專利名稱：基板液體處理裝置以及基板液體處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于利用處理液對基板實(shí)施液體處理的基板液體處理裝置、基板 液體處理方法以及記錄有基板液體處理程序的計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
以往，在制造半導(dǎo)體部件、平板顯示器等的情況下，使用基板液體處理裝置來利用 清洗劑、蝕刻劑等處理液對半導(dǎo)體晶圓、液晶基板等基板進(jìn)行清洗處理、蝕刻處理。在該基板液體處理裝置中，由于處理液的帶電、可動部的摩擦等各種原因，有時(shí)在 利用基板液體處理裝置進(jìn)行處理的基板、構(gòu)成基板液體處理裝置的部件等中由于靜電而帶 有電荷。并且，當(dāng)基板、結(jié)構(gòu)部件帶有電荷時(shí)，在電荷放電時(shí)有可能在基板的電路形成面 (形成有晶體管、二極管等電子元件、連接它們的布線等的面)產(chǎn)生靜電擊穿。因此，在以往的基板液體處理裝置中，公開了一種具有以下結(jié)構(gòu)的裝置利用導(dǎo)電 性材料來形成與基板的周緣部抵接來保持基板的靜電卡盤，在對基板進(jìn)行液體處理時(shí)利用 靜電卡盤保持基板，從靜電卡盤釋放出基板帶有的電荷(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2004-356593號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，本發(fā)明者們通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在上述以往的基板液體處理裝置中構(gòu)成為從保 持基板的靜電卡盤釋放出基板中帶有的電荷，由此能夠使基板表層帶有的電荷的一部分釋 放到基板外部，但是無法使基板內(nèi)部帶有的電荷也良好地釋放到基板外部，在對基板的電 路形成面進(jìn)行基板藥液處理而存留的電荷放電時(shí)，仍有可能使基板的電路形成面產(chǎn)生靜電擊穿。用于解決問題的方案因此，在本發(fā)明中，在用于對基板實(shí)施液體處理的基板液體處理裝置中，具有基 板保持單元，其保持基板；第一處理液噴出單元，其向由基板保持單元保持的基板的電路形 成面噴出處理液；第二處理液噴出單元，其向由基板保持單元保持的基板的電路形成面的 相反面噴出處理液；以及控制單元，其對上述基板保持單元以及第一和第二處理液噴出單 元進(jìn)行控制，其中，上述控制單元進(jìn)行控制使得進(jìn)行以下工序液體處理工序，從上述第一 處理液噴出單元向基板的電路形成面噴出用于對基板進(jìn)行液體處理的基板處理藥液作為 處理液，利用基板處理藥液對基板的電路形成面進(jìn)行處理；以及除電處理工序，在上述液體 處理工序之前，從上述第二處理液噴出單元向基板的電路形成面的相反面噴出用于使基板 帶有的電荷釋放出來的除電處理液作為處理液，利用除電處理液對基板進(jìn)行除電處理。另外，在上述基板液體處理裝置中，上述控制單元進(jìn)行控制使得在上述除電處理 工序之前進(jìn)行預(yù)備處理工序，在該預(yù)備處理工序中，一邊轉(zhuǎn)動上述基板保持單元一邊從上述第一處理液噴出單元和上述第二處理液噴出單元向基板噴出作為處理液的純水來在基 板的表面形成純水的液膜。另外，在上述基板液體處理裝置中，上述純水的電導(dǎo)率低于上述除電處理液的電導(dǎo)率。另外，在上述基板液體處理裝置中，上述除電處理液是電導(dǎo)率與對基板的電路形 成面進(jìn)行處理的上述基板處理藥液的電導(dǎo)率相比相同或者較高的處理液。另外，在上述基板液體處理裝置中，上述除電處理液是用于對基板的電路形成面 進(jìn)行處理的上述基板處理藥液。另外，在上述基板液體處理裝置中，在上述液體處理工序之后，將用于對基板進(jìn)行 清洗處理的清洗液與氣體進(jìn)行混合作為處理液，并從上述第二處理液噴出單元向基板霧狀 地噴出該處理液。另外，在上述基板液體處理裝置中，利用導(dǎo)電性材料形成上述基板保持單元的與 基板接觸來保持基板的基板保持體并將該基板保持體電性接地。另外，在上述基板液體處理裝置中，利用導(dǎo)電性材料來形成上述第一和/或第二 處理液噴出單元的噴出處理液的處理液噴出管并將該處理液噴出管電性接地。另外，在上述基板液體處理裝置中，具有將基板輸送到上述基板保持單元的基板 輸送單元，在基板輸送單元上設(shè)置與基板接觸來保持基板的保持體，利用導(dǎo)電性材料形成 該保持體并將該保持體電性接地。