專利名稱：去邊寬度檢測方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種去邊寬度檢測方法及裝置。
背景技術(shù)：
半導體器件制造過程中，由于工藝技術(shù)的局限，晶片邊緣往往是缺陷很高的地方， 為了提高產(chǎn)品的成品率，需要在旋涂光刻膠后將晶片邊緣可能造成缺陷的、特定寬度的光刻膠去掉。去除晶片邊緣特定寬度光刻膠的方法有兩種，一種是EBR(Edge BeadRemoval，去除邊圈)方法在旋涂光刻膠后，光刻膠在離心力的作用下流到晶片的邊緣或者背面，干燥后，這些光刻膠容易剝落并產(chǎn)生顆粒，從而在后續(xù)的工藝過程中成為缺陷或故障的來源， EBR方法是在光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠器上裝配一個噴嘴，從所述噴嘴內(nèi)噴出少量可以去除光刻膠的溶劑到晶片的邊緣及背面，利用所噴的溶劑和光刻膠相似相容的特性將光刻膠去除。另一種是TOE(Wafer Edge Exposure，晶片邊緣曝光去邊)方法對晶片邊緣特定寬度的光刻膠進行曝光，然后利用顯影液將晶片邊緣特定寬度的光刻膠去除，從而避免邊緣處光刻膠轉(zhuǎn)移到背面(例如，硬烤過程中光刻膠就有可能流動到背面)，使后續(xù)的工藝過程保持清潔。上述兩種方法都可用來去除晶片邊緣特定寬度的光刻膠，但是，去除光刻膠的寬度(簡稱去邊寬度)的準確度，直接影響到晶片上的有效面積，例如，當晶片為8英寸時，如果去邊寬度為3毫米，則晶片上得到的有效管芯為844個，如果去邊寬度為1. 6毫米，則有效管芯變?yōu)?60個，兩者相差2% ；當晶片為12英寸時，如果將去邊寬度從原先的1. 5毫米變?yōu)?毫米，則晶片上損失的有效面積約為1400平方毫米，且當管芯的面積越小，損失的管芯數(shù)目就越多。因此，為了準確控制實際可生產(chǎn)的管芯數(shù)目，需要精確檢測去邊寬度。目前常用的檢測去邊寬度的方法有兩種第一，采用直尺或游標卡尺(統(tǒng)稱尺子) 進行測量，采用此方法測量時，鑒于尺子放在晶片上會劃傷晶片表面，因此，需要將尺子懸空進行測量，參見圖1，從尺子104上讀取晶片101的物理邊緣102和去邊邊緣103之間的距離。該方法一是由于尺子懸空，二是由于目測，故測量結(jié)果很不準確。第二，采用目鏡帶刻度的顯微鏡進行測量，此方法也是通過人為來讀取去邊寬度，因此測得的去邊寬度至少有0. 5mm的誤差，相比一般去邊寬度0. Imm的精度要求來說，該方法得到的結(jié)果也不夠準確；且目鏡帶刻度的顯微鏡成本較高，不是所有半導體企業(yè)都具有的，使用范圍受限。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種去邊寬度檢測方法及裝置，能夠準確檢測出去邊寬度， 滿足去邊寬度的精度要求，且使用范圍不受限制。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種去邊寬度檢測方法，所述方法包括
利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位；從初始坐標引出射線分別與晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣相交，得到晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點；獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標，將該坐標記為第一坐標；獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標，將該坐標記為第二坐標；根據(jù)所述第一坐標和第二坐標，計算得到晶片的去邊寬度。優(yōu)選的，利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位具體包括將晶片置于疊對量測儀器的機臺上；調(diào)整晶片的位置，使晶片中心位于所述機臺的坐標原點處。優(yōu)選的，獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標具體包括移動晶片，使晶片物理邊緣上的第一點處于疊對量測儀器的可視窗口的幾何中心；從疊對量測儀器的坐標窗口讀取晶片物理邊緣上第一點的坐標。優(yōu)選的，獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標具體包括沿晶片上經(jīng)過所述第一點的半徑移動晶片，使晶片去邊邊緣上的第二點處于疊對量測儀器的可視窗口的幾何中心；從疊對量測儀器的坐標窗口讀取晶片去邊邊緣上第二點的坐標。優(yōu)選的，所述可視窗口的幾何中心為具有十字形形狀的中心。