用于設(shè)計有機光電檢測器元件或光電發(fā)射器元件的陣列的改進方法
【專利摘要】本申請涉及用于制造包括光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣的矩陣器件的方法，該方法包括：a）用于從所述矩陣器件的至少一個拓撲識別一個或多個寄生導(dǎo)通閉合電路的設(shè)計步驟；b）用于選擇至少一個所識別所述寄生導(dǎo)通閉合電路所屬的矩陣器件的一個或多個給定光電檢測或光電發(fā)射元件的設(shè)計步驟，其中，所選擇的所述一個或多個元件被去激活。
【專利說明】用于設(shè)計有機光電檢測器元件或光電發(fā)射器元件的陣列的改進方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣微電子器件領(lǐng)域，并且特別地，涉及由被動光電檢測或光電發(fā)射元件形成的那些器件。
[0002]本申請?zhí)峁┮环N用于設(shè)計光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣器件的改進方法，以及根據(jù)這種方法實現(xiàn)的矩陣器件。
[0003]本發(fā)明特別適用于制造基于有機半導(dǎo)體材料的光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣?！颈尘凹夹g(shù)】
[0004]在由光電檢測元件的矩陣形成的圖像傳感器中，由每個光電檢測元件保存的信息通常為電流或電壓的形式。
[0005]當矩陣包括沒有集成位于像素自身處的處理資源的像素或光電檢測或光電發(fā)射元件時，這些像素通常稱為“被動”像素。
[0006]目前，在硅上制造的圖像傳感器如電荷耦合傳感器或CXD (電荷耦合器件)或CMOS技術(shù)傳感器由主動像素形成，其中，該主動像素是除了檢測功能之外還本地地集成信號處理裝置例如用于提供預(yù)充電功能和/或放大功能或多路復(fù)用功能的裝置的像素。
[0007]主動像素使傳感 器的圖像質(zhì)量和讀取速度的改進能夠?qū)崿F(xiàn)。
[0008]由于制造工藝的實現(xiàn)顧慮原因，基于由至少一種有機半導(dǎo)體材料形成的有機光電檢測器的圖像傳感器因而當前由被動元件或像素形成。
[0009]當光電二極管矩陣的光電二極管被光照時，該光電二極管處于低阻抗，并且創(chuàng)建寄生電流路徑，該寄生電流路徑可以導(dǎo)致防止執(zhí)行由每個像素作為電流或電壓保存的信息的讀取。
[0010]在給出包括兩行和兩列光電二極管Il1Ul2Ul3Ul4的光電檢測器的矩陣部分的等效電子電路的圖1的器件上示出這種現(xiàn)象的一個示例。
[0011]在該示例中，矩陣的光電二極管為反向偏置的，因而期望被讀取電流的給定二極管Il3具有例如設(shè)置為+1伏特的陰極15(!,然而該二極管的陽極17(!例如偏置為O伏特。
[0012]在該圖中表示出了互連的電阻器13、偏置電極15^、IS1、17。、IT1以及路徑Ca和路徑Cp，其中，意圖由光電二極管Il3產(chǎn)生路徑Ca的電流并且路徑Cp的寄生電流經(jīng)過鄰近的或相鄰的網(wǎng)格傳遞到到期望被讀取的像素的網(wǎng)格。
[0013]為了解決該寄生導(dǎo)通電路的問題并且允許像素的改進的讀取，一個方法在于在矩陣像素之間引入附加二極管。
[0014]例如在文獻US3855582和Vilkomerson等人在1969年12月于IEEE固態(tài)電路雜志vol.sc_4, η。6的“文字組成的圖片檢測器區(qū)域(a Word-organised photo detectorarea)”中介紹了這種方法。
[0015]然而，這種解決方案幾乎不應(yīng)用于基于有機半導(dǎo)體光電檢測器的矩陣，具體而言由于制造工藝的復(fù)雜性并且具體而言由于像素之間的附加二極管的實現(xiàn)復(fù)雜性的原因。[0016]同樣由于實現(xiàn)顧慮的原因，對于前述問題的其它需要在相同的基板上集成晶體管和光電檢測器的解決方案也幾乎不可用于基于有機半導(dǎo)體光電檢測器的矩陣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]首先，本發(fā)明涉及一種用于制造包括光電檢測或光電發(fā)射元件或像素的矩陣的矩陣器件的方法，該方法包括:
