專利名稱：電極基板及液晶顯示面板的制作方法
電極基板及液晶顯示面板
本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?00810081825.5，申請(qǐng)日為2008年4月8日，發(fā)明創(chuàng)造名稱 為“主動(dòng)陣列基板、電極基板及液晶顯示面板”的原申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種電極基板及液晶顯示面板，特別是關(guān)于一種可將液晶層中的 雜質(zhì)和離子限制在特定區(qū)域的電極基板以及液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器因?yàn)榫哂休p薄、短小以及低輻射的特性，目前已被廣泛應(yīng)用。但在 液晶顯示器的液晶顯示面板的制程中，在將液晶灌注、滴入制程執(zhí)行的前、執(zhí)行中或是 執(zhí)行后，液晶層中會(huì)具有一些雜質(zhì)或離子等污染物或干擾物。當(dāng)液晶顯示面板在后續(xù)使 用，在長(zhǎng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)下，液晶的移動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)或傾斜會(huì)改變這些雜質(zhì)或離子在液晶層內(nèi)的分 布狀況。這些雜質(zhì)或離子會(huì)影響液晶層中趨使液晶活動(dòng)的電場(chǎng)大小，故當(dāng)液晶顯示面板 在顯示畫面時(shí)，亮度、灰階或影像質(zhì)量均會(huì)受到不良的影響。
2006年11月16日公開的美國(guó)第20060256M5A1號(hào)專利申請(qǐng)案揭示一種橫向離子 抽移裝置，設(shè)置于液晶顯示面板中，尋址區(qū)域(addressable area)以外的區(qū)域，橫向離子 抽移裝置用以將離子抽移至尋址區(qū)域以外的區(qū)域。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，經(jīng)由橫向離子抽移 裝置的作用，尋址區(qū)域中像素內(nèi)的離子濃度會(huì)逐漸減少。然而，像素中無(wú)可避免的還是 存在有離子，故畫面質(zhì)量無(wú)法有效的提升。再者，橫向離子抽移的操作時(shí)間必須拉長(zhǎng)， 也為橫向離子抽移裝置的一大缺點(diǎn)。
綜上所述，如何使液晶顯示面板中的雜質(zhì)或離子在液晶層內(nèi)被適當(dāng)?shù)目刂?，?不影響液晶顯示面板的畫面質(zhì)量及工作效能，仍是所屬技術(shù)領(lǐng)域急待解決的課題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之的一目的在于提供一種主動(dòng)數(shù)組陣列基板，為解決液晶顯示面板之的 畫面不均的問(wèn)題。為達(dá)此目的該主動(dòng)數(shù)組陣列基板包含一基底、多條掃描線、多條數(shù)據(jù) 線、多個(gè)像素電極、多個(gè)主動(dòng)元件及至少一輔助電極。所述的掃描線設(shè)置于該基底上。 所述的數(shù)據(jù)線與所述的掃描線垂直。各該主動(dòng)元件對(duì)應(yīng)至所述的掃描線其中之一、所述 的數(shù)據(jù)線其中之一及所述的像素電極其中之一。各該主動(dòng)元件分別與相對(duì)應(yīng)之的該掃描 線、該數(shù)據(jù)線及該像素電極電性連接以界定一像素區(qū)以及一非顯示區(qū)。該至少一輔助電 極設(shè)置于該基底上，并位于該非顯示區(qū)內(nèi)。該至少一輔助電極用以接收一輔助電壓，其 中該輔助電壓介于為-30伏特至30伏特之間。
該主動(dòng)陣列基板還可包含一電容電極，設(shè)置于該基底上，該電容電極與該至少 一輔助電極電性連接。該主動(dòng)陣列基板也可包含一電容電極，設(shè)置于該基底上，其中該 電容電極與該輔助電極彼此絕緣且設(shè)置于同一層。該主動(dòng)陣列基板的該至少一輔助電極 與所述的掃描線的其中之一電性連接。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種電極基板，為解決液晶顯示面板的畫面不均的 問(wèn)題。為達(dá)此目的，該電極基板包含一基底、一共通電極以及多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)。該共通電 極設(shè)置于該基底上。所述的遮蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基底上，并分隔該共通電極為多個(gè)區(qū)塊， 其中所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的電壓為-30伏特至30伏特。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種電極基板，為解決液晶顯示面板的畫面不均的 問(wèn)題。為達(dá)此目的，該電極基板包含一基底以及一共通電極。該基底具有多個(gè)像素區(qū) 域，且各該像素區(qū)域具有一像素寬度。該共通電極設(shè)置于該基底上。該共通電極具有多 個(gè)狹縫，其中各該狹縫的一寬度為該像素寬度的1/20倍至1/5倍。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種液晶顯示面板，其包含上述主動(dòng)陣列基板或上 述電極基板其中之一。
通過(guò)上述配置，本發(fā)明之的液晶顯示面板，可以限制液晶層中的粒子移動(dòng)，避 免液晶層中的粒子分配不均勻或是位于像素區(qū)中，導(dǎo)致畫面不均的殘影問(wèn)題的產(chǎn)生。此 外，本發(fā)明之的液晶顯示面板，可以將液晶層中的粒子限制在特定區(qū)域，例如非顯示 區(qū)，避免像素區(qū)有過(guò)多的粒子，影響液晶層中位于像素區(qū)的液晶分子的光學(xué)特性，藉此 達(dá)到避免畫面不均或殘影問(wèn)題的目的。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施 例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。在參閱后，所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者便可了解 本發(fā)明的其他目的，以及本發(fā)明的技術(shù)手段及實(shí)施態(tài)樣。


圖1描繪本發(fā)明的液晶顯示面板的爆炸圖&為描繪圖1的剖面線Ι-Γ的剖面圖沈?yàn)槊枥L圖1的剖面線ΙΙ-ΙΓ的剖面圖3a為描繪圖1的剖面線Ι-Γ的另一剖面圖3b為描繪圖1的剖面線ΙΙ-ΙΓ的另一剖面圖4為描繪圖1的區(qū)域B的局部放大上視圖5a為描繪第一實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的上視圖恥為描繪第一實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖&為描繪第一實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖虹為描繪第二實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的上視圖冊(cè)為描繪第二實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖6c為描繪第二實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖7a為描繪第三實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的上視圖7b為描繪第三實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖7c為描繪第三實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖8a為描繪第四實(shí)施例的電極基板的上視圖池為描繪第四實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖8c為描繪第四實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖如為描繪第五實(shí)施例的電極基板的上視圖9b為描繪第五實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖9c為描繪第五實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖IOa為描繪第六實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的上視圖
