專利名稱：開(kāi)關(guān)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及一種機(jī)電開(kāi)關(guān)及其形成方法，并且更具體而言，涉及一種具有可移動(dòng) 地連接至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)的電極的機(jī)電開(kāi)關(guān)及其形成方法。
背景技術(shù)：
動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)是一種需要刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)有效的固態(tài)存儲(chǔ)器。DRAM中的存儲(chǔ)器 單元包括電容器和M0S晶體管。電容器的電荷由于泄漏而衰減，因此存儲(chǔ)器必須周期性地 刷新以保持電荷。MOS晶體管用作存儲(chǔ)器單元中的開(kāi)關(guān)。如果將讀取存儲(chǔ)器，則由讀出放大 器在數(shù)據(jù)線上感測(cè)電容器上的電壓。如果要求寫(xiě)入或刷新操作，則數(shù)據(jù)線變?yōu)檩斎刖€。在 適當(dāng)?shù)牡刂肥笵RAM單元中的MOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)輸入可以對(duì)電容器進(jìn)行充電或放 電。 —種增加DRAM容量的方法是減小MOS晶體管的尺寸。然而，MOS晶體管尺寸的減 小產(chǎn)生了諸如短溝道或結(jié)泄漏的其他問(wèn)題。此外，在存儲(chǔ)器單元中使用MOS晶體管時(shí)，半導(dǎo) 體襯底必須用于容納其上的MOS晶體管，并且該半導(dǎo)體襯底必須在具有MOS晶體管的存儲(chǔ) 器單元的上陣列與下陣列之間形成。 因此需要一種用于在存儲(chǔ)器裝置中使用的改進(jìn)的開(kāi)關(guān)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例， 一種存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器單元，該存儲(chǔ)器單元包 括儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)、第一電極和第二電極，該儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)儲(chǔ)存電荷，并且當(dāng)?shù)诙姌O通電時(shí)第一電極 移動(dòng)從而連接至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。 該存儲(chǔ)器裝置可以進(jìn)一步包括襯底，在所述襯底上形成存儲(chǔ)器單元。 第一電極可以包括垂直部、第一水平部和第二水平部，該垂直部相對(duì)于襯底基本
上垂直并且第一和第二水平部相對(duì)于襯底基本上平行。 該垂直部的第一端部可以連接至第一水平部的第一端部，第一水平部的第二端部 固定至在第二電極上形成的絕緣體圖案，垂直部的第二端部連接至第二水平部的第一端 部。 在第一電極的垂直部和儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)與第二電極之間可以形成間隙。 當(dāng)?shù)诙姌O不通電時(shí)，通過(guò)該間隙使垂直部的第二端部可以與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)分離。 當(dāng)?shù)诙姌O通電時(shí)，垂直部的第二端部可以接觸儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。 垂直部的第二端部可以朝向儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)突出。 當(dāng)施加電壓時(shí)，第二電極可以通電。
儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)可以包括電容器，第一電極包括位線，并且第二電極包括字線。 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器單元，該存儲(chǔ)器單元包
括第一電極、第二電極和儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)，通過(guò)第一間隙使第一電極與第二電極分離并且通過(guò)第
二間隙使第一電極與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)分離，并且當(dāng)?shù)诙姌O通電時(shí)第一電極移動(dòng)從而連接至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。 第一 間隙和第二間隙可以基本上相同。
第一 間隙可以大于第二間隙。 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置包括第一存儲(chǔ)器單元，其包括第一 字線、第一電容器以及位線；第二存儲(chǔ)器單元，其包括第二字線、第二電容器以及位線，并且 當(dāng)?shù)谝蛔志€通電時(shí)位線移動(dòng)從而連接至第一電容器并且當(dāng)?shù)诙志€通電時(shí)位線移動(dòng)從而 連接至第二電容器。 存儲(chǔ)器裝置可以進(jìn)一步包括襯底，在所述襯底上形成第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ) 器單元。 第一存儲(chǔ)器單元中的位線可以包括第一垂直部，第二存儲(chǔ)器單元中的位線包括第
二垂直部，第一和第二垂直部相對(duì)于襯底的主水平面基本上垂直并且基本上相互平行。 當(dāng)?shù)谝蛔志€不通電時(shí)第一垂直部的端部可以與第一電容器分離，并且當(dāng)?shù)谝蛔志€
通電時(shí)第一垂直部的端部接觸第一電容器。 第一垂直部的端部可以朝向第一電容器突出。 當(dāng)?shù)诙志€不通電時(shí)第二垂直部的端部可以與第二電容器分離，并且當(dāng)?shù)诙志€
通電時(shí)第二垂直部的端部接觸第二電容器。 第二垂直部的端部可以朝向第二電容器突出。 當(dāng)施加電壓時(shí)，第一字線和第二字線可以通電。 在第一字線和第二字線上可以形成絕緣體圖案，并且位線固定至絕緣體圖案。
位線可以相對(duì)于掩模圖案基本上對(duì)稱。 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置包括襯底；電容器，其形成在襯底 上，該電容器儲(chǔ)存電荷；字線，其被設(shè)置在電容器上；以及位線，其固定至在字線上形成的 絕緣體圖案，通過(guò)間隔使位線與字線和該電容器分離，位線具有相對(duì)于襯底基本上垂直的 垂直部，當(dāng)字線通電時(shí)，位線的垂直部移動(dòng)從而連接至電容器。 存儲(chǔ)器裝置可以進(jìn)一步包括第一層間電介質(zhì)層，其形成在字線與電容器之間。
存儲(chǔ)器裝置可以進(jìn)一步包括第二層間電介質(zhì)層，其形成在字線與絕緣體圖案之 間。 位線可以進(jìn)一步包括平行部，該平行部的第一端部連接至該垂直部的第一端部， 并且該平行部的第二端部固定至絕緣體圖案。 當(dāng)字線不通電時(shí)，位線的垂直部的第二端部可以與電容器分離。
