專利名稱：具有半導(dǎo)體芯片的電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般性涉及半導(dǎo)體技術(shù)，并且更具體涉及其中嵌入有半導(dǎo)體芯片的電路 板。
背景技術(shù)：
近來，半導(dǎo)體芯片和包含半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝正在穩(wěn)定發(fā)展，以滿足對(duì)于能 夠在極短時(shí)間內(nèi)存儲(chǔ)和處理大量數(shù)據(jù)的器件的需要。例如，近期開發(fā)的半導(dǎo)體封裝包括其上安裝有半導(dǎo)體芯片的板。在半導(dǎo)體芯片安 裝至板上后，使用模制構(gòu)件固定該板和該半導(dǎo)體芯片。因此，在半導(dǎo)體封裝中，半導(dǎo)體芯片從板上突出。因此，在包括半導(dǎo)體封裝的設(shè)計(jì) 中，必須考慮板和從板上突出的半導(dǎo)體芯片所占據(jù)的體積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方案涉及其中嵌入有半導(dǎo)體芯片以使半導(dǎo)體封裝的體積減小的電 路板。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，一種電路板包括其具有上表面、連接至所述上表面 的側(cè)表面以及設(shè)置在所述上表面上的焊墊(bonding pad)的半導(dǎo)體芯片；設(shè)置在焊墊上并 從焊墊突出預(yù)定高度的凸塊；具有凹陷部的電路板主體，其覆蓋半導(dǎo)體芯片的上表面和側(cè) 表面并暴露出凸塊的一端；設(shè)置在電路板主體上的配線，其具有位于凸塊上方的部分和由 暴露凸塊的開口限定的另一部分；以及物理連接和電連接通過開口暴露的凸塊與配線的增 強(qiáng)構(gòu)件。當(dāng)頂視時(shí)，配線的開口可例如具有圓形、橢圓形、多邊形或十字形的形狀。增強(qiáng)構(gòu)件可包括鍍層。增強(qiáng)構(gòu)件可包含與凸塊相同的金屬。此外，作為替代方案，增強(qiáng)構(gòu)件可包含與用于凸塊的金屬不同的金屬。凸塊可包含例如金、鉻、銀、銅、鋁、鎳和焊料中的至少一種。增強(qiáng)構(gòu)件可包含例如選自金、鉻、銀、銅、鋁、鎳、焊料和導(dǎo)電聚合物中的至少一種。配線的寬度可小于凸塊的寬度。增強(qiáng)構(gòu)件可覆蓋暴露的凸塊以及配線的上表面和側(cè)表面。在凸塊和配線之間可插入絕緣構(gòu)件，并且凸塊與配線通過增強(qiáng)構(gòu)件而彼此物理連 接和電連接。電路板還可包括設(shè)置在絕緣構(gòu)件表面上并電連接至配線的半導(dǎo)體器件。
電路板還可包括設(shè)置在絕緣構(gòu)件中的半導(dǎo)體器件；和電連接半導(dǎo)體器件和配線 的導(dǎo)電通路。電路板還可包括設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的背對(duì)上表面的下表面上和在與半導(dǎo)體芯片 的下表面對(duì)應(yīng)的電路板主體的下表面上的蓋板。電路板還可包括設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的背對(duì)上表面的下表面上和在與半導(dǎo)體芯片 的下表面對(duì)應(yīng)的電路板主體的下表面上的附加配線；和電連接配線和附加配線的導(dǎo)電通 路。導(dǎo)電球可電連接至配線和附加配線中的至少其一。開口可限定在配線兩端的至少一個(gè)中以暴露出凸塊。凸塊可具有限定在與開口對(duì)應(yīng)的位置處的凹陷部。至少兩個(gè)配線和至少兩個(gè)電路板主體可交替設(shè)置，并且設(shè)置在相應(yīng)電路板主體上 的配線通過導(dǎo)電通路電連接。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖2是圖1中所示的部分‘A’的放大圖。圖3 6是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的配線和限定在配線中的開口的平面 圖。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的圖1所示的實(shí)施方案的一個(gè)變化方案的配線和限定在配 線中的開口的平面圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的圖1所示的實(shí)施方案的另一變化方案的配線和增強(qiáng)構(gòu)件 的平面圖。圖9是沿圖8的線1-1’的截面圖。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖14是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。應(yīng) 理解在本文中附圖不必按比例繪制，在有些情況下可將比例放大以更清晰地描述本發(fā)明的 一些特征。