另外，在本發(fā)明中，在進(jìn)行利用基板處理藥液對基板的電路形成面進(jìn)行液體處理 的液體處理工序的基板液體處理方法中，在上述液體處理工序之前進(jìn)行除電處理工序，在 該除電處理工序中，通過利用除電處理液對基板的電路形成面的相反面進(jìn)行處理來從基板 的電路形成面的相反面釋放出基板帶有的電荷。另外，在上述基板液體處理方法中，在上述除電處理工序之前進(jìn)行預(yù)備處理工序， 在該預(yù)備處理工序中，一邊轉(zhuǎn)動基板一邊向基板的電路形成面和基板的電路形成面的相反 面噴出作為處理液的純水來在基板的表面形成純水的液膜。另外，在上述基板液體處理方法中，上述純水的電導(dǎo)率低于上述除電處理液的電導(dǎo)率。另外，在上述基板液體處理方法中，上述除電處理液是電導(dǎo)率與對基板的電路形 成面進(jìn)行處理的上述基板處理藥液的電導(dǎo)率相比相同或者較高的處理液。另外，在上述基板液體處理方法中，上述除電處理液是用于對基板的電路形成面 進(jìn)行處理的上述基板處理藥液。另外，在上述基板液體處理方法中，在上述液體處理工序之后，將用于對基板進(jìn)行 清洗處理的清洗液與氣體進(jìn)行混合作為處理液，并從上述第二處理液噴出單元向基板的電 路形成面的相反面霧狀地噴出該處理液。另外，本發(fā)明是一種記錄有使基板液體處理裝置對基板進(jìn)行液體處理的基板液體 處理程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，上述基板液體處理裝置具有基板保持單元，其保持 基板；第一處理液噴出單元，其向由基板保持單元保持的基板的電路形成面噴出處理液； 第二處理液噴出單元，其向由基板保持單元保持的基板的電路形成面的相反面噴出處理 液；以及控制單元，其對上述基板保持單元以及第一和第二處理液噴出單元進(jìn)行控制，該記錄介質(zhì)具有以下工序液體處理工序，通過上述控制單元從上述第一處理液噴出單元向基 板的電路形成面噴出用于對基板進(jìn)行液體處理的基板處理藥液作為處理液，利用基板處理 藥液對基板的電路形成面進(jìn)行處理；以及除電處理工序，在上述液體處理工序之前，通過上 述控制單元從上述第二處理液噴出單元向基板的電路形成面的相反面噴出用于使基板帶 有的電荷釋放出來的除電處理液作為處理液，利用除電處理液對基板進(jìn)行處理。另外，在上述記錄介質(zhì)中，在上述除電處理工序之前進(jìn)行預(yù)備處理工序，在該預(yù)備 處理工序中，一邊轉(zhuǎn)動基板一邊從上述第一處理液噴出單元和上述第二處理液噴出單元向 基板噴出作為處理液的純水來在基板的表面形成純水的液膜。發(fā)明的效果并且，在本發(fā)明中，在進(jìn)行藥液處理工序之前進(jìn)行除電處理工序，因此能夠防止從 基板放電而導(dǎo)致電路形成面靜電擊穿，其中，在上述藥液處理工序中，利用基板處理藥液對 基板的電路形成面進(jìn)行液體處理，在上述除電處理工序中，通過利用除電處理液對基板的 電路形成面的相反面進(jìn)行處理，能夠使基板帶有的電荷從電路形成面的相反側(cè)釋放出來。


圖1是表示基板液體處理裝置的俯視圖。圖2是表示基板處理部的示意圖。圖3是基板液體處理裝置的動作說明圖(基板接收工序)。圖4是基板液體處理裝置的動作說明圖(基板接收工序)。圖5是基板液體處理裝置的動作說明圖(預(yù)備處理工序)。圖6是基板液體處理裝置的動作說明圖(除電處理工序)。圖7是基板液體處理裝置的動作說明圖(液體處理工序)。圖8是基板液體處理裝置的動作說明圖(清洗液處理工序)。圖9是基板液體處理裝置的動作說明圖(噴霧處理工序)。圖10是表示基板液體處理方法的工序圖。附圖標(biāo)記說明1 基板液體處理裝置；2 基板；3 載體；4 基板搬入搬出臺；5 基板輸送室；6 基板處理室；7 前壁；8 基板輸送裝置；9 基板傳送臺；10 基板輸送裝置；11 22 第 一 第十二基板處理部；23 基板保持單元；24 第一處理液噴出單元；25 第二處理液噴 出單元；26 控制單元；27 轉(zhuǎn)動軸；28 保持臺；29 基板保持體；30 底座；31 接地端；32 防濺杯；33 轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元；34 第一處理液噴出管；35、35’ 純水供給源；36、36’ 藥液供給 源；37、37’ 切換器；38 流量控制器；39 移動單元；40 第二處理液噴出管；41 液體流路； 42 氣體流路；43 流量控制器；44 氣體供給源；45 流量控制器；46 保持體；47 升降單 元；48 記錄介質(zhì)。