專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文件涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法。
背景技術(shù)：
近來，正發(fā)展各種平板顯示裝置來減小重量和體積(現(xiàn)有陰極射線管(CRT)的缺 點(diǎn))。這樣的平板顯示裝置包括液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板 (PDP)、和電致發(fā)光(EL)裝置等。因?yàn)镻DP的制造工序簡(jiǎn)單且其非常輕、薄、短和小從而最有利于確保大尺寸屏幕， 所以PDP作為顯示裝置受到大量關(guān)注，但其具有發(fā)光效率和亮度低且耗電多的缺點(diǎn)。薄膜 晶體管(TFT)LCD是最常用的平板顯示裝置之一，但其具有視角窄和響應(yīng)速度慢的問題。根 據(jù)光發(fā)射層的材料，EL裝置分為無機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。其 中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(自發(fā)光裝置)具有響應(yīng)速度快、發(fā)光效率和亮度高、以及視 角寬的優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有如圖1中所示的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。OLED包括有機(jī)化合物層、以及彼此面對(duì)的陰極電極和陽極電極，有機(jī)化合物層夾 在陰極電極和陽極電極之間。通過層疊電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、光發(fā)射層 (EML)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)，將有機(jī)化合物層形成為多層。當(dāng)給陽極電極 和陰極電極施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，穿過HTL的空穴和穿過ETL的電子移動(dòng)到EML，從而形成激子 (exciters)，結(jié)果使EML發(fā)射可見光。在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中，通過如圖2中所示的熱蒸鍍 (thermalevaporation)方法形成EML。為了進(jìn)行熱蒸鍍方法，需要容納R、G和B的EML材 料的載器(boat) 30、和用于引導(dǎo)從電阻加熱載器30轉(zhuǎn)移的EML材料從而使它們沉積在相 應(yīng)位置處的金屬掩模20，由掩?？蚣?5支撐的金屬掩模20排列在其上形成有薄膜晶體管 (TFT)陣列15的基板10上。在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中，通過改變金屬掩模20的排列 位置來沉積R，G和B EML。這種現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置制造方法具有下面的問題。第一，在現(xiàn)有技術(shù)的方法中，根據(jù)基板的尺寸確定金屬掩模的尺寸。隨著基板尺寸 增加，金屬掩模的尺寸也不得不增加。隨著金屬掩模尺寸增加，掩模逐漸彎曲。因而，在使 用金屬掩模的現(xiàn)有技術(shù)沉積方法中，很難對(duì)光發(fā)射層精確構(gòu)圖，不能應(yīng)付較大面積和較高 清晰度(definition)。第二，在現(xiàn)有技術(shù)的方法中，裝有光發(fā)射材料的載器與基板分開一定距離并且該 載器被加熱，然后光發(fā)射材料沉積在基板上，這導(dǎo)致延長(zhǎng)了形成光發(fā)射層的工序總累積時(shí) 間(TACT)。隨著基板尺寸增加，基板與載器之間的距離(D)也不得不增加，以確保沉積在基板上的光發(fā)射層的均勻性，導(dǎo)致用于形成光發(fā)射層的腔室的尺寸增加。

發(fā)明內(nèi)容
本文件的一個(gè)方面是提供一種能精確構(gòu)圖光發(fā)射層以支持較大面積和較高清晰 度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。本文件的另一個(gè)方面是提供一種能縮短形成光發(fā)射層的工序TACT和減小用于形 成光發(fā)射層的腔室的尺寸的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。在一個(gè)方面中，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管 顯示裝置包括多個(gè)0LED，每個(gè)OLED都具有第一電極、第一相關(guān)層、光發(fā)射層、第二相關(guān)層和 第二電極，所述方法 包括在受主基板上順次形成薄膜晶體管(TFT)陣列、所述第一電極、 提(bank)圖案和所述第一相關(guān)層；在施主基板上順次形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料層； 通過給所述金屬圖案施加電將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上而形成所述 光發(fā)射層；以及在形成有所述光發(fā)射層的所述受主基板上順次形成所述第二相關(guān)層和所述 第二電極。所述金屬圖案可由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中兩 種或更多種的合金形成，并根據(jù)所述受主基板的將要形成所述光發(fā)射層的像素位置而被構(gòu) 圖。所述金屬圖案的寬度可以小于或等于像素寬度與提圖案寬度之和。