專利名稱：一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片。
背景技術(shù)：
半橋驅(qū)動(dòng)電路是開關(guān)電源里的一種常見應(yīng)用電路，特別是在電子鎮(zhèn)流器這一類產(chǎn) 品的應(yīng)用上。圖1給出了典型的半橋驅(qū)動(dòng)電路的原理圖，其包括第一功率器件50和第二功 率器件52，第一功率器件50用于高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)管，第二功率器件52用于低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)管，第一 功率器件50的電流輸入端501與高壓端相連接，第一功率器件50的電流輸出端502與第二 功率器件52的電流輸入端521相連接，第二功率器件52的電流輸出端522與電源地或低壓 端相連接，第一功率器件50的電流輸出端502與第二功率器件52的電流輸入端521的公 共連接端為半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端51，第一功率器件50的信號(hào)控制端503和第二功率器件 52的信號(hào)控制端523分別與用于為半橋驅(qū)動(dòng)電路提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)控制電路的兩個(gè)驅(qū) 動(dòng)信號(hào)輸出端口相連接，驅(qū)動(dòng)控制電路的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)第一功 率器件50和第二功率器件52工作。上述半橋驅(qū)動(dòng)電路中所采用的第一功率器件50和第二 功率器件 52 可以是功率 MOSFET (Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor, 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，也可以是其它類型的功率器件，如IGBTdnsulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)、晶閘管等。圖2a和圖2b給出了典型的 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)圖，該功率MOSFET的其中一個(gè)表面上設(shè)置有一個(gè)控制端柵極G和一個(gè) 源極S，該功率MOSFET的另一個(gè)表面上設(shè)置有一個(gè)漏極D，該功率MOS FET的柵極G為信號(hào) 控制端，源極S為電流輸出端，漏極D為電流輸入端。在現(xiàn)有應(yīng)用中，通常是將驅(qū)動(dòng)控制電路單獨(dú)封裝成一個(gè)芯片，將半橋驅(qū)動(dòng)電路中 所使用的兩個(gè)功率器件也分別單獨(dú)封裝成兩個(gè)芯片，這樣在應(yīng)用時(shí)，一般需要使用三個(gè)封 裝體，不僅成本較高，而且占用空間很大，同時(shí)在應(yīng)用時(shí)由于封裝有驅(qū)動(dòng)控制電路的芯片與 封裝有功率器件的芯片之間的距離較遠(yuǎn)及兩個(gè)封裝有功率器件的芯片之間的距離也較遠(yuǎn)， 因此將導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)控制電路與功率器件相互之間的連線及兩個(gè)功率器件之間的連線較長(zhǎng)，較 長(zhǎng)的連線將引入很多的寄生參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種僅需使用一個(gè)封裝體就能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)控制 電路和兩個(gè)功率器件封裝在一起，可有效減少寄生參數(shù)，且能夠較好地滿足各個(gè)器件散熱 要求的半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，包括引 線框架，所述的引線框架具有一個(gè)封裝面，所述的封裝面上設(shè)置有多個(gè)引出腳，其特征在于 所述的封裝面上還設(shè)置有三個(gè)相互隔離且絕緣的基島，三個(gè)所述的基島與各個(gè)所述的引出 腳互不相連，三個(gè)所述的基島各自均具有至少一個(gè)連接腳，各個(gè)所述的連接腳相互獨(dú)立，任 一個(gè)所述的連接腳與至少一個(gè)所述的引出腳相連接，三個(gè)所述的基島上分別設(shè)置有驅(qū)動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件，所述的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸 出端口通過金屬導(dǎo)線與第一功率器件的信號(hào)控制端相連接，所述的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊的第 二驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口通過金屬導(dǎo)線與第二功率器件的信號(hào)控制端相連接，所述的第一功率 器件的電流輸入端與所述的第一功率器件所在的所述的基島的連接腳相連接，所述的第一 功率器件的電流輸出端通過金屬導(dǎo)線與所述的第二功率器件的電流輸入端相連接，所述的 第二功率器件的電流輸入端與所述的第二功率器件所在的所述的基島的連接腳相連接，所 述的第二功率器件的電流輸出端通過金屬導(dǎo)線與一個(gè)所述的引出腳相連接，所述的驅(qū)動(dòng)控 制電路模塊的其余端口分別通過金屬導(dǎo)線與空閑的所述的引出腳相連接。