專利名稱：一種吸峰電容器的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于電容器技術領域，具體涉及一種吸峰電容器。
背景技術：
多晶硅是生產半導體和太陽能電池的基礎材料，在未來50年內，多晶硅是 電子和光伏產業(yè)的主要原材料，目前各國均在發(fā)展多晶硅生產能力和裝備。太 陽能電池用多晶硅己經占到多晶硅產量的90%以上，而多晶硅還原爐多檔調壓 器是多晶硅生產的關鍵設備。調壓器所帶負載是可控硅棒串聯(lián)而成的純電阻負 載，現(xiàn)有技術中存在的問題是可控硅在非工作檔承受較大的電壓尖峰和較大的 dv/dt (電壓隨時間的變化率)，使非工作檔可控硅誤導通至損壞。

實用新型內容
本實用新型的目的是要解決多晶硅還原爐調壓器用可控硅易損壞，而現(xiàn)有 可控硅在非工作檔需要承受較大的電壓尖峰和dv/dt等問題，提供一種縮小電 壓尖峰和限制dv/dt的吸峰電容器。
本實用新型的技術方案是以下述方法實現(xiàn)的
本實用新型的吸峰電容器，包括外殼和引線，外殼內設有填充層，填充層 內封裝下套，填充層內部設有芯子，芯子兩端面設置噴金層，所述芯子包括芯 軸，芯軸外包裹有至少一圈金屬化膜層，金屬化膜層的一側設有白膜層I，白膜
層i的一側設有鋁箔層，鋁箔層的一側設有白膜層n。
所述的芯軸外包裹有1~4圈金屬化膜層。 所述鋁箔層至少包括一片鋁箔。 所述鋁箔層包括兩片鋁箔。 所述的金屬化膜層由聚丙烯層和鋁層組成。 所述白膜層I和白膜層II是聚丙烯材質組成的膜。
現(xiàn)有技術中電容器由白膜層和金屬膜層兩層纏繞在芯軸上組成，本實用新 型采用鋁箔層、白膜層I、金屬膜層和白膜層II四層纏繞在芯軸上組成。與現(xiàn)有 電容器相比，本實用新型加上鋁箔層后，能吸收較大的電流，采用兩層介質白 膜，耐壓能力強，能承受較大的電壓尖峰和dv/dt。鋁箔層由兩片或兩片以上的 鋁箔串聯(lián)組成，則進一步增強了電容器的耐壓能力。電容器的兩個極分別采用 聚丙烯金屬化膜和鋁箔，使電容器既能吸收大電流又具有自愈功能。采用本實
3用新型的電容器并聯(lián)在可控硅兩端，電容器將造成過電壓的能量變成電場能量 儲存到電容器中，縮小了可控硅兩端的電壓尖峰，限制了dv/dt，起到了保護 可控硅、防止可控硅誤導通而損壞的作用。


圖1為本實用新型的剖視示意圖2為本實用新型中芯子的主視示意圖3為本實用新型中芯子的左視示意圖4為實施例1中不帶芯軸的芯子的展開示意圖5為金屬化膜層的展開結構示意圖6為實施例2中不帶芯軸的芯子的展開示意圖。
具體實施方式實施例1
如圖1所示，本實用新型包括外殼6和引線1，外殼6內設有填充層5，填 充層5內封裝下套4，填充層5內部封裝芯子3，芯子3兩端面設置噴金層10， 所述兩條引線1 一條焊接在噴金層10上，另一條通過芯軸2焊在另一端噴金層 上。
如圖2、圖3和圖4所示，所述芯子3包括芯軸2，芯軸2外包裹有一圈金 屬化膜層11，金屬化膜層11的一側設有白膜層I 8，白膜層I 8的一側設有鋁箔 層9，鋁箔層9的一側設有白膜層I113，所述鋁箔層9有一片鋁箔組成。
所述白膜層I 8和白膜層II 13是聚丙烯材質組成的膜。
如圖5所示，所述的金屬化膜層11包括聚丙烯層7和鋁層12。
所述的芯軸2外包裹的金屬化膜層11還可以是兩圈、三圈或者四圈。
