)照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確認(rèn)由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下。〈實(shí)施例5768>對(duì)本發(fā)明的熒光體的實(shí)施例5768予以說明。原料粉末使用平均粒徑為0.5iim、氧含量為0.93重量％、a型含量為92%的氮化硅粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、氧化鋇粉末、氧化銪粉末。通式M(0)aM(1)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n中的a、b、m、x、y、z、n值如表11所示，按照表10所示的配合稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。另外，M(l)是Eu。[表ll]<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為23%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是大氣中操作的。將該填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑11ym的熒光體粉末(實(shí)施例5768)。首先，使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例5768)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。各熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受400nm的藍(lán)紫色光激發(fā)產(chǎn)生藍(lán)色至藍(lán)綠色的發(fā)光。熒光體粉末(實(shí)施例4556)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表12所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位。此外，熒光體粉末(實(shí)施例5768)，與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。將該熒光體粉末(實(shí)施例5768)在濕度80%、溫度80°C的條件下暴露100小時(shí)，基本未發(fā)現(xiàn)亮度降低。接著，一邊根據(jù)需要向這些熒光體粉末(實(shí)施例5768)照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確定由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下?！磳?shí)施例6973>對(duì)本發(fā)明的熒光體的實(shí)施例6973予以說明原料粉末使用平均粒徑為0.5iim、氧含量為0.93重量％、a型含量為92%的氮化硅粉末、氮化鋁粉末、氧化鍶粉末、碳酸鍶粉末、SrS^粉末、S^Si5N8粉末、SrSieNs粉末、SrSi^粉末、氧化銪粉末。通式M(0)aM(l)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n中的a、b、m、x、y、z、n值如表13所示，按照表14所示的配合稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。另外，M(l)為Eu。[表13]<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>[表14]<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為24%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是大氣中操作的。將填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到100(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑12iim的熒光體粉末(實(shí)施例6973)。首先，使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例6973)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。各熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生藍(lán)綠色的光。熒光體粉末(實(shí)施例6973)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表14所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位。此外，熒光體粉末(實(shí)施例6973)與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。將該熒光體粉末(實(shí)施例6973)在濕度80%、溫度80°C的條件下暴露100小時(shí)，基本未發(fā)現(xiàn)亮度降低。接著，一邊根據(jù)需要對(duì)熒光體粉末(實(shí)施例6973)照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確定由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下?！磳?shí)施例7483>對(duì)本發(fā)明的熒光體的實(shí)施例7483予以說明。原料粉末使用平均粒徑為O.5iim、氧含量為0.93重量X、a型含量為92%的氮化硅粉末、氮化鋁粉末、氧化鍶粉末、氧化鑭粉末、碳酸鋰粉末、SrSi2粉末、Li^粉末、LiSi2N3粉末、氧化銪粉末。通式M(0)aM(l)bM(2)x—(vm+n)M(3)(vm+n)—yOnNz—n中的a、b、m、x、y、z、n值如表15所示，按照表16所示的配合稱量上述原料粉末，使用瑪瑙研缽棒和研缽混合30分鐘。另外，M(l)為Eu。[表15]3SrLibmXyz門實(shí)施例744.咖1,000—0.1806.00042.0001046.0006.500實(shí)施例753.8201000-0.1806.00042.0001046,0007.000;實(shí)施例762.8203.000—0.1806,00042.0001046.0007.500實(shí)施例774.8201.000—0,1806，42.0001046,0004.800實(shí)施例784.820—1.0000.1806、00042,0001046.咖5.500實(shí)施例793.820—2，0.t&06.00042.0001046.咖5.000實(shí)施例802,820一3.000O.tBO6.00042,0001046,0004.500實(shí)施例814.820-1.0000,180e.ooo42..卿1046.0004.000實(shí)施例824,820，.0000,1806.00042.0001046.咖4.000實(shí)施例834.820-1.000O.