專利名稱：雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，半導(dǎo)體器件已經(jīng)具有深亞微米結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體集成電路IC 中包含巨大數(shù)量的半導(dǎo)體元件。在這種大規(guī)模集成電路中，不僅包括單層互連結(jié)構(gòu)，而且要 在多層之間進(jìn)行互連，因此，還包括多層互連結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)互連層互相堆疊，并通過(guò)位于 多個(gè)互連層之間的層間介質(zhì)層進(jìn)行隔離。特別地，利用雙鑲嵌(dual-damascene)工藝形成 多層互連結(jié)構(gòu)時(shí)，需要預(yù)先在層間介質(zhì)層中形成用于互連的溝槽和通孔，然后用導(dǎo)電材料 如銅填充所述溝槽和通孔。所述雙鑲嵌工藝，按照工藝實(shí)現(xiàn)先后方式的不同可分為兩類先溝槽工藝(Trench First)和先通孔(Via First)工藝。先溝槽工藝包括首先在已沉積的層間介質(zhì)層上刻蝕 出溝槽圖形，然后再刻蝕出通孔圖形。由于形成通孔的光刻是在形成溝槽之后進(jìn)行，此時(shí)襯 底上存在溝槽，襯底表面凹凸不平，使得光刻膠的分布不均勻。并且由于形成通孔時(shí)進(jìn)行掩 膜的光刻膠比較厚，增加了曝光和顯影的困難，所以隨著雙鑲嵌結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸的縮小，先溝 槽刻蝕工藝應(yīng)用越來(lái)越少。先通孔工藝是當(dāng)前普遍采用的方法。所述先通孔工藝包括首先在層間介電層中定義出穿過(guò)層間介電層的通孔，然后 利用另一光刻膠層定義并形成溝槽。在申請(qǐng)?zhí)枮?00610025649.4的中國(guó)專利申請(qǐng)中，提供了一種先通孔工藝的雙鑲 嵌結(jié)構(gòu)的形成方法，包括第一步，如圖1所示，提供基底結(jié)構(gòu)，包括襯底100、位于所述襯底100上的刻蝕阻 擋層101、位于所述刻蝕阻擋層101上的層間介質(zhì)層102、及位于所述層間介質(zhì)層102上的 光刻膠層103。其中，所述襯底100還具有金屬導(dǎo)線層(圖中未標(biāo)示)，所述刻蝕阻擋層101 用以避免襯底100中的金屬導(dǎo)線層暴露于氧氣中或其他腐蝕層性化學(xué)工藝中，所述光刻膠 層103中具有通孔圖案；第二步，以光刻膠層103為刻蝕掩膜，將光刻膠層103的通孔圖案轉(zhuǎn)移到層間介質(zhì) 層102中，所形成的通孔完全穿過(guò)層間介質(zhì)層102，且露出其下方的刻蝕阻擋層101的表面， 形成如圖2所示的通孔201結(jié)構(gòu)。其中，通孔較多的區(qū)域定義為密集區(qū)(dense area，簡(jiǎn)稱 dense)，通孔較少的區(qū)域定義為孤立區(qū)(isolaion area，簡(jiǎn)稱iso)；第三步，如圖3所示，在層間介質(zhì)層102上和通孔201中形成抗反射層104，即通孔 填充(gap filling)過(guò)程?？狗瓷鋵?04用以降低曝光顯影工藝中反射光的干擾，以提高 圖形定義的質(zhì)量，增強(qiáng)后期的溝槽刻蝕效果。所述通孔填充過(guò)程采用一步填充抗反射材料 的方法，即整個(gè)填充過(guò)程中，使用的是一步填入同一種黏度的抗反射層材料；第五步，如圖4所示，在所述抗反射層104上形成具有溝槽圖案的光刻膠層105 ；第六步，以光刻膠層105為刻蝕掩膜，將光刻膠層105的溝槽圖案轉(zhuǎn)移到層間介質(zhì) 層102中，形成如圖5所示的溝槽202，最后去除抗反射層104和光刻膠層105，以形成具有通孔201和溝槽202的雙鑲嵌圖案；第七步，在所述通孔201和溝槽202中填充導(dǎo)電材料，對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行平坦化處 理，形成如圖6所示的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。