專利名稱：具有光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域的較細(xì)和較粗互連線的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種具有光檢測(cè)器陣列的裝置。更具體而言，本發(fā)明的實(shí)施例涉及用于具有光檢測(cè)器陣列的裝置的互連線。
背景技術(shù)：
光檢測(cè)器陣列是流行的。光檢測(cè)器陣列可用于廣泛的多種應(yīng)用中。通常，光檢測(cè)器陣列可用來(lái)為各種電子器件獲取影像或視頻，所述電子器件諸如數(shù)字相機(jī)、相機(jī)手機(jī) (camera phone)、保安相機(jī)(security camera)、攝錄一體機(jī)、醫(yī)學(xué)成像器件等。其它應(yīng)用的示例包括運(yùn)動(dòng)檢測(cè)、位置感測(cè)(例如，光學(xué)鼠標(biāo))及其它消費(fèi)型電子、醫(yī)學(xué)、汽車、軍事或其它應(yīng)用。在光檢測(cè)器陣列中，存在向較小的像素大小發(fā)展的趨勢(shì)。較小的像素大小可有助于提供較高像素密度、較高影像分辨率，和/或可有助于降低提供光檢測(cè)器陣列的成本。減小像素大小的挑戰(zhàn)之一在于每一像素或光檢測(cè)器的可用于收集光的區(qū)域通常亦被減小。此趨向于減小在光檢測(cè)期間由每一像素或光檢測(cè)器收集的能量的總量，從而可趨向于減小光檢測(cè)器陣列的敏感性。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種裝置，其包含光檢測(cè)器陣列；周邊區(qū)域，其位于所述光檢測(cè)器陣列的周邊處；較細(xì)互連線，其對(duì)應(yīng)于所述光檢測(cè)器陣列，所述較細(xì)互連線安置于一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)；及較粗互連線，其對(duì)應(yīng)于所述周邊區(qū)域，所述較粗互連線安置于所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種裝置，其包含光檢測(cè)器陣列；周邊區(qū)域，其位于所述光檢測(cè)器陣列的周邊處；圖案化金屬化層，其位于所述光檢測(cè)器陣列上并且位于所述周邊區(qū)域上，其中，在所述光檢測(cè)器陣列上的圖案化金屬化層的至少一部分的厚度小于在所述周邊區(qū)域上的圖案化金屬化層的至少一部分的厚度。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，其包含在基板的光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成一個(gè)或多個(gè)絕緣層，所述周邊區(qū)域位于所述光檢測(cè)器陣列的周邊處；及在所述光檢測(cè)器陣列上的絕緣層中蝕刻較淺溝槽，并且在所述周邊區(qū)域上的絕緣層中蝕刻較深溝槽；通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料引入至所述較淺溝槽中來(lái)在所述光檢測(cè)器陣列上形成較細(xì)互連線，并且通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料引入至所述較深溝槽中來(lái)在所述周邊區(qū)域上形成較粗互連線。


通過(guò)參考用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的下面的描述和附圖，本發(fā)明將被最佳地理解，在附圖中圖1為光檢測(cè)器裝置的實(shí)施例的俯視平面圖2為在光檢測(cè)器裝置的實(shí)施例的周邊處截取的橫截面的框圖；圖3為說(shuō)明安置于絕緣層或電介質(zhì)層內(nèi)的第一互連線與第二互連線之間的寄生電容的實(shí)施例的框圖；圖4為在光檢測(cè)器裝置的實(shí)施例的周邊處截取的橫截面的框圖，其示出對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的較細(xì)互連線如何提供較低的層間及層內(nèi)寄生電容；圖5為在光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成互連線的方法的實(shí)施例的框流程圖；圖6A至圖61為在光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成互連結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施例的各個(gè)階段的基板的橫截面圖；圖7為替代實(shí)施例的橫截面圖，其中較細(xì)互連線形成于蝕刻穿過(guò)蝕刻終止層的溝槽中；以及圖8為說(shuō)明結(jié)合有光檢測(cè)器裝置的照明及影像捕獲系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。主要元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明100 光檢測(cè)器裝置102 光檢測(cè)器陣列104 周邊區(qū)域106 周邊200 光檢測(cè)器裝置202 光檢測(cè)器陣列204 周邊區(qū)域206 周邊208 基板210 絕緣層或電介質(zhì)層212 較細(xì)互連線214 較粗互連線310 絕緣層或電介質(zhì)層316 第一互連線318 第二互連線320 第一狹長(zhǎng)矩形最右表面322 第二狹長(zhǎng)矩形最左表面400 光檢測(cè)器裝置402 光檢測(cè)器陣列404 周邊區(qū)域406 周邊408 基板410 絕緣層412-1 第一互連線412-2第二互連線414-1 第三互連線414-2第四互連線
5414-3第五互連線
420第一狹長(zhǎng)大體為矩形的最右表面
422第二狹長(zhǎng)大體為矩形的最左表面
530在光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成互連線的方法
602光檢測(cè)器陣列
604周邊區(qū)域
606周邊
608基板
610第一絕緣層
612較細(xì)互連線
614較粗互連線
640周邊電路
642毯覆式蝕刻終止層
644蝕刻終止層
646第二絕緣層
