專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶面板。
背景技術(shù)：
開口率是衡量液晶顯示器(Liquid Crystal Display ；以下簡稱LCD)性能的重 要指標(biāo)之一。開口率具體是指在單元像素區(qū)內(nèi)，實際可透光區(qū)的面積與單元像素區(qū)總面積 的比率。顯然，開口率越高，光透過率也越高，在相同的背光源條件下，液晶屏的亮度越高。 因此，在工藝能力許可的情況下，應(yīng)盡可能采用高開口率的設(shè)計方案。從而在滿足液晶屏對 亮度要求的前提下，使背光源功耗降為最低，從而降低整個液晶顯示器的功耗，這也是當(dāng)今 便攜式薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display;以下簡 稱TFT-LCD)的發(fā)展趨勢之一。圖1為現(xiàn)有技術(shù)一種薄膜晶體管液晶顯示器中陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖， 圖2為圖1中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。陣列基板包括襯底基板1，在襯底基板1上呈矩陣 形式形成有單元像素區(qū)。每塊單元像素區(qū)中設(shè)置有一塊像素電極13和一個驅(qū)動開關(guān)。在 TFT-IXD中，驅(qū)動開關(guān)具體為TFT驅(qū)動開關(guān)。襯底基板1上還橫縱交叉地形成有多條數(shù)據(jù) 掃描線3和柵極掃描線2，數(shù)據(jù)掃描線3和柵極掃描線2之間通過柵極絕緣層6彼此絕緣， 數(shù)據(jù)掃描線3和像素電極13之間通過鈍化層11彼此絕緣，像素電極13之間相互斷開電連 接。每個像素電極13分別通過對應(yīng)的驅(qū)動開關(guān)與相鄰的數(shù)據(jù)掃描線3和柵極掃描線2相 連。具體的，TFT驅(qū)動開關(guān)包括柵電極4、源電極9、漏電極10、半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層 8。圖1和圖2所示為一種典型的陣列基板結(jié)構(gòu)，各層結(jié)構(gòu)的位置關(guān)系具體為多條柵極掃 描線2橫向布設(shè)在襯底基板1上，柵電極4和柵極掃描線2同層設(shè)置且相互連接，或者柵電 極4可以是柵極掃描線2的一部分，柵極掃描線2所在層一般還可以設(shè)置有公共電極線，縱 向設(shè)置在襯底基板1上，用以提供公共電壓；在柵電極4和柵極掃描線2上覆蓋有柵極絕緣 層6，用于絕緣隔離；在柵極絕緣層6上布設(shè)有半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極9、漏電 極10和縱向設(shè)置的多條數(shù)據(jù)掃描線3，其中，摻雜半導(dǎo)體層8位于半導(dǎo)體層7之上，源電極 9連接數(shù)據(jù)掃描線3，漏電極10與源電極9相對設(shè)置，用于連接像素電極13，源電極9和漏 電極10的一端分別位于摻雜半導(dǎo)體層8之上，且源電極9和漏電極10相對端之間的摻雜半 導(dǎo)體層8被刻蝕掉而形成TFT溝槽；在源電極9、漏電極10和數(shù)據(jù)掃描線3上覆蓋有鈍化層 11，且在鈍化層11對應(yīng)漏電極10的上方形成鈍化層過孔12 ；在鈍化層11上形成有像素電 極13的圖案，像素電極13通過鈍化層過孔12與漏電極10連通。從圖1中可以看出，橫向 設(shè)置的柵極掃描線2和縱向設(shè)置的數(shù)據(jù)掃描線3交錯將陣列基板劃分成多個矩陣點，即構(gòu) 成多個單元像素區(qū)。除像素電極13所在區(qū)域外，TFT驅(qū)動開關(guān)、數(shù)據(jù)掃描線3和柵極掃描線 2所在區(qū)域需要由彩膜基板上的黑矩陣所遮蓋，即為不透光的區(qū)域，黑矩陣之外的區(qū)域即為 透光區(qū)域，決定開口率的大小。由上述陣列基板的結(jié)構(gòu)可知，影響開口率大小的主要因素是黑矩陣所占區(qū)域的大 小，也即數(shù)據(jù)掃描線3和柵極掃描線2所在區(qū)域所占面積越大，則開口率越小。
在進行TFT-LCD的陣列基板設(shè)計之前，可根據(jù)預(yù)定的顯示面積和分辨率預(yù)先估算 開口率的大小。根據(jù)單元像素區(qū)和黑矩陣設(shè)計的結(jié)果可得到開口率的設(shè)計值，把設(shè)計值與 估算的開口率進行比較。若開口率的設(shè)計值太低，則可通過選擇不同的儲存電容和黑矩陣 方式，以及在不影響圖象質(zhì)量的情況下，適當(dāng)減小柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線及它們與像素電 極之間的間距等方法，使開口率得以提高?；蛘咝枰m當(dāng)增大背光源的亮度或改變液晶面 板其它部分的透過率以滿足圖像顯示對亮度的要求，或適當(dāng)降低圖象顯示對亮度的要求， 從而減小開口率的估算值?，F(xiàn)有TFT-LCD，尤其是扭曲向列(Twist Nematic ；以下簡稱TN)型TFT-LCD的主 要不足是開口率相對較小，但是通過減小柵極掃描線、源電極和漏電極的有效寬度來提高 開口率存在下述缺陷有效寬度的減小導(dǎo)致線電阻增大，阻容(RC)延遲增大，畫面顯示質(zhì) 量下降。因此，采用上述方法能夠提高的開口率十分有限。為滿足液晶顯示器亮度要求而 提高背光源亮度來彌補開口率較小的缺陷，則會增加能耗，不利于液晶顯示器小型化、便攜 化的發(fā)展
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法和液晶面板，以提高液晶顯示器 的開口率，改善顯示效果。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底基板；呈矩陣形式形成 在所述襯底基板上的各單元像素區(qū)；每塊所述單元像素區(qū)中設(shè)置有一塊像素電極和一個驅(qū) 動開關(guān)；所述襯底基板上橫縱交叉地形成有多條柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線；每個所述像素 電極分別通過對應(yīng)的驅(qū)動開關(guān)與相鄰的數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線相連，其中至少部分相鄰列像素電極所連接的兩數(shù)據(jù)掃描線形成在所述相鄰列像素電極之 間，且所述兩數(shù)據(jù)掃描線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述兩數(shù)據(jù)掃描 線的重疊部分之間設(shè)置有第一絕緣層；和/或至少部分相鄰行像素電極所連接的兩柵極掃描線形成在所述相鄰行像素電極之 間，且所述兩柵極掃描線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述兩柵極掃描 線的重疊部分之間設(shè)置有第二絕緣層。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線的圖案；在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻蝕，在 相鄰列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、第一源電極、第一漏電極、第一數(shù) 據(jù)掃描線、第二源電極和第二漏電極的圖案，所述第一數(shù)據(jù)掃描線形成在兩列相鄰單元像 素區(qū)之間，所述第一源電極連接在所述第一數(shù)據(jù)掃描線上，所述第一源電極與所述第二源 電極背對設(shè)置；在所述襯底基板上沉積第一絕緣層，并在所述第一絕緣層對應(yīng)所述第一漏電極、 第二漏電極和所述第二源電極的上方形成過孔；
