專利名稱：固體攝像裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種技術(shù)，在半導(dǎo)體基板上設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換元件的
CCD ( Charge Coupled Device ) 型圖像傳感器或 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)型圖像傳感器的固體攝像裝置中，在不 增加工藝成本的情況下，獲得不會出現(xiàn)斑點這樣的不良的優(yōu)質(zhì)的圖像。
背景技術(shù)：
作為固體攝像裝置，CCD型圖像傳感器在半導(dǎo)體基板上設(shè)置光電 二極管等光電轉(zhuǎn)換元件和電荷傳送路徑，照射在光電轉(zhuǎn)換元件上的光 被轉(zhuǎn)換成信號電荷。然后，該信號電荷通過電荷傳送路徑傳送，從輸 出部輸出。另一方面，MOS型圖像傳感器在半導(dǎo)體基板上的像素單元 內(nèi)設(shè)置光電二極管等光電轉(zhuǎn)換元件和晶體管等信號檢測元件，照射在 光電轉(zhuǎn)換元件上的光被轉(zhuǎn)換成信號電荷。然后，與該被轉(zhuǎn)換的信號電 荷的電荷量對應(yīng)的信號從信號檢測元件被讀出。 在MOS型圖像傳感器中，使用放大型MOS傳感器的固體攝像裝 置近年備受關(guān)注。該固體攝像裝置是在晶體管中放大用光電二極管在 每個像素單元中所檢測出來的圖像信號的裝置，它具有高靈敏度的特 征。在這種固體攝像裝置中，作為沿水平方向輸出或者沿垂直方向輸 出來自具有被排列成二維的像素的攝像區(qū)域的信號的電路使用動態(tài)型 移位寄存器。由此，就能實現(xiàn)電路的簡化、高密度化以及低耗電力化。 在像素單元內(nèi)，在光電二極管中檢測出來的信號電荷在被稱作讀出晶 體管的固體攝像裝置特有的晶體管中被讀出。該信號電荷被蓄積在浮 動擴散放大器中，然后，通過放大晶體管作為信號輸出。
在固體攝像元件中，不受CCD型圖像傳感器、MOS型圖像傳感 器的限制，設(shè)置覆蓋光電二極管部分以外的遮光膜。其原因在于，防 止入射光直接入射光電二極管以外的區(qū)域中，通常使用鋁、鎢等金屬。 在CCD型圖像傳感器中，因光入射電荷傳送路徑上，故會發(fā)生圖像模糊等特性不良。而在MOS型圖像傳感器中，因光入射信號檢測元件， 故會發(fā)生晶體管的誤動作等不良。因此，對于光電二極管以外的區(qū)域， 一般情況下預(yù)先配置遮光膜。
圖8是專利文獻1所記載的現(xiàn)有例子中的固體攝像裝置的截面圖。 在專利文獻1中，在形成了 MOS型或者CCD型的攝像元件的半導(dǎo)體 基板1的表面，按照覆蓋光電二極管的方式設(shè)置由鋁等構(gòu)成的第一遮 光膜2。在其上面有第二遮光膜4，隔著平坦化膜3覆蓋第一遮光膜2。 第二遮光膜4反映在半導(dǎo)體基板1的表面所形成的圓頂狀的凸部，覆 蓋在第一遮光膜2的表面所形成的凸?fàn)畈?，防止在該部分的漫反射?由于第二遮光膜4形成于被施以平坦化的膜(平坦化膜3)上，因此， 表面起伏少，能夠防止漫反射。在第二遮光膜4上形成有平坦化膜5。
圖9是專利文獻1所記載的固體攝像裝置的平面圖案。作為布局 例子，第一遮光膜的開口部6是沒有第一遮光膜2的部分，它相當(dāng)于 光電二極管形成區(qū)域，第二遮光膜4覆蓋第一遮光膜2的開口部6以 外的幾乎所有部分。這樣，遮光膜按照包圍在固體攝像裝置的受光區(qū) 域中所形成的各個光電二極管的方式形成格子狀圖案。專利文獻1日本特開平4-199875號公報

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，在固體攝像裝置中形成有使用鋁、鋝等金屬的格子狀 的遮光膜。但是，在被配置成格子狀的遮光膜的形成工序中，存在將 會發(fā)生斑點狀的圖像不良這樣的問題。遮光膜在光電二極管上部的配 線層間絕緣膜上形成鋁、鎢等的金屬膜，將光致抗蝕劑作為掩模實施 各向異性等離子體蝕刻，這樣便形成所希望的圖案。在該各向異性蝕 刻后，追加實施用來除去作為蝕刻氣體與金屬材料等的反應(yīng)生成物的 聚合物以及顆粒的清洗工序。清洗工序大致可以分成在半導(dǎo)體基板 上噴涂藥液的步驟、通過高速旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基板甩開被噴涂的藥液的步 驟、和然后用純凈水清洗的步驟。