所述的第一功率器件和所述的第二功率器件均為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的上表面上設(shè)置有柵極和源極，所述的金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的下表面上設(shè)置有漏極，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的柵極為信號(hào)控制端，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極為電流輸入端，所述 的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極為電流輸出端，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管的下表面通過導(dǎo)電膠或其它導(dǎo)電物質(zhì)或非導(dǎo)電膠粘接在所述的基島上。所述的第一功率器件和所述的第二功率器件均可為絕緣柵雙極型晶體管。
所述的第一功率器件和所述的第二功率器件均可為晶閘管。所述的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊通過導(dǎo)電膠或其它導(dǎo)電物質(zhì)或非導(dǎo)電膠固定于所述的 基島上ο與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于通過在引線框架的封裝面上設(shè)置三個(gè)相互隔 離且絕緣的基島，每個(gè)基島具有至少一個(gè)連接腳，通過連接腳將基島與引出腳連接起來，驅(qū) 動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件分別設(shè)置于三個(gè)基島上，而驅(qū)動(dòng)控制電路 模塊與第一功率器件和第二功率器件之間的連接、第一功率器件與第二功率器件之間的連 接、驅(qū)動(dòng)控制電路模塊和兩個(gè)功率器件與引出腳之間的連接通過金屬導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)，通過上述 方式將驅(qū)動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件通過一個(gè)封裝體封裝在一起構(gòu)成 芯片，與現(xiàn)有的將驅(qū)動(dòng)控制電路模塊和兩個(gè)功率器件分別獨(dú)立封裝形成三個(gè)芯片的方式相 比，本發(fā)明的芯片更為緊湊、占用空間更小，且由于只使用了一個(gè)封裝體，大大降低了生產(chǎn) 成本，同時(shí)由于一個(gè)芯片內(nèi)部器件之間的相互連線的距離遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的三個(gè)獨(dú)立的芯片之 間連線的距離，大大減少了寄生參數(shù)。


圖1為典型的半橋驅(qū)動(dòng)電路的原理圖；圖2a為典型的功率MOSFET的俯視圖；圖2b為圖2a的2B-2B方向的側(cè)視圖；圖3為本發(fā)明具體實(shí)施例一的基本結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明具體實(shí)施例二的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例一
如圖3所示，本發(fā)明提出的一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，其包括DIP_8(直插八腳集成) 的引線框架9，引線框架9具有一個(gè)封裝面91，封裝面91上設(shè)置有八個(gè)相互隔離且絕緣的 引出腳，分別為第1引出腳、第2引出腳、第3引出腳、第4引出腳、第5引出腳、第6引出腳、 第7引出腳和第8引出腳，封裝面91上還設(shè)置有三個(gè)相互隔離且絕緣的基島21、22、23，三 個(gè)基島21、22、23與八個(gè)引出腳互不相連，三個(gè)基島21、22、23各自均具有一個(gè)連接腳，基島 21具有連接腳211，基島22具有連接腳221，基島23具有連接腳231，三個(gè)連接腳211、221、 231相互獨(dú)立，連接腳211與第6引出腳相連接，連接腳221與第3引出腳相連接，連接腳 231與第2引出腳相連接，三個(gè)基島21、22、23上分別對(duì)應(yīng)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31、第 一功率器件32和第二功率器件33，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口 311通 過金屬導(dǎo)線與第一功率器件32的信號(hào)控制端相連接，為第一功率器件32提供高壓側(cè)驅(qū)動(dòng) 信號(hào)，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口 312通過金屬導(dǎo)線與第二功率器件33 的信號(hào)控制端相連接，為第二功率器件33提供低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一功率器件32的電流輸 入端與第一功率器件32所在的基島22的連接腳221相連接，從而連接到第3引出腳上，第 