專(zhuān)利名稱(chēng)：電介質(zhì)陶瓷組合物及電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及新型電介質(zhì)陶瓷組合物和將該電介質(zhì)陶瓷組合物用作電介質(zhì)層的疊 層陶瓷電容器等電子部件。
背景技術(shù)：
用于電容器等電子部件中的電介質(zhì)材料之一有鈦酸鋇。該鈦酸鋇通常具有正方晶 體或立方晶體結(jié)構(gòu)。目前，通過(guò)鈦酸鋇的微粉化使其為薄層、多層，進(jìn)行電容器等的電容擴(kuò) 大。但是，隨著鈦酸鋇微細(xì)化，材料本身的介電常數(shù)降低的稱(chēng)為尺寸效應(yīng)的現(xiàn)象愈發(fā) 顯著，對(duì)今后的電子部件開(kāi)發(fā)構(gòu)成嚴(yán)重問(wèn)題。S卩，因?yàn)樵谡骄w鈦酸鋇中，尺寸效應(yīng)導(dǎo)致介電常數(shù)降低，所以如目前所述的薄 層·多層化可能無(wú)法進(jìn)行電容擴(kuò)大，需要開(kāi)發(fā)出沒(méi)有尺寸效應(yīng)或影響小的電介質(zhì)材料。作為上述電介質(zhì)材料，著眼于例如六方晶體鈦酸鋇。但是，在鈦酸鋇的結(jié)晶結(jié)構(gòu) 中，六方晶體結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)穩(wěn)定相，通常只可以存在于1460°C以上。因此，為了在室溫下得到六 方晶體鈦酸鋇，需要從1460°C以上的高溫開(kāi)始驟冷。因此，例如在非專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了使用BaC03、TiO2及Mn3O4作為起始原料，對(duì) 其進(jìn)行熱處理。由此能夠降低向六方晶體的相變溫度，所以從1460°C以下的溫度開(kāi)始驟冷， 得到Mn固溶的六方晶體鈦酸鋇。但是，將通過(guò)非專(zhuān)利文獻(xiàn)1所示的方法得到的六方晶體鈦酸鋇實(shí)際用作電容器的 電介質(zhì)層時(shí)，構(gòu)成電介質(zhì)層的粒徑變大，所以難以用于疊層電容器。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明人等提出通過(guò)在六方晶體鈦酸鋇內(nèi)添加La等，使介電常數(shù) 提高。但是，添加了 La等的六方晶體鈦酸鋇在絕緣電阻降低的同時(shí)，比介電常數(shù)因氛圍溫 度而發(fā)生較大變動(dòng)，所以不適合直接用作電容器等電子部件。非專(zhuān)利文獻(xiàn)1WangSea-Fur、其他4人、《六方晶Ba(TihMnx)O3陶瓷的性質(zhì)燒 giUit&Mri fi白勺;Ii口向(Properties of Hexagonal Ba(Ti1JMx)O3 Ceramics =Effects of Sintering Temperature and MnContent) ))> Η^^Μ^ Μ^^^ (Japanese Journal of Applied Physics) ,2007 年、Vol. 46，No. 5A, 2978-298
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述實(shí)際情況完成的，其目的在于提供即使因尺寸效應(yīng)介電常數(shù)也 難以降低、并且容易同時(shí)實(shí)現(xiàn)高絕緣電阻和介電常數(shù)、絕緣電阻和比介電常數(shù)的溫度變化 小的新型電介質(zhì)陶瓷組合物和將該電介質(zhì)陶瓷組合物用作電介質(zhì)層的疊層陶瓷電容器等 電子部件。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物是形成了電介質(zhì)粒子的電介質(zhì)陶 瓷組合物，其中，上述電介質(zhì)粒子具有
由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的核、和形成在上述核的外周的由立方晶體或正方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的殼。本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物不只是六方晶體鈦酸鋇單獨(dú)的電介質(zhì)粒子，具有由核 和殼構(gòu)成的電介質(zhì)粒子，所述核由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成，所述殼由立方晶體或正方晶體鈦 酸鋇構(gòu)成?？紤]到該電介質(zhì)粒子的核由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成，可以期待即使尺寸效應(yīng)也難 以使介電常數(shù)降低。另外，本發(fā)明人等確認(rèn)了通過(guò)采用將由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的核用由立方晶體或 正方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的殼覆蓋的核殼結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高絕緣電阻和介電常數(shù)。并且，本 發(fā)明人等確認(rèn)了通過(guò)采用該核殼結(jié)構(gòu)，能夠減少絕緣電阻及比介電常數(shù)的溫度變化。優(yōu)選上述六方晶體鈦酸鋇用通式(BabMlJjTiniCjBA表示，上述Ml的有效離子半徑相對(duì)于12配位時(shí)的Ba2+的有效離子半徑為-20%以上 +20%以下(士20%以?xún)?nèi))，上述M2的有效離子半徑相對(duì)于6配位時(shí)的Ti4+的有效離子半徑為-20%以上 +20%以下(士20%以?xún)?nèi))，上述A、B、α 及 β 滿(mǎn)足 0. 900 彡(Α/Β)彡 1. 040,0 彡 α 彡 0. 10,0 彡 β 彡 0. 2
的關(guān)系。優(yōu)選上述立方晶體或正方晶體鈦酸鋇與上述六方晶體鈦酸鋇的晶體結(jié)構(gòu)不同，用 上述通式(BanMUACriHi^)^表示。在上述電介質(zhì)粒子彼此間可以形成晶界，副元素可以擴(kuò)散至上述晶界和/或上述殼。本發(fā)明的電子部件是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由上述任一項(xiàng)所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器的剖面簡(jiǎn)圖。圖2是圖1所示的電介質(zhì)層的要部放大剖面圖。圖3是圖2所示的電介質(zhì)粒子的核殼結(jié)構(gòu)中的核和殼通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定 的電子解析圖案。圖4是圖2所示的電介質(zhì)粒子的XRD測(cè)定結(jié)果，使燒成時(shí)的氧分壓變化的曲線(xiàn)圖。圖5是圖2所示的電介質(zhì)粒子的示意圖。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的電介質(zhì)陶瓷組合物的絕緣電阻的溫度變化的曲線(xiàn) 圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的電介質(zhì)陶瓷組合物的比介電常數(shù)的溫度變化的曲 線(xiàn)圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的電介質(zhì)陶瓷組合物的絕緣電阻的溫度變化的曲線(xiàn) 圖。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的電介質(zhì)陶瓷組合物的比介電常數(shù)的溫度變化的曲 線(xiàn)圖。符號(hào)說(shuō)明
1...疊層陶瓷電容器
2...電介質(zhì)層
2a...電介質(zhì)粒子
22a.··核
24a.
