專利名稱：雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法。屬于半導(dǎo)體封裝 技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方式是采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電 鍍層后，即完成引線框的制作(如圖4所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進(jìn)行蝕 刻。該法存在以下不足因?yàn)樗芊馇爸辉诮饘倩逭孢M(jìn)行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包 裹住引腳半只腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時(shí)，再進(jìn)行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖5所示)。尤其塑封料的種 類是采用有填料時(shí)候，因?yàn)椴牧显谏a(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼裝的應(yīng)力變化關(guān)系，會(huì)造 成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，如圖6 7所示，金屬 線成本較高(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；同樣由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，使得芯片的信 號(hào)輸出速度較慢(尤其是存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)；也同樣由于 金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的干擾 也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較高， 廢棄物較多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬 線的長(zhǎng)度縮短的雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方 法，所述方法包括以下工藝步驟步驟一、取金屬基板取一片厚度合適的金屬基板，步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以 保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開 窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯 影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域，步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層電鍍被覆，該第一金屬層置于所述引腳的正面，步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以 保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行曝光顯 影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面蝕刻作業(yè)，步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進(jìn)行各圖形的蝕 刻作業(yè)，蝕刻出引腳的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方，步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板背面余下的光阻膠膜和金屬基板的光阻膠膜全部揭除，步驟十、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料作業(yè)，并 進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使引腳外圍的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域均嵌置無填 料的塑封料(環(huán)氧樹脂)，該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)將引腳下部外圍以及引腳下部與 引腳下部連接成一體，步驟十一、被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別 被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的 曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封無填料塑封 料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進(jìn)行金屬基板正面 蝕刻作業(yè)，步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料塑封料作業(yè)的 金屬基板正面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳的正面，且使所述引腳的背面尺寸小于 引腳的正面尺寸，形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)，步驟十四、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的 光阻膠膜全部揭除，制成引線框，步驟十五、裝片在所述后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方的引腳正面通過不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植 入，步驟十六、打金屬線將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬層之間打金屬線作業(yè)，步驟十七、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)將已打線完成的半成品正面進(jìn)行包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，并進(jìn)行塑 封料包封后的固化作業(yè)，使引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料(環(huán)氧樹 脂)包封， 步驟十八、弓I腳的背面進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)已完成步驟十七包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的所述引腳的背面進(jìn)行第 二金屬層電鍍被覆作業(yè)，步驟十九、切割成品將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以列陣式 集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片直接置放模組封裝結(jié)構(gòu)成
P
ΡΠ O本發(fā)明的有益效果是1、確保不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題由于引線框采用了雙面蝕刻的工藝技術(shù)，所以可以輕松的規(guī)劃設(shè)計(jì)與制造出上大 下小的引腳結(jié)構(gòu)，可以使上下層塑封料緊密的將上大下小的引腳結(jié)構(gòu)一起包裹住，所以塑 封體與引腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題。2、確保金屬線的長(zhǎng)度縮短1)由于應(yīng)用了引線框背面與正面分開蝕刻的技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳 盡可能的延伸到封裝體的中心，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如此金屬線的長(zhǎng)度也縮 短了，金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；2)也因?yàn)榻饘倬€的長(zhǎng)度縮短使得芯片的信號(hào)輸出速度也大幅的增速(尤其存儲(chǔ) 類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)，由于金屬線的長(zhǎng)度變短了，所以金屬線所 存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的干擾也大幅度的降低。3、使封裝的體積與面積可以大幅度的縮小因運(yùn)用了引腳的延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間 的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。4、材料成本和材料用量減少因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與因 為材料用量的減少也大幅度的減少?gòu)U棄物環(huán)保的困擾。


圖1㈧ 圖1 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法各工序 示意圖。圖2為本發(fā)明雙面圖形芯片直接置放模組封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2的俯視圖。圖4為以往采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖5為以往形成的掉腳圖。圖6為以往的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為6的俯視圖。圖中附圖標(biāo)記基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、第一金屬層4、第二金屬層5、不導(dǎo) 電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9、金屬基板10、光阻膠膜11、光 阻膠膜12、光阻膠膜13、光阻膠膜14、光阻膠膜15、光阻膠膜16 ；