3弓丨出腳外接總線電壓，第一功率器件32的電流輸出端通過金屬導(dǎo)線與第二功率器件33的 電流輸入端相連接，第二功率器件33的電流輸入端與第二功率器件33所在的基島23的連 接腳231相連接，從而連接到第2引出腳上，其中可將連接腳231作為第一功率器件32的 電流輸出端和第二功率器件33的電流輸入端的公共連接端，作為由第一功率器件32和第 二功率器件33構(gòu)成的半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，第二功率器件33的電流輸出端通過金屬導(dǎo) 線與第1引出腳相連接，第1引出腳外接電源地或其他公共電位，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31的 其余端口依據(jù)各個(gè)端口的功能分別通過金屬導(dǎo)線與空閑的第4引出腳、第5引出腳、第6引 出腳、第7引出腳和第8引出腳相連接，實(shí)現(xiàn)將一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31、第一功率器件32 和第二功率器件33封裝為一體，構(gòu)成一個(gè)芯片。在此具體實(shí)施例中，第一功率器件和第二功率器件均采用金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖2a和圖2b所示，其耐壓為400V 700V，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管的上表面上設(shè)置有柵極G和源極S，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的下表面 上設(shè)置有漏極D，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極G為信號(hào)控制端，金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極D為電流輸入端，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極S為電流 輸出端，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的下表面通過導(dǎo)電膠或非導(dǎo)電膠或其他用于導(dǎo)電 或?qū)峄蚬潭ǖ奈镔|(zhì)粘接在基島上。三個(gè)基島21、22、23及各自具有的連接腳211、221、231 一般均為金屬，當(dāng)采用導(dǎo)電膠或其它導(dǎo)電物質(zhì)將金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的下表面 固定于基島上時(shí)，第一功率器件32的電流輸入端即漏極D直接與連接腳221電連接，第二 功率器件33的電流輸入端即漏極D直接與連接腳231電連接，無需使用任何金屬導(dǎo)線；第 一功率器件32的電流輸出端即源極S與第二功率器件33的電流輸入端即漏極D通過金屬 導(dǎo)線相連接構(gòu)成半橋形式，但由于第二功率器件33的電流輸入端即漏極D與基島23是導(dǎo) 通的，因此實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)只需將第一功率器件32的電流輸出端即源極S通過金屬導(dǎo)線連接到 基鳥23上即可。在此具體實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31也通過導(dǎo)電膠或其它導(dǎo)電物質(zhì)或非導(dǎo) 電膠或其他用于固定的物質(zhì)固定于基島21上；驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31可采用現(xiàn)有的任意 成熟的用于提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的控制電路，如常見的柵驅(qū)動(dòng)控制電路有UBA2014，UBA2014是NXP(恩智浦)公司推出的用來驅(qū)動(dòng)熒光燈的電子鎮(zhèn)流器的控制集成電路，像一般的控制集 成電路一樣，其能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)功率器件。在此，第一功率器件和第二功率器件除采用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)外，也可采用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、晶閘管等功率器件。對(duì)于絕緣柵雙極 型晶體管(IGBT)，將其集電極作為電流輸入端口，將其發(fā)射極作為電流輸出端口，將其柵 極作為信號(hào)控制端口 ；對(duì)于晶閘管，將其陽(yáng)極作為電流輸入端口，將其陰極作為電流輸出端 口，將其門極作為信號(hào)控制端口。