當(dāng)字線通電時(shí)，位線的垂直部的第二端部可以接觸該電容器。
垂直部的第二端部可以朝向電容器突出。
當(dāng)施加電壓時(shí)，字線可以通電。
該位線可以包括至少兩個(gè)層。 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例， 一種存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器單元，該存儲(chǔ)器單元包
5括電容器、字線以及梁線(beam line)，該存儲(chǔ)器單元形成在襯底上設(shè)置的傳導(dǎo)板上，該梁 線的第一端部被設(shè)置在該傳導(dǎo)板上，該梁線相對(duì)于襯底基本上垂直，并且當(dāng)字線通電時(shí)，梁 線的第二端部移動(dòng)從而連接至電容器。


通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的下面的描述，可以更加詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例， 在附圖中 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的立體圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的沿圖3中的線A-A'截取的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖； 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的截面圖； 圖10是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的截面圖； 圖11至圖19示出形成具有根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置的 方法； 圖20示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成掩埋傳導(dǎo)圖案352的方法； 圖21示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成凹陷開(kāi)關(guān)(dimpledswitch)結(jié)構(gòu)的方法。 圖22A和22B示出具有根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置； 圖23至圖27示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置的方法； 圖28是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的截面圖； 圖29A和29B示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置的方法； 圖30示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置； 圖31示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)；以及 圖32示出包括根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例形成的存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參考示出本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖來(lái)更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)
明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)并且不應(yīng)被解釋為限于此處闡述的示例性實(shí)施例。 將理解，在將元件或?qū)臃Q為"在另一元件或?qū)由?、"連接至"或"耦合至"另一元件
或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一元件或?qū)由?，直接連接或耦合至另一元件或?qū)?，或者可以存在?br> 間的元件或?qū)?。相反地，?dāng)元件被稱為"直接在另一元件或?qū)由?、"直接連接至"或"直接耦
合至"另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間的元件或?qū)印Ｈ绱颂幨褂玫男g(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或
多個(gè)關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)目的任何和所有組合。 將理解，盡管此處使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種不同的元件、組件、區(qū)域、
6層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ) 僅用于使一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)別于另一區(qū)域、層或部分。因此，在不偏離示例 性實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元 件、組件、區(qū)域、層或部分。 為了便于描述，此處使用空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，諸如"下面"、"下方"、"底部"、"下"、"上 面"、"頂部"、"上"等，以描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。將理 解，除了圖中示出的取向之外，該空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意欲涵蓋使用或操作中的裝置的不同取向。 例如，如果圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征"下方"或"下面"的元件將取向 為在其他元件或特征"上面"。因此，示例性術(shù)語(yǔ)"下方"可以涵蓋上面和下方的取向。裝置 可以以其他方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他取向)并且相應(yīng)地解釋此處使用的空間關(guān)系 描述。此外，如此處使用的，"垂直"指的是與水平方向基本上正交的方向。
此處參考示意性說(shuō)明理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的橫截面圖來(lái)描述示例性實(shí)施
例。這樣，可以預(yù)見(jiàn)到由于例如制造技術(shù)和/或容限導(dǎo)致的形狀變化。因此，實(shí)施例不應(yīng)被 解釋為限于此處所示的區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)包括由例如制造導(dǎo)致的形狀偏離。例如，被
