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      表面粘著型發(fā)光二極管的制作方法

      文檔序號:7130670閱讀:430來源:國知局
      專利名稱:表面粘著型發(fā)光二極管的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型是有關(guān)一種表面粘著型發(fā)光二極管,尤指一種在支架結(jié)構(gòu)增設(shè)有廢熱暫存部,而可快速將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的設(shè)計(jì)。
      背景技術(shù)
      如「

      圖1」、「圖2」所示的現(xiàn)有表面粘著型發(fā)光二極管10,包括一封裝體11、兩支架12、13、一發(fā)光晶片14及一透光體15,該封裝體11的一端面形成一內(nèi)凹的出光區(qū)111,該兩支架12、13各具有包覆于該封裝體11內(nèi)部的基部121、131,而該基部121、131僅頂面顯露于該出光區(qū)111,供該發(fā)光晶片14電性連接,再由該基部121、131延伸出穿過該封裝體11的接腳部122、132,而該接腳部122、·132至少彎折成型于該封裝體11的兩側(cè)面;借此,因該封裝體11至少有兩側(cè)面彎折成型有接腳部122、132,致使該發(fā)光二極管10可利用不同的側(cè)面電性連接于電路板(圖未示),從而造成不同的出光方向,增加該發(fā)光二極管10的可利用性。次者,由于發(fā)光二極管在將電能轉(zhuǎn)換成光能的同時,亦有一部分會被轉(zhuǎn)換成熱能,但此發(fā)光同時所產(chǎn)生的熱能,若未予以散除,乃會縮短發(fā)光二極管的使用壽命,且會限制住提升亮度與功率的可能性;然而,一般表面粘著型發(fā)光二極管的支架,除了提供發(fā)光晶片電性連接的功能外,尚兼具將發(fā)光晶片的發(fā)光廢熱予以散除的功能;但是,前述的現(xiàn)有發(fā)光二極管10,該支架12散熱路徑乃先借包覆于該封裝體11內(nèi)部的基部121,再經(jīng)由延伸穿出該封裝體11的接腳部122,才可將廢熱傳遞至該電路板散熱,而由于現(xiàn)有的支架12由相同厚度的片材彎折而成,致使整個散熱路徑的熱傳導(dǎo)面積甚小,不易將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開該發(fā)光晶片14。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于,克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷,而提供一種表面粘著型發(fā)光二極管,其解決現(xiàn)有技術(shù)不易將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的問題,而具有快速將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的功效;具有可提升亮度與功率的功效;具有可應(yīng)用于偏心封裝的功效。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種表面粘著型發(fā)光二極管,其特征在于,包括一第一支架,由第一基部向外延伸且彎折成型有第一接腳部,且于該第一基部向周緣延伸成型有第一廢熱暫存部;一第二支架,由第二基部向外延伸且彎折成型有第二接腳部;一發(fā)光晶片,設(shè)置于該第一基部頂面,并將其電極電性連接至該第一基部與第二基部;以及一封裝體,將該第一支架與第二支架包覆定位,且環(huán)繞于該發(fā)光晶片的周圍而形成有出光區(qū)。此外,進(jìn)一步于該第二基部向周緣延伸成型有第二廢熱暫存部。再者,該發(fā)光晶片借導(dǎo)線將其電極電性連接至該第一基部與第二基部。另者,進(jìn)一步設(shè)置一透光體于該封裝體的出光區(qū)。[0008]本實(shí)用新型的有益效果是,其解決現(xiàn)有技術(shù)不易將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的問題,而具有快速將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的功效;具有可提升亮度與功率的功效;具有可應(yīng)用于偏心封裝的功效。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。圖1是現(xiàn)有發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)立體示意圖。圖2是現(xiàn)有發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)俯視圖。圖3是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)立體示意圖。圖4是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)俯視圖。圖中標(biāo)號說明10發(fā)光二極管11封裝體111出光區(qū)12、13 支架121、131 基部122、132 接腳部14發(fā)光晶片15透光體20第一支架21第一基部22第一接腳部23第一廢熱暫存部30第二支架31第二基部32第二接腳部33第二廢熱暫存部40發(fā)光晶片41 導(dǎo)線50封裝體51出光區(qū)60透光體
      具體實(shí)施方式