[0018]a)用于從所述矩陣器件的至少一個給定拓撲(通常稱為“布局”)識別一個或多個電氣導(dǎo)通閉合電路特別是寄生導(dǎo)通電路的設(shè)計步驟，
[0019]b)用于選擇至少一個所識別所述導(dǎo)通閉合電路所屬的矩陣器件的一個或多個給定光電檢測或光電發(fā)射元件的設(shè)計步驟，然后，矩陣的在步驟b)中所選擇的至少一個所述元件被去激活或者被識別為意圖被去激活。
[0020]該設(shè)計方法包括至少一個或多個由計算機輔助的或使用數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行的設(shè)計步驟。
[0021]設(shè)計步驟a)和b)可以具體而言是由計算機輔助的或使用數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行的。
[0022]該方法還可以包括至少一個用于產(chǎn)生所述矩陣器件的新的拓撲的設(shè)計步驟，其中，在步驟(b)中所選擇的所述至少一個元件被去激活或者被識別為意圖被去激活。
[0023]該制造方法可以包括在步驟a)中:
[0024]從所述給定拓撲，實現(xiàn)由與矩陣的所述元件對應(yīng)的角點和與矩陣中的所述角點的連接對應(yīng)的鏈路形成的至少一個圖形，
[0025]在所述圖形中識別一個或多個給定循環(huán)。
[0026]然后可以通過選擇所述圖形的至少一個所述循環(huán)所屬的至少一個給定角點來執(zhí)行步驟b)。
[0027]因此，通過使用至少一個等效圖形，在給定拓撲中識別潛在的寄生導(dǎo)通電路，并且然后選擇屬于該或這些電路的一個或多個給定光電檢測或光電發(fā)射元件，其中，該元件中的至少一個意圖被去激活。
[0028]所選擇的所述給定角點可以為所述圖形的兩個循環(huán)共用的。
[0029]嘗試最小化被去激活的元件的數(shù)量，同時選擇多個寄生導(dǎo)通電路所屬的矩陣的元件。
[0030]根據(jù)另一種可能性，所選擇的所述給定角點可以屬于比預(yù)先確定的長度具有更長長度的循環(huán)或者屬于所述圖形的最大循環(huán)。
[0031]嘗試最小化被去激活的元件的數(shù)量，同時選擇大尺寸的寄生導(dǎo)通電路所屬的矩陣的元件。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的制造方法還可以包括用于制造所述矩陣器件的步驟，其中，在步驟
b)中所選擇的所述至少一個元件為去激活的。
[0033]可以通過將所選擇的所述元件的電極中的至少一個電極從矩陣的剩余部分斷開，去激活所選擇的所述元件。
[0034]還可以通過提供朝向所述元件的檢測或者發(fā)射半導(dǎo)電的區(qū)域的掩膜區(qū)域來去激活所選擇的所述元件。
[0035]根據(jù)另一種實現(xiàn)可能性，被去激活的或者意圖被去激活的元件可以具有檢測或者發(fā)射半導(dǎo)電的區(qū)域或用于代替檢測半導(dǎo)電的區(qū)域的絕緣區(qū)域。
[0036]根據(jù)另一種實現(xiàn)可能性，可以通過元件的光電檢測或光電發(fā)射半導(dǎo)電的區(qū)域的物理或化學處理去激活該元件。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的方法特別適用于制造矩陣的元件為有機半導(dǎo)體光電二極管的器件。
[0038]本發(fā)明還涉及使用上述方法制造的器件。
[0039]本發(fā)明涉及由光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣形成的器件，特別是具有有機半導(dǎo)體的器件，其中，一個或多個元件為被去激活。
