專利名稱：校正系統(tǒng)、校正方法與晶片盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造，特別涉及一種用以校正和對準(zhǔn)晶片輸送系統(tǒng) 的方法和裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，機(jī)械設(shè)備(robotics)常被用來在廠區(qū)內(nèi)輸送半導(dǎo)體晶片， 例如基板。一般的晶片盒(wafer cassette)用以保存被大量且整體地交付的多個(gè)晶片。在 整個(gè)晶片的制造過程中，晶片必須多次的從晶片盒中被取出或被置入晶片盒中。有多種機(jī) 械式的晶片輸送系統(tǒng)會(huì)被使用到。在很多情況中，當(dāng)半導(dǎo)體晶片進(jìn)出晶片盒的輸送發(fā)生時(shí)， 晶片盒被設(shè)置于如前開式晶片輸送模塊(Front Opening Unified Pod, F0UP)的晶片輸送 模塊之內(nèi)。機(jī)械式的系統(tǒng)通常使用晶片輸送葉片(wafer transfer blade)用以將個(gè)別的 晶片從晶片盒取出或置入晶片盒。在輸送過程中，半導(dǎo)體晶片被準(zhǔn)確地對準(zhǔn)晶片插槽是重 要的。若半導(dǎo)體晶片未被準(zhǔn)確地對準(zhǔn)晶片插槽，晶片可能被刮傷甚至碎裂，而碎裂的破片將 污染此批次所有其他的晶片、晶片盒本身、晶片輸送模塊、晶片輸送系統(tǒng)本身，以及相關(guān)的 半導(dǎo)體處理設(shè)備。隨著晶片的尺寸從直徑6英寸到8、10、12英寸或12英寸以上，準(zhǔn)確的對位是關(guān)鍵 且富有挑戰(zhàn)性的，并且當(dāng)晶片被置入設(shè)置于晶片輸送模塊之上的晶片盒中時(shí)，晶片盒與如 前開式晶片輸送模塊的晶片輸送模塊之間也有其他的對位問題存在。機(jī)械式的系統(tǒng)提供晶 片輸送葉片用以輸送晶片進(jìn)出晶片盒，晶片盒由許多滑輪(pulleys)和傳動(dòng)皮帶(belts)、 多種氣動(dòng)系統(tǒng)(pneumatic systems)以及其他定位裝置(positioning devices)所組成。 因此，確保機(jī)械式的系統(tǒng)的許多元件能夠一致地動(dòng)作用以產(chǎn)生準(zhǔn)確的定位是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。當(dāng) 把晶片置入晶片盒的晶片插槽時(shí)，要確定晶片在晶片盒內(nèi)的X方向、Y方向及Z方向被正確 的對位也為一項(xiàng)挑戰(zhàn)。目前已經(jīng)有公知的方法，用以校正與調(diào)整晶片輸送葉片的對位，使晶片在晶片盒 的晶片插槽中能有精確的對位，然而，這些公知的校正/對位方法通常是耗費(fèi)時(shí)間和精力 的。許多公知的校正/對位技術(shù)需要在過程中多次測量晶片輸送葉片。然后根據(jù)多次測量 的結(jié)果，使用復(fù)雜的演算法被來估計(jì)對位。執(zhí)行上述測量經(jīng)常要局部地拆開前開式晶片輸 送模塊，用以校正儀器。一般而言，必需開啟前開式晶片輸送模塊的側(cè)蓋(side door)。多 個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)被分析并根據(jù)分析的結(jié)果，用以產(chǎn)生調(diào)整機(jī)器位置的指令。需要6小時(shí)來完成(公 知方法)建議的對位處理。此外，許多對位處理需要供應(yīng)商提供測量工具和/或儀器。再 者，在如前開式晶片輸送模塊的晶片輸送模塊被開啟用以檢查定位及對位之后，必須進(jìn)行 污染物(particle)的測試，方能讓晶片輸送模塊再回到生產(chǎn)線上。若晶片輸送模塊不能通 過污染物的測試，晶片輸送系統(tǒng)將不能被使用，并且伴隨著財(cái)務(wù)上的沖擊及大幅增加半導(dǎo) 體元件制造的周期時(shí)間(cycle time)。因此，急需一種可靠、有效且快速的方法，用以校正晶片輸送系統(tǒng)的對位。