專利名稱：金屬層的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬層的制造方法，具體的，涉及一種應用在半導體器件的金屬
層的制造方法。
背景技術(shù)：
集成電路的制造通常分為二個主要部分先在晶圓的表面上制造出有源器件和無 源器件，這個階段稱為前線(FEOL:front-end-of-line)。完成前線后，需要在該晶圓上用 金屬來連接各個器件和不同的層，這個階段稱為后線(BE0L :back-end-of-line)，這個階 段也就是在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬層以及隨后刻印圖形以便形成互聯(lián)金屬線的過程。
隨著芯片集成度的增加，金屬互聯(lián)復雜性隨之相應增加，而金屬互聯(lián)產(chǎn)生的互連 電阻也隨之增加，降低了信號的傳遞速度，嚴重制約了芯片的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種金屬層的制造方法，以降低金屬互連的電 阻。
為了實現(xiàn)本發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種金屬層的制造方法，包括步驟 形成金屬薄膜層； 對該金屬薄膜層進行退火； 在所述金屬薄膜層的基礎(chǔ)上繼續(xù)生長，形成金屬層；
對所述金屬層進行退火。 采用化學氣相淀積方法形成所述金屬薄膜層。
所述金屬層的厚度大于3微米。
所述金屬層形成的晶粒大于25微米。
所述金屬層的材質(zhì)為鋁或者鋁合金。
所述金屬薄膜層的厚度為0 1微米。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的金屬層，通過先形成一比較薄的金屬層，然后退火，繼 而在此基礎(chǔ)上繼續(xù)生長，變厚，最后再次進行退火，形成比較粗大晶粒的金屬層，從而降低 所述金屬層的電阻。而且，由于形成的金屬層比較厚，進一步降低了所述金屬層的電阻，從 而使得采用所述金屬層的制作方法形成的器件的互連電阻大大降低，提高了信號的傳遞速 度，提高了芯片的性能。


圖1為本發(fā)明金屬層的制造方法的制造流程圖。
具體實施例方式
為了更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實施例并配合所附圖式說明如下。
請參閱圖1，圖1為本發(fā)明金屬層的制造方法的制造流程圖。 本實施例以在硅襯底表面制造金屬層、所述金屬層以鋁為例進行說明，當然，本發(fā) 明并不局限于硅襯底表面上制造所述金屬層，也可以在任何需要形成低電阻值的金屬層的 表面上。所述金屬層也不僅僅局限于鋁，也可以為鋁的合金或者其他低電阻值的金屬及其 步驟Sl :首先在硅襯底表面上，采用化學氣相淀積的方法，形成一金屬薄膜層，所 述金屬薄膜層的厚度為0 1微米。
步驟S2 :對該金屬薄膜層進行退火，使得經(jīng)過退火后的金屬薄膜層的晶粒變大。
步驟S3 :在所述金屬薄膜層的基礎(chǔ)上繼續(xù)生長，變厚，形成金屬層，所述金屬層的 厚度大于3微米。 步驟S4:對所述金屬層進行退火，使得所有金屬層的晶粒變大，形成的晶粒大于 25微米。 本實施例形成的金屬層，通過先形成一比較薄的金屬層，然后退火，繼而在此基礎(chǔ) 上繼續(xù)生長，變厚，最后再次進行退火，形成比較粗大晶粒的金屬層，從而降低所述金屬層 的電阻。而且，由于形成的金屬層比較厚，進一步降低了所述金屬層的電阻，從而使得采用 所述金屬層的制作方法形成的器件的互連電阻大大降低，提高了信號的傳遞速度，提高了 芯片的性能。 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù) 人員應該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本 發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變 化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其 等同物界定。
權(quán)利要求
一種金屬層的制造方法，其特征在于，包括步驟形成金屬薄膜層；對該金屬薄膜層進行退火；在所述金屬薄膜層的基礎(chǔ)上繼續(xù)生長，形成金屬層；對所述金屬層進行退火。
2. 如權(quán)利要求1所述的金屬層的制造方法，其特征在于采用化學氣相淀積方法形成 所述金屬薄膜層。
3. 如權(quán)利要求1所述的金屬層的制造方法，其特征在于所述金屬層的厚度大于3微米。
4. 如權(quán)利要求1所述的金屬層的制造方法，其特征在于所述金屬層形成的晶粒大于 25微米。
5. 如權(quán)利要求1所述的金屬層的制造方法，其特征在于所述金屬層的材質(zhì)為鋁或者鋁合金。
6. 如權(quán)利要求1所述的金屬層的制造方法，其特征在于所述金屬薄膜層的厚度為 0 1微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種金屬層的制造方法，包括步驟形成金屬薄膜層；對該金屬薄膜層進行退火；繼續(xù)生長，形成金屬層；對所述金屬層進行退火。所述金屬層的厚度大于3微米。所述金屬層形成的晶粒大于25微米。所述金屬層的材質(zhì)為鋁或者鋁合金。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的金屬層，通過先形成一比較薄的金屬層，然后退火，繼而在此基礎(chǔ)上繼續(xù)生長，變厚，最后再次進行退火，形成比較粗大晶粒的金屬層，從而降低所述金屬層的電阻。而且，由于形成的金屬層比較厚，進一步降低了所述金屬層的電阻，從而使得采用所述金屬層的制作方法形成的器件的互連電阻大大降低，提高了信號的傳遞速度，提高了芯片的性能。
文檔編號H01L21/70GK101694835SQ200910197109
公開日2010年4月14日 申請日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
發(fā)明者許丹 申請人:上海宏力半導體制造有限公司;