本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置，例如，一種優(yōu)選適用于反熔絲存儲器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲裝置的半導(dǎo)體存儲裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，作為通過破壞絕緣膜來可進行一次性數(shù)據(jù)寫入的反熔絲存儲器，周知的有具有如美國專利第6,667,902號的說明書(專利文獻1)中所示的結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲器。該專利文獻1中所示的反熔絲存儲器具有在阱上并列地形成開關(guān)晶體管和存儲器電容的雙晶體管結(jié)構(gòu)。

實際上，具有晶體管結(jié)構(gòu)的開關(guān)晶體管中，在阱上夾著開關(guān)柵絕緣膜形成有開關(guān)柵極，在開關(guān)柵極上連接有字線，且在形成于阱表面的一個擴散區(qū)域連接有位線。另外，在與開關(guān)晶體管成對的存儲器電容中，在阱上夾著存儲器柵絕緣膜形成有存儲器柵極，在該存儲器柵極中連接有與開關(guān)柵極連接的字線不同的寫入字線。

在進行數(shù)據(jù)寫入動作時，存儲器電容通過從寫入字線向存儲器柵極施加的破壞字電壓和向開關(guān)晶體管的位線施加的絕緣破壞位電壓之間的電壓差來絕緣破壞存儲器柵絕緣膜，與阱絕緣的存儲器柵極通過存儲器柵絕緣膜的絕緣破壞，與阱表面即形成存儲器溝道的區(qū)域電連接。

并且，在進行數(shù)據(jù)讀取動作時，在向與要讀取的位線連接的寫入字線施加電壓時，在存儲器柵絕緣膜破壞的情況下，施加于寫入字線的電壓通過存儲器溝道施加在開關(guān)晶體管的另一擴散區(qū)域。并且，開關(guān)晶體管通過分別從與開關(guān)柵極連接的字線和與擴散區(qū)域連接的位線施加的電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)，并基于施加到位線的電壓的變化判斷成對的存儲器電容中的存儲器柵極和存儲器溝道的電連接狀態(tài)，判斷數(shù)據(jù)是否寫入。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利第6,667,902號說明書

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，具有這種結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的反熔絲存儲器中，設(shè)置與存儲器電容分開的獨立的開關(guān)晶體管，因此除了對所述存儲器電容施加破壞字電壓的控制電路之外，還需要設(shè)置用于使開關(guān)晶體管進行導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，相應(yīng)地，存在難以實現(xiàn)小型化的問題。

并且，這樣的反熔絲存儲器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲裝置中，使特定的反熔絲存儲器的存儲器柵絕緣膜絕緣破壞，而其他的反熔絲存儲器的存儲器柵絕緣膜不絕緣破壞時，需要分別對以矩陣狀配置的反熔絲存儲器施加合適的電壓，因此需要有效地布置用于對各反熔絲存儲器施加電壓的布線以實現(xiàn)整體的小型化。

因此，本發(fā)明是鑒于以上的問題而提出的，其目的在于提供一種相比現(xiàn)有技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的半導(dǎo)體存儲裝置。

為解決課題的技術(shù)手段

用于解決所述問題的本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置，在多個字線和多個位線的各交叉位置配置有反熔絲存儲器，其特征在于，各所述反熔絲存儲器包括：存儲器電容，其中，夾著存儲器柵絕緣膜設(shè)置有存儲器柵極，在阱上形成的一側(cè)的擴散區(qū)域通過位線連接器連接有所述位線；整流元件，設(shè)置在所述存儲器柵極與所述字線之間，來自所述字線的電壓經(jīng)由字線連接器被施加到所述存儲器柵極，并通過施加到所述存儲器柵極和所述字線的電壓值，阻斷從所述存儲器柵極施加到所述字線的電壓，其中，兩個以上的所述反熔絲存儲器共用一個所述位線連接器。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在多個字線和多個位線的各交叉位置配置有反熔絲存儲器，其特征在于，各所述反熔絲存儲器包括：存儲器電容，其中，夾著存儲器柵絕緣膜設(shè)置有存儲器柵極，在阱上形成的一側(cè)的擴散區(qū)域通過位線連接器連接有所述位線；整流元件，設(shè)置在所述存儲器柵極與所述字線之間，來自所述字線的電壓經(jīng)由字線連接器被施加到所述存儲器柵極，并通過施加到所述存儲器柵極和所述字線的電壓值，阻斷從所述存儲器柵極施加到所述字線的電壓，其中，兩個以上的所述反熔絲存儲器共用一個所述字線連接器。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過施加到存儲器電容的存儲器柵極和字線的電壓值，通過整流元件阻斷從存儲器柵極施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓的開關(guān)晶體管或者用于使開關(guān)晶體管進行導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

另外，根據(jù)本發(fā)明，至少兩個以上的反熔絲存儲器共用一個位線連接器和/或一個字線連接器，因此與每個反熔絲存儲器上設(shè)置位線連接器或字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置的基本的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖2a是示出兩個反熔絲存儲器并列地配置的位置的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2b是示出圖2a所示的兩個反熔絲存儲器的平面布置的示意圖。

圖3是示出四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器時的平面布置(1)的示意圖。

圖4是示出字線和位線的平面布置(1)的示意圖。

圖5是示出其他實施方式的字線和位線的平面布置(1)的示意圖。

圖6是示出沿行方向排列的兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器時的平面布置(1)的示意圖。

圖7是示出沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器時的平面布置(1)的示意圖。

圖8是示出包括n型mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的其他實施方式的反熔絲存儲器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖9a是示出圖8所示的反熔絲存儲器的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖9b是示出圖9a所示的反熔絲存儲器的平面布置的示意圖。

圖10是示出四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器時的平面布置(2)的示意圖。

圖11是示出字線和位線的平面布置(2)的示意圖。

圖12是示出其他實施方式的字線和位線的平面布置(2)的示意圖。

圖13是示出其他實施方式的連接器的平面布置(1)的示意圖。

圖14是示出沿行方向排列的兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器時的平面布置(2)的示意圖。

圖15是示出其他實施方式的連接器的平面布置(2)的示意圖。

圖16是示出沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器時的平面布置(2)的示意圖。

圖17是示出包括p型mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的其他實施方式的反熔絲存儲器的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖18a是示出其他實施方式的反熔絲存儲器的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖18b是示出圖18a所示的反熔絲存儲器的平面布置的示意圖。

具體實施方式

以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。

以下，對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。并且，按照以下的順序進行說明。

<1.以矩陣狀設(shè)置反熔絲存儲器的本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置的基本概念>

1-1.基本結(jié)構(gòu)

1-2.數(shù)據(jù)的寫入動作

1-3.數(shù)據(jù)的讀取動作

1-4.基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果

<2.關(guān)于四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器的情況>

2-1.關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

2-2.關(guān)于位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)

<3.關(guān)于其他實施方式的位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)>

<4.關(guān)于兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況>

<5.關(guān)于沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況>

<6.具有由n型mos(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲器>

6-1.基本結(jié)構(gòu)

6-2.數(shù)據(jù)的寫入動作

6-3.基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果

<7.關(guān)于四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器的情況>

7-1.關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

7-2.關(guān)于位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)

<8.關(guān)于其他實施方式的位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)>

<9.關(guān)于兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況>

<10.關(guān)于沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況>

<11.其他實施方式>

11-1.具有由p型mos晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲器

11-2.包括晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的反熔絲存儲器的其他實施方式的結(jié)構(gòu)

11-3.其他

(1)以矩陣狀設(shè)置反熔絲存儲器的本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置的基本概念

(1-1)基本結(jié)構(gòu)

圖1中，1表示本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置，例如，具有四個反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d以矩陣狀配置的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置1在沿行方向排列的反熔絲存儲器2a、2b(2c、2d)共用字線wla(wlb)，同時沿列方向排列的反熔絲存儲器2a、2c(2b、2d)共用位線bla(blb)。各反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d都具有相同的結(jié)構(gòu)，因此在這里主要對例如第一行第一列的反熔絲存儲器2a進行說明。實際上，反熔絲存儲器2a由整流元件3和儲存器電容4構(gòu)成，所述整流元件3具有pn接合二極管的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，所述存儲器電容4包括通過存儲器柵極g和位線bla的電壓差被絕緣破壞的存儲器柵絕緣膜6。

在該實施方式的情況下，整流元件3具有p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域接合的結(jié)構(gòu)，p型半導(dǎo)體區(qū)域與字線wla連接，n型半導(dǎo)體區(qū)域與存儲器電容4的存儲器柵極g連接。由此，反熔絲存儲器2a從字線wla通過整流元件3向存儲器電容4的存儲器柵極g施加電壓，另一方面，從該存儲器柵極g向字線wla的電壓施加將在整流元件3中成為反向偏置電壓，可阻斷通過整流元件3從存儲器柵極g向字線wl的電壓施加。

在這種反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d中，在進行數(shù)據(jù)寫入動作時，當施加到字線wla、wlb的電壓通過整流元件3施加到存儲器電容4的存儲器柵極g，在存儲器電容4中，存儲器柵極g和位線bla、blb之間產(chǎn)生較大的電壓差時，存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，在該存儲器電容4中寫入數(shù)據(jù)。

在此，對設(shè)置在半導(dǎo)體存儲裝置1的本發(fā)明的反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d進行詳細說明。并且，在此，主要對例如圖1的第一行中排列的兩個反熔絲存儲器2a、2b進行說明。如圖2a所示，在半導(dǎo)體存儲裝置1中，例如由si構(gòu)成的p型或n型阱s2形成在半導(dǎo)體基板s1上，在該阱s2表面形成有由絕緣部件形成的整流元件形成層ilb。并且，在阱s2表面以夾住整流元件形成層ilb的方式從該整流元件形成層ilb隔開規(guī)定間隔而形成由絕緣部件構(gòu)成的元件隔離層ila、ilc。

此時，半導(dǎo)體存儲裝置1中，在整流元件形成層ilb和一個元件隔離層ila之間可形成一個反熔絲存儲器2a的存儲器電容4，在整流元件形成層ilb和另一元件隔離層ilc之間可形成另一反熔絲存儲器2b的存儲器電容4。

實際上，在整流元件形成層ilb和一個元件隔離層ila之間形成有存儲器電容4，該存儲器電容4為，以與該元件隔離層ila相鄰的方式在阱s2的表面形成有一個擴散區(qū)域5，在該擴散區(qū)域5和整流元件形成層ilb之間的阱s2上夾著存儲器柵絕緣膜6配置有存儲器柵極g。

并且，在整流元件形成層ilb和另一個元件隔離層ilc之間也形成存儲器電容4，該存儲器電容4為，以與該元件隔離層ilc相鄰的方式在阱s2的表面形成有另一個擴散區(qū)域5，在該擴散區(qū)域5和整流元件形成層ilb之間的阱s2上夾著存儲器柵絕緣膜6配置有存儲器柵極g。

在各擴散區(qū)域5中在硅化物sc上分別立設(shè)有位線連接器bc，在該位線連接器bc的前端分別連接有對應(yīng)的位線bla、blb。由此，例如在反熔絲存儲器2a的存儲器電容4中，從位線bla通過位線連接器bc向擴散區(qū)域5可施加規(guī)定的電壓。在這種結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在整流元件形成層ilb的表面形成有整流元件3。在該實施方式中，在整流元件形成層ilb的表面設(shè)有p型半導(dǎo)體區(qū)域8和在該p型半導(dǎo)體區(qū)域8的兩側(cè)形成的n型半導(dǎo)體區(qū)域7，通過基于一個n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，形成pn接合二極管的整流元件3。

在這種情況下，各反熔絲存儲器2a、2b中，存儲器電容4的存儲器柵極g由n型半導(dǎo)體形成，該存儲器柵極g端部和在整流元件形成層ilb上形成的整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7的端部形成為一體。并且，在反熔絲存儲器2a、2b中，這些整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲器電容4的各存儲器柵極g形成在相同布線層(相同層)，整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲器電容4的存儲器柵極g形成為相同的膜厚度。

由此，在反熔絲存儲器2a、2b中，整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7、p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲器電容4的存儲器柵極g的各接合表面沒有階梯差，實現(xiàn)整體的薄型化。并且，在反熔絲存儲器2a、2b中，由于整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7、p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲器電容4的存儲器柵極g可以通過相同的成膜工序形成，因此與分別形成n型半導(dǎo)體區(qū)域7、p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲器電容4的存儲器柵極g的情況相比，能夠簡化制造工序。

另外，在整流元件3中，在p型半導(dǎo)體區(qū)域8的硅化物sc上立設(shè)有字線連接器wc，配置在位線bla、blb上方的字線wla通過字線連接器wc與p型半導(dǎo)體區(qū)域8連接。這樣，例如在反熔絲存儲器2a中，當向字線wla施加相對于存儲器柵極g相對正的電壓時，來自該字線wla的電壓依次通過字線連接器wc、整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及n型半導(dǎo)體區(qū)域7施加在各存儲器電容4的存儲器柵極g。另外，在反熔絲存儲器2a中，當向存儲器電容4的存儲器柵極g施加相對于字線wla相對正的電壓時，來自存儲器柵極g的電壓在整流元件3中成為反向偏置電壓，在n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8之間可被阻斷。并且，在阱s2上形成的位線連接器bc、字線連接器wc、整流元件3、存儲器柵極g、位線bla、blb、字線wla由層間絕緣層9覆蓋。

并且，與圖2a的對應(yīng)部分使用相同符號的圖2b示出圖2a所示的設(shè)置反熔絲存儲器2a、2b的區(qū)域的平面布置。并且，圖2a是圖2b的a-a’的側(cè)截面結(jié)構(gòu)。如圖2b所示，半導(dǎo)體存儲裝置1中，各位線連接器bc配置在阱s2的對應(yīng)的活性區(qū)域12上。分別設(shè)置在相鄰的反熔絲存儲器2a、2b的長方形的n型半導(dǎo)體區(qū)域7以矩形狀的p型半導(dǎo)體區(qū)域8的中心位置上配置的字線連接器wc為中心左右對稱地配置。并且，各n型半導(dǎo)體區(qū)域7具有其一端與p型半導(dǎo)體區(qū)域8的邊接合且從所述p型半導(dǎo)體區(qū)域8向活性區(qū)域12延伸的長度方向，在其前端部接合的存儲器柵極g與對應(yīng)的活性區(qū)域12相對配置。并且，在存儲器柵極g和活性區(qū)域12的相對區(qū)域，分別形成有反熔絲存儲器2a、2b的存儲器柵絕緣膜6。

順便說一下，具有這樣的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置1可以通過利用光刻技術(shù)、氧化或cvd(chemicalvapordeposition)等的成膜技術(shù)、蝕刻技術(shù)以及離子注入法的一般的半導(dǎo)體制造工序來形成，因此在此省略對此的說明。

