專利名稱：：耐高溫ptc導(dǎo)電組合物、包含該組合物的耐高溫ptc器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及導(dǎo)電組合物
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及正溫度系數(shù)(Positivetemperaturecoe伍cient,PTC)導(dǎo)電組合物
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體是指一種耐高溫PTC導(dǎo)電組合物、包含該組合物的耐高溫PTC器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：PTC(Positivetemperaturecoe伍cient)材料也稱為正溫度系lt材料，它在臨界轉(zhuǎn)變溫度前電阻率基本保持恒定，達(dá)到臨界轉(zhuǎn)變溫度后，電阻率突然增大，發(fā)生幾個(gè)數(shù)量級(jí)的轉(zhuǎn)變。由于這類材料的電阻具有隨環(huán)境溫度提高而上升的PTC特性，從而可以在較高溫度下減小或切斷電流，達(dá)到控溫保溫或起到過流、過熱、過壓保護(hù)的目的。早期PTC材料多為陶瓷基體，高分子復(fù)合材料的正溫度系數(shù)(簡(jiǎn)稱PPTC)現(xiàn)象是在1945年由Frydman首次發(fā)現(xiàn)提出，并于20世紀(jì)60年代開始工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。由于高分子PTC材料具有在較大范圍可調(diào)的導(dǎo)電性能、易于成型、可曲撓、成本低，已經(jīng)被廣泛地用于制作自控溫加熱電纜、過電流保護(hù)元件及溫敏傳感器等。目前，高分子PTC材料一般由導(dǎo)電填料填充結(jié)晶或半結(jié)晶的有機(jī)高分子而制成，導(dǎo)電填料一般是炭黑、石墨、金屬等，而有機(jī)高分子一般是基于乙烯基的聚合物，包括高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/丙烯酸丁酯共聚物等。在溫度較低時(shí)材料體現(xiàn)出較低的電阻率，而當(dāng)溫度升高到熔點(diǎn)附近時(shí)，即所謂的臨界轉(zhuǎn)折溫度時(shí)，電阻率突然升高，發(fā)生幾個(gè)數(shù)量級(jí)的變化。但這類聚合物的熔點(diǎn)較低，轉(zhuǎn)折溫度都在125。C以下。對(duì)于汽車微電機(jī)等工作環(huán)境溫度較高的領(lǐng)域，使用這一類型的熱敏電阻進(jìn)行過流保護(hù)，容易發(fā)生誤動(dòng)作而不能正常工作。因此，為了使熱敏電阻能夠在汽車馬達(dá)等高溫環(huán)境下進(jìn)行工作，需要尋找高熔點(diǎn)的聚合物，即選擇那些熔點(diǎn)能夠高于150。C的聚合物來(lái)制備熱敏電阻。聚偏氟乙烯、可溶性聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、全氟乙丙烯、乙烯-三氟氯乙烯的熔點(diǎn)都在150。C以上，可以滿足高溫環(huán)境的要求。然而，這類產(chǎn)品普遍存在電阻通電循環(huán)穩(wěn)定性差，即多次動(dòng)作后電阻大幅偏離初始值，低初始電阻時(shí)PTC強(qiáng)度較低等缺陷，這限制了它的使用。因此，開發(fā)具高PTC效應(yīng)以及良好的電阻循環(huán)穩(wěn)定性的PTC熱敏電阻仍是行業(yè)的熱點(diǎn)及難點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種耐高溫PTC導(dǎo)電組合物、包含該組合物的耐高溫PTC器件及其制造方法，包含該組合物的耐高溫PTC器件具有低阻值、高PTC強(qiáng)度和優(yōu)良的電阻穩(wěn)定性，從而可用在汽車馬達(dá)等高溫環(huán)境下的電路過電流保護(hù)，且制造簡(jiǎn)便，效率高。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第一方面，提供了一種耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特點(diǎn)是，按重量計(jì)，包括20~70%的有機(jī)聚合物，25~75%的導(dǎo)電填料，1~30。/。的無(wú)機(jī)填料以及0.1~10%的添加劑。較佳地，所述有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)高于150°C。較佳地，所述有機(jī)聚合物是一種或多種結(jié)晶或半結(jié)晶聚合物。較佳地，所述有機(jī)聚合物選自尼龍11、尼龍12、聚偏氟乙埽、可溶性聚四氟乙烯、乙雄-四氟乙烯共聚物、全氟乙丙烯、乙烯-三氟氯乙烯及它們的共聚物中的一種或幾種。