在所述第一絕緣層上沉積金屬層和透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第二 數(shù)據(jù)掃描線和像素電極的圖案，所述第二數(shù)據(jù)掃描線和所述第一數(shù)據(jù)掃描線在垂直所述襯 底基板的方向上至少部分重疊，所述像素電極通過所述第一絕緣層的過孔與第一漏電極和 第二漏電極連接，所述第二數(shù)據(jù)掃描線通過所述第一絕緣層的過孔與所述第二源電極連
接。 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了再一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線的圖案；在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻蝕，在 相鄰列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層和第一數(shù)據(jù)掃描線的圖案，所述第 一數(shù)據(jù)掃描線形成在兩列相鄰單元像素區(qū)之間，且所述第一數(shù)據(jù)掃描線的圖案延伸突出到 摻雜半導(dǎo)體層的圖案之上；在所述襯底基板上沉積第一絕緣層，并在所述第一絕緣層對應(yīng)所述摻雜半導(dǎo)體層 的上方分別形成過孔；在所述第一絕緣層上沉積金屬層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第一源電極、第一漏電 極、第二源電極、第二漏電極和第二數(shù)據(jù)掃描線的圖案，所述第一源電極通過所述第一絕緣 層上的過孔與第一數(shù)據(jù)掃描線的突出部分連接，所述第一漏電極、第二源電極和第二漏電 極分別通過所述第一絕緣層上的過孔連接到摻雜半導(dǎo)體層上，所述第二數(shù)據(jù)掃描線和所述 第一數(shù)據(jù)掃描線在垂直所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述第一源電極與第二源電 極分設(shè)在第二數(shù)據(jù)掃描線的兩側(cè)；沉積透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖案，所述像素電極與 第一漏電極和第二漏電極分別連接。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了另一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積第一柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述第一柵金屬層上刻蝕形成第一柵電極和第一柵極掃描線的 圖案，所述第一柵極掃描線形成在相鄰行單元像素區(qū)之間； 在所述襯底基板上沉積第二絕緣層；在所述第二絕緣層上沉積第二柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述第二柵金屬層上刻蝕形成第二柵電極和第二柵極掃描線的 圖案，所述第二柵極掃描線與所述第一柵極掃描線在垂直所述襯底基板的方向上至少部分 重疊，所述第一柵電極和所述第二柵電極背對設(shè)置；在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上刻蝕形成半導(dǎo) 體層、摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線的圖案；在所述襯底基板上沉積鈍化層，并在所述鈍化層對應(yīng)所述漏電極的上方形成鈍化 層過孔；
在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電材料層；采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖案，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與漏電極相連。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明又提供了一種采用本發(fā)明陣列基板的液晶面板，還包括 彩膜基板，所述陣列基板與所述彩膜基板對盒設(shè)置，且所述陣列基板與所述彩膜基板之間 填充有液晶層；所述彩膜基板的襯底基板上布設(shè)有黑矩陣，所述黑矩陣包括間隔形成的第 一線條和第二線條，所述第一線條對應(yīng)設(shè)置在數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線的上方，所述第二 線條的寬度小于所述第一線條的寬度。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明采用重疊設(shè)置數(shù)據(jù)掃描線和/或柵極掃描線的技術(shù) 手段，使陣列基板上需要黑矩陣覆蓋的面積減少，因此能夠提高液晶顯示器的開口率，改善 顯示效果。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)一種薄膜晶體管液晶顯示器中陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明陣列基板第一實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中的B-B向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖3中的C-C向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖3中的D-D向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明陣列基板第二實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7中的E-E向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為圖7中的F-F向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為圖7中的L-L向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明陣列基板第三實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