專利名稱：液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其是一種液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display;以下 簡 稱TFT-LCD)基于其性能優(yōu)良、大規(guī)模生產(chǎn)特性好、自動化程度高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域不斷 拓寬，越來越多的LCD產(chǎn)品涌現(xiàn)到電子產(chǎn)品市場上。而各種LCD產(chǎn)品的質(zhì)量也受到極大的 考驗(yàn)，在影響LCD顯示效果的諸多因素中，液晶顯示面板中數(shù)據(jù)掃描線為影響畫面品質(zhì)的 因素之一?，F(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的制作工藝可以概括為首先在基板上形成一層?xùn)艠O 層，其次在基板上分別形成柵極絕緣層和半導(dǎo)體層，然后在基板上形成一層源極層，最后再 沉積一層絕緣層。采取以上工藝制作的液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)掃描線的寬度比較窄，一般 為微米量級，在曝光和刻蝕過程中很容易造成數(shù)據(jù)掃描線的局部斷裂，從而引起短路現(xiàn)象 的發(fā)生。現(xiàn)有技術(shù)中存在兩種對數(shù)據(jù)掃描線的斷裂進(jìn)行修復(fù)的方法，其中一種方法在數(shù)據(jù) 掃描線發(fā)生斷裂時(shí)，通過從像素區(qū)邊緣增加額外的電極線來代替斷裂的數(shù)據(jù)掃描線，另一 種方法為通過在斷裂處設(shè)置數(shù)據(jù)修復(fù)線來修復(fù)斷裂的數(shù)據(jù)掃描線。如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù) 中液晶顯示面板的第一像素結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2為圖1中數(shù)據(jù)掃描線的第一修復(fù)示意圖，如 圖3為圖1中數(shù)據(jù)掃描線的第二修復(fù)示意圖，圖2和圖3分別為利用額外的電極線對斷裂 的數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行修復(fù)的兩種不同形式。如圖4所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的第二像 素結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示為圖4中數(shù)據(jù)掃描線的修復(fù)示意圖，即采用第二種方法對數(shù)據(jù) 掃描線進(jìn)行修復(fù)后的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。該方法在發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)掃描線3斷裂時(shí)，通 過在數(shù)據(jù)掃描線3的斷裂處單獨(dú)設(shè)置第一數(shù)據(jù)修復(fù)線4進(jìn)行修復(fù)，一般采用在數(shù)據(jù)掃描線 3上方的位于斷裂處兩側(cè)的絕緣層中設(shè)置過孔，然后在絕緣層上方沉積一層導(dǎo)電薄膜，并經(jīng) 過構(gòu)圖工藝形成第一數(shù)據(jù)修復(fù)線4，以連接數(shù)據(jù)掃描線的斷裂處。采用上述兩種方法盡管可 以修復(fù)斷裂的數(shù)據(jù)掃描線，但會導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加，維修所耗費(fèi)的時(shí)間也使得生產(chǎn)效率 降低，即使修復(fù)之后也至少存在一個(gè)壞點(diǎn)，直接影響LCD產(chǎn)品的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示面板及其制造方法，在保證開口率和顯示亮度 的前提下，有效解決漏光缺陷。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括形成在基板上的柵線 和數(shù)據(jù)掃描線，在所述柵線和數(shù)據(jù)掃描線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管， 還包括形成在所述數(shù)據(jù)掃描線上方的與所述數(shù)據(jù)掃描線電連接的數(shù)據(jù)修復(fù)線。本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板的制造方法，包括步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；
步驟2、在完成步驟1的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層；步驟3、在完成步驟2的所述基板上沉積源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括 源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形；步驟4、在完成步驟3的所述基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過孔 的圖形；步驟5、在完成步驟4的所述基板上沉積納米銦錫金屬氧化物金屬薄膜，通過構(gòu)圖 工藝形成包括數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形。