由于可控硅耐受過電壓能力極差，當電路中電壓超過其反向擊穿電壓時， 即使時間極短，可控硅也容易損壞。如果正向電壓超過其轉折點時，可控硅則 誤導通，這種誤導通次數(shù)頻繁時，也可能使元件損壞、可控硅的特性下降。本 實用新型的采用鋁箔層、白膜層1、金屬膜層和白膜層II四層纏繞在芯軸上組成。 能吸收較大的電流，采用兩層介質白膜，耐壓能力強，能承受較大的電壓尖峰 和dv/dt。電容器的兩個極分別采用聚丙烯金屬化膜和鋁箔，使電容器又具有自 愈功能。將本實用新型并聯(lián)在可控硅兩端，當有反向電壓或者電壓隨時間變化 有較大的電壓尖峰時，電容器將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容器 中，縮小了加載到電容器兩端電壓尖峰、限制了dv/dt對可控硅的影響。當電容器兩端施加過高的電壓時，聚丙烯薄膜被擊穿，擊穿點阻抗明顯降低，流過的 電流密度急劇增大，使金屬鍍層產生高熱，擊穿點周圍的金屬導體迅速蒸發(fā)逸 散，形成了金屬鍍層空白區(qū)，擊穿點自動回復絕緣，這樣電容器自身又具有自 愈功能。進一步確保了與電容器并聯(lián)的可控硅使用的安全性。
實施例2
如圖6所示，所述鋁箔層9包括兩片鋁箔。鋁箔層9由兩片鋁箔串聯(lián)組成 時，能進一步增強了電容器的耐壓能力?；蛘咚鲣X箔層由三片鋁箔組成，其 它同實施例1。
權利要求1、一種吸峰電容器，包括外殼(6)和引線(1)，外殼(6)內設有填充層(5)，填充層(5)內封裝下套(4)，填充層(5)內部設有芯子(3)，芯子(3)兩端面設置噴金層(10)，其特征在于所述芯子(3)包括芯軸(2)，芯軸(2)外包裹有至少一圈金屬化膜層(11)，金屬化膜層(11)的一側設有白膜層I(8)，白膜層I(8)的一側設有鋁箔層(9)，鋁箔層(9)的一側設有白膜層II(13)。
2、 根據(jù)權利要求1所述的吸峰電容器，其特征在于所述的芯軸(2)外包 裹有1 4圈金屬化膜層(11)。
3、 根據(jù)權利要求1或2之一所述的吸峰電容器，其特征在于所述鋁箔層(9) 至少包括一片鋁箔。
4、 根據(jù)權利要求3所述的吸峰電容器，其特征在于所述鋁箔層(9)包括 兩片鋁箔。
5、 根據(jù)權利要求4所述的吸峰電容器，其特征在于所述的金屬化膜層(11) 由聚丙烯層(7)和鋁層(12)組成。
6、 根據(jù)權利要求5所述的吸峰電容器，其特征在于所述白膜層I (8)和白 膜層II (13)是聚丙烯材質組成的膜。
專利摘要本實用新型公開一種吸峰電容器，屬于電容器技術領域。包括外殼和引線，外殼內設有填充層，填充層內封裝下套，填充層內部設有芯子，芯子兩端面設置噴金層，所述芯子包括芯軸，芯軸外包裹有至少一圈金屬化膜層，金屬化膜層的一側設有白膜層I，白膜層I的一側設有鋁箔層，鋁箔層的一側設有白膜層II。與現(xiàn)有電容器相比，本實用新型加上鋁箔層后，能吸收較大的電流，采用兩層介質白膜，耐壓能力強，能承受較大的電壓尖峰和dv/dt。鋁箔層由兩片或兩片以上的鋁箔串聯(lián)組成，則進一步增強了電容器的耐壓能力。電容器的兩個極分別采用聚丙烯金屬化膜和鋁箔，使電容器既能吸收大電流又具有自愈功能。
文檔編號H01G4/015GK201413772SQ20092009157
公開日2010年2月24日 申請日期2009年5月27日 優(yōu)先權日2009年5月27日
發(fā)明者向曉瓊, 華 彭 申請人:來恩偉業(yè)(鶴壁)電子科技有限責任公司