專利名稱：一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的MOS晶體管。
背景技術(shù)：
當(dāng)半導(dǎo)體集成電路進(jìn)入深次微米的工藝時(shí)，元件的尺寸逐漸縮小，使整個(gè)集成電 路的運(yùn)作速度將因此而能有效地提升。但是當(dāng)元件的尺寸再進(jìn)一步縮小時(shí)，以金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管來說，柵極和源極/漏極的阻值與寄生電容(parasitic capacitance)會(huì)隨 著增加，使元件縮小化所帶來的整體電路效能的提升受到阻礙。若元件尺寸再繼續(xù)縮小，整 個(gè)元件的面積將會(huì)被源極/漏極的歐姆接觸占掉大部份，也因此設(shè)下了集成電路集成度的 上限。目前業(yè)界將硅鍺外延層的選擇性外延成長(zhǎng)工藝應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝上，以克服上述 的問題。為了增加電子遷移率和成本效益，硅鍺被用作源區(qū)和漏區(qū)的材料。這是因?yàn)殒N原子 的半徑比硅原子的半徑大，所以當(dāng)鍺原子取代部份硅原子，進(jìn)入硅的晶格(lattice)中時(shí)， 整個(gè)晶格會(huì)因此而扭曲。在電荷攜帶者的密度相同時(shí)，晶格扭曲的硅或硅鍺合金和單晶硅 比起來，其電子和空穴的移動(dòng)性都大幅增加，分別增加5和10倍左右，如此一來便能夠降低 元件阻值，使集成電路的集成度可以繼續(xù)提高，發(fā)展下一代甚至下二代的產(chǎn)品。但是在硅鍺外延層在生長(zhǎng)過程中，特別是經(jīng)過熱工藝后，由于Si和Ge的晶格常數(shù) 的不同，會(huì)產(chǎn)生硅與鍺不能很好地形成單晶從而造成硅鍺外延層具有凹坑缺陷的問題。同 時(shí)在硅鍺外延層在生長(zhǎng)過程中還會(huì)產(chǎn)生堆垛層錯(cuò)(stackingfault)問題。凹坑缺陷和堆垛 層錯(cuò)都使得外延生長(zhǎng)的硅鍺沒有形成有序單晶排列的形狀，使得應(yīng)力無法順利施加到溝道 中，從而無法提高晶體管器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管及制造方法，以 解決通過生長(zhǎng)硅鍺外延層形成器件源/漏區(qū)的過程中，硅鍺外延層產(chǎn)生凹坑缺陷和堆垛層 錯(cuò)，影響晶體管器件性能的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管，包括襯底；位于所述襯底之上的柵極結(jié)構(gòu)；形成于襯底中，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)包括摻雜 的第一同質(zhì)外延層、位于所述第一同質(zhì)外延層之上的摻雜的異質(zhì)外延層以及位于所述異質(zhì) 外延層之上的摻雜的第二同質(zhì)外延層。可選的，所述第一同質(zhì)外延層的厚度為1 IOnm ；可選的，所述異質(zhì)外延層的厚度為30 SOnm ；可選的，所述第二同質(zhì)外延層的厚度為1 20nm。
可選的，所處襯底為硅襯底，所述第一同質(zhì)外延層和所述第二同質(zhì)外延層為硅外延層?？蛇x的，所述異質(zhì)外延層為硅鍺外延層或碳化硅外延層?？蛇x的，所述異質(zhì)外延層為硅鍺外延層時(shí)，其鍺含量為15 35%。本發(fā)明還提供一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，包括在襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述襯底中蝕刻形成源/漏區(qū)凹陷部；在所述源/漏區(qū)凹陷部?jī)?nèi)外延生長(zhǎng)源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)包括第一同質(zhì)外 延層、位于所述第一同質(zhì)外延層之上的異質(zhì)外延層以及位于所述異質(zhì)外延層之上的第二同 質(zhì)外延層；對(duì)所述源區(qū)和所述漏區(qū)進(jìn)行摻雜。可選的，所述第一同質(zhì)外延層的厚度為1 lOnm?？蛇x的，所述異質(zhì)外延層的厚度為30 80nm?？蛇x的，所述第二同質(zhì)外延層的厚度為1 20nm?？蛇x的，所述襯底為硅襯底，所述第一同質(zhì)外延層和所述第二同質(zhì)外延層為硅外延層。可選的，所述異質(zhì)外延層為硅鍺外延層或碳化硅外延層。可選的，所述異質(zhì)外延層為硅鍺外延層時(shí)，其鍺含量為15 35%。可選的，所述異質(zhì)外延層為碳化硅外延層時(shí)，其碳含量為1 3%?？