圖IOb為描繪第六實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖
圖IOc為描繪第六實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖
圖Ila為描繪第七實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的上視圖
圖lib為描繪第七實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖
圖Ilc為描繪第七實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖
圖1 為描繪第八實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的上視圖
圖12b為描繪第八實(shí)施例的液晶顯示面板的上視圖；以及
圖1 為描繪第八實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面圖。
附圖標(biāo)號(hào)
1、2、3、4、5、6、7、8、9液晶顯示面板
10、20、30、40、50、60、70、80、90 主動(dòng)陣列基板
101、201、301、401、501、601、701、801、 數(shù)據(jù)線
901
102、202、302、402、402，、502、602、702、掃描線
802、 902、 902a、 902b
103、203、303、403、403，、503、603、703、主動(dòng)元件(薄膜晶體管)
803、903
104、204、304、404、504、604、704、804、 像素電極
904
11、21、31、41、51、61、71、81、91 電極基板
12、22、32、42、52、62、72、82、92 液晶層
120 離子
121a、121b液晶分子
200、300、400、500、600、700、800、900 基底
2011、3011、4011、5011、6011、7011、8011、上電容電極
9011
2021、3021、4021、5021、6021、7021、8021、下電容電極
9021
2022、3022、4022、7040、8040、9040 輔助電極
2022a主體部
2022b分支
203C、303C、403C、503C、603C、703C、 通道層
803C、903C
203D、303D、403D、503D、603D、703D、 漏極
803D、903D
203G、303G、403G、503G、603G、703G、 柵極
803G、903G
203S、303S、403S、503S、603S、703S、803S、源極
903S
205、305、405、505、605、705、 805、 905絕緣層
206、306、406、506、606、706、 806、 906介電層
210、310、410、510、610、710、 810、 910基底
211、311、411、511、611、711、 811、 911彩色濾光層
212、312、412、512、612、612a、 612b 712、遮蔽結(jié)構(gòu)
812、912
213、313、413、513、613、713、 813、 913保護(hù)層
214、314、414、514、614、714、 814、 914共通電極
5140、 6140狹縫
6020遮蔽電壓連接墊
620連接件
7020輔助電壓連接墊
A像素區(qū)
NA非顯示區(qū)
HUH3、H，接觸洞具體實(shí)施方式
由于現(xiàn)有的像素區(qū)存在有離子的問(wèn)題。以下將以數(shù)個(gè)實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的主 動(dòng)陣列基板、電極基板以及液晶顯示面板。
在說(shuō)明各實(shí)施例前，請(qǐng)先參照?qǐng)D1至圖4。圖1為本發(fā)明的液晶顯示面板爆炸 圖，概要地呈現(xiàn)本發(fā)明的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)。液晶顯示面板1包含一主動(dòng)陣列基板 10、一電極基板11以及設(shè)置于主動(dòng)陣列基板10和電極基板11之間的一液晶層12。液晶 層12包含多個(gè)液晶分子以及多個(gè)粒子，其中粒子可為離子、有機(jī)物質(zhì)、無(wú)機(jī)物質(zhì)、雜質(zhì) 或上述組合或其他污染物。
主動(dòng)陣列基板10和電極基板11可分別為以薄膜晶體管為主動(dòng)元件構(gòu)成的陣列基 板和彩色濾光片基板。主動(dòng)陣列基板10也可為以薄膜晶體管為主動(dòng)元件和彩色濾光層共 同構(gòu)成的陣列基板，例如彩色濾光層在陣列上基板(color filter on array，COA)。電極基 板11也可為共通電極位在底板上一起構(gòu)成的電極基板。
根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的液晶顯示面板1，其液晶層12會(huì)以兩種不同的方式呈現(xiàn)。 第一種呈現(xiàn)方式請(qǐng)參看圖&及圖沈，其分別為對(duì)應(yīng)圖1的剖面線1-1’以及剖面線11-11’ 而繪成的剖面圖。液晶層12被劃分為像素區(qū)A及非顯示區(qū)NA，通過(guò)控制液晶層12中 像素區(qū)A及非顯示區(qū)NA的電場(chǎng)不同，例如是像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA具有不同的電壓 差值，使對(duì)應(yīng)在像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子121a和121b有不同的傾倒方向。 具體而言，位在非顯示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子121b為水平排列，如此一來(lái)，離子120會(huì)被 限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，即非顯示區(qū)NA內(nèi)離子120濃度比顯示區(qū)A內(nèi)離子濃度大。舉 例而言，非顯示區(qū)NA內(nèi)離子120濃度約為顯示區(qū)A內(nèi)離子濃度的數(shù)倍至數(shù)百倍，較佳為2倍至900倍，故畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第二種呈現(xiàn)方式，請(qǐng)參看圖3a至圖3b，其分別對(duì)應(yīng)圖1的剖面線Ι-Γ以及剖 面線11-11’而繪成的剖面圖。液晶層12被劃分為像素區(qū)A及非顯示區(qū)NA，通過(guò)控制液 晶層12中像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA的電場(chǎng)不一，例如是像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA具有不 同的電壓差值，而導(dǎo)致對(duì)應(yīng)在像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子121a和121b有不同 的傾倒方向。具體而言，位在非顯示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子121b為垂直排列，如此一來(lái)， 離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，即非顯示區(qū)NA內(nèi)離子120濃度比顯示區(qū)A內(nèi)離子 濃度大，舉例而言，非顯示區(qū)NA內(nèi)離子120濃度約為顯示區(qū)A內(nèi)離子濃度的數(shù)倍至數(shù)百 倍，較佳為2倍至900倍，故畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
換句話說(shuō)，為了達(dá)到圖&、圖沈或/及圖3a、圖3b的效果，本發(fā)明的液晶顯 示面板1包含主動(dòng)陣列基板10、電極基板11及液晶層12。更進(jìn)一步，主動(dòng)陣列基板10 包含一基底、多條掃描線、多個(gè)條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極及多個(gè)主動(dòng)元件。掃描線及數(shù) 據(jù)線設(shè)置于基底上，且數(shù)據(jù)線與掃描線垂直。各該主動(dòng)元件對(duì)應(yīng)至掃描線其中之一、數(shù) 據(jù)線其中之一及像素電極其中之一。各該主動(dòng)元件分別與相對(duì)應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線及像 素電極電性連接以界定像素區(qū)A以及非顯示區(qū)NA。電極基板11包含一基底及一共通電 極，其中共通電極設(shè)置于該基底上。液晶層12設(shè)置于主動(dòng)陣列基板10及電極基板11之 間，液晶層12包含液晶分子121a、121b及離子120。液晶分子121a、121b具有一起始 電壓(threshold voltage)以及一飽和電壓(saturation voltage)，而離子的一預(yù)定比例位于該 非顯示區(qū)NA內(nèi)。
