專利名稱：：發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及發(fā)光元件，其結(jié)構(gòu)為在一對電極之間夾有多個層。更具體的，本發(fā)明涉及層的結(jié)構(gòu)，該層可以是在多個層中的至少一層。相關(guān)技術(shù)利用電致發(fā)光元件(發(fā)光元件)發(fā)射光的發(fā)光裝置作為顯示設(shè)備或照明設(shè)備受到了很多關(guān)注。作為用作發(fā)光裝置的發(fā)光元件，在一對電極之間穿插有含發(fā)光化合物的層的發(fā)光元件是公知的。在這種發(fā)光元件中，其中一個電極用作陽極，另一個用作陰極，從陽極注入的空穴以及從陰極注入的電子相互重組形成分子激發(fā)子，分子激發(fā)子在回到基態(tài)時輻射光能。近年來快速發(fā)展的安裝在各種信息加工設(shè)備中的顯示裝置，它在低能耗方面的要求越來越高。為了獲得低能耗，人們試圖降低驅(qū)動發(fā)光元件的電壓?？紤]到商業(yè)化，不僅是降低驅(qū)動發(fā)光元件的電壓很重要，延長發(fā)光裝置的使用壽命也十分重要。因此，開發(fā)了發(fā)光裝置來獲得低能耗及長使用壽命。例如，未審核專利公開No.9-63771披露了通過由具有很大功函的金屬氧化物如氧化鉬形成陽極降低發(fā)光元件驅(qū)動電壓的例子。而且，還可以延長發(fā)光元件的使用壽命。未審核專利公開No.9-63771中披露的延長發(fā)光元件使用壽命的方法是不夠的，因此要求開發(fā)工藝獲得更長的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目標在于提供一種在低壓下工作并且使用壽命比傳統(tǒng)發(fā)光元件更長的發(fā)光元件，以及這種發(fā)光元件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，發(fā)光元件在一對電極之間的多個層，并且這些多個層中至少一層含有一種雜化材料(復(fù)合材料)，該雜化材料包含無機化合物，選自半導(dǎo)體氧化物、金屬氧化物以及具有高空穴傳輸性能的無機化合物。組成多個層的各層分別是由具有高載流子注入性能的物質(zhì)、具有高載流子傳輸性能的物質(zhì)等形成的層，因此發(fā)光區(qū)域遠離電極。這種發(fā)光元件能抑制含有一種選自半導(dǎo)體氧化物、金屬氧化物的化合物以及具有高空穴輸運性能的化合物的層的結(jié)晶。這樣就可以延長發(fā)光元件的使用壽命。盡管不限制于這里列出的物質(zhì)，但可以使用的半導(dǎo)體氧化物以及金屬氧化物的具體例子包括氧化鉬(Mo0x)、氧化釩(V0x)、氧化釕(Ru0x)、氧化鴇(W0x)等。另外，也可以使用氧化銦錫(IT0)、氧化鋅(ZnO)以及氧化錫(SnO)。還可以使用除了前述物質(zhì)以外的物質(zhì)。盡管不限于這里說明的物質(zhì)，作為具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物，可以選用4，4'_雙[N-(l-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(縮寫a-NPO)、芳香族胺化合物(即帶有苯環(huán)和氮原子之間的鍵的化合物)例如4，4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(縮寫TPD)、4，4'，4"-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(縮寫TDATA)、4，4'，4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺(縮寫MTDATA)。也可以使用上述物質(zhì)以外的其它物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，發(fā)光元件包含在一對電極之間的多個層，多個層中至少有一層含有選自半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物的化合物、具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物以及具有高位阻的化合物的一種化合物。與前面提及的發(fā)光元件相同，所述多個層是分別由具有高載流子注入性能的物質(zhì)、具有高載流子輸送性質(zhì)的物質(zhì)等形成的層，因此這些發(fā)光區(qū)域遠離電極。這類發(fā)光元件中含有一層包含一種化合物的層，所述化合物選自半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物的化合物、具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物以及具有高位阻的化合物，這種發(fā)光元件能抑制層的結(jié)晶。因此，可以延長發(fā)光元件的使用壽命。半導(dǎo)體氧化物、金屬氧化物以及具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物與上述提及的相同。作為具有高位阻的化合物(即化合物具有與平面結(jié)構(gòu)相反的空間性)，優(yōu)選5，6，11，12_四苯基并四苯(縮寫紅熒烯)。除此之外，還可以使用hexabenilbenzene、二苯基蒽、叔丁基茈、9，10-二(苯基)蒽、香豆素545T等。另外，也可以使用樹枝狀聚合物(dendrimer)等。根據(jù)本發(fā)明，可以抑制半導(dǎo)體氧化物或者金屬氧化物的聚集，可以抑制含有半導(dǎo)體氧化物或者金屬氧化物的層的結(jié)晶。通過抑制結(jié)晶，可以防止由于結(jié)晶導(dǎo)致的漏流。相應(yīng)的，可以獲得使用期很長的發(fā)光元件。結(jié)合附圖及本發(fā)明的詳細說明，就可以更好的理解本發(fā)明的這些及其它目的，本發(fā)明的特征及優(yōu)勢。附圖簡述圖1是根據(jù)本發(fā)明的某些方面及對比例的發(fā)光元件的亮度隨時間的變化；圖2A至2C根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的說明性截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的說明截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的某些方面及^tmi的的發(fā)光元件的亮度_電壓特性；圖5A至5C是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的頂視圖；圖7是安裝有發(fā)光裝置的電器的示意圖，發(fā)光裝置包括根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件；圖8所示是根據(jù)本發(fā)明的某些方面及對比例1的的發(fā)光元件的亮度_電壓特性；圖9描繪了根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的亮度隨時間的變化。圖10所示是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的亮度_電壓特性；圖11所示是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的亮度隨時間的變化。圖12所示是根據(jù)本發(fā)明的某些方面以及對比例2，對lcd/m2或更高的場致發(fā)光的電壓。