形成所述光發(fā)射層可以在真空或惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。可以在0. 1 μ s到Is的范圍內(nèi)以0. Iff/cm2 10000W/cm2的功率密度施加一次或 幾次電。所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法可以進(jìn)一步包括在形成所述有機(jī)光發(fā) 射材料層之前，在所述金屬圖案上形成電絕緣層。所述電絕緣層可以包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和旋涂玻璃(S0G， spin-on-glass)材料至少之一。所述第一電極和所述第二電極可以分別是陽極電極和陰極電極，所述第一相關(guān)層 是進(jìn)行空穴的引入(introduction)和運(yùn)載(carrying)的空穴相關(guān)層，并且所述第二相關(guān) 層是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層。所述第一電極和所述第二電極可以分別是陰極電極和陽極電極，所述第一相關(guān)層 是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層，并且所述第二相關(guān)層是進(jìn)行空穴的引入和運(yùn)載的 空穴相關(guān)層。形成所述光發(fā)射層可以包括分別執(zhí)行以下工序?qū)λ蠷像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼 合所述受主基板和所述施主基板、將紅色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離 和卸載所述施主基板；對(duì)所有G像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、 將綠色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板；以及對(duì)所有 B像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將藍(lán)色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移 到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。形成所述光發(fā)射層可以包括對(duì)所有像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所 述施主基板、將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。
在另一個(gè)方面中，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括多個(gè)0LED，每個(gè)OLED都具有第一電極、第一相關(guān)層、光發(fā)射層、第二相關(guān) 層和第二電極，所述方法包括在受主基板上順次形成薄膜晶體管(TFT)陣列、所述第一電 極、提圖案、襯墊料和所述第一相關(guān)層；在施主基板上順次形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料 層；通過給所述金屬圖案施加電將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上而形成所 述光發(fā)射層；以及在形成有所述光發(fā)射層的所述受主基板上順次形成所述第二相關(guān)層和所 述第二電極，其中所述襯墊料形成為比所述提圖案窄。所述襯墊料可以形成在所述提圖案上方。所述金屬圖案可以由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中 兩種或更多種的合金形成，并可以根據(jù)所述受主基板的將要形成所述光發(fā)射層的像素位置 而被構(gòu)圖。所述金屬圖案的寬度可以小于或等于像素寬度與提圖案寬度之和。形成所述光發(fā)射層可以在真空或惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。所述電可以在0. 1 μ s到Is的范圍內(nèi)以0. Iff/cm2 10000W/cm2的功率密度施加 一次或幾次。所述襯墊料可以形成為線型襯墊料、柱型襯墊料和井型襯墊料之一。所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法可以進(jìn)一步包括在形成所述有機(jī)光發(fā) 射材料層之前，在所述金屬圖案上形成電絕緣層。所述電絕緣層可以包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和旋涂玻璃(SOG)材 料至少之一。所述第一電極和所述第二電極可以分別是陽極電極和陰極電極，所述第一相關(guān)層 可以是進(jìn)行空穴的引入和運(yùn)載的空穴相關(guān)層，并且所述第二相關(guān)層可以是進(jìn)行電子的引入 和運(yùn)載的電子相關(guān)層。所述第一電極和所述第二電極可以分別是陰極電極和陽極電極，所述第一相關(guān)層 可以是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層，并且所述第二相關(guān)層可以是進(jìn)行空穴的引入 和運(yùn)載的空穴相關(guān)層。