專利名稱：半導體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
一般地，作為半導體發(fā)光元件，已知的構(gòu)造為在基板上層疊成為接觸層的η型半導體層、η型熔覆層、活性層、P型熔覆層和成為接觸層的P型半導體層，并相對于成為接觸層的η型半導體層和P型半導體層，分別形成成為歐姆電極的η電極和P電極。在這樣的半導體發(fā)光元件中，當從P型半導體層一側(cè)取出光時，作為P電極，一般采用具有高透過率的ITO(銦錫氧化物)。但是，該ITO由于低的歐姆性，因此，僅僅用ITO難以制作特性好的器件。因此，為了具備良好的接觸特性、透過性，提出了在ITO和接觸層之間設置由In、Sn 以外的金屬構(gòu)成的金屬氧化物層(例如，參照特開2001-196633號公報)。但是，在上述特開2001-196633號公報中，由于夾著金屬氧化物層的區(qū)域而存在 ΙΤ0,因此，實際上不能發(fā)揮ITO本來的透過率。此外，由于采用ITO以外的金屬的氧化物， 因此，蝕刻條件與ITO不同，存在加工過程復雜的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是考慮上述問題而提出的，其目的在于提供具備歐姆性和透過性盡可能好的P電極的半導體發(fā)光元件。根據(jù)本發(fā)明的第1方式的半導體發(fā)光元件，其特征在于，具備基板；在上述基板上設置的η型半導體層；在上述η型半導體層的第1區(qū)域上設置的發(fā)光的活性層；在上述活性層上設置的P型半導體層；在上述P型半導體層上設置的且具有氧含有率小于40原子％ 的第1導電性氧化物層的P電極；以及在上述η型半導體層的第2區(qū)域上設置的η電極。此外，根據(jù)本發(fā)明的第2方式的半導體發(fā)光元件，其特征在于，具備基板；在上述基板上設置的η型半導體層；在上述η型半導體層上設置的發(fā)光的活性層；在上述活性層上設置的P型半導體層；在上述P型半導體層上設置的且具有氧含有率小于40原子％的第 1導電性氧化物層的P電極；以及在上述基板的與上述η型半導體層相反一側(cè)的面設置的η 電極。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第1實施方式的半導體發(fā)光元件的截面圖。圖2是表示用于說明第1實施方式的半導體發(fā)光元件的效果的仿真結(jié)果的圖。圖3(a)至圖3(c)是表示用于說明第1實施方式的半導體發(fā)光元件的效果的仿真結(jié)果的圖。圖4是繪制圖2所示的仿真結(jié)果的曲線圖。圖5是表示用于說明第1實施方式的半導體發(fā)光元件的效果的仿真結(jié)果的圖。圖6是表示第1實施方式的半導體發(fā)光元件的電極的形狀的一個具體例子的圖。
圖7是表示第1實施方式的半導體發(fā)光元件的電極的形狀的另一個具體例子的圖。圖8是根據(jù)第1實施方式的變形例的半導體發(fā)光元件的截面圖。圖9是根據(jù)第2實施方式的半導體發(fā)光元件的截面圖。
具體實施例方式以下參照

本發(fā)明的實施方式。第1實施方式在圖1中示出根據(jù)本發(fā)明的第1實施方式的半導體發(fā)光元件的截面。本實施方式的半導體發(fā)光元件如下制造。首先，如圖1所示，在藍寶石基板2上通過MOCVD (金屬有機化學汽相淀積)法或者MBE (分子束外延)法等形成不摻雜的GaN緩沖層(未圖示)之后，在該緩沖層上形成η 型GaN層4。在此，藍寶石基板2如圖1所示，為了提高光取出效率，可以采用在表面形成凹凸的加工基板，也可以采用在表面未形成凹凸的平坦基板。接著，在η型GaN層4上通過MOCVD、MBE法等形成由InGaN構(gòu)成的活性層6。由 InGaN構(gòu)成的活性層6具有單量子阱(SQW)構(gòu)造或多量子阱(MQW)構(gòu)造。