隨著現(xiàn)有雙鑲嵌結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸越來(lái)越小，光刻工藝的最小分辨率不斷提高，同時(shí) 景深也越來(lái)越小，從而對(duì)于曝光表面的平坦化程度要求越來(lái)越高；同時(shí)，更小的通孔尺寸也 使得抗反射層的通孔填充也變得越來(lái)越困難，因此抗反射層的通孔填充工藝的效果，將大 大影響整個(gè)制造流程的寬裕度及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的好壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法，優(yōu)化溝槽刻蝕效果，提高 雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸準(zhǔn)確率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法，包括提供表面具有導(dǎo)電區(qū)域的襯底，所述襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層 中形成有通孔，所述通孔位置與所述導(dǎo)電區(qū)域位置相對(duì)應(yīng)；在所述層間介質(zhì)層上和所述通孔內(nèi)形成第一抗反射層，對(duì)接觸通孔進(jìn)行填充；在所述第一抗反射層上形成第二抗反射層，其中，所述第二抗反射層的黏度大于 第一抗反射層；對(duì)所述第二抗反射層、第一抗反射層和層間介質(zhì)層進(jìn)行溝槽的圖形化，刻蝕所述 第二抗反射層、第一抗反射層和部分所述層間介質(zhì)層形成溝槽，所述溝槽底部至少與一個(gè) 通孑L連通。可選的，所述第一抗反射層和第二抗反射層為膠狀氧化硅基材料?？蛇x的，所述第一抗反射層黏度范圍為1. 50厘泊 1. 70厘泊?？蛇x的，所述第一抗反射層的厚度為1500人 1700 A?？蛇x的，所述第二抗反射層黏度范圍為1. 90厘泊 2. 10厘泊。可選的，所述第二抗反射層的厚度為1900 A- 2100A。可選的，所述方法還包括在圖形化之前，在所述第二抗反射層上形成低溫氧化物 層，所述方法還包括圖形化低溫氧化物層，及以圖形化的低溫氧化物為掩模，刻蝕第二抗反 射層、第一抗反射層和部分層間介質(zhì)層形成溝槽的步驟?？蛇x的，所述抗反射層的形成方式為自動(dòng)旋轉(zhuǎn)涂覆?？蛇x的，所述層間介質(zhì)層的厚度為2000 12000 A。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)將通孔填充過(guò)程分為兩步進(jìn) 行，采用低黏度的抗反射層作為第一抗反射層進(jìn)行填充，提高通孔內(nèi)部的填充效率，減小孔 隙度；采用高黏度抗反射層作為第二抗反射層進(jìn)行填充，提高抗反射層的平坦化程度，易于 后期光刻膠的形成和刻蝕，防止厚度差過(guò)大。所述技術(shù)方案能夠解決導(dǎo)線溝槽光刻工藝時(shí) 曝光圖形線寬分布不均勻問(wèn)題，優(yōu)化溝槽刻蝕效果，提高雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸準(zhǔn)確率。


圖1至圖7是現(xiàn)有工藝雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法的流程示意圖9至圖16是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造方法的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)際雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造中，現(xiàn)有技術(shù)方法會(huì)造成溝槽光刻工藝時(shí)，曝光圖形線寬分 布不均勻，導(dǎo)致雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸不準(zhǔn)確的問(wèn)題。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，所述問(wèn)題是由于光刻 散焦和聚焦深度變淺導(dǎo)致。進(jìn)一步地，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，因?yàn)樵诿芗瘏^(qū)的通孔較多，第三步即通孔填充工藝中，填 充通孔后發(fā)生孔隙，如圖7所示，造成填充后的密集區(qū)dense的高度a小于孤立區(qū)iso的高 度b。所述密集區(qū)與孤立區(qū)的最大差值dense/iso bias定義為孤立區(qū)的最大高度b減去密 集區(qū)的最小高度a，公式如下dense/iso bias = Max(iso)-Min(dense) = b_a在后期溝槽光刻時(shí)，由于光刻工藝成像的景深有限，所述偏差值過(guò)大將使密集區(qū) 與孤立區(qū)的圖形不能同時(shí)在最佳焦深處成像，從而使整個(gè)圖形區(qū)線寬分布不均勻，進(jìn)而導(dǎo) 致溝槽刻蝕效果不佳，造成整個(gè)雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸的不標(biāo)準(zhǔn)。