液晶顯示面板1可進(jìn)一步包含至少一輔助電極，其中輔助電極設(shè)置于主動(dòng)陣列 基板10的基底上，并未于非顯示區(qū)NA內(nèi)。此輔助電極用以接收一輔助電壓，且共通電 極用以接收一共通電壓，其中輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值小于液晶分子121a、 121b的起始電壓。此外，當(dāng)液晶分子為垂直配向型(Vertical alignment，VA)液晶、扭轉(zhuǎn) 向列型(TwistedNematic，TN)液晶或 / 及電控復(fù)折射型(Electrical Control Birefringence, ECB)液晶時(shí)，輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值大于液晶分子121a、121b的飽和電 壓。當(dāng)液晶分子121a、121b包含垂直配向型液晶、扭轉(zhuǎn)向列型液晶或/及電控復(fù)折射型 液晶時(shí)，輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值大于液晶分子121a、121b的飽和電壓。
圖4描繪圖1的液晶顯示面板1的主動(dòng)陣列基板10的區(qū)域B的局部放大上視 圖。為方便理解，圖4僅描繪四個(gè)完整的像素，所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可由此清 楚了解主動(dòng)陣列基板10的全部區(qū)域的像素設(shè)置方式。主動(dòng)陣列基板10包含基底(未標(biāo) 示)、多條掃描線102、與掃描線102垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線101、多個(gè)像素電極104以及多個(gè) 薄膜晶體管103。各薄膜晶體管103分別連接至相對(duì)應(yīng)的像素電極104、數(shù)據(jù)線101以及 掃描線102。此外，主動(dòng)陣列基板10還包含至少一輔助電極(未繪示)及/或電容電極 (未繪示)。數(shù)據(jù)線101、掃描線102及像素電極104界定出像素區(qū)A及非顯示區(qū)NA。 圖4清楚顯示四個(gè)像素區(qū)A的范圍，其為用于顯示畫面的區(qū)域，而在像素區(qū)A以外的區(qū) 域?yàn)榉秋@示區(qū)NA，也就是數(shù)據(jù)線101、掃描線102、薄膜晶體管103、輔助電極及電容電 極被設(shè)置的區(qū)域，非顯示區(qū)NA無(wú)法顯示畫面。
請(qǐng)同時(shí)參照3b及圖4，當(dāng)離子120被限制在非顯示區(qū)NA時(shí)，也就是離 子120的一預(yù)定比例(也即大部分的離子120)位于非顯示區(qū)NA或是所謂的線路區(qū)時(shí)，像素區(qū)A內(nèi)的液晶分子121a便不易受到離子120的影響，而減少導(dǎo)致非正確旋轉(zhuǎn)或傾斜、 殘影、亮度削減或?qū)Ρ炔粶?zhǔn)確等等問(wèn)題。
圖1的液晶顯示面板1、主動(dòng)陣列基板10以及電極基板11的各實(shí)施例詳細(xì)結(jié)構(gòu) 在下述說(shuō)明。
第一實(shí)施例
圖5a、圖恥、圖k分別為本發(fā)明的第一實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板20的上視圖、 液晶顯示面板2的上視圖以及液晶顯示面板2的剖面圖。更具體而言，圖&描繪沿著圖 恥的剖面線V-V’的剖面圖。此外，為方便說(shuō)明，圖5a及圖恥僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié) 構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板20包含一基底200、多條掃描線202、輔助電極2022、下電容電極 2021、絕緣層205、多條數(shù)據(jù)線201、主動(dòng)元件203、上電容電極2011、介電層206以及 多個(gè)像素電極204。掃描線202、輔助電極2022以及下電容電極2021皆形成于基底200 上。絕緣層205整體覆蓋基底200、掃描線202、輔助電極2022以及下電容電極2021。 數(shù)據(jù)線201形成于絕緣層205上。
主動(dòng)元件203形成于基底200上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一并與對(duì)應(yīng)的掃描線202和數(shù)據(jù)線201電性連接。具體而言，主 動(dòng)元件203具有柵極203G與掃描線202連接、源極2(X3S與數(shù)據(jù)線201連接、漏極203D 以及通道層203C位于柵極203G和源極203S/漏極203D之間。本實(shí)施例的主動(dòng)元件 203以底柵極非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂 柵極多晶硅薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān) 系。也即，主動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
上電容電極2011與漏極203D連接并與下電容電極2021形成儲(chǔ)存電容。介電層 206大體全面覆蓋上述元件并具有一接觸洞H暴露出漏極203D。像素電極204設(shè)置于介 電層206上，并通過(guò)接觸洞H與漏極203D電性連接。
輔助電極2022與掃描線202及下電容電極2021同時(shí)先形成一預(yù)先導(dǎo)電層，再圖 案化而成。輔助電極2022與掃描線202及下電容電極2021彼此絕緣且設(shè)置于同一層。 輔助電極2022設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。如圖5a所示，輔助電極2022具有主體部2022a 以及分支2022b。本實(shí)施例的位于兩像素間的分支202 數(shù)目為二個(gè)，但可視設(shè)計(jì)及需 求，改變分支2022b的數(shù)目為一個(gè)或大于二個(gè)。同樣地，可選擇性將輔助電極2022設(shè)計(jì) 成僅有主體部202 或分支2022b而構(gòu)成條狀，或是類似環(huán)狀結(jié)構(gòu)。換言之，可用以達(dá) 成本發(fā)明的目的的輔助電極的形狀均可使用，例如，輔助電極2022的形狀可為一環(huán)狀、 一條狀、一U字狀及一π字狀其中之一。輔助電極2022用以接收一輔助電壓，其中輔助 電壓為-30伏特至30伏特，較佳則為-10伏特至25伏特。
請(qǐng)參照?qǐng)D&，液晶顯示面板2包含如圖5a所示的主動(dòng)陣列基板20、電極基板21 以及設(shè)置于其間的液晶層22。
液晶層22包含多個(gè)液晶分子及多個(gè)離子，其中，液晶分子具有一起始電壓以及 一飽和電壓，而離子的一預(yù)定比例位于非顯示區(qū)NA內(nèi)。
電極基板21包含基底210、遮蔽結(jié)構(gòu)212、彩色濾光層211、保護(hù)層213以及共 通電極214。其中，遮蔽結(jié)構(gòu)212及彩色濾光層211皆設(shè)置于基底210上。彩色濾光層211設(shè)置于基底210及共通電極214之間，且被遮蔽結(jié)構(gòu)212分隔。另一方面，彩色濾光 層211之的邊緣可利用遮蔽結(jié)構(gòu)212遮光，以避免液晶顯示面板2在顯示畫面時(shí)，產(chǎn)生漏 光的問(wèn)題。共通電極214用以接收一共通電壓，其中，輔助電壓與共通電壓之的差值之 的絕對(duì)值小于液晶分子之的起始電壓。舉例而言，輔助電壓與共通電壓之的差值之的絕 對(duì)值可小于或等于1伏特，也可為3伏特至20伏特。
通過(guò)主動(dòng)陣列基板20的輔助電極2022，可使得液晶層22內(nèi)，對(duì)應(yīng)至像素區(qū)A和 非顯示區(qū)NA的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)， 所以畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第二實(shí)施例
