專利名稱：顯示器件以及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件及其制造方法，更特別地，涉及其中隔墻層 (partition wall layer)包括在^象素電極之間的顯示器件。
背景技術(shù)：
近來，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件由于其功率需求低、重量輕、薄 外形、寬視角、高速響應(yīng)等已在平板顯示器行業(yè)引起了關(guān)注和興趣。OLED 分為無源或有源矩陣型。無源矩陣型可以通過簡(jiǎn)化的制造工藝制造，但功耗 隨顯示面積和分辨率的增大而迅速增大。因此，無源矩陣型主要應(yīng)用于小尺 寸顯示器。相反，雖然涉及復(fù)雜的制造工藝，但有源矩陣型可以應(yīng)用于大面 積屏幕且高分辨率的器件。
在有源矩陣OLED中，薄膜晶體管連接到每個(gè)像素區(qū)，且針對(duì)每個(gè)單獨(dú) 的像素區(qū)控制發(fā)光層的光發(fā)射。在每個(gè)像素區(qū)中設(shè)置像素電極。每個(gè)像素電 極與其相鄰的像素電極電隔離從而被單獨(dú)驅(qū)動(dòng)。另外，隔墻形成在相鄰像素 區(qū)之間，具有比像素區(qū)的高度大的高度。隔墻用于防止像素電極之間的短路 并將每個(gè)像素區(qū)隔離。通常，該隔墻沿像素電極的外圍以矩形形成。
墨(ink)通過噴墨(inkjet)噴射在具有隔墻位于其間的像素電極上。 由于流體的表面張力，墨趨于保持球形。由于該現(xiàn)象，墨不能準(zhǔn)確地滴入矩 形隔墻的角部區(qū)域中。墨的不均勻涂覆導(dǎo)致有缺陷的像素和像素電極與公共 電極之間的短路，從而導(dǎo)致圖像信號(hào)不能正確傳輸?shù)膯栴}。另外，如果在隔 墻上滴不同顏色的墨并混合，顏色混合(color-mixing)會(huì)發(fā)生在像素之間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種顯示器件及其制造方法，其中以均勻方式形成發(fā)光層，其防止像素之間的顏色混合并克服了像素電極角部中墨
不均勻涂覆的問題。該顯示器件包括多個(gè)薄膜晶體管；形成在該薄膜晶體 管上的保護(hù)膜；多個(gè)像素電極，形成在該保護(hù)膜上并與該薄膜晶體管電連接； 隔墻層，將彼此相鄰的該像素電極隔離，包括暴露像素電極的主暴露部分和 從該主暴露部分伸出并延伸的子暴露部分，該子暴露部分具有形成在其至少 部分邊緣區(qū)域中的臺(tái)階部分；以及形成在其間設(shè)置有臺(tái)階部分的像素電極上 從而發(fā)射相同顏色的發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，隔墻層具有凹陷部分， 形成在與凹陷部分相鄰的像素電極上的發(fā)光層發(fā)射彼此不同的顏色。
本發(fā)明的前述和其他方面可以通過提供一種制造顯示器的方法來實(shí)現(xiàn)， 該方法包括在襯底上形成多個(gè)薄膜晶體管和保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成多個(gè) 像素電極以與薄膜晶體管電連接；形成將彼此相鄰的像素電極隔開的隔墻 層，該隔墻層具有暴露像素電極的主暴露部分和從主暴露部分伸出并延伸的 子暴露部分；以及在像素電極上形成發(fā)光層。形成子暴露部分使得其面積約 為主暴露部分的面積的5~ 15%且設(shè)置有形成在至少隔墻層的部分邊緣中的 臺(tái)階部分。發(fā)光層朝向臺(tái)階部分印刷且利用噴墨形成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方 面，該方法還包括在發(fā)光層上形成公共電極；具有其至少一個(gè)角伸出并延伸 的暴露區(qū)域的隔墻層具有平面外形且被彎曲。


結(jié)合附圖，通過示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的上述和/或其他方面 和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯且更容易理解，附圖中
圖1示意性示出才艮據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示器件；
圖2是沿圖1中的線II-II截取的剖視圖3是沿圖1中的線ni-m截取的剖視圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示器件中的像素區(qū)；
