專利名稱：：光電轉(zhuǎn)換器件、其設(shè)計和制造方法以及成像系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換器件、成像系統(tǒng)、光電轉(zhuǎn)換器件設(shè)計方法和光電轉(zhuǎn)換器件制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，諸如CMOS傳感器的光電轉(zhuǎn)換器件被用于諸如數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)的2D圖像輸入裝置以及諸如傳真裝置和掃描儀的1D圖像讀取裝置中。在光電轉(zhuǎn)換器件中，在二維或一維地排列的多個光電二極管上形成對象圖像。光電二極管產(chǎn)生與光對應(yīng)的電荷，從而產(chǎn)生圖像信號。光電轉(zhuǎn)換器件需要增大光電二極管的靈敏度。根據(jù)在日本專利公開No.2000-012822中公開的技術(shù)，在每一光電二極管上形成抗反射膜，以減少被每一光電二極管的表面反射的光的量。根據(jù)日本專利公開No.2000-012822，多個光電二極管能有效地產(chǎn)生與光對應(yīng)的電荷，從而增大光電二極管的靈敏度。近來，光電轉(zhuǎn)換器件在預(yù)定的芯片面積中需要較大數(shù)量的像素。必須減少單位像素占用的面積。在一些情況下，需要使得光電轉(zhuǎn)換器件小型化。通過減少由單位像素占用的面積來減少用于形成預(yù)定數(shù)量的像素的芯片面積。當(dāng)在半導(dǎo)體襯底中形成STI(ShallowTrenchIsolation,淺溝槽隔離)元件隔離部分時，能減小多個光電二極管之間的間隔。利用這種布置，能減小由單位像素占用的面積，從而容易地增加在預(yù)定的芯片面積中的像素的數(shù)量。由于能減小單位像素占用的面積而不用減小光電二極管的面積，因此能減小用于形成預(yù)定數(shù)量的像素的芯片面積。隨著單位像素占用的面積減小，需要進(jìn)一步減小光電二極管(光電轉(zhuǎn)換單元)的尺寸以及元件隔離部分的尺寸。元件隔離部分的尺寸受到在光電轉(zhuǎn)換器件中使用的電源電壓的限制。與減小光電二極管的尺寸相比，減小元件隔離部分的尺寸更困難。當(dāng)減小單位像素占用的面積時，光電二極管的尺寸的收縮率有時變得比元件隔離部分的尺寸的收縮率高。隨著單位像素占用的面積減小，光電二極管的絕對面積減小，并且單位像素中的光電二極管占用的相對面積也會減小。本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)以下問題。隨著單位像素占用的面積減小，光電二極管的(絕對和相對)面積減小，并且相鄰的光電二極管之間的間隔有時減小。在這種情況下，布置在光電二極管和濾色器之間的線(line)之間的間隔也會減小。如果線之間的間隔減小，那么穿過它的光發(fā)生衍射，從而增大不進(jìn)入光電二極管而進(jìn)入元件隔離部分的光的比率。進(jìn)入元件隔離部分的光中的大部分常常被元件隔離部分的上面(upperface)反射。替代性地，光從元件隔離部分的上面進(jìn)入里面，被側(cè)面或底面反射，并從元件隔離部分的上面向上離開。不僅光電二極管的面積減小，而且進(jìn)入光電二極管的光的比率也減小。結(jié)果，光電二極管的靈敏度會大大降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是，光電轉(zhuǎn)換進(jìn)入元件隔離部分的光，以產(chǎn)生電荷并使用它們作為信號。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種光電轉(zhuǎn)換器件，該光電轉(zhuǎn)換器件包括被布置在半導(dǎo)體襯底中的多個光電轉(zhuǎn)換單元；包含第一絕緣膜和第二絕緣膜的第一抗反射部分，所述第一絕緣膜被布置在光電轉(zhuǎn)換單元上并具有第一折射率，所述第二絕緣膜被布置在第一絕緣膜上并具有第二折射率；以及包含元件隔離部分和第三絕緣膜的第二抗反射部分，所述元件隔離部分被布置在半導(dǎo)體襯底上、使所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有第三折射率的絕緣體，所述第三絕緣膜比第二絕緣膜厚、被布置在元件隔離部分上、并具有所述第二折射率，其中，第一抗反射部分減少光電轉(zhuǎn)換單元中的進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元的光的反射，并且，第二抗反射部分減少元件隔離部分中的進(jìn)入元件隔離部分的光的反射。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種光電轉(zhuǎn)換器件，該光電轉(zhuǎn)換器件包括被布置在半導(dǎo)體襯底上的多個光電轉(zhuǎn)換單元；被布置在光電轉(zhuǎn)換單元上并具有第一折射率的第一絕緣膜；被布置在第一絕緣膜上并具有第二折射率的第二絕緣膜；被布置在半導(dǎo)體襯底上、使所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有第三折射率的絕緣體的元件隔離部分；以及比第二絕緣膜厚、被布置在元件隔離部分上、并具有所述第二折射率的第三絕緣膜，其中，第二折射率比第一折射率高并且比第三折射率高。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種成像系統(tǒng)，該成像系統(tǒng)包括根據(jù)本發(fā)明的第一方面的光電轉(zhuǎn)換器件；在光電轉(zhuǎn)換器件的圖像感測表面上形成圖像的光學(xué)系統(tǒng)；以及處理從光電轉(zhuǎn)換器件輸出的信號以產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的信號處理單元。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種成像系統(tǒng)，該成像系統(tǒng)包括根據(jù)本發(fā)明的第二方面的光電轉(zhuǎn)換器件；在光電轉(zhuǎn)換器件的圖像感測表面上形成圖像的光學(xué)系統(tǒng)；以及處理從光電轉(zhuǎn)換器件輸出的信號以產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的信號處理單元。