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了滿足上述及其他需求，本發(fā)明提供一種校正方法，用以校正包括晶 片輸送葉片的晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，上述校正方法包括提供具有多個(gè)水平方向的晶 片插槽的晶片盒，其中晶片插槽的每一個(gè)包括多個(gè)對側(cè)溝槽，并且每一對側(cè)溝槽包括上表 面、側(cè)表面，以及下表面；將導(dǎo)電材料安置于晶片插槽的第一晶片插槽的對側(cè)溝槽的每一上 表面上，導(dǎo)電材料用以與檢測器進(jìn)行電性通信(electrical communication)，而檢測器用 以檢測晶片何時(shí)接觸到導(dǎo)電材料；將放置于晶片輸送葉片的一晶片輸送至第一晶片插槽 中；以及判斷在第一晶片插槽內(nèi)的晶片是否對位不準(zhǔn)。根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種系統(tǒng)，用以校正晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，上述 系統(tǒng)包括晶片盒、導(dǎo)電材料、檢測器、晶片輸送葉片以及控制器。晶片盒具有多個(gè)水平設(shè)置 的晶片插槽，其中晶片插槽的每一個(gè)包括多個(gè)對側(cè)溝槽，并且對側(cè)溝槽的每一個(gè)包括上表 面、側(cè)表面，以及下表面。導(dǎo)電材料位于晶片插槽的至少一第一晶片插槽的對側(cè)溝槽的上表 面之上。檢測器用以檢測晶片何時(shí)接觸到導(dǎo)電材料，并與導(dǎo)電材料進(jìn)行電性通信。晶片輸 送葉片用以輸送晶片至每一晶片插槽?？刂破饔靡愿鶕?jù)檢測器所發(fā)出且用以指出上述晶片 的位置的信號(hào)，對 晶片輸送葉片進(jìn)行校正。根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種晶片盒，用以校正晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，晶 片盒包括多個(gè)晶片插槽，晶片插槽包括第一晶片插槽，第一晶片插槽包括至少一導(dǎo)電表面， 導(dǎo)電表面電性耦接至檢測器，檢測器用以檢測晶片何時(shí)接觸到導(dǎo)電材料。本發(fā)明的系統(tǒng)及方法可用于X、Y和Z方向?qū)ξ坏男Ｕ?br>

當(dāng)本發(fā)明伴隨著附圖一起被閱讀時(shí)，本發(fā)明由上述實(shí)施方式被充分了解。要強(qiáng)調(diào) 的是，根據(jù)一般常識(shí)，附圖的多種特征并未按照比例所繪。相對地，為了清楚地說明，得以任 意延長或縮短多種特征的尺度。在整個(gè)說明書及附圖中，相同的附圖標(biāo)記(數(shù)字(元件) 符號(hào))代表相同的特征。附圖簡單說明包括下列附圖圖1為根據(jù)本發(fā)明的一晶片輸送系統(tǒng)的俯視平面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的一晶片輸送系統(tǒng)的局部截面正視圖，用以顯示一晶片大致上 是準(zhǔn)確地被對準(zhǔn)的；圖3為根據(jù)本發(fā)明的一晶片輸送系統(tǒng)的局部截面正視圖，用以顯示一晶片是對位 不準(zhǔn)的；圖4為根據(jù)本發(fā)明的一晶片輸送系統(tǒng)的局部截面正視圖，用以顯示一晶片是對位 不準(zhǔn)的；以及圖5為一局部截面正視圖，用以顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一晶片輸送系 統(tǒng)。并且，上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下1 晶片輸送機(jī)器；3 晶片；5 晶片輸送葉片；7 側(cè)壁；9、15 晶片位置；11 表面；17 晶片輸送葉片位置；19 晶片盒；