化O6.00042.0001046.0004.000[表16]SrO(g)SrSi2(g)la203(g)Li2C03(g)Li3N(g)LiSi2N3(g)Si3N4(g)AlN(g)Eu203(g)發(fā)光強(qiáng)度(count)發(fā)光波長(醒)實(shí)施例742.3388720.0000.7634.9264561.8234810.148321101505實(shí)施例751.8106950.0001.4904.4915252.0624950.144886102507實(shí)施例761.3064310.0002.1854.0762862.2906860.141606104508實(shí)施例771.5735531.1900.7934.7335031.5561070.154159105508實(shí)施例782.4642620.0000.1825.8826441.3145330.156273102503實(shí)施例792.0105630.0000.3756.4122541.0409810.160878103500實(shí)施例801.529310.0000.5806.974030.7508140.165764105498實(shí)施例811.7593181.1030.1895.7386531.048080.161976105503實(shí)施例822.0228950.7350.0595.9736881.0473650.161865106503實(shí)施例832.0228840.735———0.5372815.4957621.0473590.161864108503將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為23%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部是在可以保持水分為lppm以下、氧氣為lppm以下的氮?dú)夥諊氖痔紫渲胁僮鞯?。將該填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石45墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑11ym的熒光體粉末(實(shí)施例7483)。首先，使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定這些熒光體粉末(實(shí)施例7483)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。各熒光體的激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生藍(lán)綠色的光。熒光體粉末(實(shí)施例6973)的發(fā)光峰的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光波長如表16所示。此外，發(fā)光強(qiáng)度的count值是任意單位。此外，熒光體粉末(實(shí)施例7483)與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖。將該熒光體粉末(實(shí)施例7483)在濕度80%、溫度80°C的條件下暴露100小時(shí)，基本未發(fā)現(xiàn)亮度降低。接著，一邊根據(jù)需要對(duì)熒光體粉末(實(shí)施例7483)照射365nm的紫外線，一邊進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察。根據(jù)試樣的體色、粒子形狀以及照射紫外線時(shí)的發(fā)光色，確定由選自P-賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、S^AI^^NmO^SrSi加—n)Al(18+n)OnN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上形成的非發(fā)光相或或顯示發(fā)光與504nm左右的藍(lán)綠色發(fā)光不同的晶相的比例以體積比計(jì)算為20%以下。〈實(shí)施例8494>與實(shí)施例1同樣得到燒成塊體，使用瑪瑙研缽棒和研缽將其粉碎，進(jìn)行篩分級(jí)或水簸分級(jí)，制作出表17所示的、具有所希望的平均粒徑和平均縱橫比的熒光體粉末(實(shí)施例8494)。使用捏合機(jī)將所得的熒光體粉末(實(shí)施例8494)分散在有機(jī)硅樹脂中成10質(zhì)量％，使用同一樹脂的截面評(píng)價(jià)熒光體粉末的發(fā)光強(qiáng)度和在樹脂中的分散性。另外，發(fā)光強(qiáng)度是將最大值作為IOO來確定的。此外，用在樹脂和粉末粒子的界面發(fā)現(xiàn)有空隙的粉末粒子的比例來評(píng)價(jià)在樹脂中的分散性。發(fā)現(xiàn)有空隙的粒子比例越少，表示分散性越好。[表17]<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>〈實(shí)施例9596>對(duì)通過向?qū)嵤├?的組成中額外添加0.5質(zhì)量％的氟化鋰粉末、除此以外與實(shí)施例1同樣制作出的熒光體粉末(實(shí)施例95)、和通過使用石墨制的坩堝制作的熒光體粉末(實(shí)施例96)調(diào)查發(fā)光強(qiáng)度和氟量、硼量。另外，發(fā)光強(qiáng)度是以實(shí)施例1的發(fā)光強(qiáng)度作為100來確定的。此外，由于使用石墨制坩堝所得的試樣的表面已被碳化硅化，所以除去表面的碳化硅層，再進(jìn)行評(píng)價(jià)。[表18]<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>〈實(shí)施例97>將與實(shí)施例70同樣得到的粉末進(jìn)行水簸分級(jí)，得到平均粒徑為1.3iim的熒光體粉末。在實(shí)施例1的組成中額外添加2質(zhì)量％的該粉末作為種子，與實(shí)施例1同樣合成熒光體粉末(實(shí)施例97)。用紫外線燈向該熒光體粉末(實(shí)施例97)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例97)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。此外，如將實(shí)施例1的發(fā)光強(qiáng)度作為ioo來定量，則發(fā)光峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為108co皿t。接著，使用瑪瑙研缽進(jìn)行粉碎，利用Cu的Ka線進(jìn)行粉末X射線衍射測(cè)定，結(jié)果與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖?！磳?shí)施例98>以與實(shí)施例70具有相同的組成比的方式，稱量原料粉末總計(jì)100g，以乙醇作為混合溶劑，使用濕式球磨機(jī)混合2小時(shí)，得到粘度為300cps左右的漿液。另外，也可以使用己烷等作為混合溶劑。接著，使用與有機(jī)溶劑對(duì)應(yīng)的噴霧干燥機(jī)對(duì)所得的漿液進(jìn)行噴霧干燥，制成顆粒狀的混合粉末。將所得的混合粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為24%的成型體，再將其填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部在大氣中操作。將該填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)50(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑11ym的熒光體粉末(實(shí)施例98)。用紫外線燈向該熒光體粉末(實(shí)施例98)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例98)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。此外，如將實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為100來定量，則發(fā)光峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為107co皿t。接著，使用瑪瑙研缽進(jìn)行粉碎，利用Cu的Ka線進(jìn)行粉末X射線衍射測(cè)定，結(jié)果與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖?！磳?shí)施例99>將實(shí)施例70中使用的原料粉末裝入到鋁制的模具中，制作體積密度約為25%的成型體，再填充到氮化硼制的坩堝中。使成型體體積和坩堝體積的比率約為80%。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部在大氣中操作。