在65nm的工藝生產(chǎn)線上，若采用一步填充高黏度的抗反射層，所述偏差值大約為 566A;若采用分二步填充低黏度的抗反射層，其偏差值仍高達(dá).370 A,并且低黏度的材料會(huì) 造成抗反射層的上表面的不易平面化，影響后續(xù)的光刻效果?；谏鲜鲅芯?，本發(fā)明通過(guò)將通孔填充過(guò)程分為兩步進(jìn)行，采用低黏度的抗反射 層作為第一抗反射層進(jìn)行填充，提高通孔內(nèi)部的填充效果，減小孔隙度；采用高黏度抗反射 層作為第二抗反射層進(jìn)行填充，提高抗反射層的平坦化程度，易于后期光刻膠的形成和刻 蝕，防止厚度差過(guò)大。所述技術(shù)方案能夠解決導(dǎo)線溝槽光刻工藝時(shí)曝光圖形線寬分布不均 勻問(wèn)題，優(yōu)化溝槽刻蝕效果，提高雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸準(zhǔn)確率。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不 同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類 似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。圖8為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法的流程示意圖，包括執(zhí)行步驟S101，提供表面具有導(dǎo)電區(qū)域的襯底，所述襯底上形成有層間介質(zhì)層，所 述層間介質(zhì)層中形成有通孔，所述通孔位置與所述導(dǎo)電區(qū)域位置相對(duì)應(yīng)；執(zhí)行步驟S102，在所述層間介質(zhì)層上和所述通孔內(nèi)形成第一抗反射層，對(duì)接觸通 孔進(jìn)行填充；執(zhí)行步驟S103，在所述第一抗反射層上形成第二抗反射層，其中，所述第二抗反射 層的黏度大于第一抗反射層；執(zhí)行步驟S104，對(duì)所述第二抗反射層、第一抗反射層和層間介質(zhì)層進(jìn)行溝槽的圖 形化，刻蝕所述第二抗反射層、第一抗反射層和部分所述層間介質(zhì)層形成溝槽，所述溝槽底 部至少與一個(gè)通孔連通；執(zhí)行步驟S105，在所述溝槽和通孔中填充導(dǎo)電材料；執(zhí)行步驟S106，對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行平坦化處理，形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
圖9至圖11為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。首先，如圖9所示提供基底。所述基底包括襯底1100及位于襯底上的層間介質(zhì)層 1102。因?yàn)殡p鑲嵌結(jié)構(gòu)是用于層間金屬導(dǎo)線連接的，在所述襯底1100表面上應(yīng)具有至少 一處導(dǎo)電區(qū)域，且后面最終形成的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的底部是與該襯底表面上的導(dǎo)電區(qū)域相電連 接，或者說(shuō)，本發(fā)明的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)是建立在襯底表面上的導(dǎo)電區(qū)域之上的，以實(shí)現(xiàn)兩層間的 電連接。繼續(xù)參考圖9，所述層間介質(zhì)層1102與所述襯底1100之間，還形成有刻蝕阻擋層 1101。所述刻蝕阻擋層1101是用于保護(hù)下面的襯底1100，要求刻蝕阻擋層1101在刻蝕速 率方面要低于其上的層間介電層1102，以防止后續(xù)刻蝕層間介質(zhì)層1102時(shí)發(fā)生過(guò)刻蝕，損 傷到下面的襯底1100。根據(jù)選取的層間介質(zhì)層1102的不同，對(duì)應(yīng)的刻蝕阻擋層1101不同。 選取的層間介質(zhì)層1102若為摻氟的氧化硅、摻碳的氧化硅、或者利用液態(tài)的膠狀氧化硅基 材料形成的多孔介電層，則刻蝕阻擋層1101可為氮化硅、氮氧化硅，或氮碳化硅。作為一 個(gè)實(shí)施例，所述層間介電層1102為摻碳的氧化硅，所述層間介電層1102的厚度為2000 12000 A。所述刻蝕阻擋層1101為氮化硅，所述刻蝕阻擋層1101的厚度為200 1200 Ao然后，如圖10和圖11所示，對(duì)所述層間介質(zhì)層1102進(jìn)行圖形化處理，以形成通孔 1201的基底結(jié)構(gòu)。