一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，包括以下步驟：在襯底上表面生長(zhǎng)緩沖層；在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層；非故意摻雜層上生長(zhǎng)復(fù)合調(diào)節(jié)層的各層結(jié)構(gòu)；在復(fù)合調(diào)節(jié)層上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層；在第一型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)有源層；有源層上依次生長(zhǎng)電子阻擋層、第二型導(dǎo)電層和歐姆接觸層。本發(fā)明解決襯底在外延生長(zhǎng)過(guò)程由于生長(zhǎng)不同功能的外延層時(shí)溫度變化及內(nèi)應(yīng)力問(wèn)題導(dǎo)致的外延片彎曲，以及由于外延片彎曲變大而引起的外延表面異常及電性能異常問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)揭示的傳統(tǒng)發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，在襯底10上采用PVD蒸鍍一層緩沖層20，緩沖層20為AlN緩沖層，或者為GaN緩沖層，或者為AlGaN緩沖層;在緩沖層20上生長(zhǎng)非故意摻雜層(uGaN) 30;在非故意摻雜層30上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層(nGaN)40;在第一型導(dǎo)電層(nGaN)40上生長(zhǎng)有源層(MQW)50;在有源層(MQW)50上生長(zhǎng)第二型導(dǎo)電層(pGaN)60;在第二型導(dǎo)電層(pGaN)60生長(zhǎng)歐姆接觸層(IT0)70。
[0003]如圖2a所示，在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層(UGaN)時(shí)，如果翹曲太大，會(huì)導(dǎo)致生長(zhǎng)有源層(MQW)時(shí)的襯底還處于凹曲狀態(tài);如圖2b所示，在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層(uGaN)時(shí)，如果翹曲適中，生長(zhǎng)有源層(MQW)時(shí)的襯底可以處于平整狀態(tài);如圖2c所示，在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層(uGaN)時(shí)，如果翹曲偏小，會(huì)導(dǎo)致生長(zhǎng)有源層(MQW)時(shí)的襯底還處于凸曲狀態(tài)。
[0004]所述傳統(tǒng)外延結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)工藝通過(guò)在非故意摻雜層UGaN)或第一型導(dǎo)電層(nGaN)插入一層AlGaN來(lái)調(diào)節(jié)外延片的翹曲及起到過(guò)濾位錯(cuò)、電流阻擋的作用。但如果外延片生長(zhǎng)非故意摻雜層uGaN過(guò)程凹得偏小，那么這層AlGaN會(huì)導(dǎo)致生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凸，引起整個(gè)外延片的MQW生長(zhǎng)均勻性變差，晶體質(zhì)量下降，從而引起波長(zhǎng)的均勻性變差，發(fā)光效率下降。最終導(dǎo)致發(fā)光二極管的產(chǎn)品良率差。
[0005]由于緩沖層通常設(shè)置為一層，因此，在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層(UGaN)時(shí)難以翹曲適中，無(wú)法進(jìn)行翹曲調(diào)整，進(jìn)而使得外延生長(zhǎng)過(guò)程中外延片的翹曲變化不穩(wěn)定，導(dǎo)致的工藝窗口變窄;從而降低LED芯片亮度和增加制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，以解決襯底在外延生長(zhǎng)過(guò)程由于生長(zhǎng)不同功能的外延層時(shí)溫度變化及內(nèi)應(yīng)力問(wèn)題導(dǎo)致的外延片彎曲，以及由于外延片彎曲變大而引起的外延表面異常及電性能異常問(wèn)題。
[0007]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為:
一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，包括以下步驟:
一，采用MOCVD在530-570°C，500-600乇，生長(zhǎng)速率低于2um/h，轉(zhuǎn)速低于500r/h的外延條件下在襯底上表面生長(zhǎng)緩沖層；
二，外延生長(zhǎng)溫度至升高至1000°C以上，100-500乇，生長(zhǎng)速率高于3 um/h，轉(zhuǎn)速高于700r/h的條件在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層；
三，非故意摻雜層上生長(zhǎng)復(fù)合調(diào)節(jié)層的各層結(jié)構(gòu)，復(fù)合調(diào)節(jié)層為GalnN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GalnN中的一種，在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，根據(jù)非故意摻雜層的翹曲值，調(diào)整GaInN層中In組分、厚度，以及調(diào)整AlGaN層中Al組分、厚度，使生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦；
四，在復(fù)合調(diào)節(jié)層上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層；
五，外延生長(zhǎng)溫度降低至800 °C以下，壓強(qiáng)低于300乇，轉(zhuǎn)速高于800r/h的條件在第一型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)有源層；
六，外延生長(zhǎng)溫度升至高于900°C在有源層上依次生長(zhǎng)電子阻擋層、第二型導(dǎo)電層和歐姆接觸層。