為圖11中的G-G向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明陣列基板第四實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為圖13中的H-H向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為本發(fā)明陣列基板一實施方式的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖16為本發(fā)明陣列基板的制造方法第一實施例的流程圖；圖17為本發(fā)明陣列基板的制造方法第一實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)圖一；圖18為圖17中的I-I向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖19為本發(fā)明陣列基板的制造方法第一實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)圖二 ；圖20為圖19中的J-J向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖21為圖19中的K-K向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖22為本發(fā)明陣列基板的制造方法第二實施例的流程圖；圖23為本發(fā)明陣列基板的制造方法第三實施例的流程圖；圖24為本發(fā)明陣列基板的制造方法第四實施例的流程圖。圖中1-襯底基板2-柵極掃描線21-第一柵極掃描線
22-第二柵極掃描線3-數(shù)據(jù)掃描線31-第一數(shù)據(jù)掃描線32-第二數(shù)據(jù)掃描線4-柵電極41-第一柵電極42-第二柵電極6-柵極絕緣層61-第二絕緣層7-半導(dǎo)體層8-摻雜半導(dǎo)體層9-源電極91-第一源電極92-第二源電極10-漏電極101-第一漏電極102-第二漏電極11-鈍化層12-鈍化層過孔13-像素電極14-第一絕緣層15-第二源電極過孔16-第一漏電極過孔17-第二漏電極過孔18-第一源電極過孔19-第二鈍化層
具體實施例方式下面通過具體實施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細(xì)描述。陣列基板第一實施例圖3為本發(fā)明陣列基板第一實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中的B-B向剖視結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖3中的C-C向剖視結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為圖3中的D-D向剖視結(jié) 構(gòu)示意圖。本申請文件各俯視結(jié)構(gòu)示意圖中均未示意出柵極絕緣層、鈍化層等絕緣材料層 的圖案。如圖3所示，該陣列基板包括襯底基板1，在襯底基板1上呈矩陣形式形成有各單 元像素區(qū)。每塊單元像素區(qū)中設(shè)置有一塊像素電極13和一個驅(qū)動開關(guān)。襯底基板1上橫 縱交叉地形成有多條數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線2，數(shù)據(jù)掃描線、柵極掃描線2和像素電極13 之間彼此絕緣。每個像素電極13分別通過對應(yīng)的驅(qū)動開關(guān)與相鄰的數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃 描線2相連。本實施例的陣列基板具體為一種TFT-IXD中的陣列基板，驅(qū)動開關(guān)具體為TFT驅(qū) 動開關(guān)。每個TFT驅(qū)動開關(guān)包括柵電極、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8，各 層的具體結(jié)構(gòu)關(guān)系為柵電極與相鄰的柵極掃描線2相連，且與該柵極掃描線2同層形成在襯底基板1 上，柵電極可以是柵極掃描線2的一部分，或者也可以是從柵極掃描線2突出的一部分。柵 極掃描線2所在層一般還可以設(shè)置有公共電極線，用以提供公共電壓。在柵電極和柵極掃 描線2上還覆蓋有柵極絕緣層6，起到絕緣隔離作用。在柵極絕緣層6上布設(shè)有半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極、漏電極和縱向設(shè)置 的多條數(shù)據(jù)掃描線。源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線一般采用相同的且阻值較低的金屬材料 制成。其中，摻雜半導(dǎo)體層8位于半導(dǎo)體層7之上，兩者重疊設(shè)置，形成在柵極絕緣層6之 上，且至少部分摻雜半導(dǎo)體層8和半導(dǎo)體層7覆蓋在至少部分柵極掃描線2的柵電極部分 上。源電極與漏電極的端部相對設(shè)置，且相對的端部覆蓋在摻雜半導(dǎo)體層8和半導(dǎo)體 層7之上，源電極和漏電極之間形成TFT溝道。源電極與相鄰的數(shù)據(jù)掃描線相連。源電極、 漏電極、半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8上覆蓋有第一絕緣層14，漏電極與相鄰的像素電極 13相連，第一絕緣層14 一般可采用低介電常數(shù)的絕緣材料制成，像素電極13通常采用透明 的金屬材料，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxides ；以下簡稱ΙΤ0)。在本實施例中，如圖3 6所示，至少部分相鄰列像素電極13所連接的兩數(shù)據(jù)掃描線形成在相鄰列像素電極13之間，且兩數(shù)據(jù)掃描線在垂直于襯底基板1的方向上至少部 分重疊，兩數(shù)據(jù)掃描線的重疊部分之間設(shè)置有第一絕緣層。本實施例兩數(shù)據(jù)掃描線重疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)具體如圖3 6所示，相鄰列像素電極13 所連接的兩數(shù)據(jù)掃描線稱為第一數(shù)據(jù)掃描線31和第二數(shù)據(jù)掃描線32。第一數(shù)據(jù)掃描線31 和第二數(shù)據(jù)掃描線32均直接或間接形成在柵極絕緣層6上，且第一絕緣層14形成在第一 數(shù)據(jù)掃描線31和第二數(shù)據(jù)掃描線32之間。第一數(shù)據(jù)掃描線31所連接的源電極可稱為第 一源電極91，第一數(shù)據(jù)掃描線31與第一源電極91同層設(shè)置。第二數(shù)據(jù)掃描線32所連接的 源電極可稱為第二源電極92，第二數(shù)據(jù)掃描線32與第二源電極92通過第一絕緣層14上的 第二源電極過孔15連接。本實施例具體是將第一數(shù)據(jù)掃描線31至少部分地或全部地重疊設(shè)置在第二數(shù)據(jù) 掃描線32之下，即第一數(shù)據(jù)掃描線31形成在柵極絕緣層6和第一絕緣層14之間，第二數(shù) 據(jù)掃描線32形成在第一絕緣層14之上。