專利名稱：薄膜金屬層接線結構及其制造方法和陣列基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種薄膜金屬層接線結構及其制造方法和陣列基板。
背景技術：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。陣列基板是液晶顯示器的重要部件。圖6a為現(xiàn)有技術中陣列基板的結構示意圖， 圖6b為圖6a中薄膜金屬層接線結構的局部放大示意圖，如圖6a和圖6b所示，陣列基板包括像素區(qū)1和位于像素區(qū)1外圍的引線區(qū)2。陣列基板包括基板21和薄膜金屬層接線結構，基板21上形成有第一金屬層圖形22，第一金屬層圖形22上形成有第一絕緣層，第一絕緣層上形成有第二金屬層圖形對、第二金屬層圖形M上形成有外部絕緣層，第一絕緣層和外部絕緣層在圖6a和圖6b中未示出。其中，第一金屬層圖形22可以包括柵極線、公共電極線和維修線，第二金屬層圖形M可以包括數(shù)據(jù)線、公共電極連接線和維修線。薄膜金屬層接線結構四位于引線區(qū)2中，圖6b為薄膜金屬層接線結構四的放大圖。在薄膜金屬層接線結構四中，第一過孔沈為多列，每列多個，該第一過孔沈位于第一絕緣層和外部絕緣層上，并且下方僅形成有第一金屬層圖形22，而沒有第二金屬層圖形；第二過孔27為多列， 每列多個，該第二過孔27位于外部絕緣層上，并位于第二金屬層圖形M之上。第三金屬層圖形觀整體形成于外部絕緣層之上，并通過第一過孔沈和第二過孔27連接第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M。在設計和制造陣列基板的過程中，需要將引線區(qū)2的部分第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M連接?，F(xiàn)有技術存在的問題是，在薄膜金屬層接線結構四中，位于第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀容易出現(xiàn)過熱熔斷。圖6c為圖6b中薄膜金屬層接線結構的等效電路示意圖，結合圖6b和圖6c所示，由于第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M的電阻遠小于第三金屬層圖形觀的電阻，因此在圖6c中將第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M的電阻忽略不計。則在圖6c的等效電路圖中，Rl和R2為位于第二過孔27上方的第三金屬層圖形觀的等效電阻，R5和R6為第一過孔沈上方的第三金屬層圖形觀的等效電阻，R3和R4為第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀的等效電阻，RlO至R12為第一過孔沈位置的第三金屬層圖形觀與第一金屬層圖形22的接觸電阻，R7至R9為第二過孔27位置的第三金屬層圖形與第二金屬層圖形M的接觸電阻。如圖6c所示可以看出，在流經(jīng)各個電阻的電流中，流經(jīng)R3和R4位置的電流集中，因此 R3和R4位置容易發(fā)生過熱熔斷。由于R3和R4為位于第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀的等效電阻，因此位于第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀容易出現(xiàn)過熱熔斷
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種薄膜金屬層接線結構及其制造方法和陣列基板，用以避免位于第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形出現(xiàn)過熱熔斷。本發(fā)明提供一種薄膜金屬層接線結構，包括第一金屬層圖形；第二金屬層圖形；外部絕緣層，位于第一金屬層圖形和第二金屬層圖形之上；多個第一過孔，位于第一金屬層圖形之上；多個第二過孔，位于第二金屬層圖形之上，所述第一過孔與所述第二過孔相對設置；多個第三金屬層圖形，通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個所述第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上。本發(fā)明還提供一種設置有上述薄膜金屬層接線結構的陣列基板，包括基板和第