示出為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣處將典型地具有圓形的或彎曲的特征和/或注入濃度梯 度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元改變。同樣地，通過(guò)注入形成的掩埋區(qū)域可以導(dǎo) 致掩埋區(qū)域與進(jìn)行注入所通過(guò)的表面之間的區(qū)域中的某種注入。因此，圖中示出的區(qū)域在 本質(zhì)上是示意性的，并且其形狀不旨在說(shuō)明器件區(qū)域的實(shí)際形狀并且不旨在限制本發(fā)明的 范圍。 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。例如，機(jī)電開(kāi)關(guān)可以 用于構(gòu)成諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元中。機(jī)電開(kāi)關(guān)還可 用于除了存儲(chǔ)器裝置之外的電子裝置中。 參考圖1，存儲(chǔ)器單元包括儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)、第一電極和第二電極。儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)是電荷儲(chǔ)存 裝置的電節(jié)點(diǎn)。在示例性實(shí)施例中，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)可以是電容器llla的電節(jié)點(diǎn)。在示例性實(shí)施 例中，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)可以是由絕緣體圍繞的傳導(dǎo)圖案的節(jié)點(diǎn)。第一電極可以是字線114a。第二 電極可以是位線124a。電壓感測(cè)電路可以位于位線124a的端部處。當(dāng)電連接時(shí)，電荷可以 經(jīng)由位線124a從電容器llla移動(dòng)到電壓感測(cè)電路。 電容器llla可以包括上電極109a、下電極105a以及在上電極109a與下電極105a 之間形成的電介質(zhì)層107a。位線124a可以設(shè)置在字線114a上方，在其之間具有層間電介 質(zhì)層116a。字線114a可以設(shè)置在電容器llla上方，在其之間具有層間電介質(zhì)層112a。電 容器llla可以形成在襯底100上。例如，襯底100可以包括玻璃、半導(dǎo)體或塑料。在示例性 實(shí)施例中，下電極105a的第一側(cè)面接觸襯底100。傳導(dǎo)板102的第一側(cè)面形成在襯底100 上。下電極105a的第二側(cè)面接觸傳導(dǎo)板102的第二側(cè)面。 在示例性實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元可以具有相對(duì)于虛構(gòu)線 I-I'的鏡像。第一存儲(chǔ)器單元包括位線124a、電容器llla和字線114a，并且第二存儲(chǔ)器 單元包括位線124a、電容器lllb和字線114b。位線124a與第一存儲(chǔ)器單元的字線114a 和第二存儲(chǔ)器單元的字線114b交叉。第二存儲(chǔ)器的電容器lllb包括上電極109b、下電極 105b和在其之間形成的電介質(zhì)層107b。 在示例性實(shí)施例中，通過(guò)其之間的間隙使位線124a與字線114a和電容器llla分離，與字線114b和電容器111a分離，并且與襯底100分離。位線124a可以基于在字線 114a與位線124a之間生成的電磁功率在間隙中移動(dòng)。在示例性實(shí)施例中，位線124a設(shè)置 在層間電介質(zhì)層116a上形成的掩模圖案118上并且固定至層間電介質(zhì)層116a上形成的掩 模圖案118。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)在不使用粘合劑的情況下將位線124a淀積在掩模圖案 上時(shí)，位線124a可以固定至掩模圖案118a。這樣，位線124a相對(duì)于虛構(gòu)線基本上對(duì) 稱形成。 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。參考圖l和圖2，當(dāng)字 線114a通電時(shí)，位線124a可以可移動(dòng)地連接至電容器llla的上電極109a。當(dāng)施加電壓 時(shí)，字線114a可以通電。位線124a包括第一存儲(chǔ)器單元中的第一水平部Hla、第二水平部 H2a和垂直部Va。位線124a包括第二存儲(chǔ)器單元中的第一水平部Hlb、第二水平部H2b和 垂直部Vb。垂直部Va的上端部連接至水平部Hla的左端部。水平部Hla的右端部固定在 掩模圖案118上。水平部H2a的右端部連接至垂直部Va的下端部。水平部H2a的左端部 連接至相鄰存儲(chǔ)器單元的垂直部的另一下端部。在示例性實(shí)施例中，第一水平部Hla、 Hlb 可以形成有凹進(jìn)部和突出部，如圖l所示。在示例性實(shí)施例中，如圖6或圖31所示，第一水 平部Hla、Hlb可以被形成為基本上平坦的。 當(dāng)字線114a不通電時(shí)，垂直部Va可以被形成為相對(duì)于襯底100的主水平面基本 上垂直。第一水平部Hla和第二水平部H2a可以被形成為相對(duì)于襯底100的主水平面基本 上平行。垂直部Va相對(duì)于第一水平部Hla和第二水平部H2a基本上垂直。由于位線124a 的垂直部Va和Vb相對(duì)于襯底100基本上垂直，因此可以使單位存儲(chǔ)器單元的占地面積 (footprint)最小。這樣，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)器裝置。
當(dāng)字線114a不通電時(shí)，垂直部Va的下端部與電容器llla的上電極109a分離。當(dāng) 字線114a通電時(shí)，垂直部Va的下端部移動(dòng)從而連接至上電極109a。相類似地，在第二存儲(chǔ) 器單元中，當(dāng)字線114b通電時(shí)垂直部Vb的下端部移動(dòng)從而連接至上電極109b。第一存儲(chǔ) 器單元中的垂直部Va的移動(dòng)不會(huì)影響第二存儲(chǔ)器單元中的垂直部Vb的移動(dòng)。S卩，當(dāng)垂直 部Vb靜止時(shí)，垂直部Va的下端部移動(dòng)從而接觸上電極109a。 電容器llla可以被設(shè)置在位線124a的垂直部Va的下端部附近。例如，上電極 109a可以具有基本上矩形形狀。垂直部Va的下端部接觸上電極109a的表面。根據(jù)本發(fā)明 的示例性實(shí)施例，垂直部Va的下端部與上電極109a的表面之間的接觸可以是點(diǎn)、線或面。