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供一種光電轉(zhuǎn)換器件的設(shè)計方法，該光電轉(zhuǎn)換器件包括被布置在半導(dǎo)體襯底中的多個光電轉(zhuǎn)換單元；第一抗反射部分，包含被布置在光電轉(zhuǎn)換單元上并具有第一折射率的第一絕緣膜，并包含被布置在第一絕緣膜上并具有第二折射率的第二絕緣膜；以及第二抗反射部分，包含被布置在半導(dǎo)體村底上、使所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有第三折射率的絕緣體的元件隔離部分，并包含被布置在元件隔離部分上、并具有所述第二折射率的第三絕緣膜，該方法包括第一步驟，獲得當(dāng)以與第二絕緣膜的厚度相同的厚度在元件隔離部分上形成第三絕緣膜時的元件隔離部分中的反射率(reflectance);以及第二步驟，獲得第三絕緣膜的厚度，以將元件隔離部分中的反射率設(shè)為比在笫一步驟中獲得的反射率低。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供一種光電轉(zhuǎn)換器件的制造方法，該光電轉(zhuǎn)換器件具有半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中，布置有用于產(chǎn)生與光對應(yīng)的電荷的多個光電轉(zhuǎn)換單元，該方法包括第一步驟，在半導(dǎo)體襯底上形成將所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有笫一折射率的絕緣體的元件隔離部分；第二步驟，在所述多個光電轉(zhuǎn)換單元上形成具有第二折射率的第一絕緣膜；第三步驟，在第一絕緣膜上形成具有第三折射率的第二絕緣膜；以及第四步驟，以被確定為將元件隔離部分中的反射率設(shè)為低于當(dāng)以與第二絕緣膜的厚度相同的厚度在元件隔離部分上形成具有第三折射率的第三絕緣膜時獲得的反射率的厚度，在元件隔離部分上形成第三絕緣膜。本發(fā)明可光電轉(zhuǎn)換進(jìn)入元件隔離部分的光，以產(chǎn)生電荷并使用它們作為信號。從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將變得明顯。圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的電路布置的電路圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的截面結(jié)構(gòu)的截面圖3是顯示像素的陣列的平面圖4是顯示每一部分的折射率的示圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的截面結(jié)構(gòu)的截面圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件設(shè)計方法(制造方法)的流程圖7是顯示氮化硅膜的厚度及其透射率(transmittance)之間的關(guān)系的曲線圖；以及圖8是顯示應(yīng)用有根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的成像系統(tǒng)的配置的框圖。具體實施例方式本發(fā)明針對在數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等中使用的光電轉(zhuǎn)換器件及其制造方法。在以下的描述中，給定目標(biāo)的"減少反射，，意味著通過調(diào)整多重反射條件來減小目標(biāo)的反射率。將參照圖1至3解釋根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件200的示意性布置。圖l是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件200的電路布置的電路圖。圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件200的光電轉(zhuǎn)換單元的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3是顯示像素P的陣列的平面圖。圖2顯示沿圖3中的線A-A'取得的截面。光電轉(zhuǎn)換器件200具有像素陣列區(qū)域220和周邊區(qū)域210。周邊區(qū)域210位于^^素陣列區(qū)域220的周圍。在周邊區(qū)域210中布置控制電路等。控制電路包含用于控制多個像素P的電路和用于從像素P輸出信號的電路?？刂齐娐钒缬糜趻呙柘袼豍的行的垂直掃描電路VSR、用于從各列上的像素P讀出信號的讀出電路RC、以及用于掃描讀出電路的列的水平掃描電路HSR。讀出電路包含例如用于放大來自像素P的信號的電路、以及用于向后級輸出讀出的信號的輸出線和開關(guān)。在周邊區(qū)域210中，控制電路包含晶體管，所述晶體管中的每一個包含布置在半導(dǎo)體襯底SB(參見圖2)中的源極或漏極區(qū)域以及布置在半導(dǎo)體襯底SB上的柵電極。在像素陣列區(qū)域220中，二維地(沿行方向和列方向)排列多個像素P(參見圖l和圖3)。在與一個像素P對應(yīng)的區(qū)域PR(參見圖2)中，布置半導(dǎo)體襯底SB，線131和133,層間膜130、132和134,濾色器20,第一抗反射部分106,第二抗反射部分126,半導(dǎo)體區(qū)域5，平坦化層21和微透鏡22。如圖1所示，每一像素P包含復(fù)位晶體管25、光電轉(zhuǎn)換單元27、傳輸門(transfergate)9、浮置擴(kuò)散(以下^皮稱為FP)7和放大晶體管29。復(fù)位晶體管25包含布置在半導(dǎo)體襯底SB中的源極或漏極區(qū)域以及布置在半導(dǎo)體村底SB上的柵電極。復(fù)位晶體管25將FD7復(fù)位。10光電轉(zhuǎn)換單元27被布置在光接收區(qū)域101中的半導(dǎo)體襯底SB中(參見圖2)。光電轉(zhuǎn)換單元27通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生與入射光(例如，入射光IR1)對應(yīng)的電荷并積累它們。光電轉(zhuǎn)換單元27例如為光電二極管，并包含電荷積累區(qū)域103和保護(hù)層105。電荷積累區(qū)域103積累通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電荷。保護(hù)層105被形成為防止電荷積累區(qū)域103從表面露出，以保護(hù)電荷積累區(qū)域103。傳輸門9被布置在半導(dǎo)體襯底SB上。傳輸門9將在光電轉(zhuǎn)換單元27中積累的電荷傳輸?shù)紽D7。FD7被布置在半導(dǎo)體襯底SB中。FD7將電荷轉(zhuǎn)換成電壓(信號)。放大晶體管29包含布置在半導(dǎo)體襯底SB中的源極或漏極區(qū)域以及布置在半導(dǎo)體襯底SB上的柵電極。