圖13所示是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的電流密度_電壓特性。圖14所示是根據(jù)比較例3的某些方面的發(fā)光元件的電流密度_電壓特性。圖15所示是根據(jù)比較例4的某些方面的發(fā)光元件的電流密度_電壓特性。圖16所示是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的發(fā)光元件的吸收特性。實施本發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的發(fā)光元件包含在一對電極之間的多個層。所述的多個層是通過層相互之間組合堆疊形成的，各層分別由具有高載流子注入性能的物質(zhì)或者是具有高載流子輸送性質(zhì)的物質(zhì)形成，這樣可以遠離電極形成發(fā)光區(qū)域，即載流子在遠離電極的區(qū)域相互重新組合。參考圖2A說明本發(fā)明的發(fā)光元件的一種模式。本實施方式中，在用來支撐發(fā)光元件210的基材201上形成發(fā)光元件210，發(fā)光元件210依次由第一電極202、第一層203、第二層204、第三層205、第四層206以及第二電極207組成。進一步，本實施方式中第一電極202用作陽極，第二電極207用作陰極。玻璃或塑料可以作為基材201使用。只要能在生產(chǎn)過程中用作發(fā)光元件的支撐媒介，也可以使用另一種材料作為基材。第一電極202優(yōu)選由具有大功函(至少4.0eV)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或者前述材料的混合物形成。具體的，可以使用氧化銦錫(ITO)、含有硅的氧化銦錫、氧化銦鋅，即與2%至20%氧化鋅(ZnO)混合的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鴇(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或者是金屬材料的氮化物(TiN)等。第一層203含有的化合物選自半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物以及具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物。盡管不限于這里說明的物質(zhì)，但可以使用的作為半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物的具體例子包括氧化鉬(MoOx)、氧化釩(VOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎢(WOx)等。也可以使用不同于前述物質(zhì)的其它物質(zhì)。作為具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物，可以使用芳香族胺化合物(即含有苯環(huán)與氮的鍵的化合物)例如4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(縮寫a-NP0)、4，4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(縮寫TPD)、4，4'，4"-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(縮寫TDATA)、4，4'，4"-三[N_(3_甲基苯基)-N-苯基_氨基]_三苯胺(縮寫MTDATA)。前述物質(zhì)主要是空穴遷移率大于或等于10—6cm7Vs的物質(zhì)。也可以使用其它物質(zhì)，只要它們的空穴輸送性質(zhì)大于電子輸送性質(zhì)。具有上述結(jié)構(gòu)的第一層203具有高空穴注入性質(zhì)。在第一層203中，半導(dǎo)體氧化物或者金屬氧化物的聚集受到層中含有的具有高空穴傳輸性質(zhì)的物質(zhì)的抑制。也就是說，抑制了第一層203的結(jié)晶。另外，第一層203也可以由分別含有半導(dǎo)體及具有高輸送性質(zhì)化合物，且混合物具有不同比例的至少兩個層而不是一個層形成。此外，第一層203除了含有選自半導(dǎo)體氧化物和金屬氧化物以及具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物以外，還包含具有高位阻(即化合物具有與平面結(jié)構(gòu)相反的空間性)的化合物。作為具有高位阻的化合物，優(yōu)選5，6，ll，12-四苯基并四苯(縮寫紅熒烯)。另外，也可以采用hexabenilbenzene、二苯基蒽、叔丁基茈、9，10-二(苯基)蒽、香豆素545T等。另7外，也可以使用樹枝狀聚合物等。因此，氧化鉬的結(jié)晶可以通過在第一層203中混入帶有高位阻結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，即與平面結(jié)構(gòu)相反的空間性的物質(zhì)來抑制。第二層204是由具有高空穴輸送性質(zhì)的物質(zhì)形成的層，例如由芳香胺化合物(即帶有苯環(huán)-氮原子鍵的化合物)，例如a-NPD，TPD，TDATA，MTDATA等形成。前述物質(zhì)主要是空穴遷移率大于或等于10—6cm7Vs的物質(zhì)。也可以使用其空穴輸送性質(zhì)高于電子輸送性質(zhì)的另一種物質(zhì)。另外，第二層204可以通過堆疊含有前述物質(zhì)的至少兩層形成，而不是僅由一層形成。第三層205含有具有高發(fā)光性能的物質(zhì)。例如，可以將具有高發(fā)光性質(zhì)的物質(zhì)如N'N-二甲基喹吖啶酮(縮寫匿Qd)、2H-苯并吡喃-2-酮(縮寫香豆素)以及具有高載流子輸送性質(zhì)及良好成膜性能的物質(zhì)，即很難結(jié)晶的物質(zhì)如三(8-羥基喹啉根)合鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum,縮寫Alq》或者9，10-二(2-萘基)蒽(縮寫DNA)相互自由混合使用。Alq3及DNA具有高發(fā)光性質(zhì)，因此第三層205可以單獨由Alq3或DNA形成。第四層206是由具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等形成的層，例如具有高電子輸送性質(zhì)的物質(zhì)如三(8-羥基喹啉根)合鋁(縮寫Alq》、三(5-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(縮寫Almq3)、雙(10-羥基苯并)[h]-喹啉酚根(phenolato))合鈹(縮寫B(tài)eBq2)以及雙(2-甲基_8_羥基喹啉根)_4_苯基苯酚根_合鋁(縮寫B(tài)Alq)。進一步，具有噁二唑配基或者噻唑配基的金屬配合物例如雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噁唑]合鋅(縮寫Zn(B0X)2)以及雙[2-(2_羥基苯基)-苯并噻唑]合鋅(縮寫Zn(BTZ)2)。除了金屬配合物，也可以使用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-l，3，4-噁二唑(縮寫PBD)、1，3_雙[5-(p-叔-丁基苯基)-l，3，4-噁二唑-2-基]苯(縮寫0XD-7)、3-(4-叔-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(縮寫TAZ)、3-(4-叔-丁基苯基)+(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-l，2，4-三唑(縮寫p-EtTAZ)、紅菲咯啉(縮寫B(tài)Phen)、浴銅靈(縮寫B(tài)CP)等。