本發(fā)明提供了另一種液晶顯示面板的制造方法，包括步驟1’、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖 形；步驟2’、在完成步驟1’的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層；步驟3’、在完成步驟2’的所述基板上沉積半導(dǎo)體層、源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖 工藝形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形；步驟4’、在完成步驟3’的所述基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過 孔的圖形；步驟5’、在完成步驟4’的所述基板上沉積納米銦錫金屬氧化物金屬薄膜，通過構(gòu) 圖工藝形成包括數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形。本實(shí)施例通過提供一種液晶顯示面板及其制造方法，在數(shù)據(jù)掃描線上方設(shè)置與數(shù) 據(jù)掃描線電連接的數(shù)據(jù)修復(fù)線，使得數(shù)據(jù)掃描線不會發(fā)生斷路，減少了由于對數(shù)據(jù)掃描線 進(jìn)行維修所花費(fèi)人力成本和維修時(shí)間，大大降低了生產(chǎn)成本，改善了液晶顯示面板的畫面 品質(zhì)和顯示質(zhì)量，提高了產(chǎn)品的良品率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的第一像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中數(shù)據(jù)掃描線的第一修復(fù)示意圖；圖3為圖1中數(shù)據(jù)掃描線的第二修復(fù)示意圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的第二像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4中數(shù)據(jù)掃描線的修復(fù)示意圖；圖6為本發(fā)明液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6中Al-Al向的剖面示意圖；圖8為圖6中Bl-Bl向的剖面示意圖；圖9為本發(fā)明液晶顯示面板的數(shù)據(jù)掃描線的修復(fù)示意圖；圖10為本發(fā)明液晶顯示面板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖；圖11為本發(fā)明液晶顯示面板的制造方法第二實(shí)施例的流程圖。附圖標(biāo)記說明1-基板；2-柵線；3-數(shù)據(jù)掃描線；4-第一數(shù)據(jù)修復(fù)線；5-第二數(shù)據(jù) 修復(fù)線； 6-過孔。
具體實(shí)施例方式下面通過附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖6為本發(fā)明液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖，圖7為圖6中Al-Al向的剖面示 意圖，圖8為圖6中Bl-Bl向的剖面示意圖。如圖6 圖8所示，本實(shí)施例提供的液晶顯示 面板包括形成在基板1上的柵線2和數(shù)據(jù)掃描線3，在柵線2和數(shù)據(jù)掃描線3限定的像素區(qū) 域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，相互垂直的柵線2和數(shù)據(jù)掃描線3定義了像素區(qū)域，薄膜 晶體管和像素電極形成在像素區(qū)域內(nèi)，柵線2用于向薄膜晶體管提供 開啟信號，數(shù)據(jù)掃描 線3用于向像素電極提供數(shù)據(jù)信號。另外，本實(shí)施例提供的液晶顯示面板還包括第二數(shù)據(jù) 修復(fù)線5，第二數(shù)據(jù)修復(fù)線5形成在數(shù)據(jù)掃描線3的上方，第二數(shù)據(jù)修復(fù)線5的形狀與數(shù)據(jù) 掃描線3相同，且與數(shù)據(jù)掃描線3通過電連接的方式相互連接。當(dāng)數(shù)據(jù)掃描線3發(fā)生斷裂 時(shí)，可以通過與數(shù)據(jù)掃描線3電連接的第二數(shù)據(jù)修復(fù)線5來進(jìn)行數(shù)據(jù)信號的傳送，不會由于 數(shù)據(jù)掃描線3的斷裂而出現(xiàn)信號短路的現(xiàn)象。而且本實(shí)施例盡管在數(shù)據(jù)掃描線3上方增加 了第二數(shù)據(jù)修復(fù)線5，其不會改變傳統(tǒng)的工藝條件，與普通產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝相同，也無需在 數(shù)據(jù)掃描線3斷裂時(shí)，再花費(fèi)時(shí)間和成本對數(shù)據(jù)掃描線3進(jìn)行維修，可以大大提高生產(chǎn)的良 品率。進(jìn)一步地，數(shù)據(jù)掃描線3和第二數(shù)據(jù)修復(fù)線5之間的電連接可以通過過孔的方式 來實(shí)現(xiàn)，過孔6可以設(shè)置在數(shù)據(jù)絕緣層中，數(shù)據(jù)絕緣層位于數(shù)據(jù)掃描線3所在的數(shù)據(jù)電極層 和第二數(shù)據(jù)修復(fù)線5所在的納米銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxides ；以下簡稱IT0)金 屬層之間。在制作陣列基板時(shí)，在沉積有數(shù)據(jù)電極層的基板1上沉積形成一層數(shù)據(jù)絕緣層， 通過在數(shù)據(jù)絕緣層中設(shè)置過孔6，然后再在沉積有數(shù)據(jù)絕緣層的基板1上沉積ITO金屬層， 使得ITO金屬層在過孔6與數(shù)據(jù)電極層中的數(shù)據(jù)掃描線直接連接。