較佳地，所述導(dǎo)電填料選自炭黑、碳纖維、石墨、石墨纖維、金屬顆粒的一種或幾種。更佳地，所述炭黑的鄰苯二曱酸二丁酯吸收值(DBP值)在40cm3/100g到200cm3/100g之間，所述炭黑的粒徑在20nm到150nm之間。更優(yōu)選DBP值大約在50cm3/100g到140cm3/100g之間，粒徑在50nm到120nm之間。符合要求的炭黑有Raven410(粒徑lOlnm,DBP值65cm3/100g,Columbian公司)，Raven430(粒徑82nm,DBP值78cm3/100g,Columbian公司)，SterlingN550(粒徑41nm,DBP值120cm3/100g,Cabot公司)。除了所述的聚合物組分和導(dǎo)電填料，PTC導(dǎo)電組合物通常還包括一種或多種惰性無(wú)機(jī)填料，以提高熱敏電阻的電阻穩(wěn)定性。較佳地，所述無(wú)機(jī)填料選自氧化鈣、氧化鋅、氧化鎂、氧化鋁、二氧化硅、破酸鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁的一種或幾種。較佳地，所述添加劑包括分散劑、抗氧劑、交聯(lián)促進(jìn)劑和偶聯(lián)劑的一種或幾種，其中所述分散劑為高熔點(diǎn)蠟，所述抗氧劑為酚類或胺類化合物，所述交聯(lián)促進(jìn)劑是多官能團(tuán)不飽和化合物，所述偶聯(lián)劑是硅烷或鈦酸酯類有機(jī)化合物。其中分散劑作用是提高填料的分散效果，改善加工性能。而抗氧劑是為了增加產(chǎn)品的熱穩(wěn)定性。交聯(lián)促進(jìn)劑是為了減少輻射劑量同時(shí)又不降低交聯(lián)度。更佳地，所述高熔點(diǎn)蠟是聚乙蜂蠟、聚丙烯蠟或聚酰亞胺蠟，所述酚類或胺類化合物是N，N，l,6-己二基二(3,5二(l，l-二曱乙基)-4-羥基苯)丙酰胺、N-十八烷酰-4-氨基苯酚或N-十二烷酰-4-氨基笨酚，所述多官能團(tuán)不飽和化合物是三烯丙基異氰尿酸酯(TAIC)。較佳地，所述耐高溫PTC導(dǎo)電組合物通過輻照而交聯(lián)。為了提高電穩(wěn)定性，所述的PTC導(dǎo)電組合物可以通過輻射交聯(lián)，輻射劑量在1到100Mrads,優(yōu)選5到30Mrads。在本發(fā)明的第二方面，提供了一種耐高溫PTC器件，包括PTC芯片和兩金屬箔電極層，兩所述金屬箔電極層分別貼附在所述PTC芯片的相對(duì)的兩表面上，其特點(diǎn)是，所述PTC芯片是上述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物形成的經(jīng)過輻照交聯(lián)的薄層。較佳地，所述PTC器件在25。C的體積電阻率為lOOO.cm或更小，在溫度高于150。C時(shí)所述PTC器件的電阻率至少是25°C時(shí)的104倍。較佳地，所述耐高溫PTC器件還包括兩引出電極，兩所述引出電極分別連接在兩所述金屬箔電極層的外表面上。在本發(fā)明的第三方面，提供了上述的耐高溫PTC器件的制造方法，其特點(diǎn)是，包括以下步驟a.將所述有機(jī)聚合物、所述導(dǎo)電填料、所述無(wú);f兒填料和所述添加劑在所述有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)以上進(jìn)行熔融共混，冷卻切?；蚍鬯楹?，經(jīng)擠出壓延或模壓，或者在進(jìn)行熔融共混合后直接經(jīng)擠出壓延，得到片材；b.將兩所述金屬箔電極層分別貼附到所述片材的相對(duì)的兩表面上，獲得PCT器件粗品；c.對(duì)所述PCT器件粗品進(jìn)行熱處理，條件是在所述有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)以上30~80。C放置1到60分鐘，然后冷卻到室溫；d.熱處理后的所述PCT器件粗品通過Y射線或電子束輻照進(jìn)行交聯(lián)，輻照劑量為l到100Mrads。優(yōu)選5到30Mrads。較佳地，在步驟a中，所述熔融共混采用雙螺桿擠出機(jī)、開煉機(jī)或密煉機(jī)，所述熔融共混的溫度高于所述的有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)20~60°C。而PTC導(dǎo)電組合物片材的成型可采用單螺桿擠出機(jī)擠出、雙輥壓延機(jī)壓延成型或熱壓機(jī)熱壓成型。較佳地，在步驟b中，在擠出壓延或模壓時(shí)將兩所述金屬箔電極層復(fù)合到所述的片材的相對(duì)的兩表面上。更佳地，在步驟b中，所述復(fù)合在雙輥壓延4幾或熱壓一幾上進(jìn)行，所述雙輥壓延一幾或所述熱壓機(jī)的溫度高于所述的有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)5~50°C。較佳地，在步驟c中，所述冷卻是緩慢冷卻，冷卻速率低于4(TC/min。還可以根據(jù)需要在輻照后的所述PCT器件粗品按照一定尺寸進(jìn)行沖切后，在其上下兩表面焊接引出電極。