專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示面板、像素陣列基板及其像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板、像素陣列結(jié)構(gòu)以及其像素結(jié)構(gòu)，尤指一種綠色子 像素的儲(chǔ)存電容的電容值大于其紅色子像素與藍(lán)色子像素的儲(chǔ)存電容的電容值的液晶顯 示面板、像素陣列結(jié)構(gòu)以及其像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示面板具有重量輕、功率消耗少以及低輻射等等的優(yōu)點(diǎn)，因此， 液晶顯示面板已廣泛地應(yīng)用于市面上多種可攜式信息產(chǎn)品，例如筆記本電腦(notebook) 以及個(gè)人數(shù)字助理(personal digital assistant, PDA)等商品。當(dāng)進(jìn)行液晶顯示面板的 驅(qū)動(dòng)時(shí)，因其中的液晶分子固定在一個(gè)角度太久，會(huì)造成液晶分子產(chǎn)生形變慣性，使液晶顯 示面板無(wú)法轉(zhuǎn)換畫(huà)面，因此為了避免降低液晶顯示面板的顯示品質(zhì)，一般會(huì)使用極性反轉(zhuǎn) 的驅(qū)動(dòng)方式。一般極性反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式可區(qū)分為幀反轉(zhuǎn)(frame inversion)、列反轉(zhuǎn)(row inversion)、行反轉(zhuǎn)(column inversion)以及點(diǎn)反轉(zhuǎn)(dot inversion)等方式。請(qǐng)參考 圖1，圖1為已知液晶顯示面板利用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式顯示白色垂直條狀圖案的子像素極 性排列示意圖。如圖1所示，已知液晶顯示面板10包括多個(gè)呈矩陣方式排列的子像素12。 各行的子像素12分別依序?yàn)轱@示紅色、綠色與藍(lán)色的子像素12，且紅色子像素12、與紅色 子像素12相鄰的綠色子像素12與與綠色子像素12相鄰的藍(lán)色子像素12構(gòu)成像素18。當(dāng) 液晶顯示面板10利用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式來(lái)驅(qū)動(dòng)時(shí)，位于同一列的子像素12的極性排列為 正極性14與負(fù)極性16交替依序排列，且位于同一行的子像素12的極性排列亦為正極性14 與負(fù)極性16交替依序排列。并且，當(dāng)液晶顯示面板10進(jìn)行白色垂直條狀圖案的測(cè)試時(shí)，位于同一列的像素18 呈現(xiàn)一亮一暗交替排列的畫(huà)面，且位于同一行的像素18呈同時(shí)亮或同時(shí)暗的畫(huà)面。于此驅(qū) 動(dòng)方式中，位于第一列已開(kāi)啟的紅色子像素12與藍(lán)色子像素12皆具有正極性，且位于第一 列已開(kāi)啟的綠色子像素12則具有負(fù)極性。其中，子像素12的極性由各子像素12的像素電 極的電壓相較于公共電壓來(lái)做判定，子像素12的極性為正極性時(shí)，像素電極的電壓大于公 共電壓，且像素電極處于高電平。反之，像素電極的電壓小于公共電壓，且像素電極處于低 電平。請(qǐng)參考圖2，圖2為圖1位于第一列的紅色子像素/藍(lán)色子像素的像素電極的電 壓與綠色子像素的像素電極的電壓的時(shí)序示意圖。如圖1與圖2所示，位于同一列中，當(dāng)具 有正極性14的子像素12數(shù)量較具有負(fù)極性16的子像素12的多時(shí)，即表示提供至紅色子 像素12與藍(lán)色子像素12的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd位于高電平，而提供至綠色子像素12的數(shù)據(jù)信號(hào) Vd位于低電平，公共電壓Vcom的大小容易受到提供至紅色子像素12與藍(lán)色子像素12的 數(shù)據(jù)信號(hào)Vd影響而往高電平的電壓偏移，使驅(qū)動(dòng)紅色子像素12/藍(lán)色子像素12的像素電 壓差變小，而使驅(qū)動(dòng)綠色子像素12的像素電壓差增加。進(jìn)一步造成紅色子像素12/藍(lán)色子 像素12所顯示出的灰階較低，而綠色子像素12所顯示出的灰階較高。因此，當(dāng)液晶顯示面
5板10利用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式來(lái)進(jìn)行白色垂直條狀圖案的測(cè)試時(shí)，液晶顯示面板10會(huì)產(chǎn)生 偏綠色(Greenish)的畫(huà)面。有鑒于此，解決產(chǎn)生偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題實(shí)為業(yè)界努力的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種液晶顯示面板、像素陣列基板及其像素結(jié) 構(gòu)，以解決上述產(chǎn)生偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基板上。基板上具有第一子像 素區(qū)與第二子像素區(qū)。像素結(jié)構(gòu)包括至少一第一子像素電極、至少一第二子像素電極、至少 一公共線(xiàn)、至少一第一晶體管、至少一第二晶體管以及掃描線(xiàn)。第一子像素電極與第二子像 素電極分別設(shè)置于基板的第一子像素區(qū)與第二子像素區(qū)上。公共線(xiàn)設(shè)置于基板上，且越過(guò) 第一子像素區(qū)以及第二子像素區(qū)。公共線(xiàn)分別與第一子像素電極與第二子像素電極重疊耦 合構(gòu)成至少一第一儲(chǔ)存電容與至少一第二儲(chǔ)存電容，其中第二儲(chǔ)存電容的電容值大于第一 儲(chǔ)存電容的電容值。第一晶體管與第二晶體管設(shè)置于基板上，且分別與第一子像素電極與 第二子像素電極電性連接。第一晶體管具有第一調(diào)整電容，且第二晶體管具有第二調(diào)整電 容，其中第一調(diào)整電容的電容值大于第二調(diào)整電容的電容值。掃描線(xiàn)設(shè)置于基板上，且越過(guò) 第一子像素區(qū)以及第二子像素區(qū)。掃描線(xiàn)分別跟第一晶體管與第二晶體管電性連接。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種像素陣列基板，其包括基板以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。 基板上定義有多個(gè)像素區(qū)，呈矩陣方式排列，其中各像素區(qū)定義有第一子像素區(qū)與第二子 像素區(qū)。多個(gè)像素結(jié)構(gòu)分別設(shè)于各像素區(qū)中，且各像素結(jié)構(gòu)包括至少一第一子像素電極、至 少一第二子像素電極、至少一公共線(xiàn)、至少一第一晶體管、至少一第二晶體管以及掃描線(xiàn)。 第一子像素電極與第二子像素電極分別設(shè)置于基板的第一子像素區(qū)與第二子像素區(qū)上。公 共線(xiàn)設(shè)置于基板上，且越過(guò)第一子像素區(qū)以及第二子像素區(qū)。公共線(xiàn)分別與第一子像素電 極與第二子像素電極重疊耦合構(gòu)成至少一第一儲(chǔ)存電容與至少一第二儲(chǔ)存電容，其中第二 儲(chǔ)存電容的電容值大于第一儲(chǔ)存電容的電容值。第一晶體管與第二晶體管設(shè)置于基板上， 且分別與第一子像素電極與第二子像素電極電性連接。第一晶體管具有第一調(diào)整電容，且 第二晶體管具有第二調(diào)整電容，其中第一調(diào)整電容的電容值大于第二調(diào)整電容的電容值。 掃描線(xiàn)設(shè)置于基板上，且越過(guò)第一子像素區(qū)以及第二子像素區(qū)。掃描線(xiàn)分別跟第一晶體管 與第二晶體管電性連接。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其包括第一基板、多個(gè)像素結(jié) 構(gòu)、第二基板以及液晶層。