[0008]進(jìn)一步，步驟三中，在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，一、非故意摻雜層(uGaN)的翹曲值高于-60為生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凸，通過(guò)GaInN層中In組分提高或者厚度增加，且降低AlGaN層的Al組分及其減薄厚度，外延片的應(yīng)力會(huì)變?yōu)楦鼉A向于凹狀翹曲，生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦;二、非故意摻雜層(uGaN)的翹曲值低于-110為生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凹狀，通過(guò)AlGaN層中Al組分提高或者厚度增加，且降低GaInN層中In組分提高及減薄厚度，外延片的應(yīng)力會(huì)變?yōu)楦鼉A向于凸?fàn)盥N曲，生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦;三、非故意摻雜層(uGaN)的翹曲值居于-110至-60時(shí)為生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦，GaInN、AlGaN層中Ιη、Α1組分降低且減薄厚度。
[0009]進(jìn)一步，復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)溫度的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料溫度低于1000°C ；生長(zhǎng)GaN材料溫度高于1000°C ;生長(zhǎng)GaInN材料溫度低于1000°C。
[0010]進(jìn)一步，復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)壓強(qiáng)的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料壓強(qiáng)低于150乇;生長(zhǎng)GaN材料壓強(qiáng)范圍150-300乇;生長(zhǎng)GaInN材料壓強(qiáng)低于150乇。
[0011 ]進(jìn)一步，復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)大盤(pán)轉(zhuǎn)速的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料轉(zhuǎn)速低于800r/h ；生長(zhǎng)GaN材料轉(zhuǎn)速高于800r/h ；生長(zhǎng)GaInN材料轉(zhuǎn)速低于800r/h。
[0012]進(jìn)一步，復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)速率的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料生長(zhǎng)速率低于2um/h;生長(zhǎng)GaN材料生長(zhǎng)速率高于4um/h;生長(zhǎng)GaInN材料生長(zhǎng)速率低于lum/h。
[0013]—種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，襯底上生長(zhǎng)緩沖層，緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層，非故意摻雜層上生長(zhǎng)復(fù)合調(diào)節(jié)層，復(fù)合調(diào)節(jié)層上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層，第一型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)有源層，有源層上生長(zhǎng)電子阻擋層，電子阻擋層上生長(zhǎng)第二型導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)歐姆接觸層;復(fù)合調(diào)節(jié)層為GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一種。
[0014]進(jìn)一步，襯底為大尺寸藍(lán)寶石襯底。
[0015]進(jìn)一步，復(fù)合調(diào)節(jié)層的厚度蘭200nmo
[0016]進(jìn)一步，復(fù)合調(diào)節(jié)層構(gòu)成為GalnN/GaN/AlGaN外延結(jié)構(gòu)時(shí)，GaInN的厚度0〈dl〈150nm，GaN 的厚度 0〈d2〈30nm，AlGaN 的厚度 0〈d3〈150nm。
[0017]采用上述方案后，本發(fā)明復(fù)合調(diào)節(jié)層為GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一種。因此，復(fù)合調(diào)節(jié)層可在外延生長(zhǎng)過(guò)程通過(guò)更改復(fù)合調(diào)節(jié)層的組分及厚度，調(diào)節(jié)外延片的翹曲情況，達(dá)到在有源區(qū)生長(zhǎng)時(shí)外延片是趨于平坦的目的，有效提高外延片的光電性能及產(chǎn)品良率。而且可以實(shí)現(xiàn)在外延層生長(zhǎng)過(guò)程在線更改翹曲情況:通過(guò)MOCVD監(jiān)控生長(zhǎng)狀況的翹曲曲線判斷外延片的翹曲情況。1、在外延片生長(zhǎng)過(guò)程偏凸的情況，可以在線通過(guò)調(diào)整其中GaInN層的In組分或者厚度，使得外延片的應(yīng)力變化為翹曲更傾向于凹狀。改善了外延片生長(zhǎng)偏凸的狀態(tài)。2、在外延片生長(zhǎng)偏凹狀的情況，可以通過(guò)在線調(diào)整其中AlGaN層的Al組分或者厚度，使得外延片的應(yīng)力變化為翹曲更傾向于凸?fàn)?。改善外延片生長(zhǎng)偏凹的狀態(tài)。設(shè)置GaN層夾于GaInN和AlGaN中間起到漸進(jìn)緩沖、調(diào)節(jié)應(yīng)力的作用。通過(guò)GaN層的厚度調(diào)整也可適當(dāng)調(diào)節(jié)外延片翹曲狀態(tài)。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2a是現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)非故意摻雜層與有源層時(shí)翹曲示意圖一；
圖2b是現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)非故意摻雜層與有源層時(shí)翹曲示意圖二；
圖2c是現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)非故意摻雜層與有源層時(shí)翹曲示意圖三；
圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
襯底10緩沖層20
非故意摻雜層30 第一型導(dǎo)電層40 有源層50第二型導(dǎo)電層60
歐姆接觸層70
襯底I緩沖層2
非故意摻雜層3 復(fù)合調(diào)節(jié)層4 GaInN層41GaN層42
AlGaN層43第一型導(dǎo)電層5
有源層6電子阻擋層7
第二型導(dǎo)電層8 歐姆接觸層9。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)描述。
[0021]參閱圖3所示，本發(fā)明揭示的一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，襯底I上生長(zhǎng)緩沖層2，緩沖層2上生長(zhǎng)非故意摻雜層3，非故意摻雜層3上生長(zhǎng)復(fù)合調(diào)節(jié)層4，復(fù)合調(diào)節(jié)層4上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層5，第一型導(dǎo)電層5上生長(zhǎng)有源層6，有源層6上生長(zhǎng)電子阻擋層7，電子阻擋層7上生長(zhǎng)第二型導(dǎo)電層8，第二型導(dǎo)電層8上生長(zhǎng)歐姆接觸層9。襯底I優(yōu)選為大尺寸藍(lán)寶石襯底。
[0022]復(fù)合調(diào)節(jié)層4為GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一種。本實(shí)施例中，復(fù)合調(diào)節(jié)層4采用依次生長(zhǎng)的GaInN層41，GaN層42和AlGaN層43，其中GaInN層41生長(zhǎng)在非故意摻雜層3上，GaN層42生長(zhǎng)在GaInN層41和AlGaN層43之間，第一型導(dǎo)電層5生長(zhǎng)在AlGaN層43上。
[0023]復(fù)合調(diào)節(jié)層4的厚度5200nm。復(fù)合調(diào)節(jié)層4的厚度偏厚會(huì)引起后續(xù)生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層5(nGaN)的應(yīng)力過(guò)大，導(dǎo)致晶體質(zhì)量變差，位錯(cuò)密度反而增大。
[0024]復(fù)合調(diào)節(jié)層4構(gòu)成為GalnN/GaN/AlGaN外延結(jié)構(gòu)時(shí)，GaInN的厚度0〈dl〈150nm，GaN的厚度 0〈d2〈30nm，AlGaN 的厚度 0〈d3〈150nmo
[0025]本發(fā)明還揭示一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，包括以下步驟:
一，采用MOCVD在530-570°C，500-600乇，生長(zhǎng)速率低于2um/h，轉(zhuǎn)速低于500r/h的外延條件下在襯底I上表面生長(zhǎng)緩沖層2。
[0026]二，外延生長(zhǎng)溫度至升高至1000°C以上，100-500乇，生長(zhǎng)速率高于3 um/h，轉(zhuǎn)速高于700r/h的條件在緩沖層2上生長(zhǎng)非故意摻雜層3。
[0027]三，非故意摻雜層3上生長(zhǎng)復(fù)合調(diào)節(jié)層4的各層結(jié)構(gòu)，復(fù)合調(diào)節(jié)層4為GalnN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一種:1、在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，非故意摻雜層3(uGaN)的翹曲值高于-60為生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凸，通過(guò)GaInN層中In組分提高或者厚度增加，且降低AlGaN層的Al組分及其減薄厚度，外延片的應(yīng)力會(huì)變?yōu)楦鼉A向于凹狀翹曲，生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦;2、在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，非故意摻雜層3(uGaN)的翹曲值低于-110為生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凹狀，通過(guò)AlGaN層中Al組分提高或者厚度增加，且降低GaInN層中In組分提高及減薄厚度，外延片的應(yīng)力會(huì)變?yōu)楦鼉A向于凸?fàn)盥N曲，生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦;3、在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，非故意摻雜層3(uGaN)的翹曲值居于-110至-60時(shí)為生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦，GaInN、AlGaN層中Ιη、Α1組分降低且減薄厚度。
[0028]四，在復(fù)合調(diào)節(jié)層4上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層5。
[0029]五，外延生長(zhǎng)溫度降低至800°C以下，壓強(qiáng)低于300乇，轉(zhuǎn)速高于800r/h的條件在第一型導(dǎo)電層5上生長(zhǎng)有源層6。
[0030]六，外延生長(zhǎng)溫度升至高于900°C在有源層6上生長(zhǎng)電子阻擋層7、在電子阻擋層7上生長(zhǎng)第二型導(dǎo)電層8，在第二型導(dǎo)電層8上生長(zhǎng)歐姆接觸層9。
[0031]其中，復(fù)合調(diào)節(jié)層4外延生長(zhǎng)溫度的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料溫度低于1000°C ;生長(zhǎng)GaN材料溫度高于1000°C ;生長(zhǎng)GaInN材料溫度低于1000°C。復(fù)合調(diào)節(jié)層4外延生長(zhǎng)壓強(qiáng)的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料壓強(qiáng)低于150乇;生長(zhǎng)GaN材料壓強(qiáng)范圍150-300乇;生長(zhǎng)GaInN材料壓強(qiáng)低于150乇。復(fù)合調(diào)節(jié)層4外延生長(zhǎng)大盤(pán)轉(zhuǎn)速的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料轉(zhuǎn)速低于800r/h;生長(zhǎng)GaN材料轉(zhuǎn)速高于800r/h;生長(zhǎng)GaInN材料轉(zhuǎn)速低于800r/h。復(fù)合調(diào)節(jié)層4外延生長(zhǎng)速率的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料生長(zhǎng)速率低于2um/h ；生長(zhǎng)GaN材料生長(zhǎng)速率高于4um/h;生長(zhǎng)GaInN材料生長(zhǎng)速率低于lum/h。
