專利名稱：接觸插塞及接觸插塞的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及接觸插塞及接觸插塞的形成方法。

背景技術：
隨著集成電路向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，集成電路內(nèi)部的電路密度越來越大，所 包含的元件數(shù)量也越來越多，這種發(fā)展使得晶圓表面無法提供足夠的面積來制作所需的互 連線。為了滿足元件縮小后的互連線需求，兩層及兩層以上的多層金屬互連線的設計 成為超大規(guī)模集成電路技術所通常采用的一種方法。目前，不同金屬層或者金屬層與襯 墊層的導通是通過接觸孔結(jié)構實現(xiàn)的，接觸孔結(jié)構的形成包括在金屬層與金屬層之間 或者金屬層與襯墊層之間的介質(zhì)層形成一開口，在開口內(nèi)填入導電材料。在申請?zhí)枮?200610030809. 4的中國專利文件中能夠發(fā)現(xiàn)更多的關于現(xiàn)有的接觸孔的形成方案。下面結(jié)合附圖簡單的介紹接觸孔結(jié)構的形成過程。圖1至圖5為現(xiàn)有技術中接觸 孔形成方法的示意圖。如圖1所示，在半導體襯底10上沉積一定厚度的層間介質(zhì)層11，并利用光刻、刻蝕 技術去除對應接觸孔處的層間介質(zhì)層11直至露出襯底表面，以形成第一溝槽12和第二溝 槽13。如圖2所示，在具有第一溝槽12和第二溝槽13的層間介質(zhì)層11表面沉積阻擋層 14；如圖3所示，所述阻擋層14表面形成填充第一溝槽12和第二溝槽13的金屬層 15 ；如圖4所示，去除部分所述金屬層15、部分阻擋層14和部分層間介質(zhì)層11，形成 第一接觸孔16和第二接觸孔17 ；如圖5所示，所述層間介質(zhì)層11、第一接觸孔16和第二接觸孔17表面形成覆蓋層 18。隨著集成電路的進一步發(fā)展，第一接觸孔16和第二接觸孔17的距離進一步縮小， 現(xiàn)有技術形成的接觸孔中，第一接觸孔16和第二接觸孔17內(nèi)的金屬粒子很容易通過所述 覆蓋層18和第一接觸孔16或者覆蓋層18和第二接觸孔17界面擴散，使得第一接觸孔16 和第二接觸孔17導通，整個器件失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術問題是避免相鄰接觸孔導通導致器件失效。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種接觸插塞的形成方法，包括如下步驟提供襯 底，所述襯底表面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)形成有接觸孔；在所述接觸孔底部、側(cè)壁和 介質(zhì)層表面形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成填充所述接觸孔的金屬層；去除部分金屬 層、形成在介質(zhì)層表面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金屬層，形成接觸孔，所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。本發(fā)明的發(fā)明人還提供了一種接觸插塞結(jié)構，包括襯底；形成在襯底表面的介 質(zhì)層；接觸孔，所述接觸孔形成在介質(zhì)層內(nèi)；形成在接觸孔側(cè)壁和接觸孔底部的阻擋層；填 充所述接觸孔的金屬層；所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點通過在接觸孔側(cè)壁形成高于接觸孔內(nèi)的 金屬層的阻擋層，使得阻擋層能夠有效的阻擋接觸孔金屬層金屬原子，使得金屬原子無法 通過后續(xù)形成的界面擴散，避免相鄰的接觸孔導通失效現(xiàn)象出現(xiàn)。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按 實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1至圖5是現(xiàn)有技術中接觸孔形成方法的示意圖；圖6是本發(fā)明提供的接觸插塞的形成方法流程圖；圖7至圖12為本發(fā)明的提供的接觸插塞的形成方法實施例的示意圖。
具體實施例方式由背景技術可知，接觸孔結(jié)構廣泛應用于集成電路，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的 工作，發(fā)現(xiàn)隨著集成電路進一步發(fā)展，形成在襯底內(nèi)的接觸孔數(shù)量隨之增加，接觸孔與接觸 孔之間的距離也為之減小，接觸孔內(nèi)填充的金屬很容易通過覆蓋在接觸孔表面的覆蓋層的 界面擴散到相鄰的接觸孔，導致相鄰的接觸孔導通。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過進一步的研究，發(fā)現(xiàn)金屬銅具有高熔點、低電阻系數(shù)及高抗 電子遷移的能力被廣泛應用于130納米節(jié)點以及低于130納米節(jié)點技術的半導體工藝中， 但是由于金屬銅擴散性更加突出，并且隨著集成度進一步發(fā)展，接觸孔與接觸孔之間的間 距進一步縮小，使得接觸孔內(nèi)的金屬銅更容易擴散至相鄰接觸孔。