(1-2)數(shù)據(jù)的寫入動作

接著，對具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置1中例如僅在第2行第1列的反熔絲存儲器2c中寫入數(shù)據(jù)時的數(shù)據(jù)寫入動作進行說明。另外，在此，將寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器2c稱為寫入選擇存儲器，將不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器2a、2b、2d稱為寫入非選擇存儲器。在這種情況下，如圖1所示，半導(dǎo)體存儲裝置1中，向與作為寫入選擇存儲器的反熔絲存儲器2c連接的位線bla(以下，稱為寫入選擇位線)施加0v的破壞位電壓，向僅與作為寫入非選擇存儲器的反熔絲存儲器2b、2d連接的位線blb(以下，稱為寫入非選擇位線)施加3v的非破壞位電壓。

并且，此時，半導(dǎo)體存儲裝置1中，可向與作為寫入選擇存儲器的反熔絲存儲器2c連接的字線wlb(以下，稱為寫入選擇字線)施加5v的破壞字電壓，可向僅與作為寫入非選擇存儲器的反熔絲存儲器2a、2b連接的字線wla(以下，稱為寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓。反熔絲存儲器(寫入選擇存儲器)2c中，可從作為寫入選擇字線的字線wlb向整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8施加5v的破壞字電壓的同時，可從作為寫入選擇位線的位線bla向存儲器電容4的一端的擴散區(qū)域5施加0v的破壞位電壓。

由此，反熔絲存儲器2c中，從整流元件3向存儲器電容4的存儲器柵極g施加破壞字電壓的同時，從位線bla向擴散區(qū)域5施加0v，結(jié)果，存儲器電容4的溝道(未示出)成為導(dǎo)通狀態(tài)，溝道電位變成與位線bla電位相同的電位。這樣，反熔絲存儲器2c中，例如當整流元件3的pn接合二極管的內(nèi)建電勢為0.7v時，溝道和存儲器柵極g的電位差為4.3v，從而存儲器柵極g下部的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，存儲器柵極g與擴散區(qū)域5通過溝道以低阻抗處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而可處于數(shù)據(jù)被寫入的狀態(tài)。

另外，雖然與施加5v的破壞字電壓的字線(寫入選擇字線)wlb連接，但是不寫入數(shù)據(jù)的另一列的反熔絲存儲器2d中，通過位線(寫入非選擇位線)blb向存儲器電容4一端的擴散區(qū)域5施加3v的非破壞位電壓，因此存儲器電容4中存儲器柵極g和擴散區(qū)域5之間的電位差減小，成為1.3v(考慮內(nèi)建電勢0.7v)。因此，該反熔絲存儲器2d中，即使存儲器電容4中存儲器柵極g下部的存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞，所述存儲器柵絕緣膜6不會被絕緣破壞而成為絕緣狀態(tài)，能夠保持不寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，與施加3v的非破壞位電壓的位線(寫入非選擇位線)blb連接、且不寫入數(shù)據(jù)的另一反熔絲存儲器2b中，當存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞時，從字線(寫入非選擇字線)wla通過整流元件3向存儲器柵極g施加0v的非破壞字電壓，因此存儲器電容4中，存儲器柵極g和與位線blb連接的擴散區(qū)域5之間的電位差減小，成為3v。

因此，該反熔絲存儲器2b中，即使假設(shè)存儲器電容4中存儲器柵極g下部的存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞，所述存儲器柵絕緣膜6也不會被絕緣破壞而成為絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

另外，從位線(寫入非選擇位線)blb施加3v的非破壞位電壓的反熔絲存儲器2b中，即使例如存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6已被絕緣破壞，由于向字線(寫入非選擇字線)wla施加0v的非破壞字電壓，因此在存儲器電容4中不形成溝道，所述位線(寫入非選擇位線)blb的3v非破壞位電壓在存儲器電容4中被阻斷。因此，該反熔絲存儲器2d中，非破壞位電壓并不會通過被絕緣破壞的存儲器柵絕緣膜6施加到存儲器柵極g。

但是，當存儲器柵絕緣膜6的被絕緣破壞的位置與連接有位線(寫入非選擇位線)blb的擴散區(qū)域5非常接近時，存在可能位線blb的電位無法被存儲器電容4的溝道阻斷而施加到所述擴散區(qū)域5的3v的非破壞位電壓施加到存儲器柵極g的擔(dān)憂。

即使在這種情況下，本發(fā)明的反熔絲存儲器2b中，通過基于n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)成為pn接合二極管的整流元件3設(shè)置在存儲器電容4的存儲器柵極g和字線wla之間，因此即使從存儲器柵極g向整流元件3施加3v的非破壞位電壓，所述整流元件3中成為從n型半導(dǎo)體區(qū)域7向p型半導(dǎo)體區(qū)域8的反向偏置電壓，通過所述整流元件3，能夠可靠地阻斷從存儲器柵極g向字線wla的電壓施加。

并且，當假設(shè)不具有這種通過整流元件3的阻斷功能時，位線blb的3v的非破壞位電壓會通過反熔絲存儲器2b傳遞到字線wla上。在這種情況下，通過反熔絲存儲器2b施加到字線wla上的3v的電壓將通過字線wla會傳遞到共用所述字線wla的另一反熔絲存儲器2a的存儲器柵極g。由此，當反熔絲存儲器2a的存儲器柵絕緣膜6已被破壞時，位線bla和字線wla短路而將成為同電位，結(jié)果，一個位線bla和另一位線blb不能保持所需的電位，存在會產(chǎn)生對反熔絲存儲器不能進行正常的數(shù)據(jù)寫入動作的問題。

順便說一下，與施加0v的非破壞字電壓的字線(寫入非選擇字線)wla和同樣地施加0v的非破壞位電壓的位線(寫入非選擇位線)bla連接的、不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器2a中，由于在存儲器電容4中存儲器柵極g與擴散區(qū)域5之間的電壓差成為0v，因此假設(shè)即使存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞，所述存儲器柵絕緣膜6也不會被絕緣破壞而保持絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。這樣，半導(dǎo)體存儲裝置1中，以矩陣狀配置的反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d中，能夠僅向所期望的反熔絲存儲器2c寫入數(shù)據(jù)。

(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作

接著，說明圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置1中例如讀取第2行第1列的反熔絲存儲器2c的數(shù)據(jù)的情況進行說明。在這種情況下，與作為讀取選擇存儲器的反熔絲存儲器2c連接的位線bla(以下，稱為讀取選擇位線)和僅與作為不讀取數(shù)據(jù)的讀取非選擇存儲器的反熔絲存儲器2b、2d連接的位線blb(以下，稱為讀取非選擇位線)在初期被充電為1.2v的電壓。此時，在與作為讀取選擇存儲器的反熔絲存儲器2c連接的字線wlb(以下，成為讀取選擇字線)被施加1.2v的讀取選擇字電壓，同時在僅與作為讀取非選擇存儲器的反熔絲存儲器2a、2b連接的字線wla(以下，稱為讀取非選擇字線)被施加0v的讀取非選擇字電壓。

然后，在讀取選擇位線bla上被施加0v的讀取選擇位電壓。由此，作為讀取選擇存儲器的反熔絲存儲器2c中，從字線wlb向整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8可被施加1.2v的讀取選擇字電壓，同時從位線bla向存儲器電容4的一端的擴散區(qū)域5可被施加0v的讀取選擇位電壓。

此時，作為讀取選擇存儲器的反熔絲存儲器2c中，當存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞而處于數(shù)據(jù)被寫入的狀態(tài)時，通過字線wlb的1.2v的讀取選擇字電壓，在整流元件3中從p型半導(dǎo)體區(qū)域8向n型半導(dǎo)體區(qū)域7施加正向偏置電壓。因此，反熔絲存儲器2c中，字線wlb的讀取選擇字電壓從整流元件3通過存儲器電容4施加到位線bla。

結(jié)果，在位線bla上可被施加1.2v的讀取選擇字電壓在反熔絲存儲器(讀取選擇存儲器)2c中減少內(nèi)建電勢分量的電壓。因此，位線bla中，通過反熔絲存儲器2c與字線wlb電連接，由此0v的讀取選擇位電壓成為0.5v，電壓值可發(fā)生變化。

順便說一下，作為讀取選擇存儲器的反熔絲存儲器2c中，當存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞而處于不寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)時，通過存儲器電容4，字線wlb和位線bla的電連接被阻斷。因此，位線bla中，0v的讀取選擇位電壓沒有發(fā)生變化，繼續(xù)保持0v的狀態(tài)。

如上所述，半導(dǎo)體存儲裝置1中，通過感測施加到位線(讀取選擇位線)bla的讀取選擇位電壓是否發(fā)生變化來判斷作為讀取選擇存儲器的反熔絲存儲器2c中是否寫入數(shù)據(jù)。

并且，與位線bla連接且不讀取數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器2a中，由于在字線(讀取非選擇字線)wla上被施加有0v的讀取非選擇字電壓，因此即使存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，也不會對位線(讀取選擇位線)bla的電壓變化產(chǎn)生影響。

順便說一下，例如通過讀取數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器2c，位線(讀取選擇位線)bla的電壓值成為0.5v時，即使共用所述讀取選擇位線bla的、不讀取數(shù)據(jù)的另一反熔絲存儲器2a中存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，在所述反熔絲存儲器2a中，由于在整流元件3中施加反向偏置電壓，因此0.5v的讀取選擇位電壓在整流元件3中被阻斷，從而能夠防止所述電壓施加到字線(讀取非選擇字線)wla上。

并且，與施加0v的讀取非選擇字電壓的字線(讀取非選擇字線)wlb和施加1.2v的讀取非選擇位電壓的位線(讀取非選擇位線)blb連接的反熔絲存儲器2b中，即使假設(shè)存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，在整流元件3中成為反向偏置電壓，因此通過整流元件3可阻斷從字線(讀取非選擇字線)wlb向位線(讀取非選擇位線)blb的電壓施加。

并且，與施加1.2v的讀取選擇字電壓的字線(讀取選擇字線)wlb和施加1.2v的讀取非選擇位電壓的位線(讀取非選擇位線)blb連接的反熔絲存儲器2d中，即使假設(shè)存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，由于字線(讀取選擇字線)wlb和位線(讀取非選擇位線)bld的電壓值相同，因此1.2v的讀取選擇字電壓不會變動，不會對另一反熔絲存儲器2c的讀取動作產(chǎn)生影響。這樣，半導(dǎo)體存儲裝置1中，以矩陣狀配置的反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d中，能夠僅讀取所期望的反熔絲存儲器2c的數(shù)據(jù)。

(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果

以上的結(jié)構(gòu)中，例如在反熔絲存儲器2c中設(shè)置存儲器電容4和整流元件3，所述存儲器電容4中，在阱s2上夾著存儲器柵絕緣膜6設(shè)置存儲器柵極g，在阱s2表面形成的一擴散區(qū)域5通過位線連接器bc與位線bla連接，所述整流元件3設(shè)置在存儲器柵極g與字線wlb之間，來自字線wlb的電壓經(jīng)由字線連接器wc施加到存儲器柵極g，另一方面，從存儲器柵極g施加到字線連接器wc的電壓成為反向偏置電壓，從而阻斷從存儲器柵極g施加到字線連接器wc的電壓。

并且，在反熔絲存儲器2c中，向存儲器電容4寫入數(shù)據(jù)時，施加到寫入選擇字線wlb的寫入破壞字電壓通過整流元件3被施加到存儲器電容4的存儲器柵極g上，通過所述存儲器柵極g與寫入選擇位線bla之間的電壓差，存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞。

另一方面，不寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)非寫入動作的反熔絲存儲器2b中，與存儲器電容4連接的位線bl2上被施加高電壓的非破壞位電壓時，例如即使存儲器電容4的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，由于寫入非選擇字線wla上施加有0v的非破壞字電壓，因此在存儲器電容4不形成溝道，從而存儲器電容4能夠阻斷從寫入非選擇位線blb施加到字線wla的電壓。

在這種情況下，本發(fā)明的反熔絲存儲器2b中，例如在非?？拷c寫入非選擇位線blb連接的擴散區(qū)域5的位置產(chǎn)生存儲器柵絕緣膜6的絕緣破壞，從而即使假設(shè)寫入非選擇位線blb的電位無法被存儲器電容4的溝道阻斷，從寫入非選擇位線blb向存儲器電容4的存儲器柵極g施加非破壞位電壓，由于所述非破壞位電壓在整流元件3成為反向偏置電壓，因此通過所述整流元件3也能夠可靠地阻斷從存儲器柵極g施加到字線wla的電壓。

如上所述，本發(fā)明的反熔絲存儲器2b中，可以設(shè)置(ⅰ)通過向?qū)懭敕沁x擇字線wla施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

因此在反熔絲存儲器2b中，不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置通過施加到存儲器柵極g和字線wla的電壓值來使得從存儲器柵極g施加到字線wla的電壓成為反方向偏置電壓的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)的整流元件3，并通過所述整流元件3阻斷從存儲器柵極g施加到字線wla的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓動作的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而能夠相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，如圖2a所示，反熔絲存儲器2a、2b、2c、2d的整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7與存儲器電容4的存儲器柵極g形成在同一層上，因此可以利用用以形成具有單層結(jié)構(gòu)的存儲器電容4的存儲器柵極g的一般的半導(dǎo)體制造工序，能夠在形成存儲器柵極g的制造工序中也能夠形成整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7。

(2)關(guān)于四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器的情況

(2-1)關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

接著對上述的反熔絲存儲器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲裝置1的平面布置結(jié)構(gòu)進行說明。與圖2b對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖3示出，例如總共16個反熔絲存儲器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16以四行四列的方式配置時的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置1中，反熔絲存儲器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16均具有相同的結(jié)構(gòu)，如上述的圖2a和圖2b一樣，分別具有整流元件3和存儲器電容4。并且，字線連接器wc11、wc12、wc13、wc14也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線連接器wc12而進行說明。

在這種情況下，豎立設(shè)有字線連接器wc12的p型半導(dǎo)體區(qū)域8形成為矩形狀，并由彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8共用。實際上，列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2a3、2a4的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到豎立設(shè)有字線連接器wc12的p型半導(dǎo)體區(qū)域8的一邊，同樣地列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2a7、2a8的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到與所述一邊相對的另一邊上。

在此，關(guān)注例如反熔絲存儲器2a7，p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合以形成pn接合二極管的整流元件3。由此，字線連接器wc12相對于共用p型半導(dǎo)體區(qū)域8的四個反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8的各整流元件3能夠從字線(未示出)一律施加規(guī)定的字電壓。