將該填充有混合粉末的氮化硼制坩堝放置在以氧化鋁纖維成型體為絕熱材料的亞鉻酸鑭電阻加熱方式的電爐中。另外，在本實(shí)施例使用的電爐室內(nèi)絕對(duì)不使用含有碳的材料。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)IO(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)IO(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑12iim的熒光體粉末(實(shí)施例99)。用紫外線燈向該熒光體粉末(實(shí)施例99)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例99)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。此外，如將實(shí)施例98的發(fā)光強(qiáng)度作為100來定量，則發(fā)光峰波長的發(fā)光強(qiáng)度為82co皿t。接著，使用瑪瑙研缽進(jìn)行粉碎，利用Cu的Ka線進(jìn)行粉末X射線衍射測(cè)定，結(jié)果與實(shí)施例1同樣得到含有主要衍射峰的粉末X射線衍射圖?！磳?shí)施例100109〉將具有與實(shí)施例70相同組成的混合粉末填充到氮化硼制的坩堝中，并使之具有表19所示的體積密度和填充率。此外，粉末的稱量、混合、成型的各工序全部在大氣中操作。將填充有混合粉末的氮化硼制的坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)60(TC的速度從室溫加熱到IOO(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30iim目的篩子，制成平均粒徑12iim的熒光體粉末(實(shí)施例100109)。用紫外線燈向該熒光體粉末(實(shí)施例100109)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例100109)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。這些熒光體粉末(實(shí)施例100109)的發(fā)光強(qiáng)度是以實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為100來定量的。[表19]缽積密度(%)填充率(%)發(fā)光強(qiáng)度(count)實(shí)施例100779104實(shí)施例1011680102實(shí)施例1022579103實(shí)施例103241375實(shí)施例10425248149<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>〈實(shí)施例110111>使用含有表20所示的材質(zhì)的球磨機(jī)對(duì)實(shí)施例70所得的熒光體粉末、以乙醇為溶劑進(jìn)行粉碎使其平均粒徑是5ym以下。將所得的漿液蒸發(fā)干固，然后用鹽酸洗凈實(shí)施例111的試樣，再次蒸發(fā)干固，然后填充到氮化硼制的坩堝中。將填充有試樣的氮化硼制坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐中。先利用擴(kuò)散泵將燒成氣氛變成真空，以每小時(shí)60(TC的速度從室溫加熱到100(TC，再在100(TC下導(dǎo)入純度是99.999體積％的氮?dú)馐箟毫?.9MPa，然后以每小時(shí)60(TC的速度升溫至190(TC，在190(TC下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行燒成。燒成后，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30ym目的篩子，制成平均粒徑12ym的熒光體粉末(實(shí)施例110111)。用紫外線燈向這些熒光體粉末(實(shí)施例110111)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例110111)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。這些熒光體粉末(實(shí)施例100109)的發(fā)光強(qiáng)度是以實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為ioo來定量的。[表20]<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>〈實(shí)施例112113>將實(shí)施例70所得的熒光體粉末填充到氮化硼制的坩堝中，將填充有試樣的氮化硼制坩堝放置在以碳纖維成型體為絕熱材料的石墨電阻加熱方式的熱氣靜水壓加壓裝置中。然后在下述條件下加熱氣氛壓力30MPa，燒成溫度200(TC的條件(實(shí)施例112);或氣氛壓力50MPa，燒成溫度210(TC的條件(實(shí)施例113)。另外，燒成氣氛為氮?dú)鈿夥铡珊?，將該所得的燒成體進(jìn)行粗粉碎，然后在氮化硅燒結(jié)體制的研缽中用手進(jìn)行粉碎，使用30ym目的篩子，制成平均粒徑llym的熒光體粉末(實(shí)施例112113)。用紫外線燈向這些熒光體粉末(實(shí)施例112113)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例112113)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。這些熒光體粉末(實(shí)施例112113)的發(fā)光強(qiáng)度是以實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為100來定量的。[表21]氛圍氣壓力(MPa)燒成溫度CC)發(fā)光強(qiáng)度(count)實(shí)施例112302000112實(shí)施例113502100117〈實(shí)施例114>在溶解有四乙氧基硅1.Og的異丙醇50ml和蒸留水20ml的混合液中充分分散實(shí)施例70所得的熒光體粉末5.0g。一邊充分?jǐn)嚢璺稚⒁?，一邊向其中滴?5%氨水溶液50ml，然后在攪拌下加熱回流2小時(shí)。將所得的漿液過濾、洗凈、干燥，在氮?dú)夥諊?00°C下煅燒，從而得到帶有無定形二氧化硅被膜的熒光體(實(shí)施例114)。使用透射電鏡觀察所得的帶有無定形二氧化硅被膜的熒光體(實(shí)施例114)，結(jié)果二氧化硅膜的厚度約為70nm。當(dāng)將實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為100來定量時(shí)，該熒光體(實(shí)施例114)的發(fā)光強(qiáng)度是114。此外，與上述同樣對(duì)得到的二氧化硅膜測(cè)定折射率，結(jié)果為1.48。帶有無定形二氧化硅被膜的熒光體(實(shí)施例114)的氧量比由實(shí)施例70理論求出的氧量多0.2質(zhì)量％。〈實(shí)施例115>向0.1M硼酸0.1M氯化鉀的水溶液50ml中加入0.1M氫氧化鈉水溶液32ml，然后用蒸留水稀釋成100ml。向該水溶液中加入實(shí)施例70所得的熒光體粉末5.Og，充分分散后制成槳液。使用氫氧化鈉水溶液一邊將上述漿液的pH值保持在9.010.5的范圍，一邊滴加0.1M硫酸鋁水溶液10ml，從而得到在漿液中的粒子表面上附著了氫氧化鋁微粒的熒光體粒子，將該熒光體粒子洗凈并干燥，然后在空氣中、60(TC下煅燒2小時(shí)，從而得到表面形成了氧化鋁層的熒光體粉末(實(shí)施例115)。51使用透射電鏡觀察熒光體粉末(實(shí)施例115)，結(jié)果氧化鋁層的厚度約為50nm。當(dāng)將實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為IOO來定量時(shí)，該熒光體(實(shí)施例115)的發(fā)光強(qiáng)度是IIO。此外，與上述同樣對(duì)得到的氧化鋁膜測(cè)定折射率，結(jié)果為1.70。