專利名稱：多層式陣列型發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層式陣列型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種結(jié)構(gòu)精簡且制造容易，可大幅減少制造成本及制造時(shí)間的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
LED的發(fā)光原理是利用半導(dǎo)體固有特性，它不同于以往的白熾燈管的放電、發(fā)熱發(fā)光原理，而是將電流順向流入半導(dǎo)體的PN接面時(shí)便會發(fā)出光線，所以LED被稱為冷光源 (cold light)。由于LED具有高耐久性、壽命長、輕巧、耗電量低且不含水銀等有害物質(zhì)等的優(yōu)點(diǎn)，故可廣泛應(yīng)用于照明設(shè)備產(chǎn)業(yè)中，且其通常以LED陣列封裝方式應(yīng)用在電子廣告牌、 交通號志等領(lǐng)域?，F(xiàn)有的LED封裝陣列包括多個(gè)LED，且每一個(gè)LED結(jié)構(gòu)具有一芯片安裝于一導(dǎo)線架上，并藉由一封裝膠體包覆芯片及部份導(dǎo)線架，使導(dǎo)線架的金屬引腳露出封膠體之外而作為對外接點(diǎn)；在組裝成LED陣列時(shí)，其將多個(gè)LED的金屬引腳安裝至一印刷電路板的金屬聯(lián)機(jī)上，以藉此使所述LED相互電性連接。但此種LED封裝陣列受限于該LED結(jié)構(gòu)本身的封裝尺寸，導(dǎo)致體積無法限縮；且因每一 LED的散熱途徑僅能透過金屬引腳而已，散熱效果有限?，F(xiàn)有另有一種LED封裝陣列是將多個(gè)LED芯片直接配置于印刷電路板上進(jìn)行封裝。詳言之，在印刷電路板上設(shè)有與各個(gè)LED芯片相互對應(yīng)的金屬聯(lián)機(jī)層，將所述LED芯片直接安裝于印刷電路板上，并與該金屬聯(lián)機(jī)層形成電性連接；最后再利用一封裝膠體包覆印刷電路板上的各組件，即可完成一 LED封裝陣列。然而現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)為作為LED基板用的印刷電路板使用上彈性不足，因電路板上的線路圖案已被定形，若依據(jù)每個(gè)應(yīng)用場所訂制相符合的電路板，亦使得成本提高且耗時(shí)耗力，并且印刷電路板散熱效果有限，因此必須外加散熱裝置幫助散熱，連帶使得成本增加，也使得結(jié)構(gòu)更為龐大，因此業(yè)界需要一種結(jié)構(gòu)輕薄短小，但制造容易且兼具有使用上彈性的一種多層式陣列型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種多層式陣列型發(fā)光二極管，該多層式陣列型發(fā)光二極管為多層式結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)精簡且制造容易，因此可大幅減少制造成本及制造時(shí)間，其中基板之材質(zhì)為金屬材質(zhì)，因此基板具有金屬優(yōu)異之熱傳導(dǎo)性，可有效排散發(fā)光二極管之熱能。本發(fā)明的另一目的在于提供一種多層式陣列型發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管晶粒以陣列方式配置于基板上，如此可依據(jù)應(yīng)用場合來調(diào)整發(fā)光二極管晶粒的密集度，又該發(fā)光二極管晶粒藉由導(dǎo)線與導(dǎo)線架形成電性連接，如此即使數(shù)顆發(fā)光二極管晶粒損壞，亦不影響對整體發(fā)光亮度及效率。本發(fā)明具體的技術(shù)手段包含有一基板，該基板至少具有一出光區(qū)及兩導(dǎo)線架容置槽，該出光區(qū)為該基板的中間區(qū)塊，該兩導(dǎo)線架容置槽相連于該出光區(qū)的前后側(cè)區(qū)塊，沿該兩導(dǎo)線架容置槽下方板體的外側(cè)底緣處形成有兩呈間隔設(shè)置的凹槽，而相鄰于該出光區(qū)的左、右側(cè)邊區(qū)塊設(shè)置有至少一第一固定孔及至少一穿孔，該第一固定孔的內(nèi)壁面形成有一凸緣；一封裝模塊，其以一射出成型方式形成于該基板周圍，該封裝模塊高于該出光區(qū)的表面的部份定義成一上封裝模塊，該上封裝模塊底面的前后兩側(cè)向下形成有兩凸板，該兩凸板的配置位置及形狀相對應(yīng)于該導(dǎo)線架容置槽，該兩凸板的長度至少大于該導(dǎo)線架容置槽的最長長度，該兩凸板超出