第一數(shù)據(jù)掃描線31所連接的第一源電極91和對 應(yīng)的第一漏電極101，以及第二數(shù)據(jù)掃描線32所連接的第二源電極92和對應(yīng)的第二漏電 極102均形成在柵極絕緣層6和第一絕緣層14之間，與第一數(shù)據(jù)掃描線31同層設(shè)置。第 二數(shù)據(jù)掃描線32通過第二源電極過孔15與第二源電極92相連。像素電極13形成在第一 絕緣層14和第二數(shù)據(jù)掃描線32之上，像素電極13通過第一絕緣層14上的第一漏電極過 孔16與第一漏電極101相連，且通過第一絕緣層14上的第二漏電極過孔17與第二漏電極 102連接。像素電極13的透明導(dǎo)電材料可以形成在第二數(shù)據(jù)掃描線32的上方，但是并不起 到像素電極13的作用，同時也不影響第二數(shù)據(jù)掃描線32的工作。 本實施例中，半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8是與第一數(shù)據(jù)掃描線31在一次掩膜下 刻蝕形成的，因此也形成在第一數(shù)據(jù)掃描線31之下，具體應(yīng)用中，僅柵電極與源電極和漏 電極之間的半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8是發(fā)揮其自身作用的。因此，半導(dǎo)體層7和摻雜 半導(dǎo)體層8可以如圖4、5、6所示形成在第一數(shù)據(jù)掃描線31之下，與第一數(shù)據(jù)掃描線31在 一次構(gòu)圖工藝中形成，或者半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8的圖案也可以獨立采用一次構(gòu)圖 工藝形成。本實施例的技術(shù)方案因為數(shù)據(jù)掃描線的重疊設(shè)置，相當(dāng)于在整個陣列基板上需要 黑矩陣覆蓋的面積減少了部分?jǐn)?shù)據(jù)掃描線的寬度，顯然，陣列基板的開口率得到提高，液晶 顯示器的顯示性能可以得到改善。陣列基板第二實施例圖7為本發(fā)明陣列基板第二實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7中的E-E 向剖視結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為圖7中的F-F向剖視結(jié)構(gòu)示意圖，圖10為圖7中的L-L向剖視 結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中第一數(shù)據(jù)掃描線31位于第二數(shù)據(jù)掃描線32之下，與上述第一實 施例的區(qū)別在于第一源電極91、第一漏電極101、第二源電極92和第二漏電極102形成在 第一絕緣層14之上，與第二數(shù)據(jù)掃描線32同層設(shè)置。在本實施例中，第一數(shù)據(jù)掃描線31的圖案包括突出的一部分，延伸到摻雜半導(dǎo)體 層8之上，該突出的部分通過第一絕緣層14上對應(yīng)第一源電極91的第一源電極過孔18與 第一源電極91連接，且第一漏電極101通過第一絕緣層14上的第一漏電極過孔16連接到 摻雜半導(dǎo)體層8上，第二數(shù)據(jù)掃描線32直接與第二源電極92相連，第二源電極92通過第 一絕緣層14上的第二源電極過孔15連接到摻雜半導(dǎo)體層8上，且第二漏電極102通過第一絕緣層14上的第二漏電極過孔17連接到摻雜半導(dǎo)體層8上。像素電極13直接與第一 漏電極101和第二漏電極102相連。半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8仍形成在柵極絕緣層6之上，位于第一數(shù)據(jù)掃描線 31之下，或者半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體層8可以獨立形成，例如半導(dǎo)體層7和摻雜半導(dǎo)體 層8可以形成在第一絕緣層14上與源電極和漏電極直接連接，而第一數(shù)據(jù)掃描線31通過 第一絕緣層14上的第一源電極過孔18與第一源電極91連接。本實施例的技術(shù)方案能夠通過重疊數(shù)據(jù)掃描線而減少陣列基板上需要黑矩陣覆 蓋的面積，從而提高開口率，改善液晶顯示器性能。在上述實施例中，源電極、漏電極并不限于與所連接的數(shù)據(jù)掃描線同層布設(shè)，也可 以均通過第一絕緣層上的過孔連接?；蛘呖梢缘谝辉措姌O、第一漏電極與第一數(shù)據(jù)掃描線 同層布設(shè)，第二源電極、第二漏電極與第二數(shù)據(jù)掃描線同層布設(shè)，像素電極通過第一絕緣層 上的過孔連接非同層設(shè)置的漏電極。從制作工藝的角度考慮，上述第一實施例為較佳的實 施例方案。陣列基板第三實施例 圖11為本發(fā)明陣列基板第三實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖12為圖11中的 G-G向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例可以第一實施例為基礎(chǔ)，第一數(shù)據(jù)掃描線31至少部分重 疊設(shè)置在第二數(shù)據(jù)掃描線32之下，且陣列基板還包括第二鈍化層19，形成在第一絕緣層14 上，覆蓋第二數(shù)據(jù)掃描線32。像素電極13形成在第二鈍化層19上，通過第二鈍化層19上 的過孔與第一漏電極101和第二漏電極102分別連接。具體的，第二鈍化層19可以形成與 第一漏電極過孔16和第二漏電極過孔17貫通的過孔，像素電極13通過貫通的過孔連接第 一漏電極101和第二漏電極102。本實施例的技術(shù)方案能夠通過重疊數(shù)據(jù)掃描線而減少陣列基板上需要黑矩陣覆 蓋的面積，從而提高開口率，改善液晶顯示器性能。并且，設(shè)置第二鈍化層可以使像素電極 與第二數(shù)據(jù)掃描線完全隔離開，以提高顯示圖像的可靠性。上述技術(shù)方案也可以應(yīng)用到第二實施例中，則像素電極可以僅通過第二鈍化層上 的對應(yīng)過孔與漏電極相連。在本發(fā)明的上述實施例中，設(shè)置在鈍化層上的各過孔是為了連 接上下兩層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，因此過孔在需要連接的相應(yīng)位置設(shè)置即可。陣列基板第四實施例圖13為本發(fā)明陣列基板第四實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖14為圖13中的 H-H向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中數(shù)據(jù)掃描線3間隔設(shè)置，或者也可以重疊設(shè)置，本實施 例與第一實施例的區(qū)別在于柵極掃描線的設(shè)置方式如下至少部分相鄰行像素電極13所連接的兩柵極掃描線形成在相鄰行像素電極13之 間，且兩柵極掃描線在垂直于襯底基板1的方向上至少部分重疊，兩柵極掃描線的重疊部 分之間設(shè)置有第二絕緣層61。具體的，相鄰行像素電極13所連接的兩柵極掃描線為第一柵極掃描線21和第二 柵極掃描線22。第一柵極掃描線21與所連接的第一柵電極41同層形成在襯底基板1上， 并覆蓋在第二絕緣層61之下；第二柵極掃描線22與所連接的第二柵電極42同層形成在第 二絕緣層61之上，并覆蓋在柵極絕緣層6之下。本實施例中，第二絕緣層61可以是另一個 柵極絕緣層，主要起到使第一柵極掃描線21和第二柵極掃描線22絕緣的作用。
