專利名稱：具有高反射歐姆電極的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的設(shè)計。更具體而言，本發(fā)明涉及具有高反射歐 姆電極的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
期望固態(tài)照明引領(lǐng)下一代照明技術(shù)。高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)從用于顯示器 件的光源到替代燈泡用于常規(guī)照明，其應(yīng)用的范圍逐漸擴大。通常情況下，成本，能效及亮 度是決定LED的商業(yè)可行性的三個最主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。LED產(chǎn)生的光線來源于“夾于”受主摻雜層(ρ-型摻雜層)和施主摻雜層(η-型摻 雜層)間的有源區(qū)域。當(dāng)LED被施以正向電壓時，載流子，包括來自ρ-型摻雜層的空穴和 來自η-型摻雜層的電子，在有源區(qū)域內(nèi)復(fù)合。在直接禁帶材料中，這種在有源區(qū)域內(nèi)的復(fù) 合過程會釋放出光子形式的能量或者是對應(yīng)材料的禁帶能量的光線。依據(jù)襯底的選擇和半導(dǎo)體層堆疊的設(shè)計，LED可形成兩種結(jié)構(gòu)，即橫向電極(電極 位于襯底的同側(cè))結(jié)構(gòu)和垂直電極結(jié)構(gòu)(電極位于襯底的背面)。圖IA和圖IB圖分別圖 示了這兩種結(jié)構(gòu)，其中圖IA圖示了典型的橫向電極LED的橫截面視圖，圖IB圖示了典型的 垂直電極LED的橫截面視圖。圖IA和圖IB中所示的兩種LED包括襯底層102，η-型摻雜 層104，可選的多量子阱(MQW)有源層106，ρ-型摻雜層108，與ρ-型摻雜層連接的ρ-側(cè)電 極110，以及與η-型摻雜層連接的η-側(cè)電極112。垂直電極結(jié)構(gòu)使器件的封裝變得更容易。另外，由于電極位于器件的兩側(cè)，所以器 件的抗靜電釋放的能力更強。因此，與橫向電極LED相比，垂直電極LED具有更高的穩(wěn)定性。 對大功率、短波長LED來說這一點尤其重要。為了從大功率、高亮度LED中有效地提取光線，人們通常采用倒裝芯片封裝技術(shù) 來提高光提取效率。這種倒裝芯片封裝技術(shù)采用P-側(cè)電極作為高反射面將光線反射至器 件的另一面。因此光反射體的存在提高了 LED的光提取效率。圖2圖示了 P-側(cè)電極作為 反射體的倒裝芯片封裝垂直LED的示范性結(jié)構(gòu)。在圖2中，從上至下依次圖示了 η-側(cè)電極 202，η型摻雜層204，有源層206，ρ型摻雜層208以及同樣作為反射體的ρ-側(cè)電極210。虛 線箭頭表示電流方向，向上的短箭頭表示光傳播方向。應(yīng)注意的是，與激光器件內(nèi)的光被導(dǎo) 向傳播不同，在LED內(nèi)發(fā)出的光會全方位傳播。因此，在器件底部的反射體對提高光提取效 率顯得尤為必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施例提供一種在導(dǎo)電襯底上含有多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。 多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括位于導(dǎo)電襯底上的第一摻雜半導(dǎo)體層、位于第一摻雜半導(dǎo)體層上的第 二摻雜半導(dǎo)體層、和/或位于第一和第二摻雜半導(dǎo)體層之間的多量子阱(MQW)有源層。該 器件還包括位于第一摻雜半導(dǎo)體層和導(dǎo)電襯底之間的反射歐姆接觸金屬層。反射歐姆接觸 金屬層包括Ag和下列材料中的至少一種Ni、Ru、Rh, Pd、Au、Os和Pt ；加上下列材料中的至少一種Zn、Mg、Cd和Be ；下列材料中的若干種W、Cu、Fe、Ti、Ta和Cr。進一步地，該器 件包括位于反射歐姆接觸金屬層和導(dǎo)電襯底之間的邦定層，與導(dǎo)電襯底連接的第一電極， 以及在第二摻雜半導(dǎo)體層上的第二電極。