于該導(dǎo)線架容置槽的部份并向下延設(shè)有一第一凸部，該第一凸部底端向內(nèi)平行延設(shè)有兩突塊，該兩突塊的配置位置及形狀相對應(yīng)于該兩凹槽，該上封裝模塊底面在相對應(yīng)于該第一固定孔處皆形成有一第二凸部，該第二凸部對應(yīng)于該凸緣的位置則形成有一凹緣，又該上封裝模塊具有一頂面、一第一內(nèi)壁面、一固定面及一反光面，其中該頂面為一位于該上封裝模塊上側(cè)周緣的平面部分，該頂面包含一連接于該上封裝模塊的該第一內(nèi)壁面的內(nèi)邊，該第一內(nèi)壁面垂設(shè)該頂面，且該第一內(nèi)壁面包含一連接于該上封裝模塊的該固定面的底邊，其中該第一內(nèi)壁面的底邊垂直于該固定面，且該固定面平行于該頂面；一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架被封設(shè)于該凸板內(nèi)，該導(dǎo)線架最靠近該出光區(qū)一側(cè)的部份為一內(nèi)電性連接區(qū)，該導(dǎo)線架最遠(yuǎn)離于該出光區(qū)一側(cè)的部份為一外電性連接區(qū)，該內(nèi)電性連接區(qū)及該外電性連接區(qū)之間設(shè)有至少一第二卡合槽及至少一第二固定孔，該第二卡合槽與該第二固定孔皆包埋于該封裝模塊內(nèi)，該內(nèi)電性連接區(qū)的上方及該外電性連接區(qū)整體外露于該封裝模塊，該外電性連接區(qū)設(shè)有多個(gè)焊孔，該外電性連接區(qū)至少須超出該基板的周緣；一罩體，該罩體可罩蓋于該封裝模塊上以保護(hù)包覆將該發(fā)光單元，該罩體的底周緣向外延設(shè)有一延伸座，該延伸座的底面設(shè)有一嵌合部，該嵌合部相對應(yīng)于該罩體嵌合槽；一發(fā)光單元，該發(fā)光單元設(shè)置于該出光區(qū)的表面，該發(fā)光單元包含有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒，所述發(fā)光二極管晶粒與該兩導(dǎo)線架藉多個(gè)導(dǎo)線構(gòu)成一電性連接；一保護(hù)層，該保護(hù)層包覆所述發(fā)光二極管晶粒；以及至少一熒光層，該熒光層位于該保護(hù)層上方。


圖1為顯示本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的外觀示意圖。圖2為本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的部份構(gòu)件的分解示意圖。圖3為顯示本發(fā)明的基板、封裝模塊及罩體的斷面示意圖。圖4為圖1的斷面示意圖。圖5為顯示本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的俯面示意圖。圖6為顯示本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的導(dǎo)線架另一實(shí)施結(jié)構(gòu)。圖7為顯示本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的金屬反光鏡杯的示意圖。圖8為顯示本發(fā)明的封裝模塊的透鏡嵌合槽的一實(shí)施例示意圖。圖9為顯示對應(yīng)于圖8的透鏡嵌合槽而形成的透鏡罩的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下配合說明書附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式做更詳細(xì)的說明，以使本領(lǐng)域技術(shù)人員在研讀本說明書后能據(jù)以實(shí)施。
參閱圖1，為本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的外觀示意圖，參閱圖2，為本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的部份構(gòu)件的分解示意圖，參閱圖3，為本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的俯面示意圖。參閱圖1，本發(fā)明是有關(guān)一種多層式陣列型發(fā)光二極管，其包含有一基板1、一封裝模塊3、兩導(dǎo)線架5及一罩體10。