進一步地，在由 InGaN構(gòu)成的活性層6上，通過MOCVD法等按順序地形成未圖示的由ρ型AlGaN構(gòu)成的熔覆層和ρ型GaN層8。通過將這樣制成的基板用RTA(快速退火)爐等進行熱處理，促進ρ型 GaN層8的ρ型雜質(zhì)的活性。接著，在ρ型GaN層8的表面上形成透明的ρ電極10。該透明的ρ電極10的詳細形成方法在后面描述。在P電極10形成之后，使用光刻技術(shù)和RIE(反應離子蝕刻)法等蝕刻技術(shù)，如圖1所示，除去P電極10、p型GaN層8、由ρ型AWaN構(gòu)成的熔覆層(未圖示)以及由InGaN構(gòu)成的活性層6的層疊膜的一部分，在底面使GaN層4的表面露出，同時除去該露出的η型GaN層4的一部分。作為該除去方法，并不限于RIE法，也可以通過濕蝕刻進行。接著，在整個面上通過CVD法等形成透明的絕緣膜12。作為透明的絕緣膜，采用了 SiO2等。然后，通過光刻技術(shù)和濕蝕刻法等除去η型GaN層4上的透明的絕緣膜12的一部分，使η型GaN層4露出。然后，通過真空蒸鍍和提離，在露出的η型GaN層4上形成η電極14。η電極14由Ti和Al的層疊膜形成，更具體地，采用從下往上順序地層疊Ti/Al/Ti/ Pt的4層層疊構(gòu)造。該η電極14通過在氮氣中實施溫度650°C的退火而提高歐姆接觸性。接著，通過使用光刻技術(shù)和濕蝕刻法除去ρ電極10上的透明的絕緣膜12的一部分，使P電極10上的一部分表面露出。使用真空蒸鍍法，在露出的P電極10上形成接合用的襯墊(pad)電極16，同時在η電極14上形成接合用的襯墊電極18。作為襯墊電極16、 18的材質(zhì)，可以如從下往上順序地層疊Ti/Pt/Au的層疊膜或者從下往上順序地層疊Ni/Au 的層疊膜那樣，在上部的層使用Au，在與η電極14或ρ電極10的界面使用相干性高的Ni、 Ti。最后，使用光刻技術(shù)和RIE技術(shù)，設置達到藍寶石基板2的元件分離用溝22，芯片化變得容易。然后，通過CVD法、濺射法、蒸鍍法等以覆蓋到該元件分離用溝22的側(cè)面為止的方式形成透明的絕緣膜12。
本實施方式的ρ電極10由透明的導電性氧化物(例如ΙΤ0)構(gòu)成，具備第IITO層 IOa和在該第IITO層IOa上形成的第2IT0層10b。第IITO層IOa例如被形成為層厚度在 IOOnm以下，并且與第2IT0層IOb相比，ITO的氧含有量少。這樣，由于第IITO層IOa成為氧損失多的ITO層，因此，成為類金屬的狀態(tài)，具有低的接觸電阻。另一方面，第2IT0層 IOb設為具有在透過率、電氣傳導性方面佳的氧含有量的ITO層。通過這樣的構(gòu)成，能夠獲得具有低的接觸電阻和良好的透過性、電氣傳導性的P電極10。另外，當ρ電極10的厚度在IOOnm以下時，也可以不設置第2IT0層IOb而僅僅由第IITO層IOa構(gòu)成ρ電極10。由該ITO構(gòu)成的ρ電極10的形成方法例如使用電子束蒸鍍法形成。首先，基板的溫度為200°C 450°C左右，蒸鍍速率為0. lnm/sec 1. 5nm/sec，不導入氧而將背壓設為通常推薦的真空度(1. OXl(T5TorrWT)的條件下，對ITO燒結(jié)材料照射電子束，在ρ型GaN 層8上將層厚度為IOnm IOOnm左右的第IITO層IOa成膜。此時，由于第IITO層IOa的層厚度依賴于期望的透過率、薄膜電阻，因此，不必限于IOnm lOOnm。接著，在上述溫度、上述蒸鍍速率下，以氧分壓成為1. OX IO-4Torr 1.0X10_3Torr左右的方式使氧流入，將導電率和透過性良好的第2IT0層IOb成膜。在此， 第2IT0層IOb也可以從第IITO層IOa形成時開始連續(xù)地一邊增加氧流入量一邊進行成膜， 消除與第IITO層IOa的氧導入的邊界。首先，參照圖2說明與ITO層的特性有關(guān)的形成時的氧分壓依賴性。