圖5示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示器件中的像素區(qū)；
圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器件；
圖7是沿圖6中的線VII-VII截取的剖視圖；以及
圖8A至8D是說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器件的制造方法的剖 視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，其例子示于附圖中，附圖中相似的附 圖標(biāo)記始終表示相似的元件。
參照?qǐng)D1至3，將說明本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖l示意性示出根據(jù)本發(fā) 明第一實(shí)施例的顯示器件。圖2是沿圖1中的線n-n截取的剖視圖，圖3是
沿圖i中的線in-ni截取的剖視圖。如圖i至3所示，本實(shí)施例的顯示器件
1包括多個(gè)薄膜晶體管20、覆蓋薄膜晶體管20的保護(hù)膜28、形成在保護(hù)膜 28上且通過接觸孔27與薄膜晶體管20電連接的像素電極30、設(shè)置在像素 電極30之間并隔開像素電極30的隔墻層40、形成在隔墻層之間暴露區(qū)域中 的發(fā)光層50、以及形成在發(fā)光層50上的公共電極60。公共電極60可用作 陰極。
第一實(shí)施例示出薄膜晶體管20由非晶硅構(gòu)成，但可以采用多晶硅構(gòu)成 的薄膜晶體管。下文中，將詳細(xì)說明薄膜晶體管20。柵極電極21形成在由 絕緣材料例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等構(gòu)成的襯底10上。在襯底10和柵 極電極21上形成由氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的柵極絕緣膜22。在設(shè)置了柵極 電極21的柵極絕緣膜22上，依次形成由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層23和由摻 雜以高濃度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層24。這里，歐姆接 觸層24分成兩片，柵極電極21位于其間。
在歐姆接觸層24和柵極絕緣膜22上形成源極電極25和漏極電極26。 源極電極25和漏極電極26彼此分隔開，柵極電極21位于其間。在源極電 極25、漏極電極26上并在未被電極25和26覆蓋的半導(dǎo)體層23上形成保護(hù) 膜28。保護(hù)膜28可以由氮化硅(SiNx)或/和有機(jī)膜形成。保護(hù)膜28設(shè)置 有形成來暴露漏極電極26的接觸孔27。
在保護(hù)膜28上形成的是通常具有矩形形狀的像素電極30。像素電極30 可以用作陽極并向發(fā)光層50提供空穴。像素電極30由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成， 例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。
在相鄰的像素電極30之間形成隔墻層40，使得它們被隔開。隔墻層40 包括暴露像素電極30的主暴露部分40Ai和從主暴露部分40Ai伸出并延伸 的子暴露部分40Bi。隔墻層40用于防止像素電極30之間的短路并定義包括 主暴露部分和子暴露部分40Bi的像素區(qū)域。隔墻層40覆蓋薄膜晶體 管20和設(shè)置在接觸孔27上從而電連接薄膜晶體管20的像素電極30。
5隔墻層40在通常具有矩形形狀的主暴露部分40A,上延伸，以延伸超出 像素電極30的外圍。主暴露部分40A,的角區(qū)域形成通常具有圓形形狀的子 暴露部分40B!。另外，可以形成隔墻層40至少部分地與像素電極30間隔開， 不交迭像素電極30的周邊。在隔墻層40和像素電極30之間提供間隙可以 防止像素電極30與公共電極60之間的短路，短^各會(huì)發(fā)生在主暴露部分40Ai 的角區(qū)域中。
通常，隔墻層40以具有直角或銳角角部的矩形形狀形成，因此產(chǎn)生發(fā) 光材料50和51未適當(dāng)形成在隔墻層40的角區(qū)域中的問題。然而，在本發(fā) 明的此實(shí)施例中，在隔墻層40的角部處子暴露部分40B!是曲線(curvilinear) 形式，使得發(fā)光材料50和51可以向子暴露部分40Bt中充分?jǐn)U散。因此， 可以在矩形像素電極30的角上形成發(fā)光材料50和51 ，實(shí)現(xiàn)均勻發(fā)光。