當(dāng)字線114a拉動(dòng)位線124a的垂直部Va時(shí)，字線114a與垂直部Va之間的距離 變得更小，但是字線114a和垂直部Va不相互接觸。然而，垂直部Va的下端部接觸電容器 111a的上電極109a。在數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作中，電子通過(guò)該接觸對(duì)電容器llla進(jìn)行充電。在數(shù) 據(jù)讀取操作中，字線114a拉動(dòng)位線124a的垂直部Va，并且垂直部Va的下端部接觸上電極 109a。利用該接觸，位線124a感測(cè)電容器llla中的電子的存在。在第二存儲(chǔ)器單元中，當(dāng) 字線114b拉動(dòng)垂直部Vb時(shí)，位線124a的垂直部Vb接觸電容器lllb。這樣，當(dāng)字線114a 通電時(shí)垂直部Va可移動(dòng)地連接至電容器llla，并且當(dāng)字線114b通電時(shí)垂直部Vb可移動(dòng)地 連接至電容器lllb。 垂直部Va的下端部從第一位置Pl移動(dòng)到第二位置P2，用于讀出在電容器11 la中 儲(chǔ)存的電荷或者用于將電荷寫(xiě)入到電容器llla。當(dāng)字線114a通電時(shí)，垂直部Va的下端部 處于第二位置P2以接觸電容器llla。在示例性實(shí)施例中，第一位置P1和第二位置P2之間的第一距離D1與字線114a和垂直部Va的對(duì)應(yīng)部之間的第二距離D2基本上相同。在示例 性實(shí)施例中，第一距離Dl和第二距離D2可以為約10nm至約15nm。 在示例性實(shí)施例中，位線124a可以是包括例如Ti、TiN、Ti金屬合金、Ta、TaN、Ta金 屬合金或碳納米管的單層結(jié)構(gòu)。在示例性實(shí)施例中，位線124a可以是兩層結(jié)構(gòu)，其中第一 層層疊在第二層上。例如，第一層可以包括Si02或SiN，并且第二層可以包括諸如Ti、TiN、 Ti金屬合金、Ta、 TaN、 Ta金屬合金或碳納米管的傳導(dǎo)材料。在示例性實(shí)施例中，懸浮梁線 160(suspended beam line)可以是多層結(jié)構(gòu)。例如，在三層結(jié)構(gòu)中，第一層可以包括Si02， 第二層可以包括TiN，并且第三層可以包括TaN。具有包含不同材料的兩個(gè)或兩個(gè)以上層的 位線124a相比于單個(gè)材料層位線能夠是更加撓性的。 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的立體圖。第一對(duì)存儲(chǔ)器單元 PM1包括第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元。第二對(duì)存儲(chǔ)器單元PM2包括第三存儲(chǔ)器單元 和第四存儲(chǔ)器單元。第一對(duì)存儲(chǔ)器單元PM1和第二對(duì)存儲(chǔ)器單元PM2通過(guò)位線124a連接。 這樣，例如，沿位線124a可以以規(guī)則的間隔來(lái)連接和設(shè)置一對(duì)以上的存儲(chǔ)器單元。在字線 方向上，一對(duì)以上的存儲(chǔ)器單元以一定間隔設(shè)置在各個(gè)位線124a之間。因此，存儲(chǔ)器單元 陣列可以形成在襯底100上。線A-A'指示出其中形成位線124a的存儲(chǔ)器裝置的區(qū)域。線 B-B'指示出其中不形成位線124a的存儲(chǔ)器裝置的區(qū)域。 圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的沿圖3中的線A-A'截取的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。 具有字線114c、電容器lllc和位線124a垂直部Vc的第三存儲(chǔ)器單元被形成為與第一存 儲(chǔ)器單元相鄰。第三存儲(chǔ)器單元的垂直部Vc可以通過(guò)水平部H連接至第一存儲(chǔ)器單元的 垂直部Va。當(dāng)字線114c拉動(dòng)垂直部Vc時(shí)，垂直部Vc的下端部接觸電容器lllc的上電極 109c。因而，Dl由于垂直部Vc和垂直部Va相互連接而變得更大。 圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。參考圖5，機(jī)電開(kāi)關(guān)形成在 襯底350上，其中，在襯底350中形成掩埋傳導(dǎo)圖案352。絕緣層354形成在掩埋傳導(dǎo)圖案 352上。傳導(dǎo)板102可以經(jīng)由傳導(dǎo)圖案360連接至掩埋傳導(dǎo)圖案352，該傳導(dǎo)圖案360被形 成為通過(guò)絕緣層354。阻擋層358可以形成在傳導(dǎo)圖案360與掩埋傳導(dǎo)圖案352之間。根 據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，掩埋傳導(dǎo)圖案352可以用作DRAM的p板。 圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。參考圖6，垂直部Vd的下 端部朝向電容器lllb突出。電容器lllb與垂直部Vd的突出下端部之間的第一距離D3小 于字線114b與垂直部Vd的對(duì)應(yīng)部之間的第二距離D4。在示例性實(shí)施例中，第一距離D3可 以為約10nm至約15nm，并且第二距離D4可以為約20nm至約25nm。由于D4大于D3，所以 當(dāng)字線114b拉動(dòng)垂直部Vd時(shí)，可以防止位線382的垂直部Vd接觸字線114b。 S卩，當(dāng)D3是 零時(shí)，D4仍然可以保持距離。如果字線114b接觸位線382的垂直部Vd，則在字線114b和 /或位線382的垂直部Vd中會(huì)發(fā)生損壞。在示例性實(shí)施例中，可以降低存儲(chǔ)器裝置的操作 電壓以保持D4的最小距離。 圖7是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。參考圖7，在襯底400上形 成位線402，位線402包括第一水平部Hl、第二水平部H2以及垂直部Va、Vb和Vc。在兩個(gè) 垂直部Va和Vb之間，形成電容器414a和414b、傳導(dǎo)板412和字線408a和408b。位線402 的第一水平部H1形成在襯底400上。層間電介質(zhì)層406形成在水平部H1上。字線408a和 408b形成在層間電介質(zhì)層406上。層間電介質(zhì)層410形成在字線408a和408b上。電容器
9414a和414b形成在層間電介質(zhì)層410上。與電容器414a和414b相接觸的傳導(dǎo)板412形 成在層間電介質(zhì)層410上。當(dāng)字線408a拉動(dòng)垂直部Va時(shí)，垂直部Va的上端部移動(dòng)從而接 觸電容器414a。當(dāng)字線408b拉動(dòng)垂直部Vb時(shí)，垂直部Vb的上端部移動(dòng)從而接觸電容器 414b。 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的截面圖。參考圖8，表面?zhèn)鲗?dǎo) 圖案402b形成在襯底400上。傳導(dǎo)梁402a形成在表面?zhèn)鲗?dǎo)圖案402b上。傳導(dǎo)梁402a相 對(duì)于表面?zhèn)鲗?dǎo)圖案402b和襯底400基本上垂直。在兩個(gè)傳導(dǎo)梁之間，形成電容器414a和 414b、傳導(dǎo)板412以及字線408a和408b。在傳導(dǎo)梁402a和電容器414b之間以及在傳導(dǎo)梁 402a和字線408b之間存在空間。這樣，當(dāng)字線408b拉動(dòng)傳導(dǎo)梁402a時(shí)，傳導(dǎo)梁402a的上 端部移動(dòng)從而接觸電容器414b。當(dāng)字線408b未通電時(shí)，傳導(dǎo)梁402a的上端部返回初始位 置?？梢曰趯?duì)應(yīng)的電容器的位置來(lái)確定傳導(dǎo)梁402a的高度。例如，傳導(dǎo)梁402a的上端 部可以放置在電容器414b的上端部P5與下端部P6之間。 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。參考圖9，包括機(jī)電 開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器單元形成在單元區(qū)域中，并且金屬氧化物硅(MOS)開(kāi)關(guān)形成在外圍區(qū)域中。 在外圍區(qū)域中，柵極絕緣層202形成在半導(dǎo)體襯底100上。柵電極204形成在柵極絕緣層 202上。源/漏區(qū)域206被形成為與柵極絕緣層202相鄰。層間電介質(zhì)層208形成在柵電 極204和源/漏區(qū)域206上。傳導(dǎo)圖案210形成在層間電介質(zhì)層208上。傳導(dǎo)圖案210通 過(guò)接觸插塞233連接至源/漏區(qū)域206。諸如溝槽隔離100a的虛置圖案可以形成在半導(dǎo)體 襯底100上。由于襯底100包括半導(dǎo)體，因此絕緣層170形成在單元區(qū)域中的襯底100上