并且，所述四個反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7分別以從p型半導(dǎo)體區(qū)域8遠離的方式向行方向延伸，與其前端部接合的各存儲器柵極g分別配置在不同的活性區(qū)域12。并且，在與n型半導(dǎo)體區(qū)域7的前端部一體形成的各存儲器柵極g和活性區(qū)域12相對的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8的存儲器柵絕緣膜6。

接著，下面對位線連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19進行說明。在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置1中總共配置有9個位線連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19。各位線連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19分別配置在不同的活性區(qū)域12，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域12施加來自位線(未示出)的規(guī)定的位電壓。

其中，在所述9個位線連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19中配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器bc15所配置的活性區(qū)域12配置有與不同的p型半導(dǎo)體區(qū)域8連接且彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11。因此，配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器bc15由彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11共用，能夠向所述四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11一律施加來自位線的規(guī)定的電壓。

在這種情況下，在豎立設(shè)有中央的位線連接器bc15的活性區(qū)域12，以所述位線連接器bc15為中心左右對稱地配置有反熔絲存儲器2a6、2a7和反熔絲存儲器2a10、2a11。具體而言，在豎立設(shè)有位線連接器bc15的活性區(qū)域12的一邊側(cè)，列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2a6、2a7的各存儲器柵極g相對配置，并形成有這些反熔絲存儲器2a6、2a7的各存儲器柵絕緣膜6。并且，在該活性區(qū)域12的另一邊側(cè)，同樣地列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2a10、2a11的各存儲器柵極g相對配置，并形成有這些反熔絲存儲器2a10、2a11的各存儲器柵絕緣膜6。

順便說一下，半導(dǎo)體存儲裝置1的平面布置中配置在邊角部的四個位線連接器bc11、bc13、bc17、bc19分別僅與對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2a1、2a4、2a13、2a16連接。這樣，配置在所述邊角部的各位線連接器bc11、bc13、bc17、bc19中，可僅對分別對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2a1、2a4、2a13、2a16施加位電壓。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置1的平面布置中，排列在末端的位線連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc16、bc17、bc18、bc19中，配置在邊角部以外的例如位線連接器bc12僅與兩個反熔絲存儲器2a2、2a3連接。并且，配置在邊角部以外的其他位線連接器bc14、bc16、bc18也分別僅與對應(yīng)的兩個反熔絲存儲器2a5，2a9、2a8，2a12、2a14，2a15連接。如上所述，半導(dǎo)體存儲裝置1中，配置在邊角部以外的其他位線連接器bc12、bc14、bc16、bc18中，共用的反熔絲存儲器數(shù)量為兩個，而配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器bc15中，共用的反熔絲存儲器數(shù)量為四個，因此與每個位線連接器上設(shè)置一個反熔絲存儲器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖3所示的半導(dǎo)體存儲裝置1的反熔絲存儲器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以不使用如現(xiàn)有的控制電路，通過施加到存儲器電容4的存儲器柵極g和字線的電壓值，通過整流元件3能夠阻斷從存儲器柵極g施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓的動作的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置1的反熔絲存儲器2a7中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，圖3所示的半導(dǎo)體存儲裝置1中，彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11共用一個位線連接器bc15，同時例如彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8共用一個字線連接器wc12，由此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(2-2)關(guān)于位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)

接著，下面對圖3所示的半導(dǎo)體存儲裝置1的位線和字線的平面布置進行說明。如與圖3對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖4所示，半導(dǎo)體存儲裝置1中，第一列的位線連接器bc11、bc12、bc13中，第一行的位線連接器bc11和第三行的位線連接器bc13與第一列的位線bl1a連接，所述位線連接器bc11、bc13之間的第二行的位線連接器bc12與另一第二列的位線bl2a連接。由此，半導(dǎo)體存儲裝置1中，通過例如第一列的位線bl1a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對不同的兩個反熔絲存儲器2a1、2a4一律地施加規(guī)定的位電壓，并且，通過第二列的位線bl2a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對不同的兩個反熔絲存儲器2a2、2a3施加與第一列的位線bl1a不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第二列的位線連接器bc14、bc15、bc16中，第一行的位線連接器bc14和第三行的位線連接器bc16與第三列的位線bl3a連接，這些位線連接器bc14、bc16之間的第二行的位線連接器bc15與另一第四列的位線bl4a連接。因此，半導(dǎo)體存儲裝置1中，通過例如第三列的位線bl3a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對不同的四個反熔絲存儲器2a5、2a9、2a8、2a12一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過第四列的位線bl4a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對不同的四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11施加與第三列的位線bl3a不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第三列的位線連接器bc17、bc18、bc19中，第一行的位線連接器bc17和第三行的位線連接器bc19與第五列的位線bl5a連接，這些位線連接器bc17、bc19之間的第二行的位線連接器bc18與另一第六列的位線bl6a連接。因此，半導(dǎo)體存儲裝置1中，通過例如第五列的位線bl5a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對不同的兩個反熔絲存儲器2a13、2a16一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過第六列的位線bl6a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對不同的兩個反熔絲存儲器2a14、2a15施加與第五列的位線bl5a不同的規(guī)定的位電壓。

除了這樣的結(jié)構(gòu)以外，在字線連接器wc11、wc12、wc13、wc14上連接有各不同的字線wl1a、wl2a、wl3a、wl4a連接，通過各字線wl1a、wl2a、wl3a、wl4a，可向每個字線連接器wc11、wc12、wc13、wc14施加不同的字電壓。在該實施方式中，例如，第一行的字線wl1a與第一行第一列的字線連接器wc11連接，向共用所述字線連接器wc11的四個反熔絲存儲器2a1、2a2、2a5、2a6一律施加規(guī)定的字電壓。并且，同樣地，其他字線wl2a、wl3a、wl4a也通過對應(yīng)的字線連接器wc13、wc12、wc14分別向四個反熔絲存儲器2a9，2a10，2a13，2a14、2a3，2a4，2a7，2a8、2a11，2a12，2a15，2a16一律施加規(guī)定的字電壓。

在此，當關(guān)注例如與一個位線連接器bc15連接的四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11時，在與所述位線連接器bc15連接的四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11上連接有能夠獨立地電性控制的字線wl1a、wl2a、wl3a、wl4a，可通過各字線wl1a、wl2a、wl3a、wl4a分別施加不同的字電壓。并且，當關(guān)注例如與一個字線連接器wc12連接的四個反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8時，在與所述字線連接器wc12連接的四個反熔絲存儲器2a3、2a4、2a7、2a8上連接有能夠獨立地電性控制的位線bl1a、bl2a、bl3a、bl4a，可通過各位線bl1a、bl2a、bl3a、bl4a分別施加不同的位電壓。

并且，在這種半導(dǎo)體存儲裝置1中，通過適當?shù)乜刂剖┘拥轿痪€bl1a、bl2a、bl3a、bl4a、bl5a、bl6a和字線wl1a、wl2a、wl3a、wl4a的電壓，通過上述的“(1-2)數(shù)據(jù)的寫入動作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2a1寫入數(shù)據(jù)的同時，通過上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2a1的數(shù)據(jù)。

順便說一下，在圖4的半導(dǎo)體存儲裝置1中具有16個反熔絲存儲器，因此具有例如字線wl1a僅與一個字線連接器wc11連接的結(jié)構(gòu)。但是，當反熔絲存儲器的數(shù)量進一步增加時，具有例如第一列的字線wl1a和第二列的字線wl2a與沿行方向排列的多個字線連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線連接器wc11連接的一個字線wl1a也與第一行第三列的字線連接器和第一行第五列的字線連接器等連接，另外，與第一行第二列的字線連接器wc13連接的另一字線wl2a也與第一行第四列的字線連接器和第一行第六列的字線連接器等連接。

(3)關(guān)于其他實施方式的位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)

圖4中，作為一例示出了如下的半導(dǎo)體存儲裝置1：總共16個反熔絲存儲器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16以四行四列的方式配置，與所述反熔絲存儲器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16的配置位置匹配地配置位線bl1a、bl2a、bl3a、bl4a、bl5a、bl6a和字線wl1a、wl2a、wl3a、wl4a。

在此，圖4所示的半導(dǎo)體存儲裝置1中，位線連接器bc11、bc12、bc13的列設(shè)置在一端側(cè)，位線連接器bc17、bc18、bc19的列設(shè)置在另一端側(cè)。在這種情況下，位于一端側(cè)的第一行第一列的位線連接器bc11和同樣地位于一端側(cè)的第三行第一列的位線連接器bc13分別僅與一個反熔絲存儲器2a1(2a4)連接，并且，同樣地位于一端側(cè)的第二行第一列的位線連接器bc12與兩個反熔絲存儲器2a2、2a3連接。

因此，與一端側(cè)的位線連接器bc11、bc13連接的第一列的位線bl1a通過各位線連接器bc11、bc13僅與總共兩個反熔絲存儲器2a1、2a4連接。并且，同樣地與一端側(cè)的位線連接器bc12連接的第二列的位線bl2a也通過位線連接器bc12僅與兩個反熔絲存儲器2a2、2a3連接。

并且，同樣地位于另一端側(cè)的位線連接器bc17、bc18、bc19的列中，位線連接器bc17(bc19)與一個反熔絲存儲器2a13(2a16)連接，其余的位線連接器bc18與兩個反熔絲存儲器2a14、2a15連接。因此，與另一端側(cè)的位線連接器bc17、bc19連接的第五列的位線bl5a通過各位線連接器bc17、bc19僅與總共兩個反熔絲存儲器2a13、2a16連接，并且，同樣地與另一端側(cè)的位線連接器bc18連接的第六列的位線bl6a也通過位線連接器bc18僅與兩個反熔絲存儲器2a14、2a15連接。因此，相對于配置在末端的位線連接器bc11、bc12、bc13(bc17、bc18、bc19)的列而設(shè)置的位線bl1a、bl2a(bl5a、bl6a)所連接的反熔絲存儲器數(shù)量為兩個。

另一方面，在配置于中央?yún)^(qū)域的位線bl3a中，通過位線連接器bc14、bc16與總共四個反熔絲存儲器2a5、2a9、2a8、2a12連接，同樣地在配置于中央?yún)^(qū)域的位線bl4a中，通過位線連接器bc15與四個反熔絲存儲器2a6、2a7、2a10、2a11連接。因此，圖4所示的半導(dǎo)體存儲裝置1中，為了有效地進行基于行地址和列地址的控制，優(yōu)選地，例如通過使第一列的位線bl1a和第五列的位線bl5a短路，使得用相同的電壓動作的反熔絲存儲器的數(shù)量為四個，并且通過使第二列的位線bl2a和第六列的位線bl6a也短路，使得用相同的電壓動作的反熔絲存儲器的數(shù)量為四個，從而使得與中央?yún)^(qū)域的位線bl3a、bl4a連接的反熔絲存儲器的數(shù)量(在此為四個)一致。

即，優(yōu)選地，半導(dǎo)體存儲裝置1中，分別通過各位線連接器bc11、bc13與第一列的位線bl1a連接的總共兩個反熔絲存儲器2a1、2a4和分別通過位線連接器bc17、bc19與第五列的位線bl5a連接的總共兩個反熔絲存儲器2a13、2a16的合計四個反熔絲存儲器2a1、2a4、2a13、2a16通過第一列的位線bl1a和第五列的位線bl5a兩個位線來動作。

同樣地，優(yōu)選的是，通過位線連接器bc12與第二列的位線bl2a連接的兩個反熔絲存儲器2a2、2a3和通過位線連接器bc18與第六列的位線bl6a連接的總共兩個反熔絲存儲器2a14、2a15的合計四個反熔絲存儲器2a2、2a3、2a14、2a15通過第二列的位線bl2a和第六列的位線bl6a兩個位線來動作。

在此，半導(dǎo)體存儲裝置1中，例如當通過第一列的位線bl1a和第五列的位線bl5a兩個位線向反熔絲存儲器2a1、2a4、2a13、2a16一律施加規(guī)定的位電壓時，與將四個反熔絲存儲器2a5、2a9、2a8、2a12(2a6、2a7、2a10、2a11)通過一個結(jié)構(gòu)動作的第三列的位線bl3a或第四列的位線bl4a的容量不同。因此，半導(dǎo)體存儲裝置1中，進行讀取數(shù)據(jù)的動作時，例如可能會產(chǎn)生讀取速度下降等問題。

因此，為了解決這樣的問題，如與圖4對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖5所示，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，在一端側(cè)配置字線連接器wc1a、wc2a的列的同時，在另一端側(cè)配置字線連接器wc5a、wc6a的列，并且，在一端側(cè)的字線連接器wc1a、wc2a的列與中央的字線連接器wc3a、wc4a的列之間，設(shè)置一個位線連接器bc1a、bc2a、bc3a的列，在另一端側(cè)的字線連接器wc5a、wc6a的列與中央的字線連接器wc3a、wc4a的列之間設(shè)置另一位線連接器bc4a、bc5a、bc6a的列。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，位于一端側(cè)的字線連接器wc1a、wc2a的列與中央的字線連接器wc3a、wc4a的列之間的一個位線連接器bc1a、bc2a、bc3a的列中，第一行的位線連接器bc1a和第三行的位線連接器bc3a與第一列的位線bl1b連接，第二行的位線連接器bc2a與第二列的位線bl2b連接。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，與第一行的位線連接器bc1a連接的兩個反熔絲存儲器2b1、2b5和與第三行的位線連接器bc3a連接的兩個反熔絲存儲器2b4、2b8的合計四個反熔絲存儲器2b1、2b5、2b4、2b8可以與第一列的一個位線bl1b連接，因此，可通過由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線bl1b使四個反熔絲存儲器2b1、2b5、2b4、2b8進行動作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲裝置1a中，與第二行的位線連接器bc2a連接的四個反熔絲存儲器2b2、2b3、2b6、2b7可以與第二列的一根位線bl2b連接，因此，可通過由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線bl2b使四個反熔絲存儲器2b2、2b3、2b6、2b7進行動作。

