專利名稱：一種雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與有機(jī)半導(dǎo)體器件有關(guān)，涉及磁性傳感器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
磁性傳感器通常使用于小型磁鐵工作的物體上，通過(guò)捕獲磁場(chǎng)的強(qiáng)度及其變化， 為檢測(cè)物體的接近、移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)等行為提供了一種獨(dú)特的手段。使用磁性傳感器的歷史相 當(dāng)久遠(yuǎn)，一些傳統(tǒng)的應(yīng)用例如，利用齒輪傳感器測(cè)量齒輪的轉(zhuǎn)速，應(yīng)用線圈型傳感器來(lái)觸 發(fā)埋在道路中的紅綠燈信號(hào)的電路回路，以及用霍爾裝置制作旋轉(zhuǎn)位置傳感器和電流傳感 器等，由于價(jià)格、尺寸和可靠性多方面因素的不足，這些傳統(tǒng)的磁性傳感器在市場(chǎng)規(guī)模上已 經(jīng)呈現(xiàn)飽和狀態(tài)。進(jìn)入21世紀(jì)后，由于在小型化方面取得了巨大進(jìn)展，全集成型的磁性傳感器需求 量正在急劇增大。目前市面上廣泛流行的是磁電阻(MR)傳感器，其原理是當(dāng)在鐵磁合金 薄帶的長(zhǎng)度方向施加一個(gè)電流時(shí)，如果在垂直于電流的方向再施加磁場(chǎng)，鐵磁性材料中就 有磁阻的非均質(zhì)現(xiàn)象出現(xiàn)，從而引起合金帶自身的阻值變化。此類傳感器通常由各向異性 磁電阻(AMR)材料和巨磁電阻(GMR)材料制作而成，前者通常是由一長(zhǎng)條鐵磁薄膜(如透 磁合金鎳鐵合金)，并用半導(dǎo)體技術(shù)將這些薄膜熔制在硅片上；而后者的結(jié)構(gòu)則是數(shù)層很 薄(25 50埃)的鐵磁層和非磁層交替生長(zhǎng)(FM/NM/FM/NM/FM…)在半導(dǎo)體基底上(如硅 等)而形成。理論預(yù)言，若將其用在小型化和微型化高密度記錄讀出頭、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中 可使存儲(chǔ)密度獲得極大的提高(約為100倍)。迄今為止，人們?cè)诖艂鞲衅鞯牟牧线x擇上還主要集中在無(wú)機(jī)的磁性金屬材料上， 而用不含任何磁性層的有機(jī)材料研制的半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，目前還處于研究狀態(tài)。由 于有機(jī)半導(dǎo)體材料，較傳統(tǒng)的AMR和GMR材料，擁有材料選擇范圍寬、電子自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)、 電子結(jié)構(gòu)易調(diào)節(jié)、所需工藝簡(jiǎn)單以及能夠制作成柔性襯底器件等諸多優(yōu)勢(shì)，因此國(guó)際上目 前正在積極研制有機(jī)半導(dǎo)體高靈敏度磁傳感器，但至今尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)存在的上述不足，在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，研制出 一種全新理念的磁性傳感器，即基于有機(jī)小分子半導(dǎo)體材料的薄膜磁性傳感器。本發(fā)明的技術(shù)方案如下—種雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，所述磁性傳感器是 基于有機(jī)電致發(fā)光材料triS(8-hydr0Xyquin0lat0) aluminum(Alq3)的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜器 件，所述磁性傳感器的結(jié)構(gòu)由下至上為襯底、導(dǎo)電透明陽(yáng)極indium tin OXide(IT0)、有機(jī) 材料功能層和lithium fluoride (LiF) /A1陰極，所述有機(jī)材料功能層依次由一空穴傳輸層 N，N' -bis (naphthalen-l-y) -N, N' -bis (phenyl)benzidine (NPB)，一傳感層 Alq3 3% 4 -dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran (DCM)禾口 一 電子傳輸層Alq3組成。