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖來說明本發(fā)明所涉及的基板液體處理裝置、在該基板液體處理裝置 中使用的基板液體處理方法以及用于使基板液體處理裝置對基板進(jìn)行液體處理的基板液 體處理程序的具體結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，在基板液體處理裝置1的前端部形成基板搬入搬出臺4，該基板搬入 搬出臺4通過載體3集中多片(例如25片)基板2 (這里是半導(dǎo)體晶圓)來進(jìn)行搬入和搬 出，并且在基板搬入搬出臺4的后部形成基板輸送室5，該基板輸送室5用于對容納于載體 3上的基板2進(jìn)行逐片輸送，在基板輸送室5的后部形成有單片型的基板處理室6，單片型 的基板處理室6用于對基板2實(shí)施清洗、干燥等各種處理。基板搬入搬出臺4構(gòu)成為能夠在使四個(gè)載體3與基板輸送室5的前壁7緊密結(jié)合 的狀態(tài)下左右隔著間隔地載置四個(gè)載體3?；遢斔褪?的內(nèi)部容納有基板輸送裝置8和基板傳送臺9，構(gòu)成為使用基板輸送 裝置8在載置于基板搬入搬出臺4上的任一個(gè)載體3與基板傳送臺9之間逐片地輸送基板 2?；逄幚硎?的中央部容納基板輸送裝置10，在基板輸送裝置10的左側(cè)前后排列 地容納有第一至第六基板處理部11 16，并且在基板輸送裝置10的右側(cè)前后排列地容納 有第七至第十二基板處理部17 22。并且，基板處理室6中，使用基板輸送裝置10在基板輸送室5的基板傳送臺9與 各基板處理部11 22之間逐片地輸送基板2，并且使用各基板處理部11 22來逐片地處理基板2。各基板處理部11 22具有相同的結(jié)構(gòu)，以基板處理部11的結(jié)構(gòu)為代表進(jìn)行說 明，如圖2所示，基板處理部11構(gòu)成為具有基板保持單元23，其將基板2保持為水平；第 一處理液噴出單元M，其向由基板保持單元23保持的基板2的電路形成面(上表面)噴出 處理液；以及第二處理液噴出單元25，其向由基板保持單元23保持的基板2的電路形成面 的相反面(下表面)噴出處理液，利用控制單元沈?qū)@些基板保持單元23以及第一和第 二處理液噴出單元對、25進(jìn)行控制。此外，控制單元26對包括基板輸送裝置8、10等的基 板液體處理裝置1整體進(jìn)行控制?；灞３謫卧?3中，在空心圓筒形狀的轉(zhuǎn)動軸27的上端部水平地形成圓板形狀 的保持臺觀，并且在保持臺觀的周緣部沿圓周方向隔開間隔地安裝多個(gè)基板保持體四，從 而構(gòu)成可轉(zhuǎn)動的底座30，其中，上述多個(gè)基板保持體四與基板2的周緣部接觸并將基板2 保持為水平。在此，底座30利用含有碳纖維的導(dǎo)電性氟樹脂等導(dǎo)電性材料形成基板保持體 29,并且利用導(dǎo)電性材料形成轉(zhuǎn)動軸27、保持臺觀并通過后述的轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33來將轉(zhuǎn)動 軸27、保持臺28電性接地。另外，基板保持單元23中，利用上方開口的防濺杯32包圍底座30周圍來防止處 理液的飛濺。并且在基板保持單元23中，底座30的轉(zhuǎn)動軸27與轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33連動地連接， 利用轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33來使底座30以及底座30所保持的基板2轉(zhuǎn)動。由控制單元沈?qū)υ?轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33進(jìn)行轉(zhuǎn)動控制。第一處理液噴出單元M中，在底座30(保持臺28)的上方配置第一處理液噴出管 34，經(jīng)由切換器37和流量控制器38來將提供純水的純水供給源35以及對第一處理液噴出 管34提供清洗藥液的藥液供給源36連接到第一處理液噴出管34，能夠從第一處理液噴出 管34向基板2的電路形成面(上表面)以規(guī)定流量選擇性地噴射純水、清洗藥液中的任一 種作為處理液。在此，由控制單元沈?qū)η袚Q器37、流量控制器38進(jìn)行控制。