2b.. 晶界
3...內(nèi)部電極層
4...外部電極
10.. 電容器元件主體
具體實(shí)施例方式以下基于附圖所示的實(shí)施方式說(shuō)明本發(fā)明。第1實(shí)施方式在本實(shí)施方式中，作為電子部件，以圖1所示的疊層陶瓷電容器1為例進(jìn)行說(shuō)明， 但本發(fā)明并不限定于電介質(zhì)層疊層的電容器。另外，本發(fā)明并不限于電容器，也可以適用于 具有電介質(zhì)層的其他電子部件。陶瓷電容器如圖1所示，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件的疊層陶瓷電容器1具有電 介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層3交替疊層的電容器元件主體10。在電容器元件主體10的兩端部， 形成在元件主體10的內(nèi)部交替配置的內(nèi)部電極層3和彼此導(dǎo)通的一對(duì)外部電極4。內(nèi)部 電極層3以各端面在電容器元件主體10對(duì)向的2端部的表面交替露出的方式疊層。一對(duì) 外部電極4形成在電容器元件主體10的兩端部，連接在交替配置的內(nèi)部電極層3的露出端 面，構(gòu)成電容器電路。電容器元件主體10的外形或尺寸沒(méi)有特別限定，可以根據(jù)用途適當(dāng)設(shè)定，通常， 外形大致為長(zhǎng)方體形狀，尺寸通?？梢詾殚L(zhǎng)(0.4 5. 6mm) X寬(0. 2 5. 0mm) X高 (0. 2 1. 9mm)左右。電介質(zhì)層圖1所示的電介質(zhì)層2如圖2所示包含多個(gè)電介質(zhì)粒子(晶粒) 和形成在鄰接 的多個(gè)電介質(zhì)粒子加間的晶界2b構(gòu)成。電介質(zhì)粒子(晶粒)2a由核2 和形成在核2 的外周的殼2 構(gòu)成，所述核22a由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成，所述殼2 由立方晶體或正方晶 體鈦酸鋇構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，電介質(zhì)粒子加的核殼結(jié)構(gòu)是指為電介質(zhì)粒子的中心部的核 (核)2 和被覆該核2 的表面的殼(shell) 2 的結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同，但以幾乎相同的組成一 體化的結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，幾乎相同的組成是指副成分稍微擴(kuò)散到殼，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)核2 和 殼2 也可以是稍微不同的組成。如圖3所示，如果通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定核2 進(jìn)行電子解析，則觀察到六方 晶體鈦酸鋇特有的圖案，如果通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定殼2 進(jìn)行電子解析，則觀察到 正方晶體或立方晶體鈦酸鋇特有的圖案。另外，如果使用X射線(xiàn)衍射裝置僅對(duì)圖2所示的電介質(zhì)粒子加的對(duì)應(yīng)于核2 的部分進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定，則如圖4所示的實(shí)線(xiàn)所示，只呈現(xiàn)六方晶體鈦酸鋇 特有的峰。雖然難以用現(xiàn)有的X射線(xiàn)衍射裝置僅測(cè)定圖2所示的電介質(zhì)粒子加的對(duì)應(yīng)于 核22a的部分，但容易對(duì)電介質(zhì)層2的一部分進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定。進(jìn)行該測(cè)定時(shí)，在本實(shí)施方式中，如圖4所示的單點(diǎn)鏈狀線(xiàn)所示，出現(xiàn)六方晶體鈦 酸鋇特有的峰和立方晶體或正方晶體鈦酸鋇特有的峰。這種情況推測(cè)構(gòu)成本實(shí)施方式的電 介質(zhì)層2的電介質(zhì)粒子具有上述核殼結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，如下所述，以由幾乎不含立方晶體或正方晶體鈦酸鋇的原料粉 的六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的原料粉為主成分，根據(jù)需要添加副成分，進(jìn)行燒成，由此制造電介 質(zhì)層2。由此，在進(jìn)行XRD圖案的測(cè)定時(shí)，出現(xiàn)用圖4所示的單點(diǎn)鏈狀線(xiàn)表示的二個(gè)峰的情 況下，推測(cè)電介質(zhì)粒子加具有上述核殼結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式的核殼結(jié)構(gòu)中，殼2 不必完全覆蓋核2 的整個(gè)周?chē)?，也可以稍?露出核22a。從上述觀點(diǎn)考慮，如圖5所示，電介質(zhì)粒子加的殼Ma中的最大厚度tl大于 0、為該電介質(zhì)粒子加中的核2 不消失的程度的大小，最小厚度t2可以為0。在本實(shí)施方式的核殼結(jié)構(gòu)中，核2 和殼2 的邊界不必明確，只要六方晶體鈦酸 鋇至少存在于電介質(zhì)粒子加的中心附近，立方晶體或正方晶體的殼2 存在于表面附近 (晶界附近)即可。需要說(shuō)明的是，電介質(zhì)層2中的電介質(zhì)粒子加整體的平均粒徑D50 (單位μ m)是 將電容器元件主體10在電介質(zhì)層2及內(nèi)部電極層3的疊層方向切斷，測(cè)定圖2所示的剖面 中200個(gè)以上電介質(zhì)粒子加的平均面積，作為圓等效直徑算出直徑，乘以1. 5倍得到的值。 在本實(shí)施方式中，電介質(zhì)粒子加整體的平均粒徑D50以電介質(zhì)層2的厚度為上限，優(yōu)選為 電介質(zhì)層2的厚度的25%以下，更優(yōu)選為15%以下。晶界2b通常以構(gòu)成電介質(zhì)材料或內(nèi)部電極材料的材質(zhì)的氧化物、另外添加的材 質(zhì)的氧化物、進(jìn)而在工序中作為雜質(zhì)混入的材質(zhì)的氧化物為成分。