該基板1至少具有一出光區(qū)11及兩導(dǎo)線架容置槽13，如圖2所示，該出光區(qū)11 為該基板1的中間區(qū)塊，該出光區(qū)11的環(huán)周邊設(shè)有一第一卡合槽19，該兩導(dǎo)線架容置槽13 位于該出光區(qū)11的前后側(cè)區(qū)塊，該兩導(dǎo)線架容置槽13下方板體的外緣底側(cè)處形成有兩間隔設(shè)置的凹槽131，該兩凹槽131概呈一長方型或其它適當(dāng)形狀，其中該基板1進(jìn)一步具有設(shè)置于該基板1的左、右側(cè)邊區(qū)塊的至少一第一固定孔15及至少一穿孔17，以及對應(yīng)于該兩導(dǎo)線架容置槽13的至少兩凹槽131，該第一固定孔15的內(nèi)壁面形成有一凸緣151，或者亦可如本實(shí)施方式所示，在左、右側(cè)邊的區(qū)塊各設(shè)置有一個(gè)第一固定孔15及兩個(gè)穿孔17， 兩穿孔17可設(shè)置于第一固定孔15的兩側(cè)或該基板1的端角處。其中該基板1的材質(zhì)可以是一銅、鋁、銅合金、鋁合金或其它適當(dāng)金屬材。該基板1的表面可進(jìn)一步電鍍一導(dǎo)熱反光層(圖面未顯示)，該導(dǎo)熱反光層的材質(zhì)可以是一鎳、一鈀、一白金、一銀、一白金合金或其它適當(dāng)材質(zhì)。參閱圖3，為本發(fā)明的基板、封裝模塊及罩體的斷面示意圖，參閱圖4，圖4為圖1 的斷面示意圖。該封裝模塊3以一射出成型方式形成于該基板1的出光區(qū)周圍，以使該封裝模塊3緊固地與該基板1相結(jié)合，該封裝模塊5的材質(zhì)為一環(huán)氧樹脂(Epoxy)或其它適當(dāng)材質(zhì)，該封裝模塊3高于該出光區(qū)11上表面的部份定義成一上封裝模塊31，要注意的是， 該上封裝模塊31只是為了方便描述本實(shí)施方式所定義出來，并非獨(dú)立于該封裝模塊3的構(gòu)件。該上封裝模塊31底面的前后兩側(cè)向下形成有兩凸板311，該兩凸板311的配置位置及形狀相對應(yīng)于該導(dǎo)線架容置槽13，該兩凸板311的長度至少大于該導(dǎo)線架容置槽13的最長長度，該兩凸板311超出于該導(dǎo)線架容置槽13的部份并向下延設(shè)有一第一凸部3111， 該第一凸部3111底端向內(nèi)平行延設(shè)有兩突塊3111a，該兩突塊3111a用以對應(yīng)地與該兩凹槽131相組裝，該上封裝模塊31底面在相對應(yīng)于該第一固定孔15處皆形成有一第二凸部 33b，該第二凸部33b在對應(yīng)于該凸緣151的位置則形成有一凹緣331b。請?jiān)賲㈤唸D4，該凸板311內(nèi)包埋有該導(dǎo)線架5，其中每一導(dǎo)線架5最靠近該出光區(qū)11 一側(cè)的部份為一內(nèi)電性連接區(qū)，一用以打線接合且包埋于該兩凸板311內(nèi)的中間區(qū)， 該導(dǎo)線架5最遠(yuǎn)離于該出光區(qū)11且未包埋于該兩凸板311內(nèi)的部份為一外電性連接區(qū)， 該外電性連接區(qū)至少須超出該基板1的周緣，其中該外電性連接區(qū)設(shè)有多個(gè)供與外部組件電性連接的焊孔53，該內(nèi)電性連接區(qū)及該外電性連接區(qū)之間設(shè)有至少一第二固定孔51及至少一第二卡合槽51a，或如本實(shí)施方式可在該第二固定孔51兩側(cè)各設(shè)置有該第二卡合槽 51a,并設(shè)置有三個(gè)第二固定孔51及兩焊孔53，因此該第二固定孔51與該第二卡合槽51a 會包埋于該封裝模塊3內(nèi)，而該導(dǎo)線架5的該內(nèi)電性連接區(qū)與該導(dǎo)線架5的該外電性連接區(qū)保留未封入于該封裝模塊3以供打線接合與電性連接使用，該導(dǎo)線架5的上表面至少不低于或平行于該出光區(qū)11的表面。要注意的是，上述該第二固定孔51與兩焊孔53的配置數(shù)量及位置視實(shí)際需求而定，在此僅是說明用的實(shí)例而已，并非用以限制本發(fā)明的范圍。圖6為導(dǎo)線架的另一實(shí)施結(jié)構(gòu)。參閱圖3及圖4所示，該封裝模塊3在射出成型時(shí)，就會把基板1的第一卡合槽19、 凹槽131、第一固定孔15及導(dǎo)線架容置槽13都填滿，因此封裝模塊3的突塊3111a與兩凹槽131以及該凸緣151與該凹緣331會互相卡合，同時(shí)該封裝模塊3的封裝材料3也填滿了該導(dǎo)線架5的第二卡合槽51a及該第二固定孔51的空心部分，藉使得該封裝模塊3與該基板1及該導(dǎo)線架5緊密地結(jié)合成一體。其中該第一卡合槽19及該第二卡合槽51a的斷面形狀可以是“V”型或其它適當(dāng)形狀。