優(yōu)選的，所述第一坐標和第二坐標的橫坐標均為0。優(yōu)選的，所述第一坐標和第二坐標的縱坐標均為0。優(yōu)選的，計算得到晶片的去邊寬度之后還包括至少測量晶片物理邊緣上除所述第一點之外的其他兩點對應(yīng)的去邊寬度，并對各去邊寬度求平均值。本發(fā)明還提供了一種去邊寬度檢測裝置，所述裝置包括定位單元、讀取坐標單元和計算單元；其中所述定位單元用于對晶片進行初始坐標定位；所述讀取坐標單元用于確定晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的位置，并分別讀取物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標；所述計算單元用于根據(jù)所述讀取坐標單元讀取到的晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標計算相應(yīng)的去邊寬度。優(yōu)選的，所述定位單元包括判斷子單元和調(diào)整子單元；其中所述判斷子單元用于判斷晶片中心是否位于機臺的坐標原點處，如果否，則由所述調(diào)整子單元對晶片的位置進行調(diào)整，使晶片中心位于機臺的坐標原點處。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的去邊寬度檢測方法，首先利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位，然后從初始坐標引出射線找到晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點，接著分別讀取所述晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點的坐標，根據(jù)這兩點的坐標即可計算出晶片的去邊寬度。所述疊對量測儀器一般用于測試晶片上圖形層與層之間的套刻精度，此處用來測量晶片的去邊寬度，由疊對量測儀器測量出的去邊寬度相比人為讀數(shù)得出的去邊寬度要準確，且所測去邊寬度滿足精度要求；另夕卜，由于所述疊對量測儀器成本較低，適合于各企業(yè)所用，因此，使用范圍不受限制。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中用尺子測量去邊寬度的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例所提供的一種去邊寬度檢測方法流程圖；圖3為本發(fā)明實施例所提供的一種去邊寬度檢測裝置示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。正如背景技術(shù)部分所述，采用尺子測量晶片的去邊寬度，得到的結(jié)果極不準確；采用目鏡帶刻度的顯微鏡進行測量，結(jié)果也是差強人意，且目鏡帶刻度的顯微鏡成本較高，不能普及使用。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，造成去邊寬度測量結(jié)果不夠準確的本質(zhì)原因在于采用尺子或目鏡帶刻度的顯微鏡進行測量，均需要人們通過肉眼來觀察并讀取晶片物理邊緣和去邊邊緣上相應(yīng)點的刻度，進而計算晶片的去邊寬度。人為讀取相應(yīng)的刻度，使得測量結(jié)果中帶有人為主觀的因素，因此測量結(jié)果不夠準確?；诖?，本發(fā)明提供一種去邊寬度檢測方法，所述方法包括利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位；從初始坐標引出射線分別與晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣相交， 得到晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點；獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標，將該坐標記為第一坐標；獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標，將該坐標記為第二坐標； 根據(jù)所述第一坐標和第二坐標，計算得到晶片的去邊寬度。下面結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明所提供的去邊寬度檢測方法。參見圖2，圖2為本發(fā)明實施例所提供的一種去邊寬度檢測方法流程圖，所述方法具體包括如下步驟步驟1 利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用疊對量測儀器代替尺子或目鏡帶刻度的顯微鏡，進而對晶片去邊寬度進行測量。本步驟又可包括如下兩個步驟步驟11 將晶片置于疊對量測儀器的機臺上。本發(fā)明采用疊對(Overlay)量測儀器對晶片去邊寬度進行測量，所述Overlay量測儀器為半導體器件制作過程中用來測量晶片上圖形層與層之間套刻精度的，該儀器上設(shè)