帶有氧化鋁被膜的熒光體(實(shí)施例115)的氧量比由實(shí)施例70理論求出的氧量多0.3質(zhì)量％?！磳?shí)施例116>使用氮化硅燒結(jié)體制的研缽將與實(shí)施例70同樣得到的熒光體的燒成塊體輕輕粉碎。使用將濃度48X的氫氟酸、當(dāng)量濃度36N的硫酸和蒸留水按照體積比為5:5:390的方式混合而成的混酸水溶液，將上述燒成塊體在充分?jǐn)嚢柘逻M(jìn)行30分鐘的酸處理。然后將熒光體粉末分離、洗凈并干燥，處理得到熒光體粉末(實(shí)施例116)。使用掃描電鏡觀察熒光體粉末(實(shí)施例116)的形狀，結(jié)果未觀察到晶界相和玻璃質(zhì)的第二相，確定由具有固有晶面(自形面)的單晶粒子構(gòu)成。用紫外線燈向該熒光體粉末(實(shí)施例116)照射波長365nm的光，結(jié)果發(fā)現(xiàn)發(fā)藍(lán)綠色光。使用熒光分光光度計(jì)測(cè)定熒光體粉末(實(shí)施例116)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，結(jié)果激發(fā)光譜的峰波長為370nm，受450nm的藍(lán)色光激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射光譜的峰波長為504nm(藍(lán)綠色)。當(dāng)以實(shí)施例70的發(fā)光強(qiáng)度作為100來定量時(shí)，該熒光體粉末(實(shí)施例116)的發(fā)光強(qiáng)度為116。接下來，對(duì)使用本發(fā)明的熒光體的發(fā)光裝置予以說明。〈實(shí)施例117>使用本發(fā)明的熒光體制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。首先，使用導(dǎo)電性糊將藍(lán)色發(fā)光二極管元件接合在第一引線上的元件藏置用的凹部中，使第一引線和藍(lán)色發(fā)光二極管元件的下部電極電連接，同時(shí)固定了藍(lán)色發(fā)光二極管元件。接著，借助接合線將藍(lán)色發(fā)光二極管元件的上部電極和第二引線進(jìn)行線連接，以電連接。并且，使用分散器將預(yù)先制作的分散有熒光體的樹脂以覆蓋藍(lán)色發(fā)光二極管元件的方式適量涂布在凹部中，然后使其固化、形成第一樹脂。最后通過澆鑄法將包含凹部的第一引線的端部、藍(lán)色發(fā)光二極管元件、和分散有熒光體的第一樹脂用第二樹脂整體封裝。使用折射率為1.6的環(huán)氧樹脂作為第一樹脂，使用折射率為1.36的環(huán)氧樹脂作為第二樹脂。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、將作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在環(huán)氧樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光。(實(shí)施例118)除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖l所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、將作為綠色熒光體的e-賽隆熒光體以濃度為12質(zhì)量％的方式、將作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在環(huán)氧樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色光、綠色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光。〈實(shí)施例119>除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖l所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為綠色熒光體的Ca3SC2Si3012:Ce熒光體以濃度為13質(zhì)量％的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在環(huán)氧樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色、綠色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光?！磳?shí)施例120〉除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖l所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為綠色熒光體的e-賽隆熒光體以濃度為13質(zhì)量％的方式、作為黃色熒光體的YAG:Ce熒光體以濃度為18質(zhì)量％的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在環(huán)氧樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體、黃色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色、綠色光、黃色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出接近自然光的白色光?！磳?shí)施例121〉除了改變使用的發(fā)光元件(LED)和熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。使用發(fā)光峰波長是380nm的紫外LED元件作為發(fā)光元件(LED)，將實(shí)施例1的熒光體、實(shí)施例44的熒光體、BaMgAli。O^Eu熒光體、和作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu分散在由有機(jī)硅樹脂形成的樹脂層中，制成覆蓋紫外LED元件的結(jié)構(gòu)。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為380nm的紫外光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、實(shí)施例44的熒光體、BaMgA1^0^Eu熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色、綠色光、黃色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光?！磳?shí)施例122〉使用折射率為1.51的有機(jī)硅樹脂作為第一樹脂，使用折射率為1.41的有機(jī)硅樹脂作為第二樹脂，除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在有機(jī)硅樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光?！磳?shí)施例123〉使用折射率為1.51的有機(jī)硅樹脂作為第一樹脂，使用折射率為1.41的有機(jī)硅樹脂作為第二樹脂，除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為綠色熒光體的e-賽隆熒光體以濃度為12質(zhì)量％的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在有機(jī)硅樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色光、綠色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光?！