更進(jìn)一步地，過孔6的 位置可以根據(jù)需求設(shè)置，較佳地，如圖7所示，過孔6可以位于柵線2和數(shù)據(jù)掃描線3的交 叉區(qū)域，也可以位于柵線和數(shù)據(jù)掃描線的非交叉區(qū)域。圖9為本發(fā)明液晶顯示面板的數(shù)據(jù)掃描線的修復(fù)示意圖，如圖9所示，本實(shí)施例提 供的TFT-LCD中的數(shù)據(jù)掃描線出現(xiàn)斷裂后，由于第二數(shù)據(jù)修復(fù)線的存在，無需對數(shù)據(jù)掃描 線進(jìn)行修復(fù)，因此，圖9所示的修復(fù)示意圖與正常的液晶顯示器的像素示意圖是相同的。假 設(shè)原數(shù)據(jù)掃描線的線電阻為R0，數(shù)據(jù)掃描線各個(gè)像素間的總電容為C0，數(shù)據(jù)修復(fù)線的線電 阻為R1，當(dāng)原數(shù)據(jù)掃描線發(fā)生斷裂后，利用與其電連接的數(shù)據(jù)修復(fù)線來修復(fù)數(shù)據(jù)掃描線，則 數(shù)據(jù)掃描線和所有像素電極間產(chǎn)生的電容C基本上未發(fā)生變化，即C = C0，而由于采用雙層 金屬結(jié)構(gòu)使得線電阻R反而減小了，即R= (R1+R0)/(R1*R0) <R0，則阻容延遲RC delay =R*C < R0*C0。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的數(shù)據(jù)掃描線的第一修復(fù)示意圖，圖3 為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的數(shù)據(jù)掃描線的第二修復(fù)示意圖。如圖2和圖3所示為現(xiàn)有技 術(shù)中對斷裂的數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行修復(fù)時(shí)所采用的一種方法中的兩種修復(fù)方式，即通過在像素 區(qū)周圍引入額外的電極線來對斷裂的數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行修復(fù)，維修后相當(dāng)于額外延長了數(shù)據(jù) 掃描線的長度，使得數(shù)據(jù)掃描線的線電阻R增加，假設(shè)額外增加的電極線的線電阻為R2，且 R2 > R0,因此維修后數(shù)據(jù)掃描線的總線電阻R = R0+R2 > 2R0，數(shù)據(jù)掃描線各個(gè)像素件的總 電容為⑶，則阻容延遲RC delay = R*C > 2R0*C0。圖5為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的數(shù) 據(jù)掃描線的第三修復(fù)示意圖，如圖5所示為現(xiàn)有技術(shù)中對斷裂的數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行修復(fù)時(shí)所 采用的另外一種方法，當(dāng)數(shù)據(jù)掃描線發(fā)生斷裂時(shí)，將設(shè)置的第一數(shù)據(jù)修復(fù)線焊接在數(shù)據(jù)掃描線的斷裂處。從圖中可以看出，采用這種方法維修后，相當(dāng)于增加了數(shù)據(jù)掃描線和像素電 極線之間的總電容C，即C = C0+C2，其中C2為第一數(shù)據(jù)修復(fù)線和數(shù)據(jù)掃描線之間產(chǎn)生的電 容，且C2 >⑶，而數(shù)據(jù)掃描線的總電阻R不變，即R = R0，則維修后的阻容延遲RC delay =R*C > 2R0*C0。通過上述計(jì)算結(jié)果的對比可以發(fā)現(xiàn)，采用本實(shí)施例的液晶顯示面板，當(dāng)數(shù) 據(jù)掃描線發(fā)生斷裂時(shí)，大大減小了所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)掃描線的阻容延遲。本實(shí)施例通過提供一種液晶顯示面板，在數(shù)據(jù)掃描線上方設(shè)置與數(shù)據(jù)掃描線電連 接的數(shù)據(jù) 修復(fù)線，使得數(shù)據(jù)掃描線不會發(fā)生斷路，克服了現(xiàn)有技術(shù)中對斷裂的數(shù)據(jù)掃描線 進(jìn)行維修時(shí)最多只能修復(fù)4個(gè)像素，即使維修好也至少存在一個(gè)壞點(diǎn)，而且維修后像素驅(qū) 動相位延遲比較嚴(yán)重的缺陷。另外，本實(shí)施例提供的液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)掃描線的修復(fù) 無需購置數(shù)據(jù)電極維修設(shè)備，大大降低了生產(chǎn)成本。而且減少了由于對數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行維 修所花費(fèi)人力成本和維修時(shí)間。且在等同條件下降低了數(shù)據(jù)掃描線的線電阻，減小了阻容 延遲，同時(shí)降低了信號傳輸時(shí)的相位延遲時(shí)間，大大改善了液晶顯示面板的畫面品質(zhì)和顯 示質(zhì)量，提高了產(chǎn)品的良品率。圖10為本發(fā)明液晶顯示面板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖，如圖10所示，本實(shí) 施例提供的液晶顯示面板的制造方法具體包括如下步驟步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形。