前述物質(zhì)的遷移率大于或等于10—6cm7Vs?？梢允褂昧硪环N物質(zhì)，只要這種物質(zhì)的空穴輸送性質(zhì)高于電子輸送性質(zhì)。另外，第四層206可以由含有前述物質(zhì)的至少兩層而不是一層形成。作為第二電極207的材料，優(yōu)選采用功函較小(最大3.8eV)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或者是上述材料的混合物。作為陰極材料的具體例子，可以使用元素周期表中第一或第二族金屬，即堿金屬如鋰(Li)或銫(Cs);堿土金屬如鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr);包括上述元素的合金(Mg:Ag，Al:Li)。如果要將促進電子注入的層堆疊在第二電極207和發(fā)光層之間，可以將各種導(dǎo)電材料如A1、Ar、含有IT0的硅等作為第二電極207使用，而無需考慮這些材料的功函。堿金屬化合物或堿土金屬化合物如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等可以用于促進電子注入的層。另外，可以采用由具有高電子輸送性質(zhì)并含有堿金屬或堿土金屬的物質(zhì)例如含有鎂(Mg)的Alci3等形成的層。第一層203、第二層204、第三層205以及第四層206可以采用除氣相沉積以外的方法形成。例如，可以采用噴墨、旋轉(zhuǎn)涂層等方法。每個電極或每一層都可以分別采用不同的薄膜成型方法得到。在本發(fā)明的具有前述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件內(nèi)部，由于第一電極201及第二電極207之間產(chǎn)生電勢差，因而有電流流過，空穴及電子在具有高發(fā)光性能的第三層205內(nèi)部相互重結(jié)合，然后產(chǎn)生光。因此，在第三層205中形成發(fā)光區(qū)域。然而，不要求整個第三層205充當發(fā)光區(qū)域。例如，可以在第三層205內(nèi)部的第二層204的側(cè)面或者第四層206中形成發(fā)光區(qū)域。光穿過第一電極202或第二電極207或者二者，發(fā)射到外部。因此，第一電極202或第二電極207或者二者由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成。對于只有第一電極202是由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，如圖2A所示，光從基材發(fā)出穿過第一電極202。對于只有第二電極207是由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，光從基材反面發(fā)出穿過第二個電極207。對于第一電極202及第二電極207都是由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，光從基材及基材反面發(fā)出穿過第一電極202及第二電極207。在第一電極202和第二電極207之間形成的層的結(jié)構(gòu)不限于上述的結(jié)構(gòu)。也可以采用除上述結(jié)構(gòu)以外的結(jié)構(gòu)，只要形成的結(jié)構(gòu)其空穴及電子重組區(qū)域遠離第一電極202及第二電極207，以便防止由于發(fā)光區(qū)域與金屬相互靠近而導(dǎo)致猝滅；含有選自包括半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物以及具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物的層(而且，可以含有具有高位阻的化合物)。不特別限制層的分層結(jié)構(gòu)。由具有高電子輸送性質(zhì)的物質(zhì)或高空穴輸送性質(zhì)的物質(zhì)、具有高電子注入性能的物質(zhì)、具有高空穴注入性能的物質(zhì)、具有雙極性(高電子或高空穴輸送性質(zhì))的物質(zhì)等形成的層可以與由選自半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物、具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物形成的層相互自由組合。而且，載流子重組的區(qū)域可以通過提供超薄層如氧化硅層來控制。例如，可以形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。然而，層結(jié)構(gòu)不限于此。如圖3所示的發(fā)光元件通過堆疊充當陰極的第一個電極502;由具有高電子輸送性質(zhì)的物質(zhì)形成的第一層503;由具有高發(fā)光性能的物質(zhì)形成的第二層504;由具有高空穴輸送性質(zhì)的物質(zhì)形成的第三層505;由含有選自半導(dǎo)體氧化物和金屬氧化物和具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物的第四層506;充當陽極的第二個電極507得到。另外，圖3中的參考號501表示基材。根據(jù)本實施方式，在玻璃或塑料基材上制造發(fā)光元件。可以采用在一種基材上生產(chǎn)許多這種發(fā)光元件來制造被動型發(fā)光裝置。替代玻璃或塑料基材，可以在薄膜晶體管(TFT)陣列上制造發(fā)光元件。因此，可以生產(chǎn)由TFT控制發(fā)光元件驅(qū)動的主動基體型發(fā)光裝置。不特別要求TFT的結(jié)構(gòu)?？墒鞘墙诲eTFT或是逆交錯TFT?？梢酝ㄟ^N型TFT以及P型TFT在TFT陣列基材上形成驅(qū)動回路。也可以選擇由N型TFT或P型TFT形成驅(qū)動回路。相應(yīng)的，包括含有選自半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物、具有高空穴輸送性質(zhì)的物質(zhì)的層的發(fā)光元件中，層的結(jié)晶可以受到抑制。因此，可以抑制由于層的結(jié)晶而導(dǎo)致的漏流，因而可以獲得長期使用的發(fā)光元件。在包括含有某種化合物的層的發(fā)光元件中，可以進一步抑制層的結(jié)晶，獲得使用期更長的發(fā)光元件，其中層中含有的化合物選自半導(dǎo)體氧化物及金屬氧化物、具有高空穴輸送性質(zhì)的物質(zhì)以及具有高位阻的物質(zhì)。實施例1之后，說明本發(fā)明的發(fā)光元件的制造方法及其性能。在玻璃基材上沉積氧化銦錫(ITO)形成第一電極。接著，將沉積有ITO的玻璃基材在真空下于15(TC處理30分鐘。9通過氧化鉬以及具有高空穴輸送性質(zhì)的a-NPD的共蒸發(fā)，在第一個電極上形成第一層。氧化鉬與a-NPD的重量比為0.245:1。形成的第一層的厚度為130nm。這里使用的術(shù)語"共蒸發(fā)"是指從一個加工室中提供的許多蒸發(fā)源中將每種材料蒸發(fā)出來，在氣相中將蒸發(fā)材料混合使混合材料沉積到主體上的方法。通過a-NPD的氣相沉積在第一層上形成第二層，其厚度為lOnm。通過Alq3與香豆素-6的共蒸發(fā)在第二層上形成第三層。Alq3與香豆素_6的重量比為l:0.002。形成的第三層其厚度為37.5nm。通過A1化的氣相沉積在第三層上形成第四層，其厚度為37.5nm。通過氟化鈣(CaF2)的氣相沉積在第四層上形成第五層，其厚度為lnm。通過鋁的氣相沉積在第五層上形成第二電極，其厚度為200nm。