648圖案化光阻層
650光阻層的第一部分
652光阻層的第二部分
654較淺溝槽
656較深溝槽
658圖案化光阻層
660第一過(guò)孔開(kāi)口
662第二過(guò)孔開(kāi)口
664第一過(guò)孔開(kāi)口
668第二過(guò)孔開(kāi)口
670較高過(guò)孔
672較矮過(guò)孔
702光檢測(cè)器陣列
704周邊區(qū)域
712較細(xì)互連結(jié)構(gòu)
714較粗互連結(jié)構(gòu)
744蝕刻終止層
770較高過(guò)孔
772較矮過(guò)孔
800光檢測(cè)器裝置
880照明及影像捕獲系統(tǒng)
882光源
884外罩或窗口
886外殼
887 對(duì)象888 數(shù)字處理單元890 軟件/固件邏輯
具體實(shí)施例方式在以下描述中，闡述眾多特定細(xì)節(jié)。然而，應(yīng)理解，可在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。在其它實(shí)例中，未詳細(xì)地示出已知的電路、結(jié)構(gòu)及技術(shù)，以避免混淆對(duì)此描述的理解。圖1為光檢測(cè)器裝置100的實(shí)施例的俯視平面圖。光檢測(cè)器裝置可代表管芯 (die)、集成電路、或封裝或其組件，其可并入各種不同類型的電子器件(諸如，影像或視頻獲取器件、位置傳感器件、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)器件等)中。該光檢測(cè)器裝置包括光檢測(cè)器陣列102。光檢測(cè)器陣列可具有光電二極管、電荷耦合器件(CCD)、量子器件光學(xué)檢測(cè)器、光電門、光敏晶體管、光導(dǎo)體或其它光檢測(cè)器的陣列。 光檢測(cè)器中的每一個(gè)可對(duì)應(yīng)于像素，從而提供像素陣列。各種不同類型的傳統(tǒng)光檢測(cè)器陣列是適合的。該光檢測(cè)器裝置還包括周邊區(qū)域104。該周邊區(qū)域位于光檢測(cè)器陣列102的周邊 106處或沿著光檢測(cè)器陣列102的周邊106。在所說(shuō)明的裝置中，光檢測(cè)器陣列大體上位于中央，而周邊區(qū)域沿光檢測(cè)器陣列的周邊而完全環(huán)繞光檢測(cè)器陣列?；蛘?，在其它實(shí)施例中，周邊區(qū)域可位于光檢測(cè)器陣列的周邊的僅一部分處或沿著光檢測(cè)器陣列的周邊的僅一部分，諸如沿著一個(gè)側(cè)面、兩個(gè)側(cè)面或三個(gè)側(cè)面，或沿著一個(gè)或多個(gè)側(cè)面的部分。周邊區(qū)域可具有一個(gè)或多個(gè)周邊電路(未示出)。周邊電路可執(zhí)行與光檢測(cè)器陣列相關(guān)聯(lián)和/或用以支持光檢測(cè)器陣列的各種操作。借助于示例，周邊電路可包括用以讀取或存取由于光檢測(cè)而由光檢測(cè)器陣列或其像素產(chǎn)生的電荷或其它信號(hào)的電路。例如，該電路可包括用以讀取由該陣列的像素的電容器保持的電荷的列和行讀出電路。作為其它示例，該電路可包括掃描電路、放大器、開(kāi)關(guān)、譯碼器、信號(hào)調(diào)節(jié)電路及其類似者。各種不同類型的傳統(tǒng)周邊電路是適合的。通常，互連(在此示圖中未示出)被包括以提供至光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域的周邊電路(一個(gè)或多個(gè))的電連接?；ミB可包括導(dǎo)線，或其它結(jié)構(gòu)，或其它路徑，或其組合，其可用以將電信號(hào)傳送至光檢測(cè)器陣列及周邊電路(一個(gè)或多個(gè))，和/或傳送來(lái)自光檢測(cè)器陣列及周邊電路(一個(gè)或多個(gè))的電信號(hào)?；ミB可由一種或多種金屬、其它導(dǎo)電材料或其組合形成。如在此所使用的，在金屬互連線中，術(shù)語(yǔ)“金屬”意欲涵蓋合金、堆棧(stack)，及一種或多種金屬和零或多種非金屬(例如，合金材料)的其它組合。通常，互連被形成為在具有光檢測(cè)器陣列及周邊電路的基板上的一個(gè)或多個(gè)圖案化層。圖2為在光檢測(cè)器裝置200的實(shí)施例的周邊206處截取的橫截面的框圖。該橫截面圖是在圖1中所示的線2—2處截取的。該光檢測(cè)器裝置包括光檢測(cè)器陣列202 ；及周邊區(qū)域204，其位于光檢測(cè)器陣列的周邊206處或沿著光檢測(cè)器陣列的周邊206。該周邊區(qū)域可具有一個(gè)或多個(gè)周邊電路 (未示出)。如先前所提及，各種不同類型的傳統(tǒng)光檢測(cè)器陣列、周邊區(qū)域及周邊電路是適合的。為避免混淆該描述，將不論述關(guān)于光檢測(cè)器陣列及周邊電路的內(nèi)部配置的細(xì)節(jié)，然而這些細(xì)節(jié)可廣泛地在公共文獻(xiàn)中獲得。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，光檢測(cè)器陣列202及周邊區(qū)域204可表示基板208的不同區(qū)域。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該基板可表示硅管芯、硅晶圓或其他半導(dǎo)體基板。一個(gè)或多個(gè)絕緣層或電介質(zhì)層210形成于或安置于基板208上。互連212、214安置于該一個(gè)或多個(gè)絕緣層或電介質(zhì)層內(nèi)。為避免混淆該描述，僅示出單個(gè)互連層或級(jí)，然而可以可選地包括兩個(gè)或多個(gè)不同互連層或級(jí)。如在所說(shuō)明的實(shí)施例中所示出的，該裝置包括第一較細(xì)互連線212，及第二較粗互連線214。較細(xì)互連線212對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列202 (例如，如圖所示為在光檢測(cè)器陣列202 的正上方，或可替代地在光檢測(cè)器陣列202的正下方)。較粗互連線214對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域 204 (例如，在周邊區(qū)域204的正上方或是正下方)。術(shù)語(yǔ)“較細(xì)，，及“較粗”在此用作相對(duì)術(shù)語(yǔ)，且應(yīng)被解譯為使得互連線相對(duì)于彼此“較細(xì)”和“較粗”。