柵電極可以通過柵極絕緣層上的過孔與柵極掃描線連接，但是從制作工藝復(fù)雜性 的角度考慮，同層形成相連的柵電極和柵極掃描線是較佳的技術(shù)方案，并且，通?？梢詫?極掃描線的一部分作為柵電極。本實施例的技術(shù)方案能夠通過重疊柵極掃描線來減少陣列基板上需要黑矩陣覆 蓋的面積，從而提高開口率，改善液晶顯示器性能。在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，驅(qū)動開關(guān)并不限于為TFT驅(qū)動開關(guān)，還可以為采用 其他驅(qū)動原理設(shè)置的開關(guān)。本發(fā)明上述實施例中重疊柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線的技術(shù)方案 可以結(jié)合使用，如圖15所示，則可以顯著提高液晶顯示器的開口率。柵極掃描線 的重疊可 以每兩行相鄰像素電極的柵極掃描線都重疊，也可以有部分柵極掃描線重疊，數(shù)據(jù)掃描線 也可以是部分的數(shù)據(jù)掃描線重疊，同樣能夠達(dá)到提高開口率的效果。陣列基板的制造方法第一實施例圖16為本發(fā)明陣列基板的制造方法第一實施例的流程圖，該方法包括如下步驟步驟AlOO、在襯底基板1上沉積柵金屬層；步驟A200、采用構(gòu)圖工藝在柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線2的圖案， 柵電極為柵極掃描線2中的一部分，如圖17和圖18所示，圖17為本發(fā)明陣列基板的制造 方法第一實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)圖一，圖18為圖17中的I-I向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；步驟A300、在襯底基板1上沉積柵極絕緣層6，柵極絕緣層6的材料可以為氮化硅 (SiNx)；步驟A400、在柵極絕緣層6上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層，半 導(dǎo)體材料可以為非結(jié)晶硅(a-Si)，摻雜半導(dǎo)體材料可以為η型非結(jié)晶硅(n+a-Si)；步驟A500、采用構(gòu)圖工藝在半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻 蝕，在相鄰列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、第一源電極91、第一漏電 極101、第一數(shù)據(jù)掃描線31、第二源電極92和第二漏電極102的圖案，第一數(shù)據(jù)掃描線31 形成在兩列相鄰單元像素區(qū)之間，第一源電極91連接在第一數(shù)據(jù)掃描線31上，第一源電極 91與第二源電極92背對設(shè)置，如圖19、20和21所示，圖19為本發(fā)明陣列基板的制造方法 第一實施例的局部俯視結(jié)構(gòu)圖二，圖20為圖19中的J-J向剖視結(jié)構(gòu)示意圖，圖21為圖19 中的K-K向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；步驟A600、在襯底基板1上沉積第一絕緣層14，并在第一絕緣層14對應(yīng)第一漏電 極101、第二漏電極102和第二源電極92的上方形成過孔，即第一漏電極過孔16、第二漏電 極過孔17和第二源電極過孔15 ；步驟A700、在第一絕緣層14上依次沉積金屬層和透明導(dǎo)電材料層，可以采用兩次 構(gòu)圖工藝分別刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線32和像素電極13的圖案，或者可以先沉積透明導(dǎo) 電材料層再沉積金屬層，而后通過兩次刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線32和像素電極13的圖案。 第二數(shù)據(jù)掃描線32和第一數(shù)據(jù)掃描線31在垂直襯底基板1的方向上至少部分重疊，像素 電極13通過第一絕緣層13的第一漏電極過孔16與第一漏電極101連接，通過第二漏電極 過孔17與第二漏電極102連接，第二數(shù)據(jù)掃描線32通過第一絕緣層14的第二源電極過孔 15與第二源電極92連接，可參見圖3 6所示。本實施例的技術(shù)方案適用于制作本發(fā)明的陣列基板，因為數(shù)據(jù)掃描線的重疊設(shè) 置，相當(dāng)于在整個陣列基板上需要黑矩陣覆蓋的面積減少了部分?jǐn)?shù)據(jù)掃描線的寬度，顯然，陣列基板的開口率得到提高，液晶顯示器的顯示性能可以得到改善。在上述步驟A700中，在第一絕緣層上沉積金屬層和透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工 藝刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線和像素電極的圖案具體還可以采用下述步驟實現(xiàn)步驟A701、在第一絕緣層14上沉積金屬層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描 線32的圖案，第二數(shù)據(jù)掃描線32和第一數(shù)據(jù)掃描線31在垂直襯底基板1的方向上至少部 分重疊，第二數(shù)據(jù)掃描線32通過第一絕緣層14的第二源電極過孔15與第二源電極92連 接；步驟A702、在襯底基板1上沉積第二鈍化層19，覆蓋第二數(shù)據(jù)掃描線32，并在第二 鈍化層19對應(yīng)第一漏電極101的上方形成第一漏電極過孔16，對應(yīng)第二漏電極102的上方 形成第二漏電極過孔17;步驟A703、在第二鈍化層19上沉積透明導(dǎo)電材料層；步驟A704、采用構(gòu)圖工藝在透明導(dǎo)電材料層上刻蝕形成像素電極13的圖案，像素 電極13 通過第一絕緣層14和第二鈍化層19上的過孔與第一漏電極101和第二漏電極102 連接，可以參見圖11和圖12所示。上述技術(shù)方案可以用于制作本發(fā)明陣列基板第三實施例，同樣能夠減少數(shù)據(jù)掃描 線需要覆蓋的面積，提高液晶顯示器開口率。