第一基板上定義有多個(gè)像素區(qū)，呈矩陣方式排列，其中各像素區(qū) 定義有第一子像素區(qū)與第二子像素區(qū)。像素結(jié)構(gòu)分別設(shè)于各像素區(qū)中，且各像素結(jié)構(gòu)包括 至少一第一子像素電極、至少一第二子像素電極、至少一公共線(xiàn)、至少一第一晶體管、至少 一第二晶體管以及掃描線(xiàn)。第一子像素電極與第二子像素電極分別設(shè)置于基板的第一子像 素區(qū)與第二子像素區(qū)上。公共線(xiàn)設(shè)置于基板上，且越過(guò)第一子像素區(qū)以及第二子像素區(qū)。公 共線(xiàn)分別與第一子像素電極與第二子像素電極重疊耦合構(gòu)成至少一第一儲(chǔ)存電容與至少 一第二儲(chǔ)存電容，其中第二儲(chǔ)存電容的電容值大于第一儲(chǔ)存電容的電容值。第一晶體管與 第二晶體管設(shè)置于基板上，且分別與第一子像素電極與第二子像素電極電性連接。第一晶 體管具有第一調(diào)整電容，且第二晶體管具有第二調(diào)整電容，其中第一調(diào)整電容的電容值大 于第二調(diào)整電容的電容值。掃描線(xiàn)設(shè)置于基板上，且越過(guò)第一子像素區(qū)以及第二子像素區(qū)。掃描線(xiàn)分別跟第一晶體管與第二晶體管電性連接。第二基板與第一基板相對(duì)設(shè)置。液晶層 設(shè)置于第一基板與第二基板之間。本發(fā)明調(diào)整像素結(jié)構(gòu)的第二儲(chǔ)存電容至的電容值大于第一儲(chǔ)存電容的電容值，使 具有正極性的第二子像素電極對(duì)公共線(xiàn)所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)較負(fù)極性的第一子像素電極對(duì) 公共線(xiàn)所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)高，進(jìn)而降低公共線(xiàn)的公共電壓的受到像素電壓的影響，以解決 偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。并且，本發(fā)明更調(diào)整像素結(jié)構(gòu)的第二調(diào)整電容至小于第一調(diào)整電容，以 避免因第二儲(chǔ)存電容的電容值大于第一儲(chǔ)存電容的電容值造成畫(huà)面亮度不足或畫(huà)面閃爍， 進(jìn)而可于正常顯示狀態(tài)下解決偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。


圖1為已知液晶顯示面板利用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式顯示白色垂直條狀圖案的子像 素極性排列示意圖。圖2為圖1位于第一列的紅色子像素/藍(lán)色子像素的像素電極的電壓與綠色子像 素的像素電極的電壓的時(shí)序示意圖。圖3為本發(fā)明子像素的等效電路示意圖。圖4為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的像素陣列基板的俯視示意圖。圖6為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖7為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)隨著第一儲(chǔ)存電容以及第三儲(chǔ)存電容 與第二儲(chǔ)存電容具有不同的比例所具有的像素電壓的時(shí)序曲線(xiàn)圖。圖8為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)沿著圖6中AA’線(xiàn)的剖面示意圖。圖9為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)沿著圖6中BB’線(xiàn)的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的第一晶體管的放大示意圖。圖11為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的第二晶體管的放大示意圖。圖12為本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖13為本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖14為本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10液晶顯示面板12子像素
14正極性16負(fù)極性
18像素100子像素
102掃描線(xiàn)104%[據(jù)線(xiàn)
106晶體管108公共電極
110公共線(xiàn)112儲(chǔ)存電容
114液晶電容116耦合電容
118耦合電容120耦合電容
122耦合電容150液晶顯示面板
152像素陣列基板154彩色濾光片基板
156液晶層158第一基板
7
350 像素結(jié)構(gòu)400 像素結(jié)構(gòu)402 數(shù)據(jù)線(xiàn)
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本 發(fā)明的數(shù)個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明子像素的等效電路示意圖。如圖3所示，本發(fā)明的子像 素100電性連接至掃描線(xiàn)102以及數(shù)據(jù)線(xiàn)104，并且子像素100包括晶體管106以及像素電 極(未示于圖3)。像素電極電性連接至晶體管106的漏極，且晶體管106的源極電性連接 至數(shù)據(jù)線(xiàn)104，而晶體管106的柵極電性連接至掃描線(xiàn)102。并且，像素電極與公共電極108 以及公共線(xiàn)110重疊耦合，使像素電極與公共線(xiàn)110之間耦合有儲(chǔ)存電容112，像素電極與 彩色濾光片基板的公共電極108之間耦合有液晶電容114。數(shù)據(jù)線(xiàn)104、掃描線(xiàn)102、公共線(xiàn) 110以及晶體管106位于像素陣列基板上，且公共電極108位于彩色濾光片基板上。此外， 晶體管106的漏極與掃描線(xiàn)102之間耦合有柵極-漏極之間的耦合電容116，且數(shù)據(jù)線(xiàn)104 與掃描線(xiàn)102之間耦合有柵極_源極之間的耦合電容118。數(shù)據(jù)線(xiàn)104與陣列基板的公共 線(xiàn)110之間耦合有陣列基板側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)104-公共線(xiàn)110之間的耦合電容120，且數(shù)據(jù)線(xiàn)104 與彩色濾光片基板的公共電極108之間另耦合有彩色濾光片基板側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)104-公共電 極108之間的耦合電容122。由此可知，當(dāng)晶體管106接收到掃描信號(hào)而開(kāi)啟時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào) 亦會(huì)透過(guò)晶體管106而提供至像素電極。此時(shí)，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)104與公共線(xiàn)110或公共電極 108之間具有耦合電容，亦即陣列基板側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)104-公共線(xiàn)110之間的耦合電容120、彩 色濾光片基板側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)104-公共電極108之間的耦合電容122、儲(chǔ)存電容112以及液晶 電容114，因此公共線(xiàn)110與公共電極108上的電壓會(huì)受到數(shù)據(jù)信號(hào)的影響而產(chǎn)生偏移。