準備膜厚度都為 250nm 的單層的 ITO 層、氧分壓為 OTorrU. OX IO^4Torr,4. OX IO^4Torr,7. OX IO^4Torr 而形成的4種ITO層的樣本a、b、c、d，在圖2中示出調(diào)查與各個樣本a、b、c、d有關(guān)的接觸電阻(Ω ^cm2K透過率(％)、電阻率(薄膜電阻)和氧含有率(原子％)的結(jié)果。另外， 透過率表示對ITO層進行熱處理后的值。根據(jù)該圖2可知，存在氧分壓越低、接觸電阻就越低的傾向。另一方面，存在透過率隨著氧分壓越高而越大的傾向，兩者難以兩全。因此，本發(fā)明者為了獲得第IITO層IOa的最佳的接觸電阻，則如圖3 (a)、圖3 (b)、 3(c)所示，進行在由η型半導體層、活性層以及ρ型半導體層構(gòu)成的層疊膜上形成η電極和P電極的半導體發(fā)光元件的電壓下降仿真。該仿真是相對于P電極的接觸電阻為 1Χ10_2(Ω -cm2)的半導體發(fā)光元件和ρ電極的接觸電阻為1Χ10_3(Ω -cm2)的半導體發(fā)光元件，計算注入20mA的電流時的半導體發(fā)光元件的各層中的電壓下降。根據(jù)圖3(b)、3(c) 可知，P電極的接觸電阻為1Χ10_3(Ω -cm2)的情況與ρ電極的接觸電阻為IX 10_2( Ω -cm2) 的情況相比，P電極的電壓下降減小了 1位數(shù)，作為半導體發(fā)光元件，能夠?qū)崿F(xiàn)大約6% 的驅(qū)動電壓的低電壓化。因此，在本實施例中，優(yōu)選地，第IITO層IOa的接觸電阻小于 1Χ10_2(Ω · cm2)，從而能夠獲得良好的接觸電阻。此外，根據(jù)圖2所示的測定結(jié)果，在圖4中示出了描繪上述樣本a、b、c、d的電阻率和氧含有率與接觸電阻的氧分壓依賴性的曲線圖。如根據(jù)圖4所示的曲線圖可知的，電阻率在氧分壓為大約4X KT4(Torr)時最低，而比該氧分壓值小或者大時，電阻率上升。當然，與氧分壓的上升相應地，氧含有率上升，接觸電阻也上升。如上所述，由于第IITO層IOa 的接觸電阻優(yōu)選地小于1 X 10_2 ( Ω -cm2)，因此，根據(jù)圖4可知，優(yōu)選地，第IITO層IOa的氧含有率比O原子％大且小于40原子％，更優(yōu)選地，在5原子％以上而小于40原子％。接著，如根據(jù)本實施方式的由ITO構(gòu)成的ρ電極那樣，準備與具有第IITO層和在該第IITO層上形成的第2IT0層的ITO電極有關(guān)的3種樣本e、f、g。樣本e、f、g被形成為膜厚度都設為250nm，將第IITO層的成膜時的氧分壓全部設為OTorr，將第2IT0層的成膜時的氧分壓全部設為4. OX KT4Torr，將第IITO層的層厚度分別設為10nm、30nm、50nm。在圖5中示出調(diào)查與這些樣本e、f、g有關(guān)的接觸電阻(Ω μπι2)、透過率(％)和電阻率的結(jié)果。另外，透過率表示對ITO層實施熱處理后的值。根據(jù)該圖5可知，第IITO層在IOnm左右的厚度下沒有接觸電阻的降低效果。此外，在設置有第IITO層時(樣本e、f、g時)，成膜時的氧分壓相同或者高，與圖2所示的樣本c或樣本d相比，接觸電阻變?yōu)榇蠹s1/3左右。 此外，在樣本e、f、g時，獲得透過率在90%以上，電阻率也在1.0Χ10_3(Ω - cm)以下，不遜色于通過一般的蒸鍍法形成的由單層的ITO構(gòu)成的ρ電極的特性。另外，在特開2005-244128號公報中公開了作為在半導體層疊膜上形成的ρ電極使用向包含從由鋅、銦、錫和鎂構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的導電性氧化物膜導入氧并使與上述半導體層疊膜相反一側(cè)的面中的氧濃度成為最高而構(gòu)成的電極的半導體發(fā)光元件。但是，在該特開2005-2441 號公報所記載的半導體發(fā)光元件中，導電性氧化物膜在其與半導體層疊膜的界面一側(cè)設置有薄膜電阻低的層，即電阻率小的層。