專利名稱：具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的導(dǎo)線架制備技術(shù)，具體而言是指一種具反射及導(dǎo)體 金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，藉以簡化制程、且能降低成本，進(jìn)一步并可增進(jìn)其反射效率與增 加導(dǎo)線面積，以構(gòu)成一高導(dǎo)熱效果的導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管導(dǎo)線架，普遍是以導(dǎo)電材質(zhì)的料片為主(如銅、銅合金或鋁 等)，經(jīng)過沖壓形成導(dǎo)線架的胚料，隨后以電鍍處理，在導(dǎo)線架胚料表面電鍍一層具有高導(dǎo) 電性的金屬層(如錫、銀、金等)，隨后利用嵌入式射出成型技術(shù)(Insert Molding)，形成杯 狀的發(fā)光二極管導(dǎo)線架，但所述杯狀導(dǎo)線架的反射區(qū)域無法有效提供金屬層的反射效果。此外，也有以激光直接活化(Laser Direct Structuring, LDS)制程應(yīng)用于發(fā)光二 極管的導(dǎo)線架上，此制程缺點為需使用激光直接活化制程專用材料，此材料射出后，其電極 與反射區(qū)域使用激光進(jìn)行表面活化，因激光會使表面粗糙化，且激光的面積過大，在斜面上 因其激光有角度與制程時間等限制，以及激光活化后的粗糙度會導(dǎo)致其原先設(shè)計的反射角 度與反射亮度有所差異，另，3D立體激光加工設(shè)備昂貴，加工時間太長，成本費(fèi)用過高。再者，現(xiàn)有者另外還有以低溫共燒多層陶瓷(Low-Temperature Co-firedCeramics, LTCC)，因為陶瓷與硅的材質(zhì)類似，可與晶片連接，其導(dǎo)熱及耐熱系數(shù)均 很好，但低溫共燒多層陶瓷其需在900度左右的溫度進(jìn)行燒結(jié)，其具有收縮性不同的現(xiàn)象， 易增加電性變動因素，且陶瓷制程成本昂貴，大量生產(chǎn)成本下降不易。另外雖有業(yè)者考慮以雙料射出技術(shù)來制作導(dǎo)線架，但在現(xiàn)有的雙料射出技術(shù)中， 分別有PCK法與SKW法兩種方式，其中PCK法的制程方式為在第一次射出成型時，使用可電 鍍且經(jīng)由觸媒化修正過的塑料，在第二次射出成型時，使用不可電鍍的塑料制作，元件的表 面隨后蝕刻活化與金屬化。至于SKW法的制程方式為在第一次射出成型時使用可電鍍的塑 料，隨后蝕刻第一次射出成型的塑料表面，并且以鈀(Pd)將表面活化，將元件置于模具內(nèi)， 且執(zhí)行第二次射出成型，之后將元件的表面金屬化。此兩種方法在于極細(xì)微的線路加工上 因為雙料射出工藝而有所限制，并無法有效形成極細(xì)微的線路。換言之，現(xiàn)有的發(fā)光二極管導(dǎo)線架或因制程復(fù)雜，而無法降低其制作成本，又或因 激光活化后使表面粗糙，而導(dǎo)致無法達(dá)到原先設(shè)計的反射角度與反射亮度，進(jìn)而影響到其 反射效率，且無法適用于微米化的絕緣線路圖樣中，因此如何提供一種兼具易于制作、低成 本及高反射率等特性的導(dǎo)線架，是目前業(yè)界的當(dāng)務(wù)之急。因此，本發(fā)明人乃針對前述現(xiàn)有導(dǎo)線架的問題深入探討，并通過多年從事相關(guān)產(chǎn) 業(yè)的研發(fā)與制造經(jīng)驗，積極尋求解決之道，經(jīng)不斷努力的研究與試作，終于成功的開發(fā)出具 反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決現(xiàn)有導(dǎo)線架制程復(fù)雜、反射效 率與導(dǎo)熱、導(dǎo)電等問題所造成的不便與困擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的即在于提供一種反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，以提升反射 效率，且能自由設(shè)計細(xì)微的絕緣線路圖樣。本發(fā)明的次一目的是在于提供一種具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制 備方法，以簡化制程，且能大量制作，以降低其制作成本?？蛇_(dá)成上述發(fā)明目的的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，包括有一基座， 所述基座是含金屬觸媒的塑料或含有機(jī)物的塑料，所述基座外周緣形成有一載體，所述載 體是呈交錯無金屬觸媒塑料或無有機(jī)物塑料，又基座更在頂面往下傾斜形成一反射面，再 者基座表面沉積有一化學(xué)銅或鎳金屬層的介面層，也再利用激光技術(shù)剝離部分介面層以形 成一絕緣線路，使絕緣線路與載體連接后，再使用電鍍或化學(xué)沉積銅、鎳、銀或金等金屬層， 形成具反射金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)。