因此，為了改善因極性不平衡所產(chǎn)生偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題，本發(fā)明是于不改變彩 色濾光片基板側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)104-公共電極108之間的耦合電容122、陣列基板側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn) 104-公共線(xiàn)110之間的耦合電容120以及液晶電容114的情況下，通過(guò)調(diào)整各子像素的儲(chǔ) 存電容112的大小，使單一像素區(qū)內(nèi)紅色子像素、綠色子像素與藍(lán)色子像素具有不同的儲(chǔ) 存電容值。由此，紅色子像素、綠色子像素與藍(lán)色子像素得以具有相同大小的像素電壓，進(jìn) 而解決偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。請(qǐng)參考圖4與圖5，圖4為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面示意圖， 圖5為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的像素陣列基板的俯視示意圖。如圖4所示，液晶顯示面板 150包括像素陣列基板152、彩色濾光片基板154以及液晶層156。像素陣列基板152與彩 色濾光片基板154相對(duì)設(shè)置，且液晶層156設(shè)于像素陣列基板152與彩色濾光片基板154 之間。其中，像素陣列基板152包括第一基板158以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)160，且像素結(jié)構(gòu)160 設(shè)于第一基板158上。彩色濾光片基板154包括第二基板162以及設(shè)于第二基板162上的 公共電極164。如圖5所示，第一基板158上定義有多個(gè)像素區(qū)166，呈矩陣方式排列，且各 像素結(jié)構(gòu)160分別設(shè)于各像素區(qū)166內(nèi)。各像素區(qū)166定義有第一子像素區(qū)168、第二子 像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172，且第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū)170與第三子像素 區(qū)172沿著第一方向174a依序排列。于本優(yōu)選實(shí)施例中，第一子像素區(qū)168為紅色子像素 區(qū)，第二子像素區(qū)170為綠色子像素區(qū)，第三子像素區(qū)172為藍(lán)色子像素區(qū)。但本發(fā)明不以此為限，第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū)170或第三子像素區(qū)172亦可為紅色子像素區(qū)、綠 色子像素區(qū)與藍(lán)色子像素區(qū)的任一者或?yàn)槠渌伾淖酉袼貐^(qū)，使第一子像素區(qū)168、第二 子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172的組合可顯示出白色。并且，位于第一子像素區(qū)168、 第二子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172中的液晶胞間隙(cell gap)皆相同，使液晶顯示 面板150位于各第一子像素區(qū)168、各第二子像素區(qū)170以及各第三子像素區(qū)172中具有相 同的液晶電容。請(qǐng)參考圖6，且一并參考圖5。圖6為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)的俯 視示意圖。如圖6所示，本優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)160包括第一數(shù)據(jù)線(xiàn)176、第二數(shù)據(jù)線(xiàn) 178、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)180、掃描線(xiàn)182、公共線(xiàn)184、第一子像素電極186、第二子像素電極188、 第三子像素電極190、第一晶體管192、第二晶體管194以及第三晶體管196。第一數(shù)據(jù)線(xiàn) 176、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)178與第三數(shù)據(jù)線(xiàn)180分別沿著第二方向174b設(shè)置，且分別設(shè)于第一子像 素區(qū)168、第二子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172的一側(cè)的第一基板158上。第一數(shù)據(jù)線(xiàn) 176、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)178與第三數(shù)據(jù)線(xiàn)180分別電性連接至第一晶體管192、第二晶體管194以 及第三晶體管196的源極。掃描線(xiàn)182設(shè)置于第一基板158上，且越過(guò)第一子像素區(qū)168、 第二子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172，并與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)176、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)178以及第三 數(shù)據(jù)線(xiàn)180相互交錯(cuò)。掃描線(xiàn)182分別跟第一晶體管192、第二晶體管194與第三晶體管 196的柵極電性連接，且第一晶體管192、第二晶體管194與第三晶體管196的漏極分別電 性連接至第一子像素電極186、第二子像素電極188以及第三子像素電極190。第一子像素 電極186、第二子像素電極188以及第三子像素電極190分別設(shè)于第一子像素區(qū)168、第二 子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172的第一基板158上，且第一子像素電極186、第二子像 素電極188以及第三子像素電極190由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物或銦鋅氧化 物等，但不以此為限。此外，公共線(xiàn)184設(shè)置于第一基板158上，且越過(guò)第一子像素區(qū)168、 第二子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172。值得注意的是，公共線(xiàn)184分別與第一子像素 電極186、第二子像素電極188與第三子像素電極190重疊耦合構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容198、第 二儲(chǔ)存電容200與第三儲(chǔ)存電容202。并且，第二儲(chǔ)存電容200的電容值大于第一儲(chǔ)存電 容198的電容值與第三儲(chǔ)存電容202的電容值，且第一儲(chǔ)存電容198的電容值約略等于第 三儲(chǔ)存電容202的電容值。當(dāng)液晶顯示面板150開(kāi)始顯示時(shí)，掃描線(xiàn)182傳送掃描信號(hào)至第一晶體管192、第 二晶體管194與第三晶體管196的柵極，以開(kāi)啟第一晶體管192、第二晶體管194與第三晶 體管196。同時(shí)，第一數(shù)據(jù)線(xiàn)176與第三數(shù)據(jù)線(xiàn)180分別傳送具有第一極性的顯示信號(hào)至 第一子像素電極186以及第三子像素電極190，且第二數(shù)據(jù)線(xiàn)傳178傳送具有第二極性的 顯示信號(hào)至第二子像素電極188，其中第一極性相反于第二極性。亦即，當(dāng)?shù)谝粯O性為正極 性，則第二極性為負(fù)極性，或者反之亦可。因此，本優(yōu)選實(shí)施例的第一子像素電極186與第 三子像素電極190具有第一極性，且第二子像素電極188具有第二極性。于本優(yōu)選實(shí)施例 的各像素結(jié)構(gòu)160中，雖然具有正極性的子像素電極的數(shù)量依然大于具有負(fù)極性的子像素 電極的數(shù)量，但本優(yōu)選實(shí)施例電性連接至第一子像素電極186與第三子像素電極190的第 一儲(chǔ)存電容198與第三儲(chǔ)存電容202小于電性連接至第二子像素電極188的第二儲(chǔ)存電容 200，因此第一子像素電極186或第三子像素電極190對(duì)公共線(xiàn)184所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)較第 二子像素電極188對(duì)公共線(xiàn)184所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)低。