[0040]本發(fā)明還涉及一種計算機程序，其包括可記錄到所述計算機上以執(zhí)行上述設(shè)計方法的步驟的程序代碼指令。
[0041]本發(fā)明還涉及一種包括記錄在可用于計算機中的介質(zhì)上的程序代碼指令的計算機程序產(chǎn)品，其包括用于實現(xiàn)上述設(shè)計方法的可讀編程裝置。
[0042]本發(fā)明還涉及一種可由計算機使用的數(shù)字數(shù)據(jù)介質(zhì)，其包括該計算機程序的代碼指令。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]在通過參照附圖來閱讀僅僅以指示的方式給出并且絕不用于限制的目的給定示例性實施例的描述之后，將更好地理解本發(fā)明，其中:
[0044]圖1表示光電二極管的這樣一個矩陣部分的等效電子電路，其中，在該矩陣部分中已識別寄生導(dǎo)通電路，
[0045]圖2A-2C使用等效的圖形示出根據(jù)本發(fā)明的光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣的示例性設(shè)計方法的步驟，
[0046]圖3使用等效的圖形示出根據(jù)本發(fā)明用于選擇將被去激活的光電檢測或光電發(fā)射元件來形成光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣的方法，
[0047]圖4使用等效的圖形示出根據(jù)本發(fā)明用于選擇降雨被去激活的光電檢測或者光電發(fā)射元件來形成光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣的可替換的方法，
[0048]圖5示出另一種可替換的用于選擇將被去激活的光電檢測或者光電發(fā)射元件的方法，
[0049]圖6示出另一種可替換的用于選擇將被去激活的光電檢測或者光電發(fā)射元件的方法，
[0050]圖7A-圖7B示出根據(jù)本發(fā)明在示例性設(shè)計方法期間實現(xiàn)的等效圖形的修改，
[0051]圖8示出可以用于制造根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的有機光電二極管的矩陣的層的堆垛，
[0052]圖9A-圖9E示出根據(jù)本發(fā)明在光電二極管矩陣的制造期間用于去激活有機光電二極管的不同方法，
[0053]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的矩陣器件的設(shè)計方法期間所實現(xiàn)的圖形的示例，其中，矩陣由幾個獨立的區(qū)域形成，
[0054]圖1lA-圖1lC示出用于實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明設(shè)計方法的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
[0055]不同附圖中，相同、類似或等效的部件具有相同的附圖標記，以有助于從一個附圖切換到另一個附圖。
[0056]為了使附圖更加清楚，在附圖中無需按統(tǒng)一的比例尺表示的不同部件?！揪唧w實施方式】
[0057]現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明用于制造由多個光電檢測元件形成的矩陣器件的示例性方法。
[0058]在給定示例中，矩陣的元件為光電二極管，具體而言有機半導(dǎo)體光電二極管。
[0059]制造矩陣包括設(shè)計階段，在設(shè)計階段期間實現(xiàn)矩陣器件的通常稱為“布局”的第一拓撲。
[0060]該第一拓撲具體地包括矩陣組件的路由計劃。
[0061]從該第一拓撲，產(chǎn)生至少一個第一圖形。該圖形包括與光電檢測元件對應(yīng)的節(jié)點或角點以及表示矩陣的預(yù)測路由計劃的脊線或鏈路。