為此，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種接觸插塞的形成方法，包括如下步驟提供襯底，所述襯底表面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)形成有接觸孔；在所述接觸孔底部、側(cè)壁和介質(zhì)層表面形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成填充所述接觸孔的金屬層；去除部分金屬層、形成在介質(zhì)層表面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金 屬層，形成接觸孔，所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。本發(fā)明的發(fā)明人還提供了一種接觸插塞結(jié)構，包括襯底；形成在襯底表面的介 質(zhì)層；接觸孔，所述接觸孔形成在介質(zhì)層內(nèi)；形成在接觸孔側(cè)壁和接觸孔底部的阻擋層；填 充所述接觸孔的金屬層；所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。本發(fā)明提供一種接觸插塞的形成方法和一種接觸插塞結(jié)構，通過在接觸孔側(cè)壁形 成高于接觸孔內(nèi)的金屬層的阻擋層，使得阻擋層能夠有效的阻擋接觸孔金屬層金屬原子， 使得金屬原子無法通過后續(xù)形成的界面擴散，避免相鄰的接觸孔導通失效現(xiàn)象出現(xiàn)。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式
做詳細的說明。
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在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表 示器件結(jié)構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應 限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖6為本發(fā)明提供的接觸插塞的形成方法流程圖；圖7至圖12為本發(fā)明的提供的 接觸插塞的形成方法實施例的示意圖。如圖6所示，本發(fā)明提供的接觸插塞的形成方法包括如下步驟步驟S101，提供襯底，所述襯底表面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)形成有接觸孔。具體參考圖7，提供襯底100。所述襯底100可以為多層基片(例如，具有覆蓋電介質(zhì)和金屬膜的硅襯底)、分級 基片、絕緣體上硅基片(SOI)、外延硅基片、部分處理的基片(包括集成電路及其他元件的 一部分)、圖案化或未被圖案化的基片。參考圖8，在所述襯底100表面形成介質(zhì)層110。所述介質(zhì)層110的厚度為20納米至5000納米，所述介質(zhì)層110用于對襯底上的導 線與導線之間的隔離，具體所述介質(zhì)層110可以是金屬前介質(zhì)層(Pre-Metal Dielectric, PMD)，也可以是層間介質(zhì)層(Inter-Metal Dielectric，ILD)。金屬前介質(zhì)層是沉積在具有MOS器件的襯底上，利用沉積工藝形成，在金屬前介 質(zhì)層中會在后續(xù)工藝形成溝槽，用金屬填充溝槽形成連接孔，所述連接孔用于連接MOS器 件的電極和上層互連層中的金屬導線。層間介質(zhì)層是后道工藝在金屬互連層之間的介電層，層間介質(zhì)層中會在后續(xù)工藝 中形成溝槽，用金屬填充溝槽形成連接孔，所述連接孔用于連接相鄰金屬互連層中的導線。所述介質(zhì)層110的材料通常選自SiO2或者摻雜的SiO2，例如USG (Undoped Silicon Glass,沒有摻雜的硅玻璃)、BPSG(BorophosphosilicateGlass，摻雜硼磷的硅玻璃)、 BSG(Borosilicate Glass，摻雜硼的硅玻璃)、PSG(Phosphosilitcate Glass，摻雜磷的硅 玻璃)等。所述介質(zhì)層110在130納米及以下的工藝節(jié)點一般選用低介電常數(shù)的介電材料， 所述介質(zhì)層100的材料具體選自氟硅玻璃(FSG)、碳摻雜的氧化硅(Black Diamond)以及氮 摻雜的碳化硅(BLOK)。所述介質(zhì)層110的形成工藝可以是任何常規(guī)真空鍍膜技術，例如原子沉積(ALD)、 物理氣相淀積(PVD)、化學氣相淀積(CVD)、等離子體增強型化學氣相淀積(PECVD)等等，在 這里不做贅述。參考圖9，在所述介質(zhì)層110內(nèi)形成接觸孔111。在所述介質(zhì)層110內(nèi)形成接觸孔111工藝步驟包括在所述介質(zhì)層110表面形成 與接觸孔111對應的光刻膠圖形，以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述介質(zhì)層110形成接觸 孔 111。在所述介質(zhì)層110表面形成與接觸孔111對應的光刻膠圖形工藝包括在所述介 質(zhì)層110表面旋涂光刻膠，接著通過曝光將掩膜版上的與通孔相對應的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠
6上，然后利用顯影液將相應部位的光刻膠去除，以形成光刻膠圖形。所述刻蝕介質(zhì)層110工藝可以是任何常規(guī)刻蝕技術，例如化學刻蝕或者等離子體 刻蝕技術。在本實施例中，采用等離子體刻蝕技術，采用CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8或者C5F8 中的一種或者幾種作為反應氣體刻蝕介質(zhì)層110。具體的刻蝕工藝參數(shù)可以為選用等離子體型刻蝕設備，刻蝕設備腔體壓力為10 毫托至50毫托，頂部射頻功率為200瓦至500瓦，底部射頻功率為150瓦至300瓦，C4F8流 量為每分鐘10標準立方厘米(10SCCM)至每分鐘50標準立方厘米，CO流量為每分鐘100標 準立方厘米至每分鐘200標準立方厘米，Ar流量為每分鐘300標準立方厘米至每分鐘600 標準立方厘米，O2流量為每分鐘10標準立方厘米至每分鐘50標準立方厘米，刻蝕介質(zhì)層 110形成接觸孔111。需要特別指出的是所述接觸孔111是用于連接金屬層與金屬層或者金屬層與襯 墊層，刻蝕介質(zhì)層110形成接觸孔111可以是暴露出襯底100內(nèi)的金屬層的接觸孔111也 可以是暴露出介質(zhì)層內(nèi)的金屬層。參考圖10，如步驟S102所述，在所述接觸孔111底部、側(cè)壁和介質(zhì)層110表面形成 阻擋層120。所述阻擋層120材料選自氮化鉭、鈦或者氮化鈦，所述阻擋層120可以為單層結(jié)構 或者多層疊加的結(jié)構，所述阻擋層120用于實現(xiàn)后續(xù)形成的金屬材料與介質(zhì)層側(cè)壁的氧化 硅之間較好的粘附，提高了溝槽形成質(zhì)量，還用于阻止后續(xù)的形成的金屬層與介質(zhì)層的硅 反應，降低了溝槽的電阻。所述阻擋層120的形成工藝可以為物理氣相沉積。所述阻擋層120如果為鈦與氮 化鈦疊加結(jié)構，所述形成工藝可以為采用物理氣相沉積工藝沉積一層鈦，然后采用金屬有 機物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical VaporD印osition，M0CVD)工藝形成氮化鈦。參考圖11，如步驟S103所述，在所述阻擋層120表面形成填充所述接觸孔111的 金屬層130。所述金屬層130材料選自鋁、銀、鉻、鉬、鎳、鈀、鉬、鈦、鉭或者銅，或者選自鋁、銀、 鉻、鉬、鎳、鈀、鉬、鈦、鉭或者銅的合金，所述金屬層400厚度為2000埃至3000埃。所述金屬層130為用于形成層間電極，實現(xiàn)不同金屬層或者金屬層與襯墊層的導通。所述金屬層130形成工藝可以為物理氣相沉積工藝、化學氣相沉積工藝或者電鍍工藝。在本實施例中，由于金屬銅具有高熔點、低電阻系數(shù)及高抗電子遷移的能力，優(yōu)選 用銅做示范性說明，但是需要特別說明的是，選用其他導電物質(zhì)形成的金屬層130在工藝 節(jié)點高于130納米技術中仍然可以工作，只是傳輸延遲比較大，在此特地說明，不應過分限 制本發(fā)明的保護范圍。形成金屬層材料為銅的金屬層130的工藝為電鍍工藝，包括在所述阻擋層120表 面形成籽銅層，所述籽銅層可以采用物理氣相淀積工藝形成，在這里不做贅述；在所述籽銅 層表面形成銅金屬層130。形成所述銅金屬層130的電鍍工藝具體參數(shù)為電鍍液選用CuSO4溶液，Cu2+濃度 為30g/L至50g/L。并且在此溶液中加入多種無機和有機添加劑，無機添加劑為氯離子，其濃度為40mg/L至60mg/L ；有機添加劑包含加速劑、抑止劑和平坦劑，其濃度分別為7ml/L 至10ml/L、lml/L至3ml/L、以及3mL/L至6ml/L ；電鍍的電流為4. 5安培至45安培。參考圖12，如步驟S104所述，去除部分金屬層130、形成在介質(zhì)層110表面的阻擋 層120、部分介質(zhì)層110和部分接觸孔111內(nèi)的金屬層130，形成接觸插塞132，所述接觸孔 111側(cè)壁的阻擋層120高于接觸孔111內(nèi)的金屬層130。需要特別指出的是，本發(fā)明的發(fā)明人為了節(jié)約工藝步驟，所述去除部分金屬層 130、形成在介質(zhì)層110表面的阻擋層120、部分介質(zhì)層110和部分接觸孔111內(nèi)的金屬層 130，形成接觸插塞132，所述接觸孔111側(cè)壁的阻擋層120高于接觸孔111內(nèi)的金屬層130 的工藝采用化學機械拋光工藝完成，并且所述接觸孔111側(cè)壁的阻擋層120高于接觸孔111 內(nèi)的金屬層130的高度為50埃至100埃。所述工藝步驟包括去除金屬層130直至暴露出阻擋層120 ；去除形成在介質(zhì)層 110表面的阻擋層120、部分介質(zhì)層110和部分接觸孔111內(nèi)的金屬層130，使得所述接觸孔 111側(cè)壁的阻擋層120高于接觸孔111內(nèi)的金屬層130。所述去除金屬層130直至暴露出阻擋層120工藝包括粗磨去除金屬層130直至 保留500埃至1500埃金屬層130，精磨去除金屬層130直至暴露出阻擋層120。