具體實(shí)施例方式以下，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方案。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案 的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。圖2是圖1所示的部分‘A’的放大圖。參考圖1和2，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、凸塊20、電路 板主體30、配線40和增強(qiáng)構(gòu)件50。例如，圖1所示的半導(dǎo)體芯片10的形狀為矩形六面體，但是應(yīng)理解半導(dǎo)體芯片10 不限于該形狀。半導(dǎo)體芯片10包括上表面1、背對(duì)上表面1的下表面2、以及連接上表面1和下表面2的四個(gè)側(cè)表面3。半導(dǎo)體芯片10包括電路部5。電路部5包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元(未顯示)和/或用于處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(未顯示)。半導(dǎo)體芯片10包括電連接至電路部5的焊墊6。在一個(gè)實(shí)施方案例如圖1所示的 實(shí)施方案中，焊墊6沿半導(dǎo)體芯片10的上表面1的中心部設(shè)置。作為替代方案，半導(dǎo)體芯 片10的焊墊6可設(shè)置為鄰接半導(dǎo)體芯片10的上表面1的邊緣。凸塊20設(shè)置在半導(dǎo)體芯片10的每個(gè)焊墊6上。凸塊20的形狀例如為柱狀。凸 塊20從焊墊6突出預(yù)定高度。在一個(gè)實(shí)施方案中，凸塊的側(cè)表面形成為成一定角度，使得凸 塊的上表面比凸塊的下表面具有更大的面積。可用作凸塊20的金屬的實(shí)例包括金、鉻、銀、 銅、鋁、鎳和焊料。此外，在一個(gè)實(shí)施方案中，凸塊20可包含導(dǎo)電聚合物，例如聚(3，4)_亞 乙基二氧噻吩(PEDOT)。電路板主體30具有矩形六面體板的形狀，其具有第一表面31和背對(duì)第一表面31 的第二表面32?？捎米麟娐钒逯黧w30的材料的一個(gè)實(shí)例是熱固性合成樹脂。作為替代方 案，電路板主體30當(dāng)然也可以包含熱塑性樹脂。電路板30可以是包括導(dǎo)電跡線并且在其 上連接有電子元件的印刷電路板。電路板主體30具有凹陷部34。電路板主體30的凹陷部34限定為從電路板主體 30的第二表面32向第一表面31延伸。凹陷部34成形為容納半導(dǎo)體芯片10和凸塊20，使得在電路板主體30的第一表面 31上暴露出凸塊20的一端。在一個(gè)實(shí)施方案中，半導(dǎo)體芯片10的上表面1和側(cè)表面3容 納在凹陷部34中并被電路板主體30所覆蓋。在一個(gè)實(shí)施方案中，凹陷的第一部分具有與 半導(dǎo)體芯片10的形狀基本相同的第一形狀，凹陷的第二部分具有與形成在半導(dǎo)體芯片上 的凸塊20的形狀基本相同的第二形狀。在一個(gè)實(shí)施方案例如圖1所示的實(shí)施方案中，凸塊20的暴露端與電路板主體30 的第一表面31可基本齊平。作為替代方案，在一個(gè)實(shí)施方案中，凸塊20的暴露端可設(shè)置在 低于電路板主體30的第一表面31的位置處，并也可被電路板主體30的第一表面31所覆
至
ΓΤΠ ο配線40設(shè)置在電路板主體30的第一表面31上。在一個(gè)實(shí)施方案中，當(dāng)頂視時(shí)， 配線40為線狀。可用作配線40的材料的實(shí)例包括金、鉻、銀、銅、鋁、鎳和焊料。在一個(gè)實(shí) 施方案中，配線40可包含與凸塊20基本相同的金屬。配線40的一端接觸由于電路板主體30的凹陷部34而暴露出的凸塊20，配線40 的與所述一端相反的另一端延伸至在電路板主體30的第一表面31上的電路板主體30的 邊緣。在一個(gè)實(shí)施方案中，配線40和凸塊20彼此簡(jiǎn)單接觸。當(dāng)電路板主體30的第一表面 31的外形產(chǎn)生變化時(shí)，配線40和凸塊20可彼此電隔離。配線40具有開口 42。凸塊20對(duì)應(yīng)于開口 42的部分通過開口 42而暴露，凸塊20 的其余部分被配線40所覆蓋。在一個(gè)實(shí)施方案中，配線40的寬度可小于凸塊20的寬度。作為替代方案，配線40 的寬度可大于凸塊20的寬度。在另一個(gè)替代實(shí)施方案中，配線40對(duì)應(yīng)于凸塊20的部分 (即，形成在凸塊上方的部分)的寬度可大于凸塊20的寬度，配線40的其余部分的寬度可 小于凸塊20的寬度。