該上封裝模塊31具有一頂面33、一內(nèi)壁面331、一固定面3311及一反光面96，其中該頂面33為一位于該上封裝模塊31上側(cè)周緣的平面部分，該頂面33包含一連接于該上封裝模塊31的該內(nèi)壁面331的內(nèi)邊，該內(nèi)壁面331基本上垂設(shè)該頂面33，且該內(nèi)壁面331 包含一連接于該上封裝模塊31的該固定面3311的底邊，其中該內(nèi)壁面331的底邊基本上垂直于該固定面3311，且該固定面3311平行于該頂面33，該固定面3311并設(shè)有一罩體嵌合槽3311a，該罩體嵌合槽3311a的斷面呈“V型”、凹型、“U”型或其它適當(dāng)形狀，其中該反光面96以一 30度至60度范圍之間的傾斜角度設(shè)置在該出光區(qū)11周邊，該反光面96具有一最內(nèi)邊，該反光面96的內(nèi)邊與該熒光墻98相接合，該熒光墻95相對于該出光區(qū)11的上表面以一 30度至60度范圍之間的一傾斜角度而形成，在一些情形中，為了要有更好的反光效應(yīng)，該反光面96與該熒光墻98藉濺鍍方式而形成一鎳涂層或一鉻涂層或設(shè)置涂布有一鎳涂層或鉻涂層的一金屬反光鏡杯于該反光面與該熒光墻之上，以改善該多層式陣列型發(fā)光二極管的反光性能。參閱圖5，為本發(fā)明的多層式陣列型發(fā)光二極管的俯面示意圖，并配合圖3所示。 該出光區(qū)11的上表面并設(shè)置有一發(fā)光單元7，該發(fā)光單元7設(shè)置于該出光區(qū)11的表面，該發(fā)光單元7包含有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒71，所述發(fā)光二極管晶粒71互相打線接合并接合導(dǎo)線W到該兩導(dǎo)線架5以構(gòu)成一電路，其中所述發(fā)光二極管晶粒71以陣列排列或其它適當(dāng)排列方式配置于該出光區(qū)11之上，所述發(fā)光二極管晶粒71上具有一保護(hù)層8，該保護(hù)層8涂布于所述發(fā)光二極管晶粒71及接合的導(dǎo)線W之上，該保護(hù)層8的材質(zhì)為一硅膠或其它適當(dāng)材質(zhì)，該保護(hù)層8上具有至少一熒光層9，該熒光層9在由一熒光墻98所定義的區(qū)域內(nèi)藉提供一磷化合物劑而形成，其中該磷化合物是與硅混合，該熒光層9包覆有該熒光墻98的部分，該熒光層9的材質(zhì)為一磷化合物或其它適當(dāng)材質(zhì)，該熒光墻98相對于該出光區(qū)11的上表面是以一 30度至60度范圍之間的一傾斜角度而形成，該熒光墻98配置于該出光區(qū)周邊 11。該罩體10由可透光性硅膠以射出成形方式制成于該發(fā)光單元7之上，該罩體10 可罩覆該封裝模塊與該發(fā)光單元7以保護(hù)包覆將該發(fā)光單元，其中該罩體10的底周緣向外延設(shè)有一延伸座101，該延伸座101的底面設(shè)有一嵌合部1011，該嵌合部1011的設(shè)置位置相對應(yīng)于該罩體嵌合槽3311a，該延伸座101間的長度至少不小于該上封裝模塊31的該第一內(nèi)壁面331間的長度。其中該罩體10的材質(zhì)為一硅膠材質(zhì)且具有可透光性。將該罩體10的該嵌合部1011對準(zhǔn)于該罩體嵌合槽3311a后即可相互結(jié)合，并且該延伸座101端面同時(shí)緊密面合于該第一內(nèi)壁面331，使得該罩體10穩(wěn)固地固定于該封裝模塊3上。該兩導(dǎo)線架5的焊孔53可分別引接電源導(dǎo)線(圖面未顯示)，當(dāng)施加一偏壓時(shí)，所述發(fā)光二極管晶粒71則受電源驅(qū)動(dòng)發(fā)光，所述發(fā)光二極管晶粒71以陣列排列方式的發(fā)光方式具有高亮度的發(fā)光特性，當(dāng)光源光線穿過該熒光層9產(chǎn)生有混光的效果。參閱圖8與圖9，該罩體嵌合槽3311a可以是一“U”型的斷面并配置于該上封裝模塊31的該反光面96上的一頂部周邊處，并且該罩體嵌合槽3311a相對于該出光區(qū)11的上表面以0度至80度范圍之間的一傾斜角度而配置，而該罩體10的底周緣向外延設(shè)有一延伸座101，該延伸座101的底面設(shè)有一嵌合部1011，該嵌合部1011的設(shè)置位置相對應(yīng)于該罩體嵌合槽3311a，以使該罩體10固定于該封裝模塊3上。以上所述僅為用以解釋本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非企圖據(jù)以對本發(fā)明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的創(chuàng)作精神下所作有關(guān)本發(fā)明的任何修飾或變更，皆仍應(yīng)包括在本發(fā)明意圖保護(hù)的范疇。
權(quán)利要求
