一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)、生長工藝及芯片工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，在襯底層上依次生長第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、有源層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層；第二型電流擴(kuò)展層由第一組成部分及第二組成部分組成，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。本發(fā)明還公開所述近紅外發(fā)光二極管的外延生長工藝。本發(fā)明采用該外延生長工藝形成具有漫反射作用的電流擴(kuò)展層的外延結(jié)構(gòu)，明顯地提高了外量子效率，使得近紅外發(fā)光二極管能達(dá)到更大功率。
【專利說明】一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)、生長工藝及芯片工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)、生長工藝及芯片含義工藝，尤其是指一種三五族砷磷化合物系紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)、生長工藝及芯片工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]近紅外發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等特性，被廣泛應(yīng)用于通信及遙感裝置等【技術(shù)領(lǐng)域】。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，近紅外產(chǎn)品主要為采用液相外延法生長的以AlGaAs異質(zhì)結(jié)為活性層的近紅外發(fā)光二極管，所述方法生長的近紅外二極管由于內(nèi)量子效率較低，從而使得其在功率上難以突破，難以滿足產(chǎn)品對近紅外發(fā)光二極管大功率需求。
[0004]隨著科技的發(fā)展，對近紅外發(fā)光二極管功率的需求越來越高，制造大功率近紅外發(fā)光二極管已成為發(fā)展趨勢。采用金屬有機(jī)化合物氣相外延生長具有量子阱的外延結(jié)構(gòu)能取得較高的內(nèi)量子效率。因此，提升外量子效率成為提高近紅外發(fā)光二極管發(fā)光功率的關(guān)鍵技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)、生長工藝及芯片工藝，采用該外延生長工藝形成具有漫反射作用的電流擴(kuò)展層的外延結(jié)構(gòu)，明顯地提高了外量子效率，使得近紅外發(fā)光二極管能達(dá)到更大功率。
[0006]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為:
一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，在襯底層上依次生長第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、有源層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層；第二型電流擴(kuò)展層由第一組成部分及第二組成部分組成，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。
[0007]進(jìn)一步，襯底層為GaAs襯底層。
[0008]進(jìn)一步，在襯底層與第一型電流擴(kuò)展層之間生長形成腐蝕截止層。
[0009]進(jìn)一步，腐蝕截止層的材料為三五簇化合物，包括(AlxGah)a5Ina5P和AlyGapyAs，其中，O≤X≤1，O≤y≤1。
[0010]進(jìn)一步,有源層的材料為三五簇化合物,包括GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlGaInAs。
[0011]進(jìn)一步，第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層的材料為三五簇化合物，包括AlGaAs、AlGaInP。
[0012]進(jìn)一步，第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分的材料為AlxGahAs(0.1 ≤ 0.35)，或者為(AlxGa1J 0.Jna5P (O ≤ x ≤ 0.2);第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的材料為 AlyGa1VVs (0.35 < y ≤ 0.5)，或者為(AlyGai_y)。.5Ιηα5Ρ (0.2 < y ≤ 0.4)。
[0013]進(jìn)一步，第二型電流擴(kuò)展層第一組成部分的厚度為2-5 μ m;第二型電流擴(kuò)展層第二組成部分的厚度為50-500nm，且滿足(2k+l) λ/ (4η)，其中，k≤O的正整數(shù)，λ為有源層發(fā)光波長，η為第二組成部分材料的折射率。
[0014]一種近紅外發(fā)光二極管的外延生長工藝，生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分采用進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流震蕩方法，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。
[0015]進(jìn)一步，生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間以及在生長第二組成部分區(qū)間，進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第一組成部分減少或增加200-300sCCm。