圖1及4所示是由此制備的發(fā)光元件的設(shè)備特性。圖4所示是根據(jù)實施例1制造的發(fā)光元件的亮度_電壓特性。圖4中，橫軸表示施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖4所示初始電壓(onsetvoltage)即電發(fā)光亮度大于或等于lcd/m2時的電壓，該電壓約為2.5V。圖1所示是根據(jù)實施例1制造的發(fā)光元件每小時測試所得亮度變化值。圖1中，橫軸表示小時，縱軸表示亮度。亮度以初始亮度值的相對值表示，初始亮度值為100。亮度變化是通過對發(fā)光元件連續(xù)施加恒量電流來測試的，也就是對發(fā)光元件施加應(yīng)力；在給定時間間隔測試發(fā)光元件的亮度。要求施加電流的電流密度能達到1000cs/m2的初始亮度。圖1說明，100小時后亮度值變?yōu)?2，即與初始亮度相比，亮度降低了18%。實施例2解釋了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光元件的特性。在玻璃基材上沉積氧化銦錫(ITO)形成第一個電極。沉積有ITO的玻璃基材在150。C處理30分鐘。通過氧化鉬、具有高空穴輸送性質(zhì)的a-NPD以及具有高位阻的紅熒烯的共蒸發(fā)，在第一電極上形成第一層。氧化鉬與紅熒烯的重量比為0.245:0.018。第一層的厚度為130nm。通過a-NPD的氣相沉積在第一層上形成第二層，其厚度為10nm。通過Alq3與香豆素-6的共蒸發(fā)在第二層上形成第三層，其厚度為37.5nm。Alq3與香豆素-6的重量比為l:0.002。通過A1化的氣相沉積在第三層上形成第四層，其厚度為37.5nm。通過氟化鈣(CaF2)的氣相沉積在第四層上形成第五層，其厚度為lnm。通過鋁的氣相沉積在第五層上形成第二電極，其厚度為200nm。圖1及4所示是由此制備的發(fā)光元件的設(shè)備特性。測試方法與實施例1中說明的方法相同。圖4所示為初始電壓即電發(fā)光亮度大于或等于lcd/m2時的電壓，該電壓約為2.5V。圖1說明，100小時后亮度值變?yōu)?2，即與初始亮度相比亮度降低了8%。實施例3解釋了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光元件的特性。在玻璃基材上沉積氧化銦錫(IT0)形成第一個電極。沉積有ITO的玻璃基材在150。C處理30分鐘。通過氧化鉬、具有高空穴輸送性質(zhì)的4，4'-雙(N-(4-(N，N-二-m-trylamino)苯基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(縮寫DNTPD)以及具有高位阻的紅熒烯進行共蒸發(fā)，在第一電極上形成第一層。氧化鉬與紅熒烯的重量比為0.5:1:0.05。第一層的厚度為120nm。通過a-NPD的氣相沉積在第一層上形成第二層，其厚度為lOnm。通過Al化與香豆素-6的共蒸發(fā)，在第二層上形成第三層，其厚度為37.5nm。Alq3與香豆素-6的重量比為l:0.003。通過A1化的氣相沉積在第三層上形成第四層，其厚度為37.5nm。通過氟化鈣(CaF2)的氣相沉積在第四層上形成第五層，其厚度為lnm。通過鋁的氣相沉積在第五層上形成第二電極，其厚度為200nm。圖8及9所示是由此制備的發(fā)光元件的設(shè)備特性。測試方法與實施例1中說明的方法相同。圖8中，橫軸表示施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖9中，橫軸表示小時，縱軸表示亮度(相對值)。圖8所示是初始電壓，也就是電發(fā)光亮度大于或等于lcd/m2時的電壓，該電壓約為2.4V。圖9說明，100小時后亮度值變?yōu)?3，即與初始亮度相比亮度降低了7%。比較例1作為比較例，解釋了發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光元件的設(shè)備特性，其中第二層僅由氧化鉬形成。氧化銦錫(ITO)沉積在玻璃基材上形成第一個電極。將沉積有ITO的玻璃基材在150。C處理30分鐘。通過氧化鉬的氣相沉積在第一個電極上形成第一層，其厚度為100nm。通過a-NPD的氣相沉積在第一層上形成第二層，其厚度為60nm。通過A1化與香豆素的共蒸發(fā)在第二層上形成第三層，其厚度為37.5nm。Alq3與香豆素的重量比為1:0.002。通過A1化的氣相沉積在第三層上形成第四層，其厚度為37.5nm。通過氟化鈣(CaF2)的氣相沉積在第四層上形成第五層，其厚度為lnm。通過鋁的氣相沉積在第五層上形成第二電極，其厚度為200nm。圖1及4所示是由此制備的發(fā)光元件的設(shè)備特性。測試方法與實施例1中說明的方法相同。圖4所示為初始電壓即電發(fā)光亮度大于或等于lcd/m2時的電壓，該電壓約為2.5V。圖1說明，根據(jù)對比例制造的發(fā)光元件其亮度在100小時后急劇下降，并且不能發(fā)光。這是因為由于第二層的結(jié)晶而導(dǎo)致了漏流。相應(yīng)的，實施例1或2中說明的發(fā)光元件采用與對比例中說明的發(fā)光元件相同的驅(qū)動電壓時可以發(fā)光。與含有僅由氧化鉬形成的層的發(fā)光元件相同，本發(fā)明的發(fā)光元件在低壓下工作?？梢匝娱L實施例1或2中發(fā)光元件的使用壽命。這就說明這樣一個事實，即通過與具有高空穴輸送性質(zhì)的化合物例如a-NPD或者是具有高位阻的化合物如紅熒烯相互混合，P型化合物的結(jié)晶可以受到抑制。實施例4實施例4說明了帶有本發(fā)明發(fā)光元件的活性基體發(fā)光裝置。如圖5所示，在基材90上提供驅(qū)動晶體管91以及本發(fā)明的發(fā)光元件92。用來驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管91電連接到本發(fā)明的發(fā)光元件92上。這里使用的"發(fā)光元件"是指在電極93及電極94之間帶有發(fā)光層的層，該層含有氧化鉬、具有高輸送性質(zhì)的物質(zhì)以及具有高位阻的物質(zhì)。發(fā)光元件92被空白層95分開。本發(fā)明的發(fā)光元件其結(jié)構(gòu)可以是充當陽極的電極位于較低的一側(cè)("較低"這一術(shù)語是指相應(yīng)發(fā)光元件提供了驅(qū)動晶體管的區(qū)域)，充當陰極的電極位于較高側(cè)("較高側(cè)"是指相應(yīng)發(fā)光元件未提供驅(qū)動晶體管的區(qū)域)。另外，發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)也可以是充當陰極的電極位于較低側(cè)，充當陽極的電極位于較高側(cè)。對于前者的情況，驅(qū)動晶體管91是p槽型，對于后一種情況，驅(qū)動晶體管91可以是n槽型。驅(qū)動晶體管91可以是交錯型或者反向交錯型。驅(qū)動晶體管91的半導(dǎo)體層可以是任何一層結(jié)晶半導(dǎo)體層、無定形半導(dǎo)體層或者半非晶態(tài)半導(dǎo)體層。半非晶態(tài)半導(dǎo)體具有在非晶型結(jié)構(gòu)及結(jié)晶結(jié)構(gòu)(包括單晶及多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)。半非晶態(tài)半導(dǎo)體具有穩(wěn)定的與自由能相關(guān)的第三態(tài)以及具有近程有序及晶格形變的結(jié)晶區(qū)域。半導(dǎo)體的至少部分區(qū)域，晶粒的直徑在0.5至20nm之間。拉曼光譜變?yōu)椴〝?shù)小于520cm—、通過X射線衍射，可以觀察到由Si晶格衍生而來的衍射峰(111)，(220)。