實(shí)施例二 如圖4 所示，本實(shí)施例中采用了 S0IC-14(Small Outline Integrated Circuit Package，小外形集成電路封裝)的引線框架9，該引線框架9的封裝面91上設(shè)置有十四個(gè) 相互隔離且絕緣的引出腳，分別為第1引出腳、第2引出腳、第3引出腳、第4引出腳、第5 引出腳、第6引出腳、第7引出腳、第8引出腳、第9引出腳、第10引出腳、第11引出腳、第 12引出腳、第13引出腳及第14引出腳，封裝面11上還設(shè)置有三個(gè)相互隔離且絕緣的基島 21、22、23，三個(gè)基島21、22、23與十四個(gè)引出腳互不相連，基島21具有兩個(gè)連接腳215、216， 基島22具有兩個(gè)連接腳225、226，基島23具有兩個(gè)連接腳235、236，六個(gè)連接腳215、216、 225、226、235、236相互獨(dú)立，連接腳215與 第6引出腳相連接，連接腳216與第11引出腳 相連接，第6引出腳和第11引出腳通過基島21相互電連接，連接腳225與第7引出腳相連 接，連接腳226與第8引出腳相連接，第7引出腳和第8引出腳通過基島22相互電連接，連 接腳235分別與第3引出腳和第5引出腳相連接，連接腳236與第14引出腳相連接，第3 引出腳、第5引出腳和第14引出腳通過基島23相互電連接，三個(gè)基島21、22、23上分別對(duì) 應(yīng)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31、第一功率器件32和第二功率器件33，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31 的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口 311通過金屬導(dǎo)線連接到第4引出腳上，第一功率器件32的信號(hào) 控制端通過金屬導(dǎo)線連接到第4引出腳上，從而實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào) 輸出端口 311通過金屬導(dǎo)線與第一功率器件32的信號(hào)控制端的連接，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31 的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口 311為第一功率器件32提供高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊 31的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口 312通過金屬導(dǎo)線連接到第2引出腳上，第二功率器件33的信 號(hào)控制端通過金屬導(dǎo)線連接到第2引出腳上，從而實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31的第二驅(qū)動(dòng)信 號(hào)輸出端口 312通過金屬導(dǎo)線與第二功率器件33的信號(hào)控制端的連接，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)控制電路 模塊31的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口 312為第二功率器件33提供低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一功率 器件32的電流輸入端與第一功率器件32所在的基島22的兩個(gè)連接腳225、226相連接，從 而連接到第7引出腳和第8引出腳上，第7引出腳和第8引出腳外接總線電壓，第一功率器 件32的電流輸出端通過金屬導(dǎo)線與第二功率器件33的電流輸入端相連接，第二功率器件 33的電流輸入端與第二功率器件33所在的基島23的兩個(gè)連接腳235、236相連接，從而連 接到第3引出腳、第5引出腳和第14引出腳上，其中可將連接腳235或連接腳236作為第 一功率器件32的電流輸出端和第二功率器件33的電流輸入端的公共連接端，作為由第一 功率器件32和第二功率器件33構(gòu)成的半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，第二功率器件33的電流輸 出端通過金屬導(dǎo)線與第1引出腳相連接，第1引出腳外接電源地或其他公共電位，驅(qū)動(dòng)控制 電路模塊31的其余端口依據(jù)各個(gè)端口的功能分別通過金屬導(dǎo)線與空閑的第9引出腳、第10 引出腳、第12引出腳和第13引出腳相連接，實(shí)現(xiàn)將一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31、第一功率器件32和第二功率器件33封裝為一體。在此具體實(shí)施例中，第6引出腳和第11引出腳通過基島21相互電連接，目的是為 了使設(shè)置于基島21上的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊31工作時(shí)，能夠很好地起到散熱作用和支撐作 用；第7引出腳和第8引出腳通過基島22相互電連接，目的是為了使設(shè)置于基島22上的第 一功率器件32工作時(shí)，能夠很好地起到散熱作用和支撐作用；第3引出腳、第5引出腳和第 14引出腳通過基島23相互電連接，目的是為了使設(shè)置于基島23上的第二功率器件33工作 時(shí)，能夠很好地起到散熱作用和支撐作用。在此，各個(gè)基島的封裝面上設(shè)置的連接腳的個(gè)數(shù)及各個(gè)連接腳的形狀可以根據(jù)實(shí) 際情況而定，連接腳主要起到支撐基島、為設(shè)置于基島上的器件工作時(shí)散熱及連接基島與 引出腳三方面作用。在此各個(gè)連接腳具體與哪個(gè)引出腳，及跟幾個(gè)引出腳相連接，也是根據(jù)實(shí)際情況 自定義的。