一絕緣層；所述第一金屬層圖形位于所述基板之上；所述第一絕緣層，位于所述第一金屬層圖形之上；所述第二金屬層圖形位于所述第一絕緣層之上。所述多個第一過孔穿透所述第一絕緣層和所述外部絕緣層；所述多個第二過孔穿透所述外部絕緣層。本發(fā)明提供一種設置有薄膜金屬層接線結構的陣列基板，包括基板；所述第一金屬層圖形位于所述基板之上；所述第二金屬層圖形與所述第一金屬層圖形同層設置且不相交；所述多個第一過孔穿透所述外部絕緣層；所述多個第二過孔穿透所述外部絕緣層。本發(fā)明還提供一種薄膜金屬層接線結構的制造方法，包括形成第一金屬層圖形和形成第二金屬層圖形；在所述第一金屬層圖形和所述第二金屬層圖形上形成外部絕緣層；在第一金屬層圖形之上形成多個第一過孔；在第二金屬層圖形之上形成多個第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔相對設置；在所述外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形，每個所述第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上并通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形。本發(fā)明提供的薄膜金屬層接線結構及其制造方法和陣列基板，薄膜金屬層接線結構包括多個第一過孔、多個第二過孔和多個第三金屬層圖形，第一過孔位于第一金屬層圖形之上，第二過孔位于第二金屬層圖形之上，第三金屬層圖形位于外部絕緣層之上并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。


圖Ia為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖；圖Ib為圖Ia中薄膜金屬層接線結構的局部放大示意圖；圖Ic為圖Ib中A-A向剖視圖；圖Id為圖Ib中薄膜金屬層接線結構的等效電路示意圖；圖2為發(fā)明實施例二提供的陣列基板的薄膜金屬層接線結構的局部放大示意圖；圖3為本發(fā)明實施例三提供的一種薄膜金屬層接線結構的制造方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實施例四提供的一種薄膜金屬層接線結構的制造方法的流程圖；圖5為本發(fā)明實施例五提供的一種薄膜金屬層接線結構的制造方法的流程圖；圖6a為現(xiàn)有技術中陣列基板的結構示意圖；圖6b為圖6a中接線位置的局部放大示意圖；圖6c為圖6b中接線位置的等效電路示意圖。附圖標記1-1象素區(qū)；2-引線區(qū)；21-基板；
22-第一金屬層圖形；24-第二金屬層圖形；23-第一絕緣層；
25-外部絕緣層；26-第一過孔；27-第二過孑L ；
28-第三金屬層圖形；29-薄膜金屬層接線結構；222.-公共電極線
221-柵極線；30-薄膜金屬層接線結構；223.-維修線；
241-數(shù)據(jù)線；M2-公共電極連接線；243.-維修線。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。圖Ia為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖，圖Ib為圖Ia中薄膜金屬層接線結構的局部放大示意圖，圖Ic為圖Ib中A-A向剖視圖，如圖la、圖Ib和圖Ic 所示，該陣列基板包括基板21和薄膜金屬層接線結構。例如本實施例的圖Ia中示出了薄膜金屬層接線結構四和薄膜金屬層接線結構30。該薄膜金屬層接線結構包括第一金屬層圖形22、第一絕緣層23、第二金屬層圖形24、外部絕緣層25、多個第一過孔26、多個第二過孔27和多個第三金屬層圖形觀。第一金屬層圖形22位于基板21之上。第一絕緣層23位于第一金屬層圖形22之上。第二金屬層圖形M位于第一絕緣層23之上。外部絕緣層25位于第一金屬層圖形22 和第二金屬層圖形M之上。第一過孔沈穿透第一絕緣層23和外部絕緣層25上位于第一金屬層圖形22之上。 如圖Ib所示，第一過孔沈可以為一列或多列，本實施例中以一列第一過孔沈為例進行說明。該第一過孔26且下方僅形成有第一金屬層圖形22，而未形成有第二金屬層圖形24。