換言之，較細(xì)互連線比較粗互連線細(xì)。這些互連線都可為共同連續(xù)微影圖案化導(dǎo)電層的部分。如該說(shuō)明中所示出的，較細(xì)互連線具有第一粗細(xì)度(tl)，且較粗互連線具有第二粗細(xì)度(t2)。通常，較細(xì)互連線的粗細(xì)度為較粗互連線的粗細(xì)度的約20%至約90%。較細(xì)互連線的粗細(xì)度常常為較粗互連線的粗細(xì)度的約25%至約80%。在一些狀況下，較細(xì)互連線的粗細(xì)度為較粗互連線的粗細(xì)度的約30%至約70%。如下文將進(jìn)一步解釋，較細(xì)互連線與較粗互連線的不同粗細(xì)度可提供某些優(yōu)點(diǎn)。 非限制性地，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列202的較細(xì)互連線212可有助于減小寄生電容(相比于該互連線較粗的情況)，而對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域204的較粗互連線214可有助于提供較高電導(dǎo)率(或較小電阻)(相比于該互連線較細(xì)的情況)。有利地，減小寄生電容有助于增加轉(zhuǎn)換增益，從而可有助于增加光檢測(cè)器裝置的敏感性。例如，由于經(jīng)由對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域的互連線傳送較高電流，所以避免此互連線的電阻增加可為有益的。對(duì)寄生電容的簡(jiǎn)單論述可為有用的。在光檢測(cè)器裝置的操作期間，互連中可能存在寄生電容。術(shù)語(yǔ)“寄生電容”一般指代間隔很近的導(dǎo)體(諸如，互連)之間的由于其相對(duì)彼此接近而存在的通常不可避免且一般不需要的電容。圖3為說(shuō)明安置于絕緣層或電介質(zhì)層310內(nèi)的第一互連線316與第二互連線318 之間的寄生電容的實(shí)施例的框圖。這兩個(gè)互連線以橫截面被示出，并且其延伸進(jìn)入頁(yè)面的平面內(nèi)。第一互連線的第一狹長(zhǎng)矩形最右表面320與第二互連線的第二狹長(zhǎng)矩形最左表面 322相對(duì)、相面對(duì)且實(shí)質(zhì)上平行。寄生電容大致地量測(cè)針對(duì)跨越互連線316、318的給定電壓差而分離或儲(chǔ)存于相對(duì)表面320、322上的電能的量?？缭交ミB線存在電壓差(V)。如所示出的，第一互連線的最右表面320儲(chǔ)存凈正電荷(+Q)，且第二互連線的最左表面322儲(chǔ)存凈負(fù)電荷(-Q)。對(duì)于具有平行導(dǎo)電板的理想平行板電容器而言，當(dāng)在板上存在電荷Q且跨越板存在電壓差(V)時(shí)， 電容可大致為C = (Q)/V。寄生電容儲(chǔ)存電荷并且一般是不希望的，因?yàn)殡姾傻膬?chǔ)存實(shí)際上占用或消耗了在光檢測(cè)期間產(chǎn)生的電荷中的一些電荷，這些電荷原本要用于影像/視頻產(chǎn)生或光檢測(cè)器陣列的其他預(yù)期目的。另一方面而言，寄生電容趨向于減低轉(zhuǎn)換增益和/或光檢測(cè)器陣列的敏感性。轉(zhuǎn)換增益為與將由光檢測(cè)產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)換成電壓作為讀出信號(hào)相關(guān)聯(lián)的轉(zhuǎn)換因子。如先前所提及，在具有相對(duì)較小的可用于收集光的區(qū)域的小像素中，在光檢測(cè)期間產(chǎn)生的電荷的量已相對(duì)較低，且由寄生電容消耗的電荷的量可趨向于甚至更為顯著。因此，一般希望減小寄生電容的量(尤其對(duì)于小像素)。寄生電容的量通常隨相對(duì)表面的表面積增加而大致成正比地增加。另外，寄生電容的量通常隨著相對(duì)表面之間的分隔距離增加而減小。因此，可通過(guò)減小經(jīng)受寄生電容的表面的面積或增加經(jīng)受寄生電容的表面與相應(yīng)電容性表面的分隔距離來(lái)減小寄生電容。圖4為在光檢測(cè)器裝置400的實(shí)施例的周邊406處截取的橫截面的框圖，其示出較細(xì)互連線412如何提供較低層間及層內(nèi)寄生電容。該裝置包括基板408，其具有光檢測(cè)器陣列402及周邊區(qū)域404。一個(gè)或多個(gè)絕緣層410覆于基板上。兩個(gè)互連級(jí)或?qū)?12、414安置于所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)。上部互連級(jí)或?qū)影ǖ谝换ミB線412-1、第二互連線412-2及第三互連線414-1。第一、第二及第三互連線可為共同連續(xù)上部微影圖案化層的不同部分。下部互連級(jí)或?qū)影ǖ谒幕ミB線414-2及第五互連線414-3。第四及第五互連線可為共同下部圖案化層的不同部分。第一、第二及第四互連線對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列且覆于光檢測(cè)器陣列上。第三及第五互連線對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域且覆于周邊區(qū)域上。第一互連線412-1及第二互連線412-2中的每一個(gè)具有第一粗細(xì)度(tl)。第三互連線414-1具有第二粗細(xì)度(t2)，第二粗細(xì)度(t2)大于第一粗細(xì)度(tl)。較細(xì)的第一互連線412-1和/或第二互連線412-2相比于其為較粗的情況可具有較低的層間寄生電容(在同一層內(nèi))?；ミB線以橫截面被示出，并且其延伸進(jìn)入頁(yè)面的平面內(nèi)。第一互連線的第一狹長(zhǎng)的大體為矩形的最右表面420與第二互連線的第二狹長(zhǎng)的大體為矩形的最左表面422相對(duì)、相面對(duì)且實(shí)質(zhì)上平行。相對(duì)表面的面積大致等于進(jìn)入頁(yè)面的平面內(nèi)的互連線的相對(duì)區(qū)段的長(zhǎng)度乘以第一及第二互連線的粗細(xì)度。因此，減小第一及第二互連線中之一或多者的粗細(xì)度也減小了相對(duì)表面中之一或多者的面積。由于寄生電容的量趨向于隨著相對(duì)表面的面積減小而大致成正比地減小，因此減小第一及第二互連的粗細(xì)度可有助于減小層間寄生電容。