蛇x的，形成所述第一同質(zhì)外延層和第二同質(zhì)外延層的方法包括在壓力為3 15Torr，溫度為500 1000°C的條件下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積；硅源前驅(qū)氣體為SiH4或二氯甲 烷，其氣體流量為30 300sCCm ；載氣為氫氣，其氣體流量為5 50slm?？蛇x的，形成所述第一同質(zhì)外延層和第二同質(zhì)外延層的方法還包括化學(xué)氣相淀 積時(shí)還添加HCl氣體作為蝕刻劑，其氣體流量為50 200SCCm?？蛇x的，所述異質(zhì)外延層為硅鍺外延層時(shí)，形成所述異質(zhì)外延層的方法包括在 壓力為3 15Torr，溫度為500 1000°C的條件下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積；硅源前驅(qū)氣體為 SiH4或二氯甲烷，其氣體流量為30 300sCCm ；鍺源前驅(qū)氣體為GeH4,其氣體流量為5 500sccm ；載氣為氫氣，其氣體流量為5 50slm?？蛇x的，形成所述異質(zhì)外延層的方法還包括化學(xué)氣相淀積時(shí)還添加HCl氣體作 為蝕刻劑，其氣體流量為50 200SCCm。可選的，所述異質(zhì)外延層為碳化硅外延層時(shí)，形成所述異質(zhì)外延層的方法包括在 壓力為3 15Torr，溫度為500 1000°C的條件下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積；硅源前驅(qū)氣體為硅 烷或丙硅烷，其氣體流量為30 300SCCm。本發(fā)明的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管上，源/漏區(qū)的第一同質(zhì)外延層與襯底的材 質(zhì)相同，易于該外延層的生成，并且受雜質(zhì)影響比較小，使得該外延層的堆垛層錯(cuò)缺陷變 少。源/漏區(qū)的異質(zhì)外延層具有較大的晶格常數(shù)，在第一同質(zhì)外延層上淀積時(shí)，其晶格被壓 縮以適應(yīng)晶體生長(zhǎng)。異質(zhì)外延層的壓縮，進(jìn)一步引起其下的第一同質(zhì)外延層及同質(zhì)外延層 下的溝道區(qū)的壓縮。該壓縮在溝道區(qū)中形成各向異性原子結(jié)構(gòu)，從而改變溝道材料的導(dǎo)帶 和價(jià)帶。該壓縮的應(yīng)力還減小襯底的溝道區(qū)域中的空穴有效質(zhì)量，從而又增加空穴遷移率。增加的空穴遷移率可提高所得到的MOS晶體管的飽和溝道電流，由此改進(jìn)器件性能。源/ 漏區(qū)的第二同質(zhì)外延層使得源/漏區(qū)各層的晶格常數(shù)一致，不會(huì)發(fā)生晶格不匹配現(xiàn)象，從 而避免形成凹坑缺陷。


圖1為本發(fā)明的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為制備圖1所示的晶體管時(shí)源/漏區(qū)凹陷部形成的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。本發(fā)明所述的一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管及制造方法可利用多種替換方式 實(shí)現(xiàn)，下面是通過較佳的實(shí)施例來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域 內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說 明，示意圖不依一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定。請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖 1所示，本發(fā)明的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管包括襯底100 ；位于所述襯底100之上的柵極結(jié)構(gòu)110 ；形成于襯底100中，位于所述柵極結(jié)構(gòu)110兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)200，所述源區(qū)和漏 區(qū)200包括摻雜的第一同質(zhì)外延層201、位于所述第一同質(zhì)外延層201之上的摻雜的異質(zhì)外 延層202以及位于所述異質(zhì)外延層202之上的摻雜的第二同質(zhì)外延層203。所述第一同質(zhì)外延層201的厚度為1 IOnm ；所述異質(zhì)外延層202的厚度為30 80nm ；所述第二同質(zhì)外延層203的厚度為1 20nm。所處襯底為硅襯底，所述第一同質(zhì)外延層和所述第二同質(zhì)外延層為硅外延層，所 述異質(zhì)外延層202可以為硅鍺外延層或碳化硅外延層。若所述異質(zhì)外延層202為硅鍺外延 層，其鍺含量為15 35%。