具體實(shí)施例方式本發(fā)明雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法如下參見圖2和圖3，圖2為本發(fā)明雙面圖形芯片直接置放模組封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3 為圖2的俯視圖。由圖2和圖3可以看出，本發(fā)明雙面圖形芯片直接置放模組封裝結(jié)構(gòu)，包 括引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8和有填料塑 封料(環(huán)氧樹脂)9，所述引腳2正面盡可以的延伸到后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方，在所述引 腳2的正面設(shè)置有第一金屬層4，在所述引腳2的背面設(shè)置有第二金屬層5，在所述后續(xù)貼 裝芯片的區(qū)域下方的引腳2正面通過不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置有芯片7，芯片7正面與引腳2 正面第一金屬層4之間用金屬線8連接，在所述引腳2的上部以及芯片7和金屬線8外包 封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，在所述引腳2外圍的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域 嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將引腳下部外圍 以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述引腳背面尺寸小于引腳正面尺寸，形成 上大下小的引腳結(jié)構(gòu)。其封裝方法如下步驟一、取金屬基板參見圖1(A)，取一片厚度合適的金屬基板10。金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功 能與特性進(jìn)行變換，例如銅、鋁、鐵、銅合金或鎳鐵合金等。步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (B)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的 光阻膠膜11和12，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠 膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開 窗參見圖1 (C)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面 進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域。步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1(D)，對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層4電鍍被 覆，該第一金屬層4置于所述引腳2的正面。步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (E)，將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部 揭除。步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (F)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜13和14，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可 以是濕式光阻膠膜。步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (G)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面 進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面 蝕刻作業(yè)。步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)參見圖1 (H)，完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進(jìn) 行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳2的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到后續(xù)貼裝芯 片的區(qū)域下方。步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (I)，將金屬基板背面余下的光阻膠膜和金屬基板的光阻膠膜全部揭除。步驟十、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (J)，將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑 封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使引腳2外圍的區(qū)域以及引腳 2與引腳2之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，該無填料的塑封料(環(huán)氧樹 脂)3將引腳下部外圍以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體。步驟十一、被覆光阻膠膜參見圖1 (K)，利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面 及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜15和16，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光 阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的 曝光/顯影以及開窗參見圖1 (L)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封 無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進(jìn)行金 屬基板正面蝕刻作業(yè)。步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)參見圖1 (M)，完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料 塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳2的正面，且使所述引腳2 的背面尺寸小于引腳2的正面尺寸，形成上大下小的引腳2結(jié)構(gòu)。步驟十四、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (N)，將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬 基板背面的光阻膠膜全部揭除，制成引線框。步驟十五、裝片參見圖1 (0)，在所述后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方的引腳2正面通過不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì) 6進(jìn)行芯片7的植入。步驟十六、打金屬線參見圖I(P)，將已完成芯 植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬 層之間打金屬線8作業(yè)。
步驟十七、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (Q)，將已打線完成的半成品正面進(jìn)行包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9作 業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封 料(環(huán)氧樹脂)包封。 步驟十八、弓I腳的背面進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1 (R)，對(duì)已完成步驟十七包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的所述引腳 的背面進(jìn)行第二金屬層5電鍍被覆作業(yè)，而電鍍的材料可以是錫、鎳金、鎳鈀金....等金屬 材質(zhì)。步驟十九、切割成品參見圖2和圖3，將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)， 使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片直接置放 模組封裝結(jié)構(gòu)成品。所述引腳2可以設(shè)置有單圈，如圖1 3所示，也可以設(shè)置有多圈。
權(quán)利要求
一種雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟步驟一、取金屬基板取一片厚度合適的金屬基板，步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域，步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層電鍍被覆，該第一金屬層置于所述引腳的正面，步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面蝕刻作業(yè)，步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方，步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板背面余下的光阻膠膜和金屬基板的光阻膠膜全部揭除，步驟十、包封無填料的塑封料將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使引腳外圍的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料，該無填料的塑封料將引腳下部外圍以及引腳下部與引腳下部連接成一體，步驟十一、被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進(jìn)行金屬基板正面蝕刻作業(yè)，步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳的正面，且使所述引腳的背面尺寸小于引腳的正面尺寸，形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)，步驟十四、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，制成引線框，步驟十五、裝片在所述后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方的引腳正面通過不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入，步驟十六、打金屬線將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬層之間打金屬線作業(yè)，步驟十七、包封有填料塑封料將已打線完成的半成品正面進(jìn)行包封有填料塑封料作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料包封，步驟十八、引腳的背面進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)已完成步驟十七包封有填料塑封料作業(yè)的所述引腳的背面進(jìn)行第二金屬層電鍍被覆作業(yè)，步驟十九、切割成品將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片直接置放模組封裝結(jié)構(gòu)成品。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法，所述方法包括以下工藝步驟取金屬基板；金屬基板正面進(jìn)行金屬層電鍍被覆；金屬基板的背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到后續(xù)貼裝芯片的區(qū)域下方；金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料作業(yè)；金屬基板正面蝕刻作業(yè)；蝕刻出引腳的正面，且使所述引腳的背面尺寸小于引腳的正面尺寸，形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)；裝片；打金屬線；半成品正面進(jìn)行包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)；引腳的背面進(jìn)行金屬層電鍍被覆；切割成品。采用本發(fā)明方法不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬線的長(zhǎng)度縮短。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101958257SQ201010273018
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月4日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司