另外，第一處理液噴出單元M中，利用含有碳纖維的導(dǎo)電性氟樹脂等導(dǎo)電性材料形成第一處理液噴出 管34，并且將其連接到接地端31而電性接地。另外，第一處理液噴出單元M中，將移動單元39與第一處理液噴出管34連動地 連接，利用移動單元39能夠使第一處理液噴出管34從基板2的中心部移動到周緣部，并且 能夠使第一處理液噴出管34退出到基板2的周緣部的外側(cè)。由控制單元沈?qū)υ撘苿訂卧?39進(jìn)行控制。第二處理液噴出單元25中，在底座30(保持臺28)的下方配置第二處理液噴出管 40，在第二處理液噴出管40的中央部形成有液體流路41，并且在第二處理液噴出管40的前 端部(上端部)形成有與液體流路41連通的氣體流路42。在液體流路41上經(jīng)由切換器 37’和流量控制器43連接有純水供給源35’ (也可以與純水供給源35相同)與藥液供給 源36’ (也可以與藥液供給源36相同)。在氣體流路42上經(jīng)由流量控制器45連接有提供 氮?dú)獾榷栊詺怏w的氣體供給源44。并且，第二處理液噴出單元25能夠從第二處理液噴出管 40的液體流路41向基板2的電路形成面的相反面(下表面)以規(guī)定流量選擇性地噴射純 水、清洗藥液中的任一種作為處理液，并且能夠從第二處理液噴出管40的液體流路41和氣 體流路42向基板2的電路形成面的相反面(下表面)以規(guī)定流量選擇性地噴射純水、清洗 藥液與氣體混合的霧狀的混合物作為處理液。在此，由控制單元26對流量控制器43、45進(jìn) 行控制。該第二處理液噴出單元25中，在基板保持單元23的底座30中央的空心部隔開間 隔且可升降地容納有第二處理液噴出管40，在第二處理液噴出管40的前端周緣部(上端 周緣部)沿圓周方向隔開間隔地安裝有多個(gè)突起狀的保持體46，并且第二處理液噴出管40 與升降單元47連動地連接，通過升降單元47使第二處理液噴出管40升降。由控制單元沈 對該升降單元47進(jìn)行升降控制。并且，第二處理液噴出單元25中，在從基板輸送裝置10接收基板2時(shí)或者將基板 2傳送到基板輸送裝置10時(shí)，在使第二處理液噴出管40上升至基板保持單元23上方的狀 態(tài)下利用保持體46來保持基板2的下表面，在使第二處理液噴出管40下降的狀態(tài)下利用 基板保持單元23的基板保持體四保持基板2的周緣。此外，在使第二處理液噴出管40下 降的狀態(tài)下，保持體46的前端部(上端部)離開基板2的下表面。因此，第二處理液噴出單元25具有向基板2的電路形成面的相反面(下表面)噴 出處理液的功能，并且還具有在基板輸送裝置10與基板保持單元23之間輸送基板2的作 為基板輸送單元的功能。并且，第二處理液噴出單元25中，利用含有碳纖維的導(dǎo)電性氟樹 脂等導(dǎo)電性材料形成第二處理液噴出管40和保持體46，并且將其連接到接地端31而電性 接地。此外，在上述基板液體處理裝置1中，使用將二氧化碳?xì)怏w、氨氣等溶解到超純水 中而使電導(dǎo)率增大超過超純水的純水作為從純水供給源35供給的純水，使用電導(dǎo)率比從 純水供給源35供給的純水更高的藥劑作為從藥液供給源36供給的清洗藥液。因此，在上 述基板液體處理裝置1中，與超純水相比，從純水供給源35供給的純水更容易使基板2帶 有的電荷釋放出來，并且與從純水供給源35供給的純水相比，從藥液供給源36供給的清洗 藥液更容易使基板2帶有的電荷釋放出來?；逡后w處理裝置1具有以上說明的結(jié)構(gòu)，控制單元26(計(jì)算機(jī))按照記錄在可讀取的記錄介質(zhì)48中的基板液體處理程序，通過各基板處理部11 22對基板2進(jìn)行處理。 此外，記錄介質(zhì)48為能夠記錄基板液體處理程序等各種程序的介質(zhì)即可，可以是ROM、RAM 等半導(dǎo)體存儲型記錄介質(zhì)，也可以是硬盤、CD-ROM等盤型記錄介質(zhì)。在上述基板液體處理裝置1中，通過基板液體處理程序，按照圖10示出的工序圖 如以下說明那樣對基板2進(jìn)行液體處理(在此是清洗處理)。首先，基板液體處理程序如圖3所示，利用控制單元沈?qū)σ苿訂卧?9進(jìn)行控制， 使第一處理液噴出管34退出到基板2的周緣部的外側(cè)，并且利用控制單元沈?qū)ι祮卧?47進(jìn)行控制，使作為基板輸送單元的第二處理液噴出管40上升，從基板輸送裝置10接收基 板2，利用保持體46來支承基板2，之后如圖4所示，利用控制單元沈來控制升降單元47， 使作為基板輸送單元的第二處理液噴出管40下降，將基板2傳送到基板保持單元23的基 板保持體四，利用基板保持體四來保持基板2 (基板接收工序)。