圖虹、圖冊(cè)、圖6c分別為本發(fā)明的第二實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板30的上視圖、 液晶顯示面板3的上視圖以及液晶顯示面板3的剖面圖。更具體而言，圖6c描繪沿著圖 冊(cè)的剖面線VI-VI，的剖面圖。此外，為方便說(shuō)明，圖虹及圖冊(cè)僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板30包含一基底300、多條掃描線302、輔助電極3022、下電容電極 3021、絕緣層305、多條數(shù)據(jù)線301、主動(dòng)元件303、上電容電極3011、介電層306以及 多個(gè)像素電極304。
掃描線302、輔助電極3022以及下電容電極3021皆形成于基底300上。絕緣層 305整體覆蓋基底300、掃描線302、輔助電極3022以及下電容電極3021。數(shù)據(jù)線301 形成于絕緣層305上。
主動(dòng)元件303形成于基底300上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線302和數(shù)據(jù)線301電性連接。具體而言，主 動(dòng)元件303具有柵極303G與掃描線302連接、源極3(X3S與數(shù)據(jù)線301連接、漏極303D 以及通道層303C位于柵極303G和源極303S/漏極303D之間。本實(shí)施例之的主動(dòng)元件 303以底柵極非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂 柵極多晶硅薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān) 系。也即，主動(dòng)元件之的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明之的權(quán)利范圍。
上電容電極3011位于絕緣層305上并對(duì)應(yīng)下電容電極3021。介電層306大體全 面覆蓋上述元件，并具有接觸洞Hl暴露出漏極303D，以及具有接觸洞H2暴露出上電容 電極3011。像素電極304設(shè)置于介電層306上，并通過(guò)該接觸洞Hl與該漏極303D電性 連接，且通過(guò)該接觸洞H2與該上電容電極3011電性連接。
第二實(shí)施例與第一實(shí)施例之的不同處在于，輔助電極3022與掃描線302和下電 容電極3021同時(shí)先形成一預(yù)先導(dǎo)電層，再圖案化而成，如圖虹所示。輔助電極3022與 下電容電極3021電性連接的，故輔助電極3022與下電容電極3021的電位為相同的。位 于兩像素間之的輔助電極3022之的形狀為H字狀。于其他實(shí)施例中，輔助電極之的形狀 可為條狀、H字狀以及其組合其中之一，換言之，可用以達(dá)成本發(fā)明之的目的之的輔助 電極結(jié)構(gòu)均可使用，其形狀并非用以限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。輔助電極3022以及下電容 電極3021用以接收一電容電壓，其中，電容電壓為-30伏特至30伏特，較佳則為-10伏 特至25伏特。
請(qǐng)參照?qǐng)D6c，液晶顯示面板3包含如圖虹所示的主動(dòng)陣列基板30、電極基板31以及設(shè)置于其間的液晶層32。
液晶層32包含多個(gè)液晶分子及多個(gè)離子，其中，液晶分子具有一起始電壓以及 一飽和電壓，而離子的一預(yù)定比例位于非顯示區(qū)NA內(nèi)。
電極基板31的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的電極基板21相同，在此不再贅述。共通 電極314用以接收一共通電壓。輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值液晶分子的起始電 壓。舉例而言，輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值可小于或等于1伏特，也可為3伏 特至20伏特。
通過(guò)主動(dòng)陣列基板30的輔助電極3022，可使得液晶層32內(nèi)對(duì)應(yīng)至像素區(qū)A和 非顯示區(qū)NA的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)， 所以畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第三實(shí)施例
圖7a、圖7b、圖7c分別為本發(fā)明的第三實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板40的上視圖、 液晶顯示面板4的上視圖以及液晶顯示面板4的剖面圖。更具體而言，圖7c描繪沿著圖 7b的剖面線VII-Vir的剖面圖。此外，為方便說(shuō)明，圖7a及圖7b僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板40包含一基底400、多條掃描線402、402，、輔助電極4022、下 電容電極4021、絕緣層405、多條數(shù)據(jù)線401、主動(dòng)元件403、403，、上電容電極4011、 介電層406以及多個(gè)像素電極404。掃描線402、402，、輔助電極4022以及下電容電極 4021皆形成于基底400上。絕緣層405整體覆蓋基底400、掃描線402、402，、輔助電 極4022以及下電容電極4021。數(shù)據(jù)線401形成于絕緣層405上。
主動(dòng)元件403、403，形成于基底400上，且各主動(dòng)元件403對(duì)應(yīng)至掃描線402、 402，其中之一、數(shù)據(jù)線401其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線402、402，和數(shù)據(jù)線401電 性連接。具體而言，主動(dòng)元件403具有柵極403G與掃描線402連接、源極4(X3S與數(shù)據(jù) 線401連接、漏極403D以及通道層403C位于柵極403G和源極403S/漏極403D之間。 本實(shí)施例的主動(dòng)元件403以底柵極非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有 通常知識(shí)者也可使用頂柵極多晶硅薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中 其他元件的相對(duì)位置關(guān)系。也即，主動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
上電容電極4011與漏極403D連接并與下電容電極4021形成儲(chǔ)存電容。介電層 406大體全面覆蓋上述元件并具有一接觸洞H暴露出漏極403D。像素電極404設(shè)置于介 電層406上并通過(guò)接觸洞H與漏極403D電性連接。
第三實(shí)施例與第一實(shí)施例之的不同處在于，輔助電極4022與掃描線402、402， 和下電容電極4021同時(shí)先形成一預(yù)先導(dǎo)電層，再圖案化而成。需特別注意的是，對(duì)應(yīng) 此像素之的輔助電極4022與掃描線402’電性連接而不與掃描線402電性連接，也就是 說(shuō)，輔助電極4022可為(上一級(jí))掃描線402’之的延伸結(jié)構(gòu)，故輔助電極4022與掃描 線402’的電位為相同的。舉例而言，掃描線402’接收一掃描電壓，掃描電壓為-10伏 特至30伏特，較佳則為-8伏特至觀伏特，故輔助電極4022接收之的輔助電壓便為-10 伏特至30伏特，較佳則為-8伏特至觀伏特。
位于兩像素間之的輔助電極4022之的形狀為一 H字狀，其他實(shí)施例之的輔助電 極之的形狀也可為一條狀及一H字狀其中之一或其組合。換言之，可視設(shè)計(jì)及需求改變輔助電極之的形狀，可用以達(dá)成本發(fā)明之的目的之的輔助電極結(jié)構(gòu)均可使用，并不局限。
請(qǐng)參照?qǐng)D7c，液晶顯示面板4包括如圖7a所示的主動(dòng)陣列基板40、電極基板41 以及設(shè)置于其間的液晶層42。
液晶層42包含多個(gè)液晶分子及多個(gè)離子，其中，液晶分子具有一起始電壓以及 一飽和電壓，而離子的一預(yù)定比例位于非顯示區(qū)NA內(nèi)。
電極基板41的結(jié)構(gòu)大致與第一實(shí)施例中的電極基板21相同，在此不再贅述。共 通電極414接收一共通電壓，其中，輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值小于液晶分子 的起始電壓。舉例而言，輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值小于或等于1伏特，也可 為3伏特至20伏特。