第二過孔27穿透外部絕緣層25位于第二金屬層圖形M之上。第二過孔27與第一過孔沈相對設置。如圖Ib所示，第二過孔27可以為一列或多列，本實施例中以一列第二過孔27為例進行說明。具體地，每一行第二過孔27可對應于一行第一過孔26。第三金屬層圖形28位于外部絕緣層25之上，并通過第一過孔沈和第二過孔27 連接第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形24，每個第三金屬層圖形觀位于相對設置的第一過孔沈和第二過孔27上。本實施例中，每個第三金屬層圖形觀可連接一個第一過孔沈和一個第二過孔27。如圖Ib所示，每行第一過孔沈和與該第一過孔沈對應的第二過孔27上形成有一個第三金屬層圖形觀。因此，本實施例中，第三金屬層圖形觀是分離設置的。第三金屬層圖形觀可以為透明電極圖形，例如該透明電極圖形可以為ITO或者IZO 等。優(yōu)選地，第三金屬層圖形觀可以為條狀結構。如圖Ia所示，陣列基板可包括像素區(qū)1和位于像素區(qū)1外圍的引線區(qū)2。薄膜金屬層接線結構可位于像素區(qū)1或者位于引線區(qū)2。本實施例中以薄膜金屬層接線結構位于引線區(qū)2為例對技術方案進行描述。本實施例中，第一金屬層圖形22可由柵金屬層形成， 第二金屬層圖形對可由數(shù)據(jù)金屬層形成。例如本實施例中，第一金屬層圖形22可以包括柵極線221、公共電極線222和維修線223，第二金屬層圖形M可以包括數(shù)據(jù)線Ml、公共電極連接線242和維修線對3，如圖Ia所示。其中，例如維修線223和維修線243位于引線區(qū)2中，柵極線221、公共電極線222、數(shù)據(jù)線241和公共電極連接線242位于像素區(qū)1和引線區(qū)2中。例如圖Ia中，薄膜金屬層接線結構四中的第一金屬層圖形22為公共電極線 222，第二金屬層圖形M為公共電極連接線M2。其中，公共電極連接線M2的功能是將電位相等的多條公共電極線222連接。薄膜金屬層接線結構30中的第一金屬層圖形22為維修線223，第二金屬層圖形M為維修線M3。連接第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M的多個第三金屬層圖形觀的等效電阻為并聯(lián)結構。圖Id為圖Ib中薄膜金屬層接線結構的等效電路示意圖，如圖Id所示， 由于第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M的電阻遠小于第三金屬層圖形觀的電阻，因此在圖Id中將第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M的電阻忽略不計。則在圖Id中， R12為第一過孔沈位置的第三金屬層圖形觀與第一金屬層圖形22的接觸電阻，R14為第二過孔27位置的第三金屬層圖形觀與第二金屬層圖形M的接觸電阻，R13為第一過孔沈和與該第一過孔26相對設置的第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀的等效電阻，即R13 為連接第一金屬層圖形22和第二金屬層圖形M的第三金屬層圖形觀的等效電阻。圖Id 中的R13為并聯(lián)結構，因此，整個等效電路為并聯(lián)結構。如圖Id可以看出，來自于第一金屬層圖形22的電流依次通過R12、R13和R14到達第二金屬層圖形24，由于等效電路為并聯(lián)結構，因此流經(jīng)每個R13的電流是均等的，也就是說，來自于第一金屬層圖形22的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形觀的，從而避免了由于電流集中而導致的第三金屬層圖形觀過熱熔斷的問題。本實施例提供的陣列基板包括基板和薄膜金屬層接線結構，薄膜金屬層接線結構包括多個第一過孔、多個第二過孔和多個第三金屬層圖形，第一過孔穿透第一絕緣層和外部絕緣層位于第一金屬層圖形之上，第二過孔穿透外部絕緣層位于第二金屬層圖形之上， 第三金屬層圖形位于外部絕緣層之上并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。采用本實施例提供的陣列基板，無需減小接線位置的信號電流，從而使陣列基板可采用較大的信號電流。圖2為發(fā)明實施例二提供的陣列基板的薄膜金屬層接線結構的局部放大示意圖， 如圖2所示，本實施例的陣列基板與上述實施例一的區(qū)別在于本實施例中，多個第一過孔 26交錯排布，多個第二過孔27交錯排布。具體地，本實施例中相鄰第三金屬層圖形觀下方的第一過孔沈交錯排布，以及相鄰第三金屬層圖形觀下方的第二過孔27交錯排布。在實施例一中相鄰的兩個第一過孔沈在縱向是對齊的，而在本實施例中第一過孔沈中相鄰的兩個第一過孔沈在縱向是不位于同一列中，即相鄰的兩個第一過孔沈在縱向位于不同列中。同樣地，在實施例一中相鄰的兩個第二過孔27在縱向是對齊的，而在本實施例中第二過孔27中相鄰的兩個第二過孔27在縱向是不位于同一列中，即相鄰的兩個第二過孔27 在縱向位于不同列中。