形成所述光發(fā)射層可以包括分別執(zhí)行以下工序?qū)λ蠷像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼 合所述受主基板和所述施主基板、將紅色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離 和卸載所述施主基板；對(duì)所有G像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、 將綠色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板；以及對(duì)所有 B像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將藍(lán)色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移 到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。形成所述光發(fā)射層可以包括對(duì)所有像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所 述施主基板、將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講顯而易見的是，可以基于以上特征做各種修改、變換和組合。


所包括以給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并結(jié)合在內(nèi)組成本說明書一部分的附解了本發(fā)明的各實(shí)施方式并與說明書文字部分一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1圖解了有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。圖2圖解了通過使用金屬掩模的現(xiàn)有技術(shù)載器方法形成光發(fā)射層。圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示 裝置的 制造方法的工序的流程圖。圖4A到4D是顯示在受主基板上形成薄膜晶體管(TFT)陣列、以及OLED的第一電 極、提圖案和空穴相關(guān)層的工序的順序截面圖。圖5A和5B是顯示在施主基板上形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料的順序截面圖。圖6A和6B是顯示通過貼合和轉(zhuǎn)移形成光發(fā)射層的工序的順序截面圖。圖7A和7B是形成OLED的電子相關(guān)層和第二電極的工序的順序截面圖。圖8A到8C是像素的等效電路。圖9圖解了與像素寬度和提圖案寬度相比的金屬圖案的寬度。圖10是顯示進(jìn)一步包括襯墊料的工序截面圖。圖11是顯示進(jìn)一步包括電絕緣層的工序截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照?qǐng)D3到11描述本發(fā)明的典型實(shí)施方式。參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)典型實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制 造方法，其上形成有薄膜晶體管(TFT)陣列、OLED的第一電極、提圖案和空穴相關(guān)層的受主 基板以及其上形成有金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料的施主基板在惰性氣體環(huán)境下對(duì)準(zhǔn)并貼 合。隨后，給施主基板的金屬圖案施加瞬時(shí)電壓/電流，從而產(chǎn)生焦耳熱量，以升華施主基 板上形成的有機(jī)光發(fā)射材料從而將其轉(zhuǎn)移到受主基板。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以對(duì)所有R 像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所述施主基板的工序，對(duì)所有G像素一次進(jìn)行這 種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所述施主基板的工序，以及對(duì)所有B像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn) 移、分離和卸載所述施主基板的工序。做為選擇，在另一個(gè)實(shí)施方式中，可以對(duì)所有R、G和 B像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所述施主基板的工序，即，可以對(duì)所有像素同時(shí) 進(jìn)行所述工序。對(duì)所有R、G和B像素形成光發(fā)射層之后，在其上形成有R、G和B光發(fā)射層 的受主基板上順次沉積OLED的電子相關(guān)層和第二電極?，F(xiàn)在將描述在受主基板上形成TFT陣列、OLED的第一電極、提圖案和空穴相關(guān)層 的工序、以及在施主基板上形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料的工序。參照?qǐng)D4A，在由透明玻璃或塑料材料形成的受主基板100上形成TFT陣列102，該 TFT陣列102包括柵線GL、數(shù)據(jù)線DL、開關(guān)TFT(ST)、驅(qū)動(dòng)TFT(DT)、存儲(chǔ)電容器Cst、Vdd供 給配線、和Vss供給配線等，如圖8A到8C中所示。TFT (ST和DT)可由N型MOSFET實(shí)現(xiàn)，如 圖8A和8C中所示，或者由P型MOSFET實(shí)現(xiàn)，如圖8B中所示。圖8A到8C中所示的像素的 等效電路是一般的2T1C結(jié)構(gòu)的例子，即，2個(gè)晶體管和1個(gè)電容器，并且本發(fā)明的TFT陣列 結(jié)構(gòu)并不限于此。TFT陣列102可包括用于保護(hù)TFT陣列免受外部環(huán)境影響的鈍化層、用于 防止產(chǎn)生由于TFT(ST和DT)而導(dǎo)致的臺(tái)階的覆層(overcoat layer)、和用于阻隔(shield) 從覆層釋放氣體(out-gasing)的緩沖層。