具體形成過(guò)程為在層間介電層1102上涂布光刻膠1103并進(jìn)行圖形化 處理，再以所述光刻膠1103為掩膜對(duì)層間介電層1102進(jìn)行刻蝕形成通孔1201，所述刻蝕的 工藝為反應(yīng)離子刻蝕工藝。在本實(shí)施例中，是直接以光刻膠為掩膜對(duì)通孔1201進(jìn)行刻蝕的，在本發(fā)明的其他 實(shí)施例中，還可以在層間介電層1102上再形成一層硬掩膜層進(jìn)行圖形化后，再以光刻膠及 該硬掩膜層一起作為掩膜進(jìn)行通孔1201的刻蝕，該硬掩膜層的存在，可以令形成的通孔邊 緣形狀更好，在此不加詳細(xì)描述。圖11為形成有通孔1201的襯底1100剖面圖。其中，通孔密集區(qū)為dense，通孔孤 立區(qū)為isoo對(duì)于所述雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，在形成通孔以后，還需要再次進(jìn)行圖形化及干法刻蝕步驟 以形成溝槽。形成溝槽以前，需要對(duì)所述雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層1102上和通孔1201內(nèi) 形成抗反射層，所述形成抗反射層的目的在于提高曝光顯影工藝的分辨率。與現(xiàn)有技術(shù)不同，本發(fā)明的技術(shù)方案將形成抗反射層分為兩步執(zhí)行，形成低黏度 第一抗反射層和高黏度第二抗反射層。接著，如圖12所示，在所述層間介質(zhì)層1102上和通孔1201內(nèi)形成第一抗反射層 1301，所述抗反射層1301為膠狀氧化硅基材料。所述第一抗反射層1301的形成方式為自 動(dòng)旋轉(zhuǎn)涂覆，所述涂覆使用的旋轉(zhuǎn)頻率為1000HZ。所述第一抗反射層1301為低粘度抗反射 材料，所述黏度范圍為1. 50厘泊 1. 70厘泊，厚度為1500 A-1700 A。其中，對(duì)于雙鑲嵌 結(jié)構(gòu)的整片晶圓，通孔數(shù)量較少，從而需要填充的通孔體積很小，填充通孔僅需要少量的抗 反射材料，所以所述抗反射層的厚度是指從填充通孔后，從層間介質(zhì)層1102的表面3020上 開(kāi)始測(cè)量的厚度。如圖12中所示，C為第一抗反射層的厚度，為1500人 1700A。其中，第一抗反射層1301的低黏度，使得所述通孔1201可以得到很好的填充，減 小空隙的產(chǎn)生，有利于減小通孔密集區(qū)dense和通孔孤立區(qū)iso的抗反射層高度差值。緊接著，如圖13所示，在所述第一抗反射層1301上形成第二抗反射層1302。所述第二抗反射層1302為膠狀氧化硅基材料。所述第二抗反射層1302的形成方式為自動(dòng)旋轉(zhuǎn) 涂覆，所述涂覆使用的旋轉(zhuǎn)頻率為1000HZ。所述第二抗反射層為高黏度抗反射材料，黏度范 圍為1. 90厘泊 2. 10厘泊，厚度為1900A 2100A。其中，第二抗反射層302具有上表面3021。因?yàn)樗龅诙狗瓷鋵拥母唣ざ?，使?所述上表面3021可以得到很好的平面性，有利后期的工藝制作。本發(fā)明技術(shù)方案中的兩次通孔填充后，經(jīng)過(guò)掃描式電子顯微鏡的測(cè)量，可得密集 區(qū)和孤立區(qū)的厚度差值大約在200人,較之現(xiàn)有技術(shù)的偏差值較大的提高。形成了第二抗反射層1302后，需要對(duì)所述層間介質(zhì)層1102進(jìn)行溝槽的圖形化處 理，并刻蝕所述第一抗反射層1301、第二抗反射層1302以及部分的層間介質(zhì)層1102形成溝 槽，且所述溝槽下方至少有一個(gè)所述通孔。作為一個(gè)實(shí)施例，在刻蝕形成溝槽前，為了防止 光刻膠在形成溝槽的過(guò)程中消耗過(guò)快，而導(dǎo)致層間介質(zhì)層刻蝕不充分，在所述第二抗反射 層1302上形成一層低溫氧化物1104，在刻蝕過(guò)程中，所述光刻膠圖形先通過(guò)刻蝕轉(zhuǎn)移到低 溫氧化物1104上，再以低溫氧化物1104的圖形對(duì)層間介質(zhì)層1102進(jìn)行刻蝕。緊接著，如圖14所示，在低溫氧化物層1104上形成圖形化的光刻膠1103，并依次 刻蝕所述低溫氧化物層1104、第二抗反射層1302、第一抗反射層1301、以及部分的層間介 質(zhì)層1102，以形成溝槽，且所述溝槽下方至少有一個(gè)所述通孔。所述刻蝕的工藝為反應(yīng)離子 刻蝕工藝。在接下來(lái)的工藝步驟中，利用化學(xué)清洗方式，例如灰化工藝去除光刻膠層1103和 低溫氧化物層1104，得到具有通孔1201和溝槽1202的雙鑲嵌圖形，如圖15所示。