半導(dǎo)體中含有1原子％的氫或鹵素作為懸空鍵的中和劑。這類半導(dǎo)體就是所謂的微晶半導(dǎo)體。通過輝光放電分解(等離子CVD)形成硅化物氣體。作為硅化物氣體，除了SiH4以外，可以使用Si2H6，SiH2Cl2，SiHCl3，SiCl4，SiF4等。硅化物氣體可以通過H2或者是H2與一種或多種選自He，Ar，Kr以及Ne的稀有氣體稀釋。稀釋范圍在2至1000倍之間。施加的電壓在O.1至133Pa之間。電源頻率在1至120MHz之間，優(yōu)選13至60MHz。物質(zhì)的加熱溫度最大為30(TC，優(yōu)選100至25(TC。作為半導(dǎo)體薄膜中的雜質(zhì)，氣態(tài)成分如氧氣、氮氣、烴等，其濃度優(yōu)選最大為1Xl(T/cm3，尤其是氧氣，其濃度最大為5Xl(^/cm3，優(yōu)選lX1019/cm3。含有半非晶態(tài)半導(dǎo)體的TFT(薄膜晶體管)，其遷移率約在1至10m7Vsec之間。充當陽極的電極或者充當陰極的電極，或者兩者都可以由具有傳光性質(zhì)的材料形成。對于充當陽極的電極位于較低一側(cè)，只有充當陽極的電極由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，如圖5A所示，光通過有驅(qū)動晶體管的一側(cè)發(fā)射；進一步，對于充當陰極的電極位于較低側(cè)，只有充當陰極的電極由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，如圖5A所示，光通過有驅(qū)動晶體管的一側(cè)發(fā)射；對于充當陽極的電極位于較低一側(cè)，只有充當陰極的電極由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，如圖5B所示，光通過與提供驅(qū)動晶體管相反的一側(cè)發(fā)射。對于充當陰極的電極位于較低一側(cè)，只有充當陽極的電極由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，如圖5B所示，光通過與提供驅(qū)動晶體管相反的一側(cè)發(fā)射。對于充當陽極及陰極的電極都由具有傳光性質(zhì)的物質(zhì)形成的情況，如圖5C所示，光從兩側(cè)發(fā)出，而與電極是提供在較低側(cè)或較高側(cè)無關(guān)。發(fā)光元件可發(fā)出單色光或者全色光，例如紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)等。每個發(fā)光元件優(yōu)選被空白層分開?？瞻讓涌梢杂珊袩o機物質(zhì)或有機物質(zhì)或者兩者的材料形成。12例如，可以采用氧化硅薄膜。也可以采用具有由丙烯酸、聚酰亞胺及硅氧烷(硅(Si)及氧(0))鍵形成的骨架結(jié)構(gòu)以及在取代基中具有氫的材料。也可以選擇使用包括選自欺代基中含有氟化物、烷基、芳烴的至少一種物質(zhì)。另外，形成的空白層優(yōu)選具有巻曲邊緣部分，該部分的曲率半徑連續(xù)變化。本發(fā)明的發(fā)光元件具有較長的使用壽命，因此根據(jù)本發(fā)明制造的發(fā)光元件可以長期顯示圖像及發(fā)光。實施例5與外輸入終端連接后，將如實施例4所示的包括本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置安裝在各種電器中。根據(jù)本發(fā)明制造的這種電器能長期顯示高質(zhì)量圖像。這是由于本發(fā)明的發(fā)光元件具有較長使用壽命的原因。實施例5中，參考圖6及7說明了包括發(fā)光元件的發(fā)光裝置及安裝有發(fā)光元件的電器。圖6是包括本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置的頂視圖。圖7只是電器的一個實施方式，發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)不限于此。圖6中，由虛線表示的標號401表示驅(qū)動電路部分(源側(cè)驅(qū)動電路)；402是像素部分；403是驅(qū)動電路部分(門側(cè)驅(qū)動電路)。標號404表示封閉基材，405表示應(yīng)用封閉劑的部分。當這些電路通過裝置基材410上提供的電路從充當外部輸入終端的FPC(撓性印刷電路)409接受視頻信號、時鐘信號、起動信號、復(fù)位信號等時，將信號輸入源側(cè)驅(qū)動電路401及門側(cè)驅(qū)動電路403。盡管圖6中只描繪了FPC，可以提供有印刷線板(PWB)的FPC。根據(jù)實施例5的發(fā)光裝置不僅指發(fā)光裝置主體，而且還包括提供FPC或PWB的主體。圖7是安裝有如圖6所示發(fā)光裝置的一個電器的實施方式。圖7所示是通過實施本發(fā)明得到的手提電腦，該電腦包括主機5501、外殼5502、顯示部分5503、鍵盤5504等。顯示設(shè)備可以通過在手提電腦中加入包括本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光裝置完成。除了實施例5中說明的手提電腦以外，手機、電視接收裝置、汽車導(dǎo)航、照明系統(tǒng)等都可以安裝包括本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光裝置。實施例6在實施例6中說明本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法，發(fā)光元件的設(shè)備特性。實施例6中，制造四個發(fā)光元件，即發(fā)光元件(1)、發(fā)光元件(2)、發(fā)光元件(3)和發(fā)光元件(4)，各發(fā)光元件具有厚度不同的第一層。在玻璃基材上由含二氧化硅的氧化銦錫(ITO)形成第一電極。然后，將沉積有第一電極的玻璃基材在真空下于15(TC處理30分鐘。通過氧化鉬、紅烯和在第一電極上的DNTPD以0.67:1:0.02重量比進行共蒸發(fā)，形成第一層。發(fā)光元件(1)的第一層厚度為40nm。發(fā)光元件(2)的第一層厚度為80nm。發(fā)光元件(3)的第一層厚度為120nm。發(fā)光元件(4)的第一層厚度為160nm。通過在第一層上的蒸氣沉積，形成10nm厚度的第二層。通過Alq3和香豆素-6以1:0.005重量比共蒸發(fā)，在第二層上形成第三層。第三層厚度為37.5nm。通過將Alq3氣相沉積在第三層上，形成37.5nm厚的第四層。通過將氟化鋰(LiF)蒸氣沉積在第四層上，形成lnm厚的第五層。通過將鋁氣相沉積在第五層上，形成200nm厚的第二電極。圖10和11所示為制造的發(fā)光元件的設(shè)備特性。圖10所示為按照實施例6制造的發(fā)光元件的亮度_電壓特性。圖10中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示亮度(cg/m2)。此外，實心圓點代表發(fā)光元件(1)的特性；空心圓點代表發(fā)光元件(2)的特性；實心方點代表發(fā)光元件(3)的特性；空心方點代表發(fā)光元件(4)的特性。圖10顯示，各發(fā)光元件中，初始開始電壓，即對lcd/tf或更高的場致發(fā)光的電壓約為2.5V。盡管各發(fā)光元件的第一層并不相同，但初始電壓對各發(fā)光元件是基本相同。因此，通過改變本發(fā)明第一層的厚度控制光路長度，能容易地提高其中使用電極來反射光發(fā)射的發(fā)光元件的光發(fā)射的外偶合效率。圖11所示為實施例6制造的發(fā)光元件的每小時亮度變化。圖11中，橫軸上是小時，縱軸上是亮度。亮度以初始亮度值的相對值表示，初始亮度值為100。