但是，在該清洗工序中，利用通常情況下被廣泛使用的清洗藥液， 金屬膜的底層層間絕緣膜以小的蝕刻速率被蝕刻。于是，本發(fā)明人確 認(rèn)由于在晶片表面內(nèi)的形成了各個攝像元件的芯片上的大范圍內(nèi)產(chǎn)生平緩的起伏(蝕刻不均)，產(chǎn)生斑點狀圖像。
而且，對于產(chǎn)生該斑點狀圖像的原因，本發(fā)明人這樣解釋即使 在上述清洗工序后，上述線狀藥液也殘留在上述遮光膜的格子狀圖案 內(nèi)部，從而形成藥液積存，這是其主要原因。
圖10是用光學(xué)顯微鏡觀察固體攝像裝置芯片上的圖片，在芯片上 的大范圍內(nèi)確認(rèn)薄線30的蹤跡，在該線的內(nèi)側(cè)和外側(cè)亮度略有不同， 因此，能夠看到存在斑點的圖像。但是，在圖10中，用實線強調(diào)表示
斑點的薄線。
本發(fā)明的目的在于提供一種固體攝像裝置，它能夠抑制在像素單 元排列上發(fā)生斑點狀圖案，同時，能夠不增加制造成本而進行制造， 由此能夠抑制發(fā)生上述斑點的圖像不良，獲得優(yōu)質(zhì)的圖像。
本發(fā)明的特征在于，在按照包圍固體攝像元件的受光區(qū)域的方式 開口的格子狀的遮光膜圖案或者配線圖案中，在圖案的一部分中具有 一定的間隙。
具體來講，其前提在于，在半導(dǎo)體基板上二維狀排列有多個具有 光電二極管和暫時保持在該光電二極管中產(chǎn)生的電荷的浮動擴散層的
像素單元。
在這種固體攝像裝置中，設(shè)置包圍各個像素單元內(nèi)的光電二極管 且由上述光電二極管的正上方被開口的格子狀圖案構(gòu)成的遮光膜。在 該情況下，該遮光膜隔著層間絕緣膜設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上形成有 多個像素單元的區(qū)域。其特征在于，在上述各個像素單元內(nèi)，形成有 構(gòu)成上述遮光膜的格子狀圖案的一部分被切斷的間隙。
此外，有時周邊電路和像素上的配線層用作遮光膜。其特征在于, 在該情況下，如果將多個配線層用作遮光膜，那么，根據(jù)第一配線層 的布局，決定第二層以后的配線層的布局，在受光區(qū)域上，在包圍受 光區(qū)域的配線的一部分上具有一定的間隙。
根據(jù)本發(fā)明，在形成遮光膜和配線層時的各向異性蝕刻后的清洗 工序中，對于由格子狀布局而產(chǎn)生的格子內(nèi)的藥液積存，在圖案的一 部分上設(shè)置的間隙作為藥液積存的排出口起作用。因此，在清洗工序 中的旋轉(zhuǎn)干燥時的甩開步驟中，晶片上的藥液循環(huán)效率得以提高，并 且藥液不會滯留在格子狀圖案內(nèi)。因而，在受光區(qū)域上方的層間絕緣膜上不會產(chǎn)生蝕刻不均，能夠抑制發(fā)生斑點圖像不良。由此，能夠提 供一種不增加制造成本，而抑制斑點圖像不良，獲得優(yōu)質(zhì)的圖像的固 體攝像裝置。


圖1 (a)、圖1 (b)是發(fā)生斑點圖案的說明圖。 圖2是表示本發(fā)明的一實施方式中的半導(dǎo)體裝置的電路圖案的平 面圖。
圖3是表示本發(fā)明的一實施方式中的半導(dǎo)體裝置的電路圖案的截 面圖。
圖4是表示本發(fā)明的一實施方式中的間隙位置的例子的圖。
圖5是表示本發(fā)明的一實施方式中的間隙形狀的其它例子的圖。
圖6是表示本發(fā)明的一實施方式中間隙位置的第二個例子的圖。
圖7是表示本發(fā)明的一實施方式中的間隙位置的第三個例子的圖。
圖8是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的電路圖案的截面圖。
圖9是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的電路圖案的平面圖。
圖IO是表示所產(chǎn)生的斑點的樣子的圖。
符號說明
1半導(dǎo)體基板