較細(xì)的第二互連線412-2相比于其為較粗的情況也可具有較低的層內(nèi)寄生電容 (不同層之間)。上部互連層中的第二互連線412-2與下部互連層中的第四互連線414-2 的第一分隔距離(dl)大于上部互連層中的第三互連線414-1與下部互連層中的第五互連線414-3的第二分隔距離(d2)。由于寄生電容的量趨向于隨著相對(duì)表面之間的分隔距離增加而減小，因此減小第二互連線的粗細(xì)度可有助于減小層內(nèi)寄生電容。因此，使用較細(xì)的互連線可有助于減小寄生電容。減小寄生電容可有助于增加轉(zhuǎn)換增益和增加光檢測(cè)器陣列的敏感性。此對(duì)于大小相對(duì)較小的像素尤其有用。對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的某些互連線在一些狀況下可趨向于具有相對(duì)較高的寄生電容量。例如，在一些裝置中，局部地連接至浮動(dòng)或短路節(jié)點(diǎn)或像素的漏極的互連線趨向于具有相對(duì)較高的寄生電容量，因此制作得較細(xì)可以是有利的。如上文所論述，對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的較細(xì)互連線可有助于減小寄生電容。然而， 考慮到周邊區(qū)域，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使作為相同連續(xù)圖案化層的部分的互連線比較細(xì)互連線相對(duì)更粗可以是有利的。減小互連線的粗細(xì)度通過(guò)減小了可用于傳導(dǎo)通過(guò)互連線的電流的粗細(xì)度和/或面而可趨向于增大互連線的電阻。對(duì)于一些互連線，為了減小寄生
9電容而增大電阻是值得的，然而對(duì)于其它互連線可能并非如此。例如，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的至少一個(gè)較細(xì)互連線相比于在相同連續(xù)圖案化層內(nèi)對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域的至少一個(gè)較粗互連線可具有較低的電流。在周邊區(qū)域中，一些互連線載運(yùn)相對(duì)較高的電流，對(duì)于這些互連線，增大電阻是不希望的。對(duì)于對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域的至少一個(gè)互連線 (其將具有較高的電流)，減小寄生電容可能不如提供可用于傳導(dǎo)較高電流的額外粗細(xì)度和/或面積有利?？删哂休^高電流且得益于相對(duì)較大的互連粗細(xì)度的周邊電路的具體實(shí)例包括靜電放電(ESD)電路、輸入/輸出(I/O)電路，及電源與接地配電線(尤其為相對(duì)較長(zhǎng)的配電線)。圖5為在光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域之上形成互連線的方法530的實(shí)施例的框流程圖。該方法包括在框532處，在光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成一個(gè)或多個(gè)絕緣層或電介質(zhì)層。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域可各自為基板的部分。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，基板可為半導(dǎo)體基板，該該基板已被執(zhí)行前段(front-end of line) 半導(dǎo)體制程以形成光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)絕緣層或電介質(zhì)層可包括硅的氧化物，諸如二氧化硅(SiO2)。或者，可以可選地使用該領(lǐng)域中已知的其它絕緣層或電介質(zhì)層，諸如各種已知的高k或低k的電介質(zhì)。在框534處，可在光檢測(cè)器陣列上的一個(gè)或多個(gè)絕緣層中蝕刻較淺溝槽，并且可在周邊區(qū)域上的一個(gè)或多個(gè)絕緣層中蝕刻較深溝槽。術(shù)語(yǔ)“較淺”及“較深”在此用作相對(duì)術(shù)語(yǔ)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，蝕刻淺溝槽可包括使用蝕刻終止層來(lái)停止、減緩或延遲蝕刻，而蝕刻較深溝槽可不涉及使用蝕刻終止層來(lái)停止、減緩或延遲蝕刻。作為另一選項(xiàng)，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可使用較長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間來(lái)形成較深溝槽，且可使用較短的蝕刻時(shí)間來(lái)形成較淺溝槽。作為又一選項(xiàng)，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可使用較快的蝕刻化學(xué)反應(yīng)來(lái)形成較深溝槽，且可使用較慢的蝕刻化學(xué)反應(yīng)來(lái)形成較淺溝槽。再次參看圖5，在框536處，可通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料引入至較淺溝槽中來(lái)在光檢測(cè)器陣列上形成較細(xì)互連線，且可通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料引入至較深溝槽中來(lái)在周邊區(qū)域上形成較粗互連線。合適的導(dǎo)電材料的一些代表性示例包括(但不限于)銅、鋁、 鎢、鈦、鉬、鈷、其它金屬或合金，及其組合。圖6A至圖61為在光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成互連結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施例的各個(gè)階段處的基板的橫截面圖。此方法大體上遵循雙鑲嵌制程，同時(shí)具有以下論述的某些修改。圖6A示出在基板608上沉積或以其它方式形成第一絕緣層610。該基板具有光檢測(cè)器陣列602以及在該光檢測(cè)器陣列的周邊606處的周邊區(qū)域604。該周邊區(qū)域可具有周邊電路640。