21 導(dǎo)電薄膜；23、23A、23B 晶片插槽；25,59 導(dǎo)電材料；27 上表面；29 側(cè)表面；31 下表面；33、47、45、51 金屬線；35 蜂鳴器；37 左指示燈；39 右指示燈；41 檢測器；43 晶片輸送模塊。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種可以與半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的多種機(jī)械式晶片輸送系統(tǒng)相結(jié)合的對 位及校正系統(tǒng)。校正處理發(fā)生于當(dāng)晶片被置入水平方向放置的晶片盒時(shí)，且晶片盒的晶片 插槽及被置入晶片盒的晶片被水平設(shè)置。較佳實(shí)施例將于說明書中描述并且代表所示出 的附圖的情況，但應(yīng)該了解的是本發(fā)明的動(dòng)作原理也可同樣地應(yīng)用于將晶片置入垂直方 向的晶片盒或其他方向的晶片盒。水平方向的晶片盒可以被安置于任何位置，例如與一半 導(dǎo)體工藝設(shè)備相關(guān)的一接收位置(receive position)。根據(jù)一具體實(shí)施例，半導(dǎo)體晶片較 佳地被安置于一晶片輸送模塊(例如一前開式晶片輸送模塊)之內(nèi)，即被安置于裝載組件 (loading assembly)或半導(dǎo)體工藝設(shè)備上的接收位置內(nèi)。本發(fā)明的系統(tǒng)及方法可用于X、 Y和Z方向?qū)ξ坏男Ｕ?。圖1為根據(jù)本發(fā)明的一晶片輸送系統(tǒng)的平面圖，此晶片輸送系統(tǒng)包括具有晶片3 在晶片輸送葉片5之上的晶片輸送機(jī)器(robot)l。晶片3可以是任意半導(dǎo)體或是半導(dǎo)體制 造產(chǎn)業(yè)中所使用的晶片，并且可以是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所使用的任意大小的晶片。根據(jù)許多具 體實(shí)施例，晶片3的直徑的范圍由3英寸至14英寸。晶片輸送葉片5是一種常見的構(gòu)件，用 以將晶片3從許多地點(diǎn)取回或遞送至許多地點(diǎn)。晶片5的下表面通常設(shè)置于晶片輸送葉片 5的上表面。在一些實(shí)施例中，晶片輸送葉片5可以利用真空吸引的方式抓住(gripping) 晶片3。側(cè)壁7代表晶片輸送盒的晶片插槽的邊緣，并且晶片位置9代表晶片3大致上被安 置于正確的位置，即在X和Y方向被正確地對位。晶片插槽也包括多個(gè)表面11，用以當(dāng)晶片 輸送葉片5移走后，讓晶片3可以置于表面11之上。虛線代表的是當(dāng)晶片3是對位不準(zhǔn)時(shí) 的晶片位置15及晶片輸送葉片位置17，其中對位不準(zhǔn)是相對于由側(cè)壁7所定義及局限的晶 片插槽而言。圖2為根據(jù)本發(fā)明的一晶片輸送系統(tǒng)的局部截面正視圖，其中晶片3通過晶片輸 送葉片5被置入晶片盒19的晶片插槽23內(nèi)的晶片位置。晶片盒19包括用以容納多個(gè)晶 片3的多個(gè)晶片插槽23。晶片輸送葉片5是晶片輸送機(jī)器1的一部分，晶片輸送機(jī)器1未 顯示于圖2中。每一晶片插槽23包括一對側(cè)溝槽(opposed grooves)，用以作為一晶片的 兩側(cè)邊的插座(recetacles)，圖2所示的對側(cè)溝槽的每一個(gè)溝槽(groove)由上表面27、側(cè) 表面29以及下表面31所定義而成。側(cè)表面29代表水平設(shè)置的上述對側(cè)溝槽的空的區(qū)域 (void area)的縱向(lateral)邊界，并用以組合形成晶片插槽23。在圖2中，晶片3是大 致上被準(zhǔn)確地對位，并且被設(shè)置于第一晶片插槽23的一對相對的下表面31之上。在本實(shí) 施例中，晶片插槽23是晶片盒19內(nèi)最上面的晶片插槽23。晶片盒19可被安置于晶片輸送 模塊43之內(nèi)，而晶片輸送模塊43用以將一盒晶片或多盒晶片從一工藝設(shè)備送到另一工藝 設(shè)備。在一具體實(shí)施例中，晶片輸送盒43為前開式晶片輸送模塊。導(dǎo)電材料25被設(shè)置于每一上述對側(cè)溝槽的上表面27，其中對側(cè)溝槽用以組合成晶片插槽23，而晶片插槽23實(shí)質(zhì) 上提供導(dǎo)電表面給上表面27。