在該實施例中的一個變型中，第一摻雜半導(dǎo)體層是ρ-型摻雜半導(dǎo)體層。在該實施例中的另一個變型中，ρ型摻雜半導(dǎo)體層包括雜Mg的GaN。在該實施例的一個變型中，反射歐姆金屬層包括下列金屬組成中的一種Ag/Pt/ Mg合金和Ag/Pt/ai合金。在該實施例的一個變型中，反射歐姆接觸層按重量比含有1-10%的Pt、Ni、Ru、 Rh、Pd、Au、0s和Ir中的一種或多種；0. 001-5%的Zn、Mg、Be和Cd中的一種或多種；0-5% 的W、Cu、Ti、Ta和Cr中的一種或多種。在該實施例的一個變型中，反射歐姆接觸層按重量比含有97%的Ag，1. 5%的Pt， 以及1. 5%的Zn。在該實施例的一個變型中，有源層包括下列材料中的至少一種InGaAlN，InGaAlP 禾口 InGaAlAs0在該實施例的一個變型中，導(dǎo)電襯底包括下列材料中的至少一種Si、GaAs, GaP, Cu 禾口 Cr。


圖IA圖示了典型橫向電極LED的橫截面視圖。圖IB圖示了典型垂直電極LED的橫截面視圖。圖2圖示了利用P-側(cè)電極作為反射體的典型垂直電極LED的橫截面視圖。圖3A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例具有由溝槽和臺面組成的預(yù)制圖形的部分襯底。圖;3B圖示了根據(jù)一個實施例的預(yù)圖案化襯底的橫截面。圖4列出多個圖形說明根據(jù)一個實施例的具有高反射歐姆電極的發(fā)光器件的制 備步驟。
具體實施例方式給出以下的描述，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明，且這些描述是 在具體應(yīng)用及其需求的背景下提供的。公開實施例的各種修改對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯 而易見的，且在不離開本發(fā)明的精神實質(zhì)和范圍的情況下，這里限定的一般原理可以應(yīng)用 到其它實施例和應(yīng)用。因而，本發(fā)明不限于所示出的實施例，而是與權(quán)利要求的最寬范圍一致。LED制造技術(shù)的近期發(fā)展使得應(yīng)用包括AlGaN，InGaN, InGaAlN和GaN的GaN基 III-V化合物半導(dǎo)體作為短波長LED的材料成為可能。這些GaN基LED不僅將LED的發(fā)射 光譜拓寬至綠，藍(lán)及紫外區(qū)域，而且這些LED可以獲得高的發(fā)光效率。為了避免電流擁擠問 題和提高光提取效率，必需選擇一種高反射材料作為P-側(cè)歐姆電極的接觸層。一方面，目前只有幾種金屬材料，如銀(Ag)和鋁(Al)，可以對光譜范圍在綠光和 紫外范圍內(nèi)光線提供高的反射。然而，對于Ag或Al來說，難以與ρ-型摻雜GaN基化合物半導(dǎo)體如p-GaN，p-AlGaN，p-InGaN，及p-hGaAIN形成良好的歐姆接觸。另一方面，可形成具 有上述P-摻雜GaN半導(dǎo)體的低阻抗歐姆接觸的金屬材料如鉬(Pt)，鈀(Pd)及鎳/金(Ni/ Au)合金，會大大地吸收期望光譜范圍內(nèi)的光線。應(yīng)注意的是，金屬接觸越厚，光吸收越強。 因此，期望通過降低歐姆電極的厚度來減少光吸收。盡管如此，金屬薄層導(dǎo)致的光吸收會明 顯降低光提取效率。此外，吸收的光能常常轉(zhuǎn)化為致使LED溫度升高的熱能。反過來，溫度 的升高可引起光吸收變強和漏電流增加，進而縮短LED的使用壽命，甚至是燒壞LED。研究 已經(jīng)表明，當(dāng)LED在大的偏置電壓下工作時，電極產(chǎn)生的熱能是縮短LED壽命的主要原因之一。最近，研究者們采用了一種利用透明導(dǎo)電氧化物(TCO)材料形成P-側(cè)歐姆電極的 方法。然而，TCO材料不太適合大功率LED，原因是TCO材料相對高的接觸阻抗和低的熱導(dǎo) 率會導(dǎo)致LED內(nèi)部的熱積聚，而且還會增大LED的漏電流。目前，高反射ρ-電極往往基于Ni/Au/Ag合金，鍍Ag TCO及鎳/銀/釕(Ni/Ag/ Ru)合金。所有這些材料都具有相關(guān)的特定缺點。雖然Ni/Au/Ag電極的阻抗相對較低，但是 Au層會強烈地吸收發(fā)射出的光。例如，Ni/Au/Ag電極可吸收大約20-30%的波長在460nm 區(qū)域的光。