此種交錯的排列方式可以使得第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀位置的電壓降低更加平緩，防止電壓突然降低而導致第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀的過熱熔斷。并且此種過孔交錯排列的排列方式可以使得散熱面積增大，電流流經(jīng)第三金屬層圖形觀時產(chǎn)生的熱量更加分散，更有利于第三金屬層圖形觀的散熱，從而防止第一過孔沈和第二過孔27之間的第三金屬層圖形觀的過熱熔斷。本實施例中，對陣列基板上其余結構的描述可參見圖la、圖Ic和圖Id以及實施例一中的描述，此處不再贅述。本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括基板和薄膜金屬層接線結構。薄膜金屬層接線結構包括第一金屬層圖形、第二金屬層圖形、外部絕緣層、多個第一過孔、多個第二過孔和多個第三金屬層圖形。第一金屬層圖形位于基板之上；第二金屬層圖形與第一金屬層圖形同層設置且不相交；外部絕緣層位于第一金屬層圖形和第二金屬層圖形之上；第一過孔穿透外部絕緣層位于第一金屬層圖形之上；第二過孔穿透外部絕緣層位于所述第二金屬層圖形之上，第一過孔與第二過孔相對設置；第三金屬層圖形位于外部絕緣層之上，并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上。本實施例中，陣列基板包括像素區(qū)和位于像素區(qū)外圍的引線區(qū)。薄膜金屬層接線結構可形成在像素區(qū)或引線區(qū)。并且第一金屬層圖形和同層設置的第二金屬層圖形由柵線金屬層或數(shù)據(jù)金屬層形成。本實施例中，連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形的多個第三金屬層圖形的等效電阻為并聯(lián)結構。進一步地，本實施例中，多個第一過孔沈可交錯排布，多個第二過孔27可交錯排布。本實施例與上述實施例一和實施例二的區(qū)別在于本實施例中的第二金屬層圖形與第一金屬層圖形同層設置且不相交。其余描述可參見實施例一中的描述，此處不再贅述。本實施例提供的陣列基板，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。采用本實施例提供的陣列基板，無需減小接線位置的信號電流，從而使陣列基板可采用較大的信號電流。本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜金屬層連接結構，該薄膜金屬層連接結構可包括第一金屬層圖形、第二金屬層圖形、外部絕緣層、多個第一過孔、多個第二過孔和多個第三金屬層圖形。外部絕緣層位于第一金屬層圖形和第二金屬層圖形之上；第一過孔位于第一金屬層圖形之上；第二過孔位于第二金屬層圖形之上，第一過孔與第二過孔相對設置； 第三金屬層圖形通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上。本實施例中，第三金屬層圖形可以為條狀結構。本實施例中，每個第三金屬層圖形連接一個第一過孔和一個第二過孔。進一步地，多個第一過孔交錯排布，多個第二過孔交錯排布。對本實施例中薄膜金屬層連接結構的具體描述可參見實施例一或者實施例二中對薄膜金屬層連接結構的描述。本實施例提供的薄膜金屬層連接結構，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。圖3為本發(fā)明實施例三提供的一種薄膜金屬層接線結構的制造方法的流程圖，如圖3所示，該方法包括步驟301、形成第一金屬層圖形和形成第二金屬層圖形；步驟302、在所述第一金屬層圖形和所述第二金屬層圖形上形成外部絕緣層；步驟303、在第一金屬層圖形之上形成多個第一過孔；步驟304、在第二金屬層圖形之上形成多個第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔相對設置；步驟305、在所述外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形，每個所述第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上并通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形。本實施例提供的薄膜金屬層接線結構的制造方法制造出的薄膜金屬層接線結構中，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。