放大晶體管29與連接到列信號線SL的電流源負(fù)載(未示出)一起執(zhí)行源極跟隨器操作，由此放大從FD7輸入的信號，并將放大的信號輸出到列信號線SL。以此方式，從像素P讀出信號。每一元件隔離部分127包含絕緣體，并且絕緣體由例如氧化硅形成。元件隔離部分127被布置在元件隔離區(qū)域102中的半導(dǎo)體襯底SB中。元件隔離部分127將包含于每一《象素P中的多個元件25、27、7、9、29等電隔離，并將像素相互電隔離。例如，元件隔離部分127將多個光電轉(zhuǎn)換單元27電隔離。由半導(dǎo)體村底中的元件隔離部分127限定的區(qū)域?qū)⒈环Q為有源區(qū)域。在半導(dǎo)體襯底SB中與元件隔離部分127的側(cè)部和下部相鄰地形成用作對于信號電荷的勢壘的導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域5。例如，當(dāng)光電轉(zhuǎn)換單元27的電荷積累區(qū)域103被形成為n型半導(dǎo)體區(qū)域以積累電子的負(fù)電荷作為信號電荷時，半導(dǎo)體區(qū)域5的導(dǎo)電類型為p型。線131和133凈皮布置在半導(dǎo)體襯底SB之上。線131和133用作用于將信號從垂直掃描電路VSR供給到每一像素P的布線(wiringline)和用于傳送從每一像素P輸出的信號的布線(例如，列信號線SL)。線131和133由金屬形成。為了便于描述，在圖2中沒有示出第三層以及隨后層的線。層間膜130、132和134#皮布置在半導(dǎo)體襯底SB之上。層間膜130、132和134被布置為使線131和133與另外的層絕緣。層間膜130、132和134中的每一個由諸如氧化硅的絕緣體形成。濾色器20被布置在半導(dǎo)體襯底SB，線131和133，以及層間膜130、132和134之上。濾色器20被布置在各光電轉(zhuǎn)換單元27之上。濾色器20在預(yù)定的波長(參見后面將描述的表l)處具有光鐠透射率峰值。還可在層間膜134和濾色器20之間布置氧氮化硅膜、氮化硅膜、層間透鏡、平坦化層等。第一抗反射部分106具有包含第一絕緣膜107和第二絕緣膜108的多層結(jié)構(gòu)。第一絕緣膜107被布置在半導(dǎo)體襯底SB上。第二絕緣膜108被布置在半導(dǎo)體襯底SB上。第一抗反射部分106減少光電轉(zhuǎn)換單元27中的進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27的光(例如，入射光IRl)的反射。第一絕緣膜107形成于多個光電轉(zhuǎn)換單元27上，并且還可用作例如晶體管的柵絕緣膜。第二絕緣膜108形成于第一絕緣膜107上。第一絕緣膜107具有第一折射率nl,并且第二絕緣膜108具有第二折射率n2。第二折射率n2采取層間膜130的折射率和光電轉(zhuǎn)換單元27的折射率之間的值。第二折射率n2比第一折射率nl高，并采取第一折射率nl和光電轉(zhuǎn)換單元27的折射率之間的值。第二絕緣膜108具有第一厚度dl。第一厚度dl采取足以在光電轉(zhuǎn)換單元27中減少已穿過濾色器20并進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27的光的反射的值。第一抗反射部分106減小光電轉(zhuǎn)換單元27中的反射率。更具體而言，由于以下原因，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定第二絕緣膜108的厚度，在光電轉(zhuǎn)換單元27中減少進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27的光的反射。當(dāng)?shù)谝唤^緣膜107還用作晶體管(例如，圖1所示的傳輸門9、復(fù)位晶體管25或放大晶體管29)的柵絕緣膜時，根據(jù)晶體管的性能所需要的電特性來設(shè)定第一絕緣膜107的厚度。相反，第二絕緣膜108的厚度具有高的設(shè)計自由度。光電轉(zhuǎn)換單元27中的反射率表示最終反射到層間膜130的光與已穿過層間膜130并進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27的光的比率。在第一抗反射部分106中，第一絕緣膜107由例如氧化硅形成，并且第二絕緣膜108由例如氮化硅形成。第二抗反射部分126具有包含元件隔離部分127和第三絕緣膜128的多層結(jié)構(gòu)。元件隔離部分127被布置在半導(dǎo)體襯底SB中。第三絕緣膜128被布置在半導(dǎo)體襯底SB上。第二抗反射部分126減少元件隔離部分127中的進(jìn)入元件隔離部分127的光(例如，入射光IR2)的反射。結(jié)果，光能進(jìn)入元件隔離部分127周圍的半導(dǎo)體區(qū)域(在半導(dǎo)體襯底中與元件隔離部分127相鄰的區(qū)域例如，半導(dǎo)體區(qū)域5)。第三絕緣膜128形成于元件隔離部分127上。元件隔離部分127包含具有第一折射率nl的絕緣體，并且第三絕緣膜128具有第二折射率n2。第二折射率n2采取層間膜130的折射率和半導(dǎo)體區(qū)域5的折射率之間的值。第二折射率n2采取第一折射率nl和半導(dǎo)體區(qū)域5的折射率之間的值。第三絕緣膜128具有第二厚度d2。第二厚度d2比第一厚度dl大。第二厚度d2采取足以在元件隔離部分127中減少已穿過濾色器20并進(jìn)入元件隔離部分127的光的反射的值。在這種情況下，元件隔離部分127的絕緣體的折射率被設(shè)為第一折射率nl，但是也可被設(shè)為與第一折射率nl不同的第三折射率n3。能在形成元件隔離部分127時適當(dāng)?shù)卦O(shè)定折射率，因此能容易地由具有與第一折射率nl不同的折射率的材料形成元件隔離部分127。第二抗反射部分126減小元件隔離部分127中的反射率。更具體而言，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定第三絕緣膜128的厚度，來減少元件隔離部分127中的進(jìn)入元件隔離部分127的光的反射。這是由于元件隔離部分127的厚度根據(jù)元件隔離部分127的元件隔離性能所需要的電特性被設(shè)定，而第三絕緣膜128的厚度具有高的設(shè)計自由度。元件隔離部分127中的反射率表示最終反射到層間膜130的光與已穿過層間膜130并進(jìn)入元件隔離部分127的光的比率。在第二抗反射部分126中，元件隔離部分127的絕緣體由例如氧化硅形成，并且第三絕緣膜128由例如氮化硅形成。半導(dǎo)體區(qū)域5被布置在半導(dǎo)體襯底SB中。半導(dǎo)體區(qū)域5被布置為覆蓋元件隔離部分127的下部。半導(dǎo)體區(qū)域5以比阱區(qū)域104的濃度高的濃度包含導(dǎo)電類型與阱區(qū)域104的導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)。