其制備方法依序包含下列步驟一雙料射出步驟，其是以精密加工制造雙料射出模具，由摻雜包含金屬觸媒的塑 料或含有機(jī)物的塑料形成一基座，并同時與無金屬觸媒塑料或無有機(jī)物塑料形成有一緊附 于基座的載體，且基座是在頂面往下傾斜形成一反射面，以構(gòu)成一導(dǎo)線架胚料；一化學(xué)鍍法步驟，其是在前述雙料射出步驟產(chǎn)生一導(dǎo)線架胚料后，隨后進(jìn)行局部 表面活化的電鍍浴前處理，并在基座表面以化學(xué)鍍法沉積一化學(xué)銅或化學(xué)鎳的介面層；一激光絕緣步驟，其是在完成介面層的鍍設(shè)沉積后，利用激光技術(shù)進(jìn)行局部的介 面層的剝離以形成一絕緣線路，使絕緣線路與載體連接；一電鍍步驟，在形成絕緣線路的介面層上，再利用電鍍或化學(xué)沉積銅、鎳、銀或金 等金屬層在基座上，以完成具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)制作。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供一種制備方法，其依序包含有二次射出步驟，其采用單一塑料射出，此塑料經(jīng)過射出成型基座，所形成的基座利 用蝕刻，在其表面均勻涂布觸媒，隨后將此具有整體觸媒涂布的基座進(jìn)行第二次使用相同 塑料的射出成型制程，第二次射出成型時為嵌入式射出形成載體，其中所述基座是在頂面 往下傾斜形成一反射面，以構(gòu)成一導(dǎo)線架胚料；化學(xué)鍍法步驟，其是在前述雙料射出步驟產(chǎn) 生一導(dǎo)線架胚料后，隨后進(jìn)行局部表面活化的電鍍浴前處理，并在所述基座表面以化學(xué)鍍 法沉積一介面層；激光絕緣步驟，其是在完成所述介面層的鍍設(shè)沉積后，利用激光進(jìn)行局部的介面 層的剝離以形成一絕緣線路，使絕緣線路與載體連接；電鍍步驟，是在形成所述絕緣線路的介面層上，再利用電鍍或化學(xué)沉積金屬層，而 完成所述塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制作。由此，通過本發(fā)明前述技術(shù)手段的展現(xiàn)，使得本發(fā)明能有效簡化其制程，并降低制 作成本，且不影響原先設(shè)計的反射角度與反射亮度，有效提升其反射效率，且增加導(dǎo)熱面積 可有效提升導(dǎo)熱效果，并能自由設(shè)計細(xì)微的絕緣線路圖樣，使本發(fā)明在“產(chǎn)生效能、反射效 果及設(shè)計多樣化”等方面較現(xiàn)有更具功效增進(jìn)。


圖1為本發(fā)明的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的外觀示意圖，用以說明所述金屬導(dǎo)線架的構(gòu)成及其相對關(guān)系。圖2為本發(fā)明塑料導(dǎo)線架其TSMPL制程的制備流程方塊示意圖。圖3為本發(fā)明塑料導(dǎo)線架其SSPL制程的制備流程方塊示意圖。圖4為本發(fā)明的基座的外觀示意圖。圖5為本發(fā)明的載具的外觀示意圖。圖6為本發(fā)明的塑料導(dǎo)線架于雙料射出步驟后的外觀示意圖。圖7為本發(fā)明的塑料導(dǎo)線架于化學(xué)鍍法步驟后的外觀示意圖。圖8為以激光進(jìn)行局部的介面層的剝離以形成一絕緣線路的外觀示意圖。圖9為本發(fā)明的塑料導(dǎo)線架于電鍍步驟后的外觀示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖，對本發(fā)明上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點作更詳細(xì)的說明。本發(fā)明是一種塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)及其制備方法，隨附圖例示的本發(fā)明塑料導(dǎo)線架結(jié) 構(gòu)的具體實施例及其構(gòu)件中，所有關(guān)于前與后、左與右、頂部與底部、上部與下部、以及水平 與垂直的參考，僅用于方便進(jìn)行描述，并非限制本發(fā)明，也非將其構(gòu)件限制于任何位置或空 間方向。圖式與說明書中所指定的尺寸，當(dāng)可在不離開本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā) 明的具體實施例的設(shè)計與需求而進(jìn)行變化，另此技術(shù)不限于發(fā)光二極管導(dǎo)線架，且可適用 于其它電子元件。