接著，基板液體處理程序如圖5所示，利用控制單元沈來控制轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33，使 由基板保持單元23的底座30以及底座30的基板保持體四保持的基板2轉(zhuǎn)動，并且利用 控制單元沈來控制移動單元39，使第一處理液噴出管34移動到基板2的中央部上方，利用 控制單元沈?qū)η袚Q器37、37’進(jìn)行切換控制使其切換到純水供給源側(cè)，將流量控制器45控 制為關(guān)閉狀態(tài)，并且對流量控制器38、43進(jìn)行流量控制，將從純水供給源35、35’供給的純 水(在此為溶解有二氧化碳的純水)作為處理液從第一和第二處理液噴出單元對、25的第 一和第二處理液噴出管34、40向基板2的電路形成面(上表面)以及其相反面(下表面) 的中央噴出，在基板2的電路形成面(上表面)以及其相反面(下表面)整體上形成純水 液膜(預(yù)備處理工序)。此時(shí)，純水的電導(dǎo)率為不會使基板2的電路形成面靜電擊穿的程 度，因此基板2的電路形成面不會被靜電擊穿。這樣進(jìn)行預(yù)備處理，通過從第一和第二處理液噴出單元M、25向基板2的電路形 成面(上表面)及其相反面(下表面)噴出純水來使基板2的電荷釋放出來。特別是，在基板2的電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)整體上形成有 電導(dǎo)率低于后續(xù)的對電路形成面進(jìn)行處理時(shí)的藥液的電導(dǎo)率的純水液膜，因此能夠從基板 2的電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)整體均勻地釋放出電荷，并且在后續(xù)的開 始噴出藥液時(shí)由于純水液膜而能夠防止藥液直接噴出到基板2，因此能夠良好地釋放出電 荷。另外，利用導(dǎo)電性材料來形成第一處理液噴出單元M的第一處理液噴出管34并 且將其電性接地，因此能夠防止從第一處理液噴出管；34噴出的除電處理液體本身的帶電， 并且能夠通過除電處理液使電荷從基板2釋放到第一處理液噴出管34。接著，基板液體處理程序如圖6所示，利用控制單元沈來控制轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33，使 由基板保持單元23的底座30以及底座30的基板保持體四保持的基板2轉(zhuǎn)動，并且利用 控制單元沈?qū)η袚Q器37進(jìn)行切換控制使其保持切換到純水供給源側(cè)，在此狀態(tài)下對切換 器37’進(jìn)行切換控制使其切換到藥液供給源側(cè)，將流量控制器38、45控制為關(guān)閉狀態(tài)，并且 對流量控制器43進(jìn)行流量控制，將從藥液供給源36’供給的清洗藥液作為除電處理液從第 二處理液噴出單元25的第二處理液噴出管40向基板2的電路形成面的相反面(下表面) 的中央噴出，來對基板2的電路形成面的相反面(下表面)整體供給除電處理液(除電處 理工序)。由此，能夠通過從第二處理液噴出單元25噴出的清洗藥液以及基板保持體29、底座30、轉(zhuǎn)動軸27使殘留在基板2上的帶電的電荷從基板2的電路形成面的相反面(下表 面)釋放出來。這樣，在將藥液提供給基板2的電路形成面之前，從第二處理液噴出單元25向基 板2的電路形成面的相反面(下表面)噴出除電處理液，由此進(jìn)行使基板2的電荷釋放出 來的除電處理。因此，能夠從基板2的電路形成面的相反面(下表面)釋放出較多的電荷， 能夠防止在后續(xù)實(shí)施的對基板2的電路形成面提供藥液時(shí)在基板2的電路形成面產(chǎn)生靜電 擊穿。此時(shí)，從第一處理液噴出單元對對基板2的電路形成面?zhèn)忍峁╇妼?dǎo)率為不會使電路 形成面靜電擊穿程度的純水，會使電荷進(jìn)一步釋放出來。特別是，通過在基板2的電路形成面的相反面(下表面)整體上形成除電處理液 的液膜，能夠從基板2的電路形成面的相反面(下表面)整體均勻地釋放出電荷，能夠良好 地釋放出電荷。另外，從第二處理液噴出單元25噴出清洗藥液，因此能夠在進(jìn)行基板2的除電處 理的同時(shí)對基板2的下表面進(jìn)行清洗。另外，利用導(dǎo)電性材料來形成基板保持單元23的基板保持體四并且將其電性接 地，因此能夠通過除電處理液使電荷從基板2釋放到基板保持體29，能夠順利地釋放出電 荷。并且，利用導(dǎo)電性材料來形成第二處理液噴出單元25的第二處理液噴出管40并 且將其電性接地，因此能夠防止從第二處理液噴出管40噴出的除電處理液本身的帶電，并 且能夠通過除電處理液使電荷從基板2釋放到第二處理液噴出管40。