磳?shí)施例124>使用折射率為1.51的有機(jī)硅樹脂作為第一樹脂，使用折射率為1.41的有機(jī)硅樹脂作為第二樹脂，除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為綠色熒光體的Ca3SC2Si3012:Ce熒光體以濃度為13質(zhì)量％的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在有機(jī)硅樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色光、綠色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出白色光?！磳?shí)施例125〉使用折射率為1.51的有機(jī)硅樹脂作為第一樹脂，使用折射率為1.41的有機(jī)硅樹脂作為第二樹脂，除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為綠色熒光體的e-賽隆熒光體以濃度為13質(zhì)量％的方式、作為黃色熒光體的a-賽隆熒光體以濃度為18質(zhì)量^的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN^Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在有機(jī)硅樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。54當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體、黃色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色光、綠色光、黃色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出接近自然光的白色光?！磳?shí)施例126〉使用折射率為1.51的有機(jī)硅樹脂作為第一樹脂，使用折射率為1.41的有機(jī)硅樹脂作為第二樹脂，除了改變使用的熒光體為外，其它與實(shí)施例117同樣操作，制作圖1所示的炮彈型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，將作為藍(lán)綠色熒光體的實(shí)施例1的熒光體以濃度為15質(zhì)量％的方式、作為綠色熒光體的e-賽隆熒光體以濃度為13質(zhì)量％的方式、作為黃色熒光體的YAG:Ce熒光體以濃度為18質(zhì)量％的方式、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體以濃度為26質(zhì)量％的方式混合在有機(jī)硅樹脂中，使用分散器適量滴加上述混合物，形成分散有熒光體的第一樹脂。當(dāng)將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，LED元件發(fā)出發(fā)光峰波長為450nm的藍(lán)色光，受其激發(fā)，實(shí)施例1的熒光體、綠色熒光體、黃色熒光體和紅色熒光體分別發(fā)出藍(lán)綠色光、綠色光、黃色光和紅色光，這些光混合在一起發(fā)出接近自然光的白色光?！磳?shí)施例127>使用本發(fā)明的熒光體，制作圖2所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。首先，在與第一引線和第二引線連接的氧化鋁陶瓷基板的約中央部配置藍(lán)色發(fā)光二極管，該藍(lán)色發(fā)光二極管的下部電極與第一引線連接、其上部電極借助接合線與第二引線連接。此外，在氧化鋁陶瓷基板的發(fā)光元件側(cè)的面上配置了具有空穴的壁面部件，以將發(fā)光元件收納在上述空穴中的方式固定上述壁面部件。接著，以覆蓋上述藍(lán)色發(fā)光二極管的方式形成第一樹脂(封裝樹脂)，然后以覆蓋第一樹脂并且填埋上述空穴的方式形成不含熒光體的第二樹脂(另外的封裝樹脂)。此外，除了將第一引線、第二引線和壁面部件固定在氧化鋁陶瓷基板上進(jìn)行制造以外，其它制造步驟與實(shí)施例10基本相同。本實(shí)施例中，由白色的有機(jī)硅樹脂構(gòu)成壁面部件，第一樹脂和第二樹脂使用相同的環(huán)氧樹脂。作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、作為綠色熒光體的實(shí)施例44的熒光體、作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu熒光體。由此在將導(dǎo)電性端子接通電流時(shí)，發(fā)現(xiàn)發(fā)白色光?！磳?shí)施例128>制作圖3所示的、基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。首先，使用樹脂糊將在450nm具有發(fā)光峰的藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)接合在包含銀鍍敷后的銅制引線框的、由尼龍樹脂成型的基板和反射鏡形成的表面安裝用的LED封裝體用殼體的引線框上，此外，使用邊長350iim的正方形藍(lán)色發(fā)光二極管，總計(jì)安裝3個(gè)。接著，將上述藍(lán)色發(fā)光二極管的上部的2個(gè)電極分別借助2根接合線(金屬絲)進(jìn)行連接，一個(gè)接合線與引線框連接，另一個(gè)接合線與另外的引線框連接。接著，以覆蓋發(fā)光二極管元件并且填埋壁面部件的空穴的方式適量滴加含有熒光體的甲基硅樹脂，并使其固化，然后從一體化的部件修剪出發(fā)光裝置封裝體，根據(jù)色調(diào)、發(fā)光強(qiáng)度來挑選作為單個(gè)的發(fā)光裝置，制成基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體和賽隆熒光體。確定了發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1001m/W，發(fā)出色溫為5500K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為90左右。施加的電力為每個(gè)封裝體0.18W，電力密度是每個(gè)封裝體的平面面積密度為2X104W/m2?！磳?shí)施例129〉作為發(fā)光二極管元件使用紫外LED芯片，通過印刷布線在由陶瓷成型的基板上由Cu形成圖案，使用與陶瓷制的反射鏡接合的表面安裝用LED封裝體用的殼體，并改變熒光體，除此以外與實(shí)施例128同樣，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、賽隆熒光體、和CaAlSiN系的熒光體。確定了發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1201m/W，發(fā)出色溫5600K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為98左右。施加的電力為每個(gè)封裝體0.18W，電力密度是每個(gè)封裝體的平面面積密度為2X104W/m2?！磳?shí)施例130〉作為發(fā)光二極管元件使用在440nm具有發(fā)光峰的藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)，安裝1個(gè)邊長lmm的正方形大型芯片，除此以外與實(shí)施例128同樣，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、和賽隆熒光體。確定了發(fā)光裝置的發(fā)光效率為901m/W，發(fā)出色溫5000K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為87左右。施加的電力為每個(gè)封裝體1W，電力密度是每個(gè)封裝體的平面面積密度為lX103W/m2?！磳?shí)施例131〉作為發(fā)光二極管元件使用在470nm具有發(fā)光峰的藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)，并形成未分散熒光體的第二樹脂，除此以外與實(shí)施例128同樣，制作圖4所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。另外，使用不含熒光體的苯基硅樹脂作為第二樹脂。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、和賽隆熒光體。