參照?qǐng)D4B，在其上形成有TFT 102的受主基板100上形成OLED的第一電極104。 第一電極104通過緩沖層、覆層、和鈍化層等等與驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的一個(gè)電極接觸。根據(jù)驅(qū)動(dòng) TFT(DT)的連接結(jié)構(gòu)，第一電極104可以是具有反射膜的陰極電極或陽極電極。換句話說， 在圖8A中，第一電極104是與驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的源極電極⑶連接的陽極電極，在圖8B中， 第一電極104是與驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的漏極電極⑶連接的陽極電極，在圖8C中，第一電極104 是與驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的漏極電極(D)連接的陰極電極。以下，假定第一電極104是具有反射 膜的陽極電極。第一電極104是包含諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)這樣的氧化物 的透明導(dǎo)體，其在由不透明金屬材料形成的反射膜上按照像素被構(gòu)圖。第一電極104把經(jīng) 由驅(qū)動(dòng)TFT(DT)供給的空穴施加給有機(jī)化合物層。參照?qǐng)D 4C，在其上形成有陽極電極104的受主基板100上形成提圖案106。提圖 案106形成在像素之間的邊界區(qū)域處，分隔(partitioning)各個(gè)像素的開口區(qū)域。在受主 基板100上形成提圖案106之后，使用等離子體進(jìn)行預(yù)處理。進(jìn)行預(yù)處理從而在形成OLED 的有機(jī)化合物層之前移除受主基板100上殘留的碎屑。參照?qǐng)D4D，通過使用現(xiàn)有載器或類似物的熱蒸鍍工序，在其上形成有提圖案106 的受主基板100的整個(gè)表面上接連沉積空穴注入層(HIL)材料和空穴傳輸層(HTL)材料， 從而形成空穴相關(guān)層108a。參照?qǐng)D5A，在由透明玻璃或塑料材料形成的施主基板200上形成金屬圖案202。 施主基板200的尺寸可等于或大于受主基板100的尺寸。金屬圖案202可包括Ag、Au、Al、 Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta中的至少一種或者兩種或更多種的合金?？赏ㄟ^使用化學(xué)氣相沉積 工序、濺射工序、e_束工序、和電解/無電敷鍍(electroless plating)工序之一在該基板 的整個(gè)表面上沉積該金屬或合金，然后通過光刻工序、濕蝕刻工序或干蝕刻工序構(gòu)圖所沉 積的金屬或合金，獲得金屬圖案202。金屬圖案202形成為與有機(jī)光發(fā)射材料將要被轉(zhuǎn)移 到的受主基板200的像素位置對(duì)應(yīng)。如圖9中所示，金屬圖案202的寬度W可等于或小于 通過將分隔相鄰像素的提圖案106的寬度Wb加上受主基板100的每個(gè)R、G和B像素的寬 度(Wp)而獲得的一個(gè)值?？紤]到產(chǎn)生焦耳熱量的電阻成分，金屬圖案202的厚度可最大在 Iym的范圍內(nèi)。參照?qǐng)D5B，通過使用現(xiàn)有載器或類似物的熱蒸鍍工序，在其上形成有金屬圖案 202的施主基板200的整個(gè)表面上沉積有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料。為了防止產(chǎn)生焦耳熱量的金屬圖案202被氧化或散布到要被轉(zhuǎn)移的有機(jī)光發(fā)射 層(EML)材料，在本發(fā)明中，可在金屬圖案202與有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料之間形成電絕緣 層204，如圖11所示。這里，電絕緣層204可從二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜中選出， 并通過CVD工序或?yàn)R射工序沉積在金屬圖案202的整個(gè)表面上。此外，作為電絕緣層204， 可選擇諸如旋涂玻璃(SOG)這樣的材料，用以在其上進(jìn)行旋涂之后通過加熱工序而被沉積 在金屬圖案202的整個(gè)表面上。接下來，將描述通過貼合和轉(zhuǎn)移而形成光發(fā)射層的工序。參照?qǐng)D6A，將其上形成有空穴相關(guān)層108a的受主基板100和其上形成有有機(jī)光發(fā) 射層(EML)材料的施主基板200對(duì)準(zhǔn)并貼合。在真空或惰性氣體(Ar，N2等)環(huán)境下進(jìn)行 對(duì)準(zhǔn)和貼合工序，以保護(hù)有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料免受濕氣/氧氣影響?？梢酝ㄟ^機(jī)械加 Ji (mechanical pressing) 亍所$貝占☆。