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明的耐高溫PTC器件的PTC芯片是本發(fā)明的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物形成的經(jīng)過輻照交聯(lián)的薄層，耐高溫PTC導(dǎo)電組合物包括20~70%的有機(jī)聚合物，25~75%的導(dǎo)電填料，1~30%的無(wú)機(jī)填料以及0.1~10%的添加劑，由該耐高溫PTC導(dǎo)電組合物制備的耐高溫PTC器件具有低阻值、高PTC強(qiáng)度和優(yōu)良的電阻穩(wěn)定性，特別是該器件在25'C時(shí)具有較低的電阻率(lOOJXcm或更小，優(yōu)選30Q.cm以下)和較高的PTC效應(yīng)(PTC器件動(dòng)作時(shí)的峰值電阻率至少是25'C時(shí)的104倍，優(yōu)選105倍，更優(yōu)選106倍，甚至更大)，從而可用在汽車馬達(dá)等高溫環(huán)境下的電路過電流保護(hù)，且本發(fā)明的耐高溫PTC器件制造簡(jiǎn)便，效率高。具體實(shí)施例方式為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例1將45wt。/o的尼龍12(Aesno陽(yáng)TL，熔點(diǎn)165~180°C，熔指0.3g/10min，ElfAtochem公司)、50wt。/o的炭黑Raven430(粒徑82nm，DBP值78cm3/100g,Columbian公司)、4.5wt%的氧化鎂(MgO)與0.5wt。/?？寡鮿?010(Irganoxl010，CibaGeigy公司)預(yù)混合后加入到雙螺桿擠出機(jī)中熔融共混，混合物熔體由機(jī)頭直接進(jìn)入單螺桿擠出機(jī)，然后經(jīng)雙輥壓延機(jī)壓制成一定的厚度0.3mm,同時(shí)在組合物的上下兩個(gè)表面貼覆鍍鎳銅箔電極，從而得到PTC片材。將PTC片材在200。C的烘箱中放置30分鐘，然后關(guān)掉烘箱電源，緩慢冷卻到室溫。用Y射線對(duì)熱處理好的片材進(jìn)行交聯(lián)，輻照劑量為20Mrads。最后，將輻照后好的片材沖切成8x12mm的PTC芯片。測(cè)定其在25。C時(shí)的電阻(RQ)和R-T阻溫曲線，計(jì)算PTC強(qiáng)度(Rmax/R0,其中Rmax為PTC器件動(dòng)作后的最大電阻)。測(cè)定PTC器件在16V、100A下通電循環(huán)1000次后電阻值R廳o和在16V、50A下持續(xù)通電24小時(shí)后的電阻值RM，比較通電前后電阻的變化。PTC器件的物理性能數(shù)據(jù)列于表2中。實(shí)施例2按照和實(shí)施例1中所述相同的方式制造PTC器件，但將尼龍12(Aesno-TL)含量由45wt%變?yōu)?1wt%,炭黑Raven430含量由50wt。/。變?yōu)?4wt%。4要照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。實(shí)施例3按照和實(shí)施例1中所述相同的方式制造PTC器件，<旦將尼龍12(Aesno-TL)含量由45wt%變?yōu)?7wt%，炭黑Raven430含量由50wt。/。變?yōu)?8wt%。按照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。實(shí)施例4按照和實(shí)施例1中所述相同的方式制造PTC器件，但將尼龍12(Aesno-TL)含量由45wt%變?yōu)?0wt%，炭黑Raven430含量由50wt。/。變?yōu)?5wt%。4姿照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。實(shí)施例5按照和實(shí)施例1中所述相同的方式制造PTC器件，但將尼龍12(Aesno-TL)含量由45wt%變?yōu)?0wt%,炭黑Raven430含量由50wt。/。變?yōu)?5wt%。按照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。實(shí)施例6按照和實(shí)施例1中所述相同的方式制造PTC器件，但用45wt。/o的炭黑SterlingN550(粒徑41nm,DBP值120cm3/100g,Cabot公司)代替實(shí)施例1中50wt。/。的的炭黑Raven430作導(dǎo)電填料,相應(yīng)的尼龍12(Aesno-TL)的質(zhì)量百分比由45wt。/。變?yōu)?0wt%。4安照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)杲列于表2中。實(shí)施例7按照和實(shí)施例1中所述相同的方式制造PTC器件，但用54wt。/。的炭黑Asahi#15HS(粒徑120nm,DBP值84cm3/100g,Asahi公司)代替實(shí)施例1中50wt。/o的的炭黑Raven430作導(dǎo)電填料，相應(yīng)的尼龍12(Aesno-TL)的質(zhì)量百分比由46wt。