在本實(shí)施方式中，構(gòu)成核2 及殼2 的電介質(zhì)陶瓷組合物的組成沒(méi)有特別限定， 優(yōu)選由以下所示的組成構(gòu)成。S卩，圖2所示的電介質(zhì)層2中的核2 用通式(BanMlahCTiuiCghA表示，上述Ml的有效離子半徑相對(duì)于12配位時(shí)的Ba2+的有效離子半徑為-20%以上 +20%以下(士20%以?xún)?nèi))，上述M2的有效離子半徑相對(duì)于6配位時(shí)的Ti4+的有效離子半徑為-20%以上 +20%以下(士20%以?xún)?nèi))，上述Α、Β、α 及 β 滿(mǎn)足 0· 900 彡(Α/Β)彡 1. 040,0 彡 α 彡 0· 1、0 彡 β 彡 0. 2 的關(guān)系。在上述通式中，α表示元素Ml相對(duì)于Ba的取代比例(六方晶系鈦酸鋇粉末中的 Ml的含量)。在本實(shí)施方式中，圖1所示的電容器1被用于溫度補(bǔ)償，要求在廣泛的溫度范 圍中，比介電常數(shù)等特性的變化小，但并不意味著要求電介質(zhì)層2的比介電常數(shù)本身也那 么高。從上述觀點(diǎn)考慮，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選0 < α < 0.003，更優(yōu)選α < 0.002。 如果Ml的含量過(guò)多，則導(dǎo)致向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫度變高，在原料粉的狀態(tài)下，有難以 得到比表面積大的粉末的傾向。Ba在六方晶體結(jié)構(gòu)中作為Ba2+占據(jù)A位點(diǎn)位置。元素Ml也可以在上述范圍內(nèi)取
6代Ba，存在于A位點(diǎn)位置，A位點(diǎn)也可以只被Ba占據(jù)。S卩，元素Ml也可以不含有在六方晶 體鈦酸鋇中。元素Ml如上所述優(yōu)選相對(duì)于12配位時(shí)的Ba2+的有效離子半徑(1.61pm)具 有-20%以上+20%以下(士20%以?xún)?nèi))的有效離子半徑。通過(guò)使Ml具有上述有效離子半 徑，能夠容易地取代Ba。具體而言，作為元素Ml，優(yōu)選為從Dy、Gd、Ho、Y、Er、Yb、La、Ce及Bi中選擇的至少 1個(gè)。元素Ml可以根據(jù)所希望的特性進(jìn)行選擇，優(yōu)選為L(zhǎng)a。上述式中的β表示元素Μ2相對(duì)于Ti的取代比例(六方晶系鈦酸鋇粉末中的元 素Μ2的含量)，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選為0.03彡β彡0.20，更優(yōu)選為0.05彡β彡0. 15。 無(wú)論元素Μ2的含量過(guò)少還是過(guò)多，都會(huì)導(dǎo)致向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫度提高，在原料粉的 狀態(tài)下，有無(wú)法得到比表面積大的粉末的傾向。Ti在六方晶體結(jié)構(gòu)中作為T(mén)i4+占據(jù)B位點(diǎn)位置，但在本實(shí)施方式中，元素Μ2在上 述范圍內(nèi)取代Ti，存在于B位點(diǎn)位置。即，元素Μ2固溶于鈦酸鋇。通過(guò)使元素Μ2存在于B 位點(diǎn)位置，能夠降低鈦酸鋇中從正方晶體·立方晶體結(jié)構(gòu)向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫度。元素Μ2如上所述優(yōu)選相對(duì)于6配位時(shí)的Ti4+的有效離子半徑具有-20 %以上 +20%以下(士20%以?xún)?nèi))的有效離子半徑。通過(guò)使元素Μ2具有上述有效離子半徑，能夠容 易地取代Ti。作為元素Μ2，具體可以舉出Mn、Ga、Cr、Co、Fe、Ir、Ag，優(yōu)選為Mn。上述式中的A和B分別表示占據(jù)A位點(diǎn)的元素(Ba及Ml)的比例和占據(jù)B位點(diǎn)的元 素(Ti及M2)的比例。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選為1. 000 <A/B彡1. 040，更優(yōu)選為1. 006 ^ A/ B 彡 1. 036。如果A/B過(guò)小，則在原料粉制造時(shí)，鈦酸鋇生成時(shí)中的反應(yīng)性變高，相對(duì)于溫度， 容易進(jìn)行顆粒成長(zhǎng)。因此，有難以得到細(xì)小粒子、無(wú)法得到所希望的比表面積的傾向。相反， 如果A/B過(guò)大，則原料粉制造時(shí)，Ba所占的比例變多，所以有富含Ba的原鈦酸鋇(Bii2TiO4) 作為異相生成的傾向，故不優(yōu)選。圖2所示的核2 及殼Ma的結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同，但構(gòu)成它們的電介質(zhì)陶瓷組合物的 組成大致相同。但電介質(zhì)陶瓷組合物的原料粉中包含的副成分也可以擴(kuò)散至殼Ma及晶界 2b。作為副成分，可以使用例如如下所述的成分。需要說(shuō)明的是，以下給出各種氧化物的組 成式，氧(0)量也可以與化學(xué)計(jì)量組成稍有偏差。S卩，作為副成分，使用包含選自MgO、CaO及BaO的至少1種堿土類(lèi)氧化物、選自Mn304、CuO、Cr2O3及Al2O3的至少1種金屬氧化物、選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho及Yb的至少1種稀土類(lèi)元素的氧化物、
及SiO2的玻璃成分。包含SW2的玻璃成分被用作燒結(jié)助劑，優(yōu)選使用SiO-B2O3-SW2玻璃、B2O3-SiO2玻 璃、Ba0-Ca0-Si02、SiA等。上述玻璃成分的添加量在以包含上述通式表示的鈦酸鋇的主成 分為100摩爾份時(shí)，以SW2換算優(yōu)選為0 5，更優(yōu)選為0. 5 2摩爾份。玻璃成分以外的副成分的添加量以包含上述通式表示的鈦酸鋇的主成分為100 摩爾份時(shí)，以金屬元素?fù)Q算，優(yōu)選為O 5，更優(yōu)選為0. 1 3摩爾份。