2第一遮光膜
3平坦化膜
4第二遮光膜
5平坦化膜
6第一開口部
7 Si基板
8元件分離
9光電二極管
10表面屏蔽層
11第一層間絕緣膜
12第一配線層
13第二層間絕緣膜
714氟擴散防止膜
15第二配線層
16保護膜
17活性區(qū)域
19浮動擴散層
20復(fù)位門
21第二配線層中的間隙
22第二配線層中的間隙
23第二配線層中的間隙
24第二配線層中的間隙
25柵極氧化膜
26第二配線層中的間隙
27藥液積存
具體實施例方式
本發(fā)明人們對在固體攝像裝置的像素單元排列區(qū)域中產(chǎn)生斑點圖
案的原因做了進一步的研究。首先，對此進行說明。圖1 (a)表示遮 光膜的立體圖，圖1 (b)表示固體攝像裝置的像素單元部的截面圖。 如果使用圖l (b)說明基本構(gòu)造，那么，在N型硅基板7上形成有元 件分離膜8，多個光電二極管9被排列成二維矩陣狀，在其上層配置有 P型表面屏蔽層10。而且，在它們的上層形成有第一層間絕緣膜11、 第一配線層12、第二層間絕緣膜13、氟擴散防止膜14、第二配線層 15。第二層間絕緣膜13使用FSG (Fluorinated Silicate Glass:摻雜氟 的硅玻璃)，因此，氟擴散防止膜14使用p-SiON膜14。
第一配線層12和第二配線層15在圖1 (b)中具有作為兩個遮光 膜的作用。即，如圖l (a)所示，第二配線層15是格子狀，有效地遮 擋從四個方向向入射光電二極管9的光。推斷斑點圖案在形成第二配 線層15時產(chǎn)生。第二配線層15如上所述，通過各向異性蝕刻形成圖 案，并且為了除去聚合體而進行清洗處理。此時，向形成為格子狀的 第二配線層15上噴射霧狀藥液，藥液也流入被第二配線層15所包圍 的格子區(qū)域中。說明書第6/10頁
在一般的半導(dǎo)體集成電路圖案中，清洗藥液在通過基板的高速旋 轉(zhuǎn)而進行的旋轉(zhuǎn)干燥步驟中被甩開，因此不會發(fā)生藥液積存。但是，
在格子狀這種特有的圖案上，如果第二配線層15 (遮光膜)的側(cè)壁變 成隔壁，那么，由于藥液的表面張力，成為甩開藥液時的障礙。因此， 推斷可能發(fā)生如圖l (a)、圖l (b)的藥液積存27那樣的藥液積存的 狀態(tài)，并且積存在格子的開口部整個內(nèi)部。清洗藥液對底層的p-SiON 膜14進行蝕刻，在發(fā)生藥液積存27的格子內(nèi)與未發(fā)生藥液積存的格 子內(nèi)，p-SiON膜14的膜減少量存在差異，發(fā)生蝕刻不均。
由于發(fā)生藥液積存的像素在大范圍內(nèi)作為一個整體分布，因此， 在光學(xué)顯微鏡中，在有不均的區(qū)域、沒有不均的區(qū)域中，反射率或透 過率存在差異，故外觀各異。此外，由于p-SiON膜14的膜厚不均， 從p-SiON膜14至第一層間絕緣膜11的反射率或透過率因位置不同而 各異，因此，有時會發(fā)生斑點圖像不良。格子尺寸越小，受到表面張 力的影響，甩開藥液積存變得越發(fā)困難，因此，隨著像素單元尺寸的 細微化，上述圖IO中的斑點成為獲得優(yōu)質(zhì)的圖像的最大問題。本發(fā)明 就是基于上述的認(rèn)知而產(chǎn)生的。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式的MOS型固體攝像裝置的像素單元 部中的圖案布局的圖。圖3是圖2中的a-a截面圖。首先，如果使用圖 3說明截面構(gòu)造，那么，在像素單元部中，在N型Si基板7上形成有 元件分離膜8和光電二極管9。多個光電二極管9被排列成二維矩陣狀， 在光電二極管9的上層配置有由P型雜質(zhì)所形成的表面屏蔽層10。而 且，在光電二極管9的上層配置有第一層間絕緣膜11，在其上面配置 有第一配線層12和第二層間絕緣膜13。在它的上面配置有p-SiON膜 14等氟擴散防止膜，在其上面配置有第二配線層15。進而，在它的上 面形成有p-SiN膜等保護膜16。