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該基板可為已被執(zhí)行前段半導(dǎo)體制程后而形成有光檢測(cè)器陣列及周邊電路的半導(dǎo)體基板。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該基板可表示具有多個(gè)光檢測(cè)器陣列的晶圓，在切塊之后每個(gè)光檢測(cè)器陣列將駐留于不同的芯片上。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一絕緣層610可包括硅的氧化物，諸如二氧化硅 (SiO2)。形成包括硅的氧化物(例如，SiO2)的層的合適方式的示例包括(但不限于)化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子增強(qiáng)CVD(PECVD)、高密度等離子CVD(HDPCVD)等?；蛘?，第一絕緣層可包括低k電介質(zhì)，該低k電介質(zhì)具有比二氧化硅的介電常數(shù)(其為約3. 9)低的介電常數(shù)。使用低k電介質(zhì)可進(jìn)一步有助于減小寄生電容。低k電介質(zhì)的示例包括(但不限于)摻氟二氧化硅、摻碳二氧化硅、多孔二氧化硅、奈米玻璃、多孔摻碳二氧化硅、多孔SiLK樹脂、其它多孔電介質(zhì)、旋涂有機(jī)聚合物的電介質(zhì)，及旋涂基于硅的聚合物的電介質(zhì)(例如，三氧化硅烷(HSQ)及甲基硅倍半氧烷(MSQ))。或者，第一絕緣層可包括具有比二氧化硅的介電常數(shù)大的介電常數(shù)的高k電介質(zhì)(例如，鈦酸鋇鍶或氧化鉿)。這些各種電介質(zhì)材料層可由傳統(tǒng)方法形成。圖6B示出在圖6A的整個(gè)第一絕緣層610上沉積或以其它方式形成毯覆式蝕刻終止層642。該毯覆式蝕刻終止層包括使得該層的蝕刻速率低于第一絕緣層610的蝕刻速率的材料。借助于示例，在一個(gè)特定實(shí)施例中，如果第一絕緣層包括二氧化硅(SiO2),則該毯覆式蝕刻終止層可包括硅的氮化物，諸如氮化硅(Si3N4)15例如，氮化硅層可由化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。各種其它蝕刻終止材料也是適合的。該毯覆式蝕刻終止層位于光檢測(cè)器陣列602(將在其中蝕刻較淺溝槽)及周邊區(qū)域604(將在其中蝕刻較深溝槽)兩者上。圖6C示出通過(guò)移除圖6B的毯覆式蝕刻終止層642在周邊區(qū)域604上的第一部分并保留毯覆式蝕刻終止層642在光檢測(cè)器陣列602上的第二部分644而形成的圖案化蝕刻終止層644。借助于示例，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)光微影(photolithography)及蝕刻來(lái)移除毯覆式蝕刻終止層的第一部分。代表性地，可在圖6B的毯覆式蝕刻終止層642 上形成光阻層。接著，光阻層可被微影圖案化并顯影，以使得在光檢測(cè)器陣列上光阻層被保持，而在周邊區(qū)域上光阻層被移除。接著，可使用蝕刻來(lái)移除周邊區(qū)域上的蝕刻終止層的曝露的第一部分。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可使用適合于蝕刻氮化硅的蝕刻。光檢測(cè)器陣列上的光阻層可防止該蝕刻移除光檢測(cè)器陣列上的蝕刻終止層的第二部分(將在該處蝕刻較淺溝槽)。圖6D示出在圖6C的圖案化蝕刻終止層644的剩余部分及第一絕緣層610上沉積或以其它方式形成第二絕緣層646。先前針對(duì)第一絕緣層610所公開(kāi)的電介質(zhì)材料及方法也適用于第二絕緣層646。第二絕緣層可包括與第一絕緣層相同的材料，或是包括不同的材料。第二絕緣層可具有與第一絕緣層相同的厚度，或是具有不同的厚度。圖6E示出在圖6D的第二絕緣層646上形成圖案化光阻層648。該圖案化光阻層已經(jīng)過(guò)圖案化而被移除了光阻層的將在其中形成溝槽的那部分。借助于示例，可在第二絕緣層上旋涂或以其它方式形成光阻層。接著，該光阻層可被微影圖案化并顯影。在顯影期間，可移除光阻層的將在其中蝕刻溝槽的那部分。在該說(shuō)明中，已從光檢測(cè)器陣列602上移除了該層之第一部分650，且已從周邊區(qū)域604上移除了該層之第二部分652。圖6F示出在圖6E的基板的光檢測(cè)器陣列602上的第二絕緣層646中蝕刻或以其它方式形成較淺溝槽654，且在周邊區(qū)域604上的第一絕緣層610及第二絕緣層646中蝕刻或以其它方式形成較深溝槽656。如所示出的，較淺溝槽比較深溝槽淺一距離(d)。回想， 在形成較淺溝槽的區(qū)域中，蝕刻終止層644的一部分保留在光檢測(cè)器陣列上，但在形成較深溝槽的區(qū)域中，沒(méi)有蝕刻終止層的部分保留在周邊區(qū)域上。當(dāng)較淺溝槽的蝕刻遇到蝕刻終止層時(shí)，蝕刻速率減小。相對(duì)比而言，較深溝槽的蝕刻不經(jīng)歷此蝕刻速率減小。在較淺溝槽的蝕刻被蝕刻終止層延遲的同時(shí)，較深溝槽的蝕刻繼續(xù)而蝕刻進(jìn)入第一絕緣層610。如所示出的，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，用以形成較淺溝槽654的蝕刻可在蝕刻終止層644處停止或在蝕刻終止層644內(nèi)停止。如所示出的，在這樣的實(shí)施例中，蝕刻終止層644的至少一部分可保留在較淺溝槽654的正下方?；蛘?，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，用以形成較淺溝槽的蝕刻可蝕刻直至穿過(guò)蝕刻終止層。在這樣實(shí)施例中，較淺溝槽的底部表面可低于蝕刻終止層的底部表面。蝕刻穿過(guò)蝕刻終止層趨向于減小層間寄生電容，但并非必需的。下面在圖7中示出其中用以形成較淺溝槽的蝕刻已蝕刻直至穿過(guò)蝕刻終止層的基板的實(shí)施例。使用蝕刻終止層并非形成較淺溝槽及較深溝槽的唯一方式。另一選項(xiàng)為執(zhí)行較短時(shí)間的蝕刻來(lái)形成較淺溝槽且執(zhí)行較長(zhǎng)時(shí)間的蝕刻來(lái)形成較深溝槽。又一選項(xiàng)為使用具有不同蝕刻速率的不同蝕刻化學(xué)反應(yīng)(例如，使用具有較慢蝕刻速率的蝕刻化學(xué)反應(yīng)來(lái)形成較淺溝槽，且使用具有較快蝕刻速率的蝕刻化學(xué)反應(yīng)來(lái)形成較深溝槽)。