通過(guò)主動(dòng)陣列基板40的輔助電極4022，可使得液晶層42內(nèi)，對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非 顯示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)， 所以畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第四實(shí)施例
圖8a、圖池、圖8c分別為本發(fā)明的第四實(shí)施例的電極基板51的上視圖、液晶顯 示面板5的上視圖以及液晶顯示面板5的剖面圖。更具體而言，圖8c描繪沿著圖池的 剖面線VIII-VIir的剖面圖。此外，為方便說(shuō)明，圖8a及圖池僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié) 構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板50包含一基底500、多條掃描線502、下電容電極5021、絕緣層 505、多條數(shù)據(jù)線501、主動(dòng)元件503、上電容電極5011、介電層506以及多個(gè)像素電極 504。掃描線502及下電容電極5021皆形成于基底500上。絕緣層505整體覆蓋基底 500、掃描線502以及下電容電極5021。數(shù)據(jù)線501形成于絕緣層505上。
主動(dòng)元件503形成于基底500上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線502和數(shù)據(jù)線501電性連接。具體而言，主 動(dòng)元件503具有柵極503G與掃描線502連接、源極5(X3S與數(shù)據(jù)線501連接、漏極503D 以及通道層503C位于柵極503G和源極503S/漏極503D之間。本實(shí)施例的主動(dòng)元件 503以底柵極非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂 柵極多晶硅薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān) 系。主動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
上電容電極5011設(shè)置于絕緣層505上，并對(duì)應(yīng)下電容電極5021。上電容電極 5011與漏極503D連接并與下電容電極5021形成儲(chǔ)存電容。介電層506大體全面覆蓋上 述元件并具有接觸洞H暴露出漏極503D。像素電極504設(shè)置于介電層506上，并通過(guò)接 觸洞H與漏極503D電性連接。
電極基板51包含基底510、遮蔽結(jié)構(gòu)512、彩色濾光層511、保護(hù)層513以及共 通電極514。遮蔽結(jié)構(gòu)512設(shè)置于基底510上。彩色濾光層511設(shè)置于基底210及共通 電極214之間，且被遮蔽結(jié)構(gòu)512分隔。另一方面，彩色濾光層511的邊緣可利用遮蔽 結(jié)構(gòu)512遮光，以避免液晶顯示面板5在顯示畫面時(shí)，產(chǎn)生漏光的問(wèn)題。此外，電極基 板51的基底510具有多個(gè)像素區(qū)域，各像素區(qū)域具有一像素寬度及一像素長(zhǎng)度。
須特別注意的是，共通電極514在對(duì)應(yīng)遮蔽結(jié)構(gòu)512或是數(shù)據(jù)線501的位置具有狹縫5140，其中各狹縫5140的寬度d為像素寬度的1/20倍至1/5倍，較佳則為1/10倍 至1/8倍。狹縫5140的寬度d可以等于或大于數(shù)據(jù)線501的寬度。狹縫5140的長(zhǎng)度L 可以等于、小于或大于像素長(zhǎng)度。
換言之，對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA內(nèi)，只要共通電極514具有狹縫或挖空結(jié)構(gòu)，便會(huì) 影響到液晶層52對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA內(nèi)液晶分子的傾倒方向。狹縫5140的形 狀可為一環(huán)狀、一條狀、一 U字狀及一 π字狀其中之一或其組合。狹縫5140的位置也可 對(duì)應(yīng)于掃描線502上方，換句話說(shuō)，狹縫5140的位置只要對(duì)應(yīng)或部份對(duì)應(yīng)至非顯示區(qū)NA 即位于本發(fā)明的權(quán)利范圍內(nèi)。此外，共通電極514接收一共通電壓，此共通電壓為0伏 特至12伏特，較佳則為3伏特至9伏特。
通過(guò)對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA的狹縫5140，可使得液晶層52對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯示 區(qū)NA內(nèi)的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，所以 畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第五實(shí)施例
圖如、圖9b、圖9c分別為本發(fā)明的第五實(shí)施例的電極基板61的上視圖、液晶 顯示面板6的上視圖以及液晶顯示面板6的剖面圖。具體而言，圖9c描繪沿著圖9b的 剖面線IX-IX’的剖面圖。為方便說(shuō)明，圖9a及圖9b僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板60包含一基底600、多條掃描線602、下電容電極6021、絕緣層 605、多條數(shù)據(jù)線601、主動(dòng)元件603、上電容電極6011、介電層606以及多個(gè)像素電極 604。掃描線602及電容電極6021皆形成于基底600上。絕緣層605整體覆蓋基底600、 掃描線602、下電容電極6021以及遮蔽電壓連接墊6020。數(shù)據(jù)線601形成于絕緣層605 上。
主動(dòng)元件603形成于基底600上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線602和數(shù)據(jù)線601電性連接。具體而言，主 動(dòng)元件603具有柵極603G與掃描線602連接、源極60 與數(shù)據(jù)線601連接、漏極603D 以及通道層603C位于柵極603G和源極603S/漏極603D之間。本實(shí)施例的主動(dòng)元件 603以底柵極非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂 柵極多晶硅薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān) 系。也即，主動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
上電容電極6011位于絕緣層605上并對(duì)應(yīng)下電容電極6021，上電容電極6011與 漏極603D連接并與下電容電極6021形成儲(chǔ)存電容。介電層606大體全面覆蓋上述元件 并具有接觸洞H暴露出漏極603D。像素電極604位于該介電層606上并通過(guò)接觸洞H與 漏極603D電性連接。
電極基板61包括基底610、遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b、保護(hù)層613以及共通電極 614。遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b設(shè)置于基底610上。彩色濾光層611設(shè)置于基底610及共通 電極614之間，且被遮蔽結(jié)構(gòu)61&、61 分隔。另一方面，彩色濾光層611的邊緣可利 用遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b遮光，以避免液晶顯示面板6在顯示畫面時(shí)，產(chǎn)生漏光的問(wèn)題。 此外，電極基板61的基底610具有多個(gè)像素區(qū)域，各像素區(qū)域具有一像素寬度及一像素 長(zhǎng)度。
須特別注意的是，如圖9c所示，對(duì)應(yīng)到遮蔽結(jié)構(gòu)61 的共通電極614具有狹縫6140將遮蔽結(jié)構(gòu)61Zb暴露出來(lái)。遮蔽結(jié)構(gòu)分隔共通電極614為多個(gè)區(qū)塊。遮蔽電壓連 接墊6020接收外部電壓，將外部電壓經(jīng)由位于主動(dòng)陣列基板60以及電極基板61之間的 連接件620傳送到遮蔽結(jié)構(gòu)61 以及612b，使得這些遮蔽結(jié)構(gòu)之的電壓為-30伏特至30 伏特。由圖9c可清楚了解，遮蔽電壓連接墊6020、連接件620以及遮蔽結(jié)構(gòu)61 為電 性連接。