通過在發(fā)光元件上連續(xù)施加恒量的電流，測定亮度的變化，即在發(fā)光元件上施加應(yīng)力；在給定時間間隔測試發(fā)光元件的亮度。要求施加電流的電流密度為在初始狀態(tài)獲得3000cs/m2亮度的場致發(fā)光所需的電流密度，并測定施加電流下達到的亮度。圖11顯示，100小時后，各發(fā)光元件(1)、(2)、(3)和(4)中，與初始亮度相比，亮度下降14%或更低。因此，本發(fā)明實施的發(fā)光元件的亮度幾乎不會變差。實施例7在實施例7中說明本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法，發(fā)光元件的設(shè)備特性。實施例7中，制造九個發(fā)光元件，即發(fā)光元件(11)、發(fā)光元件(12)、發(fā)光元件(13)、發(fā)光元件(14)、發(fā)光元件(15)、發(fā)光元件(16)、發(fā)光元件(17)、發(fā)光元件(18)和發(fā)光元件(19)，它們的第一電極是由不同材料制成。發(fā)光元件(11)的第一電極是由含百分之幾硅的鋁在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(12)的第一電極是由含百分之幾鈦的鋁在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(13)的第一電極是由鈦在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(14)的第一電極是由氮化鈦在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(15)的第一電極是由鉭在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(16)的第一電極是由氮化鉭在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(17)的第一電極是由鎢在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(18)的第一電極是由鉻在玻璃基材上形成。發(fā)光元件(19)的第一電極是由鉬在玻璃基材上形成。然后，將有第一電極的玻璃基材在真空下于15(TC處理30分鐘。通過氧化鉬、紅烯和在第一電極上的a-NPD以O(shè).1:1:0.02重量比共蒸發(fā)形成第一層。第一層厚度為60nm。通過在第一層上的a-NPD氣相沉積，形成10nm厚度的第二層。通過Al化和香豆素-6以1:0.005重量比共蒸發(fā)，在第二層上形成第三層。通過將Alq3氣相沉積在第三層上，形成20nm厚的第四層。通過將鋰(Li)和4，4'-二(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(縮寫為BzOs)以0.02:1重量比共蒸發(fā)在第四層上，形成20nm厚的第五層。在第五層上由氧化銦錫(ITO)形成110nm厚的第二電極。14為測定對lcd/m2的場致發(fā)光的初始電壓，在制造的各發(fā)光元件上施加電壓，使第一電極的電勢高于第二電極。圖12顯示由實心方點指出的測定結(jié)果。圖12中，橫軸表示制造的發(fā)光元件，縱軸表示電壓(V)。對比例2作為實施例7中所述發(fā)光元件的比較例，下面說明發(fā)光元件(21)、發(fā)光元件(22)、發(fā)光元件(23)、發(fā)光元件(24)、發(fā)光元件(25)、發(fā)光元件(26)、發(fā)光元件(27)、發(fā)光元件(28)和發(fā)光元件(29)。構(gòu)成各發(fā)光元件(21)_(29)的各層由和發(fā)光元件(11)_(19)相同的材料制造成相同的厚度，不同之處是，各發(fā)光元件(21)_(29)的第一層是由銅酞菁形成。發(fā)光元件(21)的第一電極是由含百分之幾硅的鋁形成。發(fā)光元件(22)的第一電極是由含百分之幾鈦的鋁形成。發(fā)光元件(23)的第一電極是由鈦形成。發(fā)光元件(24)的第一電極是由氮化鈦形成。發(fā)光元件(25)的第一電極是由鉭形成。發(fā)光元件(26)的第一電極是由氮化鉭形成。發(fā)光元件(27)的第一電極是由鎢形成。發(fā)光元件(28)的第一電極是由鉻形成。發(fā)光元件(29)的第一電極是由鉬形成。為測定對lcd/m2或更高的場致發(fā)光的初始電壓，在制造的各發(fā)光元件上施加電壓，使第一電極的電勢高于第二電極的電勢。圖12顯示由實心三角標注的測定結(jié)果。圖12顯示，第一層由銅酞菁形成的發(fā)光元件(21)-(29)的初始電壓彼此不同，即，初始電壓取決于形成第一電極的材料。另一方面，表明實施的發(fā)光元件(11)_(21)的初始電壓彼此幾乎相同，而與形成第一電極的材料無關(guān)。本發(fā)明的發(fā)光元件很少受到形成電極的材料種類的影響。因此，根據(jù)本發(fā)明制造其中使用電極來反射光發(fā)射的發(fā)光元件時，能容易地選擇由具有更好反射性材料形成的電極。實施例8下面說明本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法，發(fā)光元件的特性。實施例8中，制造第一層厚度不同的發(fā)光元件。揭示，膜厚度取決于發(fā)光元件的驅(qū)動電壓。使用實施例6制造的發(fā)光元件(1)至(4)作為樣品。形成的發(fā)光元件(1)的第一層厚度為40nm。發(fā)光元件(2)的第一層厚度為80nm。發(fā)光元件(3)的第一層厚度為120nm。發(fā)光元件(4)的第一層厚度為160nm。在各發(fā)光元件上施加電壓，使第一電極的電勢高于第二電極。圖13所示是發(fā)光元件(1)至(4)的電流密度_電壓特性。盡管發(fā)光元件(1)至(4的)第一層厚度存在差異，但它們的電流密度_電壓特性幾乎沒有差異。比較例3作為實施例8所述的發(fā)光元件的比較例，下面說明發(fā)光元件(30)、發(fā)光元件(31)、發(fā)光元件(32)、發(fā)光元件(33)、發(fā)光元件(34)和發(fā)光元件(35)。制造第二層厚度不同的發(fā)光元件(30)至(35)。由銅酞菁形成厚度為20nm的第一層。第二層通過氣相沉積由a-NPD形成。形成的發(fā)光元件(30)的第二層厚度為60nm。發(fā)光元件(31)的第二層厚度為80nm。發(fā)光元件(32)的第二層厚度為100nm。發(fā)光元件(33)的第二層厚度為120nm。發(fā)光元件(34)的第二層厚度為140nm。發(fā)光元件(35)的第二層厚度為160nm。然后，通過共蒸發(fā)Alq3和香豆素_6，在第二層上形成第三層，Alq3和香豆素_6的重量比為l:0.005，第三成厚度為37.5nm。通過氣相沉積Alq3，在第三層上形成37.5nm厚的第四層。通過氣相沉積氟化鈣(CaF》，在第四層上形成lnm厚的第五層。通過氣相沉積鋁，在第五層上形成200nm厚度的第二電極。操作各發(fā)光元件，施加電壓，使第一電極的電勢高于第二電極。圖14所示是發(fā)光元件(30)至(35)的電流密度-電壓特性。發(fā)光元件的驅(qū)動電壓隨第二層厚度增加而提高。因此，由a-NPD形成的第二層的厚度增加導(dǎo)致驅(qū)動電壓增加。比較例4作為實施例8所述的發(fā)光元件的比較例，下面說明發(fā)光元件(36)、發(fā)光元件(37)和發(fā)光元件(38)。由氧化鉬形成各第一層，但各發(fā)光元件的第一層厚度彼此不同。由銅酞菁形成厚度為20nm的第二層。通過氣相沉積a-NPD形成厚度為40nm的第三層。然后，通過共蒸發(fā)Alq3和香豆素-6，在第三層上形成厚度為37.5nm的第四層。