當(dāng)光電轉(zhuǎn)換單元27的電荷積累區(qū)域103被形成為n型半導(dǎo)體區(qū)域以積累電子的負(fù)電荷作為信號電荷時，阱區(qū)域104和半導(dǎo)體區(qū)域5的導(dǎo)電類型為p型。半導(dǎo)體區(qū)域5具有如下功能形成對于電荷的勢壘，以減少在光電轉(zhuǎn)換單元27中積累的電荷向相鄰像素P的光電轉(zhuǎn)換單元27的泄漏。半導(dǎo)體區(qū)域5還可具有減少來自元件隔離部分127的缺陷的泄漏電流的功能。半導(dǎo)體區(qū)域5還可既具有減少電荷向相鄰像素的泄漏的功能，又具有減少泄漏電流的功能?？蛇M(jìn)一步形成以比阱區(qū)域104的濃度高的濃度包含導(dǎo)電類型與阱區(qū)域104的導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)的其它半導(dǎo)體區(qū)域110和111。半導(dǎo)體區(qū)域110和111具有如下功能形成對于電荷的勢壘，以減少電荷向相鄰的光電轉(zhuǎn)換單元27的泄漏。平坦化層21被布置在半導(dǎo)體襯底SB之上。平坦化層21被形成為覆蓋濾色器20，并且其上表面通過CMP等被平坦化。平坦化層21由例如與抗蝕劑類似的樹脂形成。微透鏡22被布置在半導(dǎo)體村底SB之上。微透鏡22將入射光(例如，入射光IR1和入射光IR2)引導(dǎo)至線131之間的間隔。^皮引導(dǎo)至線131之間的間隔的光的一部分(例如，入射光IR1)被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換單元27。剩余部分(例如，入射光IR2)衍射，并被引導(dǎo)至元件隔離部分127。隨著單位像素P占用的面積Ai(參見圖3)減小，光電轉(zhuǎn)換單元27的尺寸L2和元件隔離部分127的尺寸Ll兩者均減小。元件隔離部分127的尺寸Ll受到在光電轉(zhuǎn)換器件200中使用的電源電壓的限制。與減小光電轉(zhuǎn)換單元27的尺寸L2相比，減小元件隔離部分127的尺寸L1更困難。當(dāng)減小單位像素P占用的面積Ai時，光電轉(zhuǎn)換單元27的尺寸L2的收縮率變得比元件隔離部分127的尺寸Ll的收縮率高。隨著單位像素P占用的面積A"咸小，光電轉(zhuǎn)換單元27的絕對面積A"咸小，并且光電轉(zhuǎn)換單元27在單位像素P中占用的相對面積(A2/Aj也會減小。隨著單位像素P占用的面積減小，光電轉(zhuǎn)換單元27的(絕對和相對)面積減小，并且，相鄰的光電轉(zhuǎn)換單元27之間的間隔DP(參見圖2)有時減小。在這種情況下，垂直布置在光電轉(zhuǎn)換單元27和濾色器20之間的線131之間的間隔DL也會減小。本發(fā)明人執(zhí)行的模擬的結(jié)果揭示，隨著線131之間的間隔DL減小，在衍射時不進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27而進(jìn)入元件隔離部分127的光與已穿過線131之間的間隔的光的比率增大。將檢查如下情況單位像素占用的面積減小，并且光電轉(zhuǎn)換單元27中的進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27的光的反射率和元件隔離部分127中的進(jìn)入元件隔離部分127的光的反射率均不減小。在這種情況下，光電轉(zhuǎn)換單元27的面積減小，并且，進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27的光與已穿過濾色器20的光的比率也減小。結(jié)果，光電轉(zhuǎn)換單元27的靈敏度會減小。在大多數(shù)情況下，進(jìn)入元件隔離部分127的光被元件隔離部分127的側(cè)面127c或底面127b反射，并且從元件隔離部分127的上面127a向上離開。被元件隔離部分127反射的光可在被布線等反射的同時進(jìn)入遠(yuǎn)處的〗象素。相反，根據(jù)本實施例，第一抗反射部分106減少光電轉(zhuǎn)換單元27中的進(jìn)入多個光電轉(zhuǎn)換單元27的光(例如，入射光IR1)的反射。更具體而言，被引導(dǎo)至線131之間的間隔的光中的在衍射時被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換單元27的光實際上穿過第一抗反射部分106，并被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換單元27。第二抗反射部分126減少元件隔離部分127中的進(jìn)入元件隔離部分127的光(例如，入射光IR2)的反射。更具體而言，被引導(dǎo)至線131之間的間隔的光中的在衍射時被引導(dǎo)至元件隔離部分127的光實際上穿過第二抗反射部分126,并且，所述光的至少一部分通過光電轉(zhuǎn)換單元27被光電轉(zhuǎn)換成電荷。轉(zhuǎn)換的電荷作為用作信號的電荷被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換單元27的電荷積累區(qū)域103。由此，光電轉(zhuǎn)換單元27不僅能捕獲與進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27本身的光(例如，入射光IR1)對應(yīng)的電荷，而且還能捕獲與進(jìn)入元件隔離部分127的光(例如，入射光IR2)對應(yīng)的電荷。即使當(dāng)在減小單位像素P占用的面積時增加不進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元27而進(jìn)入元件隔離部分127的光的比率時，這也能抑制光電轉(zhuǎn)換單元27的靈敏度的降低。半導(dǎo)體區(qū)域5還可被布置為容易地捕獲與進(jìn)入元件隔離部分127的光對應(yīng)的電荷。將詳細(xì)解釋第二抗反射部分126。進(jìn)入具有上述結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換器件200的光(例如，入射光IR1和入射光IR2)以給定的概率到達(dá)與光接收區(qū)域101相鄰的元件隔離區(qū)域102。在光接收區(qū)域101中，光電轉(zhuǎn)換單元27#1布置。在元件隔離區(qū)域102中，元件隔離部分127^皮布置。已到達(dá)元件隔離區(qū)域102的入射光IR2在元件隔離部分127的上面127a和底面127b之間被反復(fù)反射，并以預(yù)定概率穿過底面127b。換句話說，第二抗反射部分126減小元件隔離區(qū)域102中的光的反射。