請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為制備圖1所示的晶體管時(shí)源/漏區(qū)凹陷部形成的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明提出的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法可應(yīng)用于PMOS晶體管的工 藝。首先，在襯底100中形成隔離結(jié)構(gòu)101，再于所述襯底100上形成柵極結(jié)構(gòu)110。其 中，所述襯底100可以是硅襯底，所述隔離結(jié)構(gòu)101可以是氧化硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。所述柵 極結(jié)構(gòu)110由下而上包括柵介電層111與柵電極112，所述柵介電層111的材料可以是氧化 硅，所述柵電極112的材料可以是摻雜多晶硅、金屬、金屬硅化物或其它導(dǎo)體。所述柵極結(jié) 構(gòu)Iio的兩側(cè)還可形成絕緣間隙壁113，其可為單層的絕緣材料如氧化硅、氮化硅，或是多 層的絕緣材料。隨后，對(duì)所述襯底100進(jìn)行刻蝕，在所述柵極結(jié)構(gòu)110的兩側(cè)形成源/漏區(qū)凹陷部 102。可用各向同性蝕刻劑來有選擇地刻蝕形成所述源/漏區(qū)凹陷部102。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2和圖1，在所述源/漏區(qū)凹陷部102內(nèi)外延生長(zhǎng)源區(qū)和漏區(qū) 200。首先，在所述源/漏區(qū)凹陷部102內(nèi)外延沉積形成第一同質(zhì)外延層201。若所述襯底 100為硅襯底，則作為一種實(shí)施例，所述第一同質(zhì)外延層為硅外延層，形成所述第一同質(zhì)外 延層201可采用化學(xué)氣相淀積方法，在壓力為3 15Torr，溫度為500 1000°C，最佳溫 度為500 750°C的條件下進(jìn)行；硅源前驅(qū)氣體為SiH4或DCS (二氯甲烷)，其氣體流量為 30 300sCCm ；可添加HCl作為蝕刻劑，以增加淀積的材料選擇性，HCl的氣體流量為50 200sccm ；載氣可以為氫氣，其氣體流量為5 50slm。形成的接著，在所述形成的第一同質(zhì) 外延層201上再外延沉積形成異質(zhì)外延層202。作為一種實(shí)施例，所述異質(zhì)外延層為硅鍺外 延層，形成所述硅鍺外延層可采用化學(xué)氣相淀積方法，在壓力為3 15ΤΟΠ·，溫度為500 1000°C，最佳溫度為500 750°C的條件下進(jìn)行；硅源前驅(qū)氣體可以為SiH4或DCS( 二氯甲 烷)，其氣體流量為30 300SCCm ；鍺源前驅(qū)氣體可以為GeH4，其氣體流量為5 500sCCm， 最佳氣體流量為5 50sCCm ；可添加HCl作為蝕刻劑，以增加淀積的材料選擇性，HCl的氣 體流量為50 200sCCm ；載氣可以為氫氣，其氣體流量為5 50slm。作為另一種實(shí)施例， 所述異質(zhì)外延層為碳化硅外延層，形成所述碳化硅外延層可采用化學(xué)氣相淀積方法，在壓 力為3 15Torr，溫度為500 1000°C，最佳溫度為500 850°C的條件下進(jìn)行；硅源前驅(qū) 氣體可以為硅烷或丙硅烷，其氣體流量為30 300Sccm ；所形成的碳化硅外延層的碳含量 在1 3%。最后，在形成的所述異質(zhì)外延層202上再外延沉積形成第二同質(zhì)外延層203。 若所述襯底100為硅襯底，則作為一種實(shí)施例，所述第二同質(zhì)外延層為硅外延層，形成所述 第二同質(zhì)外延層203可采用與形成第一硅外延層201相同的方法。為保證得到良好的異質(zhì)外延層，通常將形成同質(zhì)外延層的工藝參數(shù)和形成異質(zhì)外 延層的工藝參數(shù)設(shè)置得比較靠近，而不是像單純形成同質(zhì)外延層那樣將最佳溫度設(shè)為1000 度那么高。形成的所述第一同質(zhì)外延層201的厚度為1 IOnm ；形成的所述異質(zhì)外延層202 的厚度為30 SOnm ；形成的所述第二同質(zhì)外延層203的厚度為1 20nm。若所述異質(zhì)外 延層202為硅鍺外延層，其鍺含量為15 35%。最后，對(duì)所述源/漏區(qū)200進(jìn)行摻雜以調(diào)整其電學(xué)和化學(xué)屬性。摻雜可使用各種 摻雜劑并采用各種摻雜技術(shù)來進(jìn)行?？刹捎肞型雜質(zhì)如硼對(duì)源/漏區(qū)200進(jìn)行摻雜，以形 成PMOS晶體管。本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)知，也可用其它技術(shù)對(duì)源/漏區(qū)200進(jìn)行摻雜。