[0062]根據(jù)圖形的可能實現(xiàn)，可以例如根據(jù)用于形成光電二極管和該光電二極管相應(yīng)的連接的材料的電阻值來加重圖形的脊線或鏈路。
[0063]在圖2A的示例性圖形Gl中，角點S對應(yīng)于光電二極管，然而鏈路LI和L2分別對應(yīng)于光電二極管的陽極的連接和光電二極管的陰極的連接。
[0064]使用該第一拓撲，識別矩陣的導(dǎo)通閉合電路，其中當以閱讀模式訪問矩陣時該導(dǎo)通閉合電路可能傳導(dǎo)電流特別是寄生電流。
[0065]可以使用圖形Gl的循環(huán)(Cp C2、C3、C4、C5、C6、...、C9即兩個末端角點相同的一系列連續(xù)鏈路的識別來完成該識別(圖2B)。
[0066]在一個所識別所述導(dǎo)通電路的中，或者在多個所識別所述導(dǎo)通電路中，或者甚至在每個所識別導(dǎo)通電路中，然后執(zhí)行至少一個光電檢測元件的選擇。
[0067]在與第一圖形Gl的連接中，該步驟為在所識別循環(huán)C1.....C9中的一個循環(huán)中或
者在所識別循環(huán)C1.....C9中的幾個循環(huán)中或者甚至在所識別循環(huán)C1.....C9中的每個循
環(huán)中選擇至少一個給定角點。
[0068]在圖2C的示例中，在圖形的所識別循環(huán)Cp C2, C3> C4, C5, C6, C7, C8, C9中的每個循
環(huán)中，選擇角點 sn、S23、S34、S43、S54, S66, S72, S860
[0069]還可以在圖形Gl的一個或多個循環(huán)中選擇一個或多個具有最大長度的角點。術(shù)語“長度”這里對應(yīng)于該循環(huán)的角點的總數(shù)。
[0070]通過執(zhí)行一個或多個角點的該選擇，確定具體而言具有寄生導(dǎo)通的最大導(dǎo)通閉合電路所屬的矩陣器件的一個或幾個給定光電檢測元件。
[0071]在與光電二極管的矩陣的拓撲的連接中，具有最大長度的循環(huán)對應(yīng)于具有最大光電二極管數(shù)量的導(dǎo)通電路。
[0072]在圖3的示例中，選擇在被識別為圖形Gl的具有最大長度的循環(huán)的循環(huán)C9中的
角點S915。
[0073]根據(jù)該設(shè)計階段的可能的實現(xiàn)，選擇該圖形的比預(yù)先確定的長度具有更大長度的循環(huán)中的一個或多個角點。
[0074]通過一個或多個角點的選擇，確定矩陣器件的一個或多個給定光電檢測或光電發(fā)射元件，其中該元件屬于經(jīng)過多個預(yù)先確定數(shù)量的光電檢測元件的導(dǎo)通閉合電路。
[0075]在圖4的示例中，在長度等于或者大于預(yù)先確定長度5的所識別循環(huán)C2、C4、C6、C8、(:9中選擇角點323、542、566、586、5915。[0076]該角點選擇階段在將要確定的光電檢測器矩陣中使能該矩陣的這樣一種光電檢測元件，其中，該光電檢測元件意圖被去激活或者被去激活或者被至于高阻抗。
[0077]在選擇階段結(jié)束時，每個所選擇的角點對應(yīng)于將被去激活的光電檢測元件。
[0078]在光電檢測元件的情況中，通過“去激活”意味著這些檢測元件的功能被去激活或者被去除或者被阻止，并且/或者檢測元件不可以參與由該矩陣獲得圖像。
[0079]根據(jù)一個有利的實施例，選擇圖形Gl的由多個循環(huán)共用特別是圖形的2個循環(huán)共用的角點。
[0080]因此嘗試盡可能多地減少矩陣的寄生導(dǎo)通電路的數(shù)量，同時盡力最小化被去激活的光電檢測元件的數(shù)量。
[0081]在圖5的示例中，所選擇的角點S25、S44、S62、S86分別由所識別循環(huán)對C2和C3，C4和C5, C6 和 C7，C8 和 C9 共用。
[0082]角點的選擇并且因此將被去激活的像素的選擇可以取決于該像素將如何被去激活。
[0083]由兩個循環(huán)共用的角點的選擇方式可以與上述那些選擇方式之一結(jié)合，包括選擇在具有最大長度的循環(huán)中或者長度在比預(yù)先確定的長度更大的循環(huán)中的角點。