陣列基板的制造方法第二實施例圖22為本發(fā)明陣列基板的制造方法第二實施例的流程圖，該方法可以制造本發(fā) 明陣列基板第二實施例，可參見圖7 10所示，該方法包括如下步驟步驟C100、在襯底基板1上沉積柵金屬層；步驟C200、采用構(gòu)圖工藝在柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線2的圖案；步驟C300、在襯底基板1上沉積柵極絕緣層6 ；步驟C400、在柵極絕緣層6上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層；步驟C500、采用構(gòu)圖工藝在半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻 蝕，在相鄰列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8和第一數(shù)據(jù)掃描線31的圖 案，第一數(shù)據(jù)掃描線31形成在兩列相鄰單元像素區(qū)之間，且第一數(shù)據(jù)掃描線31的圖案延伸 突出到摻雜半導(dǎo)體層8的圖案之上；步驟C600、在襯底基板1上沉積第一絕緣層14，并在第一絕緣層14對應(yīng)摻雜半導(dǎo) 體層8的上方分別形成過孔，即第一源電極過孔18、第一漏電極過孔16、第二源電極過孔15 和第二漏電極過孔17;步驟C700、在第一絕緣層14上沉積金屬層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第一源電極 91、第一漏電極101、第二源電極92、第二漏電極102和第二數(shù)據(jù)掃描線32的圖案，第一源 電極91通過第一絕緣層14上的第一源電極過孔18與第一數(shù)據(jù)掃描線31的突出部分連 接，第一漏電極101、第二源電極92和第二漏電極102分別通過第一絕緣層14上的第一漏 電極過孔16、第二源電極過孔15和第二漏電極過孔17連接到摻雜半導(dǎo)體層8上，第二數(shù)據(jù) 掃描線32和第一數(shù)據(jù)掃描線31在垂直襯底基板1的方向上至少部分重疊，第一源電極91 與第二源電極92分設(shè)在第二數(shù)據(jù)掃描線32的兩側(cè)；步驟C800、沉積透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極13的圖案，像 素電極13與第一漏電極101和第二漏電極102分別連接。
陣列基板的制造方法第三實施例
圖23為本發(fā)明陣列基板的制造方法第三實施例的流程圖，該方法所制造的陣列 基板可參考圖13和圖14所示，且該方法包括如下步驟步驟B100、在襯底基板1上沉積第一柵金屬層；步驟B200、采用構(gòu)圖工藝在第一柵金屬層上刻蝕形成第一柵電極41和第一柵極 掃描線21的圖案，第一柵極掃描線21形成在相鄰行單元像素區(qū)之間；步驟B300、在襯底基板1上沉積第二絕緣層61 ；步驟B400、在第二絕緣層61上沉積第二柵金屬層；步驟B500、采用構(gòu)圖工藝在第二柵金屬層上刻蝕形成第二柵電極42和第二柵極 掃描線22的圖案，第二柵極掃描線22與第一柵極掃描線21在垂直襯底基板1的方向上至 少部分重疊，第一柵電極41和第二柵電極42背對設(shè)置；步驟B600、在襯底基板1上沉積柵極絕緣層6 ；步驟B700、在柵極絕緣層6上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層；步驟B800、采用構(gòu)圖工藝在半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上刻蝕形 成半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極9、漏電極10和數(shù)據(jù)掃描線3的圖案；步驟B900、在襯底基板1上沉積鈍化層11，并在鈍化層11對應(yīng)漏電極10的上方 形成鈍化層過孔12 ；步驟B1000、在鈍化層11上沉積透明導(dǎo)電材料層；步驟B1100、采用構(gòu)圖工藝在透明導(dǎo)電材料層上刻蝕形成像素電極13的圖案，像 素電極13通過鈍化層過孔12與漏電極10相連。本實施例的技術(shù)方案可以制造本發(fā)明陣列基板第四實施例，本實施例的技術(shù)方案 能夠通過重疊柵極掃描線來減少陣列基板上需要黑矩陣覆蓋的面積，從而提高開口率，改 善液晶顯示器性能。陣列基板的制造方法第四實施例圖24為本發(fā)明陣列基板的制造方法第四實施例的流程圖，該方法所制造的陣列 基板可參考圖15所示，且該方法可以結(jié)合上述陣列基板的制造方法第一實施例和第三實 施例的技術(shù)方案，具體包括如下步驟步驟B100、在襯底基板上沉積第一柵金屬層；步驟B200、采用構(gòu)圖工藝在第一柵金屬層上刻蝕形成第一柵電極和第一柵極掃描 線的圖案，第一柵極掃描線形成在相鄰行單元像素區(qū)之間；步驟B300、在襯底基板上沉積第二絕緣層；步驟B400、在第二絕緣層上沉積第二柵金屬層；步驟B500、采用構(gòu)圖工藝在第二柵金屬層上刻蝕形成第二柵電極和第二柵極掃描 線的圖案，第二柵極掃描線與第一柵極掃描線在垂直襯底基板的方向上至少部分重疊，第 一柵電極和第二柵電極背對設(shè)置；步驟A300、在襯底基板上沉積柵極絕緣層；步驟A400、在柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層；步驟A500、采用構(gòu)圖工藝在半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻 蝕，在相鄰列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、第一源電極、第一漏電極、第一數(shù)據(jù)掃描線、第二源電極和第二漏電極的圖案，第一數(shù)據(jù)掃描線形成在兩列相鄰單元像 素區(qū)之間，第一源電極連接在第一數(shù)據(jù)掃描線上，第一源電極與第二源電極背對設(shè)置；
步驟A600、在襯底基板上沉積第一絕緣層，并在第一絕緣層對應(yīng)第一漏電極、第二 漏電極和第二源電極的上方形成過孔，即第一漏電極過孔、第二漏電極過孔和第二源電極 過孔；步驟A700、在第一絕緣層上依次沉積金屬層和透明導(dǎo)電材料層，可以采用兩次構(gòu) 圖工藝分別刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線和像素電極的圖案，或者可以先沉積透明導(dǎo)電材料層 再沉積金屬層，而后通過兩次刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線和像素電極的圖案，像素電極通過 第一絕緣層和第二鈍化層上的過孔與第一漏電極和第二漏電極連接，第二數(shù)據(jù)掃描線和第 一數(shù)據(jù)掃描線至少部分重疊。本發(fā)明的陣列基板，以及本發(fā)明陣列基板的制造方法所制造的陣列基板可以有效 提高開口率，以19英寸寬屏(Winch)為例，如果其數(shù)據(jù)掃描線的寬度為5. 5微米，則采用本 發(fā)明的技術(shù)方案可以提高開口率15%左右。液晶面板實施例本發(fā)明液晶面板實施例中，該液晶面板包括本發(fā)明任一實施例的陣列基板，還包 括一彩膜基板，陣列基板與彩膜基板對盒設(shè)置，且陣列基板與彩膜基板之間填充有液晶層； 彩膜基板的襯底基板上布設(shè)有黑矩陣，黑矩陣包括間隔形成的第一線條和第二線條，第一 線條對應(yīng)設(shè)置在數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線的上方，第二線條的寬度小于第一線條的寬度。