已穿過元件隔離部分127的底面127b的光的至少一部分通過光電轉(zhuǎn)換單元27被光電轉(zhuǎn)換，并被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換單元27的電荷積累區(qū)域103。例如，通過計算獲得當(dāng)具有550nm的波長的光進(jìn)入線131之間的間隔DL約為1pm并且線131距光電轉(zhuǎn)換單元27的表面27a的高度約為0.8nm的結(jié)構(gòu)時的一個像素區(qū)域(參見圖2的區(qū)域PR)的光強(qiáng)度分布。結(jié)果揭示，約10%的入射光到達(dá)與光接收區(qū)域101相鄰的元件隔離區(qū)域102。如果所有的已到達(dá)元件隔離區(qū)域102的光能被收集并被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換單元27，那么光電轉(zhuǎn)換單元27的靈敏度能被改善約10%。將解釋圖2所示的第一厚度dl和第二厚度d2的確定方法。將例示如下情況光電轉(zhuǎn)換單元27和半導(dǎo)體區(qū)域5由硅形成，層間膜130、第一絕緣膜107和元件隔離部分127由氧化硅膜形成，并且第二絕緣膜108和第三絕緣膜128由氮化硅膜形成。第二絕緣膜108(氮化硅膜)的折射率"2.00"為層間膜130(氧化硅)的折射率"1.46"和光電轉(zhuǎn)換單元27(硅)的折射率"3.0至5.9"之間的值(參見圖4)。第二絕緣膜108(氮化硅膜)具有第一厚度dl。第一厚度dl采取足以減少光電轉(zhuǎn)換單元27中的已穿過濾色16器20的光的反射的值。例如,當(dāng)?shù)谝唤^緣膜107的厚度為7.5nm并且穿過濾色器20的光的波長為550nm時，第二絕緣膜108的厚度(圖2所示的第一厚度dl)被設(shè)為50nm(參見下面的表l)。在這種情況下，光電轉(zhuǎn)換單元27中的反射率為9%(表l中沒有示出)。同時，第三絕緣膜128(氮化硅膜)的折射率"2.00"為層間膜130(氧化硅)的折射率"1.46"和半導(dǎo)體區(qū)域5(硅)的折射率"3.0至5.9"之間的值(參見圖4)。第三絕緣膜128(氮化硅膜)具有第二厚度d2。第二厚度d2比第一厚度dl大。第二厚度d2采取足以減少元件隔離部分127中的已穿過濾色器20的光的反射的值。確定第二厚度d2的值，使得元件隔離區(qū)域102中的元件隔離部分127中的反射率變得低于當(dāng)?shù)谌^緣膜128的厚度與第二絕緣膜108類似地被設(shè)為第一厚度dl時獲得的反射率。例如，當(dāng)元件隔離部分127的厚度為300nm并且穿過濾色器20的光的波長為550nm時，第三絕緣膜128的厚度4皮設(shè)為50nm的第一厚度dl(參見下面的表l)。在這種情況下，元件隔離部分127中的反射率為63%。此外，第三絕緣膜128的厚度(圖2所示的第二厚度d2)被設(shè)為130nm，使得元件隔離部分127中的多重反射的反射率變得比63%低(參見下面的表1)。在這種情況下，元件隔離區(qū)域102中的元件隔離部分127中的反射率為15°/。。類似地，獲得了當(dāng)元件隔離部分127的厚度^i殳為300nm和100nm并且穿過濾色器20的光的波長凈皮i殳為500nm、550nm和600nm時元件隔離區(qū)域102中的元件隔離部分127中的反射率。表l顯示在第二絕緣膜108和第三絕緣膜128的厚度彼此相等的情況與它們彼此不同的情況(例如，第三絕緣膜128的厚度比第二絕緣膜108的厚度大的情況)之間比較的結(jié)果。<表1><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表1所示，通過將第三絕緣膜128的厚度(圖2所示的第二厚度d2)設(shè)為比第二絕緣膜108的厚度(圖2所示的第一厚度dl)大，元件隔離區(qū)域102中的元件隔離部分127中的反射率被減小。應(yīng)當(dāng)注意，只要元件隔離部分127中的反射率變得低于當(dāng)?shù)谌^緣膜128的厚度與第二絕緣膜108類似地被設(shè)為第一厚度dl時獲得的反射率，那么第二厚度d2也可被設(shè)為比第一厚度dl小。當(dāng)元件隔離部分127具有300nm的厚度時，它也可采用例如STI元件隔離結(jié)構(gòu)或LOCOS(硅局部氧化，LOCalOxidationofSilicon)元件隔離結(jié)構(gòu)。當(dāng)元件隔離部分127具有100nm的厚度時，它也可采用例如梯形臺面(mesa)隔離型元件隔離結(jié)構(gòu)或在溝槽中堆疊絕緣膜的元件隔離結(jié)構(gòu)。如表1所示，在穿過濾色器20的光具有500nm、550nm和600nm的波長的前提下已檢查了反射率。但是，波長不限于此。當(dāng)使用與多種顏色對應(yīng)的濾色器時，也可使用穿過與各顏色對應(yīng)的濾色器的光束的波長的平均值或穿過與任意顏色對應(yīng)的濾色器的光的波長，來檢查反射率。穿過濾色器的光的波長也可以為濾色器的光譜透射率處于峰值的波長。如圖5所示，沿與沿圖3中的線A-A'取得的截面垂直的方向沿線B-B'取得的截面的結(jié)構(gòu)與沿線A-A'取得的截面的結(jié)構(gòu)(參見圖2)類似。即，本實施例能類似地被應(yīng)用于沿線B-B'取得的截面。包含于第一抗反射部分106中的第二絕緣膜108和包含于第二抗反射部分126中的第三絕緣膜128也可通過在像素陣列區(qū)域220中全部(entirely)形成它們而被同時形成，并且也可由連續(xù)膜形成。但是，執(zhí)行用于選擇性蝕刻或另外形成第二絕緣膜108或第三絕緣膜128的處理，以使得它們的厚度彼此不同。如圖5所示，也可從FD7(參見圖l)去除連續(xù)膜。這有助于在FD7上形成接觸插塞(contactplug)。不僅可從FD7上的區(qū)域、而且可從形成另一接觸的區(qū)域(例如，晶體管的源極或漏極區(qū)域上的區(qū)域)去除該連續(xù)膜。該連續(xù)膜還能在形成4妄觸時凈皮用作蝕刻停止膜。第二絕緣膜108和第三絕緣膜128也可由相同的材料(例如，氮化硅)或不同的材料形成，只要它們具有類似的折射率(與第二折射率n2類似)即可。也可考慮衍射的影響而設(shè)計第三絕緣膜128的尺寸Ll(參見圖3)。在線131之間的間隔DL約為1pm并且線131距光電轉(zhuǎn)換單元27的表面27a的高度為500nm或更小的結(jié)構(gòu)中，衍射光進(jìn)入的位置可被視為與光電轉(zhuǎn)換單元27的表面27a的末端分開500nm或更小的位置。表面27a是封閉表面。假定具有500nm的尺寸Ll的第三絕緣膜128被布置在幾乎為正方形的光電轉(zhuǎn)換單元27的周圍，該正方形的一邊為1.6jim長。在這種情況下，氮化硅膜是一邊為2.6|im長的正方形。這是由于0.5pmx2(兩側(cè))+1.6|im-2.6pm。