如此高的光吸收率大大地降低了 LED的光提取效率。若是期望通過減少Ni/Au 層的厚度來減少光吸收的話，那么就將面臨隨之而來的由于粘接強度弱引起的不理想的歐 姆接觸問題。另一方面，雖然鍍Ag TCO電極顯示出更高的光提取效率，但是它的熱導(dǎo)率低， 容易導(dǎo)致熱積聚，因此使LED在被施以高偏置電流時工作更不穩(wěn)定。此外，雖然半導(dǎo)體和 Ag反射體之間僅有Ni薄層可使Ni/Ag/Ru電極的光吸收更低，但是Ni不適合用于形成具 有P-摻雜GaN材料的良好的歐姆接觸。另外，退火過程往往會降低Ag層的反射率。研究 已經(jīng)表明，僅用Ag作為電極對藍(lán)光具有高的反射率，但是Ag難以與具有ρ-摻雜GaN材料 形成良好的歐姆接觸。除此之外，Ag-歐姆接觸的接觸特性，穩(wěn)定性，以及粘接性都低于用 Pt，Pd，或Ni/Au形成的歐姆接觸。如上所述，若要同時滿足所有必要的條件，包括低光吸收，低接觸阻抗，高穩(wěn)定性 及強粘接，來形成作為高亮度大功率LED的可靠、高反射率、低阻抗歐姆電極是非常困難 的。本發(fā)明的實施例提供一種具有高反射歐姆電極的LED器件。該器件包括導(dǎo)電襯 底，多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，反射歐姆電極金屬層，應(yīng)用于多層結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電襯底邦定的邦定層，第 一電極，以及第二電極。反射歐姆接觸金屬層包括^Vg和一種或二種其他包括Mg和Si的金 屬材料。襯底準(zhǔn)備為了在大面積生長襯底(如硅晶片)上生長無裂紋GaN基III-V化合物多層結(jié)構(gòu)， 本發(fā)明介紹這種具有由溝槽和臺面組成的預(yù)制圖形的襯底的生長方法。具有由溝槽和臺面 組成的預(yù)制圖形的襯底能有效釋放襯底表面和多層結(jié)構(gòu)之間由于晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù) 失配引起的多層結(jié)構(gòu)內(nèi)的應(yīng)力。圖3A圖示了根據(jù)一個實施例應(yīng)用光刻和等離子刻蝕技術(shù)得到的具有預(yù)刻蝕圖形 的襯底的部分頂視圖。刻蝕的結(jié)果是形成了方形臺面300和溝槽302。圖:3B通過沿著根據(jù) 一個實施例的圖3A的水平線A-A’的預(yù)制圖形化襯底的橫截面，更加清楚地顯示了臺面和 溝槽的結(jié)構(gòu)。如圖3B所示，溝槽304相交的邊界有效地形成了獨立臺面的邊界結(jié)構(gòu)，如臺面306和部分臺面308和310。每個臺面限定一個獨立表面區(qū)域用于生長各自的半導(dǎo)體器 件。應(yīng)注意的是，可應(yīng)用不同的光刻和刻蝕技術(shù)在半導(dǎo)體襯底上形成溝槽和臺面。同 樣應(yīng)注意的是，除了形成圖3A所示的方形臺面300外，可以通過改變溝槽302的圖案可形 成其他可選的臺面形狀。這些可選的幾何圖案可包括但不限于三角形，矩形，平行四邊形， 六邊形，圓形或其他不規(guī)則圖形。制備具有高反射歐姆電極的發(fā)光器件圖4列出多個圖形用于說明根據(jù)一個實施例的具有高反射歐姆電極的發(fā)光器件 的制備步驟。在步驟A中，準(zhǔn)備好具有由溝槽和臺面組成的預(yù)制圖形化化生長襯底后，利 用多種生長技術(shù)形成InGaAlN多層結(jié)構(gòu)，這些技術(shù)包括但不限于金屬有機化學(xué)汽相沉積 (MOCVD)。LED結(jié)構(gòu)可包括襯底層402，可是硅晶片；η-型摻雜半導(dǎo)體層404，可是Si摻雜 GaN層；有源層406，可是五個周期的GaN/InGaAIN MQff ；以及ρ-型摻雜半導(dǎo)體層408，可是 Mg摻雜GaN。應(yīng)注意的是，ρ-型層和η-型層的生長順序可顛倒。在步驟B中，在ρ-摻雜半導(dǎo)體層的上部形成接觸輔助金屬層410?？捎糜谛纬山?觸幫助金屬層410的金屬材料包括Pt和/或Ni。接觸輔助金屬層410還可包括下列材料 中的至少一種Ru、Rh, Pd、Os、Ir、Zn和Mg。