[0084]在圖6的示例中，因為角點Sn、S25, S44, S62分別由所識別循環(huán)對C1和C8，C2和C3,C4和C5，C6和C7共用，所以首先選擇這些角點，然后繼而選擇在具有最大長度的所識別循環(huán)C9中的角點S915。所選擇的這5個角點與在光電檢測器的矩陣中意圖被去激活的5個光電檢測元件對應(yīng)。
[0085]還可以完成圖形的給定角點的選擇，因而當選擇由兩個循環(huán)共用的角點時并且當去除附接到該角點的鏈路時，在不創(chuàng)建新循環(huán)的情況下去除該角點所屬于的循環(huán)中的至少一個循環(huán)。
[0086]根據(jù)可能的實現(xiàn)，僅可以在矩陣的某些區(qū)域上完成選擇，從該選擇步驟中排除其它給定區(qū)域。因此，阻止屬于這些給定區(qū)域的光電檢測元件被去激活。
[0087]該選擇可以使得所選擇的角點具有均勻分布或者對稱分布，其中，該均勻分布或者對稱分布在下文中可能能夠助于來自矩陣的圖像的處理。
[0088]還可以實現(xiàn)該角點選擇步驟，以最小化或者清零相鄰或鄰近或靠近(即相距小于預(yù)先確定距離的特定距離)所選擇角點的數(shù)量。。
[0089]因此可以根據(jù)角點的鄰居或者與角點相鄰的角點的可能的選擇來調(diào)節(jié)角點的選擇。因此可以最小化在矩陣中被去激活的相鄰或鄰近或靠近的光電檢測元件的數(shù)量。
[0090]根據(jù)可能的實現(xiàn)，可以從第一圖形Gl獲得新圖形G2，其中第一圖形Gl中的角點被選擇。
[0091]可以通過去除連接到從第一圖形Gl選擇的每個角點的至少一個鏈路從第一圖形Gl獲得該新圖形G2。
[0092]在圖7A-圖7B中，示出這種去除的示例。
[0093]如前所述的識別和選擇處理允許選擇給定角點Si,其中，該角點Si對應(yīng)于在圖形Gk中期望被去激活的光電檢測元件，其中，圖形Gk對應(yīng)于光電檢測器矩陣(圖7A)。
[0094]然后，去除連接到所選擇的角點Si的鏈路Li以形成新圖形Gk+1 (圖7B)。在該示例中，鏈路Li可以表示與所選擇的角點Si對應(yīng)的光電檢測元件的陽極連接或陰極連接。所去除的鏈路Li優(yōu)選地被選擇為不使得與圖形上的給定角點Si鄰近的角點S '對應(yīng)的光電檢測元件被去激活。
[0095]可以在該新圖形Gk+1中重復(fù)循環(huán)識別和角點選擇的步驟。
[0096]例如只要在當前的圖形中出現(xiàn)循環(huán)就可以用于實現(xiàn)如所述的識別和選擇步驟的迭代法。
[0097]然而，根據(jù)最后獲得的圖形和該圖形的所選擇角點，修改所述第一拓撲并且產(chǎn)生新的拓撲。
[0098]在該新拓撲中，幾個光電檢測元件被去激活或被標識為意圖被去激活。
[0099]可以通過根據(jù)所述第一拓撲T1來修改矩陣的路由，做出新的拓撲T2或“布局”。
[0100]因此，可以將在新的拓撲T2內(nèi)的光電檢測元件去激活，并且然后按照該新的拓撲T2制造矩陣。
[0101]根據(jù)另一種可能性，可以在拓撲中指定或識別將被去激活的光電檢測元件，并且然后通過將所述設(shè)計的光電元件去激活來制造矩陣。
[0102]可以例如由這樣一種光電檢測元件形成所制造的矩陣，其中，該光電檢測元件的形式為基于有機半導(dǎo)體材料并且由圖8中給定類型的堆垛制造的光電二極管。
[0103]由基于導(dǎo)通并且透明的材料172如ITO (“銦錫氧化物”)的層和基于材料176如通常稱為PEDOT =PSS的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸的層174制造光電二極管的陽極170，從而能夠提高與有機半導(dǎo)體材料180的歐姆接觸。
[0104]導(dǎo)通并且透明的材料172的層的圖案(例如，以平行條的圖案)與材料176的層中形成的那些圖案疊加并且可以相同。在每個陽極170的末端形成例如基于鈦金的金屬觸點的區(qū)域175。
