專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長范圍的光的半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動簡單、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。在現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，其金屬電極大都采用銀或銀鎳合金制成，但金屬銀容易被氧化而導(dǎo)致元件功能喪失。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種防止金屬電極被氧化的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置在基板上的發(fā)光二極管芯片及通過打線與發(fā)光二極管芯片電連接的第一電連接部和第二電連接部，該第一電連接部由該基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面，該第二電連接部由該基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面，所述第一電連接部和第二電連接部覆蓋有一層防氧化層。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，包括步驟1)提供一基板，該基板上形成有多對電極，每對電極之間形成與電極相互絕緣的反射部；2)提供多個絕緣層，每一絕緣層蓋在相應(yīng)的反射部上；3)在電極上電鍍有防氧化層；4)放置發(fā)光二極管芯片在每一絕緣層上，并通過導(dǎo)線將發(fā)光二極管芯片與相應(yīng)的防氧化層電連接；5)形成多個相互間隔的封裝體，每一封裝體覆蓋一對電極上的防氧化層及該對電極之間的絕緣層上，并將相應(yīng)的發(fā)光二極管芯片與導(dǎo)線包裹，從而在基板上形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)；6)將多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)彼此分離。在第一電連接部和第二電連接部(即電極)上形成防氧化層，有效防止第一電連接部和第二電連接部被氧化，從而保證了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)正常工作。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
圖4為制造圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第一個步驟。圖5為制造圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第二個步驟。圖6為制造圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第三個步驟。圖7為制造圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第四個步驟。圖8為制造圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第五個步驟。主要元件符號說明基板10第一電連接部11第二電連接部12反射部13、13a絕緣層14防氧化層15、15b發(fā)光二極管芯片16封裝體17導(dǎo)線18第一表面101第二表面10具體實(shí)施例方式如圖1所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板10、貼于基板10 上的相互絕緣的第一電連接部11和第二電連接部12、反射部13、包覆反射部13的絕緣層 14、形成于第一電連接部11和第二電連接部12的防氧化層15、設(shè)置于絕緣層14上的發(fā)光二極管芯片16、以及設(shè)置于發(fā)光二極管芯片16的出光方向上的封裝體17。所述反射部13 通過絕緣層14分別與第一電連接部11和第二電連接部12絕緣。所述發(fā)光二極管芯片16 通過打線分別與第一電連接部11和第二電連接部12上的防氧化層15電連接。所述基板10可以是塑料基板或陶瓷基板如氧化鋁基板、氧化鋅基板或者硅基板等。該基板10呈平板狀，其具有一第一表面101以及與其相對的第二表面102。第一電連接部11的一端形成于該基板10的第一表面101上，其另一端延伸至該基板10的第二表面 102。第二電連接部12的一端形成于該基板10的第一表面101上，其另一端延伸至該基板 10的第二表面102。該第一電連接部11和第二電連接部12為一金屬層，該金屬層可以為銀、銀鎳合金或其他導(dǎo)電金屬。所述反射部13與第一電連接部11和第二電連接部12相互絕緣。在第一實(shí)施例中，該反射部13僅貼設(shè)于所述基板10的第一表面101上。該反射部13可為其他結(jié)構(gòu)，如圖2所示的結(jié)構(gòu)，該反射部13a自基板10的第一表面101延伸至基板10的第二表面102 上，以增加熱傳導(dǎo)。在第一、第二實(shí)施例中，反射部13、13a為一金屬層，該金屬層可以為銀、 銀鎳合金或其他導(dǎo)電金屬。在第一實(shí)施例中，所述絕緣層14覆蓋于所述反射部13的頂面和外圍側(cè)面，以防止反射部13被氧化。該絕緣層14為透明的材質(zhì)，例如Si02。在第一實(shí)施例中，該絕緣層14 的側(cè)部剛好填充反射部13與第一電連接部11和第二電連接部12之間的空隙。在其他實(shí)施例中，該絕緣層14只要包裹好反射部13即可。所述防氧化層15分別覆蓋于所述第一電連接部11和第二電連接部12，以防止第一電連接部11和第二電連接部12被氧化。該防氧化層15可通過電鍍的方法形成于第一電連接部11和第二電連接部12上。該防氧化層15為不易氧化的金屬層，例如Au(金)層。 防氧化層1 可同時覆蓋位于所述基板10的第二表面102上的第一電連接部11和第二電連接部12，如圖3所示。在第一實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片16貼于所述絕緣層14的頂面，并通過打線分別與覆蓋于第一電連接部11和第二電連接部12上的防氧化層15電連接，使得發(fā)光二極管芯片16通過導(dǎo)線18和防氧化層15分別與第一電連接部11和第二電連接部12電連接。 該防氧化層15不僅可以防止第一電連接部11和第二電連接部12氧化，而且可以增加熱應(yīng)力避免導(dǎo)線18受熱時斷裂。所述封裝體17覆蓋所述防氧化層15與所述絕緣層14上，并將發(fā)光二極管芯片16 與導(dǎo)線18包裹。該封裝體17為摻雜有熒光粉的封裝樹脂。在本實(shí)施例中，該封裝體17的兩側(cè)分別與第一電連接部11和第二電連接部12的側(cè)部平齊。發(fā)光二極管芯片16發(fā)出光線，透過封裝體17射出。發(fā)光二極管芯片16發(fā)出的光線激發(fā)熒光粉產(chǎn)生波長不同的光線， 該二種光線在封裝體17內(nèi)充分混光后射出。所述反射部13反射發(fā)光二極管芯片16發(fā)出的光線。圖4至圖8示出了制造本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括如下步驟步驟1，如圖4所示，提供一基板10，在基板10的第一表面101上鍍上一層反射部 13，并由第一表面101延伸至基板10的第二表面102鍍上的第一電連接部11和第二電連接部12。