[0016]進(jìn)一步，生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間以及在生長第二組成部分區(qū)間，進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩的次數(shù)為2-4次，且每次間隔時(shí)間20秒_40秒。
[0017]進(jìn)一步，生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的MO源的出氣閥門，在開啟的瞬間引起的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩到進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的穩(wěn)定之間的時(shí)間為0.4秒_0.8秒。
[0018]進(jìn)一步，在生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間生長形成有停頓的界面。
[0019]進(jìn)一步，生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間形成停頓的界面的停頓時(shí)間為5秒至30秒。
[0020]進(jìn)一步，生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第一組成部分的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流減少或增加400-600sccm。
[0021]進(jìn)一步，生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的MO源的出氣閥門，在開啟瞬間引起的反應(yīng)室生長氣流的震蕩到反應(yīng)室生長氣流的穩(wěn)定之間的時(shí)間為0.1秒至0.4秒。
[0022]一種近紅外發(fā)光二極管芯片制作工藝，把上述外延結(jié)構(gòu)通過倒置芯片工藝將頂部的第二型電流擴(kuò)展層鍵合于Si基板上，且在Si基板與第二型電流擴(kuò)展層之間形成金屬反射鏡；由此得到的芯片結(jié)構(gòu)從下往上順序變成Si基板、金屬反射鏡、第二型電流擴(kuò)展層、第二型限制層、有源層、第一型限制層、第一型電流擴(kuò)展層；在31基板背面設(shè)置第一電極，且通過Si通孔連接第一電極與金屬反射鏡；在第一型電流擴(kuò)展層設(shè)置第二電極。
[0023]本發(fā)明在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。有源層發(fā)出的大角度的光被形成于第一組成部分和第二組成部分之間具有漫反射效果的接觸界面反射，增加了出光角度，能較有效地提高外量子效率，進(jìn)而得到高功率的近紅外發(fā)光二極管。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是生長本發(fā)明第一實(shí)施例的外延結(jié)構(gòu)所使用的外延工藝在生長第二型電流擴(kuò)展層時(shí)注入反應(yīng)室的生長氣流與時(shí)間的關(guān)系曲線圖。
[0025]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例經(jīng)過芯片工藝制作后所形成的近紅外發(fā)光二極管芯片示意圖。
[0026]圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是生長本發(fā)明第二實(shí)施例的外延結(jié)構(gòu)所使用的外延工藝在生長第二型電流擴(kuò)展層時(shí)注入反應(yīng)室的生長氣流與時(shí)間的關(guān)系曲線圖。[0027]圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例經(jīng)過芯片工藝制作后所形成的近紅外發(fā)光二極管芯片示意圖。[0028]標(biāo)號說明
近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例100 GaAs襯底11腐蝕截止層12
第一型電流擴(kuò)展層13 第一型限制層14 有源層15第二型限制層16
第二型電流擴(kuò)展層17 第一組成部分171 第二組成部分172Si基板18
第一電極191第二電極192
金屬反射鏡10
近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例200 GaAs襯底21第一型電流擴(kuò)展層22
第一型限制層23有源層24
第二型限制層25第二型電流擴(kuò)展層26
第一組成部分261第二組成部分262
Si基板27第一電極281
第二電極282金屬反射鏡29。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明做詳細(xì)描述。
[0030]本發(fā)明公開一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，在GaAs襯底層上依次生長第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、有源層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層；第二型電流擴(kuò)展層由第一組成部分及第二組成部分組成，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。
[0031]可以在襯底層與第一型電流擴(kuò)展層之間生長形成腐蝕截止層，也可以不生長形成腐蝕截止層。腐蝕截止層的材料為三五簇化合物，包括(AlxGa1Ja5Ina5P和AlyGai_yAs，其中，0≤χ≤1，O≤y ≤1