圖3 6是示出圖1所示的實(shí)施方案的配線和限定在配線中的開口的實(shí)施方案的 平面圖。參考圖3，在一個(gè)實(shí)施方案中，當(dāng)頂視時(shí)，配線40的開口 42可具有十字形狀。參考 圖4，在另一實(shí)施方案中，當(dāng)頂視時(shí)，配線40的開口 42可具有圓形形狀。參考圖5，在另一 實(shí)施方案中，當(dāng)頂視時(shí)，配線40的開口 42可具有橢圓形形狀。參考圖6，在另一實(shí)施方案 中，當(dāng)頂視時(shí)，配線40的開口 42可具有多邊形形狀。在圖3 6所示的實(shí)施方案中，配線40的開口 42的寬度小于配線40的寬度。圖 3 6所示的配線40的開口 42增加了增強(qiáng)構(gòu)件50的物理連接和電連接凸塊20和配線40 的接觸面積。在一個(gè)實(shí)施方案中，在配線40中可限定至少兩個(gè)開口 42，以進(jìn)一步增加增強(qiáng) 構(gòu)件的連接配線40和凸塊20的接觸面積。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的一個(gè)實(shí)施方案，至少兩個(gè)電路板主體30和設(shè)置在電路板 主體30的相應(yīng)第一表面31上的至少兩個(gè)配線40可交替設(shè)置。設(shè)置在相應(yīng)電路板主體30 上的配線40可隨后經(jīng)由根據(jù)設(shè)置穿過一個(gè)或多個(gè)電路板主體30形成的導(dǎo)電通路而彼此電 連接，并且導(dǎo)電球例如焊球可附著至最上方的配線。圖7是示出根據(jù)圖1所示的本發(fā)明實(shí)施方案中的變化方案的配線和限定在配線中 的開口的平面圖。參考圖7，配線40的開口 42可限定在配線40在凸塊20上方的部分的至少一個(gè)側(cè) 表面中。當(dāng)開口 42如圖7所示限定在配線40的兩個(gè)相反的側(cè)表面的每一個(gè)中時(shí)，增強(qiáng)構(gòu) 件50與配線40和凸塊20的接觸區(qū)域可進(jìn)一步增加。再次參考圖2，增強(qiáng)構(gòu)件50使得凸塊20的通過開口 42暴露的部分和配線40彼此 物理連接和電連接。也就是說，增強(qiáng)構(gòu)件50不僅使配線40物理連接至凸塊20以防止彼此 簡(jiǎn)單接觸的配線40和凸塊20彼此分離，而且還使配線40電連接至凸塊20?？捎米魑锢磉B接和電連接凸塊20和配線40的增強(qiáng)構(gòu)件50的材料的實(shí)例包括金、 鉻、銀、銅、鋁、鎳和焊料。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，增強(qiáng)構(gòu)件50可基本包含與用作凸塊20和配線40的 金屬基本相同的金屬。例如，當(dāng)增強(qiáng)構(gòu)件50、凸塊20和配線40均包含銅時(shí)，可以防止當(dāng)增強(qiáng)構(gòu)件50、凸 塊20和配線40具有不同的熱膨脹系數(shù)時(shí)所引起的增強(qiáng)構(gòu)件50、凸塊20和配線40的破裂 和/或損傷。然而，增強(qiáng)構(gòu)件50相反也可包含與用于凸塊20和配線40的金屬不同的金屬。例如，當(dāng)凸塊20和配線40包含具有第一硬度的金屬例如銅時(shí)，增強(qiáng)構(gòu)件50可包 含具有低于第一硬度的第二硬度的金屬例如焊料。增強(qiáng)構(gòu)件50可以是通過鍍敷工藝?yán)珉婂兓蚧瘜W(xué)鍍形成的鍍層。作為替代方案， 增強(qiáng)構(gòu)件50可以是通過諸如濺射的物理氣相沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝形成的沉積層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，凸塊20的通過配線40的開口 42暴露的部分以及配 線的暴露的上表面和側(cè)表面均被增強(qiáng)構(gòu)件50所覆蓋，由此增強(qiáng)構(gòu)件物理連接和電連接凸 塊20至配線40。