第一電連接部11和第二電連接部12即是發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的一對電極。假設(shè)反射部13、第一電連接部11和第二電連接部12為一組，該基板10上形成多組，在后續(xù)步驟中，在一個基板10上形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。步驟2至步驟5中以其中一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，其他實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法同理。步驟2，如圖5所示，預(yù)先制作一絕緣層14，并將該絕緣層14蓋在反射部13上。絕緣層14可增加反射效果，也防止反射部13氧化。步驟3，如圖6所示，利用電鍍技術(shù)覆蓋一層防氧化層15在位于所述基板10的第一表面101上的第一電連接部11和第二電連接部12上，所述防氧化層15的頂面與絕緣層 14的頂面平齊。步驟4，如圖7所示，放置發(fā)光二極管芯片16在所述絕緣層14上，并通過導(dǎo)線18 將發(fā)光二極管芯片16與防氧化層15電連接。步驟5，如圖8所示，形成一封裝體17，該封裝體17覆蓋所述防氧化層15與所述絕緣層14上，并將發(fā)光二極管芯片16與導(dǎo)線18包裹。步驟6，將通過上述步驟形成的多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)彼此分離。在本實(shí)施例中，采用蝕刻方式分離。制造本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法與第一實(shí)施例的大致相同， 不同之處在于第二實(shí)施例的反射部13a自基板10的第一表面101延伸至基板10的第二表面102上?？梢岳斫獾兀诘诙?shí)施例中，防氧化層15也可以同時形成于位于所述基板10的第二表面102上的第一電連接部11和第二電連接部12上。制造本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法與第一實(shí)施例的大致相同， 不同之處在于防氧化層1 同時覆蓋位于所述基板10的第二表面102上的第一電連接部 11和第二電連接部12上?？梢岳斫獾?，在第三實(shí)施例中，反射部13可以自基板10的第一表面101延伸至基板10的第二表面102上。綜上所述，利用選鍍的技術(shù)在第一電連接部11和第二電連接部12上形成防氧化層15(1 ),有效防止第一電連接部11和第二電連接部12被氧化，從而保證了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)正常工作。另外，在發(fā)光二極管芯片16的下面形成有反射部13與絕緣層14，使得所述基板 10的表面形成調(diào)光結(jié)構(gòu)，以將發(fā)光二極管芯片16發(fā)出的光線聚集向發(fā)光二極管芯片16的上方。應(yīng)該指出，上述實(shí)施方式僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置在基板上的發(fā)光二極管芯片、與發(fā)光二極管芯片電連接的第一電連接部和第二電連接部，該第一電連接部由該基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面，該第二電連接部由該基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面，其特征在于所述第一電連接部和第二電連接部覆蓋有一層防氧化層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述防氧化層為一層不易氧化的金屬層。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括設(shè)置于所述基板上的反射部及包覆該反射部的絕緣層，該反射部通過絕緣層與第一電連接部和第二電連接部相互絕緣，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該絕緣層上。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣層由透明的材質(zhì)制成。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括覆蓋于所述防氧化層與所述絕緣層上的封裝體，該封裝體包裹所述發(fā)光二極管芯片。
6.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，包括步驟1)提供一基板，該基板上形成有多對電極，每對電極之間形成與電極相互絕緣的反射部；2)提供多個絕緣層，每一絕緣層蓋在相應(yīng)的反射部上；3)在電極上電鍍有防氧化層；4)放置發(fā)光二極管芯片在每一絕緣層上，并通過導(dǎo)線將發(fā)光二極管芯片與相應(yīng)的防氧化層電連接；5)形成多個相互間隔的封裝體，每一封裝體覆蓋一對電極上的防氧化層及該對電極之間的絕緣層上，并將相應(yīng)的發(fā)光二極管芯片與導(dǎo)線包裹，從而在基板上形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)；6)將多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)彼此分離。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于步驟3)中的防氧化層為一層不易氧化的金屬層。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于步驟4)中的絕緣層由透明的材質(zhì)制成。
9.如權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于所述電極由所述基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于所述反射部由所述基板的第一表面延伸至與第二表面。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置在基板上的發(fā)光二極管芯片及通過打線與發(fā)光二極管芯片電連接的第一電連接部和第二電連接部，該第一電連接部由該基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面，該第二電連接部由該基板的第一表面延伸至與第一表面相對的第二表面，所述第一電連接部和第二電連接部覆蓋有一層防氧化層。在第一電連接部和第二電連接部上形成防氧化層，有效防止第一電連接部和第二電連接部被氧化，從而保證了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)正常工作。本發(fā)明還提供一種制造上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法。
文檔編號H01L33/00GK102468406SQ20101055094
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者張潔玲, 張超雄, 胡必強(qiáng) 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司