/。變?yōu)?1wt%。按照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。比較例1按照和實(shí)施例2中所述相同的方式制造PTC器件，但用10Mrads的輻照劑量代替實(shí)施例2中的20Mrads的輻照劑量進(jìn)行交聯(lián)。按照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。比較例28按照和實(shí)施例2中所述相同的方式制造PTC器件，但將實(shí)施例2中的熱處理?xiàng)l件的緩冷到室溫改為急冷到室溫。按照和實(shí)施例1中所述相同的方式測(cè)定的PTC器件的物理性能，結(jié)果列于表2中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>注物料組成單位質(zhì)量百分比wt。/。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>通過表1和表2,可以知道，采用本發(fā)明的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物制造的耐高溫PTC器件在室溫時(shí)具有較低的電阻率(100Q.cm或更小，優(yōu)選30Q.cm以下)和4交高的PTC效應(yīng)(PTC器件動(dòng)作時(shí)的峰值電阻率至少是25'C時(shí)的104倍，優(yōu)選105倍，更優(yōu)選106倍，甚至更大)，通過比較實(shí)施例2和對(duì)比例1和2，可以發(fā)現(xiàn)本發(fā)明在制備耐高溫PTC器件時(shí)熱處理的緩冷步驟和稍大的輻照劑量有助于耐高溫PTC器件性能的優(yōu)化。綜上，本發(fā)明的包含耐高溫PTC導(dǎo)電組合物的耐高溫PTC器件具有低阻值、高PTC強(qiáng)度和優(yōu)良的電阻穩(wěn)定性，從而可用在汽車馬達(dá)等高溫環(huán)境下的電路過電流保護(hù)，且制造簡(jiǎn)便，效率高。在此說(shuō)明書中，本發(fā)明已參照其特定的實(shí)施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，說(shuō)明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而非限制性的。權(quán)利要求1.一種耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，按重量計(jì)，包括20～70％的有機(jī)聚合物，25～75％的導(dǎo)電填料，1～30％的無(wú)機(jī)填料以及0.1～10％的添加劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)高于150°C。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述有機(jī)聚合物是一種或多種結(jié)晶或半結(jié)晶聚合物。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述有機(jī)聚合物選自尼龍ll、尼龍12、聚偏氟乙烯、可溶性聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、全氟乙丙蜂、乙烯-三氟氯乙烯及它們的共聚物中的一種或幾種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電填料選自炭黑、碳纖維、石墨、石墨纖維、金屬顆粒的一種或幾種。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述炭黑的鄰苯二甲酸二丁酯吸收值在40cmVl00g到200cmVl00g之間，所迷炭黑的粒徑在20nm到150nm之間。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的耐高溫PTC.導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述無(wú)機(jī)填料選自氧化4丐、氧化鋅、氧化鎂、氧化鋁、二氧化硅、碳酸鈣、氳氧化鎂、氫氧化鋁的一種或幾種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述添加劑包括分散劑、抗氧劑、交聯(lián)促進(jìn)劑和偶聯(lián)劑的一種或幾種，其中所述分散劑為高熔點(diǎn)蠟，所述抗氧劑為酚類或胺類化合物，所述交聯(lián)促進(jìn)劑是多官能團(tuán)不飽和化合物，所述偶聯(lián)劑是硅烷或鈦酸酯類有^Mt合物。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述高熔點(diǎn)蠟是聚乙烯蠟、聚丙蜂蠟或聚酰亞胺蠟，所迷酚類或胺類化合物是N,N，l,6-己二基二(3,5二(l,l-二曱乙基)-4-幾基笨)丙酰胺、N-十八烷酰-4-氨基苯酚或N-十二烷酰-4-氨基苯酚，所述多官能團(tuán)不飽和化合物是三烯丙基異氰尿酸酯。