例如，在配線40的寬度小于凸塊20的寬度和增強(qiáng)構(gòu)件50通過鍍敷工藝、 物理氣相沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝形成的情況下，凸塊20的通過配線40的開口 42暴露的部分以及配線40的上表面和側(cè)表面全部被增強(qiáng)構(gòu)件50所覆蓋，增強(qiáng)構(gòu)件50可因此物理連接和電連接至凸塊20和配線40。圖8是示出根據(jù)圖1所示的本發(fā)明實(shí)施方案的另一變化方案的配線和增強(qiáng)構(gòu)件的 平面圖。圖9是沿圖8的線1-1’的截面圖。參考圖8和9，配線40的一端設(shè)置在凸塊20上，通過配線40的這一端限定開口 42以暴露出凸塊20的一部分。在圖8-9所示的實(shí)施方案中，增強(qiáng)構(gòu)件50選擇性地形成為 覆蓋凸塊20的通過開口 42暴露的部分和配線40的僅位于開口 42周圍的部分。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。除 了電路板主體之外，圖10所示的具有半導(dǎo)體芯片的電路板和上述參考圖1的具有半導(dǎo)體芯 片的電路板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，此處將省略對(duì)相同元件的重復(fù)描述，并且將使用相同的 技術(shù)術(shù)語(yǔ)和相同的附圖標(biāo)記來表示相同的元件。參考圖10，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、凸塊20、電路板主 體30、配線40和增強(qiáng)構(gòu)件50。連接至半導(dǎo)體芯片10的焊墊6的凸塊20從半導(dǎo)體芯片10的上表面1突出預(yù)定 高度H。電路板主體30覆蓋半導(dǎo)體芯片10的上表面1和側(cè)表面3。在本實(shí)施方案中，電路 板主體30具有在半導(dǎo)體芯片10的上表面1和電路板主體30的第一表面31之間測(cè)量得到 的厚度T。厚度T大于凸塊20的高度H。因此，凸塊20的部分上表面被電路板主體30所覆蓋。電路板主體30具有開口 34，其暴露出被電路板主體30覆蓋的凸塊20的一部分。 開口 34可暴露出凸塊20的一部分或全部，并且增強(qiáng)構(gòu)件50物理連接和電連接通過電路板 主體30的開口 34暴露的凸塊20和配線40。在一個(gè)實(shí)施方案中，通過利用熱壓工藝或注射成型工藝形成電路板主體30，以使 電路板主體30覆蓋凸塊20。在電路板主體30覆蓋凸塊20的情況下，配線40和凸塊20彼 此沒有電連接，因此可認(rèn)為連接較差。然而，在本實(shí)施方案中，由于用于暴露凸塊20的開口 34限定在電路板主體30中， 而且電路板主體30覆蓋凸塊20，并且增強(qiáng)構(gòu)件50物理連接和電連接通過開口 34暴露的凸 塊20和配線40，所以可以防止在配線40和凸塊20之間產(chǎn)生差的連接。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。除 了圖11示出半導(dǎo)體器件之外，根據(jù)圖11所示的實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板和上 述參考圖1的具有半導(dǎo)體芯片的電路板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，此處將省略對(duì)相同元件的 重復(fù)描述，并且將使用相同的技術(shù)術(shù)語(yǔ)和相同的附圖標(biāo)記來表示相同的元件。參考圖11，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、凸塊20、電路板主 體30、配線40、增強(qiáng)構(gòu)件50和半導(dǎo)體器件70。半導(dǎo)體器件70設(shè)置在例如電路板主體30的第一表面31上方。設(shè)置在電路板主 體30的第一表面31上方的半導(dǎo)體器件70包括半導(dǎo)體器件主體72和接線端子74。半導(dǎo) 體器件70可以是例如無源器件如晶體管、二極管、電感器和電阻器或者有源器件。在電路板主體30的第一表面31上形成具有用于暴露出配線40的一部分的開口 的阻焊劑圖案，并且半導(dǎo)體器件70的接線端子74可電連接至設(shè)置在電路板主體30的第一 表面31上的配線40。