子暴露部分40Bi可以以具有至少一條曲線的平面形狀形成，在本實(shí)施 例中，具有圓形形狀。因此，子暴露部分40Bi可以形成為諸如矩形和梯形 的多邊形、橢圓形、或其組合形狀，包括圓形，只要其伸出并延伸到隔墻層 40的角區(qū)域。子暴露部分40Bi的面積隨隔墻層40延伸超出像素電極30多 少和工藝裕度而改變，但優(yōu)選在主暴露部分40Ai的面積的約5-15 %范圍 內(nèi)。以將隔墻層40與像素電極30部分間隔開的形式形成子暴露部分40BP 由此通過部分子暴露部分40B!暴露保護(hù)膜28。
在保護(hù)膜28的暴露區(qū)域上形成空穴注入層51和發(fā)光層50。未形成像素 電極30的部分構(gòu)成非發(fā)光區(qū)。即使發(fā)光材料未充分地填充到子暴露部分 40Bt中從而不能均勻地形成發(fā)光層50，發(fā)光材料也充分?jǐn)U散到位于主暴露 部分40Ai的邊界區(qū)域和子暴露部分40Bi中的像素電極上，因此能夠正常發(fā) 光。另外，即使發(fā)光材料50和51未適當(dāng)形成在暴露保護(hù)膜28的區(qū)域中， 由于該區(qū)域中未形成像素電極30，所以也不會(huì)發(fā)生與公共電極60的短路。
如圖2和3所示，形成主暴露部分的區(qū)域與常Mi鬲墻層相同。即，以部 分交迭像素電極30的方式形成隔墻層40的邊緣區(qū)域。用隔墻層40覆蓋連 接薄膜晶體管20和像素電極30的接觸孔27。如上所述，像素電極30和隔 墻層40可以形成為彼此間隔開特定距離。在隔墻層40之間主暴露部分40A! 上形成空穴注入層51和發(fā)光層50。
相反，如上所述，形成子暴露部分40B!的區(qū)域構(gòu)成非發(fā)光區(qū)域?？昭?注入層51和發(fā)光層50也形成在非發(fā)光區(qū)域上。由于擴(kuò)散到子暴露部分40B!中的發(fā)光材料50和51 ，防止了像素電極30和公共電極60之間的短路。
與本實(shí)施例不同，像素電極30可以形成在整個(gè)保護(hù)膜28上，不將保護(hù) 膜28暴露到子暴露部分40Bi。如果發(fā)光材料50和51充分地形成在子暴露 部分卯B!中，則加寬了發(fā)光區(qū)域，從而有效提高了開口率(aperture ratio )。
此外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，隔墻層40可以以多層或雙層形成。在 隔墻層40以雙層形成的情況下，下層可以由親水無機(jī)膜形成，特別地為Si02， 上層可以由疏7^有機(jī)膜形成。即使在隔墻層40附近噴射親水發(fā)光材料，由 于上層由有機(jī)材料構(gòu)成，所以它也可以容易地移到像素電極30。下層是親水 的，因此可以以穩(wěn)定方式形成親水性發(fā)光材料50和51。
在隔墻層40之間依次形成空穴注入層51和發(fā)光層50。空穴注入層51 由空穴注入材料構(gòu)成，例如聚(3，4-亞乙二氧基-噻吩)(PEDOT)和聚苯乙 烯^5風(fēng)酸(PSS)。該空穴注入材料與水混合^w而形成懸浮液，其可以通過噴墨 法形成為空穴注入層。
在空穴注入層51上形成發(fā)光層50。從像素電極30傳輸?shù)目昭ê蛷墓?電極60傳輸?shù)碾娮釉诎l(fā)光層50中復(fù)合從而形成激子，其在減活過程 (deactivation process)期間發(fā)光。發(fā)光層50由能夠發(fā)射藍(lán)光、紅光和黃光 的聚合物材料構(gòu)成。
公共電極60位于發(fā)光層50上。公共電極60向發(fā)光層50提供電子。公 共電極60可以由諸如鋁的不透明材料構(gòu)成。在此情況下，從發(fā)光層50發(fā)射 的光被導(dǎo)引朝向襯底IO，其被稱為底發(fā)射模式。