10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，其特征在于，所述耐高溫PTC導(dǎo)電組合物通過輻照而交聯(lián)。11.一種耐高溫PTC器件，包括PTC芯片和兩金屬箔電極層，兩所述金屬箔電極層分別貼附在所述PTC芯片的相對(duì)的兩表面上，其特征在于，所述PTC芯片是根據(jù)權(quán)利要求1~8任一所述的耐高溫PTC導(dǎo)電組合物形成的經(jīng)過輻照交聯(lián)的薄層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的耐高溫PTC器件，其特征在于，所述PTC器件在25'C的體積電阻率為100Q.cm或更小，在溫度高于150°C時(shí)所述PTC器件的電阻率至少是25。C時(shí)的104倍。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的耐高溫PTC器件，其特征在于，所述耐高溫PTC器件還包括兩引出電極，兩所述引出電極分別連接在兩所述金屬箔電極層的外表面上。14.一種根據(jù)權(quán)利要求11所述的耐高溫PTC器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟a.將所述有機(jī)聚合物、所述導(dǎo)電填料、所述無(wú)機(jī)填料和所述添加劑在所述有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)以上進(jìn)行熔融共混，冷卻切?；蚍鬯楹螅?jīng)擠出壓延或模壓，或者在進(jìn)行熔融共混合后直接經(jīng)擠出壓延，得到片材；b.將兩所述金屬箔電極層分別貼附到所述片材的相對(duì)的兩表面上，獲得PCT器件粗品；c.對(duì)所述PCT器件粗品進(jìn)行熱處理，條件是在所述有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)以上30~8(TC放置1到60分鐘，然后冷卻到室溫；d.熱處理后的所述PCT器件粗品通過Y射線或電子束輻照進(jìn)行交聯(lián)，輻照劑量為l到100Mrads。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的耐高溫PTC器件的制造方法，其特征在于，在步驟a中，所述熔融共混采用雙螺桿擠出機(jī)、開煉機(jī)或密煉機(jī)，所述熔融共混的溫度高于所述的有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)206(TC。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的耐高溫PTC器件的制造方法，其特征在于，在步驟b中，在擠出壓延或模壓時(shí)將兩所述金屬箔電極層復(fù)合到所述的片材的相對(duì)的兩表面上。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的耐高溫PTC器件的制造方法，其特征在于，在步驟b中，所述復(fù)合在雙輥壓延機(jī)或熱壓機(jī)上進(jìn)行，所述雙輥壓延機(jī)或所述熱壓機(jī)的溫度高于所述的有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)5-50°C。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的耐高溫PTC器件的制造方法，其特征在于，在步驟c中，所述冷卻是緩慢冷卻，冷卻速率低于4(TC/min。全文摘要本發(fā)明涉及一種耐高溫PTC導(dǎo)電組合物，包括20～70％的有機(jī)聚合物，25～75％的導(dǎo)電填料，1～30％的無(wú)機(jī)填料以及0.1～10％的添加劑，較佳地，有機(jī)聚合物的熔點(diǎn)高于150℃，有機(jī)聚合物是一種或多種結(jié)晶或半結(jié)晶聚合物，有機(jī)聚合物選自尼龍11、尼龍12、聚偏氟乙烯、可溶性聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、全氟乙丙烯、乙烯-三氟氯乙烯及它們的共聚物中的一種或幾種，還提供了包含該組合物的耐高溫PTC器件及其制造方法，本發(fā)明的包含該組合物的耐高溫PTC器件具有低阻值、高PTC強(qiáng)度和優(yōu)良的電阻穩(wěn)定性，從而可用在汽車馬達(dá)等高溫環(huán)境下的電路過電流保護(hù)，且制造簡(jiǎn)便，效率高。文檔編號(hào)H01C7/13GK101560325SQ20091005209公開日2009年10月21日申請(qǐng)日期2009年5月26日優(yōu)先權(quán)日2009年5月26日發(fā)明者史宇正,李大軍,李波濤,湯先文,王俊剛,金華玲申請(qǐng)人:上海科特高分子材料有限公司