然而，提供電壓給遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b的方式并不局限于本實(shí)施例所述，也可 以僅利用在電極基板61上設(shè)置電壓連接墊或是電壓源提供電壓給遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b， 故便不需設(shè)置連接件620。這些遮蔽結(jié)構(gòu)61h、61 的材料包含金屬及其他不透明導(dǎo)電 材料其中之一或其組合，而金屬包含鉻、鉻合金及其他不透明導(dǎo)電金屬其中之一或其組合。
這些遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b之的長(zhǎng)度為像素長(zhǎng)度之的1/20倍至1倍、寬度為像素 寬度之的1/20倍至1倍以及厚度為0.01微米至5微米。此外，舉例而言，共通電極614 之的電壓與遮蔽 結(jié)構(gòu)61&、612b之的電壓之的差值之的絕對(duì)值為2伏特及20伏特。
通過(guò)對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA的遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b，因遮蔽結(jié)構(gòu)61&、612b具有 電壓，故液晶層62對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA內(nèi)有不同的壓差，對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯 示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，所 以畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第六實(shí)施例
圖10a、圖10b、圖IOc分別為本發(fā)明的第六實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板70的上視 圖、液晶顯示面板7的上視圖以及液晶顯示面板7的剖面圖。具體而言，圖IOc描繪沿 著圖IOb的剖面線X-X，的剖面圖。為方便說(shuō)明，圖IOa及圖IOb僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板70包括一基底700、多條掃描線702、輔助電極7040、下電容電極 7021、絕緣層705、多條數(shù)據(jù)線701、主動(dòng)元件703、上電容電極7011、介電層706、多 個(gè)像素電極704以及輔助電壓連接墊7020。掃描線702、輔助電極7040以及下電容電極 7021皆形成于基底700上。輔助電極7040與像素電極704同時(shí)圖案化。絕緣層705整 體覆蓋基底700、掃描線702以及下電容電極7021。數(shù)據(jù)線701形成于絕緣層705上。
主動(dòng)元件703形成于基底700上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線702和數(shù)據(jù)線701電性連接。主動(dòng)元件703 具有柵極703G與掃描線702連接、源極7(X3S與數(shù)據(jù)線701連接、漏極703D以及通道層 703C位于柵極703G和源極703S/漏極703D之間。主動(dòng)元件703以底柵極非晶硅薄膜 晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂柵極多晶硅薄膜晶體管 并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān)系。也即，主動(dòng)元件之 的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明之的權(quán)利范圍。
上電容電極7011與漏極703D連接并與下電容電極7021形成儲(chǔ)存電容。介電 層706大體全面覆蓋上述元件并具有一接觸洞H暴露出漏極703D。像素電極704位于介 電層706上并通過(guò)接觸洞H與漏極703D電性連接。輔助電壓連接墊7020可以與掃描線 702、柵極703G及/或下電容電極7021為同一層圖案化而成，輔助電壓連接墊7020接收 外部提供的一輔助電壓。
電極基板71的結(jié)構(gòu)大致與第一實(shí)施例中的電極基板21相同，在此不再贅述。共 通電極714接收一共通電壓，舉例而言，輔助電壓與共通電壓的差值的絕對(duì)值可小于或 等于1伏特，也可為3伏特至20伏特。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D10a，輔助電極7040的形狀為一環(huán)狀，但其他實(shí)施例也可將輔助 電極設(shè)計(jì)為U字狀及π字狀其中之一，基本上對(duì)應(yīng)非顯示區(qū)ΝΑ。須特別注意的是，輔 助電極7040通過(guò)接觸洞H’與輔助電壓連接墊7020電性連接，故輔助電極7040接收輔 助電壓，其中輔助電壓為-30伏特至30伏特，較佳則為-10伏特至25伏特。
通過(guò)主動(dòng)陣列基板70的輔助電極7022，可使得液晶層72對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯 示區(qū)NA內(nèi)的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，所 以畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第七實(shí)施例
圖Ila至圖Ilc分別為本發(fā)明的第七實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板80的上視圖、液晶顯 示面板8的上視圖以及液晶顯示面板8的剖面圖。具體而言，圖Ilc描繪沿著圖lib的 剖面線ΧΙ-Χ?！钠拭鎴D。為方便說(shuō)明，圖Ila及圖lib僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板80包含一基底800、多條掃描線802、輔助電極8040、下電容電 極8021、絕緣層805、多條數(shù)據(jù)線801、主動(dòng)元件803、上電容電極8011、介電層806以 及多個(gè)像素電極804。掃描線802、輔助電極8040及下電容電極8021皆形成于基底800 上。輔助電極8040與像素電極804同時(shí)圖案化且為同一層。絕緣層805整體覆蓋基底 800、掃描線802以及下電容電極8021。數(shù)據(jù)線801形成于絕緣層805上。
主動(dòng)元件803形成于基底800上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線802和數(shù)據(jù)線801電性連接。主動(dòng)元件803 具有柵極803G與掃描線802連接、源極80 與數(shù)據(jù)線801連接、漏極803D以及通道層 803C位于柵極803G和源極803S/漏極803D之間。本實(shí)施例的主動(dòng)元件803以底柵極 非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂柵極多晶硅 薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān)系。也即， 主動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
上電容電極8011與漏極803D連接并與下電容電極8021形成儲(chǔ)存電容。介電層 806大體全面覆蓋上述元件并具有一接觸洞H暴露出漏極803D。像素電極804位于介電 層806上并通過(guò)接觸洞H與漏極703D電性連接。
電極基板81的結(jié)構(gòu)大致與第一實(shí)施例中的電極基板21相同，在此不再贅述。共 通電極814接收一共通電壓，舉例而言，該輔助電壓與該共通電壓的差值的絕對(duì)值可小 于或等于1伏特，也可為3伏特至20伏特。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D11a，輔助電極8040之的形狀為一環(huán)狀，但其他實(shí)施例可將輔助 電極設(shè)計(jì)為U字狀及π字狀其中之一，基本上對(duì)應(yīng)非顯示區(qū)ΝΑ。須特別注意的是，與 第六實(shí)施例不同，輔助電極8040通過(guò)接觸洞H’與下電容電極8021電性連接，故輔助電 極7040接收下電容電極8021之的電容電壓以作為為輔助電極7040之的輔助電壓，其中 電容電壓為-30伏特至30伏特，故輔助電壓為-30伏特至30伏特。
通過(guò)主動(dòng)陣列基板80的輔助電極8022，可使得液晶層82對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯 示區(qū)NA的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，所以畫面顯示的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