本發(fā)明的半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，不局限于采用實(shí)施例一給出的DIP-8封裝或?qū)嵤├?二給出的S0IC-14封裝，可采用現(xiàn)有的任意成熟的引線框架實(shí)現(xiàn)。在具體設(shè)計(jì)本發(fā)明的半 橋驅(qū)動(dòng)電路芯片時(shí)，在引線框架允許的情況下，應(yīng)將用于放置第一功率器件和第二功率器 件的兩個(gè)基島的面積盡可能的設(shè)計(jì)的大些，這樣更有利于第一功率器件和第二功率器件工 作時(shí)散熱。
權(quán)利要求
一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，包括引線框架，所述的引線框架具有一個(gè)封裝面，所述的封裝面上設(shè)置有多個(gè)引出腳，其特征在于所述的封裝面上還設(shè)置有三個(gè)相互隔離且絕緣的基島，三個(gè)所述的基島與各個(gè)所述的引出腳互不相連，三個(gè)所述的基島各自均具有至少一個(gè)連接腳，各個(gè)所述的連接腳相互獨(dú)立，任一個(gè)所述的連接腳與至少一個(gè)所述的引出腳相連接，三個(gè)所述的基島上分別設(shè)置有驅(qū)動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件，所述的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口通過金屬導(dǎo)線與第一功率器件的信號(hào)控制端相連接，所述的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端口通過金屬導(dǎo)線與第二功率器件的信號(hào)控制端相連接，所述的第一功率器件的電流輸入端與所述的第一功率器件所在的所述的基島的連接腳相連接，所述的第一功率器件的電流輸出端通過金屬導(dǎo)線與所述的第二功率器件的電流輸入端相連接，所述的第二功率器件的電流輸入端與所述的第二功率器件所在的所述的基島的連接腳相連接，所述的第二功率器件的電流輸出端通過金屬導(dǎo)線與一個(gè)所述的引出腳相連接，所述的驅(qū)動(dòng)控制電路模塊的其余端口分別通過金屬導(dǎo)線與空閑的所述的引出腳相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，其特征在于所述的第一功率器件和 所述的第二功率器件均為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管的上表面上設(shè)置有柵極和源極，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的下表面 上設(shè)置有漏極，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極為信號(hào)控制端，所述的金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極為電流輸入端，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的源極為電流輸出端，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的下表面通過導(dǎo)電膠或其它 導(dǎo)電物質(zhì)或非導(dǎo)電膠粘接在所述的基島上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，其特征在于所述的第一功率器件和 所述的第二功率器件均為絕緣柵雙極型晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，其特征在于所述的第一功率器件和 所述的第二功率器件均為晶閘管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，其特征在于所述的驅(qū) 動(dòng)控制電路模塊通過導(dǎo)電膠或其它導(dǎo)電物質(zhì)或非導(dǎo)電膠固定于所述的基島上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半橋驅(qū)動(dòng)電路芯片，通過在引線框架的封裝面上設(shè)置三個(gè)相互隔離且絕緣的基島，每個(gè)基島具有至少一個(gè)連接腳，驅(qū)動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件分別設(shè)置于三個(gè)基島上，而驅(qū)動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件相互之間的連接通過金屬導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)，通過上述方式將驅(qū)動(dòng)控制電路模塊、第一功率器件和第二功率器件通過一個(gè)封裝體封裝在一起構(gòu)成芯片，與現(xiàn)有的將驅(qū)動(dòng)控制電路模塊和兩個(gè)功率器件分別獨(dú)立封裝形成三個(gè)芯片的方式相比，本芯片更為緊湊，且由于只使用了一個(gè)封裝體，大大降低了生產(chǎn)成本，同時(shí)由于一個(gè)芯片內(nèi)器件之間的相互連線的距離遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的三個(gè)獨(dú)立芯片之間的連線距離，大大減少了寄生參數(shù)。
文檔編號(hào)H01L25/16GK101834176SQ20101015459
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月26日
發(fā)明者吳小曄, 滕謀艷, 潘建立 申請(qǐng)人:日銀Imp微電子有限公司