而關(guān)于本發(fā)明塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的詳細(xì)構(gòu)成，則是如圖1所示，所述塑料導(dǎo)線架主 要包含有一含金屬觸媒的塑料或含有機(jī)物的塑料的基座10，所述基座10外周緣形成有一 呈交錯連貫的載體嵌槽11，并利用兩次射出技術(shù)在基座10的載體嵌槽11內(nèi)形成無金屬觸 媒塑料或無有機(jī)物塑料的載體20，又基座10更在頂面往下傾斜形成一反射面15與供設(shè)置 發(fā)光二極管的容置空間16，此反射面15 (即俗稱的反射杯)的角度可自由設(shè)計，其頂面與其 反射面15界定的夾角是介于15度 85度之間，依不同發(fā)光需求設(shè)計反射面15角度，為提 升發(fā)光二極管發(fā)光效率，再者基座10表面沉積有一化學(xué)銅或化學(xué)鎳金屬的介面層30，也再 利用激光技術(shù)剝離部分介面層30形成絕緣線路40，使絕緣線路40與載體20連接后，并經(jīng) 由絕緣線路40與載體20將容置空間16區(qū)隔形成正極161與負(fù)極162，以電鍍或化學(xué)沉積 在反射面15的沉積高反射率金屬(如銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉻(Cr)等金屬) 提高反射率及導(dǎo)體，絕緣線路，進(jìn)而形成一種可自由設(shè)計導(dǎo)電線路以及反射及導(dǎo)體金屬層50 的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，以此技術(shù)所制作的發(fā)光二極管導(dǎo)線架，具有不限數(shù)量多寡，可自由設(shè)計導(dǎo) 線架的基座10反射面15形狀，可供多顆發(fā)光二極管并排使用，且利用電鍍的高利用率沉積介 面層30，具有降低成本且可提供優(yōu)異電子性能，以及高反射、高導(dǎo)熱面積特性的優(yōu)點。至于本發(fā)明塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法的較佳實施例，其是如圖2所示，其依序 包含一雙料射出步驟Si、一化學(xué)鍍法步驟S2及一激光絕緣步驟S3與一電鍍步驟S4等的 步驟，而完成前述塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制作，本發(fā)明將此一制備方法定義為TSMPL(Two-Shot Molded Plating and Laser)制程所述雙料射出Sl的步驟，其是因應(yīng)導(dǎo)線架內(nèi)部設(shè)計需求，使用精密加工制造雙料 射出模具，將欲產(chǎn)生導(dǎo)電線路的基座10部分使用摻雜(doping)有助于電鍍的金屬觸媒或 有機(jī)物，使基座10成為預(yù)先已觸媒化修正過含金屬觸媒或有機(jī)物的塑料，所述金屬觸媒或有機(jī)物包括鈀、銅、銀等，供后續(xù)在基座10表面形成介面層30(如圖4)，之后再與上述塑料 緊密附著的無金屬觸媒或有機(jī)物的載體20結(jié)合(如圖5所示)，所述載體20主要為一較 不易于表面電鍍的塑料，或無金屬觸媒塑料或無有機(jī)物塑料所構(gòu)成的，結(jié)合后的基座10與 載體20在基座10的表面進(jìn)行蝕刻活化與金屬化，且此兩種塑料也可選擇能夠耐高溫的塑 料(大于260度)，以符合回焊(IR Reflow)的需求，且基座10通過模具設(shè)計形成反射面 15 (即俗稱的反射杯)，且此反射面15的角度可自由設(shè)計，其頂面與其反射面界定的夾角是 介于15度 85度之間，依不同發(fā)光需求設(shè)計反射面15角度，為提升發(fā)光二極管發(fā)光效率， 其中所述塑料主要為PA(Polyamide)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、PET、LCP、PC、ABS, PC/ ABS ；而化學(xué)鍍法S2的步驟，其是在前述雙料射出S 1的步驟后，即產(chǎn)生一導(dǎo)線架胚料 的塑料元件(圖6所示)，隨后進(jìn)行無電解電鍍浴(Plating Bath)前處理，利用藥液將其欲 電鍍的局部表面活化(Activation)，此步驟會讓使用可電鍍塑料的基座10表面產(chǎn)生可成 長化學(xué)鎳或化學(xué)銅的介面層30 (如圖7所示)，此有助于介面層30與基座10塑料之間的接 合強(qiáng)度(Bonding Strength)；又激光絕緣S3的步驟，其是在完成介面層30的鍍設(shè)沉積后，本發(fā)明為形成極細(xì) 微的絕緣線路圖樣，是采用激光進(jìn)行局部的介面層30的剝離以形成一絕緣線路40 (如圖 8)，且該絕緣線路40能與載體20連接，以達(dá)到自由設(shè)計、線路細(xì)微化且制程簡易與多樣化 的生產(chǎn)流程，其利用激光電子束(Laser