導電性氧化物，例如ITO的薄膜電阻，一般依賴于氧損失量。如果氧損失量變少， 則載流子變少，電阻率變高。此外，如果氧損失量過少，則結(jié)晶性變差，載流子的遷移率減少，電阻率變高。即，變成圖4所示的特性。根據(jù)圖4可知，薄膜電阻低的ITO層，即電阻率低的ITO層，其電阻率為1Χ10_4(Ω - cm)左右，氧含有率為61原子％左右。另外，電阻率為 1X10-4(Ω -cm)的 ITO 的載流子密度為 1.0XlO2tl(原子/cm3) 1. 0X IO21 (原子/cm3)， 可見光的透過率為90%以上。因此，在特開2005-2441 號公報所記載的半導體發(fā)光元件中，與半導體層疊膜的界面一側(cè)的上述P電極層(與本實施方式的第IITO層對應)的氧含有率為61原子％左右，比P電極的其它部分的氧含有率小。與此相對，在本實施方式的半導體發(fā)光元件中，根據(jù)圖4可知，第IITO層的氧含有率小于40原子％，因此，與特開2005-2441 號公報所記載的半導體發(fā)光元件的上述ρ電極層相比，結(jié)晶性稍差，薄膜電阻(電阻率)也變高。但是，在本實施方式中，由于將載流子密度高的(傳導電子濃度高的)ITO層作為第IITO層，因此，與特開2005-2441 號公報所記載的半導體發(fā)光元件相比，接觸電阻低，即歐姆性佳。于是，在本實施方式中，為了使作為 P電極整體的薄膜電阻降低且使透過率提高，形成在第IITO層上層疊薄膜電阻低且透過率高的第2IT0層的構(gòu)成。如以上所說明的，根據(jù)本實施方式，能夠獲得具備歐姆性和透過性盡可能良好且加工容易的電極的半導體發(fā)光元件。此外，根據(jù)本實施方式的由ITO構(gòu)成的ρ電極，即使是比根據(jù)蝕刻速率換算的蝕刻時間長50%的蝕刻，也可以使側(cè)面蝕刻在1 μ m以下，并且具有能夠無殘渣地加工的優(yōu)點。 對此在下面進行說明。第IITO層IOa與進行了氧導入的第2IT0層IOb相比，結(jié)晶粒小。該結(jié)晶粒小的第IITO層IOa與具有高導電性、高透過性的第2IT0層IOb相比，蝕刻速率大。 在濕蝕刻時，從結(jié)晶粒的微小間隙滲入的蝕刻劑首先蝕刻第IITO層10a，上層的第2IT0層 IOb隨后成為蝕刻形態(tài)。將此時的蝕刻速率假設為A。側(cè)面蝕刻與上層的第2IT0層的緩慢的蝕刻速率有關(guān)系。將該速率設為B。通常，當以單層對由ITO構(gòu)成的ρ電極成膜時，A = B，如果進行50%過蝕刻，則能夠進行大的側(cè)面蝕刻。因此，非常難以選定用于減少側(cè)面蝕刻且進行無殘渣的蝕刻的蝕刻時間。但是，在根據(jù)本實施方式的ITO電極中，第IITO層的蝕刻速率A遠遠大于第2IT0層的蝕刻速率B ( S卩，A >> B)，因此，可以設置沒有殘渣的充分的蝕刻時間。根據(jù)本實施方式的成膜了的由ITO構(gòu)成的ρ電極10通過在氮中以500°C 800°C 的溫度進行熱處理，能夠獲得良好的接觸特性。這是因為通過進行熱處理，從由ITO構(gòu)成的 P電極10向P型GaN層8 —側(cè)稍微擴散、反應了的^形成InGaN的狹帶層，載流子容易產(chǎn)生隧道效應。在本實施方式中，第IITO層IOa如前所述地成為類金屬的狀態(tài)，與高導電、高透過性的第2IT0層IOb相比，結(jié)晶性差。因此，通過熱處理，h容易向ρ型GaN層8—側(cè)擴散，與通常的ITO電極相比，接觸電阻變低。因此，上述熱處理溫度盡可能地高。優(yōu)選地， 在700°C附近。這是因為GaN結(jié)晶的成長一般在700°C以上進行，因此，是對結(jié)晶不產(chǎn)生損害且最可能引起界面反應的高溫度。在本實施方式中，由ITO構(gòu)成的ρ電極10例如也可以通過濺射法進行成膜。此時， 濺射法形成的成膜由于飛散粒子的能量高，因此，作為成膜時的基板溫度，能夠在常溫 300°C的范圍中選擇。