6置有高精度定位系統(tǒng)，所述高精度定位系統(tǒng)能夠?qū)ξ挥贠verlay量測儀器機臺上的器件進行定位，即能夠客觀地給出機臺上器件的相對位置坐標，故在測量晶片去邊寬度之前，需要將待測晶片置于Overlay量測儀器的機臺上。步驟12 調(diào)整晶片的位置，使晶片中心位于所述機臺的坐標原點處。所述Overlay量測儀器的機臺被高精度定位系統(tǒng)默認為是一個標準的坐標系，當待測晶片被置于所述機臺上時，所述高精度定位系統(tǒng)會根據(jù)相應(yīng)的程序設(shè)置對機臺上的待測晶片進行位置調(diào)整，可調(diào)整晶片中心和晶片上缺口均處于較合適的位置，便于后續(xù)測量。 本發(fā)明實施例中調(diào)整晶片的位置，使晶片中心位于所述機臺的坐標原點處。當然，通過設(shè)置不同的程序，可以調(diào)整晶片中心位于機臺上的其他非坐標原點處，這對后續(xù)測量沒有影響。步驟2 從初始坐標引出射線分別與晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣相交，得到晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點。晶片物理邊緣指的是晶片實體的邊緣，由于晶片一般為圓形，故晶片物理邊緣為圓形。晶片去邊邊緣指的是采用EBR或TOE方法、去除晶片邊緣特定寬度的光刻膠后剩余光刻膠的邊緣，所述晶片去邊邊緣一般也是圓形。在步驟1中已經(jīng)對晶片進行了初始坐標定位，本實施例中使晶片中心和機臺的坐標原點重合。從初始坐標(亦即晶片中心)引出射線分別與晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣相交，得到兩個交點，本實施例中將晶片物理邊緣上的交點記為晶片物理邊緣上第一點，以區(qū)分晶片物理邊緣上的其他點，將晶片去邊邊緣上的交點記為晶片去邊邊緣上第二點。步驟3 獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標，將該坐標記為第一坐標。本步驟中所述獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標又可包括如下步驟步驟31 移動晶片，使晶片物理邊緣上的第一點處于Overlay量測儀器的可視窗口的幾何中心。為了獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標，首先需要移動晶片，使晶片物理邊緣上的第一點位于Overlay量測儀器的可視窗口內(nèi)，所述可視窗口為人們通過鏡頭所能看到的、且在Overlay量測儀器的顯示界面上顯示出來的區(qū)域。步驟12中已經(jīng)對位于Overlay量測儀器機臺上的晶片的位置進行了調(diào)整，此時， 所述晶片和Overlay量測儀器機臺的相對位置不再變化，移動Overlay量測儀器的機臺可達到移動晶片的目的，即所述晶片和Overlay量測儀器機臺作為一個整體一起移動。具體移動過程，可通過Overlay量測儀器顯示界面上的上下左右按鈕來實現(xiàn)，通過人為手動按動按鈕，即可使所述晶片和Overlay量測儀器的機臺一起移動，移動到直至晶片物理邊緣上的第一點位于Overlay量測儀器的可視窗口內(nèi)，且滿足所述第一點位于所述可視窗口的幾何中心。本實施例中所述可視窗口的幾何中心為具有十字形形狀的中心，這樣能夠準確地移動晶片使所述第一點和所述可視窗口的幾何中心重合。當然，所述可視窗口的幾何中心還可以設(shè)置成別的圖形的幾何中心，如圓的圓心，矩形的中心等。步驟32 從Overlay量測儀器的坐標窗口讀取晶片物理邊緣上第一點的坐標。由于所述晶片和Overlay量測儀器機臺的相對位置不變，故所述晶片在Overlay 量測儀器機臺所示的坐標系內(nèi)的坐標不變，當移動晶片至晶片物理邊緣上第一點處于 Overlay量測儀器的可視窗口的幾何中心時，由Overlay量測儀器的高精度定位系統(tǒng)計算出所述第一點的坐標，并將所述第一點的坐標在Overlay量測儀器的坐標窗口上顯示出來，從而便于人們直觀地讀取所述第一點的坐標。所述坐標窗口也是Overlay量測儀器顯示界面上的一個區(qū)域。記錄晶片物理邊緣上第一點的坐標為第一坐標。步驟4 獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標，將該坐標記為第二坐標。本步驟中獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標又可包括如下步驟步驟41 沿晶片上經(jīng)過所述第一點的半徑移動晶片，使晶片去邊邊緣上的第二點處于Overlay量測儀器的可視窗口的幾何中心。