[0032]有源層的材料為三五簇化合物，包括GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlGaInAs。
[0033]第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層的材料為三五簇化合物，包括AlGaAs、AlGaInP。
[0034]第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分的材料為AlxGai_xAs(0.1≤ x ≤0.35)，或者為(AlxGah) 0.5I%5P (O≤X ≤0.2);第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的材料為AlyGapyAs(0.35 ≤ 0.5)，或者為(AlyGah)a5Ina5P (0.2<y≤0.4)。第二型電流擴(kuò)展層第一組成部分的厚度為2-5 μ m;第二型電流擴(kuò)展層第二組成部分的厚度為50-500nm，且滿足(2k+l) λ/ (4η)，其中，k≥O的正整數(shù)，λ為有源層發(fā)光波長，η為第二組成部分材料的折射率。
[0035]本發(fā)明還公開所述一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)外延生長工藝，生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分采用進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流震蕩方法，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面，即在第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間的界面上形成界面畸變，接觸界面的平整度變差，從而具有漫反射效果。其中，第二型電流擴(kuò)展層第一組成部分采用現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)外延工藝生長，此處不贅述。
[0036]生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間以及在生長第二組成部分區(qū)間，進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第一組成部分減少或增加200-300sCCm。生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間以及在生長第二組成部分區(qū)間，進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩的次數(shù)為2-4次，且每次間隔時(shí)間20秒-40秒。生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的MO源的出氣閥門，在開啟的瞬間引起的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩到進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的穩(wěn)定之間的時(shí)間為0.4秒-0.8秒。
[0037]可以在生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間生長形成有停頓的界面。生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間形成停頓的界面的停頓時(shí)間為5秒至30秒。生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第一組成部分的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流減少或增加400-600sccm。生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的MO源的出氣閥門，在開啟瞬間引起的反應(yīng)室生長氣流的震蕩到反應(yīng)室生長氣流的穩(wěn)定之間的時(shí)間為0.1秒至0.4秒。
[0038]本發(fā)明還公開一種近紅外發(fā)光二極管芯片制作工藝，把本發(fā)明所述的外延結(jié)構(gòu)通過倒置芯片工藝將頂部的第二型電流擴(kuò)展層鍵合于Si基板上，且在Si基板與第二型電流擴(kuò)展層之間形成金屬反射鏡。由此得到的芯片結(jié)構(gòu)從下往上順序變成Si基板、金屬反射鏡、第二型電流擴(kuò)展層、第二型限制層、有源層、第一型限制層、第一型電流擴(kuò)展層；在Si基板背面設(shè)置第一電極，且通過Si通孔連接第一電極與金屬反射鏡；在第一型電流擴(kuò)展層設(shè)置第二電極。第二型電流擴(kuò)展層由第一組成部分及第二組成部分組成，且在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。
[0039]經(jīng)過倒置芯片工藝制作后，第二型電流擴(kuò)展層會置于發(fā)光層的底部。有源層發(fā)出的大角度的光在傳輸?shù)浇饘俜瓷溏R之前，會被第二型電流擴(kuò)展層第二組成部分的漫反射界面反射，增加了出光角度，且經(jīng)過多次反射的光也能得到漫反射層和金屬反射鏡的有效反射，能較有效地提高外量子效率，進(jìn)而得到高功率的近紅外發(fā)光二極管。
[0040]實(shí)施例一
如圖1所示，本發(fā)明揭示的一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例100，在GaAs襯底11上依次外延腐蝕截止層12、第一型電流擴(kuò)展層13、第一型限制層14、有源層15、第二型限制層16、第二型電流擴(kuò)展層17，第二型電流擴(kuò)展層17由第一組成部分171和第二組成部分172構(gòu)成。