黑矩陣由橫縱交叉的線條組成，以往黑矩陣的線條與數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線的 寬度對應(yīng)，在本實施例中，由于在陣列基板上的數(shù)據(jù)掃描線和/或柵極掃描線是間隔地形 成在兩像素電極之間的，所以在間隔中沒有數(shù)據(jù)掃描線或柵極掃描線形成的兩像素電極之 間，可以根據(jù)需要選擇性地設(shè)置擋光條，且在彩膜基板上對應(yīng)形成寬度減小的第二線條，在 數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線的上方仍對應(yīng)以應(yīng)有寬度的第一線條遮擋。由于采用了本發(fā)明的陣列基板，部分?jǐn)?shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線重疊設(shè)置，因此可 以相應(yīng)的減少彩膜基板上黑矩陣的面積，從而提高液晶顯示器的開口率。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種陣列基板，包括襯底基板，呈矩陣形式形成在所述襯底基板上的各單元像素區(qū)；每塊所述單元像素區(qū)中設(shè)置有一塊像素電極和一個驅(qū)動開關(guān)；所述襯底基板上橫縱交叉地形成有多條柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線；每個所述像素電極分別通過對應(yīng)的驅(qū)動開關(guān)與相鄰的數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線相連，其特征在于至少部分相鄰列像素電極所連接的兩數(shù)據(jù)掃描線形成在所述相鄰列像素電極之間，且所述兩數(shù)據(jù)掃描線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述兩數(shù)據(jù)掃描線的重疊部分之間設(shè)置有第一絕緣層；和/或至少部分相鄰行像素電極所連接的兩柵極掃描線形成在所述相鄰行像素電極之間，且所述兩柵極掃描線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述兩柵極掃描線的重疊部分之間設(shè)置有第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于每個所述驅(qū)動開關(guān)包括柵電極、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，且 所述柵電極與相鄰的柵極掃描線相連，所述柵電極和所述柵極掃描線上覆蓋有柵極絕緣層；所述摻雜半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層重疊設(shè)置，形成在所述柵極絕緣層上，且覆蓋在至少部 分所述柵電極上；所述漏電極與所述源電極的端部相對設(shè)置，且相對的端部覆蓋在所述摻雜半導(dǎo)體層和 半導(dǎo)體層之上；所述源電極與相鄰的數(shù)據(jù)掃描線相連，所述漏電極與相鄰的像素電極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于相鄰列像素電極所連接的所述兩數(shù)據(jù)掃描線為第一數(shù)據(jù)掃描線和第二數(shù)據(jù)掃描線； 所述第一數(shù)據(jù)掃描線和所述第二數(shù)據(jù)掃描線形成在柵極絕緣層上，且在所述第一數(shù)據(jù) 掃描線和所述第二數(shù)據(jù)掃描線之間形成有所述第一絕緣層；所述第一數(shù)據(jù)掃描線與所連接的源電極同層設(shè)置或通過所述第一絕緣層上的過孔連 接，所述第二數(shù)據(jù)掃描線與所連接的源電極同層設(shè)置或通過所述第一絕緣層上的過孔連 接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于所述第一數(shù)據(jù)掃描線至少部分重疊設(shè)置在所述第二數(shù)據(jù)掃描線之下； 所述像素電極形成在所述第一絕緣層和所述第二數(shù)據(jù)掃描線之上，所述像素電極與漏 電極直接連接或通過所述第一絕緣層上的過孔連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于所述第一數(shù)據(jù)掃描線至少部分重疊設(shè)置在所述第二數(shù)據(jù)掃描線之下； 且所述陣列基板還包括第二鈍化層，形成在所述第一絕緣層上，覆蓋所述第二數(shù)據(jù)掃 描線；所述像素電極形成在所述第二鈍化層上，通過所述第二鈍化層上的過孔與對應(yīng)的漏電 極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于相鄰行像素電極所連接的所述兩柵極掃描線為第一柵極掃描線和第二柵極掃描線； 所述第一柵極掃描線與所連接的柵電極同層形成在所述襯底基板上，并覆蓋在第二絕緣層之下；所述第二柵極掃描線與所連接的柵電極同層形成在所述第二絕緣層之上，并覆蓋在柵 極絕緣層之下。
7.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在襯底基板上沉積柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線的圖案； 在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層； 采用構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻蝕，在相鄰 列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、第一源電極、第一漏電極、第一數(shù)據(jù)掃 描線、第二源電極和第二漏電極的圖案，所述第一數(shù)據(jù)掃描線形成在兩列相鄰單元像素區(qū) 之間，所述第一源電極連接在所述第一數(shù)據(jù)掃描線上，所述第一源電極與所述第二源電極 背對設(shè)置；在所述襯底基板上沉積第一絕緣層，并在所述第一絕緣層對應(yīng)所述第一漏電極、第二 漏電極和所述第二源電極的上方形成過孔；在所述第一絕緣層上沉積金屬層和透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第二數(shù)據(jù) 掃描線和像素電極的圖案，所述第二數(shù)據(jù)掃描線和所述第一數(shù)據(jù)掃描線在垂直所述襯底基 板的方向上至少部分重疊，所述像素電極通過所述第一絕緣層的過孔與第一漏電極和第二 漏電極連接，所述第二數(shù)據(jù)掃描線通過所述第一絕緣層的過孔與所述第二源電極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述第一絕緣層上沉 積金屬層和透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線和像素電極的圖案具 體包括在所述第一絕緣層上沉積金屬層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第二數(shù)據(jù)掃描線的圖案，所 