同樣地，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，位于另一端側(cè)的字線連接器wc5a、wc6a的列與中央的字線連接器wc3a、wc4a的列之間的另一位線連接器bc4a、bc5a、bc6a的列中，第一行的位線連接器bc4a和第三行的位線連接器bc6a與第三列的位線bl3b連接，第二行的位線連接器bc5a與第四列的位線bl4b連接。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，與第一行的位線連接器bc4a連接的兩個反熔絲存儲器2b9、2b13和與第三行的位線連接器bc6a連接的兩個反熔絲存儲器2b12、2b16的合計四個反熔絲存儲器2b9、2b13、2b12、2b16可以與第三列的一個位線bl3b連接，因此，可通過由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線bl3b使四個反熔絲存儲器2b9、2b13、2b12、2b16進行動作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲裝置1a中，與第二行的位線連接器bc5a連接的四個反熔絲存儲器2b10、2b11、2b14、2b15可以與第四列的一根位線bl4b連接，因此，可通過由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線bl4b使四個反熔絲存儲器2b10、2b11、2b14、2b15進行動作。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置1a與圖4所示的半導(dǎo)體存儲裝置1不同，不需要位線之間的連接，可以將位線bl1b、bl2b、bl3b、bl4b均制成一根結(jié)構(gòu)，并設(shè)定為相同的容量，因此在進行數(shù)據(jù)的讀取動作時，能夠防止例如讀取數(shù)據(jù)的下降等問題。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置1a中，第一行的字線連接器wc1a、wc3a、wc5a的行中，第一列的字線連接器wc1a和第三列的字線連接器wc5a與同一個字線wl1b連接，第二列的字線連接器wc3a與不同于所述字線wl1b的另一字線wl2b連接。并且，第二行的字線連接器wc2a、wc4a、wc6a的行中，第一列的字線連接器wc2a和第三列的字線連接器wc6a與同一個字線wl3b連接，第二列的字線連接器wc4a與不同于所述字線wl3b的另一字線wl4b連接。

并且，在上述的半導(dǎo)體存儲裝置1a中，能夠?qū)崿F(xiàn)例如第二行第一列的位線連接器bc2a或第二行第二列的位線連接器bc5a分別與四個反熔絲存儲器2b2、2b3、2b6、2b7(2b10、2b11、2b14、2b15)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置1a中，也能夠?qū)崿F(xiàn)例如第一行第二列的字線連接器wc3a或第二行第二列的字線連接器wc4a分別與四個反熔絲存儲器2b5、2b6、2b9、2b10(2b7、2b8、2b11、2b12)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

順便說一下，即使在這種情況下，如果關(guān)注例如與位于中央?yún)^(qū)域的一個位線連接器bc2a連接的四個反熔絲存儲器2b2、2b3、2b6、2b7，則與所述位線連接器bc2a連接的四個反熔絲存儲器2b2、2b3、2b6、2b7與能夠獨立地電性控制的字線wl1b、wl2b、wl3b、wl4b連接，可通過各字線wl1b、wl2b、wl3b、wl4b分別施加不同的字電壓。并且，如果關(guān)注例如與一個字線連接器wc3a連接的四個反熔絲存儲器2b5、2b6、2b9、2b10，則與所述字線連接器bc3a連接的四個反熔絲存儲器2b5、2b6、2b9、2b10與能夠獨立地電性控制的位線bl1b、bl2b、bl3b、bl4b連接，可通過各位線bl1b、bl2b、bl3b、bl4b分別施加不同的位電壓。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置1a中，也通過適當?shù)乜刂剖┘拥轿痪€bl1b、bl2b、bl3b、bl4b和字線wl1b、wl2b、wl3b、wl4b的電壓，由此通過上述的“(1-2)數(shù)據(jù)的寫入動作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2b1寫入數(shù)據(jù)的同時，通過上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2b1的數(shù)據(jù)。

通過以上的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，配置在末端的一方向(在此為行方向)上排列的各位線連接器bc1a、bc4a(bc3a、bc6a)分別與兩個反熔絲存儲器2b1，2b5、2b9，2b13(2b4，2b8、2b12，2b16)連接，并且，配置在末端的另一方向(在此為列方向)上排列的各字線連接器wc1a、wc2a(wc5a、wc6a)分別與兩個反熔絲存儲器2b1，2b2、2b3，2b4(2b13，2b14、2b15，2b16)連接。并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置1a中，配置在中央?yún)^(qū)域的其余的位線連接器bc2a(bc5a)與四個反熔絲存儲器2b2、2b3、2b6、2b7(2b10、2b11、2b14、2b15)連接，并且，配置在中央?yún)^(qū)域的字線連接器wc3a(wc4a)與四個反熔絲存儲器2b5、2b6、2b9、2b10(2b7、2b8、2b11、2b12)連接。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置1a中，由于將位線連接器bc1a～bc6a和字線連接器wc1a～wc6a能夠在兩個以上的反熔絲存儲器中共用，因此能夠相應(yīng)地實現(xiàn)整體裝置的小型化，并且，可以使例如與一根位線bl1b連接的反熔絲存儲器數(shù)量相同(在此為四個)，并均可設(shè)定為相同的容量，因此在進行數(shù)據(jù)的讀取動作時，能夠防止讀取速度的下降等問題。

順便說一下，圖5所示的半導(dǎo)體存儲裝置1a中，對具有16個反熔絲存儲器的情況進行說明，但是當反熔絲存儲器的數(shù)量進一步增加時，例如具有第一列的字線wl1b和第二列的字線wl2b與沿行方向排列的多個字線連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線連接器wc1a連接的一個字線wl1b除了與第一行第三列的字線連接器wc5a連接之外還可以與第一行第五列的字線連接器等連接。另外，與第一行第二列的字線連接器wc3a連接的另一字線wl2b除了與第一行第四列的字線連接器連接之外還可以與第一行第六列的字線連接器等連接。

并且，圖5所示的半導(dǎo)體存儲裝置1a中，當反熔絲存儲器的數(shù)量增加到16個以上時，位線連接器bc1a、bc4a、…(bc3a、bc6a、…)在兩末端沿行方向排列，并從一側(cè)的末端朝向列方向位線連接器行和字線連接器行依次交叉配置，并且，當一行上排列的位線連接器的數(shù)量為n個時，一行上排列的字線連接器的數(shù)量為(n+1)個。示出具有16個反熔絲存儲器的半導(dǎo)體存儲裝置1a的圖5中，一行上排列的位線連接器的數(shù)量為兩個，一行上排列的字線連接器的數(shù)量為3個。

(4)關(guān)于兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況

與圖3對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖6示出，例如總共16個反熔絲存儲器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8、2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲裝置21的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置21中，反熔絲存儲器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8、2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16均具有相同的結(jié)構(gòu)，與上述的圖2a和圖2b同樣，分別具有整流元件3和存儲器電容4。并且，字線連接器wc21、wc22、wc23、wc24、wc25、wc26、wc27、wc28也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線連接器wc22而進行說明。

在這種情況下，豎立設(shè)置字線連接器wc22的p型半導(dǎo)體區(qū)域8形成為矩形狀，由行方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2c2、2c6共用。實際上，反熔絲存儲器2c2的n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到豎立設(shè)置有字線連接器wc22的p型半導(dǎo)體區(qū)域8的一邊，與所述反熔絲存儲器2c2在行方向上相鄰的另一反熔絲存儲器2c6的n型半導(dǎo)體區(qū)域7連接到與所述一邊相對的另一邊上。

在此，當關(guān)注例如反熔絲存儲器2c2時，通過p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合來形成pn接合二極管的整流元件3。因此，字線連接器wc22可對共用p型半導(dǎo)體區(qū)域8的兩個反熔絲存儲器2c2、2c6的各整流元件3從字線(未示出)一律施加規(guī)定的字電壓。

并且，所述兩個反熔絲存儲器2c2、2c6的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7分別以從p型半導(dǎo)體區(qū)域8遠離的方式向行方向延伸，與前端部接合的各存儲器柵極g分別配置在不同的活性區(qū)域22。并且，在與n型半導(dǎo)體區(qū)域7的前端部一體形成的各存儲器柵極g和活性區(qū)域22相對的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲器2c2、2c6的存儲器柵絕緣膜6。

接著，下面對位線連接器bc21、bc22、bc23、bc24進行說明。在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置21中總共配置有四個位線連接器bc21、bc22、bc23、bc24。各位線連接器bc21、bc22、bc23、bc24分別配置在不同的活性區(qū)域22，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域12施加來自位線(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置21中，在配置第一列的位線連接器bc21的活性區(qū)域22與配置第二列的位線連接器bc22的活性區(qū)域22之間，形成以矩陣狀配置的8個反熔絲存儲器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8。在配置第一列的位線連接器bc21的活性區(qū)域22，形成有沿列方向排列的四個反熔絲存儲2c1、2c2、2c3、2c4，另外，在配置第二列的位線連接器bc22的活性區(qū)域22，形成有列方向上配置的反熔絲存儲器2c5、2c6、2c7、2c8。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置21中，配置第二列的位線連接器bc22的活性區(qū)域22和配置第三列的位線連接器bc23的活性區(qū)域22并行配置，并且，如上所述，在第三列的位線連接器bc23的活性區(qū)域22與第四列的位線連接器bc24的活性區(qū)域22之間，也可以以矩陣狀配置8個反熔絲存儲器2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16。

并且，在該實施方式中，所述四個位線連接器bc21、bc22、bc23、bc24均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注位線連接器bc22而進行說明。在這種情況下，配置有位線連接器bc22的活性區(qū)域22具有下述結(jié)構(gòu)：沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2c5、2c6、2c7、2c8向列方向延伸的長方形形狀，并設(shè)置有所述沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2c5、2c6、2c7、2c8的各存儲器柵極g。因此，所述位線連接器bc22分別與不同的字線連接器wc21、wc22、wc23、wc24連接，且通過活性區(qū)域22向沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2c5、2c6、2c7、2c8一律施加來自位線的規(guī)定的位電壓。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖6所示的半導(dǎo)體存儲裝置21的反熔絲存儲器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8、2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過施加到存儲器電容4的存儲器柵極g和字線的電壓值，通過整流元件3阻斷從存儲器柵極g施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置21的反熔絲存儲器2c6中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，圖6所示的半導(dǎo)體存儲裝置21中，沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2c5、2c6、2c7、2c8共用一個位線連接器bc22，同時例如行方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2c2、2c6共用一個字線連接器wc22，因此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(5)關(guān)于沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況

與圖3對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖7示出例如總共16個反熔絲存儲器2d1、2d2、2d3、2d4、2d5、2d6、2d7、2d8、2d9、2d10、2d11、2d12、2d13、2d14、2d15、2d16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲裝置31的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置31中，反熔絲存儲器2d1、2d2、2d3、2d4、2d5、2d6、2d7、2d8、2d9、2d10、2d11、2d12、2d13、2d14、2d15、2d16均具有相同的結(jié)構(gòu)，與上述的圖2a和圖2b一樣，分別具有整流元件3和存儲器電容4。并且，字線連接器wc31、wc32、wc33、wc34也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線連接器wc32而進行說明。

在這種情況下，字線連接器wc32配置在具有沿行反向延伸的長度方向的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b，可在沿所述p型半導(dǎo)體區(qū)域8b延伸且行方向上配置的四個反熔絲存儲器2d2、2d6、2d10、2d14上共用。實際上，沿行方向排列的四個反熔絲存儲器2d2、2d6、2d10、2d14的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到豎立設(shè)置字線連接器wc32的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的一邊。

在此，當關(guān)注例如反熔絲存儲器2d2時，通過p型半導(dǎo)體區(qū)域8b和n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合以形成pn接合二極管的整流元件3。因此，字線連接器wc32可對共用p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的四個反熔絲存儲器2d2、2d6、2d10、2d14的各整流元件3從字線(未示出)一律施加規(guī)定的字電壓。

并且，所述四個反熔絲存儲器2d2、2d6、2d10、2d14的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7分別以從p型半導(dǎo)體區(qū)域8b遠離的方式向列方向延伸，與前端部接合的各存儲器柵極g分別配置在不同的活性區(qū)域12。并且，在與n型半導(dǎo)體區(qū)域7的前端部一體形成的各存儲器柵極g和活性區(qū)域12相對的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲器2d2、2d6、2d10、2d14的存儲器柵絕緣膜6。

在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置31中，豎立配置所述第二行的字線連接器wc32的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b和豎立設(shè)置第三行的字線連接器wc33的p型半導(dǎo)體區(qū)域3b并行配置，在所述兩個p型半導(dǎo)體區(qū)域8b之間以矩陣狀配置8個反熔絲存儲器2d2、2d3、2d6、2d7、2d10、2d11、2d14、2d15。

順便說一下，在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置31中，相對于豎立設(shè)置第二行的字線連接器wc32的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊，豎立設(shè)置第一行的字線連接器wc31的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的一邊以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置所述第一行的字線連接器wc31的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊與沿行方向排列的四個反熔絲存儲器2d1、2d5、2d9、2d13的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置31中，相對于豎立設(shè)置第三行的字線連接器wc33的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊，豎立設(shè)置第四行的字線連接器wc34的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的一邊以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置所述第四行的字線連接器wc34的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊與沿行方向排列的四個反熔絲存儲器2d4、2d8、2d12、2d16的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合。

接著，下面對位線連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc35、bc36、bc37、bc38、bc39、bc40、bc41、bc42進行說明。在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置31中以三行四列地總共配置有12個位線連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc35、bc36、bc37、bc38、bc39、bc40、bc41、bc42。所述位線連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc35、bc36、bc37、bc38、bc39、bc40、bc41、bc42分別配置在不同的活性區(qū)域12，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域12施加來自位線(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在此，配置在中央?yún)^(qū)域的沿行方向排列的位線連接器bc35、bc36、bc37、bc38均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注例如其中的位線連接器bc35而進行說明。在這種情況下，在配置有位線連接器bc35的活性區(qū)域12上設(shè)置有與不同的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b連接且沿列方向排列的兩個反熔絲存儲器2d2、2d3。因此，位線連接器bc35由所述兩個反熔絲存儲器2d2、2d3共用，可向所述兩個反熔絲存儲器2d2、2d3一律施加來自位線的規(guī)定的電壓。

實際上，在豎立設(shè)置所述位線連接器bc35的活性區(qū)域12，以所述位線連接器bc35為中心反熔絲存儲器2d2和反熔絲存儲器2d3以上下對稱的方式配置。具體而言，在豎立設(shè)置有位線連接器bc35的活性區(qū)域12的一邊側(cè)，相對配置有一個反熔絲存儲器2d2的存儲器柵極g，并形成有所述反熔絲存儲器2d2的存儲器柵絕緣膜6。并且，在所述活性區(qū)域12的另一邊側(cè)，也同樣地相對配置有另一反熔絲存儲器2d3的存儲器柵極g，并形成有所述反熔絲存儲器2d3的存儲器柵絕緣膜6。

順便說一下，半導(dǎo)體存儲裝置31的平面布置中，在末端沿行方向配置的四個位線連接器bc31、bc32、bc33、bc34(bc39、bc40、bc41、bc42)上分別僅連接有與對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2d1、2d5、2d9、2d13(2d4、2d8、2d12、2d16)連接。因此在所述末端沿行方向配置的各位線連接器bc31、bc32、bc33、bc34(bc39、bc40、bc41、bc42)中，可僅分別向?qū)?yīng)的一個反熔絲存儲器2d1、2d5、2d9、2d13(2d4、2d8、2d12、2d16)施加位電壓。