需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)所述的有效離子半徑是基于文獻(xiàn)《R.D. Shannon, Acta CrystalIogr.，A32, 751 (1976)》的值。內(nèi)部電極層圖1所示的內(nèi)部電極層3由實(shí)質(zhì)上作為電極起作用的賤金屬的導(dǎo)電材料構(gòu)成。作 為用作導(dǎo)電材料的賤金屬，優(yōu)選為Ni或Ni合金。作為Ni合金，優(yōu)選為選自Mn、Cr、Co、Al、 Ru、Rh、Ta、Re、Os、Ir、Pt及W等的1種以上和Ni的合金，合金中的Ni含量?jī)?yōu)選為95重 量％以上。需要說(shuō)明的是，在Ni或Ni合金中，P、C、Nb、Fe、Cl、B、Li、Na、K、F、S等各種微 量成分可以包含0. 1重量％以下的程度。在本實(shí)施方式中，內(nèi)部電極層3的厚度被薄層化 為優(yōu)選不足2 μ m、更優(yōu)選在1. 5 μ m以下。外部電極作為圖1所示的外部電極4，通常可以使用Ni、Pd、Ag、Au、Cu、Pt、詘、Ru、Ir等中 的至少1種或它們的合金。通常使用Cu、Cu合金、Ni或Ni合金等、Ag、Ag-Pd合金、In-Ga 合金等。外部電極4的厚度只要根據(jù)用途適時(shí)決定即可，通常優(yōu)選為10 200μπι左右。疊層陶瓷電容器的造方法首先，說(shuō)明制造作為用于形成圖1所示的電介質(zhì)層2的主成分原料粉的六方晶系 鈦酸鋇粉末的方法。最初準(zhǔn)備鈦酸鋇的原料和作為元素Μ2的Mn的原料。只要根據(jù)需要準(zhǔn) 備元素Ml的原料即可。作為鈦酸鋇的原料，可以使用鈦酸鋇(BaTiO3)或構(gòu)成鈦酸鋇的氧化物(Ba0、Ti02) 或其混合物。進(jìn)而，也可以從通過(guò)燒成成為上述氧化物或復(fù)合氧化物的各種化合物、例如碳 酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機(jī)金屬化合物等中適當(dāng)選擇，混合使用。具體而言，作 為鈦酸鋇的原料，可以使用BaTiO3，也可以使用BaCO3及1102。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選使用 BaCO3 及 TiO2。需要說(shuō)明的是，作為鈦酸鋇的原料使用BaTiO3時(shí)，可以為具有正方晶體結(jié)構(gòu)的鈦 酸鋇，也可以為具有立方晶體結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇，還可以為具有六方晶體結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇。另外， 可以為它們的混合物。另外，作為Μ2的原料，可以從Μ2的化合物、例如氧化物、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、 氫氧化物、有機(jī)金屬化合物等中適當(dāng)選擇，混合使用。元素Ml的原料也只需與Μ2的原料相 同即可。隨后將準(zhǔn)備的原料以規(guī)定的組成比進(jìn)行秤量，混合，根據(jù)需要粉碎，得到原料混合 物。作為混合·粉碎的方法，例如可以舉出將原料與水等溶劑一同投入球磨機(jī)等公知的粉 碎容器中，進(jìn)行混合、粉碎的濕式法。另外，也可以通過(guò)使用干式混合機(jī)等進(jìn)行的干式法，進(jìn) 行混合、粉碎。此時(shí)，為了提高投入的原料的分散性，優(yōu)選添加分散劑。作為分散劑，只要使 用公知的物質(zhì)即可。然后根據(jù)需要將得到的原料混合物干燥后進(jìn)行熱處理。另外，熱處理中的保持溫 度只要高于向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫度即可。在本實(shí)施方式中，向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫 度低于1460°C，并且根據(jù)Α/Β、Α位點(diǎn)取代量(α)及B位點(diǎn)取代量(β)等發(fā)生變化，所以保 持溫度也只需對(duì)應(yīng)于此改變即可。為了提高粉末的比表面積，例如優(yōu)選為1050 1250°C。 熱處理可以在減壓下進(jìn)行。通過(guò)進(jìn)行上述熱處理，M2固溶于BaTiO3，用M2取代位于B位點(diǎn)的Ti。結(jié)果，可以
8使向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫度低于熱處理時(shí)的保持溫度，所以容易生成六方晶系鈦酸鋇。 另外，包含元素Ml時(shí)，元素Ml固溶于BaTiO3，取代A位點(diǎn)位置的Ba。經(jīng)過(guò)熱處理中的保持時(shí)間后，為了維持六方晶體結(jié)構(gòu)，由熱處理時(shí)的保持溫度冷 卻至室溫。具體而言，優(yōu)選使冷卻速度為200°C /小時(shí)以上。由此得到包含即使在室溫下也維持六方晶體結(jié)構(gòu)的六方晶體鈦酸鋇作為主成分 的六方晶系鈦酸鋇粉末。判斷得到的粉末是否為六方晶系鈦酸鋇粉末的方法沒(méi)有特別限 定，但在本實(shí)施方式中，通過(guò)X射線(xiàn)衍射測(cè)定進(jìn)行判斷。使用由此得到的六方晶系鈦酸鋇粉末，制造具有電介質(zhì)層及電極層的電子部件。 具體而言，例如如下所述地制造圖1所示的疊層陶瓷電容器1。首先，制作包含本實(shí)施方式 的六方晶系鈦酸鋇粉末的電介質(zhì)糊料和內(nèi)部電極層用糊料，使用刮刀法和/或印刷法等， 將上述糊料形成燒成前電介質(zhì)層和燒成前內(nèi)部電極層。各原料的添加量只要按燒成后成為 上述電介質(zhì)陶瓷組合物的組成進(jìn)行決定即可。接下來(lái)，制作燒成前電介質(zhì)層和燒成前內(nèi)部電極層疊層的生芯片，在由經(jīng)脫粘合 劑工序、燒成工序、根據(jù)需要進(jìn)行的退火工序形成的燒結(jié)體構(gòu)成的電容器元件主體10上形 成外部電極4，制造疊層陶瓷電容器1。在本實(shí)施方式中，燒成時(shí)的氛圍優(yōu)選為還原氛圍。作為還原氛圍中的氛圍氣體， 例如優(yōu)選將隊(duì)和吐的混合氣體加濕進(jìn)行使用。燒成氛圍中的氧分壓優(yōu)選為10_3 10_6Pa。 通過(guò)以規(guī)定值以下的氧分壓進(jìn)行還原燒成，作為燒成前電介質(zhì)層中包含的主成分的六方晶 體鈦酸鋇的粒子的表面被立方晶體化或正方晶體化，進(jìn)行顆粒成長(zhǎng)，成為上述核殼結(jié)構(gòu)。另 外，燒成前電介質(zhì)層中包含的副成分?jǐn)U散到燒成后的晶界及殼。