參照?qǐng)D6B，從外部給已經(jīng)完成了對(duì)準(zhǔn)和貼合工序的施主基板200的金屬圖案施加電(V)。電(V)施加使金屬圖案202產(chǎn)生焦耳熱量，從而使上面的有機(jī)光發(fā)射層(EML)材 料升華。結(jié)果，有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料轉(zhuǎn)移到受主基板100的相應(yīng)區(qū)域，從而形成光發(fā) 射層108b。這里，因?yàn)槠溟g夾有提圖案106的受主基板100和施主基板200充分緊密貼 合，所以在本發(fā)明的典型實(shí)施方式中可防止由于有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料的轉(zhuǎn)移位置偏移 (misalign)或擴(kuò)展(spread)而產(chǎn)生的色混合現(xiàn)象。換句話說，在本發(fā)明的典型實(shí)施方式 中，在形成光發(fā)射層108b期間沒有使用利用金屬掩模的現(xiàn)有載器方法，從而光發(fā)射層108b 能被精確構(gòu)圖，由此適于基板尺寸增加，真正可應(yīng)付大基板和高清晰度的趨勢(shì)。如果有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料長(zhǎng)時(shí)間暴露于高溫，則材料可能有所改變或其化學(xué) 鍵(chemical bonding)斷開。因而，為了防止有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料發(fā)生熱改變，給金 屬圖案202施加電的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選在0. 1 μ s到Is的范圍內(nèi)，并且施加給金屬圖案202的 功率密度優(yōu)選在0. Iff/cm2到lOOOOW/cm2的范圍內(nèi)。施加給金屬圖案202的電可以是AC電 或DC電，并可間斷地施加幾次。依照本發(fā)明的典型實(shí)施方式，與使用金屬掩模的現(xiàn)有載器 方法相比，能夠顯著縮短形成光發(fā)射層108b所需的工序時(shí)間，提高生產(chǎn)量。在本發(fā)明的一個(gè)典型實(shí)施方式中，如圖10中所示，在提圖案106與空穴相關(guān)層 108a之間，可形成襯墊料112，使襯墊料112比提圖案106窄。例如，在圖10中，襯墊料的 寬度可以小于相應(yīng)提圖案的寬度，但是并不限于此。襯墊料112可以以線型或柱型形成在 提圖案106上或者上方，或者可以以井型(well type)形成。襯墊料112增加了像素之間 的分隔高度，從而防止有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料沉積在不同顏色的相鄰像素處，因而有效 防止了色混合現(xiàn)象或者類似現(xiàn)象的產(chǎn)生。此外，襯墊料112減小了在形成光發(fā)射層108b時(shí) 受主基板100和施主基板200之間的接觸面積，利于基板100和200的貼合和分離，結(jié)果大 大減小了在貼合或分離基板100和200過程中產(chǎn)生碎屑的可能性。在形成襯墊料112的情 形中，通過焦耳熱量沉積有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料的沉積距離是由提圖案106的高度hi和 襯墊料112的高度h2確定的。盡管形成了襯墊料，但與現(xiàn)有的載器方法相比，仍顯著減小 了有機(jī)光發(fā)射層(EML)材料的沉積距離，從而能夠大大減小用于形成光發(fā)射層108b的腔室 的尺寸。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以對(duì)所有R像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所述 施主基板的工序，對(duì)所有G像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所述施主基板的工 序，以及對(duì)所有B像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所述施主基板的工序。作為選 擇，在另一個(gè)實(shí)施方式中，可以對(duì)所有R、G和B像素一次進(jìn)行這種貼合、轉(zhuǎn)移、分離和卸載所 述施主基板的工序，即，可以對(duì)所有像素同時(shí)進(jìn)行所述工序。在光發(fā)射層轉(zhuǎn)移到所有R，G和 B像素之后，貼合和轉(zhuǎn)移工序就完成了?，F(xiàn)在將描述形成OLED的電子相關(guān)層和第二電極的工序。參照?qǐng)D7A，通過使用現(xiàn)有載器或類似物的熱蒸鍍工序，在其上形成有光發(fā)射層 108b的受主基板100的整個(gè)表面上接連沉積電子傳輸層(ETL)材料和電子注入層(EIL)材 料，從而形成電子相關(guān)層108c?？昭ㄏ嚓P(guān)層108a、光發(fā)射層108b和電子相關(guān)層108c構(gòu)成 OLED的有機(jī)化合物層108。參照?qǐng)D7B，在其上形成有電子相關(guān)層108c的受主基板100的整個(gè)表面上形成 OLED的第二電極110。第二電極110(陰極電極)可形成為由金屬材料形成的單層結(jié)構(gòu)或者可形成為包括夾在電介質(zhì)層之間的一個(gè)或兩個(gè)金屬層的多層結(jié)構(gòu)。第二電極110給有機(jī) 化合物層施加通過Vss供給配線施加的電子。如上所述，依照本發(fā)明典型實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法，將其上形成有 金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射層材料的施主基板在真空或惰性氣體環(huán)境下對(duì)準(zhǔn)并貼合到具有TFT 陣列的受主基板，給施主基板的金屬圖案施加瞬時(shí)電壓/電流，以產(chǎn)生焦耳熱量，然后利用 該焦耳熱量升華施主基板上形成的有機(jī)光發(fā)射層材料，由此在受主基板上形成光發(fā)射層。因此，與使用金屬掩模的現(xiàn)有載器方法相比，在本發(fā)明中，光發(fā)射層能夠被精確構(gòu) 圖從而支持大面積和高清晰度，工序TACT能在形成光發(fā)射層過程中縮短，并且用于形成光 發(fā)射層的腔室的尺寸能大大減小。