[0041]其中，腐蝕截止層12為(AlaiGaa9)a5Ina5PM料構(gòu)成；有源層15采用AlGaInAs/AlGaAs的量子阱結(jié)構(gòu)，量子阱的對數(shù)為7對，發(fā)光波長為850nm ;第一型電流擴(kuò)展層13構(gòu)成材料AlGaAs且厚度為10 μ m,第一型限制層14、第二型限制層16由AlGaAs材料構(gòu)成，第二型電流擴(kuò)展層第一組成部分171構(gòu)成材料為Ala Aaa9As三五族化合物且厚度為5 μ m,第二型電流擴(kuò)展層第二組成部分172的構(gòu)成材料為Ala4Gaa6As三五族化合物且厚度為64nm。
[0042]采用的外延工藝在生長第二型電流擴(kuò)展層第一組成部分171的反應(yīng)室壓力為200mbar，且進(jìn)入反應(yīng)室的氣流流量為17600sCCm (標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘)，生長完成第二型電流擴(kuò)展層17的第一組成部分171之后，停止外延層生長10秒。在開始生長第二型電流擴(kuò)展層17第二組成部分172的瞬間，通過控制MO源的出氣閥門使得進(jìn)入反應(yīng)室的氣流較生長第二型電流擴(kuò)展層17的第一組成部分171時(shí)進(jìn)入反應(yīng)室的氣流減少400sCCm，即進(jìn)入反應(yīng)室的氣流流量為17200SCCm。生長第二型電流擴(kuò)展層17的第二組成部分172的MO源的出氣閥門在開啟瞬間引起的反應(yīng)室的生長氣流震蕩，從開始?xì)饬髡鹗幍綒饬髌胶獾臅r(shí)間為0.2秒，其氣流震蕩曲線如圖2所示。
[0043]完成外延結(jié)構(gòu)后經(jīng)過倒置芯片工藝制作:把第二型電流擴(kuò)展層17鍵合于Si基板18上，通過打磨及腐蝕工藝把GaAs襯底層11及腐蝕截止層12去除掉，因此第一電流擴(kuò)展層13會置于有源層15之上，而第二型電流擴(kuò)展層17會置于發(fā)光層的底部，在Si基板18上設(shè)置第一電極191，而在第一型電流擴(kuò)展層13設(shè)置第二電極192，可以在Si基板18與第二型電流擴(kuò)展層17之間形成金屬反射鏡10，形成如圖3所示的近紅外發(fā)光二極管。
[0044]實(shí)施例二
如圖4所示本發(fā)明揭示的一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例200，在GaAs襯底21上依次外延第一型電流擴(kuò)展層22、第一型限制層23、有源層24、第二型限制層25、第二型電流擴(kuò)展層26，第二型電流擴(kuò)展層26由第一組成部分261和第二組成部分262構(gòu)成。
[0045]其中，有源層24采用AlGalnAs/AlGaAs的量子阱結(jié)構(gòu)，量子阱的對數(shù)為3對，發(fā)光波長為850nm ;第一型電流擴(kuò)展層22構(gòu)成材料為AlGaInP三五族化合物，且厚度為8.5 μ m，第一型限制層23、第二型限制層25由AlGaInP三五族化合物構(gòu)成，第二型電流擴(kuò)展層26第一組成部分261構(gòu)成材料為(Ala Aaa9) ^5Ina5P三五族化合物且厚度為4μηι,第二型電流擴(kuò)展層26第二組成部分262的構(gòu)成材料為(Ala3Gaa7) 0.5Ιη0.5Ρ三五族化合物，且厚度為128nm。
[0046]采用外延工藝在生長第二型電流擴(kuò)展層26第一組成部分261的反應(yīng)室壓力為200mbar，且進(jìn)入反應(yīng)室的氣流流量為17600sCCm，生長完成第二型電流擴(kuò)展層26第一組成部分261后，在開始生長第二型電流擴(kuò)展層26第二組成部分262的瞬間，通過控制MO源的出氣閥門，使得進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第二型電流擴(kuò)展層26第一組成部分261的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流減少200sccm，即進(jìn)入反應(yīng)室的氣流流量為17400sccm。生長第二型電流擴(kuò)展層26的第二組成部分262的MO源的出氣閥門，在開啟瞬間引起的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩至進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的平衡時(shí)間為0.4秒。生長第二型電流擴(kuò)展層26第二組成部分262區(qū)間的第二次氣流震蕩時(shí)的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流增加200sCCm，即進(jìn)入反應(yīng)室氣流流量為17600SCCm。生長第二型電流擴(kuò)展層26的第二組成部分262的MO源的出氣閥門，在開啟瞬間引起的反應(yīng)室的生長氣流震蕩，從開始?xì)饬髡鹗幍綒饬髌胶獾臅r(shí)間為0.4秒，兩次震蕩之間的時(shí)間間隔為30秒，其氣流震蕩曲線如圖5所示。
[0047]完成外延結(jié)構(gòu)后經(jīng)過倒置芯片工藝制作:把第二型電流擴(kuò)展層26鍵合于Si基板27上，通過打磨及腐蝕工藝把GaAs襯底層21去除掉，因此第一電流擴(kuò)展層22變成置于有源層24之上，而第二型電流擴(kuò)展層26置于發(fā)光層的底部。在Si基板27上設(shè)置第一電極281，而在第一型電流擴(kuò)展層22上設(shè)置第二電極282，可以在Si基板27與第二型電流擴(kuò)展層26之間形成金屬反射鏡29，形成如圖6所示本的近紅外發(fā)光二極管。