Beam)將反射面15內(nèi)依據(jù)設(shè)計需求所欲形成的絕 緣線路圖樣中局部介面層30剝離，此激光波長可在248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或 lOeOOnm中選用，激光源則可從二氧化碳(C02)激光、銣雅鉻(Nd:YAG)激光、摻釹釩酸釔 (Nd:YV04)晶體激光、準(zhǔn)分子(Excimer)激光等選用，隨后并可依據(jù)需求于形成絕緣線路40 的介面層上，電鍍S4的步驟，再利用電鍍或化學(xué)沉積銅、鎳、銀、金、電鍍鉻、化學(xué)置換金、或電 鍍或化學(xué)銅-鎳-銀、或電鍍或化學(xué)銅-鎳-金所構(gòu)成的群組的任一所形成的電鍍浴制程 沉積金屬層50，如圖9所示，而所形成的部分將作為發(fā)光晶片粘著與打線之用，并能提高反 射率及導(dǎo)體，如此即可完成發(fā)光二極管導(dǎo)線架。再者本發(fā)明具金屬反射及導(dǎo)體層的塑料導(dǎo)線架的制備方法另有一實施例，如圖3 所示，其是將原雙料射出步驟Si的步驟更換成二次射出的步驟，接著并依序完成前述的化 學(xué)鍍法步驟S2及激光絕緣步驟S3與電鍍步驟S4等步驟，而完成前述塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制 作，本發(fā)明將此一制備方法的實施例定義為SSPL (Second Shot Plating and Laser)制程； 其中所述二次射出的步驟，即為采用單一塑料射出，此塑料經(jīng)過射出成型基座10(如 圖4)，所形成的基座10利用蝕刻，在其表面均勻浸泡或涂布觸媒，隨后將此具有整體觸媒 涂布的基座10進(jìn)行第二次使用相同塑料的射出成型制程，利用模具設(shè)計于基座10形成反 射面15，并利用模具設(shè)計使欲被沉積金屬層的線路表面曝露，隨后進(jìn)行與上述相同的化學(xué) 鍍法S2與激光絕緣S3與電鍍S4的步驟，即可產(chǎn)生供發(fā)光二極管使用的固晶的導(dǎo)線架。此制程方式中，第一次射出所形成的塑料元件，是用于發(fā)光二極管晶片粘著、打線 接著、反射面15結(jié)構(gòu)、介面層30的沉積以及激光絕緣形成絕緣線路，并且此反射面15連結(jié) 介面層30形成大面積散熱結(jié)構(gòu)等相關(guān)應(yīng)用；第二次射出元件是用于與第一次激光絕緣S3所形成的絕緣線路連結(jié)，形成完整絕緣結(jié)構(gòu)元件，本發(fā)明的設(shè)計具有改善生產(chǎn)成本以及自 由設(shè)計的特點。綜上所述，本案不但在空間型態(tài)上確屬創(chuàng)新，并能較現(xiàn)有物品增進(jìn)上述多項功效， 應(yīng)已充分符合新穎性及進(jìn)步性的法定發(fā)明專利要件，依法提出申請。以上說明對本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解， 在不脫離以下所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改，變化，或等 效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含有一基座，所述基座是含金屬觸媒的塑料或含有機(jī)物的塑料，所述基座在頂面往下傾斜形成一反射面，在所述反射面的外周緣形成有一呈交錯的載體嵌槽，所述載體嵌槽內(nèi)以射出技術(shù)形成一載體，所述載體為無金屬觸媒塑料或無有機(jī)物塑料，一介面層以化學(xué)鍍法形成于所述基座表面，利用激光技術(shù)剝離部分所述介面層以形成一絕緣線路，使所述絕緣線路與所述載體連接，施行電鍍或化學(xué)沉積金屬層在所述基座上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述 基座與所述載體為不同塑料材質(zhì)的雙料射出所成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述 基座與所述載體為相同塑料材質(zhì)的二次射出所成型，又所述基座內(nèi)摻雜有含金屬觸媒的塑 料或含有機(jī)物的塑料。