無論采用EBR還是TOE方法進行去膠，所得到的晶片去邊邊緣均指去除晶片邊緣特定寬度的光刻膠后剩余光刻膠的邊緣，所述晶片去邊邊緣一般也是圓形，且所述晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣為同心圓，所述同心圓的圓心為晶片的中心。對于晶片物理邊緣上的任何一點，在晶片去邊邊緣上均能找到與其相對應(yīng)的唯一的點，且晶片物理邊緣和去邊邊緣上相對應(yīng)的兩點的連線通過晶片的中心。本步驟中沿晶片上經(jīng)過所述第一點的半徑移動晶片，找到所述第一點對應(yīng)的晶片去邊邊緣上的點，即為晶片去邊邊緣上的第二點，且使所述第二點處于Overlay量測儀器的可視窗口的幾何中心。步驟42 從Overlay量測儀器的坐標窗口讀取晶片去邊邊緣上第二點的坐標。當晶片去邊邊緣上第二點處于Overlay量測儀器的可視窗口的幾何中心時，由 Overlay量測儀器的高精度定位系統(tǒng)計算出所述第二點的坐標，并將該點坐標在Overlay 量測儀器的坐標窗口顯示出來。記錄晶片去邊邊緣上第二點的坐標為第二坐標。需要說明的是，步驟3和步驟4的順序可以互換，即可以先獲取晶片去邊邊緣上待測點的坐標，然后獲取與晶片去邊邊緣上待測點相對應(yīng)的晶片物理邊緣上點的坐標。步驟5 根據(jù)所述第一坐標和第二坐標，計算得到晶片的去邊寬度。根據(jù)步驟3和步驟4分別所獲取的晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點的坐標(即所述第一坐標和第二坐標)，結(jié)合兩點間的距離公式，計算得到晶片的去邊寬度。優(yōu)選的，在步驟3中通過移動晶片至一個合適位置，使所述第一坐標的橫坐標為 0，這樣，步驟4中所獲取的第二坐標的橫坐標也為0，最后在步驟5中計算所述第一坐標和第二坐標之間的距離時將變得簡單。同理，可以移動晶片使所述第一坐標和第二坐標的縱坐標均為0，進而計算晶片的去邊寬度。在測量出晶片的去邊寬度之后，為了使得計算結(jié)果更加準確、可靠，還可以在晶片物理邊緣上再重新找兩個以上不同于所述第一點的點，分別測量并計算這些點對應(yīng)的去邊寬度，最后對所測得的各去邊寬度求和、取平均值。無論是采用EBR還是TOE方法去除晶片邊緣的光刻膠，得到的去邊寬度均可由本發(fā)明所提供的檢測方法來檢測。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過Overlay量測儀器的高精度定位系統(tǒng)來確定晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標，進而根據(jù)所確定的坐標計算晶片的去邊寬度，由于所述高精度定位系統(tǒng)能夠客觀、準確地給出各點坐標，故所計算出的去邊寬度相比人為讀數(shù)所得結(jié)果要準確，且所述高精度定位系統(tǒng)確定出的坐標精度達到0. 1mm，滿足去邊寬度的精度要求。除此之外，所述Overlay量測儀器為一般半導體器件制作過程中所普遍使用的測量儀器，成本較低，普及于各半導體企業(yè)，因此，使用范圍不受限制。本發(fā)明還提供了一種去邊寬度檢測裝置，所述去邊寬度檢測裝置在Overlay量測儀器的基礎(chǔ)上做了相應(yīng)的改進。參見圖3，所述裝置具體包括定位單元201、讀取坐標單元 202和計算單元203。其中，所述定位單元201用于對晶片進行初始坐標定位；所述讀取坐標單元202用于確定晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的位置，并分別讀取晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標；所述計算單元203用于根據(jù)所述讀取坐標單元202讀取到的晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標計算相應(yīng)的去邊寬度。優(yōu)選的，所述定位單元201包括判斷子單元和調(diào)整子單元；其中，所述判斷子單元用于判斷晶片中心是否位于機臺的坐標原點處，如果是，則由讀取坐標單元202執(zhí)行后續(xù)操作；如果否，則由所述調(diào)整子單元對晶片的位置進行調(diào)整，使晶片中心位于機臺的坐標原點處。對于裝置實施例而言，由于其基本對應(yīng)于方法實施例，所以相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現(xiàn)本實施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動的情況下，即可以理解并實施。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備