所述磁性傳感器的電致發(fā)光強(qiáng)度由一個(gè)硅光電探頭測(cè)得并通過(guò)數(shù)字萬(wàn)用表 輸出，所得信號(hào)最后由計(jì)算機(jī)通過(guò)數(shù)據(jù)采集模塊進(jìn)行采集。其中有機(jī)材料Alq3、NPB和DCM的化學(xué)分子式如下
f . , ■ ‘J. ‘
^InyJ
CM CM
▽ Xf; O
J
Alq3
S;! ！
6
DCM
NPB所述磁性傳感器在垂直一維方向上的總厚度為340nm。所述導(dǎo)電透明陽(yáng)極IT0的厚度為lOOnm，有機(jī)材料功能層的厚度為140nm，LiF/Al 陰極的厚度為lOOnm;陽(yáng)極、有機(jī)材料功能層和陰極的厚度比為5 7 5。所述有機(jī)材料功能層的中空穴傳輸層NPB的厚度為60nm、傳感層Alq3 3% DCM 的厚度為50nm，電子傳輸層Alq3的厚度為30nm ；NPB、Alq3 :DCM和Alq3的厚度比例為 6丨5丨30所述摻雜劑采用紅色熒光染料DCM，摻雜濃度即摻雜劑占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為
3 % o所述襯底采用柔性襯底或普通玻璃襯底。本發(fā)明首創(chuàng)性地將有機(jī)小分子發(fā)光材料(八羥基喹啉鋁Tri s- (8-Hydroxy) QuinolineAluminum(Alq3))應(yīng)用在磁傳感器上，開發(fā)出一種全新的半導(dǎo)體器件。在該方案 中，申請(qǐng)人充分考慮了產(chǎn)品在實(shí)際使用情況下，可能存在的問(wèn)題(包括產(chǎn)品的能耗、實(shí)際操 作和可靠性等)，同時(shí)把設(shè)備的穩(wěn)定性放在首要位置上，也兼顧了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的成本投入。該有機(jī)半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，較先前的磁傳感器而言，其特點(diǎn)在于i)它既可 以通過(guò)測(cè)量電學(xué)信號(hào)、同時(shí)也可以通過(guò)測(cè)量光學(xué)信號(hào)來(lái)反映傳感器周圍的磁場(chǎng)情況，故而 從工作原理上看它是一種“雙參數(shù)”的新型磁性傳感器；ii)對(duì)所需的有機(jī)材料和制備工藝 的要求低，而且器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可進(jìn)行大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)；iii)該產(chǎn)品擁有良好的熱穩(wěn)定 性，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)；iv)該產(chǎn)品的測(cè)量結(jié)果在探測(cè)區(qū)域內(nèi)不隨著外磁場(chǎng)的方向變化而變化， 為實(shí)際操作提供了人性化幫助。另外，該發(fā)明擁有目前MR傳感器的優(yōu)勢(shì)i)采用了先進(jìn)的層狀薄膜結(jié)構(gòu)，尺寸上 滿足制備納米級(jí)微電子元件的要求；ii)功耗低效率高，是新一代節(jié)能環(huán)保型電子產(chǎn)品的 選擇；iii)測(cè)量精度高，測(cè)量范圍寬，可以實(shí)現(xiàn)非接觸測(cè)量。在信息飛速發(fā)展的時(shí)代，小尺寸和環(huán)保節(jié)能成為新一代電子產(chǎn)品的又一挑戰(zhàn)。本 發(fā)明尺寸小(一維尺寸僅為340nm)，完全可以集成在其它的電子傳感器元件/電子線路板 (甚至是柔性襯底)上來(lái)滿足小區(qū)域范圍內(nèi)精確磁場(chǎng)探測(cè)的要求。