確定了發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1101m/W，發(fā)出色溫5200K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為93左右。施加的電力為每個(gè)封裝體0.18W，電力密度是每個(gè)封裝體的平面面積密度為2X104W/m2。〈實(shí)施例132〉不形成第一樹脂，而是利用濺射法在藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)的p側(cè)的透明電極上形成本發(fā)明的熒光體層10ym，并形成未分散熒光體的第二樹脂，除此以外，與實(shí)施例128同樣操作，制作圖5所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、和賽隆熒光體。確定了發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1401m/W，發(fā)出色溫為4500K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為85左右。施加的電力為每個(gè)封裝體0.18W，電力密度56是每個(gè)封裝體的平面面積密度為2X104W/m2?！磳?shí)施例133〉在已印刷布線的加入了玻璃的環(huán)氧基板上直接安裝藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)，將其用樹脂封裝，從而制作出被稱作"板上芯片(COB:ChipOnBoard)形式"的白色發(fā)光二極管(發(fā)光裝置)。將藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)安裝在鋁制的基板上，在其上疊放接合已印刷布線的加入了玻璃的環(huán)氧基板。在安裝了藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)的部分的基板上留有孔，使藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)露出表面。藍(lán)色發(fā)光二極管(藍(lán)色LED芯片)與布線之間用金屬制的絲連接。從其上方，適量滴加含有熒光體的甲基硅樹脂并使之固化。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、和賽隆熒光體。確定了發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1001m/W，發(fā)出色溫為5500K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為90左右?！磳?shí)施例134〉作為發(fā)光二極管元件使用在390nm具有發(fā)光峰的紫外發(fā)光二極管(紫外LED芯片)，在由陶瓷成型的基板上以印刷布線由Cu形成圖案，使用與陶瓷制的反射鏡接合的表面安裝用的LED封裝體用的殼體，并改變熒光體，除此以外，與實(shí)施例128同樣操作，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體僅使用實(shí)施例49的熒光體。發(fā)光裝置的發(fā)光輸出為18mW。使電流從100iiA變化到50mA，但幾乎沒有發(fā)現(xiàn)與電流量變化對(duì)應(yīng)的發(fā)光波長的變化?！磳?shí)施例135>作為發(fā)光二極管元件使用在390nm具有發(fā)光峰的紫外發(fā)光二極管(紫外LED芯片)，在由陶瓷成型的基板上以印刷布線由Cu形成圖案，使用與陶瓷制的反射鏡接合的表面安裝用的LED封裝體用的殼體，并改變熒光體，除此以外，與實(shí)施例128同樣操作，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體僅使用實(shí)施例57的熒光體。發(fā)光裝置的發(fā)光輸出為40mW。使電流從100iiA變化到50mA，但幾乎沒有發(fā)現(xiàn)與電流量變化對(duì)應(yīng)的發(fā)光波長的變化?！磳?shí)施例136〉作為發(fā)光二極管元件使用在390nm具有發(fā)光峰的紫外發(fā)光二極管(紫外LED芯片)，在由陶瓷成型的基板上以印刷布線由Cu形成圖案，使用與陶瓷制的反射鏡接合的表面安裝用的LED封裝體用的殼體，并改變熒光體，除此以外，與實(shí)施例128同樣操作，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體僅使用實(shí)施例1的熒光體。發(fā)光裝置的發(fā)光輸出為35mW。使電流從lOOiiA變化到50mA，但幾乎沒有發(fā)現(xiàn)與電流量變化對(duì)應(yīng)的發(fā)光波長的變化。〈實(shí)施例137〉除了改變熒光體以外，其它與實(shí)施例128同樣操作，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。57本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例1的熒光體、和賽隆熒光體、以及CaAlSiN熒光體。確定發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1201m/W，發(fā)出色溫為5300K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為96左右。施加的電力為每個(gè)封裝體0.18W，電力密度是每個(gè)封裝體的平面面積密度為2X104W/m2。〈實(shí)施例138>除了改變熒光體以外，其它與實(shí)施例128同樣操作，制作圖3所示的基板安裝用芯片型白色發(fā)光二極管燈(發(fā)光裝置)。本實(shí)施例中，作為熒光體使用實(shí)施例2968的所有熒光體的混合物、和CaAlSiN熒光體。確定發(fā)光裝置的發(fā)光效率為1001m/W，發(fā)出色溫5500K左右的白色。發(fā)光裝置的顯色性以Ra計(jì)為99左右。施加的電力為每個(gè)封裝體O.18W，電力密度是每個(gè)封裝體的平面面積密度為2X104W/m2。產(chǎn)業(yè)可利用性本發(fā)明的熒光體是具有比現(xiàn)有的賽隆、氧氮化物熒光體更高的發(fā)光強(qiáng)度，作為熒光體優(yōu)異，進(jìn)而在暴露在激發(fā)源下時(shí)，熒光體的亮度降低的情況少，適合在白色LED、無機(jī)EL、有機(jī)EL等中使用的氮化物熒光體。可以期待今后在各種照明裝置、顯示裝置等的發(fā)光裝置的材料設(shè)計(jì)中大大靈活利用，極大促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。58權(quán)利要求一種熒光體，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示組成的熒光材料，其特征在于，M(0)元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1種以上元素，M(1)元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1種以上的賦活劑，M(2)元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1種以上元素，M(3)元素是選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1種以上元素，O元素是氧，N元素是氮，并且M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、O、N的原子比被調(diào)整成滿足下面的所有條件x、y、z滿足33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，a、b滿足3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，當(dāng)設(shè)定me＝a+b時(shí)，m、n滿足0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v滿足v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)，其中，v(0)是M(0)離子的價(jià)數(shù)，v(1)是M(1)離子的價(jià)數(shù)。