通過氣相沉積Al化，在第四層上形成厚度為37.5nm的第五層。通過氣相沉積Ca&，在第五層上形成lnm厚的第六層。通過氣相沉積鋁，在第六層上形成200nm厚度的第二電極。操作各發(fā)光元件，施加電壓，使第一電極的電勢高于第二電極。圖15所示是發(fā)光元件(36)至(38)的電流密度-電壓特性。發(fā)光元件的驅(qū)動電壓隨氧化鉬形成的第一層厚度增加而提高。表1列出實施例8、比較例3和比較例4中驅(qū)動電壓與膜厚度的關(guān)系的結(jié)果。表1顯示在發(fā)光元件上施加100mA/cm2電流所需的驅(qū)動電壓。表l厚度在樣品上施加lOOmA/cm2電流所需的驅(qū)動電壓[V][nm].實施例8比較例3比較例420一一11.7406.1—一50—一11.960一12.5—806.313.5—100一15.312.71206.316.5—140—18.9一1606.319.9—實施例8中，在發(fā)光元件(1)至(4)上施加100mA/cm2的電流，需要6.1-6.3V驅(qū)動電壓。另一方面，在比較例3，在發(fā)光元件(30)至(35)上施加100mA/cm2的電流，需要12.5-19.9V驅(qū)動電壓。在比較例4，在發(fā)光元件(36)至(38)上施加100mA/cm2的電流，需要11.7-12.7V驅(qū)動電壓。表1列出的結(jié)果表明，由有機化合物和無機化合物的混合物形成的層的發(fā)光元16件，驅(qū)動電壓低于由a-NPD或為無機化合物的氧化鉬形成的層的發(fā)光元件的驅(qū)動電壓。而且，還表明，即使增加層厚度也能防止驅(qū)動電壓的增加。因此，使用本發(fā)明提供的發(fā)光元件可降低驅(qū)動電壓，因而可降低發(fā)光元件的能耗。還可以增加發(fā)光元件的厚度，使減少電極對之間的短路成為可能。實施例9實施例9說明具有2.4英寸屏幕的QVGA活性基體發(fā)光裝置的特性。在實施例4中，活性基體發(fā)光裝置通過晶體管驅(qū)動發(fā)光元件。發(fā)光裝置具有下面所述的構(gòu)形。由含二氧化硅的氧化銦錫形成第一電極。通過共蒸發(fā)氧化鉬和具有高空穴輸送性質(zhì)的a-NPD，在第一電極上形成第一層。優(yōu)選由氧化鉬和a-NPD的混合物形成厚度為120nm的第一層的發(fā)光裝置作為發(fā)光裝置l。同樣，優(yōu)選由氧化鉬和a-NPD的混合物形成厚度為240nm的第一層的發(fā)光裝置作為發(fā)光裝置2。通過氣相沉積A1化，在第一層上形成厚度為10nm的第二層。通過共蒸發(fā)Alq3和香豆素_6，在第二層上形成厚度為40nm的第三層。通過氣相沉積Al化，在第三層上形成厚度為30nm的第四層。通過氣相沉積氟化鈣(CaF2)，在第四層形成厚度為lnm的第五層。通過氣相沉積鋁，在第五層上形成厚度為200nm的第二電極。在開始通電以及進行60小時溫度周期試驗(+85°C(4小時)至_40°C(4小時))后，檢測在發(fā)光裝置1和2上的黑斑(未發(fā)光像素)數(shù)量。發(fā)光裝置1的黑斑平均數(shù)量，在通電開始時為0.7，溫度周期試驗后為2.3。發(fā)光裝置2的黑斑平均數(shù)量，在通電開始時為0.5，溫度周期試驗后為0.5。在此，術(shù)語"黑斑平均數(shù)量"指發(fā)光裝置測試的接近三角數(shù)字(traingle皿mber)的平均值。比較例5作為實施例9的比較例，制造具有不同構(gòu)形的發(fā)光元件的活性基體發(fā)光裝置。按照下面方式形成發(fā)光元件。由銅酞菁形成厚度為20nm的第一層。由a-NPD形成厚度為40nm的第二層。通過共蒸發(fā)Alq3和香豆素_6，在第二層上形成厚度為40nm的第三層。通過氣相沉積Alq3，在第三層上形成厚度為40nm的第四層。通過氣相沉積氟化鈣(CaF2)，在第四層形成厚度為lnm的第五層。通過氣相沉積鋁，在第五層上形成厚度為200nm的第二電極。在開始通電以及進行60小時的溫度周期試驗(+85°C(4小時)至-4(TC(4小時))后，檢測在發(fā)光裝置3上的黑斑數(shù)量。發(fā)光裝置3的黑斑平均數(shù)量，在通電開始時為18，溫度周期試驗后為444。溫度周期試驗后的黑斑數(shù)量是通電開始時的25倍。表2列出實施例9和比較例5中進行60小時溫度周期試驗(+85°C(4小時)至-4(TC(4小時))后的黑斑數(shù)量的結(jié)果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>實施例9的發(fā)光裝置1和2在通電開始時幾乎觀察不到黑斑，并且在溫度周期試驗后也沒有增加。另一方面，比較例5的裝置3，在通電開始時觀察到大量黑斑，在溫度周期試驗后增加到通電開始時的25倍。這一差別是由于氧化鉬和a-NPD的混合物形成的第一層厚度增加。實施例9的結(jié)果表明，通過增加發(fā)光元件厚度能明顯減少黑像素缺陷。根據(jù)實施例8的結(jié)果，很清楚，驅(qū)動電壓并不隨發(fā)光元件厚度的增加而提高。英寸，按照本發(fā)明可以制造具有低驅(qū)動電壓和明顯抑制黑像素缺陷的發(fā)光裝置。實施例10測試由金屬氧化物的氧化鉬形成的膜、由有機化合物的a-NPD形成的膜、和由氧化鉬和a-NPD的混合物形成的膜的特性。這些膜菌均通過蒸氣沉積形成。如表3所示，由氧化鉬和a-NPD的混合物形成的膜的離子電勢比由氧化鉬形成的膜和由a-NPD形成的膜低約0.1-0.2eV。結(jié)果，提高了由氧化鉬和a-NPD的混合物形成的膜的空穴陰極注入性能。飽<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>圖16所示為膜的吸收光譜。在該吸收光譜中，氧化鉬膜和a-NPD膜在可見光區(qū)沒有特征峰。另一方面，由氧化鉬和a-NPD(0M0x)的混合物形成的膜的吸收小于氧化鉬形成的膜。因此，通過試驗氧化鉬和a-NPD的混合物形成的層，而不是氧化鉬形成的層，可以減少光吸收損失。圖16中，由氧化鉬和a-NPD的混合物形成的膜的光譜在約500nm有一新的吸收峰。這一吸收峰是由于在膜中，在氧化鉬和a-NPD之間形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物的結(jié)果。氧化鉬是受體，而a-NPD是供體。還可以確定，不僅a-NPD，而且胺基化合物如DNTPD也可用作供體。如實施例1或2中所述，包括含選自金屬氧化物和具有高空穴輸送性質(zhì)化合物的化合物的層的發(fā)光元件，由于抑制了層的結(jié)晶，而能延長發(fā)光元件的壽命。如上所述，無機材料和有機材料的混合物能產(chǎn)生分別使用這些材料所不能獲得的協(xié)同效應(yīng)。盡管通過參考附圖完整的說明了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然可以對本發(fā)明作變動及修改。因此，除非以其他方式說明，這些變動和修改不應(yīng)背離本發(fā)明的范圍，而是包括在本發(fā)明中。19權(quán)利要求發(fā)光元件包含第一電極，含有有機化合物和氧化鉬的第一層，所述有機化合物和氧化鉬混合在所述第一層中，含有發(fā)光化合物的發(fā)光層，以及第二電極，其中，所述第一層和所述發(fā)光層夾在所述第一電極和第二電極之間，其中，所述有機化合物的空穴輸送性質(zhì)高于所述有機化合物的電子輸送性質(zhì)，其中，所述有機化合物和氧化鉬在所述第一層中形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物。