圖IO是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。參考圖IO，包括機(jī) 電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器單元形成在單元區(qū)域中，并且平面開(kāi)關(guān)300形成在外圍區(qū)域中。在外圍區(qū) 域中，傳導(dǎo)圖案302形成在襯底100上。層間電介質(zhì)層304形成在傳導(dǎo)圖案302和襯底100 上。接觸插塞306被形成為通過(guò)層間電介質(zhì)層304，以接觸傳導(dǎo)圖案302。諸如字線308的 信號(hào)線和諸如電容器310的電極形成在層間電介質(zhì)層304上。懸浮梁線312形成在接觸插 塞306上。字線308被設(shè)置在懸浮梁線312下方。傳導(dǎo)圖案302通過(guò)接觸插塞306電連接 至懸浮梁線312。 在示例性實(shí)施例中，懸浮梁線312包括在相反方向上延伸的第一撓性伸展部FE1 和第二撓性伸展部FE2。第一撓性伸展部FE1和第二撓性伸展部FE2被設(shè)置在接觸插塞306 上并且固定到接觸插塞306。懸浮梁線312可以相對(duì)于接觸插塞306基本上對(duì)稱。第一撓 性伸展部FE1的長(zhǎng)度可以與第二撓性伸展部FE2的長(zhǎng)度基本上相同。第一撓性伸展部FE1 和第二撓性伸展部FE2可以基本上是直的。可替選地，第一撓性伸展部FE1和第二撓性伸展 部FE2可以具有多個(gè)凹進(jìn)部和突出部，所述多個(gè)凹進(jìn)部和突出部與在第一撓性伸展部FE1 和第二撓性伸展部FE2下方設(shè)置的表面的圖案是一致的。 在示例性實(shí)施例中，當(dāng)字線308通電時(shí)，字線308拉動(dòng)懸浮梁線308的第一伸展 部FE1。然后，第一撓性伸展部FE1的尖端部移動(dòng)從而接觸電容器310。在該示例性實(shí)施例 中，由于MOS晶體管不形成在外圍區(qū)域中，因此例如可以使用諸如玻璃或塑料的任何類型 襯底。外圍區(qū)域中形成的平面開(kāi)關(guān)300不需要半導(dǎo)體襯底。 圖11至19示出形成具有根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置的方 法。
參考圖11A、11B和12，線形傳導(dǎo)圖案102形成在襯底100上。線形傳導(dǎo)圖案102 可以例如包括諸如鎢或銅的任何傳導(dǎo)材料。在示例性實(shí)施例中，傳導(dǎo)圖案102可以例如包 括諸如WSix或CoSix的金屬硅化物。第一電極層104、電介質(zhì)層106和第二電極層108順 序地形成在傳導(dǎo)圖案102和襯底IOO上。然后，對(duì)第一電極層104、電介質(zhì)層106和第二電 極層108構(gòu)圖以形成第一電極層圖案104a、電介質(zhì)層圖案106a和第二電極層圖案108a。在 示例性實(shí)施例中，可以使用光刻對(duì)上述層進(jìn)行構(gòu)圖。在構(gòu)圖過(guò)程中，在其中不形成傳導(dǎo)圖案 的區(qū)域中，可以暴露傳導(dǎo)圖案102的頂表面TS。 參考圖13A和13B，電介質(zhì)層110可以設(shè)置在第二電極層圖案108a、傳導(dǎo)圖案102 和襯底100上。在示例性實(shí)施例中，電介質(zhì)層110可以被形成為達(dá)到傳導(dǎo)圖案102的頂表 面TS。這樣，在平坦化工藝中，可以去除被形成為超出電介質(zhì)層110之上的層。層間電介質(zhì) 層112形成在傳導(dǎo)圖案102和電介質(zhì)層110的平坦化表面上。初步字線層形成在層間電介 質(zhì)層112上。初步字線層被構(gòu)圖以形成初步字線114。 參考圖14A、14B和15，電介質(zhì)層116形成在初步字線114上。掩模圖案118形成在 電介質(zhì)層116上。使用掩模圖案118，在其下方形成的層可以被構(gòu)圖。這樣，形成掩模圖案 118、層間電介質(zhì)層圖案116a、字線114a、114b、層間電介質(zhì)層圖案112a、電容器111a、lllb 和傳導(dǎo)圖案102。 參考圖1、16A和16B，第一犧牲層122形成在字線114a、 114b、電容器111a、lllb、 掩模圖案118、層間電介質(zhì)層112a、116a和襯底IOO上。第一犧牲層122具有使掩模圖案 118的頂表面暴露的開(kāi)口 120。第一犧牲層122可以具有與包括位線124a的材料不同的蝕 刻選擇性，位線124a在隨后的工藝中將要在第一犧牲層122上方形成。例如，多晶硅、原子 層淀積(ALD)氧化物、SiGe、 SiN、摻雜硅或摻雜氧化硅可以用作第一犧牲層122。距離Dl 和D2可以由第一犧牲層122的厚度來(lái)控制。這是因?yàn)镈1和D2對(duì)應(yīng)于在隨后的工藝中被 去除的第一犧牲層122的厚度。在示例性實(shí)施例中，第一犧牲層122在整個(gè)單元區(qū)域上具 有基本上相同的厚度，開(kāi)口 120除外。這樣，D1和D2可以是相同的。傳導(dǎo)層124形成在第 一犧牲層122上。第二犧牲層126形成在傳導(dǎo)層124上。 參考圖17A、17B和圖18，掩模圖案128形成在傳導(dǎo)層124和第二犧牲層126上。 使用掩模圖案128在構(gòu)圖工藝之后形成位線124a。圖17A示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的 沿圖18中的線B-B'截取的截面圖。圖17B示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的沿圖18中的 線A-A'截取的截面圖。 參考圖17B和19，去除掩模圖案128以及第一犧牲層122和第二犧牲層140。在 示例性實(shí)施例中，第一犧牲層122和第二犧牲層126包括相同的材料。當(dāng)在隨后的工藝中 去除犧牲層122和126時(shí)，在位線124a周?chē)纬煽臻g。例如，該空間允許位線124a從左向 右移動(dòng)。該空間可以例如是真空狀態(tài)或者填充有諸如N2的惰性氣體。在示例性實(shí)施例中， 第一犧牲層122和第二犧牲層126可以通過(guò)濕法蝕刻工藝去除。 圖20示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成掩埋傳導(dǎo)圖案352的方法。參考圖5、 圖20A、圖20B和圖20C，掩埋傳導(dǎo)圖案352形成在襯底350上。具有縫356的絕緣層354 形成在掩埋傳導(dǎo)圖案352上。阻擋層圖案358沿縫(slit) 356的壁形成。具有比縫356的 寬度更寬的寬度的傳導(dǎo)圖案360形成在阻擋層358上，由此填充縫356。第一電極層104、 電介質(zhì)層106和第二電極層108順序地形成在傳導(dǎo)圖案360和絕緣層354上。