      首先,請參閱「圖3」、「圖4」所示,本實(shí)用新型包括一第一支架20,由第一基部21向外延伸且彎折成型有第一接腳部22,且于該第一基部21向周緣延伸成型有第一廢熱暫存部23 ;—第二支架30,由第二基部31向外延伸且彎折成型有第二接腳部32,且于該第二基部31向周緣延伸成型有第二廢熱暫存部33 ;—發(fā)光晶片40,設(shè)置于該第一基部21頂面,并借導(dǎo)線41將其電極電性連接至該第一基部21與第二基部31 封裝體50,將該第一支架20與第二支架30包覆定位,且環(huán)繞于該發(fā)光晶片40的周圍而形成有出光區(qū)51 ;以及一透光體60,設(shè)置于該封裝體50的出光區(qū)51而將該發(fā)光晶片40與導(dǎo)線41封固保護(hù)。基于上述構(gòu)成,本實(shí)用新型較現(xiàn)有的支架結(jié)構(gòu)增設(shè)有第一廢熱暫存部23與第二廢熱暫存部33,而在散熱路徑與熱傳導(dǎo)面積皆相同的散熱條件下,若該發(fā)光晶片40所產(chǎn)生的發(fā)光廢熱無法立即被導(dǎo)出,該第一廢熱暫存部23與第二廢熱暫存部33則可產(chǎn)生暫存廢熱的作用,而具有快速將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的功效。再者,本實(shí)用新型所增設(shè)的第一廢熱暫存部23與第二廢熱暫存部33,因可快速將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開該發(fā)光晶片40,故可增加該發(fā)光晶片40的工作電流,具有可提升亮度與功率的功效。另者,本實(shí)用新型可利用偏心封裝的方式提供該第一廢熱暫存部23與第二廢熱暫存部33所需的容置空間,而此偏心封裝的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于鍵盤燈的設(shè)計(jì),具有可應(yīng)用于偏心封裝的功效。以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制,凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。綜上所述,本實(shí)用新型在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、使用實(shí)用性及成本效益上,完全符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需,且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造,具有新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性,符合有關(guān)新型專利要件的規(guī)定 ,故依法提起申請。
      權(quán)利要求1.一種表面粘著型發(fā)光二極管,其特征在于,包括 一第一支架,由第一基部向外延伸且彎折成型有第一接腳部,且于該第一基部向周緣延伸成型有第一廢熱暫存部; 一第二支架,由第二基部向外延伸且彎折成型有第二接腳部; 一發(fā)光晶片,設(shè)置于該第一基部頂面,并將其電極電性連接至該第一基部與第二基部; 一封裝體,將該第一支架與第二支架包覆定位,且環(huán)繞于該發(fā)光晶片的周圍面形成有出光區(qū)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面粘著型發(fā)光二極管,其特征在于,進(jìn)一步于所述第二基部向周緣延伸成型有第二廢熱暫存部。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面粘著型發(fā)光二極管,其特征在于,所述發(fā)光晶片借導(dǎo)線將其電極電性連接至該第一基部與第二基部。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面粘著型發(fā)光二極管,其特征在于,進(jìn)一步于所述封裝體的出光區(qū)設(shè)置一透光體。
      專利摘要一種表面粘著型發(fā)光二極管,包括一第一支架,由第一基部向外延伸且彎折成型有第一接腳部,且于該第一基部向周緣延伸成型有第一廢熱暫存部;一第二支架,由第二基部向外延伸且彎折成型有第二接腳部;一發(fā)光晶片,設(shè)置于該第一基部頂面,并將其電極電性連接至該第一基部與第二基部;一封裝體,將該第一支架與第二支架包覆定位,且環(huán)繞于該發(fā)光晶片的周圍而形成有出光區(qū);進(jìn)一步于第二基部向周緣延伸成型有第二廢熱暫存部;發(fā)光晶片借導(dǎo)線將其電極電性連接至該第一基部與第二基部;進(jìn)一步于封裝體的出光區(qū)設(shè)置一透光體。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)不易將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的問題,而具有快速將發(fā)光廢熱導(dǎo)引離開發(fā)光晶片的功效。
      文檔編號H01L33/64GK202871852SQ20122044623
      公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月4日
      發(fā)明者謝佳翰, 黃志騰, 許伯聰 申請人:琉明斯光電科技股份有限公司
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