圖4為本發(fā)明實施例四提供的一種薄膜金屬層接線結構的制造方法的流程圖，如圖4所示，該方法包括步驟401、形成第一金屬層圖形。本實施例中，可通過構圖工藝形成第一金屬層圖形。具體地，可通過構圖工藝在基板上形成第一金屬層圖形。例如可通過磁控濺射的方法在基板上沉積第一金屬層，該第一金屬層的厚度可以為1000A至7000A，該第一金屬層的材料可以為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻或銅等；通過對第一金屬層進行掩模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在基板上形成第一金屬層圖形。。步驟402、在第一金屬層圖形上形成第一絕緣層。本實施例中，在整個基板上形成第一絕緣層，以使第一金屬層圖形上形成第一絕緣層，該第一絕緣層的厚度可以為1000A至6000A,該第一絕緣層的材料可以為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅等。進一步地，在第一絕緣層上還可形成半導體層，該半導體層的厚度可以為ιοοοΑ至6000A,該半導體層的材料可以為非晶硅薄膜，通過對半導體層進行掩模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在第一絕緣層上形成半導體層圖形。陣列基板包括像素區(qū)和位于像素區(qū)外圍的引線區(qū)。本實施例中的薄膜金屬層接線結構可位于像素區(qū)或者引線區(qū)。若薄膜金屬層接線結構位于像素區(qū)，則該薄膜金屬層接線結構包括半導體層圖形；若薄膜金屬層接線結構位于引線區(qū)，則該薄膜金屬層接線結構不包括半導體層圖形，該半導體層被刻蝕掉。步驟403、在第一絕緣層上形成第二金屬層圖形。本實施例中，可通過構圖工藝在第一絕緣層上形成第二金屬層圖形。具體地，通過磁控濺射的方法在第一絕緣層上沉積第二金屬層，該第二金屬層的厚度可以為1000A至 7000A，該第二金屬層的材料可以為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻或銅等；通過對第二金屬層進行掩模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在第一絕緣層上形成第二金屬層圖形。步驟404、在第一金屬層圖形和第二金屬層圖形上形成外部絕緣層。本實施例中，在整個基板上形成外部絕緣層，以使第一金屬層圖形和第二金屬層圖形上形成外部絕緣層，該外部絕緣層的厚度可以為1000A至6000A,該外部絕緣層的材料可以為氮化硅或二氧化硅。步驟405、在第一絕緣層和外部絕緣層上形成多個第一過孔，該第一過孔位于第一金屬層圖形之上；以及在外部絕緣層上形成第二過孔，該第二過孔位于第二金屬層圖形之上，第一過孔與第二過孔相對設置。本實施例中，可通過光刻工藝形成第一過孔和第二過孔。具體地，通過對外部絕緣層和第一絕緣層進行涂膠、曝光、顯影、刻蝕和剝離工藝，在第一絕緣層和外部絕緣層上形成第一過孔；以及通過對外部絕緣層進行涂膠、曝光、顯影、刻蝕和剝離工藝，在外部絕緣層上形成第二過孔。本實施例中，形成的第一過孔穿透第一絕緣層和外部絕緣層，形成的第二過孔穿透外部絕緣層。本實施例中，多個第一過孔以及多個第一過孔與薄膜晶體管鈍化層過孔在同步工藝中形成。步驟406、在外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第
二金屬層圖形。本實施例中，可通過光刻工藝在外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形。具體地， 在完成步驟405的基板上沉積第三金屬層，該第三金屬層的厚度可以為IOOA至1000A,該第三金屬層的材料可以為ITO或者IZO等；通過對第三金屬層進行涂膠、曝光、顯影、刻蝕和剝離工藝，在第三金屬層上形成第三金屬層圖形。本實施例中，第三金屬層圖形與薄膜晶體管像素電極在同步工藝中形成。本實施例中，多個第一過孔可交錯排布，多個第二過孔可交錯排布。第一過孔和與第一過孔相對設置的第二過孔之間的多個第三金屬層的等效電阻為并聯(lián)結構。本實施例提供的薄膜金屬層接線結構的制造方法可用于制備本發(fā)明實施例中的薄膜金屬層接線結構，該方法具備形成相應結構的步驟。