在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，本發(fā)明可進(jìn)行各種修改和變化，這對(duì)于 本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。例如，在本發(fā)明的典型實(shí)施方式中，第一和第二電極分 別是陽極電極和陰極電極，但本發(fā)明并不限于此，而是可適用于其中第一和第二電極分別 為陰極電極和陽極電極的情形。在該情形中，可由電子相關(guān)層替換本發(fā)明典型實(shí)施方式中 所述的空穴相關(guān)層，而且可由空穴相關(guān)層替換本發(fā)明典型實(shí)施方式中所述的電子相關(guān)層。 因而，意在使本發(fā)明覆蓋落入要求保護(hù)的方案及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變 化。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括多個(gè)OLED，每個(gè)OLED都具有第一電極、第一相關(guān)層、光發(fā)射層、第二相關(guān)層和第二電極，所述方法包括在受主基板上順次形成薄膜晶體管(TFT)陣列、所述第一電極、堤圖案和所述第一相關(guān)層；在施主基板上順次形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料層；通過給所述金屬圖案施加電將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上而形成所述光發(fā)射層；以及在形成有所述光發(fā)射層的所述受主基板上順次形成所述第二相關(guān)層和所述第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬圖案由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta 其中之一形成或者由其中兩種或更多種的合金形成，并根據(jù)所述受主基板的將要形成所述 光發(fā)射層的像素位置被構(gòu)圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述金屬圖案的寬度小于或等于像素寬度與提圖 案寬度之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述光發(fā)射層是在真空或惰性氣體環(huán)境下進(jìn) 行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電在0.1 μ S到Is的范圍內(nèi)以0. Iff/cm2 10000ff/cm2的功率密度被施加一次或幾次。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述有機(jī)光發(fā)射材料層之前，在所述金屬圖案上形成電絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述電絕緣層包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化 硅膜、和旋涂玻璃(SOG)材料至少之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電極和所述第二電極分別是陽極電極和 陰極電極，所述第一相關(guān)層是進(jìn)行空穴的引入和運(yùn)載的空穴相關(guān)層，并且所述第二相關(guān)層 是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電極和所述第二電極分別是陰極電極和 陽極電極，所述第一相關(guān)層是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層，并且所述第二相關(guān)層 是進(jìn)行空穴的引入和運(yùn)載的空穴相關(guān)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述光發(fā)射層包括分別進(jìn)行以下工序?qū)λ蠷像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將紅色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板；對(duì)所有G像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將綠色有機(jī)光發(fā)射 材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板；以及對(duì)所有B像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將藍(lán)色有機(jī)光發(fā)射 材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述光發(fā)射層包括對(duì)所有像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將所述有機(jī)光發(fā)射材 料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。