如上所述，在末端的位線連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc39、bc40、bc41、bc42中，可分別僅向一個反熔絲存儲器2d1、2d5、2d9、2d13、2d4、2d8、2d12、2d16施加規(guī)定的位電壓，但是配置在中央?yún)^(qū)域的各位線連接器bc35、bc36、bc37、bc38中，可分別向?qū)?yīng)的兩個反熔絲存儲器2d2，2d3、2d6，2d7、2d10，2d11、2d14，2d15一律施加規(guī)定的位電壓，因此兩個反熔絲存儲器2d2，2d3、2d6，2d7、2d10，2d11、2d14，2d15共用一個位線連接器bc35、bc36、bc37、bc38，從而能夠相應(yīng)地實現(xiàn)整體裝置的小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖7所示的半導(dǎo)體存儲裝置31的反熔絲存儲器2d1、2d2、2d3、2d4、2d5、2d6、2d7、2d8、2d9、2d10、2d11、2d12、2d13、2d14、2d15、2d16中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過施加到存儲器電容4的存儲器柵極g和字線的電壓值，通過整流元件3阻斷從存儲器柵極g施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置31的反熔絲存儲器2d2中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，圖7所示的半導(dǎo)體存儲裝置31中，例如沿一方向(在此為行方向)排列的四個反熔絲存儲器2d2、2d6、2d10、2d14共用一個字線連接器wc32，同時例如彼此相鄰的兩個反熔絲存儲器2d2、2d3共用一個位線連接器bc35，因此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(6)具有由n型mos(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲器

(6-1)基本結(jié)構(gòu)

上述的實施方式中，雖然對作為整流元件適用二極管型整流元件3的情況進行說明，其中所述二極管型整流元件3具有由p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，并通過反方向偏置電壓阻斷來自存儲器柵極的電壓，但是，本發(fā)明并不限定于此，例如，還可以適用mos晶體管型整流元件，其具有由整流元件柵極和漏區(qū)域和源區(qū)域構(gòu)成的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，并通過反方向偏置電壓阻斷來自存儲器電容的存儲器柵極的電壓。

在此，圖8示出反熔絲存儲器42，其包括具有n型mos晶體管的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)的整流元件43和包括通過字線wl及位線bl的電壓差被絕緣破壞的存儲器柵絕緣膜6的存儲器電容44。在這種情況下，存儲器電容44中，一端的擴散區(qū)域與位線bl連接，存儲器柵極g與整流元件43連接。整流元件43具有整流元件柵極g1和漏區(qū)域與字線wl連接的同時源區(qū)域與存儲器電容44的存儲器柵極g連接的結(jié)構(gòu)。因此，整流元件43從字線wl只要被施加截止電壓，所述整流元件43的晶體管將進行截止動作，能夠阻斷從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓。

實際上，如圖9a所示，反熔絲存儲器42具有例如在由si構(gòu)成的p型或n型阱s2的表面形成由絕緣部件構(gòu)成的元件分離層il的結(jié)構(gòu)。并且，在阱s2上的元件分離層il的一側(cè)區(qū)域形成整流元件43，在所述元件分離層il的另一側(cè)區(qū)域形成存儲器電容44。實際上，在元件分離層il的一側(cè)的阱s2的表面，以與所述元件分離層il相鄰的方式形成一側(cè)的擴散區(qū)域5b，與所述擴散區(qū)域5b相隔規(guī)定間隔而在該阱s2的表面上形成另一側(cè)的擴散區(qū)域5c。

在所述擴散區(qū)域5b、5c之間的阱s2的表面，夾著柵絕緣膜48形成整流元件柵極g1，從作為漏區(qū)域的另一側(cè)的擴散區(qū)域5c到整流元件柵極g1豎立設(shè)置有字線連接器wc。并且，在該實施方式中，具有下述結(jié)構(gòu)：從作為漏區(qū)域的另一側(cè)的擴散區(qū)域5c表面的硅化物sc并通過整流元件柵極g1的側(cè)壁到所述整流元件柵極g1表面的硅化物sc形成字線連接器，并且其前端部與字線wl連接。因此，字線連接器wc能夠?qū)淖志€wl施加的字電壓施加到作為整流元件43的漏區(qū)域的擴散區(qū)域5c和整流元件柵極g1上。

并且，在元件分離層il的另一側(cè)的阱s2的表面，與所述元件分離層il相隔規(guī)定間隔形成擴散區(qū)域5a，前端與位線bl連接的位線連接器bc豎立設(shè)置在所述擴散區(qū)域5a表面的硅化物sc上。并且，在元件分離層il與擴散區(qū)域5a之間的表面，夾著存儲器柵絕緣膜6形成存儲器柵極g。在此，從元件分離層il上的部分區(qū)域到存儲器柵絕緣膜6上形成存儲器柵極g，兩個側(cè)壁具有側(cè)壁sw。

并且，在該反熔絲存儲器42中，從作為整流元件43的源區(qū)域的一側(cè)的擴散區(qū)域5b到元件分離層il上的存儲器柵極g形成連接器c1，整流元件43的擴散區(qū)域5b和存儲器電容44的存儲器柵極g通過連接器c1電連接。因此，整流元件43從字線wl只要被施加截止電壓，所述整流元件43的溝道將處于非導(dǎo)通狀態(tài)，可阻斷從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓。

并且，包括這樣的mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件43的反熔絲存儲器42中，整流元件43的整流元件柵極g1和存儲器電容44的存儲器柵極g形成在相同的布線層(同一層)上，并且整流元件柵極g1的膜厚度和存儲器電容44的存儲器柵極g的膜厚度相同。因此，在反熔絲存儲器42中也能夠?qū)崿F(xiàn)整體的薄型化。并且，在阱s2上形成的位線連接器bc、字線連接器wc、連接器c1、整流元件柵極g1、存儲器柵極g、位線bl、字線wl被層間絕緣膜9覆蓋。

并且，與圖9a對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖9b示出設(shè)置圖9a所示的反熔絲存儲器42的區(qū)域的平面布置結(jié)構(gòu)。并且，圖9a是圖9b的b-b’的側(cè)截面結(jié)構(gòu)。如圖9b所示，反熔絲存儲器42中，位線連接器bc配置在阱s2的對應(yīng)的一活性區(qū)域46a上，字線連接器wc配置在阱的對應(yīng)的另一活性區(qū)域46b上。存儲器電容44的存儲器柵極g的一部分與一活性區(qū)域46a相對配置，在存儲器柵極g與活性區(qū)域46a的相對區(qū)域可形成存儲器柵絕緣膜6。并且，在另一活性區(qū)域46b上形成有整流元件43的整流元件柵極g1，并且，還形成有與反熔絲存儲器42相鄰的另一反熔絲存儲器(未示出)的整流元件43的整流元件柵極g1。

順便說一下，具有這種結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲器42可以通過利用光刻技術(shù)、氧化或化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition；cvd)等成膜技術(shù)、蝕刻技術(shù)以及離子注入法的一般的半導(dǎo)體制造工序來形成，因此在此省略其說明。

(6-2)數(shù)據(jù)的寫入動作

在此，以矩陣狀排列的反熔絲存儲器42中，當僅對規(guī)定的反熔絲存儲器42寫入數(shù)據(jù)時，如圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置1一樣，可對與寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42連接的位線bl施加0v的破壞位電壓，可對僅與不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42連接的位線bl施加3v的非破壞位電壓。

并且，此時，可對與寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42連接的字線wl施加5v的破壞字電壓，可對僅與不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42連接的字線wl施加0v的非破壞字電壓。并且，可對形成有反熔絲存儲器42的阱上施加與破壞位電壓相同的0v。

因此，例如，在寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42中，例如可對位線bl施加0v的破壞位電壓，對字線wl施加5v的破壞字電壓。此時，對于整流元件43，由于從字線wl向整流元件柵極g1施加5v的破壞字電壓，因此通過整流元件柵極g1與源區(qū)域的電壓差進行導(dǎo)通動作，結(jié)果，從漏區(qū)域向源區(qū)域被施加正向偏置電壓，從漏區(qū)域通過源區(qū)域向存儲器電容44的存儲器柵極g可施加減少相當于閾值電壓的破壞字電壓。此時，存儲器電容44因存儲器柵極g的破壞字電壓和位線bl的破壞位電壓之間的關(guān)系進行導(dǎo)通動作而形成溝道，可向溝道誘導(dǎo)位線bl的電位。

因此，存儲器電容44中在存儲器柵極g與溝道之間可產(chǎn)生破壞位電壓與破壞字電壓引起的電壓差。因此，寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42中，存儲器電容44的存儲器柵極g下部的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，存儲器柵極g和擴散區(qū)域以低阻抗處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而可成為向存儲器電容44寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

另外，向位線bl被施加3v的非破壞位電壓的同時向字線wl被施加0v的非破壞字電壓的不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42中，例如當存儲器電容44的存儲器柵絕緣膜6已被絕緣破壞時，位線bl的3v的非破壞位電壓可通過存儲器電容44的存儲器柵極g被施加至整流元件43的源區(qū)域。此時，反熔絲存儲器42中，由于字線wl上被施加有0v的非破壞字電壓，因此整流元件43的整流元件柵極g1和漏區(qū)域成為0v，所述整流元件43成為截止狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))(第二阻斷結(jié)構(gòu))。

并且，存儲器電容44的存儲器柵極g與整流元件43的源區(qū)域之間的布線的電位沒有從外部供給，因此在穩(wěn)定狀態(tài)下可以考慮為與阱電位相同的0v。因此，當與存儲器電容44連接的位線bl上被施加高電壓的非破壞位電壓(在此為3v)時，例如即使存儲器電容44的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，由于字線(寫入非選擇字線)wl上被施加有0v的非破壞字電壓，因此存儲器電容44上不形成溝道，從而存儲器電容44能夠阻斷從位線(寫入非選擇位線)bl施加到字線wl的電壓。

因此，該反熔絲存儲器42中，例如在非常靠近與施加非破壞位電壓(3v)的位線(寫入非選擇位線)bl連接的擴散區(qū)域5a的位置產(chǎn)生存儲器柵絕緣膜6的絕緣破壞，從而即使寫入非選擇位線bl的電位沒有被存儲器電容44的溝道阻斷，從寫入非選擇位線bl向存儲器電容44的存儲器柵極g施加非破壞位電壓，由于與所述存儲器柵極g連接的整流元件43處于截止狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，因此通過所述整流元件43能夠可靠地阻斷從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓。如上所述，反熔絲存儲器42中，可通過存儲器電容44的溝道截止動作(第一阻斷機構(gòu))和整流元件43的截止動作(第二阻斷機構(gòu))阻斷從位線bl施加的3v的非破壞位電壓，從而能夠可靠地防止所述非破壞位電壓傳遞到字線wl上。

順便說一下，從字線wl被施加5v的破壞字電壓、且從位線bl被施加3v的非破壞位電壓的不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42中，雖然從整流元件43向存儲器電容44的存儲器柵極g被施加下降閾值電壓的破壞字電壓，由于存儲器柵極g與溝道和擴散區(qū)域的電壓差小，因此即使存儲器電容44中存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞，所述存儲器柵絕緣膜6也不會被絕緣破壞而照樣保持絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，即使具有這種結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲器42以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲裝置，可通過上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作”讀取期望的反熔絲存儲器42的數(shù)據(jù)，因此在此省略對其的說明。

(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果

以上的結(jié)構(gòu)中，即使在不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器42，與圖2中的上述的反熔絲存儲器2a、2b一樣，在與存儲器電容44連接的位線bl上被施加高電壓的非破壞位電壓時，例如即使存儲器電容44的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，也會通過使整流元件43的溝道處于截止狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，阻斷從存儲器電容44的存儲器柵極g施加到字線wl的非破壞位電壓。

因此，即使反熔絲存儲器42，與圖2中的上述的反熔絲存儲器2a、2b一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置通過存儲器柵極g和字線wl的電壓值而將從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓以截止動作來阻斷的晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件43，因此不需要選擇性地執(zhí)行向存儲器電容44施加各電壓的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，即使這樣的反熔絲存儲器42，也可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件43處于截止狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

(7)關(guān)于四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器的情況

(7-1)關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

接著對上述的反熔絲存儲器42以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲裝置的平面布置結(jié)構(gòu)進行說明。與圖9b對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖10示出例如總共16個反熔絲存儲器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16以四行四列的方式配置時的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置41中，反熔絲存儲器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16均具有相同的結(jié)構(gòu)，與上述的圖9a和圖9b一樣，分別具有整流元件43和存儲器電容44。并且，字線連接器wc51、wc52、wc53、wc54也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線連接器wc52而進行說明。

在這種情況下，豎立設(shè)置字線連接器wc52的活性區(qū)域46b由彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8共用。實際上，在豎立設(shè)置字線連接器wc52的活性區(qū)域46b，形成有由在列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2e3、2e4共用的整流元件柵極g1和由同樣地在列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2e7、2e8共用的整流元件柵極g1。字線連接器wc52跨過所述兩個整流元件柵極g1和活性區(qū)域46b而形成。因此，字線連接器wc52可對所述反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8的各整流元件柵極g1和所述反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8的整流元件43的各漏區(qū)域一律施加來自位線的位電壓。

并且，在豎立設(shè)置字線連接器wc52的活性區(qū)域46b中，在各反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8的整流元件43的源區(qū)域分別通過連接器c1連接有各反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8的存儲器柵極g。

接著，下面對位線連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59進行說明。在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置41中總共9個位線連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59以三行三列的方式配置。各位線連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59分別配置在不同的活性區(qū)域46a，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域46a施加來自位線(未示出)的規(guī)定的位電壓。

其中，在所述9個位線連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59中，配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器bc55所配置的活性區(qū)域46a，設(shè)置有與不同的活性區(qū)域46b連接且彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11。因此，配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器bc55在彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11被共用，能夠向所述四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11一律施加來自位線的規(guī)定的電壓。

在這種情況下，在豎立設(shè)置中央的位線連接器bc55的活性區(qū)域46a，以所述位線連接器bc55為中心左右對稱地配置反熔絲存儲器2e6、2e7和反熔絲存儲器2e10、2e11。具體而言，在豎立設(shè)置位線連接器bc55的活性區(qū)域46a的一邊側(cè)，列方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2e6、2e7的各存儲器柵極g相對配置，并形成有所述反熔絲存儲器2e6、2e7的各存儲器柵絕緣膜6。并且，在該活性區(qū)域46a的另一邊側(cè)，同樣地列方向上相鄰的其他反熔絲存儲器2e10、2e11的各存儲器柵極g相對配置，并形成有所述反熔絲存儲器2e10、2e11的各存儲器柵絕緣膜6。