由此，當(dāng)元件隔離部分127具有300nm的厚度時，進(jìn)行蝕刻處理，從而以130nm的厚度對于每個光電轉(zhuǎn)換單元27將第三絕緣膜128形成為2.6Kim的正方形。此外，執(zhí)行蝕刻處理，以在光電轉(zhuǎn)換單元27上將第二絕緣膜108蝕刻成1.6jum的正方形、50nm厚。通過光刻法執(zhí)行該蝕刻處理，因此光掩模被事先設(shè)計，以對于所有的光電轉(zhuǎn)換單元27執(zhí)行相同的蝕刻處理。由于沒有在周邊區(qū)域210(參見圖1)中布置多個光電轉(zhuǎn)換單元27，因此也可以不形成第三絕緣膜128。代替第三絕緣膜128，也可在元件隔離部分127上形成通過調(diào)整成膜條件和密度而使其折射率從單晶硅的值5.5減小到小于4.0的多晶硅或多孔硅。多晶硅或多孔硅膜需要對于已穿過濾色器20的光實現(xiàn)95%或更大的高透射率。出于這個原因，調(diào)整多晶硅或多孔硅膜的厚度，使得元件隔離部分127中的反射率變得低于當(dāng)?shù)谌^緣膜128的厚度與第二絕緣膜108類似地被設(shè)為第一厚度dl時獲得的反射率。例如，調(diào)整膜厚度，以將元件隔離部分127中的反射率設(shè)為小于50至63%(參見表1)。將參照圖6解釋根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件200的設(shè)計(制造)方法。圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光電轉(zhuǎn)換器件200的設(shè)計和制造方法的流程圖。圖6顯示當(dāng)在光電轉(zhuǎn)換器件中布置第二和第三絕緣膜時的膜厚度設(shè)計次序，在所述光電轉(zhuǎn)換器件中，設(shè)計了覆蓋有第一絕緣膜的多個光電轉(zhuǎn)換單元27、其它元件、元件隔離部分。在步驟Sl中，工藝設(shè)計數(shù)據(jù)被輸入到計算機(jī)(未示出)的輸入單元(未示出)。工藝設(shè)計數(shù)據(jù)是用于諸如工藝CAD的工藝設(shè)計程序的圖案數(shù)據(jù)。工藝設(shè)計數(shù)據(jù)包含布置像素陣列區(qū)域220和周邊區(qū)域210并且在像素陣列區(qū)域220中布置多個光電轉(zhuǎn)換單元27的信息(設(shè)計期間的光電轉(zhuǎn)換器件的信息)。輸入單元接受用于形成第一和第二絕緣膜的第一指令。輸入單元將工藝設(shè)計數(shù)據(jù)和第一指令供給到CPU(未示出)。CPU經(jīng)由輸入單元獲取工藝設(shè)計數(shù)據(jù)(圖案數(shù)據(jù))。CPU基于第一指令如下改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)。更具體而言，CPU改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)，以在多個光電轉(zhuǎn)換單元27上形成具有第一折射率nl的第一絕緣膜107(第二步驟)，并以第一厚度dl在第一絕緣膜107上形成具有第二折射率n2的第二絕緣膜108(第三步驟)。CPU改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)，以在像素陣列區(qū)域220中布置第一抗反射部分106。在步驟S2中，輸入單元接受用于臨時形成元件隔離部分127、半導(dǎo)體區(qū)域5和第三絕緣膜128的第二指令。輸入單元將第二指令供給到CPU。CPU基于第二指令如下改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)。更具體而言，CPU改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)，從而以第三厚度d3形成具有第一折射率nl的元件隔離部分127(第一步驟)，并以第一厚度dl在元件隔離部分127上形成具有第二折射率n2的第三絕緣膜128?；诘诙噶?，CPU20還改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)，以形成與元件隔離部分127相鄰的半導(dǎo)體區(qū)域5(第五步驟)。輸入單元接受用于形成線131和層間膜130的第三指令。輸入單元將第三指令供給到CPU?；诘谌噶睿珻PU改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)，以在第二絕緣膜108和第三絕緣膜128上形成層間膜130(第六步驟)，并在層間膜130上形成線131。CPU通過使用式(l)至(4)計算光電轉(zhuǎn)換單元27中的反射率R,和元件隔離部分127中的反射率R2:Ri=(n畫roexp(國isj)+(1-nroexp(-is^)...(1)這里，^和r。是第一絕緣膜107的上面107a和底面107b上的反射率。s，=4Tinldlcos0/X...(2)這里，e是光的入射角，？i是光的波長。R2=(r3-r2exp(-is2))+(1-r3r2exp(-is2))...(3)這里，1"3和1"2是元件隔離部分127的上面127a和底面127b上的反射率。s2=4mildlcose/i…(4)這里，e是光的入射角，人是光的波長。在步驟S3中，CPU改變第三絕緣膜128的厚度，使得元件隔離部分127中的反射率變得比R2低。CPU將第三絕緣膜128的厚度變?yōu)槔绲诙穸萪2。在步驟S4中，CPU對于在改變之后具有厚度d2的第三絕緣膜128計算元件隔離部分127中的反射率。更具體而言，CPU通過在式(3)和(4)中用d2代替dl來計算反射率Ru，而不是Rz。CPU確定新計算的反射率R^是否比在步驟S2中計算的反射率R2低。如果CPU確定反射率Rm比反射率R2低，那么過程前進(jìn)到步驟S5。如果CPU確定反射率R21等于或高于反射率R2，那么過程返回步驟S3。CPU還可在屏幕上顯示反射率Ru和R2，并且經(jīng)由輸入單元從觀看屏幕的用戶(設(shè)計者)接受表示反射率Ru是否比反射率R2低的信息。在這種情況下，用戶直接確定反射率R^是否比反射率R2低?；诮邮艿谋硎痉瓷渎蔙^是否比反射率R2低的信息，CPU能確定反射率Ru是否比反射率議2低。通過重復(fù)步驟S3和S4的循環(huán)，CPU確定第二厚度d2。結(jié)果，第二厚度d2被設(shè)為元件隔離部分127中的反射率變得低于當(dāng)?shù)谌^緣膜128的厚度與第二絕緣膜108類似地被設(shè)為第一厚度dl時獲得的反射率的值。在步驟S5中，CPU改變工藝設(shè)計數(shù)據(jù)，以在元件隔離部分127上以第二厚度d2形成第三絕緣膜128(第四步驟)。