第八實(shí)施例
圖12a、圖12b、圖1 分別為本發(fā)明的第八實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板90的上視 圖、液晶顯示面板9的上視圖以及液晶顯示面板9的剖面圖。具體而言，圖1 描繪沿 著圖12b的剖面線XII-XII’的剖面圖。為方便說(shuō)明，圖1 及圖1 僅清楚顯示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
主動(dòng)陣列基板90包含基底900、多條掃描線90&、902b、輔助電極9040、下電 容電極9021、絕緣層905、多條數(shù)據(jù)線901、主動(dòng)元件903、上電容電極9011、介電層 906以及多個(gè)像素電極904。掃描線90&、902b形成于基底800上，且同為掃描線90 之的上一級(jí)掃描線。輔助電極9040與像素電極904同時(shí)圖案化且為同一層，且形成于基 底900上。下電容電極9021形成于基底900上。絕緣層905整體覆蓋基底900、掃描線 902a>掃描線902b以及下電容電極9021。數(shù)據(jù)線901形成于絕緣層905上。
主動(dòng)元件903形成于基底900上，且各主動(dòng)元件203對(duì)應(yīng)至掃描線202其中之 一、數(shù)據(jù)線201其中之一，并與對(duì)應(yīng)的掃描線90 和數(shù)據(jù)線901電性連接。主動(dòng)元件903 具有柵極903G與掃描線902連接、源極9(X3S與數(shù)據(jù)線901連接、漏極903D以及通道層 903C位于柵極903G和源極903S/漏極903D之間。本實(shí)施例之的主動(dòng)元件903以底柵極 非晶硅薄膜晶體管為例，當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也可使用頂柵極多晶硅 薄膜晶體管并適當(dāng)改變主動(dòng)元件中結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例中其他元件的相對(duì)位置關(guān)系。也即， 主動(dòng)元件之的結(jié)構(gòu)并非用來(lái)限制本發(fā)明之的權(quán)利范圍。
上電容電極9011與漏極903D連接并與下電容電極9021形成儲(chǔ)存電容。介電層 906大體全面覆蓋上述元件并具有一接觸洞H暴露出漏極903D。像素電極904位于該介 電層906上并通過(guò)該接觸洞H與該漏極903D電性連接。
電極基板91的結(jié)構(gòu)大致與第一實(shí)施例中的電極基板21相同，在此不再贅述。共 通電極914接收一共通電壓，舉例而言，該輔助電壓與該共通電壓的差值的絕對(duì)值可小 于或等于1伏特，也可為3伏特至20伏特。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D12a，輔助電極9040之的形狀為一π字狀，但其他實(shí)施例可視設(shè) 計(jì)及需求將輔助電極設(shè)計(jì)為U字狀及環(huán)狀其中之一，基本上對(duì)應(yīng)非顯示區(qū)ΝΑ。須特別注 意的是，與第七實(shí)施例不同，輔助電極9040通過(guò)接觸洞H’與掃描線90 電性連接，故 輔助電極9040接收掃描線90 之的掃描電壓以作為為輔助電極9040之的輔助電壓，其 中，掃描電壓為-10伏特至30伏特，故輔助電壓為-10伏特至30伏特。掃描線90 為掃 描線90 之的上一級(jí)掃描線，故因?yàn)闀r(shí)間差之的關(guān)系，輔助電極9040與掃描線90 接受 到的電壓，在相同時(shí)間點(diǎn)并不會(huì)相同，故通過(guò)對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA之的輔助電極9040， 因輔助電極9040具有輔助電壓，故液晶層92對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA內(nèi)有不同的壓 差，對(duì)應(yīng)像素區(qū)A和非顯示區(qū)NA之的液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子120會(huì)被限 制在非顯示區(qū)NA內(nèi)，所以畫面顯示之的畫面不均或殘影問(wèn)題便會(huì)被改善。
綜上所述，本發(fā)明主要在提供一種主動(dòng)陣列基板、電極基板及液晶顯示面板， 用以控制液晶層中的液晶分子的排列方式，使得液晶層中的粒子被限制在特定區(qū)域，例 如非顯示區(qū)，避免像素區(qū)有過(guò)多的粒子，影響液晶層中位于像素區(qū)的液晶分子的光學(xué)特 性，以達(dá)到避免畫面不均或殘影問(wèn)題的目的。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn) 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電極基板，其特征在于，該電極基板包含一基底，具有多個(gè)像素區(qū)域，各所述的像素區(qū)域具有一像素寬度；以及 一共通電極，設(shè)置于所述的基底上，該共通電極具有多個(gè)狹縫，其中各所述的狹縫 的一寬度為所述的像素寬度的1/20倍至1/5倍。
2.如權(quán)利要求1所述的電極基板，其特征在于，該電極基板還包含多個(gè)彩色濾光層， 設(shè)置于所述的基底以及所述的共通電極之間，其中所述的狹縫的形狀為一環(huán)狀、一條 狀、一 U字狀及一π字狀其中之一。
3.—種電極基板，其特征在于，該點(diǎn)擊基板包含 一基底；一共通電極，設(shè)置于所述的基底上；以及多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述的基底上，并分隔所述的共通電極為多個(gè)區(qū)塊，其中所 述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一電壓為-30伏特至30伏特。
4.如權(quán)利要求3所述的電極基板，其特征在于，該點(diǎn)擊基板還包含 多個(gè)彩色濾光層，設(shè)置于所述的基底以及所述的共通電極之間。
5.如權(quán)利要求3所述的電極基板，其特征在于，所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的材料包含金屬及不 透明導(dǎo)電材料其中之一或其組合，其中所述的金屬包含鉻、鉻合金及不透明導(dǎo)電金屬其 中之一或其組合，其中所述的基底具有多個(gè)像素區(qū)域，各所述的像素區(qū)域具有一像素長(zhǎng) 度及一像素寬度，各所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一長(zhǎng)度為所述的像素長(zhǎng)度的1/20倍至1倍、各所 述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一寬度為所述的像素寬度的1/20倍至1倍，以及各遮蔽結(jié)構(gòu)的一厚度為 0.01微米至5微米，其中所述的共通電極用以接收一共通電壓，所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的所述的 電壓與所述的共通電壓的一差值的絕對(duì)值為2伏特與20伏特。
6.—種液晶顯示面板，其特征在于，該液晶顯示面板包含 一主動(dòng)陣列基板，包含一基底；多條掃描線，設(shè)置于所述的基底上； 多條數(shù)據(jù)線，且與所述的掃描線垂直； 多個(gè)像素電極；以及多個(gè)主動(dòng)元件，各所述的主動(dòng)元件對(duì)應(yīng)至所述的掃描線其中之一、所述的數(shù)據(jù)線其 中之一及所述的像素電極其中之一，各所述的主動(dòng)元件分別與相對(duì)應(yīng)的所述的掃描線、 所述的數(shù)據(jù)線及所述的像素電極電性連接以界定一像素區(qū)以及一非顯示區(qū)； 一電極基板，包含 一基底；以及一共通電極，設(shè)置于所述的電極基板的所述的基底上；以及 一液晶層，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板以及所述的電極基板之間，包含 多個(gè)液晶分子，具有一起始電壓以及一飽和電壓；以及 多個(gè)離子，所述的離子的一預(yù)定比例位于所述的非顯示區(qū)內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的主動(dòng)陣列基板還包含至少 一輔助電極，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板的所述的基底上，并位于所述的非顯示區(qū)內(nèi)， 至少一所述的輔助電極用以接收一輔助電壓，所述的共通電極用以接收一共通電壓，其中所述的輔助電壓與所述的共通電壓的差值的絕對(duì)值小于所述的液晶分子的所述的起始 電壓。