導(dǎo)電材料25為金屬薄片(foil)、金屬線(wire)或其他合適 的導(dǎo)電材料，導(dǎo)電材料25用以與檢測器41作電性通信(electrical communication)，而檢 測器41用以檢測晶片何時(shí)碰觸(contacts)到導(dǎo)電材料25。在圖2所示的具體實(shí)施例中， 金屬線33和47電性耦接其個(gè)別的導(dǎo)電材料25至檢測器41，但是根據(jù)其他具體實(shí)施例，無 線或其他電性通信模式也可用于提供檢測器41與導(dǎo)電材料25之間的電性通信。在所示的 實(shí)施例中，晶片3為測試晶片并包括導(dǎo)電薄膜21于其上。晶片3的導(dǎo)電薄膜21也通過金 屬線45耦接至檢測器41，其中在不同的實(shí)施例中，金屬線45可由其他的電性通信模式所取 代。多種常見的檢測器可以用以作為檢測器41，檢測器41可以檢測晶片3與導(dǎo)電材 料25之間的電性接觸，導(dǎo)電材料25被設(shè)置于晶片盒19的對側(cè)溝槽之一或二者之上，對側(cè) 溝槽被設(shè)置于晶片盒19的對側(cè)(opposed sides)并用以形成晶片插槽23。在一具體實(shí)施 例中，檢測器41包括蜂鳴器(audio buZZer)35，蜂鳴器35用以指出晶片3與對側(cè)的導(dǎo)電 材料25之一間的電性接觸。連結(jié)至晶片插槽23內(nèi)的對側(cè)溝槽上的導(dǎo)電材料的不同電性連 結(jié)，例如金屬線33及金屬線47，用以使得檢測器可以指出晶片3與對側(cè)溝槽的哪一側(cè)有電 性接觸。在圖2所示的情況下，檢測器41的左指示燈37與右指示燈39分別與晶片插槽23 的上述對側(cè)溝槽的左側(cè)與右側(cè)有關(guān)。根據(jù)一具體實(shí)施例，若晶片3的導(dǎo)電薄膜21僅與設(shè)置 于晶片插槽23的對側(cè)溝槽的左側(cè)的導(dǎo)電材料25有電性接觸，則只有左指示燈37會(huì)發(fā)光。 換言之，檢測器41可以個(gè)別地檢測晶片3與對側(cè)溝槽的任一側(cè)上的導(dǎo)電材料25間的電性 接觸，對側(cè)溝槽與導(dǎo)電材料25共同形成晶片插槽23。晶片盒19可由半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中所使用的合適材料所形成，包括多 種塑膠材料， 或其他電性絕緣且能夠抵抗靜電放電傷害(electrostatic discharge damage)的材料。雖 然圖2所示的晶片盒19僅包括三個(gè)完整的晶片插槽23，但是，晶片盒19可以包括多種數(shù)量 的插槽應(yīng)該是可以被了解的，晶片盒19通常包括二十五個(gè)晶片插槽。晶片盒19的其他組 態(tài)可用于其他多種的實(shí)施例。圖3顯示當(dāng)圖2所示的實(shí)施例由于晶片3被晶片輸送系統(tǒng)在晶片插槽23之內(nèi)被 放置的太高，而使得晶片3是對位不準(zhǔn)的一種情況。根據(jù)圖1的笛卡爾坐標(biāo)(Cartesian coordinates)所示，對位不準(zhǔn)是在Z方向產(chǎn)生。根據(jù)圖3所示的實(shí)施例，晶片3的上表面 (即導(dǎo)電薄膜21)會(huì)電性接觸到于晶片插槽23的兩個(gè)相對側(cè)的上表面27上所設(shè)置的導(dǎo)電 材料25。根據(jù)本具體實(shí)施例，左指示燈37與右指示燈39都會(huì)發(fā)光，并且蜂鳴器35發(fā)出聲 響用以指出不合適的對位。舉例而言，晶片輸送系統(tǒng)的晶片輸送葉片5在晶片插槽3內(nèi)將 晶片3放置的太高。圖4顯示晶片3相對于晶片插槽23對位不準(zhǔn)的另一種情況。特別的是，在晶片插 槽23中晶片23是傾斜的。根據(jù)本具體實(shí)施例，只有晶片3的右側(cè)會(huì)電性接觸到晶片插槽 23的對側(cè)溝槽的右側(cè)的上表面27上所設(shè)置的導(dǎo)電材料25。在所示的實(shí)施例的左側(cè)，晶片 3并未電性接觸晶片插槽23的上表面27。