[0048]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于:在襯底層上依次生長第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、有源層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層；第二型電流擴(kuò)展層由第一組成部分及第二組成部分組成，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。
2.如權(quán)利要求1所述的一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于:襯底層為GaAs襯底層；在襯底層與第一型電流擴(kuò)展層之間生長形成腐蝕截止層。
3.如權(quán)利要求2所述的一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于:腐蝕截止層的材料為三五簇化合物，包括其中，O≤X≤1，O≤y≤I。
4.如權(quán)利要求1所述的一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于:有源層的材料為三五簇化合物，包括GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlGaInAs ;第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層的材料為三五簇化合物，包括AlGaAs、AlGaInP。
5.如權(quán)利要求1所述的一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于:第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分的材料為AlxGa1xAs (0.1≤X≤0.35)，或者為(AlxGa1x) 0.5In0.5P(O ≤ 0.2);第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的材料為AlyGai_yAs(0.35 < y ≤ 0.5),或者為(AlyGa1I)a5Ina5P (0.2 < y≤0.4);第二型電流擴(kuò)展層第一組成部分的厚度為2-511111;第二型電流擴(kuò)展層第二組成部分的厚度為50-50011111，且滿足(21^1) λ/ (4η)，其中，k≤O的正整數(shù)，λ為有源層發(fā)光波長，η為第二組成部分材料的折射率。
6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述一種近紅外發(fā)光二極管的外延生長工藝，其特征在于:生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分采用進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流震蕩方法，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。
7.如權(quán)利要求6所述的一種近紅外發(fā)光二極管的外延生長工藝,其特征在于:生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間以及在生長第二組成部分區(qū)間，進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第一組成部分減少或增加200-300Sccm ;生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間以及在生長第二組成部分區(qū)間，進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩的次數(shù)為2-4次，且每次間隔時(shí)間20秒-40秒；生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的MO源的出氣閥門，在開啟的瞬間引起的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的震蕩到進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流的穩(wěn)定之間的時(shí)間為0.4秒-0.8秒。
8.如權(quán)利要求6所述的一種近紅外發(fā)光二極管的外延生長工藝,其特征在于:在生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間生長形成有停頓的界面；生長第二型電流擴(kuò)展層的第一組成部分和第二組成部分之間形成停頓的界面的停頓時(shí)間為5秒至30秒；生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流較生長第一組成部分的進(jìn)入反應(yīng)室的生長氣流減少或增加400-600sccm ;生長第二型電流擴(kuò)展層的第二組成部分的MO源的出氣閥門，在開啟瞬間引起的反應(yīng)室生長氣流的震蕩到反應(yīng)室生長氣流的穩(wěn)定之間的時(shí)間為0.1秒至0.4秒。
9.一種近紅外發(fā)光二極管芯片制作工藝，其特征在于:把權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的外延結(jié)構(gòu)通過倒置芯片工藝將頂部的第二型電流擴(kuò)展層鍵合于Si基板上，且在Si基板與第二型電流擴(kuò)展層之間形成金屬反射鏡；由此得到的芯片結(jié)構(gòu)從下往上順序變成Si基板、金屬反射鏡、第二型電流擴(kuò)展層、第二型限制層、有源層、第一型限制層、第一型電流擴(kuò)展層；在Si基板背面設(shè)置第一電極，且通過Si通孔連接第一電極與金屬反射鏡；在第一型電流擴(kuò)展層設(shè)置第二電極。`
【文檔編號】H01L33/60GK103500784SQ201310443689
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】林志偉, 陳凱軒, 蔡建九, 張永, 林志園, 堯剛 申請人:廈門乾照光電股份有限公司