8.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的輔助電壓與所述的共通電 壓的差值的絕對(duì)值大于所述的液晶分子的所述的飽和電壓，其中所述的液晶分子為垂直 配向型液晶、扭轉(zhuǎn)向列型液晶以及電控復(fù)折射型液晶其中之一。
9.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的離子為陽(yáng)離子、陰離子以 及帶電離子團(tuán)其中之一。
10.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的主動(dòng)陣列基板還包含 至少一輔助電極，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板的所述的基底上，并位于所述的非顯示區(qū)內(nèi)，所述的至少一輔助電極用以接收一輔助電壓，其中該輔助電壓為-30伏特至30 伏特。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的至少一輔助電極與所述 的像素電極彼此絕緣且設(shè)置于同一層，其中所述的至少一輔助電極的形狀為一環(huán)狀、一 條狀、一 U字狀及一π字狀其中之一，其中所述的主動(dòng)陣列基板還包含一電容電極，設(shè) 置于所述的主動(dòng)陣列基板的所述的基底上，所述的電容電極用以接收一電容電壓，其中 所述的電容電壓為-30伏特至30伏特。
12.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的主動(dòng)陣列基板還包含一電容電極，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板的所述的基底上，其中所述的電容電極與 所述的至少一輔助電極電性連接。
13.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的主動(dòng)陣列基板還包含一電容電極，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板的所述的基底上，其中所述的電容電極與 所述的至少一輔助電極彼此絕緣且設(shè)置于同一層。
14.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的至少一輔助電極與所述 的掃描線其中之一電性連接。
15.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的至少一輔助電極與所述 的掃描線彼此絕緣，且設(shè)置于同一層。
16.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的電極基板的所述的基 底具有多個(gè)像素區(qū)域，各所述的像素區(qū)域具有一像素寬度，所述的共通電極具有多個(gè)狹 縫，各所述的狹縫的一寬度為所述的像素寬度的1/20倍至1/5倍，其中所述的電極基 板還包含多個(gè)彩色濾光層，設(shè)置于所述的電極基板的所述的基底以及所述的共通電極之 間，其中所述的狹縫的形狀為一環(huán)狀、一條狀、一 U字狀及一π字狀其中之一。
17.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的電極基板還包含多個(gè)遮蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述的基底上，并分隔所述的共通電極為多個(gè)區(qū)塊，其中所 述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一電壓為-30伏特至30伏特。
18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的電極基板還包含 多個(gè)彩色濾光層，設(shè)置于所述的基底以及所述的共通電極之間，其中所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的材料包含金屬或不透明導(dǎo)電材料其中之一或其組合，其中所述的金屬包含鉻、鉻合金及不透明導(dǎo)電金屬其中之一或其組合，其中所述的電極基板的所述的基底具有多個(gè)像 素區(qū)域，各所述的像素區(qū)域具有一像素長(zhǎng)度及一像素寬度，各所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一長(zhǎng)度 為所述的像素長(zhǎng)度的1/20倍至1倍、各所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一寬度為所述的像素寬度的 1/20倍至1倍，以及各所述的遮蔽結(jié)構(gòu)的一厚度為0.01微米至5微米。
19.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的主動(dòng)陣列基板還包括一 遮蔽電壓連接墊，所述的遮蔽結(jié)構(gòu)與所述的遮蔽電壓連接墊電性連接，所述的液晶顯示 面板，還包含一連接件，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板以及所述的電極基板之間，用以連 接所述的遮蔽結(jié)構(gòu)以及所述的遮蔽電壓連接墊。
20.—種液晶顯示面板，其特征在于，該液晶顯示面板包含 一主動(dòng)陣列基板，包含一基底；多條掃描線，設(shè)置于所述的基底上； 多條數(shù)據(jù)線，且與等掃描線垂直； 多個(gè)像素電極；以及多個(gè)主動(dòng)元件，各所述的主動(dòng)元件對(duì)應(yīng)至所述的掃描線其中之一、所述的數(shù)據(jù)線其 中之一及所述的像素電極其中之一，各所述的主動(dòng)元件分別與相對(duì)應(yīng)的所述的掃描線、 所述的數(shù)據(jù)線及所述的像素電極電性連接以界定一像素區(qū)以及一非顯示區(qū)；至少一輔助電極，設(shè)置于所述的主動(dòng)陣列基板的所述的基底上，并位于所述的非顯 示區(qū)內(nèi)，所述的至少一輔助電極用以接收一輔助電壓； 一電極基板，包含 一基底；以及一共通電極，設(shè)置于所述的電極基板的所述的基底上，所述的共通電極用以接收一 共通電壓；以及一液晶層，位于所述的主動(dòng)陣列基板以及所述的電極基板之間，包含 多個(gè)液晶分子；以及多個(gè)離子，所述的離子的一預(yù)定比例位于所述的非顯示區(qū)內(nèi)。
21.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的輔助電壓與所述的共通 電壓的差值的絕對(duì)值不大于1伏特。
22.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的輔助電壓與所述的共通 電壓的差值的絕對(duì)值為3伏特至20伏特。
23.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述的非顯示區(qū)內(nèi)離子濃度為 所述的顯示區(qū)內(nèi)離子濃度的2倍至900倍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電極基板及液晶顯示面板。液晶顯示面板包含該主動(dòng)陣列基板、該電極基板以及一液晶層。該主動(dòng)陣列基板包含一基底、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極及多個(gè)主動(dòng)元件。所述的掃描線與所述的數(shù)據(jù)線設(shè)置于該基底上且互相垂直。各該主動(dòng)元件分別與相對(duì)應(yīng)的該掃描線、該數(shù)據(jù)線及該像素電極電性連接以界定一像素區(qū)以及一非顯示區(qū)。該電極基板包含一基底以及一位于該基底上的共通電極。該液晶層設(shè)置于該主動(dòng)陣列基板以及該電極基板之間。該液晶層包含多個(gè)液晶分子及多個(gè)離子。所述的液晶分子具有一起始電壓以及一飽和電壓。所述的離子的一定比例位于該非顯示區(qū)內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102023447SQ201010524368
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2008年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月8日
發(fā)明者丁天倫, 劉品妙, 廖干煌, 陳東佑, 陳予潔 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司