所述粗磨去除金屬層130工藝參數(shù)為選用氧化鋁作為拋光顆粒，拋光液的PH值 為8至9，拋光液的流量為200毫升每分鐘至400毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速為 83轉(zhuǎn)每分鐘至93轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭的轉(zhuǎn)速為77轉(zhuǎn)每分鐘至87轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓力 為6500帕至13000帕。精磨去除金屬層130的工藝參數(shù)為選用氧化硅作為拋光顆粒，拋光液的PH值為 10至11. 5，拋光液的流量為200毫升每分鐘至400毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速 為63轉(zhuǎn)每分鐘至73轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭的轉(zhuǎn)速為57轉(zhuǎn)每分鐘至67轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓 力為6500帕至9700帕。所述去除形成在介質(zhì)層110表面的阻擋層120、部分介質(zhì)層110和部分接觸孔111 內(nèi)的金屬層130，使得所述接觸孔111側(cè)壁的阻擋層120高于接觸孔111內(nèi)的金屬層130工 藝參數(shù)為選用氧化硅作為拋光顆粒，拋光液的PH值為10至11. 5，拋光液的流量為200毫 升每分鐘至400毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速為83轉(zhuǎn)每分鐘至103轉(zhuǎn)每分鐘，研 磨頭的轉(zhuǎn)速為77轉(zhuǎn)每分鐘至97轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓力為5500帕至6500帕。需要特別指出的是，所述去除形成在介質(zhì)層110表面的阻擋層120、部分介質(zhì)層 110和部分接觸孔111內(nèi)的金屬層130，使得所述接觸孔111側(cè)壁的阻擋層120高于接觸孔 111內(nèi)的金屬層130工藝選用對阻擋層120的去除比較慢的拋光工藝，在上述拋光工藝中， 通過發(fā)明人大量的實驗，獲得了合適的拋光顆粒、拋光液以及拋光工藝中的研磨墊的轉(zhuǎn)速、 研磨頭的轉(zhuǎn)速和拋光工藝的壓力，使得介質(zhì)層110和位于接觸孔111內(nèi)的金屬層去除速率 比較快，而阻擋層去除比較慢，所述拋光工藝能夠使得所述接觸孔111側(cè)壁的阻擋層120高 于接觸孔111內(nèi)的金屬層130。以上述工藝形成的接觸插塞，包括襯底100 ；形成在襯底100表面的介質(zhì)層110， 接觸孔111，所述接觸孔111形成在介質(zhì)層110內(nèi)；形成在接觸孔111側(cè)壁和接觸孔111底 部的阻擋層120 ；填充所述接觸孔111的金屬層130 ；所述接觸孔111側(cè)壁的阻擋層120高 于接觸孔111內(nèi)的金屬層130。
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本發(fā)明通過在接觸孔側(cè)壁形成高于接觸孔內(nèi)的金屬層的阻擋層，使得阻擋層能夠 有效的阻擋接觸孔金屬層金屬原子，使得金屬原子無法通過后續(xù)形成的界面擴散，避免相 鄰的接觸孔導通失效現(xiàn)象出現(xiàn)。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應 當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1.一種接觸插塞的形成方法，其特征在于，包括提供襯底，所述襯底表面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)形成有接觸孔；在所述接觸孔底部、側(cè)壁和介質(zhì)層表面形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成填充所述接觸孔的金屬層；去除部分金屬層、形成在介質(zhì)層表面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金屬層， 形成接觸孔，所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。
2.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層 高于接觸孔內(nèi)的金屬層50埃至100埃。
3.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述阻擋層材料為氮化鉭、 鈦或者氮化鈦。
4.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述阻擋層為單層結(jié)構或 者多層疊加的結(jié)構。
5.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述金屬層材料為銅。
6.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述去除部分金屬層、形 成在介質(zhì)層表面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金屬層的工藝為化學機械拋光工 藝。