本實施例提供的薄膜金屬層接線結構的制造方法，薄膜金屬層接線結構形成有多個第一過孔、多個第二過孔和多個第三金屬層圖形，第一過孔形成于第一絕緣層和外部絕緣層上并位于第一金屬層圖形之上，第二過孔形成于外部絕緣層并位于第二金屬層圖形之上，第三金屬層圖形位于外部絕緣層之上并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。圖5為本發(fā)明實施例五提供的一種薄膜金屬層接線結構的制造方法的流程圖，如圖5所示，該方法包括步驟501、形成第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，該第二金屬層圖形與第一金屬層圖形同層設置且不相交。本實施例中，可通過構圖工藝形成第一金屬層圖形和第二金屬層圖形。例如可通過磁控濺射的方法在基板上沉積金屬層，該金屬層的厚度可以為1000A至7000A，該金屬層的材料可以為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻或銅等；通過對金屬層進行掩模版掩模、曝光和刻蝕工藝，形成第一金屬層圖形和第二金屬層圖形。第一金屬層圖形和同層設置的第二金屬層圖形可由柵線金屬層或數(shù)據(jù)金屬層形成。步驟502、在第一金屬層圖形和第二金屬層圖形之上形成外部絕緣層。本實施例中，在整個基板上形成外部絕緣層，以使第一金屬層圖形和第二金屬層圖形上形成外部絕緣層，該外部絕緣層的厚度可以為1000A至6000人,該外部絕緣層的材料可以為氮化硅或二氧化硅。步驟503、在外部絕緣層上形成多個第一過孔和多個第二過孔，該第一過孔位于第一金屬層圖形之上，該第二過孔位于第二金屬層圖形之上，第一過孔與第二過孔相對設置。本實施例中，可通過光刻工藝形成第一過孔和第二過孔。具體地，通過對外部絕緣層進行涂膠、曝光、顯影、刻蝕和剝離工藝，在外部絕緣層上形成第一過孔和第二過孔。本實施例中，形成的第一過孔穿透外部絕緣層，形成的第二過孔穿透外部絕緣層。步驟504、在外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形。本實施例中，可通過光刻工藝在外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形。具體地， 在完成步驟503的基板上沉積第三金屬層，該第三金屬層的厚度可以為IOOA至1000A,該第三金屬層的材料可以為ITO或者IZO等；通過對第三金屬層進行涂膠、曝光、顯影、刻蝕和剝離工藝，在第三金屬層上形成第三金屬層圖形。本實施例中，第三金屬層圖形與薄膜晶體管像素電極在同步工藝中形成。本實施例中，多個第一過孔可交錯排布，多個第二過孔可交錯排布。第一過孔和與第一過孔相對設置的第二過孔之間的多個第三金屬層的等效電阻為并聯(lián)結構。本實施例提供的薄膜金屬層接線結構的制造方法可用于制備本發(fā)明實施例中的薄膜金屬層接線結構，該方法具備形成相應結構的步驟。本實施例提供的薄膜金屬層接線結構的制造方法，薄膜金屬層接線結構形成有多個第一過孔、多個第二過孔和多個第三金屬層圖形，第一過孔形成于外部絕緣層上并位于第一金屬層圖形之上，第二過孔形成于外部絕緣層并位于第二金屬層圖形之上，第三金屬層圖形位于外部絕緣層之上并通過第一過孔和第二過孔連接第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上，來自于第一金屬層圖形的電流是平均流經(jīng)每個第三金屬層圖形的，從而避免了由于電流集中而導致的第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。本發(fā)明實施例中的陣列基板包括基板和形成于基板之上的薄膜金屬層接線結構。 該薄膜金屬層接線結構可采用上述實施例三、實施例四或者實施例五所述的薄膜金屬層接線結構的制造方法進行制造。本發(fā)明實施例中提供的陣列基板中各層結構的形成順序可根據(jù)需要進行并更，并且，各層結構之間還可以形成如半導體層等其他層次，本發(fā)明所要保護的陣列基板并不限于本發(fā)明各實施例以及對應附圖中所示的方案，本發(fā)明提供的方案可以用于任一薄膜陣列結構引線區(qū)域不同層金屬線接線位置的結構設計。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
權利要求