由此，本優(yōu)選實(shí)施例是將第一子像素電極186與第三子像素電極190對(duì)公共線(xiàn)184所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)的總和調(diào)整至與第二子 像素電極188對(duì)公共線(xiàn)184所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)相同，亦即將正極性的顯示信號(hào)與負(fù)極性的 顯示信號(hào)對(duì)公共線(xiàn)184的耦合效應(yīng)調(diào)整至相同時(shí)，公共線(xiàn)184的電壓并不會(huì)改變，因而解決 了偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。以下將進(jìn)一步說(shuō)明各像素結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容的比例與子像素電極的電壓的關(guān)系，以 說(shuō)明本發(fā)明調(diào)整第一儲(chǔ)存電容、第二儲(chǔ)存電容以及第三儲(chǔ)存電容所具有的功效。請(qǐng)參考圖 7，且一并參考圖6，圖7為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)隨著第一儲(chǔ)存電容以及第三 儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容具有不同的比例所具有的像素電壓的時(shí)序曲線(xiàn)圖。如圖7所示， 在第一像素電壓時(shí)序曲線(xiàn)204中，第一儲(chǔ)存電容198、第二儲(chǔ)存電容200與第三儲(chǔ)存電容 202并未調(diào)整，亦即與已知液晶顯示面板的電壓時(shí)序圖相同。并且，第一像素電壓時(shí)序曲線(xiàn) 204具有第一低電平210。于第二像素電壓時(shí)序曲線(xiàn)206中，第一儲(chǔ)存電容198以及第三儲(chǔ) 存電容202與液晶電容的比例為1.3，且第二儲(chǔ)存電容200與液晶電容的比例為1.8。第二 像素電壓時(shí)序曲線(xiàn)206具有第二低電平212。于第三像素電壓時(shí)序曲線(xiàn)208中，第一儲(chǔ)存電 容198以及第三儲(chǔ)存電容202與液晶電容的比例為0. 9，且第二儲(chǔ)存電容200與液晶電容的 比例為1.8。第三像素電壓時(shí)序曲線(xiàn)208具有第三低電平214。值得注意的是，第一低電平 210位大于第二低電平212以及第三低電平214，亦即第一低電平210偏離零電平的電壓差 最大。并且，第二低電平212大于第三低電平214，且第三低電平214接近零電平。由此可 知，當(dāng)?shù)谝粌?chǔ)存電容198與第三儲(chǔ)存電容202小于第二儲(chǔ)存電容200時(shí)，像素電壓的低電平 偏移的情況會(huì)改善，且當(dāng)?shù)诙?chǔ)存電容200的電容值約略大于第一儲(chǔ)存電容198的電容值 與第三儲(chǔ)存電容202的電容值兩倍時(shí)，像素電壓的低電平偏移的改善情況為優(yōu)選。請(qǐng)繼續(xù)參考圖6。本優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)160另包括第一透明電極216、第二 透明電極218以及第三透明電極220，分別用于調(diào)整第一儲(chǔ)存電容198、第二儲(chǔ)存電容200 以及第三儲(chǔ)存電容202。其中，第一透明電極216、第二透明電極218以及第三透明電極220 分別電性連接至第一子像素電極186、第二子像素電極188以及第三子像素電極190，使第 一透明電極216、第二透明電極218以及第三透明電極220分別與公共線(xiàn)184耦合構(gòu)成第一 儲(chǔ)存電容198、第二儲(chǔ)存電容200與第三儲(chǔ)存電容202。于本優(yōu)選實(shí)施例中，第一透明電極 216、第二透明電極218以及第三透明電極220是由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物 或銦鋅氧化物等，以避免影響各像素結(jié)構(gòu)160的開(kāi)口率。由于第一儲(chǔ)存電容與第三儲(chǔ)存電容具有相同結(jié)構(gòu)，因此為了清楚說(shuō)明第一儲(chǔ)存電 容、第二儲(chǔ)存電容與第三儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)，以下描述以第一儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容為例 來(lái)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖8與圖9，且一并參考圖6。圖8為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu) 沿著圖6中AA’線(xiàn)的剖面示意圖，圖9為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的各像素結(jié)構(gòu)沿著圖6中 BB’線(xiàn)的剖面示意圖。如圖6與圖8所示，第一透明電極216設(shè)于第一子像素電極186與公 共線(xiàn)184之間，且各像素結(jié)構(gòu)160另包括絕緣層222以及保護(hù)層224。絕緣層222設(shè)于第一 透明電極216以及公共線(xiàn)184之間，用以電性隔離公共線(xiàn)184與第一透明電極216。保護(hù)層 224設(shè)于第一子像素電極186以及絕緣層222之間，用以保護(hù)第一基板158上的電子元件 與線(xiàn)路。并且，保護(hù)層224具有開(kāi)口 226，使第一透明電極216與第一子像素電極186互相 接觸。第一透明電極216與公共線(xiàn)184具有第一重疊面積Al，用以調(diào)整第一儲(chǔ)存電容198。 同樣地，第三透明電極220設(shè)于第三子像素電極190與公共線(xiàn)184之間，且保護(hù)層224可另具有開(kāi)口，使第三透明電極220與第三子像素電極190互相接觸。并且，第三透明電極220 與公共線(xiàn)184具有第二重疊面積A2，用以調(diào)整第三儲(chǔ)存電容202。如圖6與圖9所示，第二 透明電極218設(shè)于第二子像素電極188與公共線(xiàn)184之間，且絕緣層222設(shè)于第二透明電 極218與公共線(xiàn)184之間。保護(hù)層224設(shè)于第二子像素電極188與絕緣層222之間，且保 護(hù)層224另具有開(kāi)口 228，使第二透明電極220與第二子像素電極188互相接觸。并且，第 二透明電極218與公共線(xiàn)184具有第三重疊面積A3，用以調(diào)整第二儲(chǔ)存電容200。于本優(yōu) 選實(shí)施例中，由于第二透明電極218的面積大于第一透明電極216或第三透明電極220的 面積，使第二重疊面積A2大于第一重疊面積Al與第三重疊面積A3。由此，第二儲(chǔ)存電容 200的電容值可被調(diào)整至大于第一儲(chǔ)存電容198的電容值與第三儲(chǔ)存電容202的電容值。 不過(guò)，本發(fā)明改變第一儲(chǔ)存電容198、第二儲(chǔ)存電容200與第三儲(chǔ)存電容202的方法并不限 于調(diào)整第一透明電極216、第二透明電極218與第三透明電極220的面積，亦可通過(guò)調(diào)整公 共線(xiàn)184的大小，使第二重疊面積A2大于第一重疊面積Al與第三重疊面積A3，進(jìn)而改變第 一儲(chǔ)存電容198、第二儲(chǔ)存電容200與第三儲(chǔ)存電容202的耦合電容值?；蛘呤欠謩e改變第 一儲(chǔ)存電容198、第二儲(chǔ)存電容200與第三儲(chǔ)存電容202的上下電極中間的介電層厚度或是 介電常數(shù)，同樣可以達(dá)到改變耦合電容值得目的。 