接觸輔助金屬層410可利用例如蒸發(fā)沉積，如 電子束(e-束)或是其他沉積技術(shù)來沉積。接觸輔助金屬層410的厚度在100 800埃之 間。在一個實施例中，接觸輔助金屬層410的厚度大約為500埃。在步驟C中，先對接觸輔助金屬層410進行熱退火處理，之后利用如機械打磨技術(shù) 或化學(xué)刻蝕技術(shù)去除該層。熱退火處理激活了在P-型層內(nèi)的P-型離子。用于熱退火處理 的氣氛可以是N2,02，大氣，以及真空中的一種。熱退火的溫度可在300°C 600°C之間。在 一個實施例中，熱退火的溫度大約為550°C。熱退火的總時間可在30s 24h之間。在一個 實施例中，熱退火大約進行5min。接觸輔助金屬層410的沉積，退火和去除步驟提高了歐姆 接觸的特性和粘接性，同時也提高了在選擇的金屬和P-型層408之間形成的歐姆接觸的穩(wěn) 定性。在步驟D中，在ρ-型摻雜層408上形成反射歐姆接觸金屬層412。用于形成反射 歐姆接觸金屬層412的金屬材料包括Ag和下列材料中的至少一種Ni、Ru、Rh, Pd、Au、Os 和Pt ；加上下列材料中的至少一種Zn、Mg、Cd和Be ；下列材料中的若干種W、Cu、Fe、Ti、 Ta和Cr。為了具有更佳的性能，反射歐姆接觸層可以是Ag合金，按重量比含有1-10%的 Pt、Ni、Ru、Rh、Pd、Au、Os 禾口 Ir 中的一種或多種；0. 001-5% 的 Zn、Mg、Be 和 Cd 中的一種或 多種；0-5%的W、Cu、Ti、Ta和Cr中的一種或多種。和接觸輔助金屬層410類似，反射接觸 歐姆金屬層412可利用蒸發(fā)技術(shù)，如電子束(e_束)蒸發(fā)和濺射技術(shù)，或者是其他沉積技術(shù) 來沉積。在所有用于反射歐姆接觸金屬層412的金屬材料/金屬組成物的選擇中，其中一 個實施例選擇了 Ag/Pt/Mg金屬組成物，其他實施例選擇Ag/Pt/Si金屬組成物。如前所述， Ag對于綠光和藍(lán)光來說是良好的反射體。此外，Pt具有相對高的功函。對于ρ-型摻雜半 導(dǎo)體材料來說，為了形成高導(dǎo)電區(qū)域，電極的功函等于或大于半導(dǎo)體材料的功函是比較理 想的。因此，Pt是形成具有ρ-摻雜半導(dǎo)體層的低阻抗歐姆接觸的理想材料。此外，在銀合 金中存在的Pt能有效地減少Ag離子擴散至ρ-型層408。另外，因為Mg和Si對于III-V半導(dǎo)體化合物如GaN來說都是ρ-型摻雜劑，當(dāng)形成歐姆接觸時，這兩種金屬可充當(dāng)受體源， 以增大在半導(dǎo)體表面上或半導(dǎo)體表面附近內(nèi)的P-型摻雜濃度。因此，選擇這兩種金屬組成 物(Ag/Pt/Mg和Ag/Pt/Zn)可使低阻抗歐姆接觸具有好的熱穩(wěn)定性和強的粘接性。此外， 這種歐姆接觸對于藍(lán)光來說同樣具有短波長LED所需的高反射性。在一個實施例中，反射 歐姆接觸層412按重量比含有97%的Ag，1. 5%的Pt和1. 5%的Si?？蛇x的是在形成反射歐姆接觸金屬層412后進行熱退火處理。若進行熱退火，退 火溫度可在100 500°C之間。在一個實施例中，退火溫度大約為550°C。退火期間的總時 間可在1 5min之間。在一個實施例中，熱退火大約進行anin。退火氣氛可是N2, O2，大 氣，和真空中的一種。在步驟E中，在反射歐姆接觸金屬層412上形成邦定層414。用于形成邦定層414 的材料可包括金。在步驟F中，翻轉(zhuǎn)多層結(jié)構(gòu)，使其與支撐結(jié)構(gòu)418邦定。在一實施例中，支撐結(jié)構(gòu) 418包括導(dǎo)電襯底層420和邦定層422。邦定層422可包括Au。導(dǎo)電襯底層420包括下列 材料中的至少一種Si、GaAs、GaP、Cu、和Cr。在步驟G中，通過例如機械研磨技術(shù)或化學(xué)刻蝕技術(shù)來去除生長襯底402。生長襯 底402的去除使η-型層404暴露。在步驟H中，在η-型層404上形成電極424 (η-側(cè)電極)。在一實施例中，η_側(cè)電 極4Μ包括Ni，Au，和/或Pt?？衫美缯舭l(fā)技術(shù)，如e_束蒸發(fā)或濺射技術(shù)來形成η-側(cè) 電極424。同樣也可以利用其他的沉積技術(shù)來形成。在步驟I中，在導(dǎo)電襯底420的背面形成另一歐姆接觸426。