再接著，如圖16所示，向通孔1201和溝槽開(kāi)口 1202中填充導(dǎo)電材料3301，所述導(dǎo) 電材料3301為銅、氮化鉭或鉭。最后，對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行平坦化處理，形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。即對(duì)導(dǎo)電材料3301進(jìn)行平 坦化處理，形成與具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的襯底1101相連的金屬互連雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā) 明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明 的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法，包括提供表面具有導(dǎo)電區(qū)域的襯底，所述襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中形 成有通孔，所述通孔位置與所述導(dǎo)電區(qū)域位置相對(duì)應(yīng)；在所述層間介質(zhì)層上和所述通孔內(nèi)形成第一抗反射層，對(duì)接觸通孔進(jìn)行填充； 在所述第一抗反射層上形成第二抗反射層，其中，所述第二抗反射層的黏度大于第一 抗反射層；對(duì)所述第二抗反射層、第一抗反射層和層間介質(zhì)層進(jìn)行溝槽的圖形化，刻蝕所述第二 抗反射層、第一抗反射層和部分所述層間介質(zhì)層形成溝槽，所述溝槽底部至少與一個(gè)通孔 連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一抗反射層和第二抗反射層 為膠狀氧化硅基材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一抗反射層黏度范圍為1.50 厘泊 1. 70厘泊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一抗反射層的厚度為 1500 A 1700 人。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第二抗反射層黏度范圍為1.90 厘泊 2. 10厘泊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第二抗反射層的厚度為 1900 A 2100人。
7.權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述方法還包括在圖形化之前，在所述第 二抗反射層上形成低溫氧化物層，所述方法還包括圖形化低溫氧化物層，及以圖形化的低 溫氧化物為掩模，刻蝕第二抗反射層、第一抗反射層和部分層間介質(zhì)層形成溝槽的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述抗反射層的形成方式為自動(dòng)旋轉(zhuǎn)涂覆。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的厚度為2000 12000Ao
全文摘要
一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供表面具有導(dǎo)電區(qū)域的襯底，所述襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中形成有通孔，所述通孔位置與所述導(dǎo)電區(qū)域位置相對(duì)應(yīng)；在所述層間介質(zhì)層上和所述通孔內(nèi)形成第一抗反射層，對(duì)接觸通孔進(jìn)行填充；在所述第一抗反射層上形成第二抗反射層，其中，所述第二抗反射層的黏度大于第一抗反射層；對(duì)所述第二抗反射層、第一抗反射層和層間介質(zhì)層進(jìn)行溝槽的圖形化，刻蝕所述第二抗反射層、第一抗反射層和部分所述層間介質(zhì)層形成溝槽，所述溝槽底部至少與一個(gè)通孔連通；在所述溝槽和通孔中填充導(dǎo)電材料；對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行平坦化處理，形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102097361SQ200910201178
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者安輝, 田彬 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司