4.一種具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，其依序包含有雙料射出步驟，由摻雜包含金屬觸媒的塑料或含有機(jī)物的塑料形成一基座，并同時與 無金屬觸媒塑料或無有機(jī)物塑料形成有一緊附于所述基座的載體，且所述基座是在頂面往 下傾斜形成一反射面，以構(gòu)成一導(dǎo)線架胚料；化學(xué)鍍法步驟，其是在前述雙料射出步驟產(chǎn)生所述導(dǎo)線架胚料后，隨后進(jìn)行局部表面 活化的電鍍浴前處理，并在所述基座表面以化學(xué)鍍法沉積一介面層；激光絕緣步驟，其是在完成所述介面層的鍍設(shè)沉積后，利用激光進(jìn)行局部的介面層的 剝離以形成一絕緣線路，使所述絕緣線路與所述載體連接；電鍍步驟，是在形成所述絕緣線路的介面層上，再利用電鍍或化學(xué)沉積金屬層，而完成 所述塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述雙料射出步驟中形成所述基座的塑料摻雜的金屬觸媒或有機(jī)物主要為鈀、銅、 銀。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征 在于，所述基座的頂面與其反射面界定的夾角是介于15度 85度之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征 在于，所述化學(xué)鍍法步驟的介面層是選自可沉積成長的化學(xué)鎳或化學(xué)銅于基座表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述電鍍步驟主要為電鍍或化學(xué)沉積銅、鎳、銀、金、鉻、化學(xué)置換金、銅-鎳-銀、 銅-鎳_金所構(gòu)成的群組的任一組所形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述激光絕緣步驟的激光源則選自二氧化碳激光、銣雅鉻激光、摻釹釩酸釔晶體激 光、準(zhǔn)分子激光，且激光波長選自于248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或10600nm波長。
10.一種具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，其依序包含有二次射出步驟，其采用單一塑料射出，此塑料經(jīng)過射出成型基座，所形成的基座利用蝕 刻，在其表面均勻涂布觸媒，隨后將此具有整體觸媒涂布的基座進(jìn)行第二次使用相同塑料的射出成型制程，第二次射出成型時為嵌入式射出形成載體，其中所述基座是在頂面往下 傾斜形成一反射面，以構(gòu)成一導(dǎo)線架胚料；化學(xué)鍍法步驟，其是在前述雙料射出步驟產(chǎn)生一 導(dǎo)線架胚料后，隨后進(jìn)行局部表面活化的電鍍浴前處理，并在所述基座表面以化學(xué)鍍法沉 積一介面層；激光絕緣步驟，其是在完成所述介面層的鍍設(shè)沉積后，利用激光進(jìn)行局部的介面層的 剝離以形成一絕緣線路，使所述絕緣線路與所述載體連接；電鍍步驟，是在形成所述絕緣線路的介面層上，再利用電鍍或化學(xué)沉積金屬層，而完成 所述塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制作。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述基座的頂面與其反射面界定的夾角是介于15度 85度之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述化學(xué)鍍法步驟的介面層是選自可沉積成長的化學(xué)鎳或化學(xué)銅于基座表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述電鍍步驟主要為電鍍或化學(xué)沉積銅、鎳、銀、金、鉻、化學(xué)置換金、銅-鎳-銀、 銅-鎳_金所構(gòu)成的群組的任一組所形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的制備方法，其特 征在于，所述激光絕緣步驟的激光源則選自二氧化碳激光、銣雅鉻激光、摻釹釩酸釔晶體激 光、準(zhǔn)分子激光，且激光波長選自于248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或10600nm波長。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)及其制備方法，其是先行射出形成有一含金屬觸媒的塑料或含有機(jī)物的塑料的基座，所述基座外周緣形成有一呈交錯連貫的載體嵌槽，并利用兩次射出技術(shù)形成無金屬觸媒塑料或無有機(jī)物塑料的載體，又基座頂面往下傾斜形成有一供設(shè)置發(fā)光二極管的容置空間，再者基座表面沉積化學(xué)銅或鎳鍍層的介面層后，也利用激光技術(shù)剝離部分介面層以形成一絕緣線路，使絕緣線路與載體連接，并進(jìn)而再使用電鍍或化學(xué)沉積銅、鎳、銀或金等金屬層，以形成具反射及導(dǎo)體金屬層的塑料導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L21/48GK101901794SQ200910143720
公開日2010年12月1日 申請日期2009年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月25日
發(fā)明者江振豐 申請人:光宏精密股份有限公司