第一層間絕緣膜11使用BPSG (Boro-Phospho Silicate Glass),第 二層間絕緣膜13使用TEOS (Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)的氧化硅膜含 有和氟的FSG。分別在700'C左右的溫度下采用CVD法(化學(xué)汽相生 長法)形成。特別是第二層間絕緣膜13使用FSG，用來降低第一配線 層12的圖案間的配線間電容，因此，在第二層間絕緣膜13上形成用 來防止氟擴散的p-SiON膜14。第一配線層12和第二配線層15使用鋁或者其合金等金屬，其作用在于，作為用于電路動作的配線的作用和
作為用于防止光入射光電二極管區(qū)域以外的遮光膜的作用。在圖3中， 第一配線層12、第二配線層15成為遮光膜。
此處，第二配線層15具有格子狀的布局(參照圖1)，其作用在于 有效地遮擋從四個方向入射的光。第一配線層12如將在后面使用圖2 所說明的那樣，被配置成直線狀，主要發(fā)揮作為使像素內(nèi)的晶體管動 作的配線的作用。并且，第一配線層12位于晶體管的正上方，輔助第 二配線層15的遮光，抑制晶體管的誤動作。在第二配線層15上形成 的保護膜16是為了保護表面而形成的。
圖2是本發(fā)明的實施方式中的像素單元部的圖案布局平面圖，僅 表示像素單元部的主要構(gòu)成要素，為了說明本發(fā)明，省略了其中不需 要的要素。在以下的圖4至圖7中，為了簡化附圖，還省略了符號。 對于用與圖2相同的線或陰影圖案所表示的部分，可以將其理解為與 圖2相同的構(gòu)成要素。
雖然在該圖2中并未表示，但在光電二極管9間有像素驅(qū)動用晶 體管所形成的活性區(qū)域，形成用來讀出像素信號的讀出柵極18、蓄積 被讀出的電荷的浮動擴散層19。在該圖2中，浮動擴散層19位于光電 二極管9的上端，且后述的第二配線層15的下部。讀出柵極18的表 面被Ti、 Co等金屬所硅化(圖3中并未表示)。
第一配線層12 (下層膜)按照在被多個排列的光電二極管9間的 空間，僅沿著一個方向即沿著圖2中的縱方向延伸的方式設(shè)置。由此， 作為覆蓋像素驅(qū)動用晶體管所形成的活性區(qū)域的正上方的遮光膜起作 用，防止因入射光而使這些晶體管發(fā)生誤動作。此外，第二配線層15 按照包圍光電二極管9的區(qū)域的方式配置，它也可以作為遮光膜起作 用。本發(fā)明的特征在于，設(shè)置有該第二配線層15 (遮光膜)的位于第 一配線層12的正上方的一部分被切斷的間隙21。在光電二極管9的區(qū) 域間或者浮動擴散層19的兩側(cè)至少設(shè)置一個間隙21。
在形成第二配線層15時的各向異性干蝕刻后的清洗工序中，該間 隙21起到排出口的作用，用來抑制藥液滯留在格子狀圖案內(nèi)。該清洗 工序主要使用分批式的清洗裝置，首先，在將多個半導(dǎo)體基板收納在 盒中的狀態(tài)下，通過噴射以二甲基甲酰胺為主要成分的藥液，除去聚合物。然后，在藥液甩開步驟中，旋轉(zhuǎn)盒，利用離心力沿晶片外周方 向甩開藥液，然后用純凈水進行清洗，在干燥步驟中，通過室溫以上
的高溫N2干燥或IPA (Iso Propyl Alcohol)干燥使晶片干燥，于是，一 系列的動作結(jié)束。
此處，如果預(yù)先在格子狀的第二配線層15上設(shè)置間隙21，那么， 在清洗工序中的藥液甩開步驟中，能夠形成用來除去滯留在第二配線 層15的格子狀布局內(nèi)的聚合物的清洗藥液的近道。由此，在晶片上， 利用朝著晶片外周方向的離心力，甩開藥液時的藥液排出效率提高， 而且不會發(fā)生藥液積存。這樣，通過抑制發(fā)生藥液積存，在受光區(qū)域 上方，不會發(fā)生作為遮光膜的第二配線層15的底層層間絕緣膜14的 蝕刻不均，抑制產(chǎn)生斑點圖像不良。此外，只要間隙21的位置在位于 第一配線層12的正上方的第二配線層15上的一邊內(nèi)，那么，將其配 置在任何位置都沒有問題。
圖4是表示在第二配線層15上所形成的間隙21位置的第二個例 子的圖。相對于被配置在格子狀圖案的一角的間隙21，在通過間隙21 的格子的對角線上配置第二個間隙22。在清洗工序的藥液甩開步驟中， 按照離心力沿著晶片的外周方向作用的方式旋轉(zhuǎn)。因此，在格子狀配 線圖案中，通過形成能夠從晶片的內(nèi)側(cè)朝著外側(cè)排出藥液的間隙，能 夠提高藥液的排出效率。