通過參照'H.Kubota，"AppliedOptics"，pp.95-97，Iwanami，Tokyo,1959，形成上述的式(1)至(4):Rx=(rx-R[x-l]exp(-isx))/(l-rxR[x-lexp(-isx))ex=4加xdxeos6/X這里，rx是x層的上面的反射率，nx是x層的折射率，dx是x層的厚度，G是光的入射角，入是光的波長，R[x-l]是x層下的復(fù)數(shù)(complex)型反射率?？梢匀绫韑所示離散地或如圖7所示連續(xù)地表示通過式(1)至(4)計算的反射率R，和R2。圖7是顯示氮化硅膜的厚度與其透射率之間的關(guān)系的曲線圖。在圖7中，橫坐標(biāo)軸表示氮化硅膜的厚度，縱坐標(biāo)軸表示透射率(=100%-反射率)。在圖7中，粗的曲線與元件隔離部分相對薄的情況對應(yīng)，虛的曲線與元件隔離部分相對厚的情況對應(yīng)。如從圖7明顯可見的那樣，透射率即反射率根據(jù)厚度而周期性改變。在圖7中，從與高透射率對應(yīng)的厚度選擇可實現(xiàn)的值。一般地，考慮到至第一布線層(即，最下面的布線層)的距離，將厚度設(shè)為10nm至200nm的值。在本實施例中，從表1選擇的厚度是在概念上與圖7中的A和B對應(yīng)的最小厚度。圖8顯示應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換器件的成像系統(tǒng)的例子。如圖8所示，成像系統(tǒng)90主要包含光學(xué)系統(tǒng)、圖像感測裝置86和信號處理單元。光學(xué)系統(tǒng)主要包含快門(shutter)91、透鏡92和光闌(stop)93。圖像感測裝置86包含光電轉(zhuǎn)換器件200。信號處理單元主要包含感測信號處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96、圖像信號處理器97、存儲器87、外部I/F89、定時發(fā)生器98、總體控制/運(yùn)算單元99、記錄介質(zhì)88和記錄介質(zhì)控制I/F94。信號處理單元可以不包含記錄介質(zhì)88?？扉T91在光路上被布置在透鏡92的前面，以控制曝光。透鏡92將入射光折射，以在圖像感測裝置86的光電轉(zhuǎn)換器件200的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域中形成對象圖像。光闌93在光路上被插入在透鏡92和光電轉(zhuǎn)換器件200之間。光闌93調(diào)整在穿過透鏡92之后被引導(dǎo)至光電轉(zhuǎn)換器件200的光的量。圖像感測裝置86的光電轉(zhuǎn)換器件200將在像素陣列區(qū)域220的圖像感測表面(像素陣列)上形成的對象圖像轉(zhuǎn)換成圖像信號。圖像感測裝置86的光電轉(zhuǎn)換器件200從像素陣列讀出圖像信號，并將其輸出。感測信號處理電路95與圖像感測裝置86連接，并處理從圖像感測裝置86輸出的圖像信號。A/D轉(zhuǎn)換器96與感測信號處理電路95連接。A/D轉(zhuǎn)換器96將從感測信號處理電路95輸出的處理的圖像信號(模擬信號)轉(zhuǎn)換成圖像信號(數(shù)字信號)。圖像信號處理器97與A/D轉(zhuǎn)換器96連接。圖像信號處理器97對從A/D轉(zhuǎn)換器96輸出的圖像信號(數(shù)字信號)執(zhí)行諸如校正的各種運(yùn)算處理，從而產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)。圖像信號處理器97將圖像數(shù)據(jù)供給到存儲器87、外部I/F89、總體控制/運(yùn)算單元99、記錄介質(zhì)控制I/F94等。存儲器87與圖像信號處理器97連接，并存儲從圖像信號處理器97輸出的圖像數(shù)據(jù)。外部I/F89與圖像信號處理器97連接。從圖像信號處理器97輸出的圖像數(shù)據(jù)經(jīng)由外部I/F89被傳輸?shù)酵獠吭O(shè)備(例如，個人計算機(jī))。定時發(fā)生器98被連接到圖像感測裝置86、感測信號處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96和圖4象信號處理器97。定時發(fā)生器98向圖像感測裝置86、感測信號處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96和圖像信號處理器97供給定時信號。圖像感測裝置86、感測信號處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96和圖像信號處理器97同步于定時信號而操作?？傮w控制/運(yùn)算單元99被連接到定時發(fā)生器98、圖像信號處理器97和記錄介質(zhì)控制I/F94，并對它們所有進(jìn)行控制。記錄介質(zhì)88可拆卸地與記錄介質(zhì)控制I/F94連接。從圖像信號處理器97輸出的圖像數(shù)據(jù)經(jīng)由記錄介質(zhì)控制I/F94被記錄在記錄介質(zhì)88上。利用該布置，只要光電轉(zhuǎn)換器件200能獲得高質(zhì)量的圖像信號，它就能提供高質(zhì)量的圖像(圖像數(shù)據(jù))。在上述的實施例中，阱區(qū)域104為p型，但是也可為n型。在這種情況下，與電荷積累區(qū)域103相比，n型阱區(qū)域104被更輕地?fù)诫s。阱區(qū)域104的導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體區(qū)域5、110和111的導(dǎo)電類型相反。雖然已參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開的示例性實施例。以下的權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋，以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。2權(quán)利要求1.一種光電轉(zhuǎn)換器件，包括被布置在半導(dǎo)體襯底中的多個光電轉(zhuǎn)換單元；包含第一絕緣膜和第二絕緣膜的第一抗反射部分，所述第一絕緣膜被布置在光電轉(zhuǎn)換單元上并具有第一折射率，所述第二絕緣膜被布置在第一絕緣膜上并具有第二折射率；以及包含元件隔離部分和第三絕緣膜的第二抗反射部分，所述元件隔離部分被布置在所述半導(dǎo)體襯底中、使所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有第三折射率的絕緣體，所述第三絕緣膜比第二絕緣膜厚、被布置在所述元件隔離部分上、并具有第二折射率，其中，第一抗反射部分減少所述光電轉(zhuǎn)換單元中的進(jìn)入所述光電轉(zhuǎn)換單元的光的反射，以及第二抗反射部分減少所述元件隔離部分中的進(jìn)入所述元件隔離部分的光的反射。