接著，基板液體處理程序如圖7所示，利用控制單元沈來控制轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33， 使由基板保持單元23的底座30以及底座30的基板保持體四保持的基板2維持轉(zhuǎn)動，利 用控制單元沈來控制移動單元39，使第一處理液噴出管34從基板2的中央部至周緣部往 返移動，并且利用控制單元沈在對切換器37’切換控制使其保持切換到藥液供給源側(cè)的狀 態(tài)下對切換器37進(jìn)行切換控制，使其切換到藥液供給源側(cè)，將流量控制器45控制為關(guān)閉狀 態(tài)，并且對流量控制器38、43進(jìn)行流量控制，將從藥液供給源36、36’供給的清洗藥液作為 基板處理液從第一處理液噴出單元M的第一處理液噴出管34向基板2的電路形成面(上 表面)的中央噴出，利用基板處理液對基板2的電路形成面(上表面)進(jìn)行液體處理(液 體處理(清洗)工序)，并且從第二處理液噴出管40向基板2的電路形成面的相反面(下 表面)的中央噴出，利用藥液對基板的下表面也進(jìn)行處理。這樣，在基板液體處理裝置1中，在通過液體處理工序利用基板處理液對基板2的 電路形成面(上表面)進(jìn)行液體處理的液體處理工序之前，通過除電處理工序和預(yù)備處理 工序來使基板2帶有的電荷釋放出來。因此，在基板液體處理裝置1中，在液體處理工序之前進(jìn)行的除電處理工序、預(yù)備 處理工序中能夠?qū)⑹够?帶有的電荷釋放到將藥液提供給電路形成面時(shí)不會使電路形 成面產(chǎn)生靜電擊穿的程度，由此能夠在液體處理工序中防止在電路形成面(上表面)產(chǎn)生 靜電擊穿。之后，基板液體處理程序如圖8所示，利用控制單元沈來控制轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33，使 由基板保持單元23的底座30以及底座30的基板保持體四保持的基板2維持轉(zhuǎn)動，并由 控制單元沈?qū)η袚Q器37、37’進(jìn)行切換控制使其切換到純水供給源側(cè)，將流量控制器45控制為關(guān)閉狀態(tài)，并且對流量控制器38、43進(jìn)行流量控制，將從純水供給源35供給的純水作 為清洗液從第一處理液噴出單元M的第一處理液噴出管34向基板2的電路形成面(上表 面)的中央噴出，利用清洗液對基板2的電路形成面(上表面)進(jìn)行清洗處理(清洗處理 工序前半部分(清洗液處理工序))，并且將從純水供給源35’供給的純水作為清洗液從第 二處理液噴出管40向基板2的電路形成面的相反面(下表面)的中央噴出，利用清洗液對 基板2的下表面也進(jìn)行處理。在該清洗處理工序的后半部分中，基板液體處理程序如圖9所示，利用控制單元 26來控制轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33，使由基板保持單元23的底座30以及底座30的基板保持體四 保持的基板2維持轉(zhuǎn)動，由控制單元沈?qū)η袚Q器37、37’進(jìn)行切換控制使其保持切換到純 水供給源側(cè)，對流量控制器38、43、45進(jìn)行流量控制，將從純水供給源35’供給的純水與從 氣體供給源44供給的氣體進(jìn)行混合而得到霧狀的混合物作為清洗液從第二處理液噴出單 元25的第二處理液噴出管40向基板2的電路形成面的相反面(下表面)的中央噴出，使 基板2的電路形成面的相反面(下表面)與基板保持單元23的底座30之間充滿霧狀的清 洗液(清洗處理工序后半部分(噴霧處理工序))，并且從第一處理液噴出管34向基板2的 電路形成面的中央噴出清洗液，利用清洗液對基板2的上表面也進(jìn)行處理。由此，最后通過利用第二處理液噴出單元25使基板2的電路形成面的相反面(下 表面)與基板保持單元23的底座30之間充滿霧狀的清洗液，來進(jìn)行釋放有可能殘留的基 板2的電荷的除電處理，并且能夠利用清洗液來潤濕基板保持單元23的底座30，即使底座 30帶有電荷，也能夠經(jīng)由霧狀的清洗液將該電荷釋放到外部。由此，還能夠防止電荷從底座 30向下一個(gè)要進(jìn)行處理的基板2轉(zhuǎn)移而導(dǎo)致下一個(gè)要處理的基板2帶電。這樣，在基板液體處理裝置1中，在通過液體處理工序利用基板處理液對基板2的 電路形成面(上表面)進(jìn)行液體處理的液體處理工序之后，通過清洗處理工序利用霧狀的 清洗液來進(jìn)行對基板2進(jìn)行清洗處理的清洗處理工序，在該清洗處理工序中利用霧狀的清 洗液進(jìn)行除電處理來釋放基板2、作為基板液體處理裝置1的結(jié)構(gòu)部件的底座30帶有的電 荷。