12.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括多個(gè)0LED，每個(gè)OLED都具有第一電極、第一相關(guān)層、光發(fā)射層、第二相關(guān)層和第二電極，所述 方法包括在受主基板上順次形成薄膜晶體管(TFT)陣列、所述第一電極、提圖案、襯墊料和所述第一相關(guān)層；在施主基板上順次形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料層；通過給所述金屬圖案施加電將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上而形成 所述光發(fā)射層；以及在形成有所述光發(fā)射層的所述受主基板上順次形成所述第二相關(guān)層和所述第二電極， 其中所述襯墊料形成為比所述提圖案窄。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述襯墊料形成在所述提圖案上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述金屬圖案由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和 Ta其中之一形成或者由其中兩種或更多種的合金形成，并根據(jù)所述受主基板的將要形成所 述光發(fā)射層的像素位置被構(gòu)圖。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬圖案的寬度小于或等于像素寬度與提 圖案寬度之和。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述光發(fā)射層是在真空或惰性氣體環(huán)境下 進(jìn)行的。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電在0.1 μ s到Is的范圍內(nèi)以0. Iff/cm2 10000ff/cm2的功率密度施加一次或幾次。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述襯墊料形成為線型襯墊料、柱型襯墊料和 井型襯墊料其中之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述有機(jī)光發(fā)射材料層之前，在所述金屬圖案上形成電絕緣層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述電絕緣層包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧 化硅膜、和旋涂玻璃(SOG)材料至少之一。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一電極和所述第二電極分別是陽極電極 和陰極電極，所述第一相關(guān)層是進(jìn)行空穴的引入和運(yùn)載的空穴相關(guān)層，并且所述第二相關(guān) 層是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一電極和所述第二電極分別是陰極電極 和陽極電極，所述第一相關(guān)層是進(jìn)行電子的引入和運(yùn)載的電子相關(guān)層，并且所述第二相關(guān) 層是進(jìn)行空穴的引入和運(yùn)載的空穴相關(guān)層。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述光發(fā)射層包括分別進(jìn)行以下工序 對(duì)所有R像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將紅色有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板；對(duì)所有G像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將綠色有機(jī)光發(fā)射 材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板；以及對(duì)所有B像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將藍(lán)色有機(jī)光發(fā)射 材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。
24.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述光發(fā)射層包括對(duì)所有像素，一次地，對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板、將所述有機(jī)光發(fā)射材 料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上、分離和卸載所述施主基板。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，包括在受主基板上順次形成薄膜晶體管(TFT)陣列、第一電極、堤圖案、襯墊料和第一相關(guān)層；在施主基板上順次形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料層；對(duì)準(zhǔn)并貼合所述受主基板和所述施主基板，并通過給所述金屬圖案施加電將所述有機(jī)光發(fā)射材料轉(zhuǎn)移到所述受主基板上而形成光發(fā)射層；以及在形成有所述光發(fā)射層的所述受主基板上順次形成第二相關(guān)層和第二電極。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101887867SQ200910253550
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月12日
發(fā)明者安炳喆, 金祐贊, 韓敞旭 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司