[0032]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非對(duì)本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，其特征在于:包括以下步驟: 一，采用MOCVD在530-570°C，500-600乇，生長(zhǎng)速率低于2um/h，轉(zhuǎn)速低于500r/h的外延條件下在襯底上表面生長(zhǎng)緩沖層； 二，外延生長(zhǎng)溫度至升高至1000°C以上，100-500乇，生長(zhǎng)速率高于3 um/h，轉(zhuǎn)速高于700r/h的條件在緩沖層上生長(zhǎng)非故意摻雜層； 三，非故意摻雜層上生長(zhǎng)復(fù)合調(diào)節(jié)層的各層結(jié)構(gòu)，復(fù)合調(diào)節(jié)層為GalnN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GalnN中的一種，在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，根據(jù)非故意摻雜層的翹曲值，調(diào)整GaInN層中In組分、厚度，以及調(diào)整AlGaN層中Al組分、厚度，使生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦； 四，在復(fù)合調(diào)節(jié)層上生長(zhǎng)第一型導(dǎo)電層； 五，外延生長(zhǎng)溫度降低至800 °C以下，壓強(qiáng)低于300乇，轉(zhuǎn)速高于800r/h的條件在第一型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)有源層； 六，外延生長(zhǎng)溫度升至高于900°C在有源層上依次生長(zhǎng)電子阻擋層、第二型導(dǎo)電層和歐姆接觸層。2.如權(quán)利要求1所述的一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，其特征在于:步驟三中，在外延片生長(zhǎng)過(guò)程中，一、非故意摻雜層的翹曲值高于-60為生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凸，通過(guò)GaInN層中In組分提高或者厚度增加，且降低AlGaN層的Al組分及其減薄厚度，外延片的應(yīng)力會(huì)變?yōu)楦鼉A向于凹狀翹曲，生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦;二、非故意摻雜層的翹曲值低于-110為生長(zhǎng)MQW時(shí)偏凹狀，通過(guò)AlGaN層中Al組分提高或者厚度增加，且降低GaInN層中In組分提高及減薄厚度，外延片的應(yīng)力會(huì)變?yōu)楦鼉A向于凸?fàn)盥N曲，生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦;三、非故意摻雜層(UGaN)的翹曲值居于-110至-60時(shí)為生長(zhǎng)MQW時(shí)趨于平坦，GaInN、AlGaN層中Ιη、Α1組分降低且減薄厚度。3.如權(quán)利要求1或2所述的一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，其特征在于:復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)溫度的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料溫度低于100tC ;生長(zhǎng)GaN材料溫度高于1000°C ;生長(zhǎng)GaInN材料溫度低于1000°C。4.如權(quán)利要求1或2所述的一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，其特征在于:復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)壓強(qiáng)的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料壓強(qiáng)低于150乇；生長(zhǎng)GaN材料壓強(qiáng)范圍150-300乇;生長(zhǎng)GaInN材料壓強(qiáng)低于150乇。5.如權(quán)利要求1或2所述的一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，其特征在于:復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)大盤(pán)轉(zhuǎn)速的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料轉(zhuǎn)速低于800r/h;生長(zhǎng)GaN材料轉(zhuǎn)速高于800r/h;生長(zhǎng)GaInN材料轉(zhuǎn)速低于800r/h。6.如權(quán)利要求1或2所述的一種具有生長(zhǎng)過(guò)程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法，其特征在于:復(fù)合調(diào)節(jié)層外延生長(zhǎng)速率的變化趨勢(shì):生長(zhǎng)AlGaN材料生長(zhǎng)速率低于2um/h ；生長(zhǎng)GaN材料生長(zhǎng)速率高于4um/h;生長(zhǎng)GaInN材料生長(zhǎng)速率低于lum/h。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK105977352SQ201610425301
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年6月16日
【發(fā)明人】林志偉, 陳凱軒, 張永, 卓祥景, 姜偉, 汪洋, 童吉楚, 方天足
【申請(qǐng)人】廈門(mén)乾照光電股份有限公司