所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種去邊寬度檢測方法，其特征在于，包括 利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位；從初始坐標引出射線分別與晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣相交，得到晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上第二點；獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標，將該坐標記為第一坐標； 獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標，將該坐標記為第二坐標； 根據(jù)所述第一坐標和第二坐標，計算得到晶片的去邊寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位具體包括將晶片置于疊對量測儀器的機臺上；調(diào)整晶片的位置，使晶片中心位于所述機臺的坐標原點處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標具體包括移動晶片，使晶片物理邊緣上的第一點處于疊對量測儀器的可視窗口的幾何中心； 從疊對量測儀器的坐標窗口讀取晶片物理邊緣上第一點的坐標。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標具體包括沿晶片上經(jīng)過所述第一點的半徑移動晶片，使晶片去邊邊緣上的第二點處于疊對量測儀器的可視窗口的幾何中心；從疊對量測儀器的坐標窗口讀取晶片去邊邊緣上第二點的坐標。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述可視窗口的幾何中心為具有十字形形狀的中心。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一坐標和第二坐標的橫坐標均為O0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一坐標和第二坐標的縱坐標均為O0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，計算得到晶片的去邊寬度之后還包括至少測量晶片物理邊緣上除所述第一點之外的其他兩點對應(yīng)的去邊寬度，并對各去邊寬度求平均值。
9.一種去邊寬度檢測裝置，其特征在于，包括定位單元、讀取坐標單元和計算單元； 其中所述定位單元用于對晶片進行初始坐標定位；所述讀取坐標單元用于確定晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的位置，并分別讀取物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標；所述計算單元用于根據(jù)所述讀取坐標單元讀取到的晶片物理邊緣和去邊邊緣上待測點的坐標計算相應(yīng)的去邊寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述定位單元包括判斷子單元和調(diào)整子單元；其中所述判斷子單元用于判斷晶片中心是否位于機臺的坐標原點處，如果否，則由所述調(diào)整子單元對晶片的位置進行調(diào)整，使晶片中心位于機臺的坐標原點處。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種去邊寬度檢測方法及裝置。所述方法包括利用疊對量測儀器對晶片進行初始坐標定位；從初始坐標引出射線分別與晶片去邊邊緣和晶片物理邊緣相交，得到晶片物理邊緣上第一點和晶片去邊邊緣上的第二點；獲取晶片物理邊緣上第一點的坐標，將該坐標記為第一坐標；獲取晶片去邊邊緣上第二點的坐標，將該坐標記為第二坐標；根據(jù)所述第一坐標和第二坐標，計算得到晶片的去邊寬度。根據(jù)本發(fā)明所提供的方法計算出的去邊寬度，相比傳統(tǒng)方法得到的結(jié)果要準確，且滿足去邊寬度的精度要求；而且，本發(fā)明所采用的疊對量測儀器成本較低，適合于各企業(yè)使用，因此，使用范圍不受限制。
文檔編號H01L21/00GK102456594SQ20101052813
公開日2012年5月16日 申請日期2010年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月1日
發(fā)明者張賢識, 李玉華, 錢志浩, 陳剛 申請人:無錫華潤上華半導體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司