盡管未示出，但是顯示器件1還可包括空穴注入層51與發(fā)光層50之間 的空穴傳輸層、以及發(fā)光層50與公共電極60之間的電子傳輸層和電子注入 層。此外，顯示器件1還可以包括用于保護(hù)公共電極60的保護(hù)膜和用于防 止?jié)駳夂涂諝鉂B透到發(fā)光層50中的包封部件。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示器件中的像素區(qū)。如圖4所示， 形成隔墻層40與像素電極30間隔開特定距離。像素區(qū)定義在通過隔墻層40 暴露的區(qū)域內(nèi)。像素區(qū)包括沿像素電極30的周邊具有矩形形狀的主暴露部 分40A!和乂人主暴露部分40Ai伸出并延伸的矩形形狀的子暴露部分40B2。子 暴露部分40B2可以以包括上面的矩形的多邊形狀形成，或者以包括彎曲線 條的各種平面形狀例如圓形或橢圓形形成。在未被像素電極30交迭處暴露 保護(hù)膜28。在隔墻層40之間像素區(qū)中形成發(fā)光層50。薄膜晶體管20頂部和接觸孔27被覆蓋以隔墻層40，但像素電極30的邊緣與隔墻層40間隔開， 除了設(shè)置接觸孔27的部分之外。由于像素電極30和隔墻層40彼此間隔開， 因此暴露像素電極30下面的保護(hù)膜28，且在保護(hù)膜28的暴露區(qū)域中形成空 穴注入層51和發(fā)光層50。光從未形成隔墻層40的像素電極30發(fā)射，保護(hù) 膜28的暴露區(qū)域未被提供以空穴且因此構(gòu)成非發(fā)光區(qū)域。
彼此間隔開的像素電極30和隔墻層40之間的非發(fā)光區(qū)域的間距di在 0.5 3(im的范圍。該間距d!可以隨工藝裕度、開口率等改變。此外，考慮 與像素電極30相鄰形成的其他配線(未示出)，可以使距矩形長(zhǎng)邊或短邊的 間距山不同。
可以通過不形成像素電極30限制光發(fā)射，且因此，可以防止會(huì)在像素 電極30的邊緣區(qū)域中出現(xiàn)的有缺陷的像素。即使發(fā)光材料未充分填充到隔 墻層40的角部中，從而導(dǎo)致非均勻的發(fā)光層50，由于在這些角部中未形成 像素電極30,所以也不會(huì)發(fā)生與公共電極60的短路。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示器件中的像素區(qū)。如圖5所示， 主暴露部分40A2基本具有矩形形狀，但是，使矩形的一短邊彎曲且彎曲邊 的曲率可以改變。子暴露部分40B3以梯形形式從主暴露部分40A2伸出并延 伸。因?yàn)橐后w由于其表面張力而趨于呈圓形或橢圓形，所以發(fā)光層50不會(huì) 充分地形成在隔墻層40的邊緣區(qū)域中。為了緩解上述現(xiàn)象，使隔墻層40的 邊緣區(qū)域具有圓形，使得發(fā)光層50可以完全填充在像素區(qū)中。
像素電極31具有帶圓角的橢圓形，而不是帶直角的矩形。藉此，像素 電極31形成為具有圓形，類似于隔墻層40，由此提高了開口率并在像素電 極31的邊緣區(qū)域中容易地形成隔墻層40。
像素電極30、 31的形狀以及主暴露部分40A。40A2和子暴露部分40B。 40B2、 40B3的構(gòu)造不限于上述實(shí)施例，而是可以改變成各種形式，例如，上 述實(shí)施例的組合。
下文中，將參考圖6至8說明本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖6示意性示出根 據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器件。圖7是沿圖6中的線VII-VII截取的剖視圖。
如圖所示，顯示器件1包括像素電極30和隔墻層40。像素電極30具有 矩形形式，該矩形具有沿X軸方向形成的長(zhǎng)邊和沿Y軸方向形成的短邊。 隔墻層40包括主暴露部分40A3和子暴露部分40B4，主暴露部分40As具有其角部被彎曲的矩形形狀，子暴露部分40B4形成在矩形的短邊中并具有臺(tái) 階部分。此外，凹陷部分40C形成在沿Y軸方向彼此相鄰的像素電極30之 間隔墻層40中。
在由主暴露部分40A3定義的像素區(qū)上形成發(fā)光材料50和51。在沿X 軸方向相鄰的像素電極30上形成發(fā)射相同顏色(R或G)的發(fā)光層。在沿Y 軸方向相鄰的像素電極30上形成發(fā)射不同顏色(R、 G)的發(fā)光層。
本實(shí)施例的子暴露部分40B4以從主暴露部分40A3的一條邊伸出并延伸 的方式形成(不同于根據(jù)前述實(shí)施例的子暴露部分40B,、 40B2和40B"其 形成為/人主暴露部分40A!和40A2的角部伸出并延伸)。此外，子暴露部分 40B4不暴露像素電極30或保護(hù)膜28,而是通過在隔墻層40中形成臺(tái)階部 分來提供。