因此，在基板液體處理裝置1中，在對下一個(gè)基板2進(jìn)行液體處理時(shí)在基板液體處 理裝置1的結(jié)構(gòu)部件中沒有電荷，由此能夠防止在下一個(gè)基板2中產(chǎn)生靜電擊穿。之后，基板液體處理程序利用控制單元沈?qū)⒘髁靠刂破?8、43、45控制為關(guān)閉狀 態(tài)，停止從第一和第二處理液噴出管34、40噴出液狀和霧狀的清洗液，并且利用控制單元 26來控制轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元33，使由基板保持單元23的底座30以及底座30的基板保持體四 保持的基板2高速轉(zhuǎn)動，由此甩開附著在基板2上的清洗液而將清洗液從基板2去除來對 基板2進(jìn)行干燥處理(干燥處理工序)。最后，基板液體處理程序與圖3示出的情況同樣地，利用控制單元沈來控制移動 單元39，使第一處理液噴出管34退出到基板2的周緣部的外側(cè)，并且利用控制單元沈來控 制升降單元47，使作為基板輸送單元的第二處理液噴出管40上升，將基板2從基板保持單 元23傳送到基板輸送裝置10 (基板輸送工序)。如上所述，在上述基板液體處理裝置1中，在進(jìn)行液體處理工序即利用基板處理 液對基板2的電路形成面進(jìn)行液體處理之前，進(jìn)行利用除電處理液對基板2的電路形成面 的相反面進(jìn)行處理來使基板2帶有的電荷釋放出來的除電處理工序，因此能夠防止由于基板2的電荷放電而產(chǎn)生靜電擊穿，從而能夠提高基板液體處理裝置1的成品率。
此外，使用電導(dǎo)率比對基板2的電路形成面進(jìn)行處理的基板處理液(清洗藥液) 的電導(dǎo)率高或者相同的處理液作為除電處理液。在使用電導(dǎo)率比基板處理液的電導(dǎo)率高或 者相同的處理液作為除電處理液的情況下，能夠在利用基板處理液進(jìn)行處理之前使電荷從 基板2的電路形成面的相反面良好地釋放出來，從而能夠防止基板處理時(shí)從電路形成面放 電。另外，進(jìn)行預(yù)備處理即利用電導(dǎo)率低于除電處理液的電導(dǎo)率的純水在基板2的表面形 成薄膜，由此能夠從基板2緩慢地釋放出電荷，并且薄膜作為保護(hù)膜而發(fā)揮功能，從而能夠 防止在噴出基板處理液時(shí)基板處理液直接被噴出到基板2而產(chǎn)生放電。
權(quán)利要求
1.一種基板液體處理裝置，用于對基板實(shí)施液體處理，其特征在于，具有基板保持單元，其保持基板；第一處理液噴出單元，其向由基板保持單元保持的基板的電路形成面噴出處理液；第二處理液噴出單元，其向由基板保持單元保持的基板的電路形成面的相反面噴出處 理液；以及控制單元，其對上述基板保持單元以及上述第一處理液噴出單元和上述第二處理液噴 出單元進(jìn)行控制，其中，上述控制單元進(jìn)行控制使得進(jìn)行以下工序液體處理工序，從上述第一處理液噴出單元向基板的電路形成面噴出用于對基板進(jìn)行 液體處理的基板處理藥液作為處理液，利用基板處理藥液對基板的電路形成面進(jìn)行處理； 以及除電處理工序，在上述液體處理工序之前，從上述第二處理液噴出單元向基板的電路 形成面的相反面噴出用于使基板帶有的電荷釋放出來的除電處理液作為處理液，利用除電 處理液對基板進(jìn)行處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理裝置，其特征在于，上述控制單元進(jìn)行控制使得在上述除電處理工序之前進(jìn)行預(yù)備處理工序，在該預(yù)備處 理工序中，一邊轉(zhuǎn)動上述基板保持單元一邊從上述第一處理液噴出單元和上述第二處理液 噴出單元向基板噴出純水作為處理液，來在基板的表面形成純水的液膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板液體處理裝置，其特征在于，上述純水的電導(dǎo)率低于上述除電處理液的電導(dǎo)率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理裝置，其特征在于，上述除電處理液是電導(dǎo)率與對基板的電路形成面進(jìn)行處理的上述基板處理藥液的電 