通過(guò)控制燒成氛圍中的氧分壓或燒成溫度，可以控制構(gòu)成燒成后的電介質(zhì)層2的 電介質(zhì)粒子加的平均粒徑或殼Ma的厚度等。如圖4所示，通過(guò)使氧分壓(P02)變化為 10_2 10_8的強(qiáng)還原氛圍，X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案從僅觀察到六方晶體的峰到也觀察到立 方晶體或正方晶體的峰。由此通過(guò)改變?yōu)閺?qiáng)還原氛圍，確認(rèn)了立方晶體或正方晶體的殼被 控制為較厚的程度。在本實(shí)施方式中，通過(guò)采用將由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的核2 用由立方晶體或正 方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的殼2 覆蓋的核殼結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)絕緣電阻和高介電常數(shù)。并且， 通過(guò)采用上述核殼結(jié)構(gòu)，能夠減少比介電常數(shù)的溫度變化。另外，構(gòu)成本實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器的電介質(zhì)層2的電介質(zhì)陶瓷組合物中的 核2 即使在用 、^^^仏-一？^諷表示的六方晶體鈦酸鋇內(nèi)，也是元素Ml的取代量 為0或少、元素M2的取代量比較多的組成。因此，雖然與元素M2的取代量為0或少、元素 Ml的取代量多的組成相比，介電常數(shù)差，但介電常數(shù)的溫度變化率小，絕緣電阻的溫度變化 率也小。因此，本實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器1優(yōu)選用作溫度補(bǔ)償用電容器。第2實(shí)施方式在該第2實(shí)施方式中，除了使圖2所示的電介質(zhì)粒子加中的核2 及殼2 的組 成相對(duì)于第1實(shí)施方式改變之外，與第1實(shí)施方式同樣地使電介質(zhì)層2的比介電常數(shù)顯著提高。S卩，在本實(shí)施方式中，圖2所示的電介質(zhì)層2中的核2 與第1實(shí)施方式同樣為用 通式出 ^^^！^一？丄仏表示的六方晶體鈦酸鋇，但該Α、Β、α及β的范圍與第1實(shí)施方式不同。需要說(shuō)明的是，殼2 是與核2 大致相同的組成，但結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同，由正方 晶體或立方晶體鈦酸鋇構(gòu)成和副成分可擴(kuò)散到殼2 及晶界2b的方面與第1實(shí)施方式相 同。在上述通式中，本實(shí)施方式為了使電介質(zhì)陶瓷組合物的比介電常數(shù)顯著提高，如 下所述地設(shè)定A、B、α及β的范圍。即，0< α彡0. 10，優(yōu)選為0. 003彡α彡0. 05。如果α小，則Ml的含量減少，難
以使比介電常數(shù)顯著提高。相反，如果Ml的含量過(guò)多，則原料粉制造時(shí)，導(dǎo)致向六方晶體結(jié) 構(gòu)的相變溫度提高，存在無(wú)法得到比表面積大的粉末的傾向。另外，在本實(shí)施方式中為0.900彡Α/Β彡1. 040，優(yōu)選為0. 958彡Α/Β彡1.036。進(jìn) 而為0彡β彡0. 2，優(yōu)選為0. 03彡β彡0. 20，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 03彡β彡0. 10。Μ2的含 量為0或少的組成能夠使比介電常數(shù)顯著提高，但六方晶體結(jié)構(gòu)鈦酸鋇原料粉制造時(shí)，導(dǎo) 致向六方晶體結(jié)構(gòu)的相變溫度提高，存在難以制造原料粉的傾向。在本實(shí)施方式中，通過(guò)采用將由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的核2 用由立方晶體或正 方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的殼2 覆蓋的核殼結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)獲得絕緣電阻和高介電常數(shù)。并且， 通過(guò)采用該核殼結(jié)構(gòu)，能夠減小比介電常數(shù)的溫度變化。另外，構(gòu)成本實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器的電介質(zhì)層2的電介質(zhì)陶瓷組合物中的 核2 即使在用(B、αMl α) A (Ti1^M2e) B03表示的六方晶體鈦酸鋇內(nèi)，也是元素Ml的取代 量比較多、元素M2的取代量為0或比較少的組成。因此，與第1實(shí)施方式相比，介電常數(shù)顯 著提高，并且介電常數(shù)的溫度變化率小，絕緣電阻的溫度變化率也小。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各種 改變。例如，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)控制元件主體10在燒成時(shí)的燒成氛圍中的氧分壓 或燒成溫度，實(shí)現(xiàn)構(gòu)成燒成后的電介質(zhì)層2的電介質(zhì)粒子加中的核殼結(jié)構(gòu)。但是，也可以對(duì) 六方晶體鈦酸鋇的粒子進(jìn)行煅燒，通過(guò)選擇該煅燒條件，實(shí)現(xiàn)構(gòu)成燒成后的電介質(zhì)層2的 電介質(zhì)粒子加中的核殼結(jié)構(gòu)。另外，在上述實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的電子部件列舉了疊層陶瓷電容器，但作為 本發(fā)明的電子部件，不限定于疊層陶瓷電容器，只要為由具有上述核殼結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)粒子 的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的具有電介質(zhì)層的部件即可。實(shí)施例以下進(jìn)一步基于詳細(xì)的實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。需 要說(shuō)明的是，在以下的實(shí)施例中，如下所述地測(cè)定“比介電常數(shù)ε ”及“絕緣電阻頂”。(比介電常數(shù)ε及絕緣電阻)在基準(zhǔn)溫度20°C下，用數(shù)字LCR測(cè)定儀(橫河電機(jī)(株)制YHP4274A)，在頻率為 1kHz、輸入信號(hào)水平(測(cè)定電壓)為0. 5VrmS/ym的條件下，對(duì)電容器的試樣測(cè)定靜電電容 C。然后，由得到的靜電電容、疊層陶瓷電容器的電介質(zhì)厚度及內(nèi)部電極彼此的重疊面積，算 出比介電常數(shù)(無(wú)單位)。然后，使用絕緣電阻計(jì)(ADVANTEST公司制R8340A)，測(cè)定在25°C下對(duì)電容器樣品 施加60秒DC50V后的絕緣電阻頂。實(shí)施例1