順便說一下，半導(dǎo)體存儲裝置41的平面布置中配置在邊角部的四個位線連接器bc51、bc53、bc57、bc59分別僅與對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2e1、2e4、2e13、2e16連接。這樣，配置在所述邊角部的各位線連接器bc51、bc53、bc57、bc59中，能夠僅對分別對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2e1、2e4、2e13、2e16施加位電壓。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置41的平面布置中，排列在末端的位線連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc56、bc57、bc58、bc59中，配置在邊角部以外的位線連接器bc52僅與兩個反熔絲存儲器2e2、2e3連接。并且，配置在邊角部以外的其他位線連接器bc54、bc56、bc58也分別僅與對應(yīng)的兩個反熔絲存儲器2e5，2e9、2e8，2e12、2e14，2e15連接。如上所述，半導(dǎo)體存儲裝置41中，配置在邊角部以外的其他位線連接器bc52、bc54、bc56、bc58中，共用的反熔絲存儲器數(shù)量為兩個，而配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器bc55中，共用的反熔絲存儲器數(shù)量為四個，因此與每個位線連接器上設(shè)置一個反熔絲存儲器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖10所示的半導(dǎo)體存儲裝置41的反熔絲存儲器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置通過存儲器柵極g和字線wl的電壓值而以截止動作來阻斷從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓的晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件43，因此不需要選擇性地執(zhí)行向存儲器電容44的各電壓施加的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，例如，半導(dǎo)體存儲裝置41的反熔絲存儲器2e4中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件43成為截止狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，圖10所示的半導(dǎo)體存儲裝置41中，彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11共用一個位線連接器bc55，同時例如彼此相鄰的四個反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8共用一個字線連接器wc52，因此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(7-2)關(guān)于位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)

接著，下面對圖10所示的半導(dǎo)體存儲裝置41的位線和字線的平面布置進行說明。如與圖10對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖11所示，半導(dǎo)體存儲裝置41中，第一列的位線連接器bc51、bc52、bc53中，第一行的位線連接器bc51和第三行的位線連接器bc53與第一列的位線bl1c連接，所述位線連接器bc51、bc53之間的第二行的位線連接器bc52與另一第二列的位線bl2c連接。因此，半導(dǎo)體存儲裝置41中，通過例如第一列的位線bl1c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個反熔絲存儲器2a1、2a4一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過第二列的位線bl2c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個反熔絲存儲器2e2、2e3施加與第一列的位線bl1c不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第二列的位線連接器bc54、bc55、bc56中，第一行的位線連接器bc54和第三行的位線連接器bc56與第三列的位線bl3c連接，所述位線連接器bc54、bc56之間的第二行的位線連接器bc55與另一第四列的位線bl4c連接。因此，半導(dǎo)體存儲裝置41中，通過例如第三列的位線bl3c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的四個反熔絲存儲器2e5、2e9、2e8、2e12一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過第四列的位線bl4c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11施加與第三列的位線bl3c不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第三列的位線連接器bc57、bc58、bc59中，第一行的位線連接器bc57和第三行的位線連接器bc59與第五列的位線bl5c連接，所述位線連接器bc57、bc59之間的第二行的位線連接器bc58與另一第六列的位線bl6c連接。因此，半導(dǎo)體存儲裝置41中，通過例如第五列的位線bl5c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個反熔絲存儲器2e13、2e16一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過第六列的位線bl6c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個反熔絲存儲器2e14、2e15施加與第五列的位線bl5c不同的規(guī)定的位電壓。

除了這樣的結(jié)構(gòu)以外，在字線連接器wc51、wc52、wc53、wc54上連接有各不同的字線wl1c、wl2c、wl3c、wl4c連接，通過各字線wl1c、wl2c、wl3c、wl4c，可向各字線連接器wc51、wc52、wc53、wc54施加不同的字電壓。在該實施方式中，例如，第一行的字線wl1c與第一行第一列的字線連接器wc51連接，可向共用所述字線連接器wc51的四個反熔絲存儲器2e1、2e2、2e5、2e6一律施加規(guī)定的字電壓。并且，同樣地，其他字線wl2c、wl3c、wl4c也可通過對應(yīng)的字線連接器wc53、wc52、wc54分別向四個反熔絲存儲器2e9，2e10，2e13，2e14、2e3，2e4，2e7，2e8、2e11，2e12，2e15，2e16一律施加規(guī)定的字電壓。

在此，關(guān)注例如與位于中央?yún)^(qū)域的一個位線連接器bc55連接的四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11，在與所述位線連接器bc55連接的四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11上連接有能夠獨立地電性控制的字線wl1c、wl2c、wl3c、wl4c連接，可通過各字線wl1c、wl2c、wl3c、wl4c分別施加不同的字電壓。并且，關(guān)注例如與一個字線連接器wc52連接的四個反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8，在與所述字線連接器wc52連接的四個反熔絲存儲器2e3、2e4、2e7、2e8上連接有能夠獨立地電性控制的位線bl1c、bl2c、bl3c、bl4c連接，可通過各位線bl1c、bl2c、bl3c、bl4c分別施加不同的位電壓。

并且，在這種半導(dǎo)體存儲裝置41中，通過適當?shù)乜刂剖┘拥轿痪€bl1c、bl2c、bl3c、bl4c、bl5c、bl6c和字線wl1c、wl2c、wl3c、wl4c的電壓，由此通過上述的“(6-2)數(shù)據(jù)的寫入動作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2e1寫入數(shù)據(jù)的同時，通過上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2e1的數(shù)據(jù)。

順便說一下，圖11的半導(dǎo)體存儲裝置41具有16個反熔絲存儲器，因此具有例如字線wl1c僅與一個字線連接器wc51連接的結(jié)構(gòu)。但是，當反熔絲存儲器的數(shù)量進一步增加時，具有例如第一列的字線wl1c和第二列的字線wl2c將構(gòu)成為與沿行方向排列的多個字線連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線連接器wc51連接的一個字線wl1c與第一行第三列的字線連接器或者第一行第五列的字線連接器等連接，另外，與第一行第二列的字線連接器wc53連接的另一字線wl2c與第一行第四列的字線連接器或者第一行第六列的字線連接器等連接。

(8)關(guān)于其他實施方式的位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)

圖11中，作為一例示出了如下的半導(dǎo)體存儲裝置41：總共16個反熔絲存儲器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16以四行四列的方式配置，與所述反熔絲存儲器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16的配置位置匹配地配置位線bl1c、bl2c、bl3c、bl4c、bl5c、bl6c和字線wl1c、wl2c、wl3c、wl4c。

在此，圖11所示的半導(dǎo)體存儲裝置41中，位線連接器bc51、bc52、bc53的列設(shè)置在一端側(cè)，位線連接器bc57、bc58、bc59的列設(shè)置在另一端側(cè)。在這種情況下，位于一端側(cè)的第一行第一列的位線連接器bc51和同樣地位于一端側(cè)的第三行第一列的位線連接器bc53分別僅與一個反熔絲存儲器2e1(2e4)連接，并且，同樣地位于一端側(cè)的第二行第一列的位線連接器bc52與兩個反熔絲存儲器2e2、2e3連接。

因此，與一端側(cè)的位線連接器bc51、bc53連接的第一列的位線bl1c通過各位線連接器bc51、bc53僅與總共兩個反熔絲存儲器2e1、2e4連接。并且，同樣地與一端側(cè)的位線連接器bc52連接的第二列的位線bl2c也通過位線連接器bc52僅與兩個反熔絲存儲器2e2、2e3連接。

并且，同樣地位于另一端側(cè)的位線連接器bc57、bc58、bc59的列中，位線連接器bc57(bc59)與一個反熔絲存儲器2e13(2e16)連接，其余的位線連接器bc58與兩個反熔絲存儲器2e14、2e15連接。因此，與另一端側(cè)的位線連接器bc57、bc59連接的第五列的位線bl5c通過各位線連接器bc57、bc59僅與總共兩個反熔絲存儲器2e13、2e16連接，并且，同樣地與另一端側(cè)的位線連接器bc58連接的第六列的位線bl6c也通過位線連接器bc58僅與兩個反熔絲存儲器2e14、2e15連接。因此，相對于配置在末端的位線連接器bc51、bc52、bc53(bc57、bc58、bc59)的列而設(shè)置的位線bl1c、bl2c(bl5c、bl6c)所連接的反熔絲存儲器數(shù)量為兩個。

另一方面，在配置在中央?yún)^(qū)域的位線bl3c上通過位線連接器bc54、bc56與總共四個反熔絲存儲器2e5、2e9、2e8、2e12連接，同樣地在配置在中央?yún)^(qū)域的位線bl4c上通過位線連接器bc55與四個反熔絲存儲器2e6、2e7、2e10、2e11連接。因此，圖11所示的半導(dǎo)體存儲裝置41中，為了有效地進行基于行地址和列地址的控制，優(yōu)選地，例如通過使第一列的位線bl1c和第五列的位線bl5c短路，使得用相同的位電壓動作的反熔絲存儲器的數(shù)量做成四個，并且通過使第二列的位線bl2c和第六列的位線bl6c也短路，使得用相同的位電壓動作的反熔絲存儲器的數(shù)量做成四個，從而使得與中央?yún)^(qū)域的位線bl3c、bl4c連接的反熔絲存儲器的數(shù)量(在此為四個)一致。

即，優(yōu)選地，半導(dǎo)體存儲裝置41中，分別通過各位線連接器bc51、bc53與第一列的位線bl1c連接的總共兩個反熔絲存儲器2e1、2e4和分別通過位線連接器bc57、bc59與第五列的位線bl5c連接的總共兩個反熔絲存儲器2e13、2e16的合計四個反熔絲存儲器2e1、2e4、2e13、2e16通過第一列的位線bl1c和第五列的位線bl5c兩根位線來動作。

同樣地，優(yōu)選的是，通過位線連接器bc52與第二列的位線bl2c連接的兩個反熔絲存儲器2e2、2e3和通過位線連接器bc58與第六列的位線bl6c連接的總共兩個反熔絲存儲器2e14、2e15的合計四個反熔絲存儲器2e2、2e3、2e14、2e15通過第二列的位線bl2c和第六列的位線bl6c兩個位線來動作。

在此，半導(dǎo)體存儲裝置41中，例如當通過第一列的位線bl1c和第五列的位線bl5c兩根位線向反熔絲存儲器2e1、2e4、2e13、2e16一律施加規(guī)定的位電壓時，與將四個反熔絲存儲器2e5、2e9、2e8、2e12(2e6、2e7、2e10、2e11)通過一根結(jié)構(gòu)動作的第三列的位線bl3c或第四列的位線bl4c的容量不同。因此，半導(dǎo)體存儲裝置41中，進行讀取數(shù)據(jù)的動作時，例如可能會產(chǎn)生讀取速度下降等問題。

因此，為了解決這樣的問題，如與圖11對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖12所示，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，在一端側(cè)配置字線連接器wc51a、wc52a的列的同時，在另一端側(cè)配置字線連接器wc55a、wc56a的列，并且，在一端側(cè)的字線連接器wc51a、wc52a的列與中央的字線連接器wc53a、wc54a的列之間，設(shè)置一個位線連接器bc51a、bc52a、bc53a的列，在另一端側(cè)的字線連接器wc55a、wc56a的列與中央的字線連接器wc53a、wc54a的列之間設(shè)置另一位線連接器bc54a、bc55a、bc56a的列。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，位于一端側(cè)的字線連接器wc51a、wc52a的列與中央的字線連接器wc53a、wc54a的列之間的一個位線連接器bc51a、bc52a、bc53a的列中，第一行的位線連接器bc51a和第三行的位線連接器bc53a可與第一列的位線bl1d連接，第二行的位線連接器bc52a可與第二列的位線bl2d連接。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，與第一行的位線連接器bc51a連接的兩個反熔絲存儲器2f1、2f5和與第三行的位線連接器bc53a連接的兩個反熔絲存儲器2f4、2f8的合計四個反熔絲存儲器2f1、2f5、2f4、2f8可以與第一列的一個位線bl1d連接，因此，可通過一根結(jié)構(gòu)的位線bl1d使四個反熔絲存儲器2f1、2f5、2f4、2f8動作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲裝置41a中，與第二行的位線連接器bc52a連接的四個反熔絲存儲器2f2、2f3、2f6、2f7可以與第二列的一個位線bl2d連接，因此，可通過一根結(jié)構(gòu)的位線bl2d使四個反熔絲存儲器2f2、2f3、2f6、2f7動作。

同樣地，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，位于另一端側(cè)的字線連接器wc55a、wc56a的列與中央的字線連接器wc53a、wc54a的列之間的另一位線連接器bc54a、bc55a、bc56a的列中，第一行的位線連接器bc54a和第三行的位線連接器bc56a可與第三列的位線bl3d連接，第二行的位線連接器bc55a可與第四列的位線bl4d連接。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，與第一行的位線連接器bc54a連接的兩個反熔絲存儲器2f9、2f13和與第三行的位線連接器bc56a連接的兩個反熔絲存儲器2f12、2f16的合計四個反熔絲存儲器2f9、2f13、2f12、2f16可以與第三列的一個位線bl3d連接，因此，可通過一根結(jié)構(gòu)的位線bl3d使四個反熔絲存儲器2f9、2f13、2f12、2f16動作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲裝置41a中，與第二行的位線連接器bc55a連接的四個反熔絲存儲器2f10、2f11、2f14、2f15可以與第四列的一個位線bl4d連接，因此，可通過一根結(jié)構(gòu)的位線bl4d使四個反熔絲存儲器2f10、2f11、2f14、2f15動作。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置41a與圖11所示的半導(dǎo)體存儲裝置41不同，不需要位線之間的連接，可以將位線bl1d、bl2d、bl3d、bl4d制成一個結(jié)構(gòu)，并設(shè)定為相同的容量，因此在進行數(shù)據(jù)的讀取動作時，能夠防止例如讀取數(shù)據(jù)的下降等問題。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置41a中，第一行的字線連接器wc51a、wc53a、wc55a的行中，第一列的字線連接器wc51a和第三列的字線連接器wc55a可與同一個字線wl1d連接，第二列的字線連接器wc53a可與不同于所述字線wl1d的另一字線wl2d連接。并且，第二行的字線連接器wc52a、wc54a、wc56a的行中，第一列的字線連接器wc52a和第三列的字線連接器wc56a可與同一個字線wl3d連接，第二列的字線連接器wc54a可與不同于所述字線wl53b的另一字線wl4d連接。