2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中，所述第一電極是陽極，其中，所述第一層與第一電極接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中，所述有機化合物是芳香按化合物。4.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中，所述有機化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴遷移率。5.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中，所述第一層具有40nm至160nm的膜厚度。6.發(fā)光元件包含第一電極，含有有機化合物和無機化合物的第一層，所述有機化合物和所述無機化合物混合在第層中，含有發(fā)光化合物的發(fā)光層，以及第二電極，其中，所述第一層和所述發(fā)光層夾在所述第一電極和第二電極之間，其中，所述第一層與第一電極接觸，其中，所述無機化合物是半導(dǎo)體氧化物或金屬氧化物，其中，所述有機化合物的空穴輸送性質(zhì)高于所述有機化合物的電子輸送性質(zhì)，其中，所述有機化合物和無機化合物在所述第一層中形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物。7.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述第一電極是陽極。8.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述有機化合物是芳香按化合物。9.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述有機化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴遷移率。10.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述第一層具有40nm至160nm的膜厚度。11.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述無機化合物選自氧化鉬，氧化釩，氧化釕和氧化鎢。12.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述無機化合物是氧化鉬。13.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中，所述第一電極包含金屬，以及其中，所述第二電極具有透光性，當將電壓施加在所述第一電極和所述第二電極之間時通過所述第二電極提取光。14.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，還包含第二層，其中，所述第二層形成在所述第一層和發(fā)光層之間，其中，所述第二層含有芳香按化合物。15.具有多個發(fā)光元件的活性基體發(fā)光裝置，每個所述多個發(fā)光元件含有第一電極，含有有機化合物和氧化鉬的第一層，所述有機化合物和氧化鉬混合在第一層中，含有發(fā)光化合物的發(fā)光層，以及第二電極，其中，所述第一層和所述發(fā)光層夾在所述第一電極和第二電極之間，其中，所述有機化合物的空穴輸送性質(zhì)高于所述有機化合物的電子輸送性質(zhì)，其中，所述有機化合物和氧化鉬在所述第一層中形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物。16.根據(jù)權(quán)利要求15的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述第一電極是陽極，以及其中，所述第一層與第一電極接觸。17.根據(jù)權(quán)利要求15的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述有機化合物是芳香按化合物。18.根據(jù)權(quán)利要求15的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述有機化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴遷移率。19.根據(jù)權(quán)利要求15的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述第一層具有40nm至160nm的膜厚度。20.具有多個發(fā)光元件的活性基體發(fā)光裝置，每個所述多個發(fā)光元件含有第一電極，含有有機化合物和無機化合物的第一層，所述有機化合物和無機化合物混合在第一層中，含有發(fā)光化合物的發(fā)光層，以及第二電極，其中，所述第一層和所述發(fā)光層夾在所述第一電極和第二電極之間，其中，所述第一層與第一電極接觸，其中，所述無機化合物是半導(dǎo)體氧化物或金屬氧化物，其中，所述有機化合物的空穴輸送性質(zhì)高于所述有機化合物的電子輸送性質(zhì)，其中，所述有機化合物和無機化合物在所述第一層中形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物。21.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述第一電極是陽極。22.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述有機化合物是芳香按化合物。23.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述有機化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴遷移率。24.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述第一層具有40nm至160nm的膜厚度。25.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述無機化合物選自氧化鉬，氧化釩，氧化釕和氧化鎢。26.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述無機化合物是氧化鉬。27.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光裝置，其中，所述第一電極包含金屬，其中，所述第二電極是透光性，當將電壓施加在所述第一電極和所述第二電極之間時通過所述第二電極提取光。28.根據(jù)權(quán)利要求20的活性基體發(fā)光元件，還包含第二層，其中，所述第二層形成在所述第一層和發(fā)光層之間，其中，所述第二層含有芳香按化合物。全文摘要本發(fā)明披露了一種能在低驅(qū)動電壓下工作，并且與傳統(tǒng)的發(fā)光元件相比具有較長使用期的發(fā)光元件以及這種發(fā)光元件的制造方法。披露的發(fā)光元件在一對電極之間含有復(fù)合層；復(fù)合層中至少有一層含有選自半導(dǎo)體氧化物、金屬氧化物的化合物以及具有較高空穴輸送性質(zhì)的化合物。這種發(fā)光元件能抑制含有一種選自半導(dǎo)體氧化物、金屬氧化物的化合物以及具有較高空穴輸送性質(zhì)的化合物的層的結(jié)晶。由此，可以延長發(fā)光元件的使用壽命。文檔編號H01LGK101777628SQ200910266838公開日2010年7月14日申請日期2004年9月24日優(yōu)先權(quán)日2003年9月26日發(fā)明者坂田淳一郎,池田壽雄申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所