比較與傳統(tǒng)的磁性傳感 器，本發(fā)明在該方面有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)，而且測(cè)量范圍寬、測(cè)量精度高，完全符合目前國(guó)內(nèi) 外市場(chǎng)的實(shí)際需求。而且作為新一代的磁性傳感器，本發(fā)明還考慮進(jìn)了更多的市場(chǎng)因素來(lái)填補(bǔ)目前流行的MR傳感器的缺陷。例如制備該產(chǎn)品所需的有機(jī)材料可以通過(guò)簡(jiǎn)單的化學(xué)合成來(lái)獲 得和改進(jìn)，選擇范圍寬、優(yōu)化潛力大；制膜手段相對(duì)簡(jiǎn)單、成本低廉，易于實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)； 能夠提供多種的測(cè)量手段(利用雙參數(shù)測(cè)量)，結(jié)果可靠性高；可以全方位地探測(cè)磁場(chǎng)的大 小，為使用者在實(shí)際操作過(guò)程中提供人性化幫助；節(jié)能環(huán)保、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)，符合實(shí)現(xiàn)未來(lái) 綠色產(chǎn)品的要求。可見，本發(fā)明既延續(xù)了目前流行的MR傳感器的低功耗、高靈敏度和小尺寸等諸多 優(yōu)勢(shì)，而且還能夠?qū)崿F(xiàn)雙參數(shù)(即磁電阻和磁發(fā)光)響應(yīng)，同時(shí)還具有良好熱穩(wěn)定性，使傳 感器的可靠性大大增強(qiáng)。


圖1、雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)半導(dǎo)體磁性傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2、該磁性傳感器的電流-亮度-電壓(I-B-V)特性曲線；圖3、該磁性傳感器的電致發(fā)光光譜。圖4(a)、該磁性傳感器在室溫下，驅(qū)動(dòng)電壓為11. 7V、13. 8V、14. 8V和15. 9V時(shí)的磁 電導(dǎo)隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。圖4(b)、該磁性傳感器在室溫下，驅(qū)動(dòng)電壓為11. 7V、13. 8V、14. 8V和15. 9V時(shí)的磁 發(fā)光隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。圖5 (a)、該磁性傳感器在恒定驅(qū)動(dòng)條件下(驅(qū)動(dòng)電流 150 yA)、不同溫度時(shí)(15IT 室溫)的磁電導(dǎo)隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。圖5(b)、該磁性傳感器在恒定驅(qū)動(dòng)條件下(驅(qū)動(dòng)電流 150 yA)、不同溫度時(shí)(15IT 室溫)的磁發(fā)光隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，本有機(jī)半導(dǎo)體磁性傳感器的結(jié)構(gòu)由下至上為玻璃襯底1(可用柔性 襯底代替)、導(dǎo)電透明陽(yáng)極(IT0)2、有機(jī)材料功能層3和LiF/Al陰極4。有機(jī)材料功能層3 又由一個(gè)靠近陽(yáng)極的空穴傳輸層NPB 31，一個(gè)發(fā)光層Alq3 摻雜劑(DCM)32和一個(gè)靠近 陰極的電子傳輸層Alq3 33組成。其中有機(jī)材料Alq3、NPB和DCM皆商購(gòu)于美國(guó)Adrich公 司，純度> 99. 99% ；亦可通過(guò)化學(xué)手段合成獲得。磁性傳感器在垂直一維方向上的總厚度為340nm。所述導(dǎo)電透明陽(yáng)極IT0的厚度 為lOOnm，有機(jī)材料功能層的厚度為140nm，LiF/Al陰極的厚度為lOOnm。有機(jī)材料功能層 的中空穴傳輸層NPB的厚度為60nm、傳感層Alq3 3% DCM的厚度為50nm，電子傳輸層Alq3 的厚度為30nm。摻雜劑采用紅色熒光染料DCM，摻雜濃度即摻雜劑占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為3%。