需要指出的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂 覆、掩模、曝光、刻蝕等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例，因此不再贅述。步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層。步驟3、在完成步驟2的基板上沉積源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括源 極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形。在基板上通過光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕等工藝光刻出柵線和柵電極之后，沉 積一層?xùn)沤^緣層，具體可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(簡稱PECVD)方法或者其他等 同的方法來進(jìn)行沉積。在沉積有柵絕緣層的基板上再分別沉積一層源漏極金屬薄膜，形成 數(shù)據(jù)電極層，具體可以采用磁控濺射(Sputter)或熱蒸發(fā)的方法來進(jìn)行沉積，通過構(gòu)圖工 藝形成源極、漏極、TFT溝道區(qū)和數(shù)據(jù)掃描線的圖形。步驟4、在完成步驟3的基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過孔的圖 形。在完成上述步驟3的基板上，采用PECVD工藝沉積一層數(shù)據(jù)絕緣層，并通過光刻膠 涂覆、掩模、曝光、刻蝕等工藝形成過孔的圖形，過孔的位置優(yōu)選地位于柵線和數(shù)據(jù)掃描線 的交叉區(qū)域，過孔的目的是為了將第一金屬電極層與后續(xù)第二金屬電極層中的數(shù)據(jù)電極電 連接。步驟5、在完成步驟4的基板上沉積ITO金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)修 復(fù)線的圖形。在完成過孔之后的基板上，在數(shù)據(jù)電極層之上形成ITO金屬層，采用Sputter工藝 或其他等同工藝沉積ITO金屬薄膜，ITO金屬薄膜的材料優(yōu)選地與源漏極金屬薄膜的材料 相同，可以為納米銦錫金屬氧化物，且ITO金屬薄膜的厚度可以為100人~ 20000人。然后通 過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形，數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形與數(shù)據(jù)掃描線類似，可以采用相同 的掩膜板來制作。本實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板的制作方法，通過在數(shù)據(jù)掃描線上方增設(shè)與其相同的數(shù)據(jù)修復(fù)線，使得數(shù)據(jù)掃描線成為雙層金屬層設(shè)計(jì)，即將數(shù)據(jù)電極層和ITO金屬層通過過孔連接在一起，當(dāng)數(shù)據(jù)電極層在曝光和蝕刻時(shí)造成數(shù)據(jù)線電極發(fā)生局部的斷 裂后，ITO金屬層通過過孔和數(shù)據(jù)電極層連接起來，將數(shù)據(jù)掃描線上產(chǎn)生的斷路連接起來， 因此不會發(fā)生斷路現(xiàn)象。同時(shí)減少了由于對數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行維修所花費(fèi)人力成本和維修時(shí) 間，大大降低了生產(chǎn)成本，且在等同條件下降低了數(shù)據(jù)掃描線的線電阻，減小了阻容延遲， 降低了信號傳輸時(shí)的相位延遲時(shí)間，大大改善了液晶顯示面板的畫面品質(zhì)和顯示質(zhì)量，提 高了產(chǎn)品的良品率。圖11為本發(fā)明液晶顯示面板的制造方法第二實(shí)施例的流程圖，上述實(shí)施例所采 用的是5mask工藝，而本實(shí)施例采用的是4mask工藝，如圖11所示，本實(shí)施例提供的液晶顯 示面板的制造方法具體包括如下步驟步驟1’、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形。步驟2’、在完成步驟1’的基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層。步驟3’、在完成步驟2’的基板上沉積半導(dǎo)體層、源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝 形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形。步驟4’、在完成步驟3’的基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過孔的 圖形。步驟5’、在完成步驟4’的基板上沉積ITO金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù) 修復(fù)線的圖形。本實(shí)施例的步驟3’中，在源漏極金屬薄膜的下方沉積半導(dǎo)體層，通過同一個(gè)掩膜 板完成對半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)掃描線的光刻過程，該掩膜板可以為多灰階光掩膜板，如半色調(diào) 掩膜板(HTM)或灰度掩膜板(GTM)。本實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板的制作方法，通過增設(shè)在數(shù)據(jù)掃描線上方增設(shè) 與其相同的數(shù)據(jù)修復(fù)線，使得數(shù)據(jù)掃描線成為雙層金屬層設(shè)計(jì)，當(dāng)數(shù)據(jù)電極層在曝光和蝕 刻時(shí)造成數(shù)據(jù)線電極發(fā)生局部的斷裂后，ITO金屬層通過過孔和數(shù)據(jù)電極層連接起來，將數(shù) 據(jù)掃描線上產(chǎn)生的斷路連接起來，因此不會發(fā)生斷路現(xiàn)象。