根據(jù)此處所述的實(shí)施例，如晶片輸送機(jī)器1的晶 片輸送系統(tǒng)將晶片3相對于水平傾斜一個(gè)角度55，并且根據(jù)此具體實(shí)施例，只有右指示燈 39會(huì)發(fā)光而左指示燈37則不會(huì)發(fā)光。金屬線51會(huì)發(fā)送一輸出信號(hào)，如后所述。圖5示出晶片3如同圖2的所示而大致上合適地被對位，并顯示根據(jù)本發(fā)明的晶片輸送系統(tǒng)的另一實(shí)施例。根據(jù)多種具體實(shí)施例，多個(gè)晶片插槽23包括形成于其上的導(dǎo)電 材料25，因此在晶片盒19內(nèi)的晶片3的對位不準(zhǔn)是可被檢測的。再者，在圖5的實(shí)施例中， 晶片盒19的晶片插槽23、23A及23B包括沿著其個(gè)別的表面29延伸的導(dǎo)電材料59。導(dǎo)電 材料59可沿著表面29的全部長度而延伸，例如晶片插槽23A所示；或是僅沿著表面29的 部分長度，例如晶片插槽23B所示。晶片插槽23、23A及23B的表面29上的導(dǎo)電材料59允 許水平的(沿著如圖1的Y方向)對位不準(zhǔn)被檢測器41所檢測。根據(jù)前述每一實(shí)施例，當(dāng)用以指出晶片3的導(dǎo)電薄膜21與晶片盒19的對側(cè)插 槽23的每一個(gè)或兩者的電性材料25或59間有電性接觸的檢測器41檢測到電性接觸 時(shí)，檢測器41產(chǎn)生聲音指示(indication)或視覺指示，并且用以指出晶片3位置的外送 (outgoing)信號(hào)通過金屬線51被發(fā)送(見圖4)。外送信號(hào)被發(fā)送至控制器(圖5中未顯 示)，而控制器提供反饋至晶片輸送機(jī)器1，用以校正對準(zhǔn)從而修正任何的對位不準(zhǔn)。根據(jù) 一具體實(shí)施例，在第一晶片插槽，用以指出晶片3位置的外送信號(hào)被產(chǎn)生且通過金屬線51 被發(fā)送至控制器之后，晶片3被置入另一晶片插槽或其他晶片插槽，并產(chǎn)生用以指出位置 的相應(yīng)外送的信號(hào)為每一個(gè)額外的晶片插槽23，并且通過金屬線51被發(fā)送至上述控制器。 外送信號(hào)共同地指出在整個(gè)晶片輸送葉片的范圍內(nèi)，晶片3的對位的任意漂移。若有需要， 控制器接著根據(jù)外送信號(hào)提供反饋至晶片輸送機(jī)器1用以校正對位。前述僅用以說明本發(fā)明的動(dòng)作原理。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)能 了解可由其中設(shè)計(jì) 出多種安排，雖然上述安排在此處并未明確描述，具體化實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的動(dòng)作原理被包括于 本發(fā)明的精神與范疇之內(nèi)。再者，所有例子及此處列舉的條件式用語僅用于教導(dǎo)的目的，從 而幫助讀者了解本發(fā)明的動(dòng)作原理以及由發(fā)明人所貢獻(xiàn)的概念，進(jìn)而深入了解本發(fā)明，并 且能沒有局限地了解此處特意列舉的例子與情況。再者，此處所有敘述列舉了本發(fā)明的動(dòng) 作原理、型態(tài)以及實(shí)施例，也列舉了本發(fā)明的特例，用以涵蓋本發(fā)明在結(jié)構(gòu)上與功能上的等 效物。此外，本發(fā)明的特例用以使上述等效物涵括目前已知的以及未來被發(fā)展的等效物，舉 例而言，用以執(zhí)行相同功能的任何元件，而不論其結(jié)構(gòu)。此具體實(shí)施例的描述用以被閱讀從而連結(jié)至所附的圖示，上述圖示被認(rèn)為所有書 面描述的一部分。在上述描述中，相對的用語，例如“較低的”、“較高的”、“水平的”、“垂直 的”、“在…的上”、“在…的下”、“向上”、“向下”、“最高的”、“最低的”，以及其衍生字(例如 “水平地”、“向下地”、“向上地”等)應(yīng)被理解成用以參考對照的情況說明，且上述情況說明 在接續(xù)的討論中被描述或在圖示中被顯示。此等相對的用語是用于說明的方便，并非用以 將本發(fā)明的裝置限制在上述情況說明下被架構(gòu)或操作。