圖6和21示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成凹陷開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的方法。第一犧牲 層380形成在字線114a、114b、電容器llla、 111b、掩模圖案118、層間電介質(zhì)層112a、116a 以及襯底100上。第一犧牲層380具有使掩模圖案118的頂表面暴露的開(kāi)口 120。第一犧 牲層380可以具有與包括位線382的材料不同的蝕刻選擇性，位線382在隨后的工藝中將 要在第一犧牲層380上方形成。例如，多晶硅、原子層淀積(ALD)氧化物、SiGe、SiN、摻雜硅 或者摻雜氧化硅可以用作第一犧牲層380。距離D3和D4可以由第一犧牲層380的厚度d3 和d4來(lái)控制。這是因?yàn)閳D6中的空間距離D3和D4對(duì)應(yīng)于在隨后的工藝中被去除的第一 犧牲層380的厚度d3和d4。在示例性實(shí)施例中，與位線382的突出部相對(duì)應(yīng)的厚度d3小 于d4，以形成凹陷間隙結(jié)構(gòu)。 圖22A和22B示出具有根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置。參考 圖22A和22B，存儲(chǔ)器單元的上陣列UM形成在存儲(chǔ)器單元的下陣列LM上，在其之間具有層 間電介質(zhì)層146和148。圖22A示出沿其中不形成位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。 圖22B示出沿其中形成位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。在示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ) 器單元的多個(gè)層可以相互堆疊。 具有多個(gè)細(xì)孔146a的層間電介質(zhì)層146形成在存儲(chǔ)器單元的下陣列LM上。層間 電介質(zhì)層148形成在具有多個(gè)細(xì)孔146a的層間電介質(zhì)層146上。存儲(chǔ)器單元的上陣列UM 可以形成在層間電介質(zhì)層148上。由于本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)可以直接形成在電 介質(zhì)層上，所以在上存儲(chǔ)器單元UM和下存儲(chǔ)器單元LM之間可以省略存儲(chǔ)器單元的下陣列 LM中需要的襯底100。細(xì)孔146a可以用作傳輸氣體或液體的路徑，以去除在位線124a周 圍形成的犧牲層。在示例性實(shí)施例中，電介質(zhì)圖案142a可以形成在位線124a的兩個(gè)垂直 部之間。電介質(zhì)圖案142a可以控制位線124a的移動(dòng)。例如，位線124a不能擺動(dòng)到超過(guò)電 介質(zhì)圖案142a的左側(cè)或右側(cè)。 圖23至圖27示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置的方法。
參考圖23，第二犧牲層140可以保形地形成在傳導(dǎo)層124上。參考圖24，電介質(zhì)圖 案層142形成在第二犧牲層140上，由此填充在位線124a的兩個(gè)垂直部之間形成的空間。 圖25A示出沿其中不形成位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。圖25B示出沿其中形成 位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。參考圖25B，掩模圖案144形成在電介質(zhì)圖案層 142和第二犧牲層140上。使用掩模圖案144對(duì)傳導(dǎo)層124構(gòu)圖以形成位線124a。對(duì)電介 質(zhì)圖案層142進(jìn)行構(gòu)圖以形成電介質(zhì)圖案142a。 圖26A示出沿其中不形成位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。圖26B示出沿 其中形成位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。參考圖26A，具有多個(gè)細(xì)孔146a的層間 電介質(zhì)層146形成在層間絕緣層147上。參考圖26B，在去除掩模圖案144之后，具有多個(gè) 細(xì)孔146a的層間電介質(zhì)層146形成在第二犧牲層140和電介質(zhì)圖案142a上。
參考圖27，去除第一犧牲層122和第二犧牲層140。細(xì)孔146a可以用作傳輸在去 除第一和第二犧牲層122U40時(shí)使用的氣體或液體的路徑。去除的犧牲層122U40也可以 通過(guò)孔146a傳輸。例如，當(dāng)通過(guò)濕法蝕刻工藝去除犧牲層122、 140時(shí)，蝕刻化學(xué)物質(zhì)可以 通過(guò)細(xì)孔146a傳輸。每個(gè)細(xì)孔可以具有約10nm至約20nm的直徑。在示例性實(shí)施例中，細(xì) 孔146a可以被形成為矩形圖案。在示例性實(shí)施例中，在電介質(zhì)層146被設(shè)置在第二犧牲層 140上之后，可以在電介質(zhì)層146中形成細(xì)孔146a。電介質(zhì)層146可以例如包括聚苯乙烯
12或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。 圖28是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。參考圖28，存儲(chǔ)器單元 的上陣列UM形成在存儲(chǔ)器單元的下陣列LM上，在其之間具有層間電介質(zhì)層146和148。在 示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元的多個(gè)層可以相互堆疊。在示例性實(shí)施例中，在位線124a的 兩個(gè)垂直部之間不形成電介質(zhì)圖案142a。 圖29A和29B示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置的方法。圖29A示 出沿其中不形成位線的區(qū)域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。圖29B示出沿其中形成位線的區(qū) 域截取的存儲(chǔ)器裝置的截面圖。參考圖29B，省略了電介質(zhì)圖案42a。 圖30示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置。參考圖30，存儲(chǔ)器單元的下陣 列LM包括外圍區(qū)域中的MOS晶體管和單元區(qū)域中的機(jī)電開(kāi)關(guān)。存儲(chǔ)器單元的上陣列UM包 括單元區(qū)域和外圍區(qū)域中的機(jī)電開(kāi)關(guān)。層間電介質(zhì)層146和148形成在存儲(chǔ)器單元的上陣 列UM與存儲(chǔ)器單元的下陣列LM之間。在示例性實(shí)施例中，可以使用圖10所示的平面開(kāi)關(guān) 結(jié)構(gòu)，而不是使用存儲(chǔ)器單元的下陣列LM的外圍區(qū)域中的MOS晶體管。