首先，準(zhǔn)備主成分原料粉及副成分原料粉。作為主成分原料粉，使用通式 (BanMlahCTiniCdBA 表示的六方晶體鈦酸鋇粉，a = 0、β = 0. 15、M2 = Mn,Α/Β = 1。 該六方晶體鈦酸鋇粉使用BaCO3 (比表面積25m2/g)、TiO2 (比表面積50m2/g)及Mn3O4 (比 表面積20m2/g)，通過(guò)固相合成進(jìn)行制造。對(duì)得到的六方晶系鈦酸鋇粉末進(jìn)行X射線(xiàn)衍射時(shí)，可以確認(rèn)為六方晶系鈦酸鋇粉 末。另外，通過(guò)BET法測(cè)定比表面積時(shí)，得到的六方晶系鈦酸鋇粉末通過(guò)BET法測(cè)得的比表 面積為5m2/g。相對(duì)于100摩爾份該六方晶體鈦酸鋇粉，準(zhǔn)備以SiO2換算為1摩爾份的 ZnO-B2O3-SiO2玻璃和以金屬元素?fù)Q算為1摩爾份的選自Y、Gd及Dy的至少1種稀土類(lèi)元素 的氧化物。在其中添加聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂及乙醇類(lèi)的有機(jī)溶劑，用球磨機(jī)混合，進(jìn)行糊料 化，得到電介質(zhì)層用糊料。然后，將100重量份Ni粒子、40重量份有機(jī)載體(將8重量份乙基纖維素溶解在 92重量份丁基卡必醇中得到的)和10重量份丁基卡必醇用三輥磨進(jìn)行混煉，糊料化，得到 內(nèi)部電極層用糊料。將100重量份Cu粒子、35重量份有機(jī)載體(將8重量份乙基纖維素樹(shù)脂溶解在 92重量份丁基卡必醇中得到的)及7重量份丁基卡必醇另行混煉，糊料化，得到外部電極用 糊料。然后，使用上述電介質(zhì)層用糊料，在PET膜上形成厚度2. 5 μ m的生片，在生片上印 刷內(nèi)部電極層用糊料后，從PET膜上剝離生片。然后，將上述生片和保護(hù)用生片(沒(méi)有印刷 內(nèi)部電極層用糊料的生片)疊層，進(jìn)行壓接，得到生疊層體。具有內(nèi)部電極的片的疊層數(shù)為 100 層。然后，將生芯片裁切成規(guī)定尺寸，在下述條件下進(jìn)行脫粘合劑處理、燒成及退火， 得到芯片燒結(jié)體。脫粘合劑處理?xiàng)l件為保持溫度260°C、氛圍空氣中。燒成條件在保持溫 度1000°C下進(jìn)行。氛圍氣體為加濕后的N2+H2混合氣體，氛圍氣體的氧分壓為lX10_8Pa， 使其為還原性氣體。退火條件在通常的條件進(jìn)行。然后，將疊層陶瓷燒成體的端面用噴砂器研磨后，將外部電極用糊料轉(zhuǎn)印到端面， 在加濕后的^+H2氛圍中，在900°C下進(jìn)行燒成，形成外部電極，得到圖1所示構(gòu)成的疊層陶 瓷電容器的樣品。然后在外部電極表面形成鍍Sn膜、鍍M膜，得到測(cè)定用樣品。由此得到的各樣品的尺寸為3. 2mmX 1. 6mmX 1. 6mm，夾在內(nèi)部電極層中的電介質(zhì) 層數(shù)為100，內(nèi)部電極層的厚度為2 μ m。對(duì)于電介質(zhì)層，使用X射線(xiàn)衍射裝置進(jìn)行X射線(xiàn)衍 射(XRD)圖案的測(cè)定時(shí)，如圖4所示的單點(diǎn)鏈狀線(xiàn)所示，與六方晶體鈦酸鋇特有的峰一同出 現(xiàn)立方晶體或正方晶體鈦酸鋇特有的峰。另外，如圖3所示，如果通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定核2 進(jìn)行電子解析，則出現(xiàn) 六方晶體鈦酸鋇特有的圖案，如果通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定殼2 進(jìn)行電子解析，則可 以觀察到正方晶體或立方晶體鈦酸鋇特有的圖案。即，可以確認(rèn)具有核殼結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，對(duì)于得到的實(shí)施例的電容器樣品進(jìn)行絕緣電阻及比介電常數(shù)的評(píng)價(jià)。結(jié)果 用圖6及圖7的虛線(xiàn)ex. 1表示。實(shí)施例2除使燒成時(shí)的氧分壓為10_4Pa以外，與實(shí)施例1同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣
11的測(cè)定。對(duì)于電介質(zhì)層，如果使用X射線(xiàn)衍射裝置進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定，則如 圖4所示的虛線(xiàn)所示，與六方晶體鈦酸鋇特有的峰一同出現(xiàn)立方晶體或正方晶體鈦酸鋇特 有的峰。但立方晶體或正方晶體鈦酸鋇特有的峰比實(shí)施例1低。由此能夠確認(rèn)可以控制包 含立方晶體或正方晶體鈦酸鋇的圖2所示的殼Ma的厚度。比較例1除使燒成時(shí)的氧分壓為KT1Pa以外，與實(shí)施例1同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣 的測(cè)定。對(duì)于電介質(zhì)層，如果使用X射線(xiàn)衍射裝置進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定，則僅 出現(xiàn)六方晶體鈦酸鋇特有的峰。由此可以確認(rèn)沒(méi)有形成圖2所示的殼的由六方晶體鈦酸鋇 粒子及晶界形成電介質(zhì)層。對(duì)于得到的比較例的電容器樣品，進(jìn)行絕緣電阻及比介電常數(shù) 的評(píng)價(jià)。結(jié)果用圖6及圖7的實(shí)線(xiàn)cex. 1表示。