圖12是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。除 了半導(dǎo)體器件之外，根據(jù)圖12所示的實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板和上述參考圖 11的具有半導(dǎo)體芯片的電路板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，此處將省略對(duì)相同元件的重復(fù)描述， 并且將使用相同的技術(shù)術(shù)語(yǔ)和相同的附圖標(biāo)記來表示相同的元件。參考圖12，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、凸塊20、電路板主 體30、配線40、增強(qiáng)構(gòu)件50、半導(dǎo)體器件70和導(dǎo)電通路80。在一個(gè)實(shí)施方案中，半導(dǎo)體器件70設(shè)置在電路板主體30中。例如，如圖12所示， 半導(dǎo)體器件70可設(shè)置在電路板主體30的第二表面32中。半導(dǎo)體器件70包括半導(dǎo)體器件 主體72和接線端子74。半導(dǎo)體器件70可以是例如無源器件如晶體管、二極管、電感器和電 阻器或者有源器件。設(shè)置在電路板主體30中的半導(dǎo)體器件70利用導(dǎo)電通路80電連接至配線40。導(dǎo) 電通路80穿過電路板主體，從第一表面31至電路板主體30的第二表面32中的接線端子 74。導(dǎo)電通路80的第一端電連接至半導(dǎo)體器件70的接線端子74，與第一端相反的導(dǎo)電通 路80的第二端電連接至配線40。作為替代方案，導(dǎo)電通路80的第二端可電連接至覆蓋配 線40的增強(qiáng)構(gòu)件50。例如，當(dāng)配線40和導(dǎo)電通路80的第二端彼此分離時(shí)，導(dǎo)電通路80的 第二端反而可電連接至增強(qiáng)構(gòu)件50。在一個(gè)實(shí)施方案例如圖12所示的實(shí)施方案中，接線端子74可從電路板主體30的 第二表面32暴露。因此，焊球等可額外附著于半導(dǎo)體器件70的暴露的接線端子74。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。除 了增加蓋板之外，根據(jù)圖13所示的實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板和上述參考圖1的 具有半導(dǎo)體芯片的電路板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，此處將省略對(duì)相同元件的重復(fù)描述，并且 將使用相同的技術(shù)術(shù)語(yǔ)和相同的附圖標(biāo)記來表示相同的元件。參考圖13，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、凸塊20、電路板主 體30、配線40、增強(qiáng)構(gòu)件50和蓋板90。蓋板90覆蓋電路板主體30的第二表面32和半導(dǎo)體芯片10的下表面2。蓋板90 可以是例如合成樹脂板或金屬板。蓋板90覆蓋暴露于外部的電路板主體30的第二表面 32，以保護(hù)半導(dǎo)體芯片10免受外部沖擊和振動(dòng)。當(dāng)蓋板90是金屬板時(shí)，蓋板90可為例如 銅板或鋁板。當(dāng)使用銅板或鋁板作為蓋板90時(shí)，半導(dǎo)體芯片10中產(chǎn)生的熱可快速耗散至 外部，由此可改善半導(dǎo)體芯片10的性能。圖14是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。除 了增加導(dǎo)電通路、附加配線和導(dǎo)電球之外，根據(jù)圖14所示的實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的 電路板和上述參考圖1的具有半導(dǎo)體芯片的電路板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，此處將省略對(duì) 相同元件的重復(fù)描述，并且將使用相同的技術(shù)術(shù)語(yǔ)和相同的附圖標(biāo)記來表示相同的元件。參考圖14，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、凸塊20、電路板主 體30、配線40、增強(qiáng)構(gòu)件50、導(dǎo)電通路92、附加配線94和導(dǎo)電球96。導(dǎo)電通路92穿過電路板主體，從電路板主體30的第一表面31至第二表面32。導(dǎo) 電通路92的第一端電連接至配線40。附加配線94可形成在電路板主體30的第二表面32上和/或半導(dǎo)體芯片10的下 表面上。與第一端相反的導(dǎo)電通路92的第二端電連接至附加配線94。