圖31示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的機(jī)電開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)1000的使用不限于存儲(chǔ)器 裝置。參考圖31，開(kāi)關(guān)1000包括第一電極12、第二電極16和第三電極20。第一電極12形 成在襯底10上。第二電極16形成在第一電極12上，在其之間具有層間電介質(zhì)層14。第三 電極20形成在第二電極16上，在其之間具有層間電介質(zhì)層18。第三電極20與第一電極 12和第二電極16分離。第三電極20與襯底10分離。當(dāng)?shù)诙姌O16通電時(shí)，第一電極20 的下邊緣移動(dòng)從而連接至第一電極12。當(dāng)?shù)谝浑姌O12和第三電極20連接時(shí)，開(kāi)關(guān)1000處 于接通(ON)狀態(tài)。開(kāi)關(guān)IOOO可以相對(duì)于穿過(guò)開(kāi)關(guān)1000中心的虛構(gòu)線具有鏡像。
參考圖32，系統(tǒng)500包括控制器510、輸入/輸出裝置520、存儲(chǔ)器530、接口 540 和總線550。系統(tǒng)500可以包括諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、web寫(xiě)字板、無(wú)線 電話、移動(dòng)電話、數(shù)字音樂(lè)播放器或存儲(chǔ)器卡的移動(dòng)系統(tǒng)。在示例性實(shí)施例中，系統(tǒng)500可 以是發(fā)射和/或接收信息的任何系統(tǒng)?？刂破?10可以包括例如，微處理器、數(shù)字信號(hào)處理 器或微控制器。1/0裝置520可以包括微型鍵盤(pán)、鍵盤(pán)或顯示器。存儲(chǔ)器530可以包括例 如，DRAM或閃速存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器530可以存儲(chǔ)由控制器510執(zhí)行的命令。存儲(chǔ)器530和接 口 540可以通過(guò)總線550來(lái)組合。系統(tǒng)550可以使用接口 540以將數(shù)據(jù)發(fā)射到通信網(wǎng)絡(luò)中 或者從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置，其中由于該機(jī)電 開(kāi)關(guān)中的低的結(jié)泄漏或零結(jié)泄漏，因此實(shí)現(xiàn)了好的電荷保持。 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有垂直結(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置，使得可以減 少單位單元(unit cell)的占地面積。 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝置，其中由于該機(jī)電
開(kāi)關(guān)可以形成在許多不同類型的襯底上，因此可以使用多種類型的襯底。 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有可以堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)
器裝置。由于在兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)器單元陣列之間可以省略襯底，因此在多個(gè)陣列中可以實(shí)現(xiàn)
高封裝密度。 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種使用電極作為開(kāi)關(guān)的一部分以斷開(kāi)和閉合電 路的機(jī)電開(kāi)關(guān)。這樣，可以省略用于斷開(kāi)或閉合電路的附加開(kāi)關(guān)元件。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有比MOS晶體管小的機(jī)電開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器裝 置。這樣，可以減小根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的尺寸。 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種在單元區(qū)域和外圍區(qū)域中同時(shí)形成機(jī)電開(kāi)關(guān) 的方法。 盡管此處通過(guò)參考附圖描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是將理解，本發(fā)明不應(yīng) 該限于那些明確的實(shí)施例并且在不偏離本發(fā)明的范圍或精神的前提下本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員可以對(duì)其進(jìn)行各種不同的其他改變和修改。所有這樣的改變和修改意欲包括在如附屬 權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種存儲(chǔ)器裝置，包括存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包括儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)、第一電極和第二電極，所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)被構(gòu)造為儲(chǔ)存電荷，以及當(dāng)所述第二電極通電時(shí)，所述第一電極是可移動(dòng)的從而連接至所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一電極包括垂直部、第一水平部和第 二水平部，所述垂直部相對(duì)于設(shè)置有所述存儲(chǔ)器單元的襯底的主水平面基本上垂直，以及 所述第一水平部和第二水平部相對(duì)于所述襯底的所述主水平面基本上平行。
3. 如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述垂直部的第一端部連接至所述第一水 平部的第一端部，所述第一水平部的第二端部固定至在所述第二電極上方形成的絕緣體圖 案，所述垂直部的第二端部連接至所述第二水平部的第一端部。
4. 如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，在所述第一電極的所述垂直部和所述儲(chǔ)存 節(jié)點(diǎn)與所述第二電極之間形成間隙。
5. 如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)所述第二電極不通電時(shí)，通過(guò)所述間隙使 所述垂直部的所述第二端部與所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)分離。
6. 如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)所述第二電極通電時(shí)，所述垂直部的所述 第二端部接觸所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。
7. 如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述垂直部的所述第二端部朝向所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)突出。
8. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)施加電壓時(shí)，所述第二電極通電。
9. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)包括電容器，所述第一電極包 括位線，以及所述第二電極包括字線。
10. —種存儲(chǔ)器裝置，包括存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包括第一電極、第二電極和儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)，用第一間隙使所述 第一電極與所述第二電極分離，以及用第二間隔使所述第一電極與所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)分離，并 且當(dāng)所述第二電極通電時(shí)，所述第一電極移動(dòng)從而連接至所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。
11. 如權(quán)利要求io所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一間隙和所述第二間隙基本上相同。
12. 如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一間隙大于所述第二間隙。
13. —種存儲(chǔ)器裝置，包括第一存儲(chǔ)器單元，包括第一字線、第一電容器和第一位線；第二存儲(chǔ)器單元，包括第二字線、第二電容器和連接至所述第一位線的第二位線； 其中當(dāng)所述第一字線通電時(shí)所述第一位線是可移動(dòng)的從而連接至所述第一電容器，以 及當(dāng)所述第二字線通電時(shí)所述第二位線是可移動(dòng)的從而連接至所述第二電容器。
14. 如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一存儲(chǔ)器單元中的所述第一位線 包括第一垂直部，所述第二存儲(chǔ)器單元中的所述第二位線包括第二垂直部，所述第一垂直 部和所述第二垂直部相對(duì)于設(shè)置有所述第一存儲(chǔ)器單元和所述第二存儲(chǔ)器單元的襯底的 主水平面基本上垂直，并且所述第一垂直部和所述第二垂直部基本上相互平行。
15. 如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)所述第一字線不通電時(shí)，所述第一垂直 部的端部與所述第一電容器分離，以及當(dāng)所述第一字線通電時(shí)，所述第一垂直部的所述端部接觸所述第一電容器。
16. 如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一垂直部的所述端部朝向所述第 一電容器突出。
17. 如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)所述第二字線不通電時(shí)，所述第二垂直 部的端部與所述第二電容器分離，以及當(dāng)所述第二字線通電時(shí)，所述第二垂直部的所述端 部接觸所述第二電容器。
18. 如權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第二垂直部的所述端部朝向所述第 二電容器突出。
19. 如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)施加電壓時(shí)，所述第一字線和所述第二 字線通電。
20. 如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，在所述第一字線和所述第二字線上方形 成絕緣體圖案，以及所述第一位線和第二位線固定至所述絕緣體圖案。
21. 如權(quán)利要求20所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一位線和所述第二位線相對(duì)于所 述絕緣體圖案基本上對(duì)稱。
22. —種存儲(chǔ)器裝置，包括 襯底；形成在所述襯底上的電容器，所述電容器儲(chǔ)存電荷； 設(shè)置在所述電容器上方的字線；以及固定至絕緣體圖案的位線，所述絕緣體圖案形成在所述字線上方，用間隙使所述位線 與所述字線和所述電容器分離，所述位線具有相對(duì)于所述襯底的主水平面基本上垂直的垂 直部，其中，當(dāng)所述字線通電時(shí)，所述位線的所述垂直部是可移動(dòng)的從而連接至所述電容器。
23. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)器裝置，進(jìn)一步包括形成在所述字線與所述電容器之間 的第一層間電介質(zhì)層。
24. 如權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)器裝置，進(jìn)一步包括形成在所述字線與所述絕緣體圖案 之間的第二層間電介質(zhì)層。
25. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述位線進(jìn)一步包括平行部，所述平行部 的第一端部連接至所述垂直部的第一端部，并且所述平行部的第二端部固定至所述絕緣體 圖案。
26. 如權(quán)利要求25所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)所述字線不通電時(shí)，所述位線的所述垂 直部的第二端部與所述電容器分離。
27. 如權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)所述字線通電時(shí)，所述位線的所述垂直 部的第二端部接觸所述電容器。
28. 如權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述垂直部的所述第二端部朝向所述電 容器突出。
29. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)施加電壓時(shí)，所述字線通電。
30. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述位線包括至少兩層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種開(kāi)關(guān)及其形成方法。一種存儲(chǔ)器裝置，其包括存儲(chǔ)器單元，該存儲(chǔ)器單元包括儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)、第一電極和第二電極，該儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)儲(chǔ)存電荷，并且當(dāng)?shù)诙姌O通電時(shí)，第一電極移動(dòng)從而連接至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L27/108GK101751992SQ20091025233
公開(kāi)日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者張?jiān)|, 徐俊, 權(quán)容賢, 李志明, 裵賢俊, 趙槿匯, 金旻相, 金洞院 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社