歐姆接觸4 的材料 組成和形成步驟與η-側(cè)電極424的類似。應(yīng)注意的是，歐姆接觸426，導(dǎo)電襯底420，邦定 層414和反射歐姆接觸金屬層412 —起構(gòu)成了高反射P-側(cè)電極。本發(fā)明實施例的前述描述僅為說明和描述的目的而給出。它們并非窮盡性的，或 并不旨在將本發(fā)明限制成這里所公開的形式。因而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，許多修改和變 化是顯而易見的。另外，上述公開內(nèi)容并非旨在限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要 求來限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該器件包括在導(dǎo)電襯底上的多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述多層半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)包括位于所述導(dǎo)電襯底上的第一摻雜半導(dǎo)體層，位于所述第一摻雜半導(dǎo)體層上的第 二摻雜半導(dǎo)體層，和/或位于所述第一和第二摻雜半導(dǎo)體層的多量子阱(MQW)有源層，位于 所述第一摻雜半導(dǎo)體層和導(dǎo)電襯底之間的反射歐姆接觸金屬層，其中所述反射接觸金屬層 包括:Ag和下列料材中的至少一種Pt、Ni、Ru、Rh、Pd、Au、Os和Ir ；Zn、Mg、Cd、和Be中的 至少一種；下列材料中的若干種W、Cu、Fe、Ti、Ta、和Cr ；在所述反射歐姆接觸金屬層和所 述導(dǎo)電襯底之間的邦定層；與所述導(dǎo)電襯底連接的第一電極；以及在所述第二摻雜半導(dǎo)體 層上的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一摻雜半導(dǎo)體層是P-型摻雜 半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述ρ-型摻雜半導(dǎo)體層包括摻雜 Mg 的 GaN0
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述反射歐姆接觸金屬層包括下列 金屬組成的一種Ag/Pt/Mg和Ag/Pt/Si。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述反射歐姆接觸層按重量比包 括:1-10%的 Pt、Ni、Ru、Rh、Pd、Au、Os 和 Ir 中的一種或多禾中；0. 001-5%的 Zn、Mg、Be 和 Cd中的一種或多種；0-5%的W、Cu、Ti、Ta和Cr中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于反射歐姆接觸層按重量比包括 97%的 Ag，1.5%的 Pt，和 1.5%的 Zn。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述MQW有源層包括下列材料中的 至少一種InGaAlN，hGaAlP，和 IaGaAlAs。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述導(dǎo)電襯底包括下列材料中的至 少一種Si5、GaAs、GaP、Cu、和 Cr。
9.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，該方法包括在生長襯底上生長多層半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)，其中所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一摻雜半導(dǎo)體層，第二摻雜半導(dǎo)體層，和/或多量子阱 (MQff)有源層；在所述第一摻雜半導(dǎo)體層上形成反射歐姆接觸金屬層，其中所述反射歐姆 接觸金屬層包括Ag和下列材料中的至少一種Pt、Ni、Ru、Rh, Pd、Au、Os和Ir ；下列材料 中的至少一種Zn、Mg、Cd和Be ；下列材料中的若干種W、Cu、Fe、Ti、Ta、和Cr ；形成與所 