7.如權利要求6所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述化學機械拋光工藝包 括粗磨去除金屬層直至保留500埃至1500埃金屬層；精磨去除金屬層直至暴露出阻擋 層；去除形成在介質(zhì)層表面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金屬層，使得所述接觸 孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。
8.如權利要求7所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述粗磨去除金屬層工藝 參數(shù)為選用氧化鋁作為拋光顆粒，拋光液的PH值為8至9，拋光液的流量為200毫升每分 鐘至400毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速為83轉(zhuǎn)每分鐘至93轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭的轉(zhuǎn) 速為77轉(zhuǎn)每分鐘至87轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓力為6500帕至13000帕。
9.如權利要求7所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述精磨去除金屬層工藝 參數(shù)為選用氧化硅作為拋光顆粒，拋光液的PH值為10至11. 5，拋光液的流量為200毫升 每分鐘至400毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速為63轉(zhuǎn)每分鐘至73轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭 的轉(zhuǎn)速為57轉(zhuǎn)每分鐘至67轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓力為6500帕至9700帕。
10.如權利要求7所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述去除形成在介質(zhì)層表 面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金屬層，使得所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接 觸孔內(nèi)的金屬層的工藝參數(shù)為選用氧化硅作為拋光顆粒，拋光液的PH值為10至11. 5，拋 光液的流量為200毫升每分鐘至400毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速為83轉(zhuǎn)每分鐘 至103轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭的轉(zhuǎn)速為77轉(zhuǎn)每分鐘至97轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓力為5500帕 至6500帕。
11.一種接觸插塞，其特征在于包括襯底；形成在襯底表面的介質(zhì)層；接觸孔，所述接觸孔形成在介質(zhì)層內(nèi)；形成在接觸孔側(cè)壁和接觸孔底部的阻擋層；填充所述接觸孔的金屬層； 所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。
12.如權利要求11所述的接觸插塞，其特征在于，所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸 孔內(nèi)的金屬層50埃至100埃。
13.如權利要求11所述的接觸插塞，其特征在于，所述阻擋層材料為氮化鉭、鈦或者氮 化鈦。
14.如權利要求11所述的接觸插塞，其特征在于，所述阻擋層為單層結(jié)構或者多層疊 加的結(jié)構。
15.如權利要求11所述的接觸插塞，其特征在于，所述金屬層材料為銅。
全文摘要
一種接觸插塞及接觸插塞的形成方法，其中接觸插塞的形成方法包括提供襯底，所述襯底表面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)形成有接觸孔；在所述接觸孔底部、側(cè)壁和介質(zhì)層表面形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成填充所述接觸孔的金屬層；去除部分金屬層、形成在介質(zhì)層表面的阻擋層、部分介質(zhì)層和部分接觸孔內(nèi)的金屬層，形成接觸孔，所述接觸孔側(cè)壁的阻擋層高于接觸孔內(nèi)的金屬層。本發(fā)明能夠避免相鄰的接觸孔導通失效現(xiàn)象出現(xiàn)。
文檔編號H01L23/528GK102005407SQ200910194790
公開日2011年4月6日 申請日期2009年8月28日 優(yōu)先權日2009年8月28日
發(fā)明者牛孝昊, 王琪 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司