在使用噴墨法在像素區(qū)上形成發(fā)光材料50和51的情況下，裝載有發(fā)光 材料50和51的噴嘴沿矩形的長(zhǎng)邊在X軸方向上移動(dòng)，以在像素區(qū)上印刷發(fā) 光材料50和51。發(fā)光材料50和51在與噴嘴移動(dòng)相反的方向上擠出并滴下， 但是由于隔墻層而不能充分地滴到像素區(qū)的邊緣區(qū)域中。為了解決此問題， 在本實(shí)施例中，形成子暴露部分40B4，其具有形成在像素區(qū)的角區(qū)域中的臺(tái) 階部分，使得滴到子暴露部分40B4上的發(fā)光材料50和51可以推向像素電 極30上。于是，發(fā)光材料50和51完全填充在主暴露部分40A3中，從而形 成均勻的發(fā)光層50。該子暴露部分40B4自然地設(shè)置在形成隔墻層40的區(qū)域 中，且因此影響開口率。
上述子暴露部分40B4可以形成在主暴露部分40A3的長(zhǎng)邊邊緣中，而不 僅在其短邊邊緣中。此外，臺(tái)階部分可形成在前述第一至第三實(shí)施例的暴露 部分的邊緣區(qū)域中，使得可以更有效地滴下發(fā)光材料50和51。
在不同的X方向像素線中滴不同材料(發(fā)射不同顏色的光)的情況下， 凹陷部分用于防止會(huì)在相鄰像素電極30之間發(fā)生的顏色混合。如果將發(fā)光 材料過多地滴到隔墻層40上，發(fā)射不同顏色的不同材料會(huì)彼此混合，然后 流到像素電極30中。凹陷部分容納過多的發(fā)光材料。如圖7所示，在凹陷 部分40C兩側(cè)在像素電才及30上，分別形成紅發(fā)光層50a和綠發(fā)光層50b。
在本實(shí)施例中，在沿Y軸方向彼此相鄰的像素電極30之間形成凹陷部 分40C。在沿Y軸方向滴發(fā)射相同顏色的發(fā)光材料的情況下，在沿X軸方 向彼此相鄰的像素電極30中形成凹陷部分40C。此外，如果在沿Y軸和X
9軸方向彼此相鄰的不同像素電極上滴發(fā)射不同顏色的發(fā)光材料，則在各像素
電極30之間隔墻層40中形成凹陷部分40C。
以這樣的方式形成子暴露部分40B4和凹陷部分40C,即在用于形成隔 墻層40的氣相沉積和光刻蝕刻工藝期間，使用狹縫掩模(slit mask )來區(qū)別 開曝光程度。沒有狹縫掩^f莫，可以改變顯影溶液和時(shí)間以形成臺(tái)階區(qū)域。形 成方法不限于上述方法。
圖8A至8D說明了制造根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器件的方法。首 先，如圖8A所示，在襯底10上形成薄膜晶體管20?？梢酝ㄟ^已知工藝制 造薄膜晶體管，且其溝道由非晶硅構(gòu)成。在形成薄膜晶體管20之后，在薄 膜晶體管20上形成保護(hù)膜28。如果保護(hù)膜28由氮化硅構(gòu)成，則其可以使用 化學(xué)氣相沉積方法形成。此后，光刻蝕刻保護(hù)膜28以形成暴露漏極電極26 的接觸孔27。在形成接觸孔27之后，形成像素電極30使得它通過接觸孔 27與漏極電極26連接。以利用賊射技術(shù)氣相沉積ITO并將其圖案化的方式 形成像素電極30。像素電極30向發(fā)光層提供空穴因此被作為陽極電極。
此后，如圖8B所示，在相鄰電極30之間形成隔墻層40。通過氣相沉 積和光刻蝕刻工藝由有機(jī)材料形成隔墻層40。通過氣相沉積有機(jī)材料，然后 利用狹縫掩模光刻蝕刻該有機(jī)材料來形成子暴露部分40B4和凹陷部分40C。 也就是說，控制曝光程度從而使被顯影的有機(jī)材料的厚度不同。由于如上形 成的隔墻層40，因此形成了暴露像素電極30的主暴露部分40A3和子暴露部 分40B4。此外，在薄膜晶體管20和接觸孔27上設(shè)置隔墻層40。形成隔墻 層40使得其截面逐漸向其上部減小。
然后，如圖8C所示，在未被隔墻層40覆蓋的像素電極30中的區(qū)域上 形成空穴注入層51。在X軸方向上形成紅發(fā)光層50a。使用噴墨法形成空穴 注入層51和發(fā)光層50a，其中使用噴嘴70滴下流體，如圖8C所示。裝載 有空穴注入材料和發(fā)紅光墨的噴嘴70在襯底10上沿X軸方向移動(dòng)，從而在 期望的位置印刷空穴注入材料和發(fā)光墨。滴下的空穴注入材料和發(fā)光墨在與 噴嘴70的移動(dòng)相反的方向上被推動(dòng)并填充在像素區(qū)中。滴在子暴露部分 40B4上的空穴注入材料和發(fā)光墨移到主暴露部分40A3中，因此形成均勻的 發(fā)光層50a。滴在隔墻層40上的發(fā)紅光墨被容納在凹陷部分40C中。雖然 未示出，但用于制造顯示器件1的設(shè)備還包括控制器(未示出)，用于控制 噴嘴70的移動(dòng)和流體的滴下。此后，如圖8D所示，沿Y軸方向形成發(fā)綠光層50b。雖然未示出，但 是在紅和綠墨之后，滴下發(fā)藍(lán)光墨。在滴下不同發(fā)光墨的電極30之間形成 凹陷部分40C。即使紅和綠發(fā)光墨滴下并在凹陷部分40C中混合，它們也不 影響發(fā)光的像素區(qū)。
可以使用噴嘴涂覆或旋涂技術(shù)形成空穴注入層51和發(fā)光層50,其中每 種墨溶解在溶劑中。