本有機(jī)半導(dǎo)體磁性傳感器可由干電池提供直流驅(qū)動(dòng)電壓。整個(gè)傳感器器件由有機(jī)分子束外延和熱阻蒸發(fā)工藝制備而成，制備過(guò)程如下在沉積有機(jī)功能層之前，先后使用清洗液(Decon 90，濃度4%，水浴溫度60°C )、 去離子水對(duì)IT0玻璃基片反復(fù)超聲清洗，最后用乙醇、丙酮脫水后，傳入超高真空有機(jī)分子 束沉積系統(tǒng)，本底真空度優(yōu)于2. 2X 10_7Pa。NPB、Alq3的生長(zhǎng)速率為 0. lnm/s。50nm厚的 摻雜層采用共蒸發(fā)方法獲得，摻雜濃度控制在3%左右，以獲得最佳的發(fā)光一磁場(chǎng)關(guān)系曲線。50nm厚摻雜層位于60nm厚的空穴傳輸層NPB和30nm厚的電子傳輸層Alq3之間。用 來(lái)提高電子注入效率的LiF插在電子傳輸層Alq3和負(fù)電極A1之間，其厚度為0. 7nm。生長(zhǎng) 速率及膜厚采用INFIC0N公司的膜厚監(jiān)測(cè)儀(XTM/2)進(jìn)行原位測(cè)。制備A1電極是在與有 機(jī)室相連的熱阻蒸發(fā)室中進(jìn)行(本底真空度優(yōu)于3. OX 10_4Pa)，并通過(guò)金屬掩膜板沉積在 有機(jī)功能層上。器件的有效發(fā)光面積為IX3mm2。電致發(fā)光強(qiáng)度由一個(gè)硅光電探頭測(cè)得并 通過(guò)數(shù)字萬(wàn)用表輸出，所得信號(hào)最后由計(jì)算機(jī)通過(guò)數(shù)據(jù)采集模塊進(jìn)行采集。以下以程控電磁鐵(Lakeshore EM647)產(chǎn)生的磁場(chǎng)(0_500mT)為磁場(chǎng)源列舉該有 機(jī)半導(dǎo)體磁性傳感器的相關(guān)結(jié)果。參見圖2，從電流-亮度-電壓(I-B-V)特性曲線上看，該有機(jī)半導(dǎo)體磁性傳感器 在室溫下工作所需的啟亮電壓很低(僅 10伏)，并呈現(xiàn)出典型的半導(dǎo)體二極管特性。由圖3所示，從光譜上看，器件工作時(shí)發(fā)光位于可見光范圍內(nèi)(紅光，發(fā)光峰 飛05nm)，且發(fā)光峰位幾乎不隨外界條件(如驅(qū)動(dòng)電壓、外界溫度和外加磁場(chǎng))的改變發(fā)生 變化。這種光譜峰位的穩(wěn)定性為光收集提供了可靠的保證，在理論上為實(shí)現(xiàn)該器件在磁性 傳感器上的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。參見圖4 (a)，該磁性傳感器在室溫下，驅(qū)動(dòng)電壓為11. 7V、13. 8V、14. 8V和15. 9V時(shí) 的磁電導(dǎo)隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系，實(shí)線為擬合曲線。驅(qū)動(dòng)電壓越大，飽和磁場(chǎng)越大、靈敏度越高。參見圖4 (b)，該磁性傳感器在室溫下，驅(qū)動(dòng)電壓為11. 7V、13. 8V、14. 8V和15. 9V時(shí) 的磁發(fā)光隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。實(shí)線為擬合曲線。驅(qū)動(dòng)電壓越大，飽和磁場(chǎng)越大、靈敏度越高。參見圖5(a)，該磁性傳感器在恒定驅(qū)動(dòng)條件下(驅(qū)動(dòng)電流 150PA)、不同溫度時(shí) (15IT室溫)的磁電導(dǎo)隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。磁電導(dǎo)幾乎不隨著溫度發(fā)生變化。參見圖5(b)，該磁性傳感器在恒定驅(qū)動(dòng)條件下(驅(qū)動(dòng)電流 150PA)、不同溫度時(shí) (15IT室溫)的磁發(fā)光隨磁場(chǎng)的變化關(guān)系。磁發(fā)光幾乎不隨著溫度發(fā)生變化。