值得注意的是，液晶顯示面板中各子像素電極的像素電壓變化量與各子像素區(qū)中 的總耦合電容呈反比，因此各子像素電極的像素電壓變化量會(huì)隨著各子像素區(qū)的儲(chǔ)存電容 的不同而不同。然而，根據(jù)饋通電壓(feed-through voltage)的公式，各子像素電極具有 不同的像素電壓變化量大時(shí)會(huì)容易造成畫(huà)面亮度不足或畫(huà)面閃爍(flicker)的情形發(fā)生。 因此畫(huà)面亮度不足或畫(huà)面閃爍的情形發(fā)生時(shí)，為了使各子像素電極具有固定的像素電壓變 化量，各子像素區(qū)中晶體管的柵極與漏極間的耦合電容優(yōu)選是跟儲(chǔ)存電容作相反比例的調(diào) 整，以平衡各子像素區(qū)中的總耦合電容對(duì)像素電壓變化量的影響。請(qǐng)參考圖10與圖11，圖 10為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的第一晶體管的放大示意圖，圖11為本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例 的第二晶體管的放大示意圖。如圖10所示，第一晶體管192包括第一柵極230、第一源極 232、第一漏極234以及第一半導(dǎo)體層236。第一柵極230為掃描線(xiàn)的一部分，且第一半導(dǎo)體 層236設(shè)于第一柵極230上，而第一源極232與第一漏極234設(shè)于第一半導(dǎo)體層236上，并 與第一柵極230重疊。第一晶體管192具有第一調(diào)整電容192a，且第一調(diào)整電容192a由 第一漏極234與第一柵極230重疊耦合而成。第一漏極234包括第一區(qū)塊234a與第二區(qū) 塊234b，其中第一區(qū)塊234a與第一半導(dǎo)體層236重疊，而第二區(qū)塊234b未與第一半導(dǎo)體層 236重疊，僅與第一柵極230重疊。如圖11所示，第二晶體管194包括第二柵極238、第二 源極240、第二漏極242以及第二半導(dǎo)體層244。其中第二柵極238亦為掃描線(xiàn)的一部分，且 第二半導(dǎo)體層244設(shè)于第二柵極238上，而第二源極240與第二漏極242設(shè)于第二半導(dǎo)體層 244上，并與第二柵極238重疊。第二晶體管194具有第二調(diào)整電容194a，且第二調(diào)整電容 194a由第二漏極242與第二柵極238重疊耦合而成。第二漏極242包括第三區(qū)塊242a與 第四區(qū)塊242b，且第三區(qū)塊242a與第一區(qū)塊234a具有相同面積，而第四區(qū)塊242b的面積 小于第二區(qū)塊234b的面積。由此可知，本優(yōu)選實(shí)施例調(diào)整第二區(qū)塊234b與第四區(qū)塊242b 的面積，使第一漏極234與第一柵極230的重疊面積大于第二漏極242與第二柵極238的 重疊面積，因此第一調(diào)整電容192a的電容值大于第二調(diào)整電容194a的電容值。此外，本優(yōu) 選實(shí)施例的第三晶體管與第一晶體管相同，如圖10所示。第三晶體管包括第三柵極、第三源極與第三漏極。第三晶體管具有第三調(diào)整電容，且第三調(diào)整電容為第三柵極與第三漏極 重疊耦合形成。因此于本優(yōu)選實(shí)施例中，第三調(diào)整電容與第一調(diào)整電容192a具有相同的耦 合電容值，且第三調(diào)整電容的電容值大于第二調(diào)整電容194a的電容值。本發(fā)明并不限于利 用未與半導(dǎo)體層重疊的區(qū)塊的面積來(lái)調(diào)整各調(diào)整電容，亦可調(diào)整與半導(dǎo)體層重疊的第一區(qū) 塊234a與第三區(qū)塊242a的面積來(lái)調(diào)整第一調(diào)整電容192a、第二調(diào)整電容194a第三調(diào)整電 容。因此，本優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板150得以通過(guò)將第一調(diào)整電容192a的電容值與第 三調(diào)整電容的電容值調(diào)整至大于第二調(diào)整電容194a的電容值，來(lái)避免因第二儲(chǔ)存電容200 的電容值大于第一儲(chǔ)存電容198的電容值與第三儲(chǔ)存電容202的電容值造成畫(huà)面亮度不足 或畫(huà)面閃爍，進(jìn)而可于正常顯示狀態(tài)下解決偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。請(qǐng)參考圖12，圖12為本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。下述優(yōu)選 實(shí)施例與第一優(yōu)選實(shí)施例相同的元件或部位仍沿用相同的符號(hào)來(lái)表示，且相同的結(jié)構(gòu)不再 贅述。如圖12所示，相較于第一優(yōu)選實(shí)施例，本優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)250包括第一上側(cè) 子像素電極252、第一下側(cè)子像素電極254、第二上側(cè)子像素電極256、第二下側(cè)子像素電極 258、第三上側(cè)子像素電極260、第三下側(cè)子像素電極262、第一公共線(xiàn)264、第二公共線(xiàn)266 以及掃描線(xiàn)268。第一上側(cè)子像素電極252與第一下側(cè)子像素電極254設(shè)于第一子像素區(qū) 168內(nèi)，第二上側(cè)子像素電極256與第二下側(cè)子像素電極258設(shè)于第二子像素區(qū)170內(nèi)，且 第三上側(cè)子像素電極260與第三下側(cè)子像素電極262設(shè)于第三子像素區(qū)172內(nèi)。第一公共 線(xiàn)264與第二公共線(xiàn)266分別越過(guò)第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū)170以及第三子像素 區(qū)172。并且，第一公共線(xiàn)264與第一上側(cè)子像素電極252重疊耦合形成第一上側(cè)儲(chǔ)存電容 270，且第二公共線(xiàn)266與第一下側(cè)子像素電極254重疊耦合形成第一下側(cè)儲(chǔ)存電容272。 第一公共線(xiàn)264與第二上側(cè)子像素電極256重疊耦合而成第二上側(cè)儲(chǔ)存電容274，且第二公 共線(xiàn)266與第二下側(cè)子像素電極258重疊耦合而成第二下側(cè)儲(chǔ)存電容276。第三上側(cè)像素 電極260與第一公共線(xiàn)264重疊耦合構(gòu)成第三上側(cè)儲(chǔ)存電容278，且第三下側(cè)像素電極262 與第二公共線(xiàn)266重疊耦合構(gòu)成第三下側(cè)儲(chǔ)存電容280。此外，掃描線(xiàn)268沿著第一方向 174a設(shè)置于第一基板158上，且越過(guò)第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū)170以及第三子像素 區(qū)172。本優(yōu)選實(shí)施例的第二上側(cè)儲(chǔ)存電容274的電容值大于第一上側(cè)儲(chǔ)存電容270的電 容值與第三上側(cè)儲(chǔ)存電容278的電容值，且第一下側(cè)儲(chǔ)存電容272、第二下側(cè)儲(chǔ)存電容276 與第三下側(cè)儲(chǔ)存電容280具有相同的耦合電容值。此外，本優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)250另包括第一上側(cè)晶體管282、第一下側(cè)晶體管 284、第二上側(cè)晶體管286、第二下側(cè)晶體管288、第三上側(cè)晶體管290、第三下側(cè)晶體管292、 第一數(shù)據(jù)線(xiàn)294、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)296、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)298、第四數(shù)據(jù)線(xiàn)300、第五數(shù)據(jù)線(xiàn)302以及第 六數(shù)據(jù)線(xiàn)304。