圖6G示出在圖6F的基板上形成圖案化光阻層658，其中該圖案化光阻層已經(jīng)過(guò)圖案化而定義了較淺溝槽內(nèi)的第一過(guò)孔開(kāi)口 660及較深溝槽內(nèi)的第二過(guò)孔開(kāi)口 660。借助于示例，可在第二絕緣層上形成光阻層。該光阻層可填充溝槽。接著，該光阻層可被微影圖案化并顯影。在顯影期間，可在過(guò)孔開(kāi)口的預(yù)期位置處移除光阻層的部分。在該說(shuō)明中，已移除在光檢測(cè)器陣列上較淺溝槽內(nèi)的第一部分，且已移除在周邊區(qū)域上較深溝槽內(nèi)的第二部分。圖6H示出在圖6G的基板的光檢測(cè)器陣列602上的第一絕緣層610中蝕刻或以其它方式形成第一過(guò)孔開(kāi)口 664，且在周邊區(qū)域604上的第一絕緣層610中蝕刻或以其它方式形成第二過(guò)孔開(kāi)口 668。第一及第二過(guò)孔開(kāi)口可各自分別停止或終止于光檢測(cè)器陣列及周邊電路的接觸之處。然后，圖案化光阻層可被剝離或以其它方式移除。圖6E至圖6H說(shuō)明所謂的后鉆孔制程(via-last process)，其中在遮蔽并蝕刻過(guò)孔開(kāi)口之前遮蔽并蝕刻溝槽。在一個(gè)或多個(gè)替代實(shí)施例中，可替代地使用所謂的先鉆孔制程(via-first process)，其中在遮蔽并蝕刻溝槽之前遮蔽并蝕刻過(guò)孔開(kāi)口。至少在概念上，可在執(zhí)行圖6E至圖6F所示出的操作之前，執(zhí)行圖6G至圖6H中所示出的操作。圖61示出在移除圖案化光阻層658之后在圖6H的溝槽6M、656及過(guò)孔開(kāi)口 664、 668中形成互連線612、614及過(guò)孔670、672。具體而言，在較淺溝槽654中形成較細(xì)互連線 612，且在較深溝槽656中形成較粗互連線614。如所示出的，較粗互連線比較細(xì)互連線粗一距離(d)。另外，在較細(xì)互連線612下方形成較高過(guò)孔670，且在較粗互連線614下方形成較矮過(guò)孔672。如所示出的，較高過(guò)孔比較矮過(guò)孔高出大致相同的距離(d)。可通過(guò)將金屬或其它導(dǎo)電材料沉積、鍍敷或以其它方式引入至溝槽中來(lái)形成互連線及過(guò)孔。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可在相同制程操作期間將導(dǎo)電材料引入至溝槽及過(guò)孔開(kāi)口中。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，大量互連線中的每一個(gè)可包括銅材料，然而此并非必需的。代表性地，可以可選地諸如通過(guò)CVD或物理氣相沉積(PVD)在溝槽及開(kāi)口的內(nèi)表面上沉積一薄的銅阻擋層。接著，可以可選地諸如通過(guò)CVD或PVD在該銅阻擋層上沉積一薄的銅晶種層。接著，可將銅或銅材料電鍍、非電鍍鍍敷、以其它方式鍍敷或以其它方式引入至溝槽中的薄銅晶種層上，以完全填充溝槽。此僅為一個(gè)實(shí)例?？梢钥蛇x地使用鋁或各種其它導(dǎo)電材料來(lái)替代銅?？梢钥蛇x地使用平坦化(諸如，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP))來(lái)將溝槽外部的任何過(guò)量的銅或其它導(dǎo)電材料移除和/或?qū)崿F(xiàn)較平坦的頂部表面。在該說(shuō)明中，較細(xì)及較粗互連線具有實(shí)質(zhì)上共平面的頂部表面。
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圖7為在光檢測(cè)器陣列702及周邊區(qū)域704上分別形成較細(xì)互連結(jié)構(gòu)712及較粗互連結(jié)構(gòu)714的替代實(shí)施例的橫截面圖。在此實(shí)施例中，用于較細(xì)互連線712的淺溝槽已蝕刻直至穿過(guò)蝕刻終止層744。形成于該溝槽中的較細(xì)互連線712具有在該溝槽的底部處的底部表面，該底部表面低于蝕刻終止層744的底部表面。蝕刻穿過(guò)蝕刻終止層趨向于進(jìn)一步減小層間寄生電容，但并非必需的。還示出較高過(guò)孔770及較矮過(guò)孔772。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在圖6A至圖61及圖7中，示出并描述了僅僅單個(gè)較細(xì)互連線及單個(gè)較粗互連線。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，較細(xì)互連線及較粗互連線可為一共同圖案化層的不同部分，其中在光檢測(cè)器陣列上或?qū)?yīng)于光檢測(cè)器陣列的圖案化層的至少一部分、大部分或全部的厚度小于在周邊區(qū)域上或?qū)?yīng)于周邊區(qū)域的圖案化金屬化層的至少一部分、大部分或全部的厚度。另外，為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，示出并描述了僅僅單個(gè)互連層或級(jí)。應(yīng)了解，可以有兩個(gè)或更多個(gè)互連級(jí)，并且這些互連級(jí)中的一個(gè)或多個(gè)、大部分或全部可具有在光檢測(cè)器陣列上或?qū)?yīng)于光檢測(cè)器陣列的較細(xì)互連，及在周邊區(qū)域上或?qū)?yīng)于周邊區(qū)域的較粗互連。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可使用仿真、其它計(jì)算或其它分析來(lái)決定使對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的哪一 (哪些)互連線較細(xì)以及使對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域的哪一(哪些)互連線較粗。例如，可估計(jì)或預(yù)測(cè)寄生電容及電流。這些估計(jì)或預(yù)測(cè)可用以決定應(yīng)使對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的哪一(哪些) 互連線較細(xì)以及應(yīng)使對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域的哪一(哪些)互連線較粗，以達(dá)成最佳的性能改善改良。