同時(shí)減少了由于對數(shù)據(jù)掃描線 進(jìn)行維修所花費(fèi)人力成本和維修時(shí)間，大大降低了生產(chǎn)成本，且在等同條件下降低了數(shù)據(jù) 掃描線的線電阻，減小了阻容延遲，降低了信號傳輸時(shí)的相位延遲時(shí)間，大大改善了液晶顯 示面板的畫面品質(zhì)和顯示質(zhì)量，提高了產(chǎn)品的良品率。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照 較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的 技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種液晶顯示面板，包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)掃描線，在所述柵線和數(shù)據(jù)掃描線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，還包括形成在所述數(shù)據(jù)掃描線上方的與所述數(shù)據(jù)掃描線電連接的數(shù)據(jù)修復(fù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)掃描線和所述數(shù)據(jù)修 復(fù)線通過數(shù)據(jù)絕緣層中的過孔實(shí)現(xiàn)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述過孔位于所述柵線和所述 數(shù)據(jù)掃描線的交叉區(qū)域。
4.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；步驟2、在完成步驟1的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層；步驟3、在完成步驟2的所述基板上沉積源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括源 極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形；步驟4、在完成步驟3的所述基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過孔的圖形；步驟5、在完成步驟4的所述基板上沉積納米銦錫金屬氧化物金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝 形成包括數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述過孔位于所述 柵線和所述數(shù)據(jù)掃描線的交叉區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述源漏極金屬薄 膜和所述納米銦錫金屬氧化物金屬薄膜的材料相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述納米銦錫金屬 氧化物金屬薄膜的厚度為100A ~ 20000A。
8.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括步驟1’、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；步驟2’、在完成步驟1’的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層；步驟3’、在完成步驟2’的所述基板上沉積半導(dǎo)體層、源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝 形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形；步驟4’、在完成步驟3’的所述基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過孔的 圖形；步驟5’、在完成步驟4’的所述基板上沉積納米銦錫金屬氧化物金屬薄膜，通過構(gòu)圖工 藝形成包括數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板及其制造方法。液晶顯示面板的制造方法包括步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層；步驟3、在完成步驟2的基板上沉積源漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線的圖形；步驟4、在完成步驟3的基板上沉積數(shù)據(jù)絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成包括過孔的圖形；步驟5、在完成步驟4的基板上沉積納米銦錫金屬氧化物金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)修復(fù)線的圖形。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板。本發(fā)明減少了對數(shù)據(jù)掃描線進(jìn)行維修所花費(fèi)人力成本和維修時(shí)間，大大降低了生產(chǎn)成本，提高了產(chǎn)品的良品率。
文檔編號H01L21/84GK101840118SQ200910080558
公開日2010年9月22日 申請日期2009年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月20日
發(fā)明者樸相鎮(zhèn), 李于華, 柳奉烈 申請人:北京京東方光電科技有限公司