特別的是，本發(fā)明的方法與裝置可 用以將晶片垂直地或以其他角度置入晶片盒中。關(guān)于連結(jié)關(guān)系的用語“耦接至…”，以及類 似的用語，例如“連接至…”與“互相連接于…”，是關(guān)聯(lián)于與兩者的附加關(guān)系，其中一結(jié)構(gòu)通 過介于一中間結(jié)構(gòu)被直接或間接地附加至另一結(jié)構(gòu)，除非特別地說明，上述附加關(guān)系也包 括可移除或不可移除的附加關(guān)系。雖然本發(fā)明已用較佳實(shí)施例公開如上，然而其并非用以限制本發(fā)明。更確切地說， 所附的權(quán)利要求應(yīng)被寬廣地理解，使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以在未脫離本發(fā)明的等效物的 精神與范疇的情況下，用以包括本發(fā)明其他的變動(dòng)型式及實(shí)施例。
權(quán)利要求
一種校正方法，用以校正包括一晶片輸送葉片的一晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，上述校正方法包括提供具有多個(gè)水平方向的晶片插槽的一晶片盒，其中上述晶片插槽的每一個(gè)包括多個(gè)對側(cè)溝槽，并且每一上述對側(cè)溝槽包括一上表面、一側(cè)表面，以及一下表面；將一導(dǎo)電材料安置于上述晶片插槽的一第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽的每一上述上表面上，上述導(dǎo)電材料用以與一檢測器進(jìn)行電性通信，而上述檢測器用以檢測一晶片何時(shí)接觸到上述導(dǎo)電材料；將放置于上述晶片輸送葉片之上一晶片輸送至上述第一晶片插槽中；以及判斷在上述第一晶片插槽內(nèi)的上述晶片是否對位不準(zhǔn)。
2.如權(quán)利要求1所述的校正方法，還包括發(fā)送一對位不準(zhǔn)的指示至一控制器，并且根 據(jù)上述指示校正上述晶片輸送葉片的對位。
3.如權(quán)利要求1所述的校正方法，其中上述提供上述晶片盒的步驟包括將上述晶片盒 放置在一晶片輸送模塊之內(nèi)，并且上述晶片輸送模塊是在一半導(dǎo)體工藝設(shè)備的一接收位置 之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的校正方法，其中上述晶片輸送模塊包括一前開式晶片輸送模塊。
5.如權(quán)利要求1所述的校正方法，其中上述判斷在上述第一晶片插槽內(nèi)的上述晶片是 否對位不準(zhǔn)的步驟包括上述檢測器分別地檢測上述對側(cè)溝槽的每一個(gè)與上述晶片之間的 電性接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的校正方法，還包括將上述導(dǎo)電材料設(shè)置在上述第一晶片插槽的 上述對側(cè)溝槽的各個(gè)上述側(cè)表面之上，其中上述導(dǎo)電材料包括金屬薄片或金屬導(dǎo)線。
7.如權(quán)利要求1所述的校正方法，其中上述判斷在上述第一晶片插槽內(nèi)的上述晶片是 否對位不準(zhǔn)的步驟還包括發(fā)送一警報(bào)，上述警報(bào)為一聲音警報(bào)及一視覺警報(bào)的至少之一。
8.如權(quán)利要求1所述的校正方法，其中上述判斷在上述第一晶片插槽內(nèi)的上述晶片是 否對位不準(zhǔn)的步驟還包括發(fā)送一第一燈光以及一第二燈光的至少之一的光，上述第一燈光 用以表示上述晶片與上述第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽的一第一溝槽之間的電性接觸，而 上述第二燈光用以表示上述晶片與上述第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽的另一個(gè)之間的電 性接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的校正方法，還包括在上述晶片的一表面上提供一導(dǎo)電材料，用 以與上述檢測器作電性通信。