[0105]可以形成有機半導(dǎo)體材料180例如供體聚合物的異質(zhì)結(jié)混合物例如P3HT (聚(3-己基噻吩))和受主聚合物例如PCBM (苯基C66- 丁酸甲酯)以覆蓋所有陽極170。
[0106]在有機半導(dǎo)體材料I80的層上提供例如以平行條形式的陰極190。這些陰極190可以例如基于鋁。
[0107]例如，可以通過破壞光電二極管或者掩膜光電二極管以從矩陣的剩余部分去除光電二極管的陽極和/或的陰極的任何連接，將該光電二極管形式的光電檢測元件去激活。
[0108]根據(jù)第一實施例，在圖9A的示例中，在前述的堆垛中形成的被去激活的光電檢測元件Edi包括陽極170并且沒有陰極190。
[0109]根據(jù)第二實施例，在圖9B的示例中，在前述的堆垛中形成的被去激活的光電檢測元件Edi包括陰極190并且沒有陽極。
[0110]這兩個實施例的替換包括例如通過化學蝕刻形成陽極和/或陰極的電觸點，以向電觸點提供高強度例如對于處于暗電流量級例如小于InA的寄生電流具有足夠高的值。
[0111]根據(jù)第三實施例，另一種可能性(圖9C)在于提供不具有檢測半導(dǎo)體區(qū)域并且可能由絕緣區(qū)域替代檢測半導(dǎo)電的區(qū)域或者具有惡化的或破壞的檢測半導(dǎo)電的區(qū)域的被去激活的光電檢測元件Edit5
[0112]可以通過物理處理例如使用激光束或使用紫外線輻射(圖9E)或者通過化學處理例如使用局部化學蝕刻來完成惡化或破壞，其中，在該部化學蝕刻期間，由掩膜來保護該器件的剩余部分。[0113]根據(jù)第一實施例，另一種用于使得光電檢測元件EDi被去激活的方法在于提供朝向半導(dǎo)電的區(qū)域180以用于檢測半導(dǎo)體區(qū)域180的的掩膜205，掩膜202意圖阻擋可能被該半導(dǎo)電的區(qū)域180轉(zhuǎn)變成電子的輻射(圖9D)。
[0114]可以例如將該掩膜做成金屬帶或塑料沉積物的形式。例如在由如結(jié)合圖2所述的堆形成的器件的情況中，可以由放置在半導(dǎo)體材料180的層上的金屬區(qū)域構(gòu)成該掩膜，其中，該金屬區(qū)域位于提供將被去激活的光電檢測二極管的地方。
[0115]前述方法涉及光電檢測器的實現(xiàn)以及因此將入射光子轉(zhuǎn)換為電子的光接收元件的實現(xiàn)。
[0116]該方法也適用于由發(fā)光元件或光電發(fā)射元件形成的矩陣器件的實現(xiàn)。
[0117]具體而言可以使用上述方法實現(xiàn)基于有機半導(dǎo)電的材料的光發(fā)射二極管矩陣。
[0118]在光電發(fā)射元件的情況中，通過“去激活”，意味著光電發(fā)射元件的發(fā)射功能被去激活或者被阻止，并且/或者光電發(fā)射元件不可以參與經(jīng)由矩陣獲得的圖像。
[0119]在圖10中，給出可替換的實施例。由包括4個并置但電氣獨立的區(qū)域的光電二極管矩陣拓撲形成包括4個子圖形G11、G12、G21、G22的圖形。
[0120]在第一子圖形Gll中，分別屬于循環(huán)C1和屬于循環(huán)對C2-C3的角點SI和S2被標識為與將被去激活的矩陣的元件對應(yīng)。
[0121]在第二子圖形G12中，分別屬于循環(huán)C6和屬于循環(huán)對C4-C5的角點S4和S3被標識為與將被去激活的矩陣的元件對應(yīng)。
[0122]在第三子圖形G13中，存在意圖被去激活的角點S6和S5，然而在第四子圖形G14中，存在被選擇并且指定為意圖被去激活的角點S7和S8。
[0123]圖1lA是用于設(shè)計根據(jù)本發(fā)明的光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣的方法的流程圖，本發(fā)明的某些前述操作可以是該方法的一部分。
[0124]根據(jù)第一步驟，從光電檢測元件的矩陣器件的拓撲來產(chǎn)生至少一個圖形(步驟E10)。
[0125]可以使用包括建模裝置的數(shù)據(jù)處理設(shè)備實現(xiàn)第一圖形。