2.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，x=42，y=10，z=46。3.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，M(O)是選自Ca、Sr、Ba中的1種以上元素。4.如權(quán)利要求l所述的熒光體，其特征在于，M(l)是Eu。5.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，M(2)是Si，M(3)是A1。6.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，n《me。7.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述熒光材料的含量是80體積％以上，余量是選自P_賽隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N203、Sr2Al2Si1QN1404、SrSi加—n)Al(18+n)0nN(32—n)(n1)、SrSi6N8中的一種以上。8.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，是平均粒徑為0.150ym的粉末。9.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，平均縱橫比是20以下。10.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，含有5300ppm的氟。11.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，含有103000卯m的硼。12.如權(quán)利要求l所述的熒光體，其特征在于，在至少一部分表面上形成了透明膜，當(dāng)將所述透明膜的折射率記作n時(shí)，所述透明膜的厚度是(10180)/nk(單位納米)。13.如權(quán)利要求12所述的熒光體，其特征在于，所述透明膜的折射率nk是1.22.5。14.如權(quán)利要求12所述的熒光體，其特征在于，所述透明膜的折射率nk是1.52.0。15.—種熒光體的制造方法，其特征在于，具有下述工序?qū)υ线M(jìn)行混煉來制作原料混合物的混煉工序；對(duì)所述原料混合物進(jìn)行燒成的燒成工序；以及，對(duì)所述燒成后的原料混合物進(jìn)行熱處理的熱處理工序。16.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，在所述熱處理工序之前，具有對(duì)所述燒成后的原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎分級(jí)的工序；在所述熱處理工序中，具有對(duì)該粉碎分級(jí)后的原料混合物的塊體進(jìn)行熱處理，再對(duì)該熱處理物的塊體進(jìn)行粉碎分級(jí)的工序。17.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，至少以選自含有M的化合物MSi2、MSiN2、M2Si5N8、M3A12N4、MSi6N8中的一種以上原料作為起始原料，其中，M是選自M(0)、M(l)元素組中的、價(jià)數(shù)為II價(jià)的元素中的一種以上。18.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，至少含有LiSi2N3作為起始原料。19.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，預(yù)先合成含有具有目標(biāo)組成的熒光材料的熒光體粉末，將其作為種子添加到所述原料混合物中。20.如權(quán)利要求16所述的熒光體的制造方法，其特征在于，使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎裝置，對(duì)燒成后的所述原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎，直至平均粒徑為50ym以下。21.如權(quán)利要求16所述的熒光體的制造方法，其特征在于，使用含有由氧化鋁燒結(jié)體、氧化鋯燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體或a-賽隆燒結(jié)體制造的粉碎介質(zhì)或內(nèi)襯材料的粉碎裝置，對(duì)燒成后的所述原料混合物的塊體進(jìn)行粉碎，直至平均粒徑為20ym以下。22.如權(quán)利要求16所述的熒光體的制造方法，其特征在于，對(duì)燒成后的所述原料混合物的塊體的粉碎物進(jìn)行水簸分級(jí)。23.如權(quán)利要求16所述的熒光體的制造方法，其特征在于，對(duì)燒成后的所述熱處理物的塊體的粉碎物進(jìn)行水簸分級(jí)。24.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，還具有通過對(duì)所述原料混合物進(jìn)行噴霧干燥來調(diào)整所述原料粉末的凝聚體的粒徑的造粒工序。25.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述混煉工序是使用濕式磨機(jī)將所述原料粉末和溶劑一起混煉的工序。26.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在0.1100MPa的壓力的氮?dú)夥諊小?500220(TC的溫度范圍下進(jìn)行燒成的工序。27.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在碳或含碳化合物的共存下進(jìn)行燒成的工序。28.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是收納在燒成用容器中進(jìn)行燒成的工序。29.如權(quán)利要求28所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在保持體積密度為40%以下的填充率的狀態(tài)下進(jìn)行燒成的工序。30.如權(quán)利要求28所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成工序是在保持所述原料混合物的表觀體積占所述燒成用容器的20體積％以上的填充率的狀態(tài)下進(jìn)行燒成的工序。31.如權(quán)利要求28所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述燒成用容器的材質(zhì)是氧化鋁、氧化鈣、氧化鎂、石墨或氮化硼中的任一種。32.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述熱處理工序是在選自氮?dú)?、氨氣和氫氣中?種或2種以上的氣氛中、在6002200°C的溫度下進(jìn)行熱處理的工序。33.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，具有下述透明膜形成工序使熒光體的粉末懸浮在有機(jī)溶劑中，向其中滴加有機(jī)金屬配合物或金屬醇鹽，從而在所述熒光體的至少一部分表面上形成透明膜。34.如權(quán)利要求15所述的熒光體的制造方法，其特征在于，具有下述透明膜形成工序使熒光體的粉末懸浮在水中，一邊保持固定的pH值，一邊向其中滴加金屬鹽水溶液，從而在所述熒光體的至少一部分表面上形成透明膜。35.—種發(fā)光裝置，是由發(fā)光光源和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述熒光體使用了權(quán)利要求1所述的熒光體。36.