專(zhuān)利名稱(chēng)：一種晶圓片背面磨薄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓片背面磨薄方法，屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路封裝工藝中，為減少芯片的體積電阻，增加散熱性能，需對(duì)從晶 圓廠出來(lái)的已經(jīng)加工有電路層的晶圓片從無(wú)電路層的一面即晶圓片的背面進(jìn)行磨薄處理。 如圖1 圖4所示，現(xiàn)有的晶圓片背面磨薄方法包括以下步驟圖1所示的晶圓片1'未磨 薄前的原始厚度約為0. 6 0. 7毫米左右，經(jīng)專(zhuān)用磨片機(jī)對(duì)晶圓片的背面2'磨薄后可達(dá)到 0.3毫米以下，如圖2所示，晶圓片1'經(jīng)磨薄處理后電性能方面得到改善，然后把已磨薄晶 圓片的背面2'粘貼于保護(hù)膠膜6'上，暴露出有電路層4'圖案的正面3'，如圖3所示，用專(zhuān) 用設(shè)備以晶圓片正面3'圖案為基準(zhǔn)進(jìn)行劃切分離，使整片的晶圓片1'實(shí)現(xiàn)劃切分離成一 個(gè)一個(gè)的單元芯片5'。但因晶圓片被從背面磨薄后，使得整片的晶圓片在后續(xù)的貼膜劃切 分離加工中變得易破裂，影響產(chǎn)品成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新穎的晶圓片背面磨薄方法，以避免晶圓片磨薄后易破 裂的現(xiàn)象。 定義本發(fā)明中，晶圓片有電路層的一面稱(chēng)為晶圓片的正面，無(wú)電路層的一面稱(chēng)為 晶圓片的背面。 本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下，1、一種晶圓片背面磨薄方法，其特征在于，包括以下 步驟 (1)、把未經(jīng)磨薄的晶圓片以其晶圓片背面粘貼于膠膜上； (2)、把上述未經(jīng)磨薄的晶圓片從晶圓片正面劃切，劃切槽為半封閉槽； (3)、把上述正面具有劃切槽的晶圓片以晶圓片正面貼貼于膠膜上，并將晶圓片背
面的膠膜揭掉； (4)、把步驟3處理后的晶圓片從晶圓片背面磨薄直至露出劃切槽，使劃切后的晶
圓片形成芯片單元。
本發(fā)明的進(jìn)一步設(shè)置如下 將步驟4已實(shí)現(xiàn)磨薄分離的晶圓片以晶圓片背面貼于膠膜上，并揭去晶圓片正面 的膠膜。劃切槽深為0. 25 0. 35mm。 本發(fā)明的原理及有益效果如下本發(fā)明的一種新穎的晶圓片背面磨薄方法，通過(guò) 把劃切分離工作提前到背面磨薄工作之前，即把已加工有電路功能的晶圓片在磨薄之前先 對(duì)有電路圖案的一面(即正面)進(jìn)行約0.3毫米深度的劃切，使晶圓片的正面在背面膠膜 保護(hù)下被按圖面分布劃切成溝槽狀，劃切完成后再把背面帶有膠膜的晶圓片以正面粘貼于 另一張膠膜上，并揭去覆蓋于晶圓片背面的膠膜，使晶圓片背面暴露，以進(jìn)行磨薄加工，當(dāng)晶圓片被從背面磨薄到厚度小于0. 3毫米時(shí)，即達(dá)到劃切形成的溝槽時(shí)，即實(shí)現(xiàn)了晶圓片 上每個(gè)單元芯片的分離目的，然后再通過(guò)把保護(hù)膠膜貼于已經(jīng)實(shí)現(xiàn)分離的晶圓片背面，并 揭去晶圓片正面的保護(hù)膠膜，以利于生產(chǎn)的后續(xù)加工。本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單，且可以有效避免晶 圓片磨薄后易破裂的現(xiàn)象，實(shí)用性極佳。 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步解釋說(shuō)明。


圖1為現(xiàn)有以正面粘貼于膠膜上的未經(jīng)磨薄的晶圓片；
圖2為現(xiàn)有以正面粘貼于膠膜上的已經(jīng)磨薄加工的晶圓片；
圖3為現(xiàn)有以背面粘貼于膠膜上的已經(jīng)磨薄加工的晶圓片；
圖4為現(xiàn)有磨薄后的晶圓片被從正面劃切分離；
圖5為本發(fā)明以背面粘貼于膠膜上的未經(jīng)磨薄的晶圓片； 圖6為本發(fā)明未經(jīng)磨薄的晶圓片被從正面劃切，劃切槽深約為0. 3毫米左右；
圖7為本發(fā)明正面已被劃切有0. 3毫米槽深的晶圓片被以正面貼于膠膜上；
圖8為本發(fā)明正面已被劃切有0. 3毫米槽深的晶圓片被從背面磨薄到小于0. 3毫 米，使劃切的晶圓片形成一個(gè)個(gè)芯片單元； 圖9為本發(fā)明已實(shí)現(xiàn)磨薄分離的晶圓片被以背面貼于膠膜上，并揭去正面的膠膜。
附圖標(biāo)記說(shuō)明 1晶圓片2晶圓片背面3晶圓片正面4晶圓片電路層5芯片單元6膠膜7劃切槽
具體實(shí)施例方式
結(jié)合圖5 圖9所示，本發(fā)明的一種晶圓片背面磨薄方法，包括以下步驟