此外，在本實施方式的半導體發(fā)光元件中，為了進行引線接合，分別形成ρ側(cè)襯墊電極16和η側(cè)襯墊電極18。此時，ρ側(cè)襯墊電極16和η側(cè)襯墊電極18的形狀，如圖6所示，也可以在半導體發(fā)光元件的頂面的兩端的附近形成。在此，圖6示出本實施方式的半導體發(fā)光元件的頂面。此外，如圖7所示，η側(cè)襯墊電極18以具備在半導體發(fā)光元件的一個端部的附近形成的襯墊部18a和從該襯墊部18a向ρ側(cè)襯墊電極16延伸的1條細線部18b 的方式形成，P電極16以具備在半導體發(fā)光元件的另一個端部的附近形成的襯墊部16a和從該襯墊部16a向η側(cè)襯墊電極18延伸的2條細線部16b、16c的方式形成。這樣，通過設置細線部，可以很好地進行電流的擴展。另外，P側(cè)襯墊電極16和η側(cè)襯墊電極18的形狀也可以不是正方形而是圓形，其形成的位置也可以不是兩端的附近，而是任意一個襯墊電極設置在半導體發(fā)光元件的頂面的中心附近。此外，在第1實施方式中，透明的絕緣膜12例如用S^2形成。該成膜方法有CVD 法、濺射法、蒸鍍法等各種方法。此外，由于具有絕緣性即可，因此，作為透明的絕緣膜12，可以不限于SiO2，也可以使用TiO2等。此外，在第1實施方式中，在ITO電極10上沒有形成透明的絕緣膜12，但是，如圖 8所示，如同第1實施方式的變形方式的半導體發(fā)光元件，也可以在由ITO構(gòu)成的ρ電極10 上形成。在這種情況下，優(yōu)選地，透明的絕緣膜12的折射率η比由ITO構(gòu)成的ρ電極10的折射率小O. 0左右)，當將使其透過而取出的光的波長設為λ時，其膜厚度d可以形成為滿足m· λ/4 = η·(1(πι是偶數(shù))的條件。根據(jù)該變形方式的構(gòu)成，通過在由ITO構(gòu)成的ρ 電極10上形成透明的絕緣膜12，可提高光取出效率和可靠性。第2實施方式接著，在圖9中示出根據(jù)本發(fā)明的第2實施方式的半導體發(fā)光元件。本實施方式的半導體發(fā)光元件是在GaN基板32上結(jié)晶生長的半導體發(fā)光元件。即，本實施方式的半導體發(fā)光元件具有在GaN基板32上依次層疊η型GaN層4、InGaN的活性層6、ρ型GaN層8、 第IITO層IOa和第2ΙΤ0層IOb的構(gòu)造。第IITO層IOa和第2ΙΤ0層IOb構(gòu)成ρ電極10。 然后，在P電極10上形成ρ側(cè)襯墊電極16，在GaN基板32的與η型GaN層4相反一側(cè)的面形成η電極14，在η電極14的與GaN基板32相反一側(cè)的面形成η側(cè)襯墊電極18。GaN基板上的結(jié)晶生長方法基本上與藍寶石基板上的結(jié)晶生長方法一樣。一般地， GaN基板上的結(jié)晶，轉(zhuǎn)移密度少，發(fā)光效率高，如果基板的價格下降，則是今后主流的基板。 當GaN基板使用時，如圖9所示，由于基板是導電性的，因此，可以在基板上將η電極14成膜。作為η電極14，與藍寶石基板使用時相同，如果使用Ti/Al系的電極，則可以期待低接觸性。該第2實施方式也可以獲得與第1實施方式同樣的效果。此外，在上述第1和第2實施方式中，雖然采用ITO作為ρ電極的材料，但是，也可以使用包含從In、Si、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Mufei的組中選擇的至少一個元素的導電性氧化物。如以上說明的，在本發(fā)明的各實施方式中，作為ρ電極，通過在與半導體層疊膜相接的區(qū)域使用氧含有率小于40原子％的導電性氧化物層，在其上部形成低薄膜電阻、高透過率的導電性氧化物層，能夠獲得同時實現(xiàn)高的光取出效率和低的驅(qū)動電壓的半導體發(fā)光元件。此外，濕蝕刻時的殘渣也可以減輕。
權(quán)利要求