第一上側(cè)晶體管282、第一下側(cè)晶體管284、第二上側(cè)晶體管286、第二下側(cè)晶 體管288、第三上側(cè)晶體管290以及第三下側(cè)晶體管292的柵極電性連接至掃描線(xiàn)268，且 第一上側(cè)晶體管282、第一下側(cè)晶體管284、第二上側(cè)晶體管286、第二下側(cè)晶體管288、第三 上側(cè)晶體管290以及第三下側(cè)晶體管292的源極分別電性連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)296、第一數(shù)據(jù)線(xiàn) 294、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)298、第四數(shù)據(jù)線(xiàn)300、第六數(shù)據(jù)線(xiàn)304以及第五數(shù)據(jù)線(xiàn)302，而第一上側(cè)晶 體管282、第一下側(cè)晶體管284、第二上側(cè)晶體管286、第二下側(cè)晶體管288、第三上側(cè)晶體管 290以及第三下側(cè)晶體管292的漏極分別電性連接第一上側(cè)子像素電極252、第一下側(cè)子像 素電極254、第二上側(cè)子像素電極256、第二下側(cè)子像素電極258、第三上側(cè)子像素電極260以及第三下側(cè)子像素電極262。并且，第一數(shù)據(jù)線(xiàn)294、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)296、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)298、第 四數(shù)據(jù)線(xiàn)300、第五數(shù)據(jù)線(xiàn)302以及第六數(shù)據(jù)線(xiàn)304分別沿著第二方向174b設(shè)置于第一基 板158上，并沿著第一方向174a依序排列于第一基板158上，且與掃描線(xiàn)268交錯(cuò)。第一 數(shù)據(jù)線(xiàn)294、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)298與第五數(shù)據(jù)線(xiàn)302分別設(shè)于第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū) 170以及第三子像素區(qū)172的一側(cè)，并分別電性連接至第二數(shù)據(jù)線(xiàn)296、第四數(shù)據(jù)線(xiàn)300與 第六數(shù)據(jù)線(xiàn)304分別設(shè)于第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172的另 一側(cè)。當(dāng)本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)250開(kāi)始顯示時(shí)，第一數(shù)據(jù)線(xiàn)294、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)298與第五 數(shù)據(jù)線(xiàn)302分別傳送具有第一極性的顯示信號(hào)至第一下側(cè)子像素電極254、第二上側(cè)子像 素256以及第三下側(cè)子像素電極262，使第一下側(cè)子像素電極254、該第二上側(cè)子像素電極 256以及該第三下側(cè)子像素電極262具有第一極性。第二數(shù)據(jù)線(xiàn)296、第四數(shù)據(jù)線(xiàn)300與 第六數(shù)據(jù)線(xiàn)304傳送具有第二極性的顯示信號(hào)至第一上側(cè)子像素電極252、第二下側(cè)子像 素電極258以及第三上側(cè)子像素電極260，使第一上側(cè)子像素電極252、第二下側(cè)子像素電 極258以及第三上側(cè)子像素電極260具有第二極性。其中，第一極性與第二極性相反。于 本優(yōu)選實(shí)施例中，第一極性為正極性，且第二極性為負(fù)極性，但不限于此，反之亦可。本優(yōu)選 實(shí)施例調(diào)整電性連接至第二上側(cè)像素電極256的第二上側(cè)儲(chǔ)存電容274的電容值至大于電 性連接至第一上側(cè)像素電極252與第三上側(cè)像素電極260的第一上側(cè)儲(chǔ)存電容270與第三 上側(cè)儲(chǔ)存電容278的電容值，使負(fù)極性的第一上側(cè)子像素電極252與第三上側(cè)子像素電極 260對(duì)第一公共線(xiàn)264所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)較正極性的第二上側(cè)子像素電極256對(duì)第一公共 線(xiàn)264所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)低。因此，偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題得以被解決。另外，第一上側(cè)晶體管282具有第一上側(cè)調(diào)整電容，第二上側(cè)晶體管286具有第 二上側(cè)調(diào)整電容，且第三上側(cè)晶體管290具有第三上側(cè)調(diào)整電容。第一下側(cè)晶體管284具 有第一下側(cè)調(diào)整電容，第二下側(cè)晶體管288具有第二下側(cè)調(diào)整電容，且第三下側(cè)晶體管292 具有第三下側(cè)調(diào)整電容。于本優(yōu)選實(shí)施例中，第二上側(cè)調(diào)整電容小于第一上側(cè)調(diào)整電容與 第三上側(cè)調(diào)整電容，且第一下側(cè)調(diào)整電容、第二下側(cè)調(diào)整電容與第三下側(cè)調(diào)整電容具有相 同的耦合電容值。由此，調(diào)降第二上側(cè)調(diào)整電容可平衡因第二上側(cè)儲(chǔ)存電容增加所造成像 素電壓變化量不一致的情況。由于第一上側(cè)調(diào)整電容、第一下側(cè)調(diào)整電容、第二下側(cè)調(diào)整電 容、第三上側(cè)調(diào)整電容以及第三下側(cè)調(diào)整電容與上述第一優(yōu)選實(shí)施例的第一調(diào)整電容具有 相同結(jié)構(gòu)，且第二上側(cè)調(diào)整電容與上述第一優(yōu)選實(shí)施例的第二調(diào)整電容具有相同結(jié)構(gòu)，因 此在此不再贅述。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)不限于僅對(duì)第二上側(cè)儲(chǔ)存電容做調(diào)整，亦可對(duì)第二子像素區(qū)內(nèi) 的第二下側(cè)儲(chǔ)存電容做調(diào)整。并且，本發(fā)明的第一上側(cè)晶體管、第一下側(cè)晶體管、第二上側(cè) 晶體管、第二下側(cè)晶體管、第三上側(cè)晶體管以及第三下側(cè)晶體管的源極亦不限于分別電性 連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)、第一數(shù)據(jù)線(xiàn)、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)、第四數(shù)據(jù)線(xiàn)、第六數(shù)據(jù)線(xiàn)以及第五數(shù)據(jù)線(xiàn)。請(qǐng)參 考圖13，圖13為本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。下述優(yōu)選實(shí)施例與第 二優(yōu)選實(shí)施例相同的元件或部位仍沿用相同的符號(hào)來(lái)表示，且相同的結(jié)構(gòu)不再贅述。如圖 13所示，相較于第二優(yōu)選實(shí)施例，本優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)350的第二下側(cè)儲(chǔ)存電容276 的電容值大于第一下側(cè)儲(chǔ)存電容272的電容值與第三下側(cè)儲(chǔ)存電容280的電容值，且第一 下側(cè)調(diào)整電容的電容值與第三下側(cè)調(diào)整電容的電容值大于第二下側(cè)調(diào)整電容的電容值。并