并且，在上述的半導(dǎo)體存儲裝置41a中，能夠?qū)崿F(xiàn)例如第二行第一列的位線連接器bc52a或第二行第二列的位線連接器bc55a分別與四個反熔絲存儲器2f2、2f3、2f6、2f7(2f10、2f11、2f14、2f15)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置41a中，能夠?qū)崿F(xiàn)例如第一行第二列的字線連接器wc53a或第二行第二列的字線連接器wc54a分別與四個反熔絲存儲器2f5、2f6、2f9、2f10(2f7、2f8、2f11、2f12)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

順便說一下，即使在這種情況下，關(guān)注例如與位于中央?yún)^(qū)域的一個位線連接器bc52a連接的四個反熔絲存儲器2f2、2f3、2f6、2f7，在與所述位線連接器bc52a連接的四個反熔絲存儲器2f2、2f3、2f6、2f7中連接有能夠獨立地電性控制的字線wl1d、wl2d、wl3d、wl4d，可通過各字線wl1d、wl2d、wl3d、wl4d分別施加不同的字電壓。并且，關(guān)注例如與一個字線連接器wc53a連接的四個反熔絲存儲器2f5、2f6、2f9、2f10，在與所述字線連接器bc53a連接的四個反熔絲存儲器2f5、2f6、2f9、2f10與連接有能夠獨立地電性控制的位線bl1d、bl2d、bl3d、bl4d連接，可通過各位線bl1d、bl2d、bl3d、bl4d分別施加不同的位電壓。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置41a中，通過適當?shù)乜刂剖┘拥轿痪€bl1d、bl2d、bl3d、bl4d和字線wl1d、wl2d、wl3d、wl4d的電壓，通過上述的“(6-2)數(shù)據(jù)的寫入動作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2f1寫入數(shù)據(jù)的同時，通過上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲器2f1的數(shù)據(jù)。

通過以上的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，配置在末端的一方向(在此為行方向)上排列的各位線連接器bc51a、bc54a(bc53a、bc56a)分別與兩個反熔絲存儲器2f1，2f5、2f9，2f13(2f4，2f8、2f12，2f16)連接，并且，配置在末端的另一方向(在此為列方向)上排列的各字線連接器wc51a、wc52a(wc55a、wc56a)分別與兩個反熔絲存儲器2f1，2f2、2f3，2f4(2f13，2f14、2f15，2f16)連接。并且，在所述半導(dǎo)體存儲裝置41a中，配置在中央?yún)^(qū)域的其余的位線連接器bc52a(bc55a)與四個反熔絲存儲器2f2、2f3、2f6、2f7(2f10、2f11、2f14、2f15)連接，并且，配置在中央?yún)^(qū)域的字線連接器wc53a(wc54a)與四個反熔絲存儲器2f5、2f6、2f9、2f10(2f7、2f8、2f11、2f12)連接。

因此，半導(dǎo)體存儲裝置41a中，由于將位線連接器bc51a～bc56a和字線連接器wc51a～wc56a能夠由兩個以上的反熔絲存儲器共用，因此能夠相應(yīng)地實現(xiàn)整體裝置的小型化，并且，可以使例如與一根位線bl1d連接的反熔絲存儲器數(shù)量相同(在此為四個)，并設(shè)定為相同的容量，因此在進行數(shù)據(jù)的讀取動作時，能夠防止讀取速度的下降等問題。

順便說一下，圖12所示的半導(dǎo)體存儲裝置41a中，對具有16個反熔絲存儲器的情況進行說明，但是當反熔絲存儲器的數(shù)量進一步增加時，例如具有第一列的字線wl1d和第二列的字線wl2d相對于沿行方向排列的多個字線連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線連接器wc51a連接的一個字線wl1d除了與第一行第三列的字線連接器wc55a連接之外還可以與第一行第五列的字線連接器等連接，另外，與第一行第二列的字線連接器wc53a連接的另一字線wl2d除了與第一行第四列的字線連接器連接之外還可以與第一行第六列的字線連接器等連接。

并且，圖12所示的半導(dǎo)體存儲裝置41a中，當反熔絲存儲器的數(shù)量增加到16個以上時，位線連接器bc51a、bc54a、…(bc53a、bc56a、…)在兩末端沿行方向排列，從一側(cè)的末端朝向列方向，位線連接器行和字線連接器行依次交叉配置，并且，當一行上排列的位線連接器的數(shù)量為n個時，一行上排列的字線連接器的數(shù)量為n+1個。并且，示出具有16個反熔絲存儲器的半導(dǎo)體存儲裝置41a的圖12中，一行上排列的位線連接器的數(shù)量為兩個，一行上排列的字線連接器的數(shù)量為3個。

順便說一下，上述的實施方式中，如圖10所示，對例如反熔絲存儲器2e4中整流元件43的活性區(qū)域46b和存儲器電容44的存儲器柵極g分離，從活性區(qū)域46b到存儲器柵極g形成連接器c1，所述活性區(qū)域46b和存儲器柵極g通過連接器c1電連接。但本發(fā)明并不限定于此，還可以形成為，如圖13所示，在整流元件的活性區(qū)域46b上形成存儲器柵極ga，從所述活性區(qū)域46b到存儲器柵極ga形成連接器c1。

并且，還可以形成為，如圖15所示，整流元件43的活性區(qū)域46b和存儲器電容44的存儲器柵極g分離，在活性區(qū)域46b的整流元件43的源區(qū)域設(shè)置連接器c2，在存儲器柵極g設(shè)置另一連接器c3，所述連接器c2、c3通過布線54連接。

(9)關(guān)于兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況

與圖10對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖14示出，例如總共16個反熔絲存儲器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8、2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲裝置51的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置51中，反熔絲存儲器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8、2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16均具有相同的結(jié)構(gòu)，如上述的圖9a和圖9b一樣，分別具有整流元件43和存儲器電容44。并且，字線連接器w61、wc62、wc63、wc64、wc65、wc66、wc67、wc68也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線連接器wc62而進行說明。

在這種情況下，豎立設(shè)置字線連接器wc62的整流元件43的活性區(qū)域55a形成為矩形狀，由行方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2g2、2g6共用。實際上，在豎立設(shè)置字線連接器wc62的整流元件43的活性區(qū)域55a，形成有反熔絲存儲器2g2的整流元件柵極g2和與所述反熔絲存儲器2g2行方向上相鄰的另一反熔絲存儲器2g6的整流元件柵極g2。

在此，關(guān)注例如反熔絲存儲器2g2，從位于活性區(qū)域55a的整流元件43的漏區(qū)域到整流元件柵極g2豎立設(shè)置有字線連接器wc62，通過字線連接器wc62向所述漏區(qū)域和整流元件柵極g2一律施加規(guī)定的字電壓。并且，在反熔絲存儲器2g2中，從位于活性區(qū)域55a的整流元件43的源區(qū)域到存儲器電容44的存儲器柵極ga豎立設(shè)置有連接器c1，通過所述連接器c1整流元件43的源區(qū)域和存儲器電容44的存儲器柵極ga電連接。

并且，該字線連接器wc62，從與反熔絲存儲器2g2行方向上相鄰的另一反熔絲存儲器2g6的整流元件43的漏區(qū)域到整流元件柵極g2豎立設(shè)置有該字線連接器wc62。因此字線連接器wc62對所述兩個反熔絲存儲器2g2、2g6一律施加來自字線的規(guī)定的字電壓。

順便說一下，所述兩個反熔絲存儲器2g2、2g6的各存儲器柵極ga以從活性區(qū)域55a遠離的方式分別沿行方向延伸，前端部分分別配置在不同的活性區(qū)域55b。并且，在各存儲器柵極ga和活性區(qū)域55b相對的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲器2g2、2g6的存儲器柵絕緣膜6。

接著，下面對位線連接器bc61、bc62、bc63、bc64進行說明。在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置51中總共配置有四個位線連接器bc61、bc62、bc63、bc64。各位線連接器bc61、bc62、bc63、bc64分別配置在不同的活性區(qū)域55b，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域55b施加來自位線(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置51中，在配置第一列的位線連接器bc61的活性區(qū)域55b與配置第二列的位線連接器bc62的活性區(qū)域55b之間，形成有以矩陣狀配置的8個反熔絲存儲器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8。在配置第一列的位線連接器bc61的活性區(qū)域55b，形成有沿列方向排列的四個反熔絲存儲2g1、2g2、2g3、2g4，另外，在配置第二列的位線連接器bc62的活性區(qū)域55b，形成有沿列方向上配置的反熔絲存儲器2g5、2g6、2g7、2g8。

并且，半導(dǎo)體存儲裝置51中，配置第二列的位線連接器bc62的活性區(qū)域55b和配置第三列的位線連接器bc63的活性區(qū)域55b并行配置，并且，如上所述，在第三列的位線連接器bc63的活性區(qū)域55b與第四列的位線連接器bc64的活性區(qū)域55b之間，也可以矩陣狀配置8個反熔絲存儲器2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16。

并且，在該實施方式中，所述四個位線連接器bc61、bc62、bc63、bc64均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注位線連接器bc62而進行說明。在這種情況下，配置位線連接器bc62的活性區(qū)域55b具有沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2g5、2g6、2g7、2g8向列方向延伸的長方形形狀，并設(shè)置有所述沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2g5、2g6、2g7、2g8的各存儲器柵極ga。因此，所述位線連接器bc62分別與不同的字線連接器wc61、wc62、wc63、wc64連接，且通過活性區(qū)域55b向沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2g5、2g6、2g7、2g8一律施加來自位線的規(guī)定的位電壓。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖14所示的半導(dǎo)體存儲裝置51的反熔絲存儲器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8、2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過施加到存儲器電容44的存儲器柵極ga和字線的電壓值，通過整流元件43阻斷從存儲器柵極ga施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置51的反熔絲存儲器2g6中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件43成為截止狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，圖14所示的半導(dǎo)體存儲裝置51中，沿列方向排列的四個反熔絲存儲器2g5、2g6、2g7、2g8共用一個位線連接器bc62，同時例如行方向上相鄰的兩個反熔絲存儲器2g2、2g6共用一個字線連接器wc62，因此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

并且，上述的實施方式中，如圖14所示，對整流元件43的活性區(qū)域55a和存儲器電容44的存儲器柵極ga重疊，從所述活性區(qū)域55a的整流元件43的源區(qū)域到存儲器柵極ga形成連接器c1的情況進行說明，但本發(fā)明并不限定于此，還可以形成為，如圖15所示，整流元件43的活性區(qū)域55a和存儲器電容44的存儲器柵極g分離，在活性區(qū)域55a的整流元件43的源區(qū)域設(shè)置連接器c2，在存儲器柵極g上也形成另一連接器c3，所述連接器c2、c3通過布線54連接。

順便說一下，在上述的圖9b中，其結(jié)構(gòu)為，活性區(qū)域46a和存儲器電容44的存儲器柵極g以分離的方式配置，所述活性區(qū)域46b和存儲器柵極g通過一個連接器c1連接，但是這種連接結(jié)構(gòu)也可以在圖14所示的半導(dǎo)體存儲裝置51中使用。在這種情況下，其結(jié)構(gòu)為，例如使反熔絲存儲器2g6的活性區(qū)域55a和存儲器柵極ga以分離的方式配置，通過一個連接器c1連接所述活性區(qū)域55a和存儲器柵極ga。

(10)關(guān)于沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況

與圖10對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖16示出例如總共16個反熔絲存儲器2h1、2h2、2h3、2h4、2h5、2h6、2h7、2h8、2h9、2h10、2h11、2h12、2h13、2h14、2h15、2h16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲裝置61的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲裝置61中，反熔絲存儲器2h1、2h2、2h3、2h4、2h5、2h6、2h7、2h8、2h9、2h10、2h11、2h12、2h13、2h14、2h15、2h16均具有相同的結(jié)構(gòu)，如上述的圖9a和圖9b一樣，分別具有整流元件43和存儲器電容44。并且，字線連接器wc71、wc72、wc73、wc74也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線連接器wc72而進行說明。

在這種情況下，字線連接器wc72配置在具有沿行反向延伸的長度方向的活性區(qū)域63，由沿所述活性區(qū)域63延伸且行方向上配置的四個反熔絲存儲器2h2、2h6、2h10、2h14共用。實際上，在豎立設(shè)置字線連接器wc72的活性區(qū)域63，形成有沿行方向排列的四個反熔絲存儲器2h2、2h6、2h10、2h14的各整流元件43的漏區(qū)域和源區(qū)域，并且形成有由所述四個反熔絲存儲器2h2、2h6、2h10、2h14共用的整流元件柵極g3。

在這種情況下，整流元件柵極g3被配置為具有以與沿行方向延伸的活性區(qū)域63的長度方向并行的方式沿行方向延伸的長度方向，并將活性區(qū)域63上下分割。因此，在活性區(qū)域63以整流元件柵極g3為界，在與存儲器電容44近的一側(cè)區(qū)域可形成源極，在另一側(cè)區(qū)域可形成漏區(qū)域。在活性區(qū)域55a，從整流元件43的漏區(qū)域到整流元件柵極g3豎立設(shè)置有字線連接器wc72，并通過字線連接器wc72，對所述漏區(qū)域和整流元件柵極g3施加規(guī)定的字電壓。

并且，在這種情況下，豎立設(shè)置字線連接器wc72的整流元件柵極g3和活性區(qū)域63的漏區(qū)域，由沿活性區(qū)域63配置四個反熔絲存儲器2h2、2h6、2h10、2h14共用，因此，通過字線連接器wc72，可對所述四個反熔絲存儲器2h2、2h6、2h10、2h14一律施加來自字線的規(guī)定的字電壓。

在此，關(guān)注例如反熔絲存儲器2h2，從位于活性區(qū)域63的整流元件43的源區(qū)域到存儲器電容44的存儲器柵極ga豎立設(shè)置有連接器c1，并通過所述連接器c1，整流元件43的源區(qū)域和存儲器柵極ga電連接。并且，所述反熔絲存儲器2h2、2h3的各存儲器柵極ga同樣地配置在活性區(qū)域62，在于所述活性區(qū)域62相對的各區(qū)域形成反熔絲存儲器2h2、2h3的存儲器柵絕緣膜6。

順便說一下，在該半導(dǎo)體存儲裝置61中，豎立設(shè)置所述第二行的字線連接器wc72的活性區(qū)域63和豎立設(shè)置第三行的字線連接器wc73的活性區(qū)域63以并行的方式配置，在所述并行的兩個活性區(qū)域63之間，配置8個反熔絲存儲器2h2、2h3、2h6、2h7、2h10、2h11、2h14、2h15。