述反射歐姆接觸金屬層粘接的邦定層；將所述多層結(jié)構(gòu)邦定至導(dǎo)電襯底；去除所述生長襯 底；形成與所述導(dǎo)電襯底連接的第一電極；在所述第二摻雜半導(dǎo)體層上形成第二電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述生長襯底包括由溝槽和臺面組成的預(yù)制 圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，該方法進一步包括在所述第一摻雜半導(dǎo)體層上形成接觸 輔助金屬層，其中接觸輔助金屬層包括Pt或Pt合金，所述Pt合金含有下列材料中的一種 Ru、Rh, Pd、Os、Ir、Ni、Zn、和Mg ；對所述多層結(jié)構(gòu)進行熱退火，以激活所述第一摻雜半導(dǎo)體 層；去除所述接觸輔助金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述第一摻雜半導(dǎo)體層是ρ-型摻雜半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于所述ρ-型摻雜半導(dǎo)體層包括摻雜Mg的GaN。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述接觸輔助金屬層的厚度至少為10埃。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述退火工序的溫度在200 1000°C之間， 退火工序大約進行5min，退火氣氛包括下列氣氛中的一種隊、O2、大氣、真空和惰性氣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于去除所述接觸輔助金屬層包括應(yīng)用化學(xué)刻蝕 和/或機械研磨。
17.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述反射歐姆接觸層包括下列金屬組成的一 種Ag/Pt/Mg和 Ag/Pt/Zn。
18.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述反射歐姆接觸層按重量比包括1-10%的 Pt、Ni、Ru、Rh、Pd、Au、Os、和 Ir 中的一種或多禾中；0. 001-5% 的 Zn、Mg、Be、和 Cd 中的一禾中 或多種；0-5%的W、Cu、Ti、Ta、和Cr中的一種或多種。
19.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述反射歐姆接觸層按重量比含有97%的Ag， 1.5% 的 Pt，和 1.5% 的 Zn。
20.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述導(dǎo)電襯底包括下列材料中的至少一種 Si、GaAsλ GaPλ Cu、禾口 Cr。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該器件包括在導(dǎo)電襯底上的多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括位于所述導(dǎo)電襯底上的第一摻雜半導(dǎo)體層，位于所述第一摻雜半導(dǎo)體層上的第二摻雜半導(dǎo)體層，和/或位于所述第一和第二摻雜半導(dǎo)體層之間的MQW有源層。該器件還包括在所述第一摻雜半導(dǎo)體層和所述導(dǎo)電襯底之間的反射歐姆接觸層，所述反射歐姆接觸層包括Ag和下列材料中的一種Ru、Rh、Pd、Au、Os、Ir、和Pt；加上Zn、Mg、Be、和Cd中的至少一種；以及下列材料中的若干種W、Cu、Fe、Ti、Ta、和Cr。該器件進一步包括在所述反射歐姆接觸金屬層和所述導(dǎo)電襯底之間的邦定層，與所述導(dǎo)電襯底連接的第一電極，以及與所述第二摻雜半導(dǎo)體層連接的第二電極。
文檔編號H01L33/40GK102119449SQ200880128212
公開日2011年7月6日 申請日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者江風(fēng)益, 湯英文, 王立 申請人:晶能光電(江西)有限公司