14且，本優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的第一上側(cè)晶體管282、第一下側(cè)晶體管284、第二上側(cè)晶體 管286、第二下側(cè)晶體管288、第三上側(cè)晶體管290以及第三下側(cè)晶體管292的源極分別電 性連接第一數(shù)據(jù)線(xiàn)294、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)296、第四數(shù)據(jù)線(xiàn)300、第三數(shù)據(jù)線(xiàn)298、第五數(shù)據(jù)線(xiàn)302 以及第六數(shù)據(jù)線(xiàn)304。請(qǐng)參考圖14，圖14為本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。如圖14所 示，相較于第二優(yōu)選實(shí)施例，本優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)400僅包括三條數(shù)據(jù)線(xiàn)402，分別設(shè) 于第一子像素區(qū)168、第二子像素區(qū)170以及第三子像素區(qū)172的一側(cè)的第一基板158上， 且與掃描線(xiàn)268交錯(cuò)。并且，第一上側(cè)晶體管282與第一下側(cè)晶體管284的源極彼此電性 連接，第二上側(cè)晶體管286與第二下側(cè)晶體管288的源極彼此電性連接，且第三上側(cè)晶體管 290與第三下側(cè)晶體管292的源極彼此電性連接。于本優(yōu)選實(shí)施例中，第二下側(cè)儲(chǔ)存電容 276的電容值大于第一下側(cè)儲(chǔ)存電容272的電容值與第三下側(cè)儲(chǔ)存電容280的電容值，且第 二下側(cè)調(diào)整電容的電容值小于第一下側(cè)調(diào)整電容的電容值與第三下側(cè)調(diào)整電容的電容值。 并且，第一上側(cè)儲(chǔ)存電容270、第二上側(cè)儲(chǔ)存電容274與第三上側(cè)儲(chǔ)存電容278具有相同的 耦合電容值，且第一上側(cè)調(diào)整電容、第二上側(cè)調(diào)整電容與第三上側(cè)調(diào)整電容具有相同的耦 合電容值。綜上所述，本發(fā)明調(diào)整像素結(jié)構(gòu)的第二儲(chǔ)存電容的電容值至大于第一儲(chǔ)存電容的 電容值與第三儲(chǔ)存電容的電容值，使具有正極性的第二子像素電極對(duì)公共線(xiàn)所產(chǎn)生的耦合 效應(yīng)較負(fù)極性的第一子像素電極與第三子像素電極對(duì)公共線(xiàn)所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)高，進(jìn)而降 低公共線(xiàn)的公共電壓的受到像素電壓的影響，以解決偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。并且，本發(fā)明還調(diào) 整像素結(jié)構(gòu)的第二調(diào)整電容至小于第一調(diào)整電容與第三調(diào)整電容，以避免因第二儲(chǔ)存電容 的電容值大于第一儲(chǔ)存電容的電容值與第三儲(chǔ)存電容的電容值造成畫(huà)面亮度不足或畫(huà)面 閃爍，進(jìn)而可于正常顯示狀態(tài)下解決偏綠色畫(huà)面的問(wèn)題。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基板上，該基板上具有第一子像素區(qū)與第二子像素區(qū)，該像素結(jié)構(gòu)包括至少一第一子像素電極與至少一第二子像素電極，分別設(shè)置于該基板的該第一子像素區(qū)與該第二子像素區(qū)上；至少一公共線(xiàn)，設(shè)置于該基板上，且越過(guò)該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)，該至少一公共線(xiàn)分別與該至少一第一子像素電極與該至少一第二子像素電極重疊耦合構(gòu)成至少一第一儲(chǔ)存電容與至少一第二儲(chǔ)存電容，其中該第二儲(chǔ)存電容的電容值大于該第一儲(chǔ)存電容的電容值；至少一第一晶體管與至少一第二晶體管，設(shè)置于該基板上，分別與該第一子像素電極與該第二子像素電極電性連接，該第一晶體管具有第一調(diào)整電容，該第二晶體管具有第二調(diào)整電容，其中該第一調(diào)整電容的電容值大于該第二調(diào)整電容的電容值；以及掃描線(xiàn)，設(shè)置于該基板上，且越過(guò)該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)，該掃描線(xiàn)分別跟該第一晶體管與該第二晶體管電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該基板具有第三子像素區(qū)，且該像素結(jié)構(gòu)還包 括至少一第三子像素電極，設(shè)于該基板的該第三子像素區(qū)的上。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一公共線(xiàn)與該第三子像素電極重疊耦合 構(gòu)成第三儲(chǔ)存電容，且該第二儲(chǔ)存電容的電容值大于該第三儲(chǔ)存電容的電容值。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一子像素電極與該第三子像素電極具有第 一極性，且該第二子像素電極具有第二極性，而該第一極性與該第二極性相反。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其中第一極性包括正極性，該第二極性包括負(fù)極性。
6.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一子像素區(qū)為紅色子像素區(qū)，該第二子像 素區(qū)為綠色子像素區(qū)，以及該第三子像素區(qū)為藍(lán)色子像素區(qū)。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管包括第一柵極、第一源極與第一 漏極，該第一調(diào)整電容為該第一柵極與該第一漏極重疊耦合形成。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二晶體管包括第二柵極、第二源極與第二 漏極，該第二調(diào)整電容為該第二柵極與該第二漏極重疊耦合形成。
9.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括至少一第三晶體管，電性連接該第三子像素 電極，該第三晶體管包括第三柵極、第三源極與第三漏極，第三調(diào)整電容為該第三柵極與該 第三漏極重疊耦合形成。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，另包括三條數(shù)據(jù)線(xiàn)，分別設(shè)于該基板的該第一子像素區(qū)、該第二子像素區(qū)以及該第三子像素 區(qū)的一側(cè)上，且該多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)與該掃描線(xiàn)交錯(cuò)，其中各數(shù)據(jù)線(xiàn)分別電性連接該第一晶體管、 該第二晶體管與該第三晶體管。
11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二儲(chǔ)存電容的耦合電容值為該第一儲(chǔ)存 電容的耦合電容值的兩倍。
12.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一第一子像素電極包括第一上側(cè)子像 素電極與第一下側(cè)子像素電極，該至少一第二子像素電極包括第二上側(cè)子像素電極與第二 下側(cè)子像素電極，且該至少一第三子像素電極包括第三上側(cè)子像素電極與第三下側(cè)子像素 電極。
13.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一下側(cè)子像素電極、該第二上側(cè)子像素 電極以及該第三下側(cè)子像素電極具有第一極性，且該第一上側(cè)子像素電極、該第二下側(cè)子 像素電極以及該第三上側(cè)子像素電極具有第二極性，而該第一極性與該第二極性相反。