并且，在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置61中，豎立配置所述第二行的字線連接器wc72的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域和豎立設(shè)置第一行的字線連接器wc71的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置該第一行的字線連接器wc71的活性區(qū)域63的整流元件43的源區(qū)域通過連接器c1與沿行方向排列的四個反熔絲存儲器2h1、2h5、2h9、2h13的存儲器柵極ga連接。并且，豎立配置第三行的字線連接器wc73的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域和豎立設(shè)置第四行的字線連接器wc74的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置該第四行的字線連接器wc74的活性區(qū)域63的整流元件43的源區(qū)域通過連接器c1與沿行方向排列的四個反熔絲存儲器2h4、2h8、2h12、2h16的存儲器柵極ga連接。

接著，下面對位線連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc75、bc76、bc77、bc78、bc79、bc80、bc81、bc82進行說明。在該實施方式中，半導(dǎo)體存儲裝置61中總共12個位線連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc75、bc76、bc77、bc78、bc79、bc70、bc81、bc82以三行四列的方式配置。所述位線連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc75、bc76、bc77、bc78、bc79、bc70、bc81、bc82分別配置在不同的活性區(qū)域62，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域62施加來自位線(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在此，配置在中央?yún)^(qū)域的沿行方向排列的位線連接器bc75、bc76、bc77、bc78均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注例如其中的位線連接器bc75而進行說明。在這種情況下，配置位線連接器bc75的活性區(qū)域62設(shè)置有與不同的字線連接器wc72、wc73連接且沿列方向排列的兩個反熔絲存儲器2h2、2h3。因此，位線連接器bc75由所述兩個反熔絲存儲器2h2、2h3共用，向所述兩個反熔絲存儲器2h2、2h3一律施加來自位線的規(guī)定的電壓。

實際上，在豎立設(shè)置所述位線連接器bc75的活性區(qū)域62，以所述位線連接器bc75為中心，反熔絲存儲器2h2和反熔絲存儲器2h3以上下對稱的方式配置。具體而言，在豎立設(shè)置位線連接器bc75的活性區(qū)域62的一邊側(cè)，相對配置有一個反熔絲存儲器2h2的存儲器柵極ga，并形成有所述反熔絲存儲器2h2的存儲器柵絕緣膜6。并且，在所述活性區(qū)域62的另一邊側(cè)，也同樣地相對配置有另一反熔絲存儲器2h3的存儲器柵極ga，并形成有所述反熔絲存儲器2h3的存儲器柵絕緣膜6。

順便說一下，半導(dǎo)體存儲裝置61的平面布置中，在末端沿行方向配置的四個位線連接器bc71、bc72、bc73、bc74(bc79、bc80、bc81、bc82)僅連接有分別對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2h1、2h5、2h9、2h13(2h4、2h8、2h12、2h16)連接。因此在所述末端沿行方向配置的各位線連接器bc71、bc72、bc73、bc74(bc79、bc80、bc81、bc82)中，可僅對分別對應(yīng)的一個反熔絲存儲器2h1、2h5、2h9、2h13(2h4、2h8、2h12、2h16)施加位電壓。

如上所述，在末端的位線連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc79、bc80、bc81、bc82中，可分別僅向一個反熔絲存儲器2h1、2h5、2h9、2h13、2h4、2h8、2h12、2h16施加規(guī)定的位電壓，但是配置在中央?yún)^(qū)域的各位線連接器bc75、bc76、bc77、bc78中，可向分別對應(yīng)的兩個反熔絲存儲器2h2，2h3、2h6，2h7、2h10，2h11、2h14，2h15一律施加規(guī)定的位電壓，因此四個反熔絲存儲器2h2，2h3、2h6，2h7、2h10，2h11、2h14，2h15共用一個位線連接器bc75、bc76、bc77、bc78，從而能夠相應(yīng)地實現(xiàn)整體裝置的小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖16所示的半導(dǎo)體存儲裝置61的反熔絲存儲器2h1、2h2、2h3、2h4、2h5、2h6、2h7、2h8、2h9、2h10、2h11、2h12、2h13、2h14、2h15、2h16中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過施加到存儲器電容44的存儲器柵極ga和字線的電壓值，通過整流元件43阻斷從存儲器柵極ga施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲器電容施加電壓的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而可相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置61的反熔絲存儲器2h2中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件43成為截止狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，圖16所示的半導(dǎo)體存儲裝置61中，例如沿一方向(在此為行方向)排列的四個反熔絲存儲器2h2、2h6、2h10、2h14共用一個字線連接器wc72，同時例如彼此相鄰的兩個反熔絲存儲器2h2、2h3共用一個位線連接器bc75，因此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

順便說一下，即使圖16所示的半導(dǎo)體存儲裝置61，其結(jié)構(gòu)還可以為，例如反熔絲存儲器2h2中，整流元件43的活性區(qū)域63和存儲器電容44的存儲器柵極ga分離，將設(shè)置在活性區(qū)域63的一個連接器和設(shè)置在存儲器柵極ga的另一連接器通過布線連接。并且，其結(jié)構(gòu)還可以為，如圖9b所示的結(jié)構(gòu)一樣，整流元件43的活性區(qū)域63和存儲器電容44的存儲器柵極ga分離，將所述活性區(qū)域63和存儲器柵極ga通過一個連接器c1連接。

(11)其他實施方式

(11-1)具有由p型mos晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲器

上述的“(6)具有由n型mos(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲器”中，對設(shè)置由n型mos晶體管構(gòu)成的整流元件43的反熔絲存儲器42進行說明，但本發(fā)明并不限定于此，如與圖8的對應(yīng)部分使用相同附圖標記的圖17所示，也可以適用設(shè)置由p型mos晶體管構(gòu)成的整流元件73的反熔絲存儲器72。在這種情況下，反熔絲存儲器72包括整流元件73和存儲器電容44，所述整流元件73具有p型mos晶體管的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，所述存儲器電容44包括通過位線bl和存儲器柵極g之間的電壓差而被絕緣破壞的存儲器柵絕緣膜6。

在這種情況下，存儲器電容44中，一端的擴散區(qū)域與位線bl連接，存儲器柵極g與整流元件73連接。整流元件73具有整流元件柵極g1和漏區(qū)域與存儲器電容44的存儲器柵極g連接的同時，阱與阱控制端子連接，以及源區(qū)域與字線wl連接的結(jié)構(gòu)。由此，整流元件73只要沒有從字線wl被施加導(dǎo)通電壓就進行截止動作，從而能夠阻斷從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓。

在此，即使包括這種mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件73的反熔絲存儲器72，由于通過如圖9a所示的截面結(jié)構(gòu)來形成，整流元件73的整流元件柵極g1和存儲器電容44的存儲器柵極g可形成在相同的布線層上，并且可使整流元件柵極g1的膜厚度和存儲器電容44的存儲器柵極g的膜厚度相同。因此，即使反熔絲存儲器72，也能夠?qū)崿F(xiàn)整體的薄型化。

在這種反熔絲存儲器72中，進行數(shù)據(jù)寫入動作時，可對字線wl施加5v的破壞字電壓，對位線bl施加0v的破壞位電壓。并且，對形成有整流元件73的阱，可從阱控制端子施加與破壞字電壓相同的5v電壓。假設(shè)整流元件73的源區(qū)域的電位為0v程度時，整流元件73進行導(dǎo)通動作，若將其閾值電壓設(shè)成-0.7v，則源區(qū)域可被充電至4.3v。

因此，存儲器電容44中，從整流元件73向存儲器柵極g施加5v的破壞字電壓，此時，位線因0v而進行導(dǎo)通動作，溝道電位也成為0v。結(jié)果，存儲器電容44中，存儲器柵極g與溝道和擴散區(qū)域之間因破壞位電壓和破壞字電壓而產(chǎn)生大的電壓差。因此，寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器72中，可在存儲器電容44中存儲器柵極g下部的存儲器柵絕緣膜6被絕緣破壞，存儲器柵極g與擴散區(qū)域以低阻抗而成為導(dǎo)通狀態(tài)，從而成為存儲器電容44中寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，與上述的“(6-2)數(shù)據(jù)的寫入動作”一樣，對位線bl被施加3v的非破壞位電壓的同時，對字線wl被施加0v的非破壞字電壓的不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器72中，例如當存儲器電容44的存儲器柵絕緣膜6已被絕緣破壞時，位線bl的3v的非破壞位電壓通過存儲器電容44的存儲器柵極g被施加至整流元件73的源區(qū)域。但是，在這種情況下，由于整流元件73進行截止動作，因此反熔絲存儲器72中，可防止位線bl的3v的非破壞位電壓被施加到字線wl，因此字線wl的電位不會發(fā)生變化。

順便說一下，在向字線wl施加5v的破壞字電壓、且向位線bl被施加3v的非破壞位電壓的不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器72中，存儲器電容44中存儲器柵極g與擴散區(qū)域的電壓差變小，因此即使存儲器電容44中存儲器柵絕緣膜6沒有被絕緣破壞時，所述存儲器柵絕緣膜6也不會被絕緣破壞而照樣保持絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，即使具有這種結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲器72以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲裝置，可通過上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動作”讀取期望的反熔絲存儲器72的數(shù)據(jù)，因此在此省略對其的說明。

以上的結(jié)構(gòu)中，即使不寫入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲器72，如上所述，當與存儲器電容44連接的位線bl上被施加有高電壓的非破壞位電壓時，例如即使存儲器電容44的存儲器柵絕緣膜6已被絕緣破壞，通過使整流元件73的溝道處于截止狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，能夠阻斷從存儲器電容44的存儲器柵極g施加到字線wl的非破壞位電壓。

因此，即使反熔絲存儲器72，如上所述，也不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置用于通過存儲器柵極g和字線wl的電壓值而將從存儲器柵極g施加到字線wl的電壓通過截止動作來阻斷的晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件73，因此不需要選擇性地執(zhí)行向存儲器電容44施加的各電壓的開關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而能夠相應(yīng)地實現(xiàn)小型化。

并且，即使這樣的反熔絲存儲器72，可以設(shè)置(ⅰ)通過向字線(寫入非選擇字線)施加0v的非破壞字電壓來在存儲器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過使整流元件73處于截止狀態(tài)來阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫入動作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時的錯誤動作。

并且，即使這種反熔絲存儲器72，也能夠?qū)崿F(xiàn)與上述的“(7)關(guān)于四個反熔絲存儲器共用一個字線連接器和一個位線連接器的情況”、“(8)關(guān)于其他實施方式的位線和字線的平面布置結(jié)構(gòu)”、“(9)關(guān)于兩個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、沿列方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況”、“(10)關(guān)于沿行方向排列的多個反熔絲存儲器共用一個字線連接器、兩個反熔絲存儲器共用一個位線連接器的情況”相同的結(jié)構(gòu)，與各實施方式一樣，能夠多個反熔絲存儲器72共用一個位線連接器和一個字線連接器，因此與每個反熔絲存儲器上分別單獨設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(11-2)包括晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的反熔絲存儲器的其他實施方式的結(jié)構(gòu)

并且，上述的實施方式中，如圖9a和圖9b所示，對從作為整流元件43的漏區(qū)域的擴散區(qū)域5c到整流元件柵極g1豎立設(shè)置有一個字線連接器wc的情況進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，如與圖9a對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖18a、與圖9b對應(yīng)的部分使用相同的附圖標記的圖18b(圖18a示出圖18b的c-c’部分的側(cè)截面結(jié)構(gòu))所示，還可以形成為，設(shè)置連接字線wl和作為整流元件43的漏區(qū)域的擴散區(qū)域5c的字線連接器wca1，并且將所述字線連接器wca1與整流元件柵極g1通過另外的字線連接器wca2和布線83連接。

并且，上述的實施方式中，如圖9a和圖9b所示，對從作為整流元件43的源區(qū)域的擴散區(qū)域5b到存儲器電容44的存儲器柵極g豎立設(shè)置一個連接器c1的情況進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，如圖18a和圖18b所示，還可以形成為，在作為整流元件43的源區(qū)域的擴散區(qū)域5b設(shè)置支柱狀的連接器c1a，另外，在存儲器電容44的存儲器柵極g上設(shè)置另外的連接器c1b，并將所述兩個連接器c1a、c1b通過布線84連接。并且，即使具有如圖18a和圖18b所示的結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲器82，也能夠得到與上述的實施方式相同的效果。

(11-3)其他

并且，本發(fā)明并不限定于本實施方式，在本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)能夠進行各種變形，例如，對于上述的各實施方式中示出的反熔絲存儲器，也可以進行適當?shù)慕M合。并且，作為其他的實施方式，可以將圖9所示的具有n型晶體管的整流元件43的反熔絲存儲器42、圖17所示的具有p型晶體管的整流元件73的反熔絲存儲器72、圖9a和圖18a的側(cè)截面結(jié)構(gòu)等適當?shù)亟M合。并且，個實施方式中，作為一方向可以適用行方向或者列方向，此時，另一方向為與一方向呈直角的列方向或者行方向。

并且，只要整流元件43的活性區(qū)域(源區(qū)域)和存儲器電容44的存儲器柵極電連接，就可以適用各種結(jié)構(gòu)，例如，對如圖9b、圖13、圖15所示的整流元件43的活性區(qū)域(源區(qū)域)46b、55a和存儲器柵極ga、g的連接結(jié)構(gòu)，可以適當組合上述的各實施方式來使用。

并且，各實施方式中，反熔絲存儲器的數(shù)量可以為多種數(shù)量，在這種情況下，根據(jù)反熔絲存儲器的數(shù)量，將會增減位線連接器和字線連接器的數(shù)量、位線和字線的數(shù)量。并且，據(jù)此在半導(dǎo)體存儲裝置中，也會增減配置在中央?yún)^(qū)域的位線連接器和字線連接器的數(shù)量。

附圖標記說明

1、1a、21、31、41、41a、51、61：半導(dǎo)體存儲裝置

2a、2b、2c、2d、2a1…2a16、2b1…2b16、2c1…2c16、2d1…2d16、2e1…2e16、2f1…2f16、2g1…2g16、2h1…2h16、42、72、82：反熔絲存儲器

3、43：整流元件

4、44：存儲器電容

g、ga：存儲器柵極

6：存儲器柵絕緣膜

s2：阱

bc、bc11…bc19、bc1a…bc6a、bc21…bc24、bc31…bc42、bc51…bc59、bc51a…bc56a、bc61…bc64、bc71…bc82：位線連接器

wc、wc11…wc14、wc1a…wc6a、wc21…wc28、wc31…wc34、wc51…wc54、wc51a…wc56a、wc61…wc68、wc71…wc74：字線連接器

wla、wlb、wl1a…wl4a、wl1b…wl4b、wl1c…wl4c、wl1d…wl4d：字線

bla、blb、bl1a…bl6a、bl1b…bl4b、bl1c…bl6c、bl1d…bl4d：位線