上述氣體流量單位SLM(standard litre per minute)代表標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下每分鐘1標(biāo) 準(zhǔn)升，其與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位間的換算方式為ISLM= 16.67X10_6立方米/秒。上述氣體流量 單位 sccm(standard-state cubic centimeter per minute)代表標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下每分鐘 1 毫 升。上述壓力單位Torr (托)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位間的換算方式為ITorr 133. 322帕。本發(fā)明提出的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法還可應(yīng)用于CMOS晶體管的 工藝。本發(fā)明的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管上，源/漏區(qū)的第一同質(zhì)外延層與襯底的材 質(zhì)相同，易于該外延層的生成，并且受雜質(zhì)影響比較小，使得該外延層的堆垛層錯(cuò)缺陷變 少。源/漏區(qū)的異質(zhì)外延層具有較大的晶格常數(shù)，在第一同質(zhì)外延層上淀積時(shí)，其晶格被壓 縮以適應(yīng)晶體生長(zhǎng)。異質(zhì)外延層的壓縮，進(jìn)一步引起其下的第一同質(zhì)外延層及同質(zhì)外延層 下的溝道區(qū)的壓縮。該壓縮在溝道區(qū)中形成各向異性原子結(jié)構(gòu)，從而改變溝道材料的導(dǎo)帶和價(jià)帶。該壓縮的應(yīng)力還減小襯底的溝道區(qū)域中的空穴有效質(zhì)量，從而又增加空穴遷移率。 增加的空穴遷移率可提高所得到的MOS晶體管的飽和溝道電流，由此改進(jìn)器件性能。源/ 漏區(qū)的第二同質(zhì)外延層使得源/漏區(qū)各層的晶格常數(shù)一致，不會(huì)發(fā)生晶格不匹配現(xiàn)象，從 而避免形成凹坑缺陷。 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管，包括襯底；位于所述襯底之上的柵極結(jié)構(gòu)；形成于襯底中，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)包括摻雜的第 一同質(zhì)外延層、位于所述第一同質(zhì)外延層之上的摻雜的異質(zhì)外延層以及位于所述異質(zhì)外延 層之上的摻雜的第二同質(zhì)外延層。
2.如權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)源 的厚度為1 IOnm ；
3.如權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)源 度為30 80nm ；
4.如權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)源 的厚度為1 20nm。
5.如權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管，其特征在于，所處襯底為硅襯底， 所述第一同質(zhì)外延層和所述第二同質(zhì)外延層為硅外延層。
6.如權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管，其特征在于，所述異質(zhì)外延層為硅 鍺外延層或碳化硅外延層。
7.如權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管，其特征在于，所述異質(zhì)外延層為硅 鍺外延層時(shí)，其鍺含量為15 35%。
8.—種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，包括在襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述襯底中蝕刻形成源/漏區(qū)凹陷部；在所述源/漏區(qū)凹陷部?jī)?nèi)外延生長(zhǎng)源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)包括第一同質(zhì)外延 層、位于所述第一同質(zhì)外延層之上的異質(zhì)外延層以及位于所述異質(zhì)外延層之上的第二同質(zhì) 外延層；對(duì)所述源區(qū)和所述漏區(qū)進(jìn)行摻雜。
9.如權(quán)利要求8所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一 同質(zhì)外延層的厚度為1 10nm。
10.如權(quán)利要求8所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述異 質(zhì)外延層的厚度為30 80nm。