比較例2除了作為主成分原料粉使用正方晶鈦酸鋇粉以外，與實(shí)施例1同樣地制造電容器 樣品，測(cè)定比介電常數(shù)。結(jié)果用圖7的虛線(xiàn)cex. 2表示。評(píng)價(jià)1如圖6及圖7所示，確認(rèn)了與比較例l(cex. 1)相比，實(shí)施例l(ex. 1)中絕緣電阻 提高的同時(shí)，比介電常數(shù)也提高，并且特性相對(duì)于溫度的變化小。另外，確認(rèn)了與比較例 2 (cex. 2)相比，實(shí)施例(ex. 1)中介電常數(shù)整體降低，但特性相對(duì)于溫度的變化大幅降低。實(shí)施例3作為主成分原料粉，使用通式 、^^^!^―一？^諷表示的六方晶體鈦酸鋇 粉，a = 0. 003、β = 0、M1 = La,Α/Β = 1. 04。該六方晶體鈦酸鋇粉使用BaCO3 (比表面積 25m2/g)、TiO2 (比表面積50m2/g)及La (OH) 3(比表面積20m2/g)，在減壓下通過(guò)固相合成 進(jìn)行制造，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測(cè)定。S卩，對(duì)于電介質(zhì)層，如果使用X射線(xiàn)衍射裝置進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定， 則如圖4所示的單點(diǎn)鏈狀線(xiàn)所示，與六方晶體鈦酸鋇特有的峰一同出現(xiàn)立方晶體或正方晶 體鈦酸鋇特有的峰。另外，如圖3所示，如果通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定核2 進(jìn)行電子解析，則觀察 到六方晶體鈦酸鋇特有的圖案，如果通過(guò)透射型電子顯微鏡測(cè)定殼2 進(jìn)行電子解析，則 可以觀察到正方晶或立方晶體的鈦酸鋇特有的圖案。即，能夠確認(rèn)具有核殼結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，對(duì)于得到的實(shí)施例的電容器樣品，進(jìn)行絕緣電阻及比介電常數(shù)的評(píng)價(jià)。結(jié)果 用圖8及圖9的虛線(xiàn)ex. 3表示。比較例3除了使燒成時(shí)的氧分壓為KT1Pa以外，與實(shí)施例3同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同 樣的測(cè)定。對(duì)于電介質(zhì)層，如果使用X射線(xiàn)衍射裝置進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定，則 僅出現(xiàn)六方晶體鈦酸鋇特有的峰。由此可以確認(rèn)沒(méi)有形成圖2所示的殼的由六方晶體鈦酸 鋇粒子及晶界形成電介質(zhì)層。對(duì)于得到的比較例的電容器樣品，進(jìn)行絕緣電阻及比介電常 數(shù)的評(píng)價(jià)。結(jié)果用圖8及圖9的實(shí)線(xiàn)cex. 3表示。評(píng)價(jià)2如圖8及圖9所示，可以確認(rèn)與比較例3 (cex. 3)相比，實(shí)施例3 (ex. 3)中比介電常 數(shù)降低，但絕緣電阻提高的同時(shí)，并且比介電常數(shù)及絕緣電阻兩特性相對(duì)于溫度的變化小。另外，實(shí)施例3中，確認(rèn)了與實(shí)施例1相比比介電常數(shù)大幅提高。實(shí)施例4作為元素M1，使用La以外的Dy、Gd、Ho、Y、Er、Yb、Ce及Bi中的任一種，除此之 外，與實(shí)施例3同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例3相同的 結(jié)果?？烧J(rèn)為這是因?yàn)樯鲜鲈嘏cLa同樣地相對(duì)于12配位時(shí)的Ba2+的有效離子半徑在 士20%以?xún)?nèi)，與La同樣地取代Ba。實(shí)施例5除了 Μ2 = Μη、0< β彡0. 2以外，與實(shí)施例3同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣的 測(cè)定，能夠確認(rèn)與實(shí)施例3相同的結(jié)果。特別是0.03 < β < 0.2、更優(yōu)選為0.03 < β ^0. 1 時(shí)，能夠確認(rèn)特性提高。實(shí)施例6Μ2 = Mn以外的Ga、Cr、Co、!^e、Ir、Ag，除此之外，與實(shí)施例5同樣地制造電容器樣 品，進(jìn)行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例5同樣的結(jié)果?？烧J(rèn)為這是因?yàn)樯鲜鲈嘏cMn 同樣地相對(duì)于6配位時(shí)的Ti4+的有效離子半徑在士20%以?xún)?nèi)，與Mn同樣地取代Ti。實(shí)施例7使A/B為0. 900彡A/B < 1. 04，除此之外，與實(shí)施例3同樣地制造電容器樣品，進(jìn) 行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例3同樣的結(jié)果。實(shí)施例8作為元素M2，使用Mn以外的Ga、Cr、Co、狗、Ir、Ag中的任一種，除此之外，與實(shí)施 例1同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例1同樣的結(jié)果?？烧J(rèn) 為這是因?yàn)樯鲜鲈嘏cMn同樣地相對(duì)于6配位時(shí)的Ti4+的有效離子半徑在士20%以?xún)?nèi)， 與Mn同樣地取代Ti。實(shí)施例9Ml = La、0 < α ^ 0. 1，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣 的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例1同樣的結(jié)果。特別是0< α < 0.003時(shí)，能夠確認(rèn)特性提尚。實(shí)施例10使用Ml = La以外的Dy、Gd、Ho、Y、Er、Yb、Ce及Bi中的任一種，除此之夕卜，與實(shí)施 例9同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例9同樣的結(jié)果。實(shí)施例11使β為0. 15以外，在0.003彡β彡0. 