導(dǎo)電球96電連接至附加配線94。在本實(shí)施方案中，導(dǎo)電球96可包括焊球。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板的截面圖。除 了凸塊之外，根據(jù)圖15所示的實(shí)施方案的具有半導(dǎo)體芯片的電路板和上述參考圖1的具有 半導(dǎo)體芯片的電路板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，此處將省略對(duì)相同元件的重復(fù)描述，并且將使 用相同的技術(shù)術(shù)語(yǔ)和相同的附圖標(biāo)記來表示相同的元件。參考圖15，具有半導(dǎo)體芯片的電路板100包括半導(dǎo)體芯片10、具有凹陷部22的 凸塊20、電路板主體30、配線40和增強(qiáng)構(gòu)件50。凹陷部22限定在凸塊20的通過限定在配線40中的開口暴露的部分中。當(dāng)從凸 塊20的上表面測(cè)量時(shí)，凹陷部22限定至預(yù)定深度。增強(qiáng)構(gòu)件50形成在配線40和凸塊20 的凹陷部22上。由于凹陷部22的存在，所以配線40和凸塊20的物理和電連接強(qiáng)度可增 加。由以上描述可知，在本發(fā)明中，在設(shè)置于凸塊上用以暴露出部分凸塊的開口限定 在配線中之后，增強(qiáng)構(gòu)件連接凸塊的通過開口暴露的部分和配線，使得彼此簡(jiǎn)單接觸的凸 塊和配線可通過增強(qiáng)構(gòu)件而彼此物理連接和電連接，由此可改善具有半導(dǎo)體芯片的電路板 的性能。雖然已經(jīng)基于說明性目的描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方案，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將 會(huì)理解可以進(jìn)行各種改變、增加和替代，而沒有脫離如所附權(quán)利要求中公開的本發(fā)明的范 圍和精神。
權(quán)利要求
一種電路板，包括半導(dǎo)體芯片，其具有上表面和連接至所述上表面的側(cè)表面，其中在所述半導(dǎo)體芯片的上表面上設(shè)置有焊墊；凸塊，其設(shè)置在所述焊墊上并從所述焊墊突出預(yù)定高度；具有凹陷部的電路板主體，所述半導(dǎo)體芯片位于所述凹陷部中，使得所述半導(dǎo)體芯片的上表面和側(cè)表面被所述電路板主體覆蓋并且暴露出所述凸塊的一端；設(shè)置在所述電路板主體上的配線，所述配線的至少一部分位于所述凸塊上方，其中在所述配線位于所述凸塊上方的部分的一部分中形成有開口以暴露出所述凸塊；和增強(qiáng)構(gòu)件，其物理連接和電連接通過所述開口暴露的凸塊與所述配線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中當(dāng)頂視時(shí)，所述配線的所述開口具有圓形、橢圓 形、多邊形或十字形的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述增強(qiáng)構(gòu)件包括鍍層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述增強(qiáng)構(gòu)件包含與所述凸塊相同的金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述增強(qiáng)構(gòu)件包含不同于所述凸塊的金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述凸塊包含金、鉻、銀、銅、鋁、鎳和焊料中的 至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述增強(qiáng)構(gòu)件包含金、鉻、銀、銅、鋁、鎳、焊料和 導(dǎo)電聚合物中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述配線的寬度小于所述凸塊的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路板，其中所述增強(qiáng)構(gòu)件覆蓋暴露的凸塊和所述配線的上 表面和側(cè)表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述電路板主體覆蓋所述凸塊的上表面從而 