14.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一公共線(xiàn)包括第一公共線(xiàn)與第二公共 線(xiàn)，分別越過(guò)該第一子像素區(qū)、該第二子像素區(qū)以及該第三子像素區(qū)。
15.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一第一儲(chǔ)存電容包括第一上側(cè)儲(chǔ)存電 容以及第一下側(cè)儲(chǔ)存電容，該第一上側(cè)儲(chǔ)存電容由該第一公共線(xiàn)與該第一上側(cè)子像素電極 重疊耦合形成，且該第一下側(cè)儲(chǔ)存電容由該第二公共線(xiàn)與該第一下側(cè)子像素電極重疊耦合 形成。
16.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一第二儲(chǔ)存電容包括第二上側(cè)儲(chǔ)存電 容以及第二下側(cè)儲(chǔ)存電容，該第二上側(cè)儲(chǔ)存電容由該第一公共線(xiàn)與該第二上側(cè)子像素電極 重疊耦合而成，且該第二下側(cè)儲(chǔ)存電容由該第二公共線(xiàn)與該第二下側(cè)子像素電極重疊耦合 形成。
17.如權(quán)利要求16所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第三上側(cè)像素電極與該第一公共線(xiàn)重疊耦 合構(gòu)成第三上側(cè)儲(chǔ)存電容，且該第三下側(cè)像素電極與該第二公共線(xiàn)重疊耦合構(gòu)成第三下側(cè) 儲(chǔ)存電容。
18.如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二上側(cè)儲(chǔ)存電容的電容值大于該第一上 側(cè)儲(chǔ)存電容的電容值與該第三上側(cè)儲(chǔ)存電容的電容值，且該第二下側(cè)儲(chǔ)存電容的電容值大 于該第一下側(cè)儲(chǔ)存電容的電容值與該第三下側(cè)儲(chǔ)存電容的電容值。
19.如權(quán)利要求18所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一第一晶體管包括第一上側(cè)晶體管以 及第一下側(cè)晶體管，分別電性連接該第一上側(cè)子像素電極以及該第一下側(cè)子像素電極，且 該至少一第二晶體管包括第二上側(cè)晶體管以及第二下側(cè)晶體管，分別電性連接該第二上側(cè) 子像素電極以及該第二下側(cè)子像素電極。
20.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一上側(cè)晶體管的第一上側(cè)調(diào)整電容的電 容值大于該第二上側(cè)晶體管的第二上側(cè)調(diào)整電容的電容值，且該第一下側(cè)晶體管的第一下 側(cè)調(diào)整電容的電容值大于該第二下側(cè)晶體管的第二下側(cè)調(diào)整電容的電容值。
21.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，另包括第三上側(cè)晶體管以及第三下側(cè)晶體管，分 別電性連接該第三上側(cè)子像素電極以及該第三下側(cè)子像素電極。
22.如權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，另包括六條數(shù)據(jù)線(xiàn)，設(shè)于該基板上，且該多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)與該掃描線(xiàn)交錯(cuò)，其中各數(shù)據(jù)線(xiàn)分別電性 連接該第一上側(cè)晶體管、該第一下側(cè)晶體管、該第二上側(cè)晶體管、該第二下側(cè)晶體管、該第 三上側(cè)晶體管與該第三下側(cè)晶體管。
23.一種像素陣列基板，其包括基板，該基板上定義有多個(gè)像素區(qū)，呈矩陣方式排列，其中各像素區(qū)定義有第一子像素 區(qū)與第二子像素區(qū)；以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，分別設(shè)于各像素區(qū)中，且各像素結(jié)構(gòu)包括至少一第一子像素電極與至少一第二子像素電極，分別設(shè)置于該基板的各第一子像素 區(qū)與各第二子像素區(qū)上；至少一公共線(xiàn)，設(shè)置于該基板上，且越過(guò)該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)，該至少一公共線(xiàn)分別與該至少一第一子像素電極與該至少一第二子像素電極重疊耦合構(gòu)成至少 一第一儲(chǔ)存電容與至少一第二儲(chǔ)存電容，其中該第二儲(chǔ)存電容的電容值大于該第一儲(chǔ)存電 容的電容值；至少一第一晶體管與至少一第二晶體管，設(shè)置于該基板上，分別與該第一子像素電極 與該第二子像素電極電性連接，該第一晶體管具有第一調(diào)整電容，該第二晶體管具有第二 調(diào)整電容，其中該第一調(diào)整電容的電容值大于該第二調(diào)整電容的電容值；以及掃描線(xiàn)，設(shè)置于該基板上，且越過(guò)該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)，該掃描線(xiàn)分別 跟該第一晶體管與該第二晶體管電性連接。 24. 一種液晶顯示面板，包括第一基板，該第一基板上定義有多個(gè)像素區(qū)，呈矩陣方式排列，其中各像素區(qū)定義有第 一子像素區(qū)與第二子像素區(qū)；多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，分別設(shè)于各像素區(qū)中，且各像素結(jié)構(gòu)包括至少一第一子像素電極與至少一第二子像素電極，分別設(shè)置于該第一基板的各第一子 像素區(qū)與各第二子像素區(qū)上；至少一公共線(xiàn)，設(shè)置于該第一基板上，且越過(guò)該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)，該 至少一公共線(xiàn)分別與該至少一第一子像素電極與該至少一第二子像素電極重疊耦合構(gòu)成 至少一第一儲(chǔ)存電容與至少一第二儲(chǔ)存電容，其中該第二儲(chǔ)存電容的電容值大于該第一儲(chǔ) 存電容的電容值；至少一第一晶體管與至少一第二晶體管，設(shè)置于該第一基板上，分別與該第一子像素 電極與該第二子像素電極電性連接，該第一晶體管具有第一調(diào)整電容，該第二晶體管具有 第二調(diào)整電容，其中該第一調(diào)整電容的電容值大于該第二調(diào)整電容的電容值；以及掃描線(xiàn)，設(shè)置于該第一基板上，且越過(guò)該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)，該掃描線(xiàn) 分別跟該第一晶體管與該第二晶體管電性連接；第二基板，與該第一基板相對(duì)設(shè)置；以及 液晶層，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示面板、像素陣列基板及其像素結(jié)構(gòu)。該像素結(jié)構(gòu)包括至少一第一子像素電極、至少一第二子像素電極、至少一公共線(xiàn)、至少一電性連接至第一子像素電極的第一晶體管以及至少一電性連接至第二子像素電極的第二晶體管。公共線(xiàn)分別與第一子像素電極與第二子像素電極重疊耦合構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容，其中第二儲(chǔ)存電容的電容值大于第一儲(chǔ)存電容的電容值。第一晶體管的第一調(diào)整電容的電容值大于第二晶體管的第二調(diào)整電容的電容值。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101916019SQ20101024728
公開(kāi)日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月5日
發(fā)明者葉信宏, 奚鵬博, 徐雅玲, 黃韋凱 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司