1、如圖5所示，把未經(jīng)磨薄的晶圓片1以其晶圓片背面2粘貼于膠膜6上；
2、如圖6所示，把上述未經(jīng)磨薄的晶圓片l用專(zhuān)用劃切設(shè)備從晶圓片正面3劃切， 劃切槽7為半封閉槽，槽深為0. 25 0. 35mm ; 3、如圖7所示，把上述正面已被劃切有0.3毫米槽深的晶圓片1以晶圓片正面3 貼貼于膠膜6上，并將晶圓片背面2的膠膜6揭掉； 4、如圖8所示，把步驟3處理后的晶圓片1從晶圓片背面2磨薄直至露出劃切槽 7，磨薄后的晶圓片1厚度為0. 25 0. 35mm，最好是小于0. 3毫米；使劃切后的晶圓片1形 成一個(gè)個(gè)芯片單元5; 5、如圖9所示，把已實(shí)現(xiàn)磨薄分離的晶圓片1以晶圓片背面2貼于膠膜6上，并揭 去晶圓片正面3的膠膜。 本發(fā)明的原理及有益效果如下本發(fā)明的一種新穎的晶圓片背面磨薄方法，通過(guò) 把劃切分離工作提前到背面磨薄工作之前，即把已加工有電路功能的晶圓片在磨薄之前先 對(duì)有電路圖案的一面(即正面)進(jìn)行約0.3毫米深度的劃切，使晶圓片的正面在背面膠膜 保護(hù)下被按圖面分布劃切成溝槽狀，劃切完成后再把背面帶有膠膜的晶圓片以正面粘貼于 另一張膠膜上，并揭去覆蓋于晶圓片背面的膠膜，使晶圓片背面暴露，以進(jìn)行磨薄加工，當(dāng) 晶圓片被從背面磨薄到厚度小于0. 3毫米時(shí)，即達(dá)到劃切形成的溝槽時(shí)，即實(shí)現(xiàn)了晶圓片上每個(gè)單元芯片的分離目的，然后再通過(guò)把保護(hù)膠膜貼于已經(jīng)實(shí)現(xiàn)分離的晶圓片背面，并 揭去晶圓片正面的保護(hù)膠膜，以利于生產(chǎn)的后續(xù)加工。本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單，且可以有效避免晶 圓片磨薄后易破裂的現(xiàn)象，實(shí)用性極佳。 因此，由上述本發(fā)明較佳實(shí)施例可知，本發(fā)明是一種新穎的晶圓片背面磨薄方法， 該晶圓片背面磨薄方法是把劃切分離工作提前到背面磨薄工作之前，可以有效避免晶圓片 磨薄后易破裂的現(xiàn)象。 雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限制本發(fā)明，任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，但可作各種之更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā) 明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種晶圓片背面磨薄方法，其特征在于，包括以下步驟(1)、把未經(jīng)磨薄的晶圓片以其晶圓片背面粘貼于膠膜上；(2)、把上述未經(jīng)磨薄的晶圓片從晶圓片正面劃切，劃切槽為半封閉槽；(3)、把上述正面具有劃切槽的晶圓片以晶圓片正面貼貼于膠膜上，并將晶圓片背面的膠膜揭掉；(4)、把步驟3處理后的晶圓片從晶圓片背面磨薄直至露出劃切槽，使劃切后的晶圓片形成芯片單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓片背面磨薄方法，其特征在于將步驟4已實(shí)現(xiàn)磨 薄分離的晶圓片以晶圓片背面貼于膠膜上，并揭去晶圓片正面的膠膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓片背面磨薄方法，其特征在于劃切槽深為0. 25 0. 35mm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓片背面磨薄方法，屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟(1)、把未經(jīng)磨薄的晶圓片以其晶圓片背面粘貼于膠膜上；(2)、把上述未經(jīng)磨薄的晶圓片從晶圓片正面劃切，劃切槽為半封閉槽；(3)、把上述正面具有劃切槽的晶圓片以晶圓片正面貼貼于膠膜上，并將晶圓片背面的膠膜揭掉；(4)、把步驟3處理后的晶圓片從晶圓片背面磨薄直至露出劃切槽，使劃切后的晶圓片形成芯片單元。本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單，且可以有效避免晶圓片磨薄后易破裂的現(xiàn)象，實(shí)用性極佳。
文檔編號(hào)H01L21/78GK101710578SQ20091015423
公開(kāi)日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2009年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月19日
發(fā)明者張永夫, 林剛強(qiáng) 申請(qǐng)人:浙江華越芯裝電子股份有限公司