10.如權(quán)利要求2所述的校正方法，其中上述多個(gè)晶片插槽還包括一第二晶片插槽，并 且在上述輸送上述晶片進(jìn)入上述第一晶片插槽之后，上述校正方法還包括將上述晶片輸送至上述第二晶片插槽；判斷在上述第二晶片插槽內(nèi)的上述晶片是否對位不準(zhǔn)；發(fā)送在第二晶片插槽內(nèi)一對位不準(zhǔn)的指示至上述控制器；以及根據(jù)上述指示校正上述晶片輸送葉片的對位。
11.一種校正系統(tǒng)，用以校正晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，上述系統(tǒng)包括一晶片盒，具有多個(gè)水平設(shè)置的晶片插槽，其中上述晶片插槽的每一個(gè)包括多個(gè)對側(cè) 溝槽，并且上述對側(cè)溝槽的每一個(gè)包括一上表面、一側(cè)表面，以及一下表面；一導(dǎo)電材料，位于上述晶片插槽的至少一第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽的上述上表面 之上，其中上述導(dǎo)電材料包括金屬薄片或金屬導(dǎo)線；一檢測器，用以檢測一晶片何時(shí)接觸到上述導(dǎo)電材料，上述檢測器用以與上述導(dǎo)電材 料進(jìn)行電性通信；一晶片輸送葉片，用以輸送上述晶片至每一上述晶片插槽；以及一控制器，用以根據(jù)上述檢測器所發(fā)出且用以指出上述晶片的位置的一信號(hào)，對上述 晶片輸送葉片進(jìn)行校正。
12.如權(quán)利要求11所述的校正系統(tǒng)，其中上述檢測器發(fā)送一視覺警報(bào)，上述視覺警報(bào) 為一第一燈光與一第二燈光中的至少之一的發(fā)光，上述第一燈光用以表示上述晶片與上述 第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽的一第一溝槽之間的電性接觸，而上述第二燈光用以表示上 述晶片與上述第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽的另一個(gè)之間的電性接觸。
13.如權(quán)利要求11所述的校正系統(tǒng)，還包括設(shè)置于上述第一晶片插槽的上述對側(cè)溝槽 的上述側(cè)表面的上的導(dǎo)電材料。
14.一種晶片盒，用以校正晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，上述晶片盒包括多個(gè)晶片插槽， 上述晶片插槽包括一第一晶片插槽，上述第一晶片插槽包括至少一導(dǎo)電表面，上述導(dǎo)電表 面電性耦接至一檢測器，上述檢測器用以檢測一晶片何時(shí)接觸到上述導(dǎo)電表面，其中上述 導(dǎo)電表面包括金屬薄片或金屬導(dǎo)線。
15.如權(quán)利要求14所述的晶片盒，其中上述晶片插槽的每一個(gè)包括一對對側(cè)溝槽，上 述對側(cè)溝槽用以承接上述晶片的各個(gè)對邊。
全文摘要
一種校正系統(tǒng)、校正方法與晶片盒，用以校正包括晶片輸送葉片的晶片輸送系統(tǒng)的晶片對位，校正方法包括提供具有多個(gè)水平方向的晶片插槽的晶片盒，其中晶片插槽的每一個(gè)包括多個(gè)對側(cè)溝槽，并且每一對側(cè)溝槽包括上表面、側(cè)表面，以及下表面；將導(dǎo)電材料安置于晶片插槽的第一晶片插槽的對側(cè)溝槽的每一上述上表面上，導(dǎo)電材料用以與檢測器進(jìn)行電性通信，而檢測器用以檢測晶片何時(shí)接觸到導(dǎo)電材料；將放置于晶片輸送葉片之上的晶片輸送至第一晶片插槽中；以及判斷在第一晶片插槽內(nèi)的晶片是否對位不準(zhǔn)。本發(fā)明的系統(tǒng)及方法可用于X、Y和Z方向?qū)ξ坏男Ｕ?br> 文檔編號(hào)H01L21/673GK101834154SQ200910164459
公開日2010年9月15日 申請日期2009年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月12日
發(fā)明者宋易償, 曹家齊, 曾國書, 林志哲 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司