由此可見，這種雙參數(shù)、高靈敏的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器的工作原理是基于 有機(jī)磁電阻(OMR)效應(yīng)和磁致有機(jī)發(fā)光(MEL)效應(yīng)。在磁場(chǎng)作用下，它既可以反映磁電導(dǎo) 變化，也可以反映磁發(fā)光的變化，故而是一種集電信號(hào)響應(yīng)和光信號(hào)響應(yīng)于一體的雙參數(shù) 新型磁性傳感器。磁電導(dǎo)的定義為△ I/I = (I⑶-I (0))/1 (0)；磁發(fā)光的定義為，AEL/EL =(EL (B) -EL (0)) /EL (0)。在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，該器件的“磁電導(dǎo)一磁場(chǎng)”和“磁發(fā)光一磁 場(chǎng)”關(guān)系曲線如圖所示。在0-45mT范圍內(nèi)，電流和發(fā)光都隨著磁場(chǎng)的增加而迅速增大；隨 著磁場(chǎng)的進(jìn)一步增大(> 45mT)，電流增加變緩并逐漸趨于飽和，而發(fā)光卻呈現(xiàn)指數(shù)下降趨 勢(shì)。電流和發(fā)光隨磁場(chǎng)的相對(duì)變化規(guī)律可以用兩個(gè)經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)擬合A/// = 4 -(一明化—(1)AEL / EL = AEL — 書丨+ Z)/;7( 2 )其中，&、Q、Dp Ael, Cel和為擬合參數(shù)，附圖中給出了室溫環(huán)境下，幾個(gè)不同驅(qū) 動(dòng)電壓下的擬合實(shí)例。 表一 驅(qū)動(dòng)電壓11. 7VU3. 8VU4. 8V和15. 9V下公式(1)和(2)的擬合參數(shù)表根據(jù)標(biāo)定的經(jīng)驗(yàn)公式，我們可以通過(guò)直接讀取磁電阻/磁致發(fā)光的數(shù)值來(lái)確定外 磁場(chǎng)的大小。標(biāo)定的經(jīng)驗(yàn)公式也可以反映出該有機(jī)半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器的性能參數(shù)，即 飽和磁場(chǎng)值(量程)和靈敏度。此外，器件的飽和磁場(chǎng)和探測(cè)靈敏度都會(huì)隨著驅(qū)動(dòng)電壓的 增大而變大。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為15. 9V(注入電流為200 iiA)時(shí)，飽和磁場(chǎng)為1500mT，靈敏度為
lOGso一般而言，外界溫度的變化往往會(huì)引起傳感器器件磁電阻的變化，這種外界影響 會(huì)給傳感器的測(cè)量精度帶來(lái)較大的誤差。溫度變化同樣會(huì)給不摻雜的Alq3器件的有機(jī)磁 電阻(OMR)效應(yīng)和有機(jī)磁致發(fā)光(MEL)帶來(lái)影響。針對(duì)以上問(wèn)題，如果利用共蒸發(fā)技術(shù)，往 主體材料Alq3中摻入少量的“深能級(jí)”的熒光染料摻雜劑作為發(fā)光客體，如紅光染料DCM， 利用其“激子捕獲”效應(yīng)就可以有效地抑制外界熱擾動(dòng)帶來(lái)的影響。申請(qǐng)人在實(shí)驗(yàn)室條件 下測(cè)量了 15IT室溫范圍內(nèi)摻雜器件的“磁電導(dǎo)一磁場(chǎng)”、“磁發(fā)光一磁場(chǎng)”關(guān)系曲線。理 論預(yù)言，摻雜劑帶寬越窄，抑制外界熱擾動(dòng)的效果就越好(熱穩(wěn)定性越佳)。紅光染料DCM 較其它染料而言，其帶寬窄，而且價(jià)格低廉、易于合成，因此是一種理想的應(yīng)用在有機(jī)半導(dǎo) 體磁性傳感器中的染料摻雜劑。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，3%為器件的最佳摻雜濃度，此時(shí)傳感器的飽和 磁場(chǎng)和靈敏度達(dá)到最大；當(dāng)濃度超過(guò)3%時(shí)，就會(huì)引起發(fā)光層強(qiáng)烈的“聚集效應(yīng)”，導(dǎo)致發(fā)光 淬滅，使器件的工作效率大大降低。