11.如權(quán)利要求8所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第 二同質(zhì)外延層的厚度為1 20nm。
12.如權(quán)利要求8所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述襯 底為硅襯底，所述第一同質(zhì)外延層和所述第二同質(zhì)外延層為硅外延層。
13.如權(quán)利要求8所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述異 質(zhì)外延層為硅鍺外延層或碳化硅外延層。
14.如權(quán)利要求13所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述異 質(zhì)外延層為硅鍺外延層時(shí)，其鍺含量為15 35%。
15.如權(quán)利要求13所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述異 質(zhì)外延層為碳化硅外延層時(shí)，其碳含量為1 3%。2/漏區(qū)的晶體管，其特征在于，所述第一同質(zhì)外延層 /漏區(qū)的晶體管，其特征在于，所述異質(zhì)外延層的厚 /漏區(qū)的晶體管，其特征在于，所述第二同質(zhì)外延層
16.如權(quán)利要求12所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，形成 所述第一同質(zhì)外延層和第二同質(zhì)外延層的方法包括在壓力為3 15ΤΟΠ·，溫度為500 1000°C的條件下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積；硅源前驅(qū)氣體為SiH4或二氯甲烷，其氣體流量為30 300sccm ；載氣為氫氣，其氣體流量為5 50slm。
17.如權(quán)利要求16所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，形成所 述第一同質(zhì)外延層和第二同質(zhì)外延層的方法還包括化學(xué)氣相淀積時(shí)還添加HCl氣體作為 蝕刻劑，其氣體流量為50 200SCCm。
18.如權(quán)利要求13所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述 異質(zhì)外延層為硅鍺外延層時(shí)，形成所述異質(zhì)外延層的方法包括在壓力為3 15ΤΟΠ·，溫度 為500 1000°C的條件下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積；硅源前驅(qū)氣體為SiH4或二氯甲烷，其氣體流 量為30 300sCCm ；鍺源前驅(qū)氣體為GeH4,其氣體流量為5 500sCCm ；載氣為氫氣，其氣 體流量為5 50slm。
19.如權(quán)利要求17所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，形成所 述異質(zhì)外延層的方法還包括化學(xué)氣相淀積時(shí)還添加HCl氣體作為蝕刻劑，其氣體流量為 50 200sccm。
20.如權(quán)利要求13所述的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管的制造方法，其特征在于，所述異 質(zhì)外延層為碳化硅外延層時(shí)，形成所述異質(zhì)外延層的方法包括在壓力為3 15ΤΟΠ·，溫度 為500 1000°C的條件下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積；硅源前驅(qū)氣體為硅烷或丙硅烷，其氣體流量 為 30 300sccmo
全文摘要
本發(fā)明提供一種外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管，包括襯底；位于所述襯底之上的柵極結(jié)構(gòu)；形成于襯底中，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，形成于襯底中，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)包括摻雜的第一同質(zhì)外延層、位于所述第一同質(zhì)外延層之上的摻雜的異質(zhì)外延層以及位于所述異質(zhì)外延層之上的摻雜的第二同質(zhì)外延層。本發(fā)明還提供了制造上述晶體管的方法。本發(fā)明的外延生長(zhǎng)源/漏區(qū)的晶體管可有效減少堆垛層錯(cuò)和凹坑缺陷。
文檔編號(hào)H01L29/78GK102104067SQ200910201358
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者何有豐, 胡亞蘭 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司