圖5是表示在第二配線層15上所形成的間隙21形狀的其它例子 的圖。間隙23的特征在于，為了便于被涂敷在第二配線層15圖案內(nèi) 的藥液朝著旋轉(zhuǎn)干燥時的晶片旋轉(zhuǎn)方向排出，增大圖案內(nèi)部的排出口 的長度，并且具有傾斜形狀。這樣，能夠提高藥液的排出效率。此外， 如圖6所示，也可以在圖5中的形狀的間隙23中應(yīng)用圖4的配置，使 傾斜形狀的間隙24相對配置在格子的對角線上。
此處，間隙21、 22、 23、 24的尺寸是像素單元的一邊的邊長，即 像素單元配置周期的1/10以上，考慮像素尺寸的大小和遮光性，其上 限優(yōu)選為3/10以下。此外，由于間隙21、 22、 23、 24被設(shè)置在位于第 一配線層12的正上方位置的第二配線層15的一部分上，因此，從間 隙21、 22、 23、 24入射的光被位于下層的第一配線層12所遮擋，遮 光效率不會下降。這樣，第一配線層12也如上所述用作遮光膜。圖7是表示在第二配線層15上所形成的間隙26的配置的第三個 例子的圖。在光電二極管9間，形成圖中未示的像素驅(qū)動用晶體管所 形成的活性區(qū)域，形成用來讀出像素信號的讀出柵極、蓄積被讀出的 電荷的浮動擴散層19。在光電二極管9與浮動擴散層19間的元件分離 膜上形成復(fù)位門20 (下層膜)，它既是用來使在讀出動作過程中所讀出 的電荷復(fù)位的復(fù)位晶體管的柵極電極，同時也是配線。各個柵極被Ti、 Co等金屬所硅化。第一配線層12被配置在像素驅(qū)動用晶體管所形成 的活性區(qū)域的正上方，防止因入射光導(dǎo)致這些晶體管發(fā)生誤動作。
在像素單元內(nèi)成為遮光膜的第二配線層15按照包圍光電二極管9 的區(qū)域的方式配置，并且具有格子狀的圖案。在第二配線層15的一部 分形成有間隙26，但是，其位置是構(gòu)成第二配線層15的格子的一角與 沿縱方向相對的格子的一角。只要間隙26在位于被配置在元件分離膜 上的復(fù)位門20的正上方位置的第二配線層15上的一邊內(nèi)，那么，配 置在任何位置都沒有問題。復(fù)位門20的主體是多晶硅膜，但其表面變 成高熔點金屬的硅化物，因此，光的透過率極小，作為遮光膜很有效。 因此，在位于復(fù)位門20上的第二配線層15的一部分上也能設(shè)置間隙 26。
此外，設(shè)置有間隙26的正下方的復(fù)位門20并非作為晶體管而動 作的部分，而是形成在元件分離膜8上，僅作為信號傳遞配線起作用， 因此，不必擔(dān)心由光從間隙26入射而產(chǎn)生的誤操作。對于間隙26的 配置，也可以如圖4所示，配置在第二配線層15的格子圖案的對角線 上。此外，對于間隙的形狀，也可以如圖5所示，形成斜著切斷構(gòu)成 第二配線層15的格子狀圖案的配線后的形狀。
此外，以上所說明的實施方式并非限制本發(fā)明的技術(shù)范圍，對于 己經(jīng)記載的內(nèi)容以外的內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)， 也能進行多種變形和應(yīng)用。
如上所述，本發(fā)明通過在第二配線層15上設(shè)置一定的間隙，這樣， 在遮光膜和配線圖案形成的各向異性蝕刻后的清洗工序中，藥液不會 滯留在第二配線層15的格子狀圖案內(nèi)。因此，不會在受光區(qū)域上方的 層間絕緣膜14發(fā)生蝕刻不均，不會產(chǎn)生斑點圖像不良。因此，不會增 加工藝成本，能夠獲得優(yōu)質(zhì)的圖像。
12如上說明，本發(fā)明不會增加工藝成本，能夠抑制因配線和遮光膜 形成時所產(chǎn)生的斑點而發(fā)生的圖像不良，而且能夠提供優(yōu)質(zhì)的圖像的 固體攝像裝置。因此，在固體攝像裝置的制造過程中非常有用。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像裝置，其在半導(dǎo)體基板上二維狀排列有多個具有光電二極管、和暫時保持在該光電二極管中產(chǎn)生的電荷的浮動擴散層的像素單元，其特征在于包圍所述各個像素單元內(nèi)的所述光電二極管且由所述光電二極管的正上方被開口的格子狀圖案構(gòu)成的遮光膜，隔著層間絕緣膜設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上的形成有所述多個像素單元的區(qū)域，在所述各個像素單元內(nèi)形成有構(gòu)成所述遮光膜的格子狀圖案的一部分被切斷的間隙。
2. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于-在所述遮光膜的下部且所述各個光電二極管間的區(qū)域設(shè)置有下層膜。
3. 如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置，其特征在于 所述下層膜設(shè)置在所述遮光膜的正下方。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的固體攝像裝置，其特征在于所述下層膜是配線層。
5. 如權(quán)利要求2或3所述的固體攝像裝置，其特征在于所述下層膜是驅(qū)動用晶體管的柵極配線。
6. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于一對所述間隙設(shè)置在所述像素單元內(nèi)的對角線上的位置。
7. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于 所述間隙的形狀是相對于所述格子狀圖案傾斜的形狀。
8. 如權(quán)利要求l所述的固體攝像裝置，其特征在于 所述間隙的尺寸是所述像素單元的一邊的1/10以上。
9. 一種固體攝像裝置的制造方法，該固體攝像裝置在半導(dǎo)體基板 上二維狀排列有多個具有光電二極管、和暫時保持在該光電二極管中 產(chǎn)生的電荷的浮動擴散層的像素單元，所述固體攝像裝置的制造方法 的特征在于，包括.-將包圍所述各個像素單元內(nèi)的所述光電二極管且由所述光電二極 管的正上方被開口的格子狀圖案構(gòu)成的遮光膜，隔著層間絕緣膜設(shè)置 在所述半導(dǎo)體基板上的形成有所述多個像素單元的區(qū)域的工序；和在所述各個像素單元內(nèi)形成構(gòu)成所述遮光膜的格子狀圖案的一部 分被切斷的間隙的工序。
10. 如權(quán)利要求9所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于， 包括在所述遮光膜的下部且所述各個光電二極管間的區(qū)域設(shè)置下層膜 的工序。
11. 如權(quán)利要求IO所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于 在所述遮光膜的正下方設(shè)置所述下層膜。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的固體攝像裝置的制造方法，其特 征在于所述下層膜是配線層。
13. 如權(quán)利要求10或11所述的固體攝像裝置的制造方法，其特 征在于所述下層膜是驅(qū)動用晶體管的柵極配線，該配線的表面由遮光性 的高熔點金屬硅化物構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種固體攝像裝置及其制造方法。該固體攝像裝置能夠抑制在像素單元排列上產(chǎn)生斑點狀圖案，同時，能夠不增加制造成本而進行制造，由此抑制上述斑點圖像不良的發(fā)生，獲得優(yōu)質(zhì)的圖像。本發(fā)明的特征在于，在按照包圍固體攝像元件的受光區(qū)域的方式開口的格子狀的遮光膜圖案或者配線圖案中，在圖案的一部分中具有一定的間隙。此外，有時周邊電路和像素上的配線層用作遮光膜。在該情況下，如果將多個配線層用作遮光膜，那么，根據(jù)第一配線層的布局，決定第二層以后的配線層的布局，在受光區(qū)域上，在包圍受光區(qū)域的配線的一部分上具有一定的間隙。
文檔編號H01L27/14GK101685822SQ200910177760
公開日2010年3月31日 申請日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日
發(fā)明者三室研, 地崎潤 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社