置于所述凸塊和所述配線之間，所述電路板主體包含暴露出所述凸塊的端部的開口，由此 使得所述凸塊和所述配線得以通過所述增強(qiáng)構(gòu)件而彼此物理連接和電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，還包括設(shè)置在所述電路板主體的表面上并電連接至所述配線的半導(dǎo)體器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，還包括設(shè)置在所述電路板主體內(nèi)部的半導(dǎo)體器件；和穿過所述電路板主體以將所述半導(dǎo)體器件電連接至所述配線的導(dǎo)電通路。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，還包括蓋板，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的背對(duì)所述上表面的下表面上以及在與所述半導(dǎo)體芯 片的下表面對(duì)應(yīng)的所述電路板主體的下表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，還包括附加配線，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的背對(duì)所述上表面的下表面上以及在與所述半導(dǎo) 體芯片的下表面對(duì)應(yīng)的所述電路板主體的下表面上；和電連接所述配線和所述附加配線的導(dǎo)電通路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路板，其中導(dǎo)電球電連接至所述配線和所述附加配線中 的至少其一。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述開口限定在所述配線位于所述凸塊上方的部分的至少一個(gè)側(cè)表面中以暴露出所述凸塊。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述增強(qiáng)構(gòu)件選擇性地形成為覆蓋所述凸塊 的通過所述開口暴露的部分和所述配線的僅位于所述開口周圍的部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中所述凸塊具有限定在與所述開口對(duì)應(yīng)的位置 處的凹陷部。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中至少兩個(gè)配線和至少兩個(gè)電路板主體交替設(shè) 置，并且設(shè)置在相應(yīng)電路板主體上的配線通過導(dǎo)電通路電連接。
20.一種具有電路板主體的電路板，所述電路板主體具有凹陷，所述電路板包括設(shè)置在所述凹陷內(nèi)的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有上表面并包含設(shè)置在所述上表 面上的焊墊；設(shè)置在所述焊墊上并從所述焊墊突出預(yù)定長(zhǎng)度的凸塊，其中所述凸塊的端部通過所述 凹陷暴露；設(shè)置在所述電路板主體上的配線，所述配線的至少一部分位于所述凸塊上方，并且在 所述配線位于所述凸塊上方的部分的一部分中形成有開口以暴露出所述凸塊；和增強(qiáng)構(gòu)件，其物理連接和電連接所述凸塊的通過所述開口暴露的部分與所述配線。
全文摘要
一種電路板，包括具有上表面和連接至所述上表面的側(cè)表面的半導(dǎo)體芯片。在半導(dǎo)體芯片的上表面上設(shè)置焊墊。在焊墊上設(shè)置凸塊并且凸塊從焊墊突出預(yù)定高度。電路板主體具有凹陷部，并且半導(dǎo)體芯片位于凹陷部中，使得電路板主體覆蓋半導(dǎo)體芯片的上表面和側(cè)表面，同時(shí)暴露出凸塊的一端。在電路板主體上設(shè)置配線，并且配線的一部分位于凸塊上方。在配線位于凸塊上方的部分的一部分中形成開口以暴露出凸塊。增強(qiáng)構(gòu)件物理連接和電連接暴露的凸塊和配線。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101937890SQ200910211880
公開日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月29日
發(fā)明者李雄宣, 鄭冠鎬, 金基永 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司