2.根據(jù)權(quán)利要求l的器件，其中，層間膜被布置在第三絕緣膜上，半導(dǎo)體區(qū)域被布置在所述半導(dǎo)體襯底中與所述元件隔離部分相鄰的位置處，以及第二折射率采取所述層間膜的折射率和所述光電轉(zhuǎn)換單元或所述半導(dǎo)體區(qū)域的折射率之間的值。3.根據(jù)權(quán)利要求2的器件，其中，第一絕緣膜、所述元件隔離部分的絕緣體、和所述層間膜由氧化硅形成，以及第二絕緣膜和第三絕緣膜由氮化硅形成。4.根據(jù)權(quán)利要求l的器件，其中，第三折射率等于第一折射率。5.根據(jù)權(quán)利要求l的器件，其中，濾色器被布置在所述多個光電轉(zhuǎn)換單元中的一個之上，第二絕緣膜的厚度采取足以減少所述光電轉(zhuǎn)換單元中的已穿過所述濾色器的光的反射的值，以及第三絕緣膜的厚度采取足以減少所述元件隔離部分中的已穿過所述濾色器的光的反射的值。6.—種成像系統(tǒng)，包括權(quán)利要求1中限定的光電轉(zhuǎn)換器件；在所述光電轉(zhuǎn)換器件的圖像感測表面上形成圖像的光學(xué)系統(tǒng)；和處理從所述光電轉(zhuǎn)換器件輸出的信號以產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的信號處理單元。7.—種光電轉(zhuǎn)換器件，包括被布置在半導(dǎo)體襯底中的多個光電轉(zhuǎn)換單元；被布置在所述光電轉(zhuǎn)換單元上并具有第一折射率的第一絕緣膜；被布置在第一絕緣膜上并具有第二折射率的第二絕緣膜；被布置在所述半導(dǎo)體襯底中、使所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有第三折射率的絕緣體的元件隔離部分；和比第二絕緣膜厚、被布置在所述元件隔離部分上、并具有所述第二折射率的第三絕緣膜，其中，第二折射率比第一折射率高并且比笫三折射率高。8.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中，層間膜被布置在第三絕緣膜上，半導(dǎo)體區(qū)域被布置在所述半導(dǎo)體襯底中與所述元件隔離部分相鄰的位置處，以及第二折射率采取所述層間膜的折射率和所述光電轉(zhuǎn)換單元或所述半導(dǎo)體區(qū)域的折射率之間的值。9.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中，第一絕緣膜、所述元件隔離部分的絕緣體、和所述層間膜由氧化珪形成，以及第二絕緣膜和第三絕緣膜由氮化硅形成。10.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中，第三折射率等于第一折射率。11.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中，濾色器被布置在所述多個光電轉(zhuǎn)換單元中的一個之上，第二絕緣膜的厚度采取足以減少所述光電轉(zhuǎn)換單元中的已穿過所述濾色器的光的反射的值，以及第三絕緣膜的厚度采取足以減少所述元件隔離部分中的已穿過所述濾色器的光的反射的值。12.—種成像系統(tǒng)，包括權(quán)利要求7中限定的光電轉(zhuǎn)換器件；在所述光電轉(zhuǎn)換器件的圖像感測表面上形成圖像的光學(xué)系統(tǒng)；和處理從所述光電轉(zhuǎn)換器件輸出的信號以產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的信號處理單元。13.—種光電轉(zhuǎn)換器件的設(shè)計方法，所述光電轉(zhuǎn)換器件包括被布置在半導(dǎo)體襯底中的多個光電轉(zhuǎn)換單元；第一抗反射部分，包含被布置在所述光電轉(zhuǎn)換單元上并具有第一折射率的第一絕緣膜，并包含被布置在第一絕緣膜上并具有第二折射率的第二絕緣膜；以及第二抗反射部分，包含被布置在所述半導(dǎo)體襯底中、使所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離、并包含具有第三折射率的絕緣體的元件隔離部分，并包含被布置在所述元件隔離部分上并具有所述第二折射率的第三絕緣膜，所述方法包括第一步驟，獲得當(dāng)以與第二絕緣膜的厚度相同的厚度在所述元件隔離部分上形成第三絕緣膜時在所述元件隔離部分中的反射率；和第二步驟，獲得第三絕緣膜的厚度，以將所述元件隔離部分中的反射率設(shè)為比在第一步驟中獲得的反射率低。14.一種光電轉(zhuǎn)換器件的制造方法，所述光電轉(zhuǎn)換器件具有半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體村底中布置用于產(chǎn)生與光對應(yīng)的電荷的多個光電轉(zhuǎn)換單元，所述方法包括第一步驟，在所述半導(dǎo)體襯底中形成將所述多個光電轉(zhuǎn)換單元電隔離并包含具有第一折射率的絕緣體的元件隔離部分；第二步驟，在所述多個光電轉(zhuǎn)換單元上形成具有第二折射率的第一絕緣膜；第三步驟，在第一絕緣膜上形成具有第三折射率的第二絕緣膜；以及第四步驟，以被確定為將所述元件隔離部分中的反射率設(shè)為低于當(dāng)以與笫二絕緣膜的厚度相同的厚度在所述元件隔離部分上形成具有第三折射率的第三絕緣膜時獲得的反射率的厚度，在所述元件隔離部分上形成第三絕緣膜。15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，還包括第五步驟，在第一步驟之前在所述半導(dǎo)體襯底中與所述元件隔離部分相鄰的位置處形成半導(dǎo)體區(qū)域；和第六步驟，在第四步驟之后在第三絕緣膜上形成層間膜，其中，第二折射率采取所述層間膜的折射率與所述光電轉(zhuǎn)換單元和所述半導(dǎo)體區(qū)域中的一個的折射率之間的值。全文摘要本發(fā)明公開一種光電轉(zhuǎn)換器件、其設(shè)計和制造方法以及成像系統(tǒng)。光電轉(zhuǎn)換器件包括多個光電轉(zhuǎn)換單元；包含具有第一折射率的第一絕緣膜和具有第二折射率的第二絕緣膜的第一抗反射部分；以及包含元件隔離部分和第三絕緣膜的第二抗反射部分，所述元件隔離部分包含具有第三折射率的絕緣體，所述第三絕緣膜具有所述第二折射率，其中，第一抗反射部分減少光電轉(zhuǎn)換單元中的進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元的光的反射，并且，第二抗反射部分減少元件隔離部分中的進(jìn)入元件隔離部分的光的反射。文檔編號H01L27/146GK101552279SQ20091013298公開日2009年10月7日申請日期2009年4月3日優(yōu)先權(quán)日2008年4月4日發(fā)明者下津佐峰生申請人:佳能株式會社