1.一種薄膜金屬層接線結構，其特征在于，包括 第一金屬層圖形；第二金屬層圖形；外部絕緣層，位于第一金屬層圖形和第二金屬層圖形之上； 多個第一過孔，位于第一金屬層圖形之上；多個第二過孔，位于第二金屬層圖形之上，所述第一過孔與所述第二過孔相對設置； 多個第三金屬層圖形，位于所述外部絕緣層之上并通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個所述第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜金屬層接線結構，其特征在于，多個第一過孔交錯排布。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜金屬層接線結構，其特征在于，多個第二過孔交錯排布。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜金屬層接線結構，其特征在于，每個所述第三金屬層圖形連接一個所述第一過孔和一個所述第二過孔。
5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜金屬層接線結構，其特征在于，所述第三金屬層圖形為條狀結構。
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜金屬層接線結構，其特征在于，連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形的多個第三金屬層圖形的等效電阻為并聯(lián)結構。
7.一種設置有根據(jù)權利要求1 6任一所述的薄膜金屬層接線結構的陣列基板，其特征在于，包括基板和第一絕緣層；所述第一金屬層圖形位于所述基板之上； 所述第一絕緣層，位于所述第一金屬層圖形之上； 所述第二金屬層圖形位于所述第一絕緣層之上。 所述多個第一過孔穿透所述第一絕緣層和所述外部絕緣層； 所述多個第二過孔穿透所述外部絕緣層。
8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板，包括像素區(qū)和位于所述像素區(qū)外圍的引線區(qū)，其特征在于所述薄膜金屬層接線結構形成在所述像素區(qū)或所述引線區(qū)；所述第一金屬層圖形由柵金屬層形成，所述第二金屬層圖形由數(shù)據(jù)金屬層形成。
9.一種設置有根據(jù)權利要求1 6任一所述的薄膜金屬層接線結構的陣列基板，其特征在于，包括基板；所述第一金屬層圖形位于所述基板之上；所述第二金屬層圖形與所述第一金屬層圖形同層設置且不相交；所述多個第一過孔穿透所述外部絕緣層；所述多個第二過孔穿透所述外部絕緣層。
10.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板，包括像素區(qū)和位于所述像素區(qū)外圍的引線區(qū)，其特征在于所述薄膜金屬層接線結構形成在所述像素區(qū)或所述引線區(qū)；所述第一金屬層圖形和同層設置的所述第二金屬層圖形由柵金屬層或數(shù)據(jù)金屬層形成。
11.一種薄膜金屬層接線結構的制造方法，其特征在于，包括形成第一金屬層圖形和形成第二金屬層圖形； 在所述第一金屬層圖形和所述第二金屬層圖形上形成外部絕緣層； 在第一金屬層圖形之上形成多個第一過孔；在第二金屬層圖形之上形成多個第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔相對設置； 在所述外部絕緣層上形成多個第三金屬層圖形，每個所述第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上并通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形。
12.根據(jù)權利要求11所述的薄膜金屬層接線結構的制造方法，其特征在于 多個第一過孔以及多個第二過孔與薄膜晶體管鈍化層過孔在同步工藝中形成； 第三金屬層圖形與薄膜晶體管像素電極在同步工藝中形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜金屬層接線結構及其制造方法和陣列基板。該薄膜金屬層接線結構包括第一金屬層圖形；第二金屬層圖形；外部絕緣層，位于第一金屬層圖形和第二金屬層圖形之上；多個第一過孔，位于第一金屬層圖形之上；多個第二過孔，位于第二金屬層圖形之上，所述第一過孔與所述第二過孔相對設置；多個第三金屬層圖形，通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述第一金屬層圖形和第二金屬層圖形，每個所述第三金屬層圖形位于相對設置的第一過孔和第二過孔之上。本發(fā)明避免了第一過孔和第二過孔之間的第三金屬層圖形過熱熔斷。
文檔編號H01L27/02GK102280436SQ20101020139
公開日2011年12月14日 申請日期2010年6月9日 優(yōu)先權日2010年6月9日
發(fā)明者彭志龍, 秦緯 申請人:北京京東方光電科技有限公司