如權(quán)利要求35所述的發(fā)光裝置，是由發(fā)光光源和熒光體構(gòu)成的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述熒光體還使用了CaAlSiN3:Eu。37.如權(quán)利要求35所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光光源是發(fā)出330500nm的波長的光的LED芯片、無機(jī)EL芯片或有機(jī)EL芯片中的任一種。38.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度最大的發(fā)光波長是330500nm。39.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片發(fā)出的光是紫外光。40.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度最大的發(fā)光波長是380410nm。41.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片發(fā)出的光是藍(lán)色光。42.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助所述LED芯片來激發(fā)熒光體，由此制成白色的LED器件。43.如權(quán)利要求42所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED器件的白色的發(fā)光色的顯色性被設(shè)定成70以上。44.如權(quán)利要求42所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED器件的發(fā)射光譜的半峰寬被設(shè)定成lOOnm以上。45.如權(quán)利要求38所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成有色的LED器件。46.如權(quán)利要求45所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成綠色的LED器件。47.如權(quán)利要求45所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成藍(lán)綠色的LED器件。48.如權(quán)利要求45所述的發(fā)光裝置，其特征在于，借助產(chǎn)生紫外線的所述LED芯片來激發(fā)熒光體，從而制成藍(lán)色的LED器件。49.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置是炮彈型LED器件或表面安裝型LED器件中的任一種。50.如權(quán)利要求49所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置是在已布線的基板直接安裝所述LED芯片而成的板上芯片。51.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置的基板和/或反射鏡部分含有樹脂。52.如權(quán)利要求51所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述樹脂是熱固化性樹脂。53.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述發(fā)光裝置的基板和/或反射鏡部分包含陶瓷制部件。54.如權(quán)利要求35所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體分散在以包圍所述LED芯片的方式形成的封裝樹脂中。55.如權(quán)利要求54所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有有機(jī)硅樹脂。56.如權(quán)利要求54所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有甲基硅樹脂。57.如權(quán)利要求54所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述封裝樹脂的至少部分區(qū)域中含有苯基硅樹脂。58.如權(quán)利要求54所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體以在所述LED芯片附近密度較高的方式分散在所述封裝樹脂中。59.如權(quán)利要求54所述的發(fā)光裝置，其特征在于，以覆蓋所述封裝樹脂的方式形成有另外的封裝樹脂。60.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體直接附著在所述LED芯片上。61.如權(quán)利要求60所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體以覆蓋所述LED芯片的至少一面的方式直接附著在所述LED芯片上。62.如權(quán)利要求61所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體形成層狀。63.如權(quán)利要求62所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體的厚度是1100ym。64.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片的面積比邊長為350iim的正方形面積大。65.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置含有多個(gè)LED芯片。66.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置是以對(duì)每個(gè)封裝體賦予0.2W以上的電力的方式使用的。67.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，以使每個(gè)封裝體的平面面積密度為1.5X104W/m2以上的方式、對(duì)所述LED芯片賦予電力進(jìn)行使用。68.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光裝置，其特征在于，以使每個(gè)封裝體的平面面積密度為5X104W/m2以上的方式、對(duì)所述LED芯片賦予電力進(jìn)行使用。全文摘要本發(fā)明涉及一種熒光體，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示組成的熒光材料，其特征在于，M(0)元素選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu，M(1)元素選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb，M(2)元素選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr，M(3)元素選自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn，O元素是氧，N元素是氮，并且滿足下面所有條件33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，當(dāng)設(shè)定me＝a+b時(shí)，0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。進(jìn)而本發(fā)明還涉及該熒光體的制造方法和使用該熒光體而成的發(fā)光裝置。文檔編號(hào)H01L33/50GK101796157SQ200880105260公開日2010年8月4日申請(qǐng)日期2008年9月1日優(yōu)先權(quán)日2007年9月3日發(fā)明者三木久幸,廣崎尚登,鹽井恒介申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社;獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)