1.一種多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，包含一基板，該基板至少具有一出光區(qū)及兩導(dǎo)線架容置槽，其中該出光區(qū)位于該基板的中間區(qū)塊，該兩導(dǎo)線架容置槽位于該基板的前后側(cè)區(qū)塊，其中該基板進(jìn)一步具有設(shè)置于該基板的左、右側(cè)邊區(qū)塊的至少一第一固定孔及至少一穿孔，以及對應(yīng)于該兩導(dǎo)線架容置槽的至少兩凹槽；一封裝模塊，其以一射出成型方式形成于該基板的該出光區(qū)周圍，該封裝模塊高于該出光區(qū)的表面的部份定義成一上封裝模塊，其中該上封裝模塊底面的前后兩側(cè)向下形成有兩凸板，該兩凸板的配置位置相對應(yīng)于該導(dǎo)線架容置槽，該兩凸板的長度至少大于該導(dǎo)線架容置槽的最長長度，該兩凸板超出于該導(dǎo)線架容置槽的部份并向下延設(shè)有一第一凸部， 該第一凸部底端向內(nèi)平行延設(shè)有兩突塊，該兩突塊用以對應(yīng)地與該兩凹槽相組裝，其中該上封裝模塊底面在相對應(yīng)于該第一固定孔處形成有一第二凸部，該第二凸部對應(yīng)于該凸緣的位置則形成有一凹緣，又該上封裝模塊具有一頂面、一第一內(nèi)壁面、一固定面及一反光面，其中該頂面為一位于該上封裝模塊上側(cè)周緣的平面部分，該頂面包含一連接于該上封裝模塊的該第一內(nèi)壁面的內(nèi)邊，該第一內(nèi)壁面垂設(shè)該頂面，且該第一內(nèi)壁面包含一連接于該上封裝模塊的該固定面的底邊，其中該第一內(nèi)壁面的底邊垂直于該固定面，且該固定面平行于該頂面；兩導(dǎo)線架，該兩導(dǎo)線架部份地被包埋于該凸板內(nèi)，其中每一導(dǎo)線架最靠近該出光區(qū)一側(cè)的部份為一內(nèi)電性連接區(qū)，一用以打線接合并包埋于該兩凸板內(nèi)的中間區(qū)，以及一遠(yuǎn)離于該出光區(qū)及未包埋于該兩凸板內(nèi)的外電性連接區(qū)，其中該內(nèi)電性連接區(qū)及該外電性連接區(qū)之間設(shè)有至少一第二卡合槽及至少一第二固定孔，該第二卡合槽與該第二固定孔皆包埋于該封裝模塊內(nèi)，而該導(dǎo)線架的該內(nèi)電性連接區(qū)與該導(dǎo)線架的該外電性連接區(qū)保留未封入于該封裝模塊以供打線接合與電性連接使用，其中該外電性連接區(qū)設(shè)有多個(gè)供與外部組件電性連接的焊孔，且該外電性連接區(qū)至少須超出該基板的周緣；一發(fā)光單元，該發(fā)光單元設(shè)置于該出光區(qū)之上，其中該發(fā)光單元包含有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒，所述發(fā)光二極管晶?；ハ啻蚓€接合并接合導(dǎo)線到該兩導(dǎo)線架以構(gòu)成一電路；一罩體，該罩體由可透光性硅膠以射出成形方式制成，該罩體可罩覆該封裝模塊與該發(fā)光單元以保護(hù)該發(fā)光單元，其中該罩體的底周緣向外延設(shè)有一延伸座，該延伸座的底面設(shè)有一嵌合部，該嵌合部相對應(yīng)于該罩體嵌合槽的設(shè)置位置；一保護(hù)層，該保護(hù)層涂布于所述發(fā)光二極管晶粒及接合的導(dǎo)線之上；以及一熒光層，該熒光層形成于該保護(hù)層上方，其中該熒光層在由一熒光墻所定義的區(qū)域內(nèi)藉提供一磷化合物劑而形成，該反光面的內(nèi)邊與該熒光墻相接合。
2.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該基板進(jìn)一步包含設(shè)置有分別相對應(yīng)于該兩導(dǎo)線架容置槽的每一導(dǎo)線架容置槽的一凹槽，以及該兩導(dǎo)線架定位于定義為該兩導(dǎo)線架容置槽的側(cè)邊配置空間內(nèi)，其中該兩導(dǎo)線架與該基板保持非接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該基板的材質(zhì)為一銅、 一鋁、一銅合金或一鋁合金的至少其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該出光區(qū)的周邊設(shè)有一第一卡合槽。
5.如權(quán)利要求4所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該第一卡合槽的斷面呈一 “V”型。
6.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該第二卡合槽的斷面呈一 “V”型。