2內(nèi)改變，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制 造電容器樣品，進(jìn)行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例1同樣的結(jié)果。實(shí)施例12使Α/Β為1.000以外，在0. 900彡Α/Β彡1.04內(nèi)變化，除此之外，與實(shí)施例1同樣 地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣的測(cè)定，能夠確認(rèn)得到與實(shí)施例1同樣的結(jié)果。實(shí)施例13不使燒成時(shí)的氧分壓發(fā)生變化，作為添加物加入正方晶體BaTiO3,由此形成正方 晶體殼，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制造電容器樣品，進(jìn)行同樣的測(cè)定。對(duì)于電介質(zhì)層，如 果使用X射線(xiàn)衍射裝置進(jìn)行X射線(xiàn)衍射(XRD)圖案的測(cè)定，則通過(guò)改變正方晶體BaTiO3W添加量，如圖4所示，與實(shí)施例1、實(shí)施例2及比較例1同樣地立方晶體或正方晶體峰的出現(xiàn) 方式發(fā)生變化，能夠確認(rèn)可以控制核殼。
權(quán)利要求
1.一種電介質(zhì)陶瓷組合物，是形成了電介質(zhì)粒子的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中， 上述電介質(zhì)粒子具有由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的核、和形成在上述核的外周的由立方晶體或正方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的殼。
2.如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，上述六方晶體鈦酸鋇用通式 (ΒΒ1_αΜ1α)Α(Τ 1_0Μ20)ΒΟ3 表示，上述Ml的有效離子半徑相對(duì)于12配位時(shí)的Ba2+的有效離子半徑為-20%以上+20% 以下，上述Μ2的有效離子半徑相對(duì)于6配位時(shí)的Ti4+的有效離子半徑為-20%以上+20%以下，上述 Α、B、α 及 β 滿(mǎn)足 0. 900 彡(A/B) ^ 1. 040,0 ^ α ^ 0. 10,0 ^ β 彡 0· 2 的關(guān)系。
3.如權(quán)利要求2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，上述立方晶體或正方晶體鈦酸鋇與 上述六方晶體鈦酸鋇的晶體結(jié)構(gòu)不同，用上述通式(BabMlJjTiniCjBA表示。
4.如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，在上述電介質(zhì)粒子彼此間形成有晶 界，添加元素?cái)U(kuò)散至上述晶界和/或上述殼內(nèi)。
5.如權(quán)利要求2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，在上述電介質(zhì)粒子彼此間形成有晶 界，添加元素?cái)U(kuò)散至上述晶界和/或上述殼內(nèi)。
6.如權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，在上述電介質(zhì)粒子彼此間形成有晶 界，添加元素?cái)U(kuò)散至上述晶界和/或上述殼內(nèi)。
7.一種電子部件，是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要求 1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。
8.一種電子部件，是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要求 2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。
9.一種電子部件，是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要求 3所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。
10.一種電子部件，是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要 求4所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。
11.一種電子部件，是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要 求5所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。
12.一種電子部件，是具有電介質(zhì)層的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要 求6所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供即使因尺寸效應(yīng)、介電常數(shù)也難以降低、并且容易兼具絕緣電阻和高介電常數(shù)的、比介電常數(shù)的溫度變化少的新型電介質(zhì)陶瓷組合物和將該電介質(zhì)陶瓷組合物用作電介質(zhì)層的疊層陶瓷電容器等電子部件。為一種形成了電介質(zhì)粒子2a的電介質(zhì)陶瓷組合物。電介質(zhì)粒子2a具有由六方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的核22a和形成在核22a的外周的由立方晶體或正方晶體鈦酸鋇構(gòu)成的殼24a。
文檔編號(hào)H01G4/30GK102070334SQ20101053727
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者余野建定, 依田真一, 塚田岳夫, 夏井秀定, 石井辰也 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社, 獨(dú)立行政法人宇宙航空研究開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)