導(dǎo)率相比相同或者較高的處理液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板液體處理裝置，其特征在于，上述除電處理液是用于對基板的電路形成面進(jìn)行處理的上述基板處理藥液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理裝置，其特征在于，在上述液體處理工序之后，將用于對基板進(jìn)行清洗處理的清洗液與氣體進(jìn)行混合作為 處理液，并從上述第二處理液噴出單元向基板霧狀地噴出該處理液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理裝置，其特征在于，利用導(dǎo)電性材料形成上述基板保持單元的與基板接觸來保持基板的基板保持體，并將 該基板保持體電性接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理裝置，其特征在于，利用導(dǎo)電性材料來形成上述第一處理液噴出單元和/或上述第二處理液噴出單元的 噴出處理液的處理液噴出管，并將該處理液噴出管電性接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理裝置，其特征在于，還具有將基板輸送到上述基板保持單元的基板輸送單元，在基板輸送單元上設(shè)置與基 板接觸來保持基板的保持體，利用導(dǎo)電性材料形成該保持體，并將該保持體電性接地。
10.一種基板液體處理方法，進(jìn)行利用基板處理藥液對基板的電路形成面進(jìn)行液體處 理的液體處理工序，該基板液體處理方法的特征在于，2在上述液體處理工序之前進(jìn)行除電處理工序，在該除電處理工序中，通過利用除電處 理液對基板的電路形成面的相反面進(jìn)行處理來從基板的電路形成面的相反面釋放出基板 帶有的電荷。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板液體處理方法，其特征在于，在上述除電處理工序之前進(jìn)行預(yù)備處理工序，在該預(yù)備處理工序中，一邊轉(zhuǎn)動基板一 邊向基板的電路形成面和基板的電路形成面的相反面噴出純水作為處理液，來在基板的表 面形成純水的液膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板液體處理方法，其特征在于， 上述純水的電導(dǎo)率低于上述除電處理液的電導(dǎo)率。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理方法，其特征在于， 上述除電處理液是電導(dǎo)率與對基板的電路形成面進(jìn)行處理的上述基板處理藥液的電導(dǎo)率相比相同或者較高的處理液。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板液體處理方法，其特征在于，上述除電處理液是用于對基板的電路形成面進(jìn)行處理的上述基板處理藥液。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中的任一項(xiàng)所述的基板液體處理方法，其特征在于，在上述液體處理工序之后，將用于對基板進(jìn)行清洗處理的清洗液與氣體進(jìn)行混合作為 處理液，并從第二處理液噴出單元向基板的電路形成面的相反面霧狀地噴出該處理液。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板液體處理裝置以及基板液體處理方法。防止由于基板帶有的電荷放電而產(chǎn)生靜電擊穿。在本發(fā)明中，在用于對基板(2)實(shí)施液體處理的基板液體處理裝置(1)、基板液體處理方法以及記錄有基板液體處理程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)(48)中，在利用基板處理藥液對基板(2)的電路形成面進(jìn)行液體處理的液體處理工序之前，進(jìn)行除電處理工序，在該除電處理工序中，利用除電處理液對基板(2)的電路形成面的相反面進(jìn)行處理，由此使基板(2)帶有的電荷釋放出來。
文檔編號H01L21/02GK102044412SQ20101051367
公開日2011年5月4日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月16日
發(fā)明者上村史洋, 烏野崇, 伊藤規(guī)宏, 關(guān)口賢治, 南輝臣, 小佐井一樹, 川渕洋介, 田中裕司, 藪田貴士, 藤井康 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社