7.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該基板的表面進(jìn)一步設(shè)有一導(dǎo)熱反光層，該導(dǎo)熱反光層的材質(zhì)至少包含有一鎳或一銀的至少其中之一。
8.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該導(dǎo)線架的表面至少不低于該出光區(qū)的表面。
9.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該罩體嵌合槽的斷面呈一 “V”型。
10.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該延伸座間的長度至少不小于該上封裝模塊的該第一內(nèi)壁面間的長度。
11.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管晶粒以陣列排列配置于該出光區(qū)的表面。
12.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該絕緣保護(hù)層為一透光性硅膠薄層以保護(hù)所述發(fā)光二極管晶粒及接合的導(dǎo)線。
13.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該磷化合物是與硅混合，并且該熒光墻所定義的區(qū)域內(nèi)提供該磷化合物，其中該熒光墻于該出光區(qū)周邊以一 30 度至60度范圍之間的一傾斜角度而設(shè)置。
14.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該反光面與該熒光墻涂布有一鎳涂層或一鉻涂層的至少其中之一。
15.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該反光面與該熒光墻上設(shè)置有一金屬反光鏡杯，其中該金屬反光鏡杯涂布有一鎳涂層或一鉻涂層并具有一較佳于該反光面與該反光墻的光學(xué)反射性。
16.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該熒光墻相對于該出光區(qū)的上表面是以一 30度至60度范圍之間的一傾斜角度而形成。
17.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該反光面相對于該出光區(qū)的上表面以一 30度至60度范圍之間的一傾斜角度而形成。
18.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該罩體以硅膠制成。
19.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該罩體具有可透光性。
20.如權(quán)利要求1所述的多層式陣列型發(fā)光二極管，其特征在于，該罩體嵌合槽為一 “U”型的斷面并配置于該上封裝模塊的該反光面上的一頂部周邊處，并且該罩體嵌合槽相對于該出光區(qū)的上表面是以0度至80度范圍之間的一傾斜角度而配置，而該罩體的底周緣向外延設(shè)有一延伸座，該延伸座的底面設(shè)有一嵌合部，該嵌合部的設(shè)置位置相對應(yīng)于該罩體嵌合槽，以使該罩體固定于該封裝模塊上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層式陣列型發(fā)光二極管，主要包含有一基板、一封裝模塊、一導(dǎo)線架及一罩體，該基板設(shè)于該發(fā)光二極管的最下層，該封裝模塊用以將該基板與該導(dǎo)線架結(jié)合成一體，該基板上裝設(shè)有為陣列排列的發(fā)光二極管晶粒且基板為金屬材質(zhì)，發(fā)光二極管與該導(dǎo)線架并形成電性連接，該罩體則與該封裝模塊相封合，當(dāng)發(fā)光二極管受電源驅(qū)動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生熱能可被基板直接吸收排出，且陣列型的發(fā)光二極管可依據(jù)場所不同可彈性地予以調(diào)整排列密度，本發(fā)明結(jié)構(gòu)精簡且制造容易，可大幅減少制造成本及制造時(shí)間。
文檔編號H01L33/64GK102214645SQ201010141868
公開日2011年10月12日 申請日期2010年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月8日
發(fā)明者吳永富, 胡仲孚 申請人:盈勝科技股份有限公司