本發(fā)明的實(shí)施例可用于正面照明(FSI)及背面照明(BSI)光檢測(cè)器裝置中的任一者。在BSI之狀況下，可較為自由地增加周邊中的互連的粗細(xì)度。圖8為說(shuō)明結(jié)合有光檢測(cè)器裝置800的照明及影像捕獲系統(tǒng)880的實(shí)施例的框圖。在各種實(shí)施例中，該系統(tǒng)可表示數(shù)字相機(jī)、數(shù)字相機(jī)手機(jī)、web相機(jī)、保安相機(jī)、光學(xué)鼠標(biāo)、光學(xué)顯微鏡(僅舉幾個(gè)例子)或并入于其中。該系統(tǒng)包括光源882，諸如多色發(fā)光二極管(LED)或其它半導(dǎo)體光源。該光源可發(fā)射光穿過(guò)外殼886的外罩或窗口 884到達(dá)正被成像的對(duì)象887。由對(duì)象反射的至少一些光可穿過(guò)外罩到達(dá)光檢測(cè)器裝置800而被返回至該系統(tǒng)。 光檢測(cè)器裝置可感測(cè)光，且可輸出表示光或影像的模擬影像數(shù)據(jù)。數(shù)字處理單元888可接收模擬影像數(shù)據(jù)。該數(shù)字處理單元可包括用以將模擬影像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)數(shù)字影像數(shù)據(jù)的模擬至數(shù)字(ADC)電路。數(shù)字影像數(shù)據(jù)隨后可通過(guò)軟件/固件邏輯890來(lái)儲(chǔ)存、傳輸或以其它方式操縱。軟件/固件邏輯可位于外殼內(nèi)，或是如圖所示地位于外殼外部。此系統(tǒng)僅僅是一個(gè)說(shuō)明性示例。還可以預(yù)想到廣泛的多種其它系統(tǒng)。在說(shuō)明書及權(quán)利要求書中，可使用術(shù)語(yǔ)“耦接”、“連接”及其衍生詞。這些術(shù)語(yǔ)不意欲作為彼此的同義詞。而是，“連接”是指兩個(gè)或更多個(gè)組件彼此直接實(shí)體接觸或電接觸。 “耦接”可以指兩個(gè)或更多個(gè)組件直接實(shí)體接觸或電接觸。然而，“耦接”可替代地指兩個(gè)或更多個(gè)組件并非彼此直接接觸，而是諸如經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)中間組件或結(jié)構(gòu)而彼此協(xié)作或互作用。例如，互連線可經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)中間結(jié)構(gòu)(諸如，過(guò)孔)而與光檢測(cè)器耦接。在以上描述中，出于解釋之目的，已闡述了眾多特定細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的透徹理解。然而，可在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)中的一些的情況下實(shí)踐其它實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。提供所描述特定實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，而是說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明的范圍并非由上文所提供的特定示例確定，而是僅由下文的權(quán)利要求書來(lái)確定。在其它實(shí)例中，以框圖形式或并未詳細(xì)地示出已知電路、結(jié)構(gòu)、器件及操作，以便避免混淆對(duì)該描述的理解。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，可對(duì)在此所公開(kāi)的實(shí)施例做出修改，諸如對(duì)實(shí)施例的組件的大小、形狀、配置、形式、功能、材料及操作方式，以及裝配和使用做出修改。與附圖中所說(shuō)明和在說(shuō)明書中所描述的所有等效關(guān)系都被涵蓋在本發(fā)明的實(shí)施例內(nèi)。為說(shuō)明的簡(jiǎn)單及清楚起見(jiàn)，附圖中所示的組件不一定是按比例繪制的。例如，這些元件中的一些的尺度相對(duì)于其它元件被夸大。在被認(rèn)為適當(dāng)之處，在各圖之間重復(fù)使用標(biāo)號(hào)或標(biāo)號(hào)末端部分，以指示除非另外指定，否則相應(yīng)或類似元件可具有相似或類似特性。貫穿此說(shuō)明書對(duì)(例如)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”或“一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例”的提及是指特定特征可包括在本發(fā)明的實(shí)踐中。相似地，在描述中，有時(shí)為達(dá)到使公開(kāi)簡(jiǎn)化和助于理解各發(fā)明性方面的目的，各種特征被集中于單個(gè)實(shí)施例、圖或其描述中。然而，本公開(kāi)的方法不應(yīng)被解釋為反映如下意圖本發(fā)明需要比每個(gè)權(quán)利要求中明確敘述的特征更多的特征。而是，如以下權(quán)利要求書所反映，發(fā)明性方面可在于比單個(gè)所公開(kāi)的實(shí)施例的所有特征更少的特征。因此，具體實(shí)施方式
之后的權(quán)利要求特此明確地并入于此具體實(shí)施方式
中， 每個(gè)權(quán)利要求獨(dú)立地作為本發(fā)明的單獨(dú)的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種裝置，其包含 光檢測(cè)器陣列；周邊區(qū)域，其位于所述光檢測(cè)器陣列的周邊處；較細(xì)互連線，其對(duì)應(yīng)于所述光檢測(cè)器陣列，所述較細(xì)互連線安置于一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)；及較粗互連線，其對(duì)應(yīng)于所述周邊區(qū)域，所述較粗互連線安置于所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包含較高過(guò)孔，其位于所述較細(xì)互連線下方；以及較矮過(guò)孔，其位于所述較粗互連線下方。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線與在所述較細(xì)互連線正下方的互連線的分隔距離大于所述較粗互連線與在所述較粗互連線正下方的互連線的分隔距離。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包含蝕刻終止層，所述蝕刻終止層在具有所述較細(xì)互連線的區(qū)域的下方，其中，所述蝕刻終止層不在具有所述較粗互連線的區(qū)域的下方。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，還包含所述蝕刻終止層的在所述較細(xì)互連線的正下方的至少一部分，其中在所述較粗互連線的正下方不存在蝕刻終止層。