權(quán)利要求
一種雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，其特征在于所述磁性傳感器是基于有機(jī)電致發(fā)光材料Alq3的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜器件，所述磁性傳感器為層狀薄膜結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)由下至上為襯底、導(dǎo)電透明陽(yáng)極ITO、有機(jī)材料功能層和LiF/Al陰極；所述有機(jī)材料功能層依次由一空穴傳輸層NPB、一傳感層Alq3摻雜劑3％DCM和一電子傳輸層Alq3組成；所述磁性傳感器的電致發(fā)光強(qiáng)度由一個(gè)硅光電探頭測(cè)得并通過(guò)數(shù)字萬(wàn)用表輸出，所得信號(hào)最后由計(jì)算機(jī)通過(guò)數(shù)據(jù)采集模塊進(jìn)行采集；所述導(dǎo)電透明陽(yáng)極、有機(jī)材料功能層和LiF/Al陰極的厚度比為5∶7∶5；所述中空穴傳輸層NPB、傳感層Alq33％DCM和電子傳輸層Alq3的厚度比例為6∶5∶3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，其 特征在于所述磁性傳感器在垂直一維方向上的總厚度為340nm ；所述導(dǎo)電透明陽(yáng)極IT0的厚度為lOOnm，有機(jī)材料功能層的厚度為140nm，LiF/Al陰極 的厚度為lOOnm ；所述有機(jī)材料功能層的中空穴傳輸層NPB的厚度為60nm、傳感層Alq3 3% DCM的厚度 為50nm，電子傳輸層Alq3的厚度為30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，其 特征在于所述摻雜劑采用紅色熒光染料DCM，摻雜濃度即摻雜劑占發(fā)光層的質(zhì)量 百分比 為3%。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，其 特征在于所述襯底采用柔性襯底或普通玻璃襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，其 特征在于所述有機(jī)功能層的制備工藝采用有機(jī)分子束外延技術(shù)，LiF/Al陰極的制備采用 熱阻蒸發(fā)技術(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提出一種雙參數(shù)、高靈敏度的有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜磁性傳感器，其是基于有機(jī)電致發(fā)光材料Alq3的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜器件，所述磁性傳感器為層狀薄膜結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)由下至上為襯底、導(dǎo)電透明陽(yáng)極ITO、有機(jī)材料功能層和LiF/Al陰極；所述有機(jī)材料功能層依次由一空穴傳輸層NPB、一傳感層Alq3摻雜劑3％DCM和一電子傳輸層Alq3組成；所述磁性傳感器的電致發(fā)光強(qiáng)度由一個(gè)硅光電探頭測(cè)得并通過(guò)數(shù)字萬(wàn)用表輸出，所得信號(hào)最后由計(jì)算機(jī)通過(guò)數(shù)據(jù)采集模塊進(jìn)行采集。本發(fā)明既延續(xù)了目前流行的MR傳感器的低功耗、高靈敏度和小尺寸等諸多優(yōu)勢(shì)，而且還能夠?qū)崿F(xiàn)雙參數(shù)(即磁電阻和磁發(fā)光)響應(yīng)，同時(shí)還具有良好熱穩(wěn)定性，使傳感器的可靠性大大增強(qiáng)。
文檔編號(hào)H01L43/08GK101858961SQ201010162269
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月4日
發(fā)明者張巧明, 熊祖洪, 陳平, 雷衍連 申請(qǐng)人:西南大學(xué)