[0126]此后，在該第一圖形Gl中，執(zhí)行循環(huán)的識別(步驟E20)。
[0127]然后根據(jù)預(yù)先確定的標準例如通過選擇由兩個循環(huán)共用的角點，執(zhí)行屬于所識別循環(huán)的一個或多個角點的選擇(步驟E30 )。
[0128]然后可以從根據(jù)所選擇的角點修改的第一圖形G1，例如通過去除連接到這些所選擇的角點的一個或多個鏈路，實現(xiàn)新圖形(步驟E40)。
[0129]可以執(zhí)行前述步驟的一次或多次迭代。
[0130]可以由數(shù)據(jù)處理設(shè)備400或數(shù)據(jù)處理裝置400來完成這些步驟E20、E30和E40。這種設(shè)備可以具有使用例如在Grin4.8和/或Matlab9.2類型軟件上完成的算法實現(xiàn)圖形
處理裝置。
[0131]然后可以產(chǎn)生矩陣器件的新的拓撲(步驟E50)，其中，在新的拓撲中的光電檢測元件被去激活或者意圖被去激活。
[0132]圖1lB表示具有被適當?shù)嘏渲脼樘幚黼娮与娐返耐負浠虿季值挠嬎銠C420的數(shù)據(jù)處理設(shè)備400。
[0133]計算機420包括具有用于產(chǎn)生電路拓撲、用于將電路拓撲建模為圖形、用于處理圖形或者用于在圖形上執(zhí)行計算所需要的所有電子、軟件或類似的組件的計算部分。
[0134]因此，系統(tǒng)例如包括可編程處理器426和至少一個存儲器428。該系統(tǒng)還可以包括耦合到系統(tǒng)總線430的輸入外部設(shè)備(例如硬盤432)。處理器可以例如為微處理器或中央單元處理器。存儲器428可以例如為硬盤、ROM、光盤、DRAM或任何其它存儲器RAM、磁存儲元件或光存儲元件、寄存器或其它易失性存儲器和/或非易失性存儲器。圖形處理算法可以存儲到存儲器中，并且允許在通過建模電路拓撲所獲得的圖形上執(zhí)行如上述的處理。
[0135]能夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計方法的程序位于或者記錄在介質(zhì)例如CD ROM或DVDROM或可移動硬盤或者可以由數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)讀取的任何存儲介質(zhì)上。
[0136]計算機420還可以連接到其它外圍設(shè)備例如顯示設(shè)備如屏幕422。
[0137]因此可以在屏幕422上顯示表示如前所述的圖形處理結(jié)果的圖像或者矩陣器件的新的拓撲，其中，該新的拓撲中的光電檢測或光電發(fā)射元件被去激活或被指定為意圖被去激活。
[0138]數(shù)據(jù)處理設(shè)備可以連接到例如互聯(lián)網(wǎng)型的網(wǎng)絡(luò)以允許將矩陣器件的圖形和/或拓撲的數(shù)據(jù)發(fā)送到另一個遠程設(shè)備。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造包括光電檢測或光電發(fā)射元件的矩陣的矩陣器件的方法，所述方法包括: a)用于使用數(shù)據(jù)處理裝置從所述矩陣器件的至少一個給定拓撲識別一個或多個電氣導(dǎo)通閉合電路的設(shè)計步驟， b)用于使用數(shù)據(jù)處理裝置選擇至少一個所識別所述導(dǎo)通閉合電路所屬的矩陣器件的一個或多個給定光電檢測或光電發(fā)射元件的設(shè)計步驟， 所述矩陣的、在步驟b)中所選擇的所述元件中的至少一個元件被去激活或者被識別為意圖被去激活。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造矩陣器件的方法，還包括用于產(chǎn)生所述矩陣器件的新的拓撲的步驟，其中，在步驟(b)中所選擇的所述至少一個元件被去激活或者被識別為意圖被去激活。