6.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中，在所述較細(xì)互連線的正下方不存在蝕刻終止層，并且其中，所述較細(xì)互連線的底部表面低于所述蝕刻終止層的底部表面。
7.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述蝕刻終止層在所述光檢測(cè)器陣列的至少大部分上，并且在周邊區(qū)域的至少大部分上被省略。
8.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層包含硅的氧化物，并且其中，所述蝕刻終止層包含硅的氮化物。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線和所述較粗互連線為同一連續(xù)圖案化層的部分。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線的頂部表面與所述較粗互連線的頂部表面實(shí)質(zhì)上共平面。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線位于所述光檢測(cè)器陣列之上或是之下，并且所述較粗互連線位于所述周邊區(qū)域之上或是之下。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線經(jīng)電連接，以比所述較粗互連線載運(yùn)較少的電流。
13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線的粗細(xì)度為所述較粗互連線的粗細(xì)度的20%至90%。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中，所述較細(xì)互連線的粗細(xì)度為所述較粗互連線的粗細(xì)度的30%至70%。
15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述光檢測(cè)器陣列包含背面照明影像傳感器陣列。
16.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述光檢測(cè)器陣列包含正面照明影像傳感器陣列。
17.一種裝置，其包含 光檢測(cè)器陣列；周邊區(qū)域，其位于所述光檢測(cè)器陣列的周邊處； 圖案化金屬化層，其位于所述光檢測(cè)器陣列上并且位于所述周邊區(qū)域上， 其中，在所述光檢測(cè)器陣列上的圖案化金屬化層的至少一部分的厚度小于在所述周邊區(qū)域上的圖案化金屬化層的至少一部分的厚度。
18.一種方法，其包含在基板的光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域上形成一個(gè)或多個(gè)絕緣層，所述周邊區(qū)域位于所述光檢測(cè)器陣列的周邊處；及在所述光檢測(cè)器陣列上的絕緣層中蝕刻較淺溝槽，并且在所述周邊區(qū)域上的絕緣層中蝕刻較深溝槽；通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料引入至所述較淺溝槽中來(lái)在所述光檢測(cè)器陣列上形成較細(xì)互連線，并且通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料引入至所述較深溝槽中來(lái)在所述周邊區(qū)域上形成較粗互連線。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包含在所述基板上形成所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層中的第一絕緣層；形成蝕刻終止層，所述蝕刻終止層位于所述第一絕緣層的將在其中蝕刻所述淺溝槽的區(qū)域上，并且并不位于所述第一絕緣層的將在其中蝕刻所述較深溝槽的區(qū)域上；及在所述第一絕緣層上及所述蝕刻終止層上形成所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層中的第二絕緣層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，選擇性地形成所述蝕刻終止層包含在所述第一絕緣層的將在其中蝕刻所述較深溝槽的區(qū)域上形成所述蝕刻終止層；以及從將在其中蝕刻所述較深溝槽的區(qū)域移除所述蝕刻終止層。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，還包含在所述較細(xì)互連線下方形成較高過(guò)孔，并且在所述較粗互連線下方形成較矮過(guò)孔。
全文摘要
本發(fā)明提供了具有光檢測(cè)器陣列及周邊區(qū)域的較細(xì)和較粗互連線的裝置。一方面的裝置包括光檢測(cè)器陣列，以及位于光檢測(cè)器陣列的周邊處的周邊區(qū)域。對(duì)應(yīng)于光檢測(cè)器陣列的較細(xì)互連線安置于一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)。對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)域的較粗互連線安置于所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層內(nèi)。其它裝置、方法及系統(tǒng)也被公開(kāi)。
文檔編號(hào)H01L27/144GK102194834SQ20101026598
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者戴幸志, 文森特·瓦乃茲艾, 毛杜立, 錢胤, 霍華德·羅茲 申請(qǐng)人:美商豪威科技股份有限公司