述第二數(shù)據(jù)掃描線和所述第一數(shù)據(jù)掃描線在垂直所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所 述第二數(shù)據(jù)掃描線通過所述第一絕緣層的過孔與所述第二源電極連接；在所述襯底基板上沉積第二鈍化層，覆蓋所述第二數(shù)據(jù)掃描線，并在所述第二鈍化層 對應(yīng)所述第一漏電極和第二漏電極的上方形成過孔； 在所述第二鈍化層上沉積透明導(dǎo)電材料層；采用構(gòu)圖工藝在所述透明導(dǎo)電材料層上刻蝕形成像素電極的圖案，所述像素電極通過 所述第一絕緣層和所述第二鈍化層上的過孔與第一漏電極和第二漏電極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上沉積柵金 屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線的圖案，具體包括在襯底基板上沉積第一柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述第一柵金屬層上刻蝕形成第一柵電極和第一柵極掃描線的圖案， 所述第一柵極掃描線形成在相鄰行單元像素區(qū)之間； 在所述襯底基板上沉積第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上沉積第二柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述第二柵金屬層上刻蝕形成第二柵電極和第二柵極掃描線的圖案， 所述第二柵極掃描線與所述第一柵極掃描線在垂直所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述第一柵電極和所述第二柵電極背對設(shè)置。
10.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在襯底基板上沉積柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述柵金屬層上刻蝕形成柵電極和柵極掃描線的圖案； 在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層； 采用構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上進行刻蝕，在相鄰 列單元像素區(qū)中分別形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層和第一數(shù)據(jù)掃描線的圖案，所述第一數(shù) 據(jù)掃描線形成在兩列相鄰單元像素區(qū)之間，且所述第一數(shù)據(jù)掃描線的圖案延伸突出到摻雜 半導(dǎo)體層的圖案之上；在所述襯底基板上沉積第一絕緣層，并在所述第一絕緣層對應(yīng)所述摻雜半導(dǎo)體層的上 方分別形成過孔；在所述第一絕緣層上沉積金屬層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成第一源電極、第一漏電極、第 二源電極、第二漏電極和第二數(shù)據(jù)掃描線的圖案，所述第一源電極通過所述第一絕緣層上 的過孔與第一數(shù)據(jù)掃描線的突出部分連接，所述第一漏電極、第二源電極和第二漏電極分 別通過所述第一絕緣層上的過孔連接到摻雜半導(dǎo)體層上，所述第二數(shù)據(jù)掃描線和所述第一 數(shù)據(jù)掃描線在垂直所述襯底基板的方向上至少部分重疊，所述第一源電極與第二源電極分 設(shè)在第二數(shù)據(jù)掃描線的兩側(cè)；沉積透明導(dǎo)電材料層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖案，所述像素電極與第一 漏電極和第二漏電極分別連接。
11.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在襯底基板上沉積第一柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述第一柵金屬層上刻蝕形成第一柵電極和第一柵極掃描線的圖案， 所述第一柵極掃描線形成在相鄰行單元像素區(qū)之間； 在所述襯底基板上沉積第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上沉積第二柵金屬層；采用構(gòu)圖工藝在所述第二柵金屬層上刻蝕形成第二柵電極和第二柵極掃描線的圖案， 所述第二柵極掃描線與所述第一柵極掃描線在垂直所述襯底基板的方向上至少部分重疊， 所述第一柵電極和所述第二柵電極背對設(shè)置； 在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層； 采用構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體材料層、摻雜半導(dǎo)體材料層和金屬層上刻蝕形成半導(dǎo)體 層、摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線的圖案；在所述襯底基板上沉積鈍化層，并在所述鈍化層對應(yīng)所述漏電極的上方形成鈍化層過孔；在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電材料層；采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖案，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與漏電極 相連。
12.一種包括權(quán)利要求1 6任一所述的陣列基板的液晶面板，其特征在于還包括彩膜基板，所述陣列基板與所述彩膜基板對盒設(shè)置，且所述陣列基板與所述彩膜基板之間填充有液晶層；所述彩膜基板的襯底基板上布設(shè)有黑矩陣，所述黑矩陣包括間隔形成的第一 線條和第二線條，所述第一線條對應(yīng)設(shè)置在數(shù)據(jù)掃描線和柵極掃描線的上方，所述第二線 條的寬度小于所述第一線條的寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶面板。該陣列基板中至少部分相鄰列像素電極所連接的兩數(shù)據(jù)掃描線形成在相鄰列像素電極之間，且兩數(shù)據(jù)掃描線在垂直于襯底基板的方向上至少部分重疊，兩數(shù)據(jù)掃描線的重疊部分之間設(shè)置有第一絕緣層；和/或至少部分相鄰行像素電極所連接的兩柵極掃描線形成在相鄰行像素電極之間，且兩柵極掃描線在垂直于襯底基板的方向上至少部分重疊，兩柵極掃描線的重疊部分之間設(shè)置有第二絕緣層。三種制造方法可用于制造本發(fā)明的陣列基板，該液晶面板包括本發(fā)明的陣列基板。本發(fā)明重疊設(shè)置的數(shù)據(jù)掃描線和/或柵極掃描線能夠提高液晶顯示器的開口率，改善顯示效果。
文檔編號H01L21/768GK101847640SQ200910080900
公開日2010年9月29日 申請日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者劉翔, 林承武, 謝振宇, 陳旭 申請人:北京京東方光電科技有限公司