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，所述步驟a)包括: 從所述給定拓撲，實現(xiàn)由與矩陣的所述元件對應(yīng)的角點和與矩陣中的所述角點的連接對應(yīng)的鏈路形成的至少一個圖形， 在所述圖形中識別一個或多個給定循環(huán)， 通過選擇所述圖形的至少一個所述循環(huán)所屬的至少一個給定角點來執(zhí)行步驟b)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，所選擇的所述給定角點為所述圖形的兩個循環(huán)共用的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，所選擇的所述給定角點屬于長度比預(yù)先確定的長度更長的循環(huán)或者屬于所述圖形的最大循環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一個所述的用于制造矩陣器件的方法，還包括用于制造所述矩陣器件的步驟，其中，在步驟b)中所選擇的所述至少一個元件為被去激活的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一個所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，通過將所選擇的所述一個或多個元件的電極中的至少一個電極從所述矩陣的剩余部分斷開，將所選擇的所述一個或多個元件去激活。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一個所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，所述矩陣的所述元件包括半導(dǎo)電的光電檢測或光電發(fā)射區(qū)域，通過提供朝向所述半導(dǎo)電的區(qū)域的掩膜區(qū)域?qū)⑺x擇的所述元件去激活。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一個所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，被去激活或者意圖被去激活的所述元件不具有光電檢測或者光電發(fā)射半導(dǎo)電的區(qū)域或具有用于代替所述光電檢測或光電發(fā)射區(qū)域的絕緣區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任意一個所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，所選擇的所述元件具有被去激活的光電檢測或光電發(fā)射半導(dǎo)電的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任意一個所述的用于制造矩陣器件的方法，其中，所述矩陣的所述元件為有機半導(dǎo)體二極管。
12.—種計算機程序，包括可記錄到所述計算機上以執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一個所述的方法的步驟的程序代碼指令。
13.—種包括記錄在可用于計算機中的介質(zhì)上的程序代碼指令的計算機程序產(chǎn)品，包括用于實現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一個所述方法的可讀編程裝置。
14.一種可由計算機使用的數(shù)字數(shù)據(jù)介質(zhì)，包括根據(jù)權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的計算機程序的代碼指 令。
【文檔編號】H04N5/374GK103621057SQ201280018650
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2012年4月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月15日
【發(fā)明者】克里斯托夫·普雷蒙, 羅曼·格沃齊希 申請人:原子能與替代能源委員會, 愛色樂居