之后，在發(fā)光層50上形成^^共電極60,由此完成如圖7所示的顯示器 件。如上所述，本發(fā)明提供一種顯示器件及其制造方法，其中均勻地形成了 發(fā)光層。此外，本發(fā)明提供一種顯示器件及其制造方法，其中避免了像素區(qū) 之間的顏色混合。
雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人 員將意識(shí)到，在不脫離本發(fā)明原理和精神的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行 改變，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物定義。
本申請(qǐng)要求2005年6月29日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng) No.2005-0056654的優(yōu)先權(quán)，在此引用其全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1. 一種顯示器件，包括多個(gè)薄膜晶體管；形成在該薄膜晶體管上的保護(hù)膜；形成在該保護(hù)膜上并與該薄膜晶體管電連接的多個(gè)像素電極；隔開彼此相鄰的該像素電極的隔墻層，該隔墻層具有形成在其至少一部分中的凹陷部分；以及形成在該像素電極上的發(fā)光層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中在與該凹陷部分相鄰的該像素電極 上形成該發(fā)光層以發(fā)射彼此不同的顏色。
3. —種制造顯示器件的方法，該方法包括 在襯底上形成多個(gè)薄膜晶體管和保護(hù)膜； 在該保護(hù)膜上形成多個(gè)像素電極從而與該薄膜晶體管電連接；形成將彼此相鄰的該像素電極隔開的隔墻層，該隔墻層具有暴露該像素 電極的主開口部分和/人該主開口部分伸出并延伸的子開口部分；以及 在該像素電極上形成發(fā)光層，其中當(dāng)形成該隔墻層時(shí)，在該隔墻層的至少一部分中形成凹陷部分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中形成該子開口部分使得其面積約為該主 開口部分的面積的5 ~ 15°/0。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中當(dāng)形成該隔墻層時(shí)，該子開口部分設(shè)置 有臺(tái)階部分，該臺(tái)階部分形成在該隔墻層的至少一部分邊緣中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中當(dāng)形成該隔墻層時(shí)，在該隔墻層的任何 一個(gè)邊緣中形成臺(tái)階部分，且當(dāng)形成該發(fā)光層時(shí)，朝向該臺(tái)階部分印刷發(fā)射 相同顏色的該發(fā)光層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中使用噴墨法形成該發(fā)光層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，還包括在該發(fā)光層上形成公共電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述凹陷部分通過使用狹縫掩模的光刻 步驟制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括多個(gè)薄膜晶體管；形成在薄膜晶體管上的保護(hù)膜；形成在保護(hù)膜上并與薄膜晶體管電連接的多個(gè)像素電極；隔開彼此相鄰的像素電極的隔墻層，該隔墻層包括暴露像素電極的主暴露部分和從主暴露部分伸出并延伸的子暴露部分，藉此克服了像素電極的角部中墨的不均勻涂覆的問題。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101488519SQ20091000320
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2006年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者李東遠(yuǎn), 李政洙, 洪尚美, 王建浦, 鄭鎮(zhèn)九 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社