1.一種半導體發(fā)光元件，其特征在于，具備 基板；在上述基板上設置的η型半導體層；在上述η型半導體層的第1區(qū)域上設置的發(fā)光的活性層；在上述活性層上設置的P型半導體層；在上述P型半導體層上設置的且具有氧含有率小于40原子％的第1導電性氧化物層的P電極；以及在上述η型半導體層的第2區(qū)域上設置的η電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述第1導電性氧化物層至少包含一個從In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的組中選擇的元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述第1導電性氧化物層的接觸電阻小于1Χ1(Γ2 Ω · cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述ρ電極的膜厚度在IOnm 以上且IOOnm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述ρ電極具備在上述第1導電性氧化物層上設置的且氧含有率比上述第1導電性氧化物層高的第2導電性氧化物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述第2導電性氧化物層的透過率比上述第1導電性氧化物層高。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述基板是藍寶石基板或者半導體基板。
8.一種半導體發(fā)光元件，其特征在于，具備 基板；在上述基板上設置的η型半導體層； 在上述η型半導體層上設置的發(fā)光的活性層； 在上述活性層上設置的P型半導體層；在上述P型半導體層上設置的且具有氧含有率小于40原子％的第1導電性氧化物層的P電極；以及在上述基板的與上述η型半導體層相反一側(cè)的面設置的η電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述第1導電性氧化物層至少包含一個從In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的組中選擇的元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述第1導電性氧化物層的接觸電阻小于IX 10_2 Ω · cm2。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述ρ電極的膜厚度在IOnm 以上且IOOnm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述ρ電極具有在上述第1 導電性氧化物層上設置的且氧含有率比上述第1導電性氧化物層高的第2導電性氧化物層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述第2導電性氧化物層的透過率比上述第1導電性氧化物層高。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，上述基板是藍寶石基板或者半導體基板。
全文摘要
能夠提供具備歐姆性和透過性盡可能良好的p電極的半導體發(fā)光元件。該半導體發(fā)光元件具備基板；在基板上設置的n型半導體層；在n型半導體層的第1區(qū)域上設置的發(fā)光的活性層；在活性層上設置的p型半導體層；在p型半導體層上設置的且具有氧含有率小